JP2015015246A - 有機ｅｌ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】配線の導体部の上に被覆膜が形成されている場合において、配線と接続部材との間の接続抵抗を低くする。【解決手段】配線３は、導電部３Ａの上に第１被覆部３Ｂを積層した構成を有している。第１被覆部３Ｂは、例えば導電性の膜である。接続部材５は、例えばボンディングワイヤであり、芯部５Ａ及び第２被覆部５Ｂを備えている。第２被覆部５Ｂは、芯部５Ａを覆っている。接続部材５は、配線３に、第１被覆部３Ｂ側から接続している。そして、配線３と接続部材５との接続部の少なくとも一部は、導電部３Ａと芯部５Ａとが第１被覆部３Ｂ及び第２被覆部５Ｂを介さずに接続している接合部となっている。【選択図】図１

Description

本発明は、光学装置及び有機ＥＬ装置に関する。

一つの基板上の配線と他の基板上の配線又は電極を電気的に接続する技術としては、異方性導電フィルム（Anisotropic Conductive Film、ACF）を用いた接続が一般的に知られている（下記特許文献１参照）。異方性導電フィルムは、熱硬化性樹脂に導電性を持つ微粒子を混ぜ合わせたものを膜状に成型したものである。

一方、半導体素子を基板上に実装する技術として、ワイヤボンディングを用いた技術が知られている。この技術は、ボンディングワイヤの両端を、接続対象の端子又は配線に接続するものである（下記特許文献１、２参照）。また、有機ＥＬ装置などに用いられるガラス基板にワイヤボンディングを利用するものもある（下記特許文献３参照）。

特開２００９−２８２２８５号公報 特開２００１−２４０２７号公報 特開２０１３−６９９１２号公報

配線の導体部の上には、被覆部が形成されていることがある。この被覆部は、導体部そのものが酸化した酸化膜の場合もあるし、導体部とは別の材料で形成された膜の場合もある。このように、配線の導体部が被覆部で覆われていた場合、ボンディングワイヤとして、金ワイヤなどの比較的柔らかい材料からなるものを用いると、配線の導体部とボンディングワイヤを直接接続することが困難になる。配線の導体部とボンディングワイヤが直接接続しない場合、これらの間の接続抵抗は高くなる。

また、特許文献３のように、有機ＥＬ装置にワイヤボンディングを利用する場合、有機ＥＬ装置を構成する有機ＥＬ素子（上部電極、有機層、下部電極）を電流で駆動する必要がある。このため、配線に対し、必要な電流が流れるように配線とボンディングワイヤの接続部の接続抵抗を低くする必要がある。接続抵抗を下げることにより、駆動電圧を下げ、有機ＥＬ装置の輝度を上げる工夫が必要となる。

本発明が解決しようとする課題としては、配線の導体部の上に被覆膜が形成されている場合において、配線と接続部材との間の接続抵抗を低くすることが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、光学素子と、
導電部の上に第１被覆部を積層し、前記光学素子に電気的に接続している配線と、
芯部、及び前記芯部を覆う第２被覆部を備え、前記配線に前記第１被覆部側から接続する接続部材と、
を備え、
前記配線と前記接続部材との接続部の少なくとも一部は、前記導電部と前記芯部とが前記第１被覆部及び前記第２被覆部を介さずに接続している接合部となっている光学装置である。

請求項６に記載の発明は、下部電極と、上部電極と、前記下部電極と前記上部電極の間に位置する有機層と、を備えた有機ＥＬ素子と、
導電部の上に第１被覆部を積層し、前記上部電極又は前記下部電極と電気的に接続している配線と、
銅を主成分とする芯部、及び前記芯部を覆う第２被覆部を備え、前記配線に前記第１被覆部側から接続する接続部材と、
前記配線と前記接続部材との接続部の少なくとも一部は、前記導電部を構成する金属と前記銅の金属間化合物が形成されている有機ＥＬ装置である。

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。

実施形態に係る光学装置の構成を示す断面図である。 配線と接続部材の接続構造、及び配線と接続部材の接続構造の詳細例を示す図である。 実施例１に係る有機ＥＬ装置の構成を示す断面図である。 図３のうち有機ＥＬ装置の端部の拡大図である。 図４のうち引出配線とボンディングワイヤの接続部を説明するための図である。 有機ＥＬ装置を基板の光射出面側から見た平面図である。 比較例に係る有機ＥＬ装置の構成を示す断面図である。 引出配線とフレキシブル基板の接続部を説明するための図である。 実施例２に係る液晶装置の構成を示す断面図である。

以下、図面を参照しながら実施形態を説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１は、実施形態に係る光学装置の構成を示す断面図である。この光学装置は、例えば有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）装置である。以下、光学装置が有機ＥＬ装置１００として、説明を行う。

本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、有機ＥＬ素子１０、配線３、及び接続部材５を備えている。配線３は、後述するように、導電部３Ａの上に第１被覆部３Ｂを積層した構成を有している。第１被覆部３Ｂは、例えば導電性の膜である。接続部材５は、例えばボンディングワイヤであり、後述するように、芯部５Ａ及び第２被覆部５Ｂを備えている。第２被覆部５Ｂは、芯部５Ａを覆っている。接続部材５は、配線３に、第１被覆部３Ｂ側から接続している。そして、配線３と接続部材５との接続部の少なくとも一部は、導電部３Ａと芯部５Ａとが第１被覆部３Ｂ及び第２被覆部５Ｂを介さずに接続している接合部となっている。以下、詳細に説明する。

有機ＥＬ装置１００は、例えば照明装置又はディスプレイ装置である。本図に示す例において、有機ＥＬ素子１０は、基板１の第１面に形成されている。基板１は、可撓性を有していても良い。有機ＥＬ素子１０が発光素子である場合、基板１の第１面とは逆側の面（第２面）が光射出面となっている。この場合、基板１は、有機ＥＬ素子１０が発光する光に対して透光性を有する材料により形成されている。このような材料としては、例えばガラスや樹脂材料がある。ただし、基板１の第１面側が光射出面であっても良い。この場合、基板１は、有機ＥＬ素子１０が発光する光に対して透光性を有していなくてもよい。

有機ＥＬ素子１０は、下部電極１１、有機層１２、及び上部電極１３を有している。有機層１２は、下部電極１１と上部電極１３の間に位置しており、有機機能層、例えば発光層を有している。本図に示す例において、下部電極１１は基板１の上に形成されている。ただし、基板１と下部電極１１の間に他の層（例えば絶縁層）が設けられていても良い。下部電極１１及び上部電極１３は、いずれも互いに異なる配線３に接続している。いずれの配線３も、基板１の第１面に形成されている。本図に示す例において、下部電極１１に接続する配線３は、下部電極１１の少なくとも一部を構成する導電層と一体になっている。ただし、この配線３も、下部電極１１とは異なる導電層で形成されていても良い。

接続部材５の一端は配線３に接続されており、接続部材５の他端は、配線４に接続されている。配線４は、基板２の上に形成されている。基板２は、例えばＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）又はＰＣＢ（Printed Circuit Board）などの配線基板又は回路基板である。

なお、本図に示す例では、接続部材５の他端は基板２に接続しているが、基板１の上に形成された他の導電部に接続していても良い。

図２は、配線３と接続部材５の接続構造、及び配線４と接続部材５の接続構造の詳細例を示す図である。

配線３は、導電部３Ａと第１被覆部３Ｂを備えている。導電部３Ａ及び第１被覆部３Ｂは、いずれも導電性の材料によって形成されている。ただし、第１被覆部３Ｂは導電部３Ａの保護膜として機能するようにその材料が選択されているため、第１被覆部３Ｂのシート抵抗は、導電部３Ａのシート抵抗よりも高くなっている。

導電部３Ａは、金属（第１金属）、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、鉄（Ｆｅ）、又は白金（Ｐｔ）などの単体又はこれらの金属を主成分として含む合金、これら金属と公知の無機物を含む合金によって構成されている。これらの金属又は合金の硬度（ビッカース硬さ）は、金の硬度に対して大きい。例えば、アルミニウム（Ａｌ）のビッカース硬さは３０〜１００ＨＶ程度である。

第１被覆部３Ｂは、例えば、酸化金属などの酸化物で構成される酸化膜、金属の酸化を抑止できるパラジウム（Pd）などの酸化防止膜、フォトリソグラフィで用いるエッチャントにより金属が腐食することを抑止する腐食防止膜等である。第１被覆部３Ｂは、導電部３Ａの少なくとも一部を覆っていればよい。

具体的には、第１被覆部３Ｂは、金属（第３金属）を有している。この金属は、塊の状態において、導電部３Ａに含まれる金属よりも硬い。第１被覆部３Ｂは、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、又はパラジウム（Ｐｄ）などの単体又は合金によって構成することができる。ここで、これら複数の金属のうちの一つを用いて第１被覆部３Ｂを形成すると、第１被覆部３Ｂの硬度は少なくとも金の硬度に対して大きくなる。また、第１被覆部３Ｂは、酸化金属、例えば酸化アルミニウムによって構成することができる。酸化アルミニウムのビッカース硬さは１６００ＨＶ程度であり、金の硬度に対して大きい。

第１被覆部３Ｂが酸化金属によって形成されている場合、第１被覆部３Ｂは、導電部３Ａを構成する金属（例えばＡｌ）の酸化物（例えば酸化Ａｌ）であっても良い。この場合、第１被覆部３Ｂは、導電部３Ａの表面を酸化することにより形成される。この酸化プロセスは、例えば、有機ＥＬ装置１００の製造プロセスにおけるウェット処理工程、蒸着工程、又はエッチング工程の少なくとも一つと兼ねることができる。

配線３のうち接続部材５に接続する部分は、電極又は接続端子になっていてもよい。同様に、配線４のうち接続部材５に接続する部分は、電極又は接続端子になっていてもよい。

配線４は導電部４Ａを備えている。本図に示す例では、導電部４Ａの上に被覆部は形成されていない。ただし、導電部４Ａの上に、第１被覆部３Ｂと同様の被覆部が形成されていても良い。

接続部材５は、金（ビッカース硬さ２２ＨＶ）より硬い材料で構成されているのが好ましい。接続部材５は、例えば、ボンディングワイヤのような線状又は帯状の配線である。接続部材５の幅は、配線３又は配線４の幅に対して小さいが、同程度であっても良い。接続部材５の芯部５Ａを構成する材料は、銀（ビッカース硬さ２４ＨＶ）、銅（ビッカース硬さ７０ＨＶ程度）、白金（ビッカース硬さ４１ＨＶ）、クロム（ビッカース硬さ７５０ＨＶ以上）などの金属である。このような硬い導電性材料を接続部材５に用いることで、接続部材５を構成する材料の硬度を金の硬度より大きくすることができる。この際、接続部材５を構成する材料は単一材料成分である必要はなく、複数の材料成分を有する合金であってもよい。

接続部材５は、芯部５Ａと芯部５Ａの周囲を覆う第２被覆部５Ｂを有している。芯部５Ａ及び第２被覆部５Ｂは、いずれも導電性の材料により形成されている。接続部材５を芯部５Ａと第２被覆部５Ｂの２重構造にすることで、接続部材５の一部（端部など）又は全体の硬さを高めることができる。第２被覆部５Ｂの硬度を芯部５Ａの硬度に対して略同じ又は大きくすることで、実質的に接続部材５の硬さを大きくすることができる。一例としては、芯部５Ａの材料を純度９９．９質量％の銅（Ｃｕ）とし、第２被覆部５Ｂの材料を純度９９．９質量％のパラジウム（Ｐｄ）又は白金（Ｐｔ）として、第２被覆部５Ｂをスパッタリングや蒸着やメッキなどで薄膜形成することで、第２被覆部５Ｂの硬度を芯部５Ａの硬度に対して大きくすることができる。

図示の例では、接続部材５は芯部５Ａと第２被覆部５Ｂとで構成されているが、芯部５Ａと芯部５Ａを覆う筒状部であっても構わない。ここでいう筒状部とは、接続部材５の端部が筒状部で覆われていないものを指し、筒状部の端部は開口されている。そして、芯部５Ａの端部は筒状部から露出している。

そして、接続部材５は、第１被覆部３Ｂを通過して導電部３Ａに接続している。詳細には、第１被覆部３Ｂは、配線３が接続部材５と接続している部分の少なくとも一部に開口を有している。同様に、第２被覆部５Ｂは、配線３と接続部材５が接続している部分の少なくとも一部に開口を有している。そして、これらの開口を介して、導電部３Ａと芯部５Ａは直接接続し、接合部を形成している。そしてこの接合部の少なくとも一部には、金属間化合物５Ｃが形成されている。金属間化合物５Ｃは、導電部３Ａに含まれる金属（第１金属）と芯部５Ａに含まれる金属（第２金属）の金属間化合物（又は合金）である。例えば芯部５ＡがＣｕを主成分としており、導電部３ＡがＡｌを主成分としている場合、金属間化合物５ＣはＣｕとＡｌの合金、例えばＡｌ_２Ｃｕである。なお、第１被覆部３Ｂが金属などの導電材料によって形成されている場合、導電部３Ａと芯部５Ａの電気的接続は、第１被覆部３Ｂを介しても行われる。

接続部材５が第１被覆部３Ｂを通過して導電部３Ａと接続する構造を得るためには、第１被覆部３Ｂの厚さや硬さが特定の範囲内にあるのが好ましい。第１被覆部３Ｂの厚さは、第２被覆部５Ｂの厚さに対して略同じ又は小さくしても構わない。第１被覆部３Ｂの厚さを比較的小さくすることで、第１被覆部３Ｂを通過して接続部材５を導電部３Ａに接続し易くできる。一方、配線３をフォトリソグラフィで形成する場合には、第１被覆部３Ｂは導電部３Ａの酸化や腐食等を抑止すべく所望の厚さを有する必要がある。そのため、例えば、第１被覆部３Ｂの厚さは、０．０１〜１μｍ程度に設定することができ、第２被覆部５Ｂの厚さは０．０２〜８μｍ程度に設定することができる。

第１被覆部３Ｂの硬さは、芯部５Ａの硬さ又は第２被覆部５Ｂの硬さに対して、小さいことが好ましい。接続部材５の一部又は全体の硬度は、金の硬度より大きく、第１被覆部３Ｂの硬度より大きい。芯部５Ａ又は第２被覆部５Ｂの硬さに対して第１被覆部３Ｂの硬さを小さくすることで、超音波が伝搬された接続部材５が第１被覆部３Ｂを突き破ること（貫通）、研削すること、第１被覆部３Ｂを破くこと、及び、破かれた第１被覆部３Ｂの一部を接続部材５から外側に向けて移動させることが容易になり、その結果、接続部材５が第１被覆部３Ｂを通過して導電部３Ａに到達するのが容易になる。

また、配線３がフォトリソグラフィ工程などの製造工程を経て加熱されている場合には、この加熱によって配線３の表面（例えば第１被覆部３Ｂ）が硬質化してしまう場合がある。このような場合、接続部材５として、金などの比較的柔らかい材料を用いると、配線３と接続部材５の電気的な接続を確実に行うことができない場合がある。これに対して、接続部材５に第２被覆部５Ｂをもたせると、接続部材５を、第１被覆部３Ｂを通過させて導電部３Ａに到達させることが可能になる。

なお、配線３と接続部材５の接続部において、接続部材５に対面する第１被覆部３Ｂの内周部３ｔを、接続部材５から基板１に向かう方向に傾斜させることができる。この第１被覆部３Ｂの内周部３ｔは、第１被覆部３Ｂに対して接続部材５による突き破り（貫通）、切削、第１被覆部３Ｂを破くこと、又は破かれた第１被覆部３Ｂの一部を接続部材５から外側に向けて移動させることで形成することができるが、接続部材５との接続に先立って予め第１被覆部３Ｂに開口部を形成しておくこともできる。

以上、本実施形態によれば、接続部材５と配線３の接続部の少なくとも一部において、接続部材５の芯部５Ａと配線３の導電部３Ａは、第２被覆部５Ｂ及び第１被覆部３Ｂのいずれも介さずに接続している。従って、接続部材５と配線３の間の接続抵抗を低くすることができる。

また、芯部５Ａと導電部３Ａの接続部には、金属間化合物５Ｃが形成されている。このため、芯部５Ａと導電部３Ａの接合の機械的強度が向上するとともに、これらの間の接続抵抗が小さくなる。

（実施例１）
図３は、実施例１に係る有機ＥＬ装置１００の構成を示す断面図である。有機ＥＬ素子１０は、封止空間Ｓ内に配置されている。封止空間Ｓは、基板１と封止部材１６とを接着層１７で貼り合わせることで形成されている。基板１の第１面のうち封止空間Ｓの外側に位置する領域には、引出配線１８が引き出されている。引出配線１８の一端は、有機ＥＬ素子１０に接続されており、引出配線１８の他端は封止部材１６の外側に位置している。

以下、有機ＥＬ装置１００を発光装置として説明を行う。ここで発光装置は、例えば、照明装置又は表示装置である。ここで表示装置は文字を表示したり、画像を表示したり、色を表示する。表示装置の駆動方式は、ＡＭＯＬＥＤ駆動方式でもよく、ＰＭＯＬＥＤ駆動方式でもかまわない。照明装置は、人、物を照らすこと、或いは室内の明るさを調整する。照明装置は、調光可能であっても良い。

封止部材１６のうち封止空間Ｓとは逆側の面（背面）には、回路基板２０Ａが配置されている。回路基板２０Ａには、有機ＥＬ素子１０を駆動する駆動用ＩＣ２１（制御部）が実装されている。駆動用ＩＣ２１は、ボンディングワイヤ２４を介して回路基板２０Ａの配線２２に接続している。回路基板２０Ａは、例えばＰＣＢである。そして、配線２２は、ボンディングワイヤ２３を介して引出配線１８に接続している。ここで、引出配線１８が実施形態における配線３に対応しており、配線２２が実施形態における配線４に対応している。そして、ボンディングワイヤ２３が実施形態における接続部材５に対応している。図示しないが、ボンディングワイヤ２３、２４は、モールド樹脂で封止されている。

図４は、図３のうち有機ＥＬ装置１００の端部の拡大図である。本実施例において、有機ＥＬ装置１００は、基板１と、基板１の第１面上に直接又は他の層を介して形成された下部電極１１と、下部電極１１上に積層された有機層１２と、有機層１２上に形成された上部電極１３を備えている。そして、下部電極１１、有機層１２、及び上部電極１３によって有機ＥＬ素子１０の少なくとも一部が構成されている。有機ＥＬ素子１０は、下部電極１１上の絶縁膜１４で区画されることで、ドットマトリクス状又はストライプ状になっている。図示の例では、下部電極１１は図中左右方向にストライプ状に形成されている。そして、絶縁膜１４上には、下部電極１１と交差する方向（図４においては紙面に垂直な方向）に、ストライプ状の隔壁１５が形成されている。隔壁１５によって、有機ＥＬ素子１０の有機層１２は、隔壁１５と同じ方向にストライプ状に区画されている。そして上部電極１３は、有機層１２の上に、下部電極１１と交差する方向（すなわち有機層１２と同じ方向）にストライプ状に形成されている。上部電極１３は、例えばＡｌによって形成されている。なお、下部電極１１及び上部電極１３は、互いに異なる引出配線１８に接続している。なお、引出配線１８は、導電部３Ａの下に、下部電極１１と同様の材料からなる導電層（例えば透明導電層）が形成されていても良い。また、下部電極１１及び上部電極１３の一方は、所謂ベタ電極であっても良い。

図５は、図４のうち引出配線１８とボンディングワイヤ２３の接続部を説明するための図である。ボンディングワイヤ２３の芯部５Ａは、引出配線１８の第１被覆部３Ｂを突き破っており、引出配線１８の導電部３Ａに接続している。そして芯部５Ａと導電部３Ａが直接接続している部分には、金属間化合物５Ｃが形成されている。なお、芯部５Ａと導電部３Ａの接続部の一部には、第１被覆部３Ｂが残る場合もある。この場合、芯部５Ａの一部は、第１被覆部３Ｂを介して導電部３Ａと電気的に接続する。なお、本図に示す例では、芯部５Ａと導電部３Ａの接続部の中央部に第１被覆部３Ｂが位置しており、この第１被覆部３Ｂの周囲に金属間化合物５Ｃが位置している。

ここで、ボンディングワイヤ２３の芯部５Ａが銅であり、引出配線１８の導電部３ＡがＡｌである場合、金属間化合物５Ｃは、ＡｌとＣｕの金属間化合物（例えばＡｌ_２Ｃｕ）である。このため、物理的にもボンディングワイヤ２３と引出配線１８の接続は強固になり、またボンディングワイヤ２３と引出配線１８の接続抵抗も低く（例えば第１被覆部３ＢがＭｏの場合は０．５Ω）なる。

次に、有機ＥＬ装置１００の製造方法について説明する。まず、有機ＥＬ素子１０及び引出配線１８が形成された基板１を準備する。有機ＥＬ素子１０及び引出配線１８は、例えば以下のようにして形成されている。なお、以下に示す方法において、引出配線１８は、下部電極１１となる透明導電膜と、Ａｌなどの金属の積層膜となっている。

まず、基板１の上に、下部電極１１となる透明導電膜（例えばＩＴＯ，ＩＺＯ，ＩＧＺＯなどの材料で形成される膜）を成膜する。その後、この透明導電膜をフォトリソグラフィによって選択的に除去し、下部電極１１を形成する。このとき、引出配線１８の導電部３Ａとなる透明電極膜も形成される。また、下部電極１１に接続する引出配線１８の導電部３Ａは、下部電極１１と一体に形成され、上部電極１３に接続する引出配線１８の導電部３Ａは、下部電極１１とは分離して形成される。いずれの引出配線１８の導電部３Ａも、発光領域１０２の外側に形成される。

ただし、導電部３Ａが透明電極と金属層との積層構造となる場合がある。この場合、上部電極１３に接続する引出配線１８の導電部３Ａは、透明電極層を有していなくても良い。また、下部電極１１に接続する引出配線１８の導電部３Ａは、金属層を有していなくても良い。

その後、基板１の上に、引出配線１８の導電部３Ａの一部又は全体を覆う第１の保護部を成膜する。

次いで、第１の保護部の上に、導電部３Ａとなる第１の金属膜（例えばアルミニウム膜）、及び第１被覆部３Ｂとなる第２の金属膜をこの順に成膜し、第１の保護部とフォトリソグラフィによってこれら金属膜をパターニングする。これにより、引出配線１８の上層が形成される。なお第１被覆部３Ｂは、複数の金属層を積層した構造を有していても良い。

次いで、隔壁１５となる絶縁層を形成し、この絶縁層をエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）など利用し、選択的に除去する。これにより、隔壁１５が形成される。隔壁１５が感光性の絶縁膜で形成される場合、露光及び現像時の条件を調節することにより、隔壁１５の断面形状を逆台形にすることができる。

次いで、有機層１２を、蒸着法又は塗布法を用いて形成する。有機層１２は、例えば、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層を積層したものである。なお、以下の説明において、一部の有機層とは、例えば、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、後述する正孔注入層、又は電子注入層を指す。これらの層のうち少なくとも正孔注入層は、例えばスプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷などの塗布法を用いて形成される。塗布法で用いられる塗布材料としては、高分子材料、高分子材料中に低分子材料を含んだものなどが適している。塗布材料としては、例えば、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、トリフェニルアミン、無機化合物のゾルゲル膜、ルイス酸を含む有機化合物膜、導電性高分子などを利用することができる。なお、有機層１２のうち残りの層（例えば電子輸送層）は、蒸着法により形成される。ただしこれらの層も、上記した塗布法のいずれかを用いて形成されても良い。

次いで、上部電極１３を、例えば蒸着法、スパッタリング法、又は塗布法を用いて形成する。

上記した方法によって形成される場合、下部電極１１に接続する引出配線１８は、例えば、導電部３ＡであるＩＴＯ（約１．５５μｍ）の上に、第１被覆部３ＢとしてのＮｉとＭｏの合金（約０．５μｍ）を形成した構造を有している。

また、上部電極１３に接続する引出配線１８は、例えば、導電部３ＡとしてのＡｌ膜（約２．３μｍ）の上に、第１被覆部３ＢとしてのＭｏとＮｂの合金膜及びＮｉとＭｏの合金膜の積層膜を形成した構造を有している。また、この引出配線１８は、導電部３Ａとして、透明導電膜：ＩＴＯ（約１．５５μｍ）膜、ＭｏとＮｂの合金膜（約０．５μｍ）、及びＡｌとＮｂの合金（約３．０μｍ）膜の積層膜を形成し、この上に、第１被覆部３ＢとしてＮｉとＮｂの合金膜を積層したものとすることもできる。

次いで、基板１の上に、駆動用ＩＣ２１が搭載された回路基板２０Ａを固定し、その後、ボンディングワイヤ２３を用いて引出配線１８と配線２２とを接続する。

図６は、有機ＥＬ装置１００を基板１の光射出面側から見た平面図である。本実施例において、回路基板２０Ａと引出配線１８とを接続する接続部材は、ボンディングワイヤ２３である。従って、有機ＥＬ装置１００のうち引出配線１８を配線２２に接続するために必要な領域（額縁領域１０４）を狭くして、発光領域１０２を広くすることができる。その結果、有機ＥＬ装置１００を収容する筐体を小さくできるので、電子機器の小型化・薄型化が可能になる。

図７は、比較例に係る有機ＥＬ装置１００の構成を示す断面図であり、実施例における図４に対応している。この比較例において、駆動用ＩＣ２１はフレキシブル基板２０の上に搭載されている。そしてフレキシブル基板２０の一端は、導電性接着剤（ＡＣＦ）１９を介して引出配線１８に接続されている。このような構造では、フレキシブル基板２０を１８０°曲げているため、引出配線１８とフレキシブル基板２０を接続するための領域を広くする必要がある。このため、図４に示した例と比較して、額縁領域１０４を広くして発光領域１０２を狭くする必要が出てくる。例えば図４に示した例では、額縁領域１０４の幅は３．５〜４ｍｍであるのに対し、図７に示す例では、額縁領域１０４の幅は８．５〜１０ｍｍと、２倍以上になってしまう。

また、フレキシブル基板２０を１８０°曲げる必要があるため、フレキシブル基板２０を曲げるために必要な幅（図中左右方向）及び厚さ（図中上下方向）をある程度確保する必要がある。このため、有機ＥＬ装置１００を収容するために必要なスペースが大きなってしまう。なお、有機ＥＬ装置１００の厚さは、基板１の厚さ方向における、駆動用ＩＣ２１の幅、フレキシブル基板２０の曲げ幅、基板１の厚さの合計値である。

図８は、引出配線１８とフレキシブル基板２０の接続部を説明するための図である。本図に示すように導電性接着剤１９は引出配線１８の第１被覆部３Ｂを突き破っていない。このため、導電性接着剤１９の導電性粒子は、第１被覆部３Ｂを介して導電部３Ａに接続する。そして、導電性接着剤１９の導電性粒子が樹脂粒子にＮｉメッキを施したものであり、第１被覆部３ＢがＭｏであり、導電部３ＡがＡｌの場合、導電部３Ａと導電性接着剤１９の接続抵抗は、１．５オームとなり、上記した実施例に対して大きくなる。

また、本実施例では、封止部材１６の一面に駆動用ＩＣ２１を配置できるので、有機ＥＬ装置１００の平面形状は、駆動ＩＣ２１の形状や存在による制約を受けない。このため、有機ＥＬ装置１００の平面形状の自由度が向上する。また、図７，８に示した例では、フレキシブル基板２０に接続するためのコネクターの形状によって、有機ＥＬ装置１００の平面形状に制約が生じるが、本実施例ではこのような制約が生じない。従って、有機ＥＬ装置１００の平面形状を、円形、ハート形、星形などといった形状にすることができる。

なお、配線２２とボンディングワイヤ２３の接続部についても、引出配線１８とボンディングワイヤ２３の接続部と同様の構造となっていても良い。

（実施例２）
図９は、実施例２に係る液晶装置２００の構成を示す断面図である。液晶装置２００は、基板１、基板３２、封止材３３を備えており、基板１と基板３２との間に液晶層３０を挟持して、その周囲を封止材３３で封止している。すなわち液晶層３０は、基板１、基板３２、及び封止材３３で封止された空間内に位置している。

基板１は、ガラスや樹脂などの透光性を有する材料によって形成されている。基板１のうち液晶層３０側の面には、透明電極（図示せず）が形成されている。また、液晶装置２００は、例えば基板３２と液晶層３０の間に、カラーフィルタや液晶配向膜などを備えている。

基板３２は、基板１と同様に、ガラスや樹脂などの透光性を有する材料によって形成されている。また、基板３２のうち液晶層３０側の面には、透明電極（図示せず）が形成されている。基板３２には、さらに、表示画素を形成する画素電極と、画像信号に応じて画素毎に液晶を駆動する駆動素子（例えばＴＦＴ素子）が形成されている。

基板１における液晶層３０の外側には引出配線３５が引き出されている。引出配線３５の一端は、光学素子である液晶素子（図示せず、液晶層３０と透明電極、画素電極で形成されている）に接続されており、引出配線３５の他端は基板３２の外側に位置している。

基板３２のうち液晶層３０とは逆の側（背面）には、回路基板３０Ａが配置されている。回路基板３０Ａには、液晶素子を駆動する駆動用ＩＣ３６（制御部）が実装されている。駆動用ＩＣ３６は、ボンディングワイヤ４２を介して回路基板３０Ａの配線３７に接続している。そして、配線３７は、ボンディングワイヤ４０を介して引出配線３５と接続している。図示しないが、ボンディングワイヤ４０，４２はモールド樹脂で封止されている。

なお、本実施例において、引出配線３５が実施例１における引出配線１８に対応しており、配線３７が実施例１における配線２２に対応している。そして、ボンディングワイヤ４０が実施形態におけるボンディングワイヤ２３に対応している。

図９に示した例によると、ボンディングワイヤ４０による接続構造を採用しているため、実施例１と同様に、接続領域の狭隈化が可能になり、表示領域（アクディブエリア）の外側の額縁領域を小さくすることができる。

一般的な液晶装置では、図７，８に示した有機ＥＬ装置と同様に、引出配線３５を透明電極（例えばＩＴＯ等）で形成し、この引出配線３５と配線３７を、フレキシブル基板を用いて接続している。また、フレキシブル基板と引出配線３５は、ＡＣＦを介して接続している。この場合、図７，８に示した例と同様に、表示領域の外側の額縁領域を狭くすることは難しい。

これに対して本実施例によれば、フレキシブル基板の代わりに、ボンディングワイヤ４０を用いているため、液晶装置２００を収容する筐体の収納スペースを小さくでき、その結果、電子機器の小型化・薄型化が可能になる。また、ボンディングワイヤ４０と引出配線３５の接続部の少なくとも一部において、ボンディングワイヤの芯部と引出配線３５の導電部は、第２被覆部及び第１被覆部のいずれも介さずに接続している。従って、これらの間の電気的な接続を確実に行うことができる。

また、基板３２の一面に駆動用ＩＣ３６を配置できるので、液晶装置２００の平面形状は、駆動ＩＣ３６の形状による制約を受けない。このため、液晶装置２００の平面形状の自由度が向上する。また、液晶装置２００の平面形状には、フレキシブル基板に接続するためのコネクターの形状に起因した制約も生じない。従って、液晶装置２００の平面形状を、円形、ハート形、星形などといった形状にすることができる。

また、実施形態又は実施例に係る導体の接続構造は、前述したような発光装置や表示装置への適用に限定されるものではなく、半導体装置又はタッチパネルを有するスイッチなどを含む各種の電子機器に適用可能である。また、ここでの電子機器とは、それ自体を単体で設置又は携帯できるものに限らず、例えば、自動車の車室内や家屋内に装備される電子的な機器を含むものとする。

以上、実施形態及び実施例について、図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。上述の各図で示した実施の形態は、その目的及び構成等に特に矛盾や問題がない限り、互いの記載内容を組み合わせることが可能である。また、各図の記載内容はそれぞれ独立した実施形態になり得るものであり、本発明の実施形態は各図を組み合わせた一つの実施形態に限定されるものではない。

１ 基板
２ 基板
３Ｂ 第１被覆部
４ 配線
５ 接続部材
５Ｂ 第２被覆部
５Ｃ 金属間化合物
１０ 有機ＥＬ素子
１１ 下部電極
１２ 有機層
１３ 上部電極
１４ 絶縁膜
１５ 隔壁
１６ 封止部材
１７ 接着層
１８ 引出配線
１９ 導電性接着剤
２０ フレキシブル基板
２０Ａ 回路基板
２２ 配線
２３ ボンディングワイヤ
２４ ボンディングワイヤ
４０ ボンディングワイヤ
４２ ボンディングワイヤ
３０ 液晶層
３２ 基板
３３ 封止材
３５ 引出配線
３６ 駆動用ＩＣ
３７ 配線
１００ 有機ＥＬ装置
１０２ 発光領域
１０４ 額縁領域
２００ 液晶装置

Claims (7)

1. 光学素子と、
   導電部の上に第１被覆部を積層し、前記光学素子に電気的に接続している配線と、
   芯部、及び前記芯部を覆う第２被覆部を備え、前記配線に前記第１被覆部側から接続する接続部材と、
   を備え、
   前記配線と前記接続部材との接続部の少なくとも一部は、前記導電部と前記芯部とが前記第１被覆部及び前記第２被覆部を介さずに接続している接合部となっている光学装置。
2. 請求項１に記載の光学装置において、
   前記導電部は第１金属を有しており、
   前記芯部は第２金属を有しており、
   前記接合部の少なくとも一部には、前記第１金属と前記第２金属の金属間化合物が形成されている光学装置。
3. 請求項２に記載の光学装置において、
   前記第１被覆部は第３金属を有しており、
   前記第３金属は、前記第１金属よりも硬い光学装置。
4. 請求項３に記載の光学装置において、
   前記光学素子は、有機ＥＬ素子であり、
   下部電極と、
   上部電極と、
   前記下部電極と前記上部電極の間に位置する有機層と、
   を備え、
   前記配線は、前記下部電極又は前記上部電極に接続している光学装置。
5. 請求項４に記載の光学装置において、
   第１面に前記光学素子が形成されている基板と、
   前記基板の前記第１面との間で封止空間を形成する封止部材と、
   を備え、
   前記光学素子は、前記封止空間内に位置しており、
   前記配線の一部は、前記基板の前記第１面の上を、前記封止空間の中から前記封止空間の外部まで延在しており、
   前記接続部材は、前記配線のうち前記封止空間の外部に位置する部分に接続している光学装置。
6. 下部電極と、上部電極と、前記下部電極と前記上部電極の間に位置する有機層と、を備えた有機ＥＬ素子と、
   導電部の上に第１被覆部を積層し、前記上部電極又は前記下部電極と電気的に接続している配線と、
   銅を主成分とする芯部、及び前記芯部を覆う第２被覆部を備え、前記配線に前記第１被覆部側から接続する接続部材と、
   前記配線と前記接続部材との接続部の少なくとも一部は、前記導電部を構成する金属と前記銅の金属間化合物が形成されている有機ＥＬ装置。
7. 請求項６の有機ＥＬ装置であって、
   前記接続部のうち前記金属間化合物が形成されていない部分の少なくとも一部は、前記芯部と前記第１被覆部との接触部分を有する有機ＥＬ装置。

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