JPH02250211A - 透明導電膜配線回路基板 - Google Patents
透明導電膜配線回路基板Info
- Publication number
- JPH02250211A JPH02250211A JP7085489A JP7085489A JPH02250211A JP H02250211 A JPH02250211 A JP H02250211A JP 7085489 A JP7085489 A JP 7085489A JP 7085489 A JP7085489 A JP 7085489A JP H02250211 A JPH02250211 A JP H02250211A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- film
- transparent conductive
- metallic
- etched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 14
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/40—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal all coatings being metal coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
- C03C2218/115—Deposition methods from solutions or suspensions electro-enhanced deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/32—After-treatment
- C03C2218/328—Partly or completely removing a coating
- C03C2218/33—Partly or completely removing a coating by etching
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶等の表示板に用いる透明導電膜を有する
配線回路基板における透明導電膜配線の透明度を損なう
ことなく、しかも配線に飛曜的に良好な導電性を付与せ
しめた透明導電膜配線回路基板に関するものである。
配線回路基板における透明導電膜配線の透明度を損なう
ことなく、しかも配線に飛曜的に良好な導電性を付与せ
しめた透明導電膜配線回路基板に関するものである。
従来の技術
近年、導電性皮膜を有する配線回路基板は、液晶表示パ
ネル板をはじめ、発光表示板等各種表示装置に多用され
るようになってきた。とくに最近の配線回路のファイン
化の進行にともなって、導電皮膜の電気導電性の向上や
導電性皮膜への直接的はんだづけに対する需要がしだい
に高まっている。はんだづけ性を改良するための方法と
して導電性皮膜の無電解めっきによる金属化法が特開詔
６０−２４５７８２号公報に記載されている。
ネル板をはじめ、発光表示板等各種表示装置に多用され
るようになってきた。とくに最近の配線回路のファイン
化の進行にともなって、導電皮膜の電気導電性の向上や
導電性皮膜への直接的はんだづけに対する需要がしだい
に高まっている。はんだづけ性を改良するための方法と
して導電性皮膜の無電解めっきによる金属化法が特開詔
６０−２４５７８２号公報に記載されている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、前記の方法は、表示板パネルへ直接はん
だづけを行うための工夫であり、したがって、はんだづ
け部とその近傍に限定して無電解めっきを施すものであ
り、表示パネル板の信号電極、ないしは走査電極自体の
透明導電膜にめっきを行うものではない。ところが、微
細配線の施されている比較的大型の液晶表示板の場合、
走査電極と信号電極を構成する導電膜の電橋抵抗の増加
にもとづく信号減衰は無視できないものとなってきてい
る。本発明は、上記の問題点に鑑みて、透引導電膜の透
明度をできる限り損なわずに、可及的に大きく維持しつ
つ、かつ、透明電極膜の電気抵抗をできるだけ小さ（し
て成る透明導電膜配線回路基板を提供するものである。
だづけを行うための工夫であり、したがって、はんだづ
け部とその近傍に限定して無電解めっきを施すものであ
り、表示パネル板の信号電極、ないしは走査電極自体の
透明導電膜にめっきを行うものではない。ところが、微
細配線の施されている比較的大型の液晶表示板の場合、
走査電極と信号電極を構成する導電膜の電橋抵抗の増加
にもとづく信号減衰は無視できないものとなってきてい
る。本発明は、上記の問題点に鑑みて、透引導電膜の透
明度をできる限り損なわずに、可及的に大きく維持しつ
つ、かつ、透明電極膜の電気抵抗をできるだけ小さ（し
て成る透明導電膜配線回路基板を提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明は、上記のような欠点のない透明導電膜配線回路
基板を提供することを意図するものであって、透明導電
膜の配線に沿って、導電膜の上下にあるいは、隣接して
、金属膜を導電膜の線巾より狭い線巾で形成してなるこ
とを特徴とするものである。
基板を提供することを意図するものであって、透明導電
膜の配線に沿って、導電膜の上下にあるいは、隣接して
、金属膜を導電膜の線巾より狭い線巾で形成してなるこ
とを特徴とするものである。
作用
上記の配線回路基板は、液晶表示板の信号電極並びに走
査電橋の電極抵抗を大巾に低下させるものであり、その
結果、信号減衰作用を防止できるものとなる。ちなみに
、酸化すずおよび酸化インジウムを主成分とする透明電
極の比抵抗はおおよそ２Ｘ１０４Ω１であるのに対して
、金属膜のそれは（１，５〜８０）Ｘ１０４Ω１である
ことから、金属膜の形成による導電性の増加は容易に理
解できる。
査電橋の電極抵抗を大巾に低下させるものであり、その
結果、信号減衰作用を防止できるものとなる。ちなみに
、酸化すずおよび酸化インジウムを主成分とする透明電
極の比抵抗はおおよそ２Ｘ１０４Ω１であるのに対して
、金属膜のそれは（１，５〜８０）Ｘ１０４Ω１である
ことから、金属膜の形成による導電性の増加は容易に理
解できる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を用いて説明する
。
。
実施例１
本発明の一実施例を第１図に従って詳細に説明する。
ガラス基板１の表面にホトリソ法により、所望の配線パ
タンに対して逆バタン状に、ホトレジス）ＰＭＥＲ−Ｐ
（東京応化製）を用いて、ホトレジスト膜２を形成し
、ガラス基板１を１部％ＨＦ、８％Ｎａ Ｃｊ！、添加
剤として、界面活性剤カチオンＳＡ（日本油脂製）１０
０■／ｌからなるふっ素糸エツチング液に浸漬し、５５
°Ｃで１２分間にわたってガラス基板を処理し、０．３
５ミクロンの深さにエツチングする。ひきつづきキャタ
リスト９Ｆおよびアクセレレータ１９（いずれも、シブ
レイ社製）にそれぞれ浸漬してパラジウムによる活性化
処理を行う。
タンに対して逆バタン状に、ホトレジス）ＰＭＥＲ−Ｐ
（東京応化製）を用いて、ホトレジスト膜２を形成し
、ガラス基板１を１部％ＨＦ、８％Ｎａ Ｃｊ！、添加
剤として、界面活性剤カチオンＳＡ（日本油脂製）１０
０■／ｌからなるふっ素糸エツチング液に浸漬し、５５
°Ｃで１２分間にわたってガラス基板を処理し、０．３
５ミクロンの深さにエツチングする。ひきつづきキャタ
リスト９Ｆおよびアクセレレータ１９（いずれも、シブ
レイ社製）にそれぞれ浸漬してパラジウムによる活性化
処理を行う。
しかるのちに、ホトレジスト膜２を６％Ｎａ０１ｌ溶液
で剥離して、パラジウム３をエツチング部にのみ残して
、硫酸銅０．０３モル／Ｉｌ、エチレンジアミンテトラ
酢酸０．０３５モル／ｉ、、ホルムアルデヒド０．０７
０モル／Ｉ！、ＮａＯＨ０，２３モル／！および２，２
゛−ジピリジル２０ｕ／１からなる無電解銅めっき液に
浸漬して６０℃で、６分間めっきを行って、エツチング
部に０．３５ミクロンの厚さの金属銅を析出させて、金
属膜４を形成した。
で剥離して、パラジウム３をエツチング部にのみ残して
、硫酸銅０．０３モル／Ｉｌ、エチレンジアミンテトラ
酢酸０．０３５モル／ｉ、、ホルムアルデヒド０．０７
０モル／Ｉ！、ＮａＯＨ０，２３モル／！および２，２
゛−ジピリジル２０ｕ／１からなる無電解銅めっき液に
浸漬して６０℃で、６分間めっきを行って、エツチング
部に０．３５ミクロンの厚さの金属銅を析出させて、金
属膜４を形成した。
金属膜４の線巾は、この上に形成する導電膜の線巾に（
らべてできるだけ小さくしておくことが、導電膜の透明
度を損なわない点から好ましく、実際には、その比率は
、ｌ／２〜１／７０が実用的でかつ望ましい範囲である
。
らべてできるだけ小さくしておくことが、導電膜の透明
度を損なわない点から好ましく、実際には、その比率は
、ｌ／２〜１／７０が実用的でかつ望ましい範囲である
。
つぎに、金属銅からなる金属膜４の上に酸化すずと酸化
インジウムからなる透明導電膜５をスパッタリング法に
より０．２５ミクロンの厚さに形成し、同様にホトリソ
法で、逆バタン状にエツチングレジスト膜を形成してか
ら塩酸２部、硝酸１部、および水２部からなるエツチン
グ液を用いて、４０℃で８分間処理して、透明導電膜５
のエツチングを行って、金属膜によって導電性を増大せ
しめた透明導電膜配線回路基板を得た。ちなみに、線巾
３０ミクロン、厚さ０．３５ミクロンの金属銅を透明導
電膜の下に形成した場合、線巾３００ミクロン、厚さ０
．２５ミクロンの透明導電膜の抵抗値は、金属銅膜を形
成しない場合に比べて、１／８に低下した。
インジウムからなる透明導電膜５をスパッタリング法に
より０．２５ミクロンの厚さに形成し、同様にホトリソ
法で、逆バタン状にエツチングレジスト膜を形成してか
ら塩酸２部、硝酸１部、および水２部からなるエツチン
グ液を用いて、４０℃で８分間処理して、透明導電膜５
のエツチングを行って、金属膜によって導電性を増大せ
しめた透明導電膜配線回路基板を得た。ちなみに、線巾
３０ミクロン、厚さ０．３５ミクロンの金属銅を透明導
電膜の下に形成した場合、線巾３００ミクロン、厚さ０
．２５ミクロンの透明導電膜の抵抗値は、金属銅膜を形
成しない場合に比べて、１／８に低下した。
導電膜の平滑性を維持し、かつ、透明度をできる限り頃
なわずに抵抗を低めるためには、この実施例の方法は、
効果的で１、すなわち、金属膜の線巾をできるだけ狭く
するためにエツチングの程度をある程度深く行ってから
、金属をめっきによってガラスのエツチング部を埋める
ように堆積させることによって可能となる。とくに、導
電膜の平滑性は表示パネルの性能にとって、きわめて重
要な因子で、これが損なわれると、液晶層の厚さや配向
状態が変わることに起因する表示むらが発生する。上記
の方法は、ガラス基板に直接配線を形成する場合につい
ての実施例であるが、ガラス基板上に薄く樹脂膜を設け
てその上に導電膜を形成する場合、あるいは、ガラス基
板の代わりに、透光性のよい樹脂基板を用いる場合には
、ガラスのエツチングの代わりに、これらの樹脂をたと
えば酸化性の鉱酸や酸化剤を含めた鉱酸を主成分とする
エツチング剤で処理してから前記の残りの工程を実施す
ればよい。また、金属膜の形成に際しては、無電解銅め
っきの代わりに、無電解ニッケル。
なわずに抵抗を低めるためには、この実施例の方法は、
効果的で１、すなわち、金属膜の線巾をできるだけ狭く
するためにエツチングの程度をある程度深く行ってから
、金属をめっきによってガラスのエツチング部を埋める
ように堆積させることによって可能となる。とくに、導
電膜の平滑性は表示パネルの性能にとって、きわめて重
要な因子で、これが損なわれると、液晶層の厚さや配向
状態が変わることに起因する表示むらが発生する。上記
の方法は、ガラス基板に直接配線を形成する場合につい
ての実施例であるが、ガラス基板上に薄く樹脂膜を設け
てその上に導電膜を形成する場合、あるいは、ガラス基
板の代わりに、透光性のよい樹脂基板を用いる場合には
、ガラスのエツチングの代わりに、これらの樹脂をたと
えば酸化性の鉱酸や酸化剤を含めた鉱酸を主成分とする
エツチング剤で処理してから前記の残りの工程を実施す
ればよい。また、金属膜の形成に際しては、無電解銅め
っきの代わりに、無電解ニッケル。
金、ｌ！等のめっきでも可能であり、また、これらのめ
っきの代わりとして上記の金属やアルミの蒸着ないしは
スパンタリング等によって金属膜の配線バタンをあらか
じめ形成することも可能である。
っきの代わりとして上記の金属やアルミの蒸着ないしは
スパンタリング等によって金属膜の配線バタンをあらか
じめ形成することも可能である。
実施例２
ガラス基板上に金属膜を形成するにあたり、線巾をでき
るたけ狭く、厚さをできるだけ厚くするためのひとつの
方法は、ガラス基板上の導電膜配線に隣接して沿うよう
にガラス基板にエツチングを施して、このエツチング部
に金属を析出させ、その際金属膜が透明電極と同一レベ
ルになるように、めっき金属を盛り上げて堆積させるこ
とによって可能となる。具体的には、第２図に示すよう
に、実施例１と同様の方法で、あらかじめガラス基板上
に透明導電膜５のバタン出しを行ってから、透明導電膜
５からなる配線バタンに隣接して沿うようにガラス基板
の表面をエツチングし、エツチング部６を形成し、ここ
に実施例１と同様の方法でパラジウム処理を行ってから
、ニポジット６５（シブレイ社製）で無電解ニッケルめ
っきを９０℃で３分間行って金属ニッケルを析出させる
ことによって金属膜４を形成した。その結果、線中２５
０ミクロンで厚さ２５ミクロンの透明導電膜に隣接して
、線巾２５ミクロンの無電解ニッケル膜（厚さ０．５ミ
クロン）を付着させたところ抵抗値は、めっきニッケル
のない場合にくらべて１／４に低下した。
るたけ狭く、厚さをできるだけ厚くするためのひとつの
方法は、ガラス基板上の導電膜配線に隣接して沿うよう
にガラス基板にエツチングを施して、このエツチング部
に金属を析出させ、その際金属膜が透明電極と同一レベ
ルになるように、めっき金属を盛り上げて堆積させるこ
とによって可能となる。具体的には、第２図に示すよう
に、実施例１と同様の方法で、あらかじめガラス基板上
に透明導電膜５のバタン出しを行ってから、透明導電膜
５からなる配線バタンに隣接して沿うようにガラス基板
の表面をエツチングし、エツチング部６を形成し、ここ
に実施例１と同様の方法でパラジウム処理を行ってから
、ニポジット６５（シブレイ社製）で無電解ニッケルめ
っきを９０℃で３分間行って金属ニッケルを析出させる
ことによって金属膜４を形成した。その結果、線中２５
０ミクロンで厚さ２５ミクロンの透明導電膜に隣接して
、線巾２５ミクロンの無電解ニッケル膜（厚さ０．５ミ
クロン）を付着させたところ抵抗値は、めっきニッケル
のない場合にくらべて１／４に低下した。
実施例３
金ｌｌ１ｉＷｉによる導体部の突出がある程度許容され
る場合には、無電解銅めっきを透明導電膜上に施すのが
簡便である。実施例２と同様に、あらかじめ透明導電膜
によってパターンニングを行って、その膜上に導電膜よ
りきわめて狭い線巾の金属配線がのちのめっきによって
得られるように、逆バタン状にホトレジスト膿を形成し
、そののち実施例１の要領で無電解銅めっきを行って金
属銅を形成した。その結果、線巾３００ミクロン、厚さ
０．２５ミクロンの透明導電膜の上に線巾３０ミクロン
で厚さ０．１２ミクロンの無電解銅めっき金属を析出さ
せたところ抵抗値は、めワき銅膜のない場合とくらべて
１／４に減少した。金属膜が透明導電膜によって完全に
おおわれてしまう前記実施例１の場合には皮膜相互の密
着性はそれほど問題にならないが、金属膜が透明導電膜
の上に形成される場合には金属めっき膜の密着性はきわ
めて重要となる。無電解銅めっきは実施例１に示しため
っき組成を用いて実施したが、このめっき液とはべつに
比較のために、ジピリジルを含めないめっき液について
も同様の方法でめっきを行ったところ、透明導電膜とめ
っき金属膜の密着性は非常に劣っており、セロテープ貼
付による引き剥がし試験で簡単にめっき膜が剥離するこ
とが認められた。
る場合には、無電解銅めっきを透明導電膜上に施すのが
簡便である。実施例２と同様に、あらかじめ透明導電膜
によってパターンニングを行って、その膜上に導電膜よ
りきわめて狭い線巾の金属配線がのちのめっきによって
得られるように、逆バタン状にホトレジスト膿を形成し
、そののち実施例１の要領で無電解銅めっきを行って金
属銅を形成した。その結果、線巾３００ミクロン、厚さ
０．２５ミクロンの透明導電膜の上に線巾３０ミクロン
で厚さ０．１２ミクロンの無電解銅めっき金属を析出さ
せたところ抵抗値は、めワき銅膜のない場合とくらべて
１／４に減少した。金属膜が透明導電膜によって完全に
おおわれてしまう前記実施例１の場合には皮膜相互の密
着性はそれほど問題にならないが、金属膜が透明導電膜
の上に形成される場合には金属めっき膜の密着性はきわ
めて重要となる。無電解銅めっきは実施例１に示しため
っき組成を用いて実施したが、このめっき液とはべつに
比較のために、ジピリジルを含めないめっき液について
も同様の方法でめっきを行ったところ、透明導電膜とめ
っき金属膜の密着性は非常に劣っており、セロテープ貼
付による引き剥がし試験で簡単にめっき膜が剥離するこ
とが認められた。
したがって、密着性の点からみると、２，２′ジピリジ
ル添加が必要であることが見い出された。
ル添加が必要であることが見い出された。
発明の効果
液晶パネル等の透明導電膜配線回路基板の電極部の抵抗
を格段に低めることにより、微細配線の信号減衰の防止
が可能となり、従来に比べて高性能パネルの実用化に大
いに寄与できる。また、大画面用パネルの作成にもきわ
めて有利である。
を格段に低めることにより、微細配線の信号減衰の防止
が可能となり、従来に比べて高性能パネルの実用化に大
いに寄与できる。また、大画面用パネルの作成にもきわ
めて有利である。
第１図および第２図は本発明に係る透明導電膜配線回路
基板の一実施例を示す断面図である。 ｌ・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ホトレジス
ト膜、３・・・・・・パラジウム、４・・・・・・金属
膜、５・・・・・・透明導電膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 図 第 図
基板の一実施例を示す断面図である。 ｌ・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ホトレジス
ト膜、３・・・・・・パラジウム、４・・・・・・金属
膜、５・・・・・・透明導電膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 図 第 図
Claims (2)
- （１）透明導電膜配線回路基板であって、透明導電膜配
線に沿って、前記透明導電膜の上下あるいは隣接して前
記透明導電膜の線巾より狭い線巾の金属膜を形成してな
ることを特徴とする透明導電膜配線回路基板。 - （２）透明導電膜の下部ないしは、隣接部の配線回路基
板がエッチングされてなる請求項（１）記載の透明導電
膜配線回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7085489A JPH02250211A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 透明導電膜配線回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7085489A JPH02250211A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 透明導電膜配線回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250211A true JPH02250211A (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=13443568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7085489A Pending JPH02250211A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 透明導電膜配線回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02250211A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269135A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Tobi Co Ltd | 金属線で一部が置換されたガラスクロス透明導電フィルム |
| JP2014102547A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 導電パターン形成基板および静電容量式センサーシート並びにその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62160424A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-16 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
-
1989
- 1989-03-23 JP JP7085489A patent/JPH02250211A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62160424A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-16 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269135A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Tobi Co Ltd | 金属線で一部が置換されたガラスクロス透明導電フィルム |
| JP2014102547A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 導電パターン形成基板および静電容量式センサーシート並びにその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3361556B2 (ja) | 回路配線パタ−ンの形成法 | |
| US20090044971A1 (en) | Printed Wiring Board, Process for Producing the Same and Usage of the Same | |
| US5302492A (en) | Method of manufacturing printing circuit boards | |
| JP2005158887A (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
| KR20070029812A (ko) | 프린트 배선 기판, 그 제조 방법 및 반도체 장치 | |
| JPH07336017A (ja) | 電流反転電解法による薄膜回路製造方法ならびにそれを用いた薄膜回路基板、薄膜多層回路基板および電子回路装置 | |
| US4666078A (en) | Electroless plated terminals of display panel | |
| JP3480697B2 (ja) | Ｃｏｇ型液晶表示装置の製造方法 | |
| US4824693A (en) | Method for depositing a solderable metal layer by an electroless method | |
| JPH10135607A (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
| CN101310571A (zh) | 印刷线路板及其制造方法和使用方法 | |
| KR100385109B1 (ko) | 금속 배선의 제조방법 | |
| JPH02250211A (ja) | 透明導電膜配線回路基板 | |
| EP0402811A2 (en) | Method of manufacturing printed circuit boards | |
| JPH07268640A (ja) | 無電解金めっき方法 | |
| JPH04144190A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| US5246732A (en) | Method of providing a copper pattern on a dielectric substrate | |
| JP2001160661A (ja) | ファインピッチ両面フィルム基板の製造方法と表示装置 | |
| KR940009173B1 (ko) | 프린트 기판의 제조방법 | |
| JPS60198517A (ja) | 液晶パネルの部分メツキ方法 | |
| JPS58145014A (ja) | 電極板及びその製造方法 | |
| JPH0585637B2 (ja) | ||
| KR940010437B1 (ko) | 플렉시블 필름 인쇄회로 기판 및 제조방법 | |
| JPH06314724A (ja) | 半導体素子搭載用両面配線基板，及びそれを用いた半導 体装置 | |
| JPH0555727A (ja) | プリント基板の製造方法 |