JPH04342148A - テープキャリア - Google Patents
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- JPH04342148A JPH04342148A JP3114668A JP11466891A JPH04342148A JP H04342148 A JPH04342148 A JP H04342148A JP 3114668 A JP3114668 A JP 3114668A JP 11466891 A JP11466891 A JP 11466891A JP H04342148 A JPH04342148 A JP H04342148A
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- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 abstract description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 abstract description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 abstract description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
〔発明の目的〕
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品、とくに半導
体素子などを一括接合したテープキャリアに関する。
体素子などを一括接合したテープキャリアに関する。
【０００３】
【従来の技術】近年、電子部品として、１００ピンを越
える半導体素子たとえば超ＬＳＩ、ゲートアレイ、ＬＣ
Ｄドライバが用いられている。これら半導体は、各種家
庭電化製品、産業用機器の分野への進出がなされ、液晶
ディスプレイなどは液晶テレビ、ワードプロセッサ、ラ
ップトップ型パーソナルコンピュータなどに用いられ、
薄形化、狭額縁化の要望が大きい。このような技術動向
の中、半導体の接続方法としてテープキャリアが注目さ
れ、様々な応用がなされている。
える半導体素子たとえば超ＬＳＩ、ゲートアレイ、ＬＣ
Ｄドライバが用いられている。これら半導体は、各種家
庭電化製品、産業用機器の分野への進出がなされ、液晶
ディスプレイなどは液晶テレビ、ワードプロセッサ、ラ
ップトップ型パーソナルコンピュータなどに用いられ、
薄形化、狭額縁化の要望が大きい。このような技術動向
の中、半導体の接続方法としてテープキャリアが注目さ
れ、様々な応用がなされている。
【０００４】そして、一般的にＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕ
ｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法といわれるテープ
キャリアを用いて一括に半導体を接続する方法が用いら
れている。このＴＡＢ法は、ワイヤーボンディングに比
べて、量産化、多品種化しやすく、高密度化、小形化が
図れるという長所を有している。
ｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法といわれるテープ
キャリアを用いて一括に半導体を接続する方法が用いら
れている。このＴＡＢ法は、ワイヤーボンディングに比
べて、量産化、多品種化しやすく、高密度化、小形化が
図れるという長所を有している。
【０００５】また、ＴＡＢ用テープキャリアは、１層タ
イプ、２層タイプおよび３層タイプの３種類があり、一
般に液晶ディスプレイようのＴＡＢには、図５に示すよ
うに、ベースフィルム１上には、箔状の銅（Ｃｕ）のリ
ード２が接着剤で貼着された３層タイプを使用している
。そして、３層タイプのテープキャリアは、接着剤が塗
布されたポリイミドやポリエステルなどのプラスティッ
クフィルムのベースフィルム１に、送り用のパーフォレ
ーション３、半導体素子が取り付けられるデバイスホー
ル４、位置合わせ用の開口５、折曲部６に形成する折曲
用の開口７などの必要な開口を、金型などで打ち抜いて
形成する。
イプ、２層タイプおよび３層タイプの３種類があり、一
般に液晶ディスプレイようのＴＡＢには、図５に示すよ
うに、ベースフィルム１上には、箔状の銅（Ｃｕ）のリ
ード２が接着剤で貼着された３層タイプを使用している
。そして、３層タイプのテープキャリアは、接着剤が塗
布されたポリイミドやポリエステルなどのプラスティッ
クフィルムのベースフィルム１に、送り用のパーフォレ
ーション３、半導体素子が取り付けられるデバイスホー
ル４、位置合わせ用の開口５、折曲部６に形成する折曲
用の開口７などの必要な開口を、金型などで打ち抜いて
形成する。
【０００６】そうして、図６に示すように、ベースフィ
ルム１上に、銅（Ｃｕ）箔を接着層８上に張り合わせて
フォトリソグラフィー法などで、リード２のパターンを
形成する。なお、このリード２上には、錫（Ｓｎ）や金
（Ａｕ）などの表面層９が形成されている。また、リー
ド２の表面の表面層９を形成しない部分には、ソルダー
レジスト１０が形成されている。
ルム１上に、銅（Ｃｕ）箔を接着層８上に張り合わせて
フォトリソグラフィー法などで、リード２のパターンを
形成する。なお、このリード２上には、錫（Ｓｎ）や金
（Ａｕ）などの表面層９が形成されている。また、リー
ド２の表面の表面層９を形成しない部分には、ソルダー
レジスト１０が形成されている。
【０００７】次に、このＴＡＢ法による半導体素子であ
る集積回路１２の接続を図８を参照して説明する。
る集積回路１２の接続を図８を参照して説明する。
【０００８】まず、ＩＬＢ（Ｉｎｎｅｒ Ｌｅａｄ Ｂ
ｏｎｄｉｎｇ）による接続を説明する。この集積回路１
２は、電極端子１３上にチタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）が順次積層され
ている。そして、リード２の表面層９と、電極端子１３
とを当接させ、４５０〜５００℃に加熱し、２００〜１
０００ｋｇ／ｃｍ２ 、すなわち１００μｍ×１００μ
ｍの１電極端子１３当たり２０〜１００ｇの圧力を加え
て、金錫共晶により接合するものである。
ｏｎｄｉｎｇ）による接続を説明する。この集積回路１
２は、電極端子１３上にチタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）が順次積層され
ている。そして、リード２の表面層９と、電極端子１３
とを当接させ、４５０〜５００℃に加熱し、２００〜１
０００ｋｇ／ｃｍ２ 、すなわち１００μｍ×１００μ
ｍの１電極端子１３当たり２０〜１００ｇの圧力を加え
て、金錫共晶により接合するものである。
【０００９】次に、ＯＬＢ（Ｏｕｔｅｒ Ｌｅａｄ Ｂ
ｏｎｄｉｎｇ）による接続を説明する。このＯＬＢは、
集積回路１２を接合したテープキャリアを、液晶テレビ
などの電化製品や、各種機器の基板１５に組み込むため
に適当な大きさに切断し、液晶の注入されたセルなどに
、異方性導電フィルム１６を用いて接続する。すなわち
、５０℃〜１５０℃に加熱し、１〜１０ｋｇ／ｃｍ２
の圧力を加え、異方性導電フィルム１６を仮圧着し、さ
らに、液晶セルとテープキャリアの電極端子の位置合わ
せをして、５０〜２００℃に加熱し、１０〜３０ｋｇ／
ｃｍ２ の圧力を１５〜３０秒間加えて圧着する。
ｏｎｄｉｎｇ）による接続を説明する。このＯＬＢは、
集積回路１２を接合したテープキャリアを、液晶テレビ
などの電化製品や、各種機器の基板１５に組み込むため
に適当な大きさに切断し、液晶の注入されたセルなどに
、異方性導電フィルム１６を用いて接続する。すなわち
、５０℃〜１５０℃に加熱し、１〜１０ｋｇ／ｃｍ２
の圧力を加え、異方性導電フィルム１６を仮圧着し、さ
らに、液晶セルとテープキャリアの電極端子の位置合わ
せをして、５０〜２００℃に加熱し、１０〜３０ｋｇ／
ｃｍ２ の圧力を１５〜３０秒間加えて圧着する。
【００１０】また、通常、回路基板は液晶セルより３〜
５ｃｍ程度大きいが、近年額縁を狭くするために、図７
および図８に示すように、テープキャリアを途中で折り
曲げて、より小さな回路基板に接続する、いわゆる折曲
げＴＡＢ法が用いられるようになってきている。このよ
うに、折曲げＴＡＢ法を用いれば、小形化、高密度化が
図れる。
５ｃｍ程度大きいが、近年額縁を狭くするために、図７
および図８に示すように、テープキャリアを途中で折り
曲げて、より小さな回路基板に接続する、いわゆる折曲
げＴＡＢ法が用いられるようになってきている。このよ
うに、折曲げＴＡＢ法を用いれば、小形化、高密度化が
図れる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記折
曲げＴＡＢ法の場合、図５に示すように折曲部６の折り
曲げ用の開口７を形成し、図８に示すようにリード２の
みで折り曲げるので、リード２には、開口７の両側部で
応力が集中して破損しやすく、一方、リード２は、はだ
かの状態にあるので、断線または短絡のおそれがある問
題を有している。
曲げＴＡＢ法の場合、図５に示すように折曲部６の折り
曲げ用の開口７を形成し、図８に示すようにリード２の
みで折り曲げるので、リード２には、開口７の両側部で
応力が集中して破損しやすく、一方、リード２は、はだ
かの状態にあるので、断線または短絡のおそれがある問
題を有している。
【００１２】また、折曲部６のベースフィルム１にハー
フエッチング処理や研磨処理を施すことにより、折曲部
６のベースフィルム１の厚さを薄くして折り曲げ性を向
上させることも考えられるが、折曲部６全体を均一に薄
くすることは、非常に難しい。
フエッチング処理や研磨処理を施すことにより、折曲部
６のベースフィルム１の厚さを薄くして折り曲げ性を向
上させることも考えられるが、折曲部６全体を均一に薄
くすることは、非常に難しい。
【００１３】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、断線、短絡を生じにくく高信頼性の、折曲げが容易
なテープキャリアを提供することを目的とする。
で、断線、短絡を生じにくく高信頼性の、折曲げが容易
なテープキャリアを提供することを目的とする。
【００１４】
〔発明の構成〕
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ベースフィル
ムと、このベースフィルム上に形成されたリードとを備
え、折曲部にて折り曲げられるテープキャリアにおいて
、前記折曲部に、前記リードが形成された以外の部分の
前記ベースフィルムに開口を形成したものである。
ムと、このベースフィルム上に形成されたリードとを備
え、折曲部にて折り曲げられるテープキャリアにおいて
、前記折曲部に、前記リードが形成された以外の部分の
前記ベースフィルムに開口を形成したものである。
【００１６】
【作用】本発明は、折曲部にて折り曲げられるテープキ
ャリアの折曲部に、リードが形成されていない部分のベ
ースフィルムに開口を形成したため、ベースキャリアの
折り曲げは容易になり、また、リードはベースフィルム
によって補強された構造となっているため、断線しにく
いとともに、短絡しにくい。
ャリアの折曲部に、リードが形成されていない部分のベ
ースフィルムに開口を形成したため、ベースキャリアの
折り曲げは容易になり、また、リードはベースフィルム
によって補強された構造となっているため、断線しにく
いとともに、短絡しにくい。
【００１７】
【実施例】以下、本発明のテープキャリアの一実施例を
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１８】なお、従来例を示す図５ないし図８と同一
部分には、同一符号を付して説明する。
部分には、同一符号を付して説明する。
【００１９】図１および図２に示すＴＡＢ用テープキャ
リアは接着層を有さない２層タイプで、ポリイミドやポ
リエステルなどのプラスティックフィルムのベースフィ
ルム１上には、錫（Ｓｎ）メッキされた箔状の銅（Ｃｕ
）のリード２のパターンが形成されている。また、この
ベースフィルム１には、送り用のパーフォレーション３
、半導体素子が取り付けられるデバイスホール４、位置
合わせ用の開口５、折曲部６に形成する折曲用の開口２
１などの必要な開口が形成されている。
リアは接着層を有さない２層タイプで、ポリイミドやポ
リエステルなどのプラスティックフィルムのベースフィ
ルム１上には、錫（Ｓｎ）メッキされた箔状の銅（Ｃｕ
）のリード２のパターンが形成されている。また、この
ベースフィルム１には、送り用のパーフォレーション３
、半導体素子が取り付けられるデバイスホール４、位置
合わせ用の開口５、折曲部６に形成する折曲用の開口２
１などの必要な開口が形成されている。
【００２０】この折曲用の開口２１は、折曲部６のリー
ド２の長手方向に沿って平行に、リード２が形成されて
いない部分にリード２を露出しないように、リード２の
両側にスリット状に形成されている。また、この開口２
１は、ウエットエッチングにより形成されているため、
図２に示すように、下面方向に３０〜６０°拡開された
テーパ状になっている。
ド２の長手方向に沿って平行に、リード２が形成されて
いない部分にリード２を露出しないように、リード２の
両側にスリット状に形成されている。また、この開口２
１は、ウエットエッチングにより形成されているため、
図２に示すように、下面方向に３０〜６０°拡開された
テーパ状になっている。
【００２１】なお、ベースフィルム１の厚さは５０〜７
５μｍ、リード２の厚さは１８〜３５μｍ、リード２の
幅は１００μｍ、リード２の間隔は１００μｍで形成さ
れている。また、開口２１の幅は６０μｍ、長さ４ｍｍ
、ピッチが２００μｍで形成されている。
５μｍ、リード２の厚さは１８〜３５μｍ、リード２の
幅は１００μｍ、リード２の間隔は１００μｍで形成さ
れている。また、開口２１の幅は６０μｍ、長さ４ｍｍ
、ピッチが２００μｍで形成されている。
【００２２】上述のように、開口２１を形成することに
よりテープキャリアは容易に折り曲げれる。リード２を
内面側に位置させてベースフィルム１を折り曲げると、
また、開口２１は、リード２を露出させず、表面にリー
ド２が露出されず、リードの断線、短絡を防止でき、加
えて、リード２はベースフィルム１のいわゆる裏打ちが
ある状態なので、リード２はベースフィルム１によって
補強され、リード２の断線、短絡を防止することができ
る。さらに、開口２１は、ウエットエッチングにより下
方に向けて拡開しているので、ベースフィルム１にハー
フエッチングを施した場合と同様に、より折り曲げやす
くすることができる。
よりテープキャリアは容易に折り曲げれる。リード２を
内面側に位置させてベースフィルム１を折り曲げると、
また、開口２１は、リード２を露出させず、表面にリー
ド２が露出されず、リードの断線、短絡を防止でき、加
えて、リード２はベースフィルム１のいわゆる裏打ちが
ある状態なので、リード２はベースフィルム１によって
補強され、リード２の断線、短絡を防止することができ
る。さらに、開口２１は、ウエットエッチングにより下
方に向けて拡開しているので、ベースフィルム１にハー
フエッチングを施した場合と同様に、より折り曲げやす
くすることができる。
【００２３】また、図３および図４は、他の実施例で、
図１および図２に示すスリット状の開口２１に代えて、
円形の開口２２を折曲部６のリード２の周囲に多数形成
したものである。
図１および図２に示すスリット状の開口２１に代えて、
円形の開口２２を折曲部６のリード２の周囲に多数形成
したものである。
【００２４】この円形の開口２２もエッチング処理によ
り形成されたものであり、図４に示すように、下面に向
けて拡開されている。また、この円形の開口２２は、径
大の部分はリード２の間隙より広く形成されているが、
テーパにより径小の部分はリード２の間隙より狭く形成
されているので、リード２は露出されない。
り形成されたものであり、図４に示すように、下面に向
けて拡開されている。また、この円形の開口２２は、径
大の部分はリード２の間隙より広く形成されているが、
テーパにより径小の部分はリード２の間隙より狭く形成
されているので、リード２は露出されない。
【００２５】なお、開口２２は、径大の部分の直径は１
１０μｍ、ピッチは２００μｍに形成されている。
１０μｍ、ピッチは２００μｍに形成されている。
【００２６】この図３および図４に示すテープキャリア
も、図１および図２に示すテープキャリアと同様な効果
が得られ、また、開口２２の形状は、円形に限らずたと
えば８角形などの多角形でもよい。
も、図１および図２に示すテープキャリアと同様な効果
が得られ、また、開口２２の形状は、円形に限らずたと
えば８角形などの多角形でもよい。
【００２７】
【発明の効果】本発明のテープキャリアによれば、折曲
部にて折り曲げられるテープキャリアの折曲部に、リー
ドが形成されていない部分のベースフィルムに開口を形
成したので、テープキャリアの折り曲げを容易にするこ
とができ、また、折曲部のリードはベースフィルムによ
って補強されているので、リードは、断線および短絡を
生じにくくすることができるので、折曲げが容易で、か
つ、高信頼性にすることができる。
部にて折り曲げられるテープキャリアの折曲部に、リー
ドが形成されていない部分のベースフィルムに開口を形
成したので、テープキャリアの折り曲げを容易にするこ
とができ、また、折曲部のリードはベースフィルムによ
って補強されているので、リードは、断線および短絡を
生じにくくすることができるので、折曲げが容易で、か
つ、高信頼性にすることができる。
【図１】本発明のテープキャリアの一実施例を示す平面
図である。
図である。
【図２】同上図１に示すＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図３】同上他の実施例を示す平面図である。
【図４】同上図３に示すＩＶ−ＩＶ断面図である。
【図５】従来例のテープキャリアを示す平面図である。
【図６】同上一部を示す断面図である。
【図７】同上一部を示す平面図である。
【図８】同上一部を示す断面図である。
２ リード
６ 折曲部
２１ 開口
Claims (1)
- 【請求項１】 ベースフィルムと、このベースフィル
ム上に形成されたリードとを備え、折曲部にて折り曲げ
られるテープキャリアにおいて、前記折曲部に、前記リ
ードが形成された以外の部分の前記ベースフィルムに開
口を形成したことを特徴とするテープキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3114668A JPH04342148A (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | テープキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3114668A JPH04342148A (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | テープキャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04342148A true JPH04342148A (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=14643610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3114668A Pending JPH04342148A (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | テープキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04342148A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08139132A (ja) * | 1994-11-07 | 1996-05-31 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | キャリアテープ |
| US6633002B2 (en) | 1999-05-20 | 2003-10-14 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Tape carrier having high flexibility with high density wiring patterns |
| WO2007001995A1 (en) * | 2005-06-22 | 2007-01-04 | 3M Innovative Properties Company | Dielectric substrate with holes and method of manufacture |
| JP2007053331A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-03-01 | Samsung Electronics Co Ltd | テープ配線基板と、それを用いたテープパッケージ及び平板表示装置 |
| EP2076104A2 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-01 | LG Electronics Inc. | Flexible film and display device comprising the same |
-
1991
- 1991-05-20 JP JP3114668A patent/JPH04342148A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08139132A (ja) * | 1994-11-07 | 1996-05-31 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | キャリアテープ |
| US6633002B2 (en) | 1999-05-20 | 2003-10-14 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Tape carrier having high flexibility with high density wiring patterns |
| WO2007001995A1 (en) * | 2005-06-22 | 2007-01-04 | 3M Innovative Properties Company | Dielectric substrate with holes and method of manufacture |
| JP2008544550A (ja) * | 2005-06-22 | 2008-12-04 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ホールを有する誘電体基板及び製造分野における方法 |
| JP2007053331A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-03-01 | Samsung Electronics Co Ltd | テープ配線基板と、それを用いたテープパッケージ及び平板表示装置 |
| EP2076104A2 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-01 | LG Electronics Inc. | Flexible film and display device comprising the same |
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