KR101211293B1 - 전계를 이용한 미세패턴이 형성된 인쇄판의 제조방법 - Google Patents
전계를 이용한 미세패턴이 형성된 인쇄판의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101211293B1 KR101211293B1 KR1020050133600A KR20050133600A KR101211293B1 KR 101211293 B1 KR101211293 B1 KR 101211293B1 KR 1020050133600 A KR1020050133600 A KR 1020050133600A KR 20050133600 A KR20050133600 A KR 20050133600A KR 101211293 B1 KR101211293 B1 KR 101211293B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- printing plate
- pattern
- conductive metal
- metal layer
- forming
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
- G03F7/405—Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41C—PROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
- B41C1/00—Forme preparation
- B41C1/02—Engraving; Heads therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/14—Etching locally
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
- G03F7/0957—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer with sensitive layers on both sides of the substrate
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41C—PROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
- B41C1/00—Forme preparation
- B41C1/02—Engraving; Heads therefor
- B41C1/025—Engraving; Heads therefor characterised by means for the liquid etching of substrates for the manufacturing of relief or intaglio printing forms, already provided with resist pattern
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
- Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
본 발명은 전계를 이용하여 이방 식각된 미세패턴이 형성된 인쇄판을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 이방 식각된 미세패턴이 형성된 인쇄판을 제조하는 방법은,인쇄판의 상면에 마스크 공정을 통해 제 1 전극으로 동작하는 동시에 에칭될 인쇄판 영역을 오픈시키는 금속패턴을 형성하는 단계; 인쇄판의 하면에 마스크 공정을 통해 제 2 전극으로 동작하는 도전성 금속층을 전면 형성하는 단계; 인쇄판에 형성된 금속패턴 및 도전성 금속층 상에 에칭 레지스트로 동작하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 인쇄판을 전해액에 침지시킨 후, 금속패턴 및 도전성 금속층 사이에 전위를 형성하여 전해액을 해리시키는 단계; 및 인쇄판 상에 해리된 전해액에 의해 상기 인쇄판에 이방 식각된 미세패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
Description
도 1은 종래의 액정 표시 패널을 나타내는 분해 사시도.
도 2a 내지 도 2h는 종래의 등방 식각된 미세패턴이 형성된 인쇄판의 제조 공정도.
도 3은 본 발명에 따른 전계를 이용한 이방 식각된 미세패턴이 형성된 인쇄판의 단면도.
도 4a 내지 4h는 본 발명에 따른 전계를 이용한 이방 식각된 미세패턴이 형성된 인쇄판의 제조 공정도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
110 : 인쇄판 110a : 미세패턴
120 : 도전성 금속층 12Oa : 금속패턴
130 : 도전성 금속층 210 : 포토레지스트
210a : 포토레지스트 패턴 220 : 포토레지스트
본 발명은 이방 식각된 미세패턴이 형성된 인쇄판의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 전계를 이용하여 인쇄판의 측방향 보다 수직방향으로 더 식각된 이방 특성을 갖는 미세패턴이 형성된 인쇄판의 제조방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이를 위해, 액정 표시 장치는 액정셀들이 매트릭스 형태로 배열되어진 액정 표시 패널과, 그 액정 표시 패널을 구동하기 위한 구동회로를 구비한다.
이러한 액정 표시 장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 액정을 사이에 두고 서로 대향하여 합착된 박막 트랜지스터 기판(70) 및 칼러 필터 기판(80)을 구비한다.
여기서, 박막 트랜지스터 기판(70)은 서로 교차되게 형성된 게이트 라인(71) 및 데이터 라인(72)과, 그들(71,72)의 교차부에 형성된 박막 트랜지스터(73)와, 박막 트랜지스터(73)와 접속된 화소전극(74)과, 그들 위에 액정 배향을 위해 도포된 하부 배향막(미도시)으로 구성된다.
이때, 박막 트랜지스터(73)는 데이터 라인(72)에 접속된 소스전극, 채널을 사이에 두고 소스전극과 대향하는 드레인 전극 및 채널을 형성하는 반도체층으로 구성된다. 이때, 반도체층은 소스전극과 드레인 전극 사이에 채널을 형성하는 활성층과, 활성층 상에 위치하여 소스전극 및 드레인 전극과 오믹 접촉을 수행하는 오믹 접촉층을 포함한다.
칼라 필터 기판(80)은 빛샘 방지를 위한 블랙 매트릭스(81)와, 칼라 구현을 위한 칼러 필터(82), 화소 전극(74)과 수직전계를 이루는 공통전극(83)과, 그들 위에 액정 배향을 위해 도포된 상부 배향막(84)으로 구성된다.
이때, 배향막은 박막 트랜지스터 기판(70)과 컬러필터기판(80) 사이에 개재되는 액정(90)을 소정 방향으로 배향시키기 역할을 수행하는 것으로서, 배향막 상에는 러빙장치를 이용하여 폴리이미드 등의 유기막에 대한 러빙공정이 수행됨에 따라 액정이 정렬되는 배향홈(미도시)이 형성된다.
여기서, 액정표시장치를 구성하는 박막 트랜지스터기판 또는 칼라필터기판에 형성되는 게이트 라인, 데이터 라인, 활성층 또는 공통전극 등과 같은 다양한 패턴들은 반도체 공정을 포함함과 아울러 다수의 마스크 공정을 통해 형성된다.
이때, 기판상에 패턴을 형성하기 위한 마스크 공정은 박막 증착 공정, 세정 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 포토레지스트 박리 공정, 검사 공정 등과 같은 많은 공정을 포함하고 있기 때문에 공정이 복잡할 뿐만 아니라 제조 단가가 높다는 단점이 있었다.
상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 인쇄판에 형성된 패턴을 롤러에 도포된 포토레지스트에 형성한 후 이를 패턴이 형성될 박막 트랜지스터 기판 또는 칼라필터기판으로 전사시키는 오프셋 인쇄방식(off-set printing)이 개시되어 있다.
이하, 도 2a 내지 도 2g를 참조하여 종래의 오프셋 인쇄방식을 통해 기판상에 미세패턴을 형성하는 방법에 대해 상세하게 설명한다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이 인쇄판(11) 상에 스퍼터링 등의 방식을 통해 도전성 금속층(12)을 형성한다. 이때, 인쇄판(11) 상에 형성된 도전성 금속층(12)은 크롬(Cr), 모리브덴(Mo), 구리(Cu), ITO 등을 포함하는 도전성 금속으로 구 성된다.
이후, 도 2b에 도시된 바와 같이, 도전성 금속층(12) 상에 포토레지스트(20)를 도포한 후 미세패턴이 형성된 마스크를 이용하여 포토레지스트(20)에 대한 노광 및 현상공정을 수행한다.
상술한 바와 같이 포토레지스트(20)에 대한 노광 및 현상공정을 수행함으로써, 도 2c에 도시된 바와 같이, 인쇄판(11) 상에 형성된 도전성 금속층(12)을 노출시키기 위한 포토레지스트 패턴(20a)을 형성한다,
상술한 바와 같이 도전성 금속층(12)상에 포토레지스트 패턴(20a)을 형성한 후, 도 2d에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(20a)에 의해 노출된 도전성 금속층(12)에 대한 에칭공정을 수행한다.
이후, 에칭된 도전성 금속층(12)상에 형성된 포토레지스트 패턴(20a)을 제거함으로써, 도 2e에 도시된 바와 같이, 인쇄판(11) 상에 미세패턴을 형성시에 이용되는 에칭 레지스트로 동작하는 금속패턴(12a)을 최종적으로 형성한다.
상술한 바와 같이 인쇄판(11) 상에 금속패턴(12a)을 형성한 후, 도 2f에 도시된 바와 같이, 인쇄판(11) 상에 형성된 금속패턴(12a)을 에칭 레지스트로 이용하여 노출된 인쇄판(11) 영역에 대한 에칭을 수행한다.
이때, 금속패턴(12a)에 의해 노출된 인쇄판(11)에 대한 에칭공정이 수행됨에 따라, 도 2g에 도시된 바와 같이, 인쇄판(11)은 레칭 레지스트로 동작하는 금속패턴(12a)을 통해 노출된 영역이 수직 및 수평방향으로 동시에 식각된다.
이후, 인쇄판(11) 상에 형성된 에칭 레지스트로 동작하는 금속패턴(12a)을 에칭공정을 통해 제거함으로써, 도 2h에 도시된 바와 같이, 인쇄판(11)에는 수직방향의 깊이(H)와 수평방향의 폭(L)이 동일하게 식각된 미세패턴(11a)을 최종적으로 형성하였다.
종래, 상술한 바와 같은 방식을 통해 인쇄판(11) 상에 미세패턴(12)을 형성하는 경우, 도 2g에 도시된 바와 같이, 인쇄판(11)은 레칭 레지스트로 동작하는 금속패턴(12a)을 통해 에칭 공정이 수행됨에 따라 수평 및 수직 방향으로 등방식각되고, 따라서 일정치 이하의 패턴폭을 갖는 미세패턴(11a)을 형성하는 데 어려움이 있었다.
상술한 바와 같은 문제점을 해소하기 위해, 본 발명의 목적은 전계를 이용한 에칭 공정을 통해 이방 식각된 미세패턴이 형성된 인쇄판의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 전계를 이용한 인쇄판의 제조방법은, 인쇄판의 상면에 마스크 공정을 통해 제 1 전극으로 동작하는 동시에 에칭될 인쇄판 영역을 오픈시키는 금속패턴을 형성하는 단계; 인쇄판의 하면에 마스크 공정을 통해 제 2 전극으로 동작하는 도전성 금속층을 전면 형성하는 단계; 인쇄판에 형성된 금속패턴 및 도전성 금속층 상에 에칭 레지스트로 동작하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 인쇄판을 전해액에 침지시킨 후, 금속패턴 및 도전성 금속층 사이에 전위를 형성하여 전해액을 해리시키는 단계; 및 인쇄판 상에 해리된 전해액에 의해 상기 인쇄판에 이방 식각된 미세패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 전계를 이용한 인쇄판의 제조방법은 인쇄판의 상?하면에 형성된 포토레지스트 패턴은 금속패턴 및 도전성 금속층 상에 전계를 집중시키기는 역할을 수행하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 본 발명에 따른 인쇄판의 상면에 형성된 금속패턴은 수용액에 의해 전해되지 않는 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 및 ITO 등의 도전성 금속으로 구성된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 인쇄판이 침지되는 전해액은 유리성분을 식각할 수 있는 플루오르(F) 이온을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 미세패턴이 형성된 인쇄판은 유리(glass)로 구성된 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대하여 설명한다. 여기서, 도 3은 본 발명에 따른 이방성의 미세패턴이 형성된 인쇄판의 단면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 이방성의 미세패턴이 형성된 인쇄판의 제조 공정도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 인쇄판(110) 상에는 전계를 이용하여 수평 방향보다 수직방향으로 더 식각된 이방성의 특징을 갖는 미세패턴(110a) 이 형성되어 있다.
이하, 4a 내지 도 4h를 참조하여 본 발명에 따른 전계를 이용하여 이방 식각된 미세패턴이 형성된 인쇄판의 제조 공정을 설명한다. 여기서, 도 4a 내지 도 4h는 본 발명에 따른 전계를 이용하여 이방 식각된 미세패턴이 형성된 인쇄판의 제조 공정도이다.
먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이, 인쇄판(110) 상면 및 하면에 스퍼터링 또는 PECVD 등과 같은 방식을 통해 도전성 금속층(120,130)을 순차적으로 증착시킨다.
이때, 인쇄판(110)의 상면 및 하면에 증착되는 도전성 금속층(120,130)은 불산(HF) 수용액에서 전해되지 않는 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 또는 ITO 등의 도전성 금속으로 구성된다.
상술한 바와 같이 인쇄판(110)의 상면 및 하면에 불산(HF) 수용액에서 전해되지 않는 도전성 금속층(120,130)을 형성한 후, 도 4b에 도시된 바와 같이, 인쇄판(110)의 상면 및 하면에 형성된 도전성 금속층(120) 상에 마스크의 미세패턴이 전사될 포토레지스트(210,220)를 전면 도포한다.
이후, 미세패턴이 형성된 마스크를 이용하여 도전성 금속층(120)에 형성된 포토레지스트(200)에 대한 노광 및 현상공정을 수행함으로써, 도 4c에 도시된 바와 같이, 인쇄판(110)의 상면에 형성된 도전성 금속층(120)을 노출시키기 위한 포토레지스트 패턴(210a)을 형성한다.
상술한 바와 같이 도전성 금속층(120)상에 포토레지스트 패턴(210a)을 형성 한 후, 도 4d에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(210a)에 의해 노출된 도전성 금속층(120)에 대한 에칭공정을 수행함으로써 인쇄판(110)에 대한 에칭 레지스트로 동작하는 금속패턴(120a)을 최종적으로 형성한다.
이때, 인쇄판(110)의 상면에 형성된 금속패턴(120a)은 에칭 레지스트로 동작할 뿐만 아니라 하면에 형성된 도전성 금속층(130)과 함께 외부로부터 전원을 인가받는 전극으로서의 역할을 수행한다.
또한, 인쇄판(110)의 상면에 형성된 금속패턴(120a) 상에 잔류하는 포토레지스트 패턴(210a)과 하면에 형성된 도전성 금속층(130) 상에 잔류하는 포토레지스트(220)는 금속패턴(120a)에 의해 오픈된 인쇄판(110)의 수직방향으로 전계를 집중시키는 역할을 수행한다.
이후, 도 4e에 도시된 바와 같이, 인쇄판(110)의 상면 및 하면에 형성된 포토레지스트 패턴(210a) 및 포토레지스트(220)에 대한 마스크 공정을 수행하여 외부로부터 공급되는 전원을 전극으로 동작하는 금속패턴(120a) 및 도전성 금속층(130)으로 인가하기 위한 콘택홀 영역(A)을 형성한다.
상술한 바와 같이 외부 전원을 인가받기 위한 콘택홀 영역(A)을 형성한 후, 도 4f에 도시된 바와 같이, 인쇄판(110)을 전해액에 침지시킨 상태에서 포토레지스트 패턴(210a) 및 포토레지스트(220)에 형성된 콘택홀 영역(A)을 통해 오픈된 금속패턴(120a) 및 도전성 금속층(130)에 전원을 공급한다.
이때, 인쇄판(110)의 상면에 형성된 금속패턴(120a)에는 (-)전위가 형성되고 하면에 형성된 도전성 금속층(130)에는 (+) 전위가 형성될 수 있도록 전원을 공급 한다.
여기서, 인쇄판(110)이 침지되는 수용액으로는 유리를 용해할 수 있는 플루오르(F) 이온을 형성할 수 있는 모든 수용액, 예를 들면 HF, NH4F 및 KF 등으로 구성될 수 있다.
상술한 바와 같이 수용액에 인쇄판(110)을 침지한 상태에서 전원을 인가하는 경우, 수용액에 해리된 H+ 이온은 인쇄판(110)의 상면에 형성된 금속패턴(120a)과 반응하여 수소(H2)를 발생시키고, 수용액에 해리된 F_이온은 인쇄판(110)의 하면에 형성된 도전성 금속층(130)으로 이동하는 동시에 인쇄기판(110)을 수직 방향으로 에칭시키는 역할을 수행한다.
여기서, 상술한 과정을 나타내는 화학식을 표시하면 다음과 같다.
< 화학식 >
4F_ + 4H+ + SiO2 -> SiF4 + 2H2O
이때, 인쇄판(110)의 상면에 형성된 금속패턴(120a)은 (-) 전위가 형성됨에 따라 수용액에 해리된 F_ 이온을 밀어내는 반면에, 인쇄판(110)의 하면에 형성된 도전성 금속층(130)은 (+) 전위가 형성됨에 따라 수용액에 해리된 F_ 이온을 잡아당기는 역할을 수행한다.
따라서, 수용액에 해리된 F_ 이온은 인쇄판(110)의 수평방향에 비해 수직방 향으로 더 많은 식각을 수행함에 따라, 도 4g에 도시된 바와 같이, 인쇄기판(110)에는 측방향 보다 수직방향으로 더 식각된 이방성을 갖는 미세패턴(110a)이 형성된다.
이후, 스트립 공정을 통해 인쇄판(110)의 상면 및 하면에 형성된 포토레지스트 패턴(210a) 및 포토레지스트(220)을 제거한 후 금속패턴(120a)을 에칭 처리함으로써, 도 4h에 도시된 바와 같이, 수직방향(H)이 수평방향(L)보다 더 식각된 이방성의 구조를 갖는 미세패턴(110a)이 형성된 인쇄판(110)을 최종적으로 완성한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 인쇄기판의 제조방법은 수용액에 침지된 인쇄기판에 대해 전계를 이용한 이방 식각을 수행함으로써, 미세패턴이 형성된 인쇄기판을 제작할 수 있다는 효과를 제공한다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
Claims (7)
- 인쇄판의 상면에 마스크 공정을 통해 제 1 전극으로 동작하는 동시에 에칭될 인쇄판 영역을 오픈시키는 금속패턴을 형성하는 단계;상기 인쇄판의 하면에 마스크 공정을 통해 제 2 전극으로 동작하는 도전성 금속층을 전면 형성하는 단계;상기 인쇄판에 형성된 금속패턴 및 도전성 금속층 상에 에칭 레지스트로 동작하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 인쇄판을 전해액에 침지시킨 후, 상기 금속패턴 및 도전성 금속층 사이에 전위를 형성하여 전해액을 해리시키는 단계; 및상기 인쇄판 상에 해리된 전해액에 의해 상기 인쇄판에 이방 식각된 미세패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄판 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴은 인쇄판의 상?하면에 형성된 금속패턴 및 도전성 금속층 상에 전계를 집중시키는 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 인쇄판 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 인쇄판 상에 금속패턴을 형성하는 단계는,상기 인쇄판 상에 도전성 금속층을 전면 증착시키는 단계;상기 도전성 금속층 상에 포토레지스를 전면 형성한 후, 상기 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 수행하여 도전성 금속층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 도전성 금속층을 에칭함으로써, 상기 인쇄판의 에칭 영역을 오픈시키는 동시에 제 1 전극으로 동작하는 금속패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄판 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 인쇄판의 상면에 형성된 금속패턴은 전해액에 의해 전해되지 않는 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 또는 ITO 등으로 구성된 것을 특징으로 하는 인쇄판 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 인쇄판에 이방식각된 미세패턴은 금속패턴이 형성된 수평방향보다 도전성 금속층이 형성된 수직방향으로 더 식각된 것을 특징으로 하는 인쇄판 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 전해액은 유리성분을 식각할 수 있는 플루오르(F) 이온을 포함하는 것 을 특징으로 하는 인쇄판 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 이방식각된 미세패턴이 형성되는 인쇄판은 유리(glass)로 구성된 것을 특징으로 하는 인쇄판 제조 방법.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050133600A KR101211293B1 (ko) | 2005-12-29 | 2005-12-29 | 전계를 이용한 미세패턴이 형성된 인쇄판의 제조방법 |
US11/415,280 US7687226B2 (en) | 2005-12-29 | 2006-05-02 | Method for fabricating printing plate with fine pattern using electric field |
CN2006100801838A CN1991588B (zh) | 2005-12-29 | 2006-05-10 | 使用电场制造带有精细图案的印制板的方法 |
TW095116725A TWI324900B (en) | 2005-12-29 | 2006-05-11 | Method for fabricating printing plate with fine pattern using electric field |
FR0604950A FR2895698B1 (fr) | 2005-12-29 | 2006-06-02 | Procede de fabrication d'une plaque d'impression avec un motif fin au moyen d'un champ electrique. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050133600A KR101211293B1 (ko) | 2005-12-29 | 2005-12-29 | 전계를 이용한 미세패턴이 형성된 인쇄판의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070070753A KR20070070753A (ko) | 2007-07-04 |
KR101211293B1 true KR101211293B1 (ko) | 2012-12-11 |
Family
ID=38213921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050133600A KR101211293B1 (ko) | 2005-12-29 | 2005-12-29 | 전계를 이용한 미세패턴이 형성된 인쇄판의 제조방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7687226B2 (ko) |
KR (1) | KR101211293B1 (ko) |
CN (1) | CN1991588B (ko) |
FR (1) | FR2895698B1 (ko) |
TW (1) | TWI324900B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015005517A1 (ko) * | 2013-07-11 | 2015-01-15 | 서울대학교 산학협력단 | 패턴의 형성방법, 및 상기 방법을 이용한 촉매 및 전자 소자 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100126367A1 (en) * | 2007-09-21 | 2010-05-27 | Ji-Su Kim | Method for etching glass or metal substrates using negative photoresist and method for fabricating cliche using the same |
TW200941322A (en) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Tpk Touch Solutions Inc | Manufacturing method for conducting films on two surfaces of transparent substrate of touch-control circuit |
CN101750903B (zh) * | 2008-12-15 | 2013-01-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光刻方法 |
CN103422153A (zh) * | 2013-08-22 | 2013-12-04 | 大连七色光太阳能科技开发有限公司 | 一种fto导电薄膜的刻蚀方法 |
CN106739427A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-05-31 | 成都印钞有限公司 | 一种用于银制品的腐蚀溶液及采用该腐蚀溶液蚀刻银版的工艺 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3293156A (en) * | 1963-06-25 | 1966-12-20 | Beck Engraving Company Inc | Method and apparatus for plating etched half-tone printing plates |
EP0250154A3 (en) * | 1986-06-18 | 1989-07-12 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photographic element on a polymeric substrate with novel subbing layer |
US5558977A (en) * | 1995-12-22 | 1996-09-24 | Eastman Kodak Company | Imaging element comprising a transparent magnetic layer and a transparent electrically-conductive layer |
JP3620223B2 (ja) * | 1997-07-07 | 2005-02-16 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像記録方法および画像記録装置 |
JP4048133B2 (ja) * | 2003-02-21 | 2008-02-13 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物及びそれを用いた平版印刷版原版 |
US7169313B2 (en) * | 2005-05-13 | 2007-01-30 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Plating method for circuitized substrates |
-
2005
- 2005-12-29 KR KR1020050133600A patent/KR101211293B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-05-02 US US11/415,280 patent/US7687226B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-10 CN CN2006100801838A patent/CN1991588B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-11 TW TW095116725A patent/TWI324900B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-06-02 FR FR0604950A patent/FR2895698B1/fr not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015005517A1 (ko) * | 2013-07-11 | 2015-01-15 | 서울대학교 산학협력단 | 패턴의 형성방법, 및 상기 방법을 이용한 촉매 및 전자 소자 |
KR20150007606A (ko) * | 2013-07-11 | 2015-01-21 | 서울대학교산학협력단 | 패턴의 형성방법, 및 상기 방법을 이용한 촉매 및 전자 소자 |
KR101684578B1 (ko) | 2013-07-11 | 2016-12-08 | 서울대학교산학협력단 | 패턴의 형성방법, 및 상기 방법을 이용한 촉매 및 전자 소자 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070154842A1 (en) | 2007-07-05 |
FR2895698B1 (fr) | 2013-11-15 |
TW200726357A (en) | 2007-07-01 |
FR2895698A1 (fr) | 2007-07-06 |
CN1991588B (zh) | 2010-05-12 |
TWI324900B (en) | 2010-05-11 |
CN1991588A (zh) | 2007-07-04 |
US7687226B2 (en) | 2010-03-30 |
KR20070070753A (ko) | 2007-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6204081B1 (en) | Method for manufacturing a substrate of a liquid crystal display device | |
KR101211293B1 (ko) | 전계를 이용한 미세패턴이 형성된 인쇄판의 제조방법 | |
US20020045351A1 (en) | Method of manufacturing a substrate for an electronic device by using etchant and electronic device having the substrate | |
US8232214B2 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
KR20070072179A (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
US6972820B2 (en) | Method of manufacturing array substrate for liquid crystal display device | |
CN102789106B (zh) | 有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法以及显示装置 | |
KR100464204B1 (ko) | 그레이톤 마스크 및 이를 이용한 액정디스플레이 제조방법 | |
WO2018032670A1 (zh) | Tft基板的制作方法 | |
WO2020093442A1 (zh) | 阵列基板的制作方法及阵列基板 | |
CN114089571B (zh) | 阵列基板及制作方法和显示面板 | |
US20030122985A1 (en) | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
KR20070072183A (ko) | 액정표시소자 및 제조방법 | |
US7358195B2 (en) | Method for fabricating liquid crystal display device | |
CN108470721B (zh) | 阵列基板的制作方法 | |
KR100867471B1 (ko) | 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 | |
KR101006474B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 | |
JP2664128B2 (ja) | 金属メッキマスクパターン | |
KR101057235B1 (ko) | 에천트 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
KR20070072204A (ko) | 액정표시소자 및 제조방법 | |
KR100469160B1 (ko) | 알루미늄계 금속물질을 이용한 금속 배선 사진식각 공정 | |
KR101232050B1 (ko) | 액정표시소자 제조방법 | |
KR101028940B1 (ko) | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
KR101030527B1 (ko) | 리프트-오프 방법을 이용한 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
KR20130022654A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161118 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171116 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181114 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191113 Year of fee payment: 8 |