KR20030072977A - 인듐-틴-옥사이드 전극 위에 은을 무전해 도금하는 방법 - Google Patents
인듐-틴-옥사이드 전극 위에 은을 무전해 도금하는 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030072977A KR20030072977A KR1020020012277A KR20020012277A KR20030072977A KR 20030072977 A KR20030072977 A KR 20030072977A KR 1020020012277 A KR1020020012277 A KR 1020020012277A KR 20020012277 A KR20020012277 A KR 20020012277A KR 20030072977 A KR20030072977 A KR 20030072977A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silver
- ito electrode
- depositing
- electroless plating
- deposited
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 75
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 75
- JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N Magnesium ion Chemical compound [Mg+2] JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims abstract description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- -1 silver ions Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 claims description 9
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 7
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 3
- BIGPRXCJEDHCLP-UHFFFAOYSA-N ammonium bisulfate Chemical compound [NH4+].OS([O-])(=O)=O BIGPRXCJEDHCLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 claims description 3
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims 1
- 150000002681 magnesium compounds Chemical class 0.000 abstract description 4
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 10
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 5
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 4
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001429 cobalt ion Inorganic materials 0.000 description 1
- XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+) Chemical compound [Co+2] XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
본 발명은 투명전극인 ITO전극 위에 은(Ag)을 도금하는 방법에 관한 것으로, 특히 은 도금시 은의 뭉침을 방지하기 위한 방법에 관한 것이다.
본 발명은 상기 투명 전극에 도금되는 Ag의 뭉침을 방지하기 위해 Ag 무전해 도금 용액에 미량의 마그네슘(Mg)을 첨가한다.
이와 같이 하면, 상기 투명전극 상부에 증착된 Ag는 뭉침이 발생하지 않아 낮은 비정항 값을 가지며, 열처리 과정을 거치면 더 낮은 비정항 값을 얻을 수 있다.
Description
본 발명은 화상표시 장치에 구성되는 전극인 ITO 전극의 저항을 낮추기 위한 방법으로 특히, ITO전극의 저항을 낮추기 위해 도금되는 Ag의 뭉침을 방지하기 위한 방법이다.
투명전극인 ITO 전극은 액정표시장치(LCD)또는 플라즈마 평판표시장치(PDP)의 전극으로 응용되고 있다.
그러나, 상기 표시장치의 대면적화가 이루어지면서, ITO 전극을 대면적 표시장치에 응용하기엔 비저항이 큰 단점이 있다.
이를 해결하기 위해 종래에는 ITO전극의 상부에 저항이 낮은 금속을 도금하는 방법을 사용하였다.
대표적인 저저항 금속은 Ag이며, 상기 Ag은 다양한 방식으로 투명전극에 형성될 수 있다.
예를 들면, 스퍼터링 방법과 열증착 방법과 화학 기상 증착 방법 등이 있는데 이러한 방법들은 상기 ITO 전극에만 선택적으로 행하여지는 것이 아니고, 기판의 전 면적에 대해 진행되기 때문에 별도의 식각공정을 필요로 하여 공정이 복잡해 지는 문제가 있다.
이를 해결하기 위해 제안 된 방법이 도금 방법이다.
도금방법은 다른 공정에 비해 공정 비용이 저렴하고 순도가 높은 금속을 얻을 수 있으며, 저온 공정에서 진행되기 때문에 기판에 대한 손상이 적은 장점이 있다.
일반적으로, 상기 도금 방법 중 화학적 공정에서 행해지는 무전해 도금 방법을 많이 사용하며, 무전해 도금방법은 외부에서 전류를 흐르게 하지 않고 용액중의 금속 이온을 환원 석출 시켜 금속막의 표면에 도금막을 형성하도록 하는 것으로 화학적 환원제를 사용한다.
종래에는 상기 무전해 도금방법을 이용하여 ITO 전극 상부에 Ag를 형성하는 방법이 제안되었다.
이하, 무전해 도금 방법을 이용하여 ITO 전극 상부에 Ag을 도금하는 방법을 설명한다.
상기 ITO 전극 상부에 무전해 도금 방식으로 은을 증착하기 위해서는, 먼저 ITO 전극 상부에 존재하는 유기물을 제거하는 공정이 선행된다.
다음으로, 무전해 도금 용액에 포함된 화원제의 산화를 위해 상기 ITO 전극 상부에 촉매금속을 먼저 증착 시킨다.
이때, 상기 ITO 전극은 쉽게 촉매의 증착이 일어나지 않기 때문에 주석(Sn)을 먼저 증착한 후 촉매금속를 증착시켜야 한다.
상기 촉매금속으로는 팔라듐, 은(Ag), 구리(Cu), 백금(Pt)등이 있는데, 은을 무전해 도금방법으로 증착시키기 위해서는 은을 촉매로 사용하는 것이 효과적이다.
다음으로, 상기 주석과 촉매금속이 형성된 ITO 전극에 은을 도금하게 되는데이때, 도금 용액으로 사용되는 무전해 도금 용액 내에는 질산은(AgNO3)과 황산코발트(CoSO4)와 암모니아(NH3) 등이 포함된다.
이하, 도 1은 환원제로 코발트 이온을 사용할 때 은의 무전해 도금되는 은 이온의 반응기구를 나타낸 도면이다.
도시한 바와 같이, 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 니켈(Ni)과 같은 물질로 이루어진 전극을 무전해 도금용액에 담그면, 상기 황산 코발트(CoSO4)는 용액내에서 환원제로 사용되어 은 이온(Ag2+)을 환원시키는 역할을 하고 상기 암모니아(NH3)는 은 이온(Ag2+)과 착화합물을 형성하여 은 이온(Ag2+)을 용액 내에서 안정하게 하는 역할을 한다.
전술한 반응 기구를 이용한 무전해 도금방법으로 ITO 전극에 은(Ag)을 증착할 수 있다.
그러나, 종래의 무전해 은(Ag)도금방식은 상기 은(Ag)이 도금되는 시간에 따라 서로 뭉치는 현상이 발생하였다.
이 경우에는 막을 형성하는 2차원적인 성장이 일어나는 것이 아니라 덩어리를 형성하는 3차원적인 형상으로 도금되기 때문에 이로 인한 저항이 높아지게 된다.
따라서, 전극재료로 사용하기에는 부적합한 특성을 보인다.
이하, 도 2a 내지 도 2e를 참조하여, 시간에 따른 은(Ag)의 증착상태를 알아본다.
도 2a 내지 도 2e는 증착시간(5초 10초 20초 30초,60)에 따른 은의 표면상태를 전자현미경(SEM)으로 관찰한 사진이다.
도시한 바와 같이, 시간이 지남에 따라 서로 뭉쳐진 덩어리(A)들이 표면으로부터 두드러지게 관찰됨을 알 수 있다.
이러한 상태로 성장한 은(Ag)의 저항값과 거칠기값을 측정하면 매우 높은 값이 나타남을 실험을 통해 알 수 있었다.
따라서, 본 발명은 전술한 바와 같은 은의 뭉침 현상을 방지하기 위한 목적으로 제안된 것으로, 상기 무전해 도금용액에 마그네슘 화합물을 혼합하는 방법을 제안한다.
이와 같이 하면, 마그네슘 이온의 작용으로 은(Ag)의 뭉침 현상을 방지할 수 있기 때문에, 은의 비저항 값을 낮출 수 있다.
도 1은 은(Ag)을 무전해 도금시 은(Ag)의 반응기구를 도시한 도면이고,
도 2는 종래의 무전해 도금용액을 이용하여 도금된 은의 표면상태를 시간에 따라 관찰한 주사 전자 현미경(SEM)사진이고,
도 3a 내지 도 3c는 ITO 전극 표면에 무전해 도금방법을 이용한 본 발명에 따른 은(Ag)도금 과정을 도시한 단면도이고,
도 4는 발명에 따른 무전해 도금용액을 이용하여 도금된 은의 표면상태를 관찰한 주사 전자 현미경 사진이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
100 : 기판 102 : ITO 전극
104 : 주석층 106 : 촉매 금속층
108 : 무전해 도금 용액
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 ITO전극에 은을 증착하는 방법은 ITO 전극이 형성된 기판을 준비하는 단계와; 상기 ITO 전극의 표면에 주석(Sn)을 증착하는 단계와; 상기 주석이 증착된 ITO전극의 표면을 활성화 용액에 담구어 활성화하는 단계와; 상기 은이 증착된 ITO 전극을 마그네슘 이온과 은이온이 혼합된 무전해 도금용액에 담가 ITO전극의 표면에 은을 증착하는 단계를 포함한다.
상기 무전해 도금용액은 황산코발트와 암모니아와 황산 암모니아를 더욱 포함한다. 상기 활성화 용액은 질산은을 포함한다.
상기 마그네슘 이온을 얻기 위해 수산화 마그네슘을 사용하고, 상기 은 이온을 얻기 위해 질산은을 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 ITO 전극 상부에 증착된 은의 두께는 2900Å~3200Å이고, 증착된 은의 비저항은 3.27μΩ·㎝이다.
상기 증착된 은을 열처리하는 단계를 더욱 포함하며, 열처리된 은의 비저항 2.39μΩ·㎝이다.
-- 실시예 --
본 발명의 특징은 마그네슘 화합물이 첨가된 무전해 도금용액을 사용하여 은을 무전해 도금하는 것을 특징으로 한다.
상세히 설명하면, 소정의 피착물에 은을 무전해 도금방식으로 도금할 때, 환원제가 첨가된 무전해 도금용액 내에 마그네슘 화합물을 첨가하면 마그네슘 이온의 작용으로 뭉침현상이 억제되어 은(Ag)이 3차원적으로 성장하는 것을 막고 2 차원적으로 성장하도록 한다.
이때, 상기 마그네슘 이온의 환원전위는 -2.356V vs.NHE로 은 이온의 환원전위인 0.7991Vvs.NHE 비해 매우 낮다.
따라서, 마그네슘(Mg)은 은(Ag)보다 쉽게 산화되기 때문에 도금되는 은(Ag)박막의 내부에 존재하면서 은이 뭉치는 것을 억제하는 역할을 한다.
이하, 도 3a 내지 도 3c를 참조하여, 상기 마그네슘이 포함된 무전해 도금용액을 사용하여, ITO 투명전극에 은을 무전해 도금하는 방법을 개략적으로 설명한다.
도 3a 내지 3c는 ITO전극에 은을 무전해 도금하는 과정을 순서대로 도시한 단면도이다.
먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이, 투명한 절연 기판(100)의 상부에 인듐-틴-옥사이드를 증착하고 패턴하여, 소정 형상의 ITO 전극(102)을 형성한다.
다음으로, 도 3b에 도시한 바와 같이, ITO전극의 표면을 활성화시키기 위해 주석(Sn)용액에 5분 동안 담가 주석(104)을 먼저 상기 ITO전극의 표면에 증착시킨 후, 상기 주석이 증착된 ITO 전극을 활성화 용액에 담구어 표면에 촉매금속인 은(Ag)(106)을 증착하는 공정을 진행한다.
이때, 상기 ITO전극의 표면에 주석을 증착하기 위해 사용되는 주석용액은 염화주석 7g/100㎖와 염산 23㎖/100㎖가 혼합된 것이며, 상기 은을 증작하기 위한 활성화 용액에는 질산은 10g/100㎖이 혼합된 것이다.
도 3c는 상기 표면이 활성화된 ITO 전극(102)에 무전해 도금방법으로 은(Ag)을 증착하는 단계로, 상기 표면이 은으로 활성화된 ITO전극(102)을 마그네슘과 황산 코발트(CoSO4)가 혼합된 무전해 도금용액(108)에 10분 동안 담구어 ITO전극(102)의 표면에 은(Ag)을 증착 한다.
이때, 상기 무전해 도금용액에는 황산암모늄(NH3SO4)과 암모니아(NH3)와 수산화 마그네슘(Mg(OH)2)과 질산은(AgNo3)과 황산 코발트(CoSO4) 등이 포함된다.
전술한 바와 같은 단계를 통해 상기 ITO전극(102)상부에는 대략 3100Å의 두께로 은이 증착되며, 이때 은의 비저항은 3.27μΩ·㎝로 매우 낮은 값을 나타내었다.
이러한 은은 열처리 과정을 거치면 비저항이 더 감소한다.
예를 들어, 250℃에서 30분 동안 열처리한 결과 상기 증착된 은의 비저항은 2.39μΩ·㎝의 값으로 나타났다.
이때의 은의 표면 상태는 이하, 도 3을 통해 관찰한다.
도 4은 250℃에서 30분 동안 열처리한 은의 표면 상태를 나타낸 주산 전자 현미경 사진이다.
사진에서 관찰할 수 있듯이, 종래에 비해 은의 표면에는 은이 서로 뭉쳐진 것으로 보이는 형상이 관찰되지 않는다.
전술한 공정은 상기 ITO 전극 이외에도 금속 배선에 적용가능하며, 금속배선을 포함한 반도체 소자에 적용 가능하다.
따라서, 은을 도금하기 위한 무전해 도금용액에 마그네슘을 혼합하게 되면ITO전극의 표면에 증착되는 은(Ag)은 2차원 구조로 매끄럽게 형성될 수 있기 때문에, 상기 은이 도금된 소자의 동작특성을 개선할 수 있는 효과가 있다.
Claims (12)
- 상기 ITO 전극이 형성된 기판을 준비하는 단계와;상기 ITO 전극의 표면에 주석(Sn)을 증착하는 단계와;상기 주석이 증착된 ITO전극의 표면을 활성화 용액에 담구어 활성화하는 단계와;상기 은이 증착된 ITO 전극을 마그네슘 이온과 은 이온이 혼합된 무전해 도금용액에 담가 ITO전극의 표면에 은을 증착하는 단계를포함하는 ITO 전극에 은(Ag)을 증착하는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 무전해 도금용액은 황산코발트와 암모니아와 황산 암모니아를 더욱 포함하는 ITO 전극에 은(Ag)을 증착하는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 활성화 용액은 질산은을 포함하는 ITO 전극에 은(Ag)을 증착하는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 마그네슘 이온을 얻기 위해 수산화 마그네슘을 사용하고, 상기 은 이온을 얻기 위해 질산은을 사용한 ITO 전극에 은(Ag)을 증착하는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 ITO 전극 상부에 증착된 은의 두께는 2900Å~3200Å인 ITO 전극에 은(Ag)을 증착하는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 증착된 은의 비저항은 3.27μΩ·㎝인 ITO 전극에 은(Ag)을 증착하는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 증착된 은을 열처리하는 단계를 더욱 포함하는 ITO 전극에 은(Ag)을 증착하는 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 열처리된 은의 비저항 2.39μΩ·㎝인 ITO 전극에 은(Ag)을 증착하는 방법.
- 상기 금속배선이 형성된 기판을 준비하는 단계와;상기 금속배선의 표면에 주석(Sn)을 증착하는 단계와;상기 주석이 증착된 금속배선의 표면을 활성화 용액에 담구어 활성화하는 단계와;상기 은이 증착된 금속배선을 마그네슘 이온과 은 이온이 혼합된 무전해 도금용액에 담가 금속배선의 표면에 은을 증착하는 단계를포함하는 금속배선에 은(Ag)을 증착하는 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 무전해 도금용액은 황산코발트와 암모니아와 황산 암모니아를 더욱 포함하는 금속배선에 은(Ag)을 증착하는 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 활성화 용액은 질산은을 포함하는 금속배선 은(Ag)을 증착하는 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 마그네슘 이온을 얻기 위해 수산화 마그네슘을 사용하고, 상기 은 이온을 얻기 위해 질산은을 사용한 금속배선에 은(Ag)을 증착하는 방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020012277A KR100788310B1 (ko) | 2002-03-07 | 2002-03-07 | 인듐-틴-옥사이드 전극 위에 은을 무전해 도금하는 방법 |
| US10/330,431 US6806189B2 (en) | 2002-03-07 | 2002-12-30 | Method of silver (AG) electroless plating on ITO electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020012277A KR100788310B1 (ko) | 2002-03-07 | 2002-03-07 | 인듐-틴-옥사이드 전극 위에 은을 무전해 도금하는 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030072977A true KR20030072977A (ko) | 2003-09-19 |
| KR100788310B1 KR100788310B1 (ko) | 2007-12-27 |
Family
ID=29546258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020020012277A KR100788310B1 (ko) | 2002-03-07 | 2002-03-07 | 인듐-틴-옥사이드 전극 위에 은을 무전해 도금하는 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6806189B2 (ko) |
| KR (1) | KR100788310B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111530291A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-14 | 青海东台吉乃尔锂资源股份有限公司 | 电渗析设备电极液的回收处理和工作方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101765731B1 (ko) * | 2011-03-09 | 2017-08-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속 패턴의 형성 방법 및 이를 포함한 표시 기판의 제조 방법 |
| KR20140122338A (ko) | 2013-04-09 | 2014-10-20 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 터치패널, 그 제조방법 및 터치패널용 Ag-Pd-Nd 합금 |
| WO2015112419A1 (en) | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 3M Innovative Properties Company | Method for patterning a microstructure |
| US10237985B2 (en) | 2014-06-23 | 2019-03-19 | 3M Innovative Properties Company | Method of patterning a metal on a transparent conductor |
| WO2016028454A1 (en) | 2014-08-18 | 2016-02-25 | 3M Innovative Properties Company | Conductive layered structure and methods of making same |
| LT6518B (lt) * | 2016-09-13 | 2018-04-25 | Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras | Būdas, skirtas elektrai laidžioms sritims ant polimerinio gaminio paviršiaus formuoti |
| CN110927231B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-08-19 | 嘉兴学院 | 一种离子色谱安培检测用银电极的处理方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4235648A (en) * | 1979-04-05 | 1980-11-25 | Motorola, Inc. | Method for immersion plating very thin films of aluminum |
| US4668532A (en) * | 1984-09-04 | 1987-05-26 | Kollmorgen Technologies Corporation | System for selective metallization of electronic interconnection boards |
| JPH07134300A (ja) * | 1993-11-10 | 1995-05-23 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
| KR950012106A (ko) * | 1993-11-12 | 1995-05-16 | 윤종용 | 저저항 전극을 갖는 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| JPH0843839A (ja) * | 1994-07-27 | 1996-02-16 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR100325844B1 (ko) * | 1994-12-28 | 2002-09-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액정표시패널및그전극제조방법 |
| KR0161462B1 (ko) * | 1995-11-23 | 1999-01-15 | 김광호 | 액정 디스플레이에서의 게이트 패드 형성방법 |
| US6228768B1 (en) * | 1998-11-02 | 2001-05-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Storage-annealing plated CU interconnects |
| EP1224972A1 (en) * | 2001-01-18 | 2002-07-24 | Shipley Co. L.L.C. | A method for recovering catalytic metals from a colloidal solution |
-
2002
- 2002-03-07 KR KR1020020012277A patent/KR100788310B1/ko active IP Right Grant
- 2002-12-30 US US10/330,431 patent/US6806189B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111530291A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-14 | 青海东台吉乃尔锂资源股份有限公司 | 电渗析设备电极液的回收处理和工作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030170925A1 (en) | 2003-09-11 |
| US6806189B2 (en) | 2004-10-19 |
| KR100788310B1 (ko) | 2007-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8198191B2 (en) | Method of preparing low resistance metal line, patterned metal line structure, and display device using the same | |
| US5380560A (en) | Palladium sulfate solution for the selective seeding of the metal interconnections on polyimide dielectrics for electroless metal deposition | |
| US6479384B2 (en) | Process for fabricating a semiconductor device | |
| JP4918994B2 (ja) | 金属被膜の形成方法および金属配線 | |
| EP2012350A2 (en) | Method of forming metal pattern, patterned metal structure, and thin film transistor-liquid crystal displays using the same | |
| CN110724943A (zh) | 铜表面化学镀镍前无钯活化液及制备方法和镀镍方法 | |
| US9048295B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| KR100807948B1 (ko) | 저저항 금속 배선 형성방법, 금속 배선 구조 및 이를이용하는 표시장치 | |
| KR100788310B1 (ko) | 인듐-틴-옥사이드 전극 위에 은을 무전해 도금하는 방법 | |
| KR100709446B1 (ko) | 저저항 금속패턴 형성 방법 | |
| JP3728572B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| US20060097622A1 (en) | Method of forming metal pattern having low resistivity | |
| JP3964189B2 (ja) | 無電解メッキ用触媒および金属メッキパターンの形成方法 | |
| TWM589408U (zh) | 金屬化結構 | |
| JP2003051463A (ja) | 金属配線の製造方法およびその方法を用いた金属配線基板 | |
| JP2003253454A (ja) | 電子部品のめっき方法、及び電子部品 | |
| US20220064801A1 (en) | Method for electroless nickel deposition onto copper without activation with palladium | |
| JP2004332036A (ja) | 無電解めっき方法 | |
| JPH0470613B2 (ko) | ||
| TW512185B (en) | Method of electroless plating metal lines on nitride barrier | |
| KR101677023B1 (ko) | 실리콘 표면 에칭방법 및 시드층 형성방법 | |
| KR100811644B1 (ko) | 무전해 도금을 실시하기 위한 인듐-틴-옥사이드 전극의활성화 방법 | |
| Chou et al. | Effects of molybdate concentration on the characteristics of Ni–Mo–P diffusion barriers grown by nonisothermal electroless deposition | |
| KR20050028646A (ko) | 다층 금속패턴 제조 방법 및 이를 이용한 평판 표시 소자 | |
| JP4059133B2 (ja) | 無電解ニッケル−金めっき方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120928 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130930 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141124 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161118 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171116 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181114 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191113 Year of fee payment: 13 |