CN115734459A - 玻璃基线路板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种玻璃基线路板及其制备方法，制备方法包括如下步骤：提供双面镀铜玻璃基板；在双面镀铜玻璃基板双面的铜镀层上形成正性光刻胶层；对正性光刻胶层进行图形化曝光和显影，以使未曝光区域的正性光刻胶层保留在双面镀铜玻璃基板上；对双面镀铜玻璃基板进行蚀刻，以将未受正性光刻胶层保护的区域内的铜镀层去除，得到双面铜线路玻璃基板；将双面铜线路玻璃基板上的正性光刻胶层进行脱模。本发明制备的玻璃基线路板能够实现超高线路密度，能够满足应用设备微型化的要求，并且可靠性、稳定性和耐高温性能较好，本发明的制备方法生产效率较高、成本较低。
Description
技术领域
本发明涉及线路板技术领域，特别是涉及一种玻璃基线路板及其制备方法。
背景技术
线路板最早使用的是纸基覆铜印制板。自半导体晶体管于20世纪50年代出现以来，对印制线路板的需求量急剧上升，使用的电子设备体积越来越小，电路布线密度和难度越来越大，这就要求印制线路板具有超高线路密度、微型化和高可靠性。
随着显示技术的进步，miniled背光技术变得越来越流行，广泛用于各种设计和应用领域，例如天花板设计、3C产品玻璃面板应用、阳光房设计、天窗设计等。传统的印制线路板由于其本身材料的限制，印制线路板的散热性较差，并且在大尺寸应用中容易翘曲变形，可靠性和稳定性不好。
而且，传统的印制线路板的制作通常使用负性干膜作为抗蚀层，负性干膜的最高解析度线宽线距一般在15μm～25μm，电路布线密度难度大，难以实现超高线路密度和应用设备微型化。
因此，寻求一种能够实现超高线路密度、实现设备微型化、具有高可靠性和稳定性的线路板，已成为本领域的一个重要研究方向。
发明内容
基于此，有必要提供一种能够实现超高线路密度、可靠性和稳定性较好、生产效率较高的玻璃基线路板及其制备方法。
根据本发明的一个方面，提供了一种玻璃基线路板的制备方法，包括如下步骤：
提供双面镀铜玻璃基板；
在所述双面镀铜玻璃基板双面的铜镀层上形成正性光刻胶层；
对所述正性光刻胶层进行图形化曝光和显影，以使未曝光区域的正性光刻胶层保留在所述双面镀铜玻璃基板上；
对所述双面镀铜玻璃基板进行蚀刻，以将未受正性光刻胶层保护的区域内的铜镀层去除，得到双面铜线路玻璃基板；
将所述双面铜线路玻璃基板上的所述正性光刻胶层进行脱模。
在其中一些实施例中，在所述双面镀铜玻璃基板双面的铜镀层上形成正性光刻胶层，包括如下步骤：
在所述双面镀铜玻璃基板第一面的铜镀层上设置保护膜；
在所述双面镀铜玻璃基板第二面的铜镀层上涂布正性光刻胶，固化后形成第二正性光刻胶层；
在所述双面镀铜玻璃基板第二面的所述正性光刻胶层上设置保护膜，并去除所述双面镀铜玻璃基板第一面上的保护膜；
在所述双面镀铜玻璃基板第一面的铜镀层上涂布正性光刻胶，固化后形成第一正性光刻胶层。
在其中一些实施例中，对所述正性光刻胶层进行图形化曝光，包括如下步骤：
对所述双面镀铜玻璃基板第一面上的所述第一正性光刻胶层进行图形化曝光；
去除所述双面镀铜玻璃基板第二面的所述正性光刻胶层上的保护膜；
对所述双面镀铜玻璃基板第二面上的所述第二正性光刻胶层进行图形化曝光。
在其中一些实施例中，固化形成所述第二正性光刻胶层的固化温度为85℃～95℃，固化时间为45s～55s。
在其中一些实施例中，固化形成所述第一正性光刻胶层的固化温度为110℃～130℃，固化时间为120s～140s。
在其中一些实施例中，所述第一正性光刻胶层和所述第二正性光刻胶层的厚度均为0.5μm～8μm。
在其中一些实施例中，在所述双面镀铜玻璃基板第一面的铜镀层上设置保护膜之后，且在所述双面镀铜玻璃基板第二面的铜镀层上涂布正性光刻胶之前，还包括对所述第二面的铜镀层进行清洗的步骤。
在其中一些实施例中，在所述双面镀铜玻璃基板第二面的所述正性光刻胶层上设置保护膜之后，且在所述双面镀铜玻璃基板第一面的铜镀层上涂布正性光刻胶之前，还包括对所述第一面的铜镀层进行清洗的步骤。
在其中一些实施例中，所述正性光刻胶的粘度为5cp～10cp，所述正性光刻胶的线宽线距分辨力解析度在1.5μm以上，所述正性光刻胶的颗粒度低于100pcs/mL。
在其中一些实施例中，所述图形化曝光为激光直写曝光，曝光量为290mJ/cm2～310mJ/cm2。
在其中一些实施例中，所述显影采用的显影液中包含甲基氢氧化铵，显影电导率为45ms/cm2～55ms/cm2，显影温度为23℃～27℃，显影时间为140s～160s。
在其中一些实施例中，所述蚀刻采用的蚀刻液为含有双氧水的铜蚀刻液，蚀刻液浓度为2mol/L～3mol/L，蚀刻温度为30℃～40℃，蚀刻时间为170s～230s。
在其中一些实施例中，所述脱模采用的脱模液为碱溶液，脱模液浓度为1mol/L～2mol/L，脱模温度为40℃～50℃，脱模时间为250s～350s。
根据本发明的另一方面，提供了一种玻璃基线路板，所述玻璃基线路板通过本发明上述的玻璃基线路板的制备方法制备得到。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
本发明采用玻璃基板，并采用正性光刻胶作为抗蚀层，通过曝光、显影、蚀刻和脱模等步骤制备得到玻璃基线路板；正性光刻胶的线宽线距解析度高，并且与玻璃基板的结合较好；相比于传统的采用负性干膜作为抗蚀层、采用纸质基板或塑料基板的方法，本发明所制备的玻璃基线路板可以实现超高的电路布线密度，其线宽线距可达到7μm～11μm，可以满足应用设备微型化的要求。
此外，本发明的线路板采用玻璃基板，具有良好的散热性和平整度，其尺寸稳定性和可靠性更好，且耐高温性能较高，可使玻璃基线路板具有良好的电器性能。
再者，本发明采用双面镀铜玻璃基板、双面同时加工作业的方式，可以提高生产效率、降低生产成本，且能够更好地保证产品的稳定性和质量。
附图说明
图1为本发明一实施例中显影后的玻璃基板的扫描电镜图；
图2为本发明另一实施例中显影后的玻璃基板的扫描电镜图；
图3为本发明另一实施例中显影后的玻璃基板的扫描电镜图；
图4为本发明另一实施例中显影后的玻璃基板的扫描电镜图；
图5为本发明一实施例中蚀刻后的玻璃基板的扫描电镜图；
图6为本发明另一实施例中蚀刻后的玻璃基板的扫描电镜图；
图7为本发明另一实施例中蚀刻后的玻璃基板的扫描电镜图；
图8为本发明另一实施例中蚀刻后的玻璃基板的扫描电镜图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。除非另有特别说明，本发明中用到的各种原材料、试剂、仪器和设备等均可通过市场购买得到或者可通过现有方法制备得到。
传统的印制线路板一般采用纸质基板或塑料基板，且印制线路板的制作通常使用负性干膜作为抗蚀层；传统的印制线路板的散热性较差，并且在大尺寸应用中容易发生翘曲变形，其可靠性和稳定性不好。传统的印制线路板的线宽线距一般在15μm～25μm之间，无法实现超高电路布线密度，难以满足应用设备对于超高线路密度和设备微型化的要求。此外，传统的印制线路板的生产工艺还存在生产效率较低、成本较高的问题。
针对上述问题，本发明一实施方式提供了一种玻璃基线路板的制备方法，该制备方法包括如下步骤S1至步骤S19。
步骤S1：双面镀铜玻璃基板背面覆保护膜。
采用覆膜机在双面镀铜玻璃基板的背面铜镀层上覆PET保护膜。
在其中一些实施例中，将PET保护膜安装在覆膜机的下滚动轴上，通过压辊加压、加热以及滚动，在双面镀铜玻璃基板的背面铜镀层上覆保护膜；然后通过红外感应器感应双面镀铜玻璃基板的边缘，自动裁切掉边缘多余的保护膜。通过在双面镀铜玻璃基板的背面铜镀层上覆PET保护膜，可以避免背面铜镀层在后续步骤中的损伤。
在其中一些实施例中，在背面铜镀层上覆膜的过程中，覆膜机压辊压力为5kg/cm2～9kg/cm2，压辊温度为85℃～95℃，压辊滚动速度为1.0m/min～1.4m/min，自动裁切边缘保护膜时的裁切速度为3m/min。
可以理解，压辊压力可以为但不限于5kg/cm2、6kg/cm2、7kg/cm2、8kg/cm2、9kg/cm2；压辊温度可以为但不限于85℃、88℃、90℃、92℃、94℃、95℃；压辊滚动速度可以为但不限于1.0m/min、1.1m/min、1.2m/min、1.3m/min、1.4m/min。
步骤S2：PR平板清洗机清洗。
在双面镀铜玻璃基板的背面铜镀层上覆保护膜之后，将双面镀铜玻璃基板送入PR平板清洗机中进行清洗，以去除双面镀铜玻璃基板正面铜镀层上的微颗粒杂质。
在其中一些实施例中，通过传动机构将背面覆保护膜的双面镀铜玻璃基板流入PR平板清洗机，依次进行中压喷淋水洗、高压喷淋水洗和DI去离子水喷淋水洗，从而有效地去除双面镀铜玻璃基板正面铜镀层上的微颗粒杂质；再通过上下风刀把双面镀铜玻璃基板上的水分吹干。
在其中一些实施例中，双面镀铜玻璃基板的清洗传动速度为1.5m/min～2.5m/min，中压喷淋水洗的压力为0.7kg/cm2～1.7kg/cm2，高压喷淋水洗的压力为1.5kg/cm2～2.5kg/cm2，DI去离子水喷淋水洗的压力为1.0kg/cm2～2.0kg/cm2，吹干时风刀压力为2.5kg/cm2～3.5kg/cm2。
可以理解，清洗传动速度可以为但不限于1.5m/min、1.7m/min、1.9m/min、2.0m/min、2.2m/min、2.4m/min、2.5m/min；中压喷淋水洗的压力可以为但不限于0.7kg/cm2、0.9kg/cm2、1.0kg/cm2、1.2kg/cm2、1.5kg/cm2、1.7kg/cm2；高压喷淋水洗的压力可以为但不限于1.5kg/cm2、1.8kg/cm2、2.0kg/cm2、2.2kg/cm2、2.4kg/cm2、2.5kg/cm2；DI去离子水喷淋水洗的压力可以为但不限于1.0kg/cm2、1.2kg/cm2、1.4kg/cm2、1.6kg/cm2、1.8kg/cm2、2.0kg/cm2；风刀压力可以为但不限于2.5kg/cm2、2.8kg/cm2、3.0kg/cm2、3.2kg/cm2、3.4kg/cm2、3.5kg/cm2。
步骤S3：烘烤冷却。
将清洗后的双面镀铜玻璃基板送入烘烤和冷却设备中进行烘烤并冷却，以进一步去除双面镀铜玻璃基板上的残留水分。
在其中一些实施例中，通过自动传动机构将PR平板清洗机中清洗后的双面镀铜玻璃基板流入烘烤冷却设备中，将清洗后的双面镀铜玻璃基板上残留的水分子通过红外加热系统加热去除；然后将加热烘烤后的双面镀铜玻璃基板通过循环风冷却系统冷却至常温。
在其中一些实施例中，烘烤的温度为40℃～50℃，烘烤过程中双面镀铜玻璃基板的传动速度为1.5m/min～2.5m/min。
可理解，烘烤的温度可以为但不限于40℃、41℃、42℃、43℃、44℃、45℃、46℃、47℃、48℃、49℃、50℃；玻璃基板的传动速度可以为但不限于1.5m/min、1.7m/min、1.8m/min、2.0m/min、2.2m/min、2.4m/min、2.5m/min。
步骤S4：双面镀铜玻璃基板正面涂布正性光刻胶。
在烘烤冷却的双面镀铜玻璃基板的正面涂布正性光刻胶，该正性光刻胶作为双面镀铜玻璃基板正面铜蚀刻的抗蚀层。
在其中一些实施例中，将烘烤冷却的双面镀铜玻璃基板通过自动传动机构流入涂布机中，利用涂布机的伺服器注胶控制系统及刮刀横移伺服电机控制系统进行正面正性光刻胶的涂布。在涂布过程中，注胶系统与涂布刀横移伺服电机控制系统同步运行，使刀口吐出的正性光刻胶均匀地涂覆在双面镀铜玻璃基板正面的铜镀层上(非PET保护膜保护的一面)。
在其中一些实施例中，正性光刻胶的涂布厚度为0.5μm～8μm；涂布刮刀间隙宽度为80μm～120μm；正性光刻胶的涂布膜厚可以根据涂布刮刀间隙宽度参数调整达到。
可以理解，正性光刻胶的涂布厚度可以为但不限于0.5μm、0.8μm、1μm、2μm、3μm、4μm、5μm、6μm、7μm、8μm；涂布刮刀间隙宽度可以为但不限于80μm、85μm、90μm、95μm、100μm、105μm、110μm、115μm、120μm。
在其中一些实施例中，所采用的正性光刻胶的粘度为5cp～10cp，正性光刻胶的线宽线距分辨力解析度为1.5μm以上，正性光刻胶的颗粒度低于100pcs/mL，具有较高的图像显像分辨率解析度。正性光刻胶的主要组分及含量如下：丙二醇甲醚醋酸酯质量分数60％～90％、酚醛树脂质量分数10％～35％、重氮萘醌磺酸脂化物质量分数3％～10％。作为一个示例，该正性光刻胶可采用日本综研化学生产的GX245A光刻胶。
步骤S5：正面正性光刻胶预烤。
将正面涂布有正性光刻胶的双面镀铜玻璃基板通过机械臂插入预烤炉内，将正面的正性光刻胶进行预烤烘干，形成正性光刻胶层。
在其中一些实施例中，预烤的温度为85℃～95℃，预烤的时间为45s～55s。可以理解，预烤的温度可以为但不限于85℃、86℃、88℃、90℃、92℃、94℃、95℃；预烤的时间可以为但不限于45s、46s、47s、48s、49s、50s、51s、52s、53s、54s、55s。
步骤S6：双面镀铜玻璃基板正面覆保护膜。
在对双面镀铜玻璃基板正面的正性光刻胶进行预烤之后，在双面镀铜玻璃基板正面的正性光刻胶层上覆保护膜，以保护正面的正性光刻胶层在后续步骤中不受损伤。
在其中一些实施例中，将完成预烤后的正面涂布有正性光刻胶的双面镀铜玻璃基板通过机械臂插入覆膜机的传动机构上，在正面的正性光刻胶层上覆PET保护膜，以保护该正性光刻胶；然后通过红外感应器感应双面镀铜玻璃基板的边缘，并自动裁切掉多余的PET保护膜。
在其中一些实施例中，在正面的正性光刻胶层上覆PET保护膜的覆膜速度为2m/min～3m/min，覆膜压力为2kg/cm2～3kg/cm2，自动裁切多余PET保护膜的裁切速度为2.5m/min～3.5m/min。
可理解，覆膜速度可以为但不限于2m/min、2.2m/min、2.4m/min、2.6m/min、2.8m/min、3m/min；覆膜压力可以为但不限于2kg/cm2、2.2kg/cm2、2.4kg/cm2、2.6kg/cm2、2.8kg/cm2、3kg/cm2；裁切速度可以为但不限于2.5m/min、2.6m/min、2.8m/min、3.0m/min、3.2m/min、3.4m/min、3.5m/min。
步骤S7：撕掉双面镀铜玻璃基板背面的保护膜。
在双面镀铜玻璃基板正面的正性光刻胶层上覆保护膜之后，将双面镀铜玻璃基板背面的铜镀层上的PET保护膜撕离，方便后续在双面镀铜玻璃基板背面铜镀层上涂布正性光刻胶。
步骤S8：双面镀铜玻璃基板背面涂布正性光刻胶。
将已撕离背面PET保护膜的双面镀铜玻璃基板流入背涂机中，在双面镀铜玻璃基板的背面铜镀层上涂布正性光刻胶。涂布间隙为110μm～130μm，涂布刀口隔片间隙为60μm～100μm，正性光刻胶的涂布膜厚可根据涂布参数调整在0.5μm～8μm范围之内。
可理解，涂布间隙可以为但不限于110μm、115μm、120μm、125μm、130μm；涂布刀口隔片间隙可以为但不限于60μm、70μm、80μm、90μm、100μm；正性光刻胶的涂布膜厚可以为但不限于0.5μm、0.8μm、1μm、2μm、3μm、4μm、5μm、6μm、7μm、8μm。
步骤S9：背面正性光刻胶预烤。
将背面铜镀层上已涂布好正性光刻胶的双面镀铜玻璃基板通过机械臂插入预烤炉内进行初步预烤，将背面的正性光刻胶进行预烤烘干，形成正性光刻胶层。
在其中一些实施例中，预烤的温度为110℃～130℃，预烤时间为120s～140s。可理解，预烤的温度可以为但不限于110℃、112℃、115℃、118℃、120℃、122℃、124℃、125℃、130℃；预烤的时间可以为但不限于120s、122s、124s、126s、128s、130s、132s、134s、136s、138s、140s。
步骤S10：激光直写曝光。
利用激光直写曝光机对双面已涂布正性光刻胶的双面镀铜玻璃基板的背面进行激光直写曝光，控制高精度激光束扫描，在背面的正性光刻胶层上曝光直写所设计的图形；然后再撕离正面的PET保护膜，曝光完成正面所设计的图形,得到双面的正性光刻胶层均已曝光的双面镀铜玻璃基板。
在其中一些实施例中，激光直写曝光的曝光量为290mJ/cm2～310mJ/cm2。可理解，曝光量可以为但不限于290mJ/cm2、295mJ/cm2、300mJ/cm2、305mJ/cm2、310mJ/cm2。
步骤S11：显影。
将双面激光直写曝光后的双面镀铜玻璃基板用栏具插好，放在待放料工位机械臂上，然后将栏具抬起放置于显影槽内在显影液中进行显影。经过激光直写曝光处理的区域内的正性光刻胶层图形被去除，未曝光的正性光刻胶层图形保留下来，得到双面显影后的双面镀铜玻璃基板光刻胶线路。
四个不同的实施例中，显影后的双面镀铜玻璃基板的微距量测扫描式电子显微镜(CD-SEM)图像分别如图1至图4所示。由图1至图4可见，采用本发明的制备方法，经显影后的双面镀铜玻璃基板上光刻胶线路的线宽在7μm～11μm之内。
在其中一些实施例中，显影电导率为45ms/cm2～55ms/cm2，显影温度为23℃～27℃，显影时间为140s～160s，显影液中甲基氢氧化铵(TMAH)的质量分数约为2.38％。
可以理解，显影电导率可以为但不限于45ms/cm2、47ms/cm2、49ms/cm2、50ms/cm2、52ms/cm2、54ms/cm2、55ms/cm2；显影的温度可以为但不限于23℃、24℃、25℃、26℃、27℃；显影的时间可以为但不限于140s、142s、145s、148s、150s、152s、155s、158s、160s。
步骤S12：纯水喷淋。
将装载双面显影后的光刻胶线路双面镀铜玻璃基板的机械臂从显影槽栏具抬起，放置于纯水喷淋槽内进行纯水喷淋处理，将双面镀铜玻璃基板表面上的显影残液去除。
在其中一些实施例中，纯水喷淋处理的水压为0.7kg/cm2～1.7kg/cm2，纯水喷淋处理的时间为20s～40s。可理解，纯水喷淋处理的水压可以为但不限于0.7kg/cm2、0.8kg/cm2、0.9kg/cm2、1.0kg/cm2、1.1kg/cm2、1.2kg/cm2、1.3kg/cm2、1.4kg/cm2、1.5kg/cm2、1.6kg/cm2、1.7kg/cm2；纯水喷淋处理的时间可以为但不限于20s、22s、25s、28s、30s、32s、35s、38s、40s。
步骤S13：固烤。
将纯水喷淋处理后的光刻胶线路双面镀铜玻璃基板从纯水喷淋槽内抬起，放置于无尘烘烤槽内进行固烤，以对光刻胶线路进行坚膜，提升光刻胶在双面镀铜玻璃基板上的附着力。
在其中一些实施例中，固烤的温度为110℃～130℃，固烤的时间为410s～480s。可以理解，固烤的温度可以为但不限于110℃、112℃、115℃、118℃、120℃、122℃、125℃、128℃、130℃；固烤的时间可以为但不限于410s、420s、430s、440s、450s、460s、470s、480s。
步骤S14：蚀刻。
将装载固烤处理后的双面光刻胶线路双面镀铜玻璃基板的机械臂从无尘烘烤槽内抬起，放置于蚀刻槽中进行蚀刻处理，将双面镀铜玻璃基板上未受正性光刻胶抗蚀层保护的铜镀层蚀刻去除，受正性光刻胶抗蚀层保护的铜镀层保留下来，得到双面铜线路玻璃基板。
四个不同的实施例中，蚀刻后的双面铜线路玻璃基板的CD-SEM图像分别如图5至图8所示。由图5至图8可见，采用本发明的制备方法，经蚀刻后的双面铜线路玻璃基板上铜线路的线宽在7μm～11μm之内。
在其中一些实施例中，蚀刻的时间为170s～230s，蚀刻的温度为30℃～40℃，蚀刻槽中蚀刻液的浓度为2mol/L～3mol/L。所有的蚀刻液为双氧水系列铜蚀刻液，其主要成份包括双氧水、盐酸、磷酸(作为螯合剂)和去离子水。
可以理解，蚀刻的时间可以为但不限于170s、180s、190s、200s、210s、220s、230s；蚀刻的温度可以为但不限于30℃、31℃、32℃、33℃、34℃、35℃、36℃、37℃、38℃、39℃、40℃；蚀刻液的浓度可以为但不限于2mol/L、2.2mol/L、2.4mol/L、2.6mol/L、2.8mol/L、3mol/L。
步骤S15：纯水喷淋。
将装载蚀刻处理后得到的双面光刻胶线路双面镀铜玻璃基板的机械臂从蚀刻槽栏具抬起，放置于纯水喷淋槽内进行纯水喷淋处理，以将双面镀铜玻璃基板表面上的蚀刻残液去除。
在其中一些实施例中，纯水喷淋的水压为0.7kg/cm2～1.7kg/cm2，纯水喷淋的时间为20s～40s。可以理解，纯水喷淋的水压可以为但不限于0.7kg/cm2、0.9kg/cm2、1.0kg/cm2、1.2kg/cm2、1.4kg/cm2、1.6kg/cm2、1.7kg/cm2；纯水喷淋的时间可以为但不限于20s、22s、24s、26s、28s、30s、32s、34s、36s、38s、40s。
步骤S16：脱模。
将装载纯水喷淋处理后的双面光刻胶线路双面镀铜玻璃基板的机械臂从喷淋槽内抬起，放置于脱模槽内在脱模液中进行脱模处理，将双面镀铜玻璃基板上未曝光的正性光刻胶去除，得到双面铜线路玻璃基板。
在其中一些实施例中，脱模的时间为250s～350s，脱模的温度为40℃～50℃，脱膜液为氢氧化钾溶液，脱膜液的浓度为1mol/L～2mol/L。可理解，脱模的时间可以为但不限于250s、270s、290s、300s、320s、340s、350s；脱模的温度可以为但不限于40℃、42℃、44℃、46℃、48℃、50℃；脱膜液的浓度可以为但不限于1mol/L、1.2mol/L、1.4mol/L、1.6mol/L、1.8mol/L、2mol/L。
步骤S17：纯水喷淋。
将装载脱模处理后得到的双面铜线路玻璃基板的机械臂从脱模槽内抬起，放置于纯水喷淋槽内进行纯水喷淋处理，以将双面铜线路玻璃基板表面上的脱模残液去除。
在其中一些实施例中，纯水喷淋的水压为0.7kg/cm2～1.7kg/cm2，纯水喷淋的时间为30s～50s。可理解，纯水喷淋的水压可以为但不限于0.7kg/cm2、0.9kg/cm2、1.0kg/cm2、1.2kg/cm2、1.4kg/cm2、1.6kg/cm2、1.7kg/cm2；纯水喷淋的时间可以为但不限于30s、32s、35s、38s、40s、42s、45s、48s、50s。
步骤S18：纯水慢拉。
将装载纯水喷淋后的双面铜线路玻璃基板的机械臂从喷淋槽内抬起，放置于纯水慢拉槽中进行纯水慢拉处理，以将双面铜线路玻璃基板表面上的微粒脏污去除，同时将双面铜线路玻璃基板上的水印大部分水渍去除。
在其中一些实施例中，纯水慢拉的速度为0.2m/min，纯水慢拉的水温为75℃～85℃。可理解，纯水慢拉的水温可以为但不限于75℃、77℃、79℃、80℃、82℃、84℃、85℃。
步骤S19：烘干。
将装载纯水慢拉处理后的双面铜线路玻璃基板的机械臂从慢拉槽内抬起，放置于无尘烤位进行烘烤处理，以将双面铜线路玻璃基板表面上的残余水分去除，得到无水分的双面铜线路玻璃基板。烘烤完成后机械臂将玻璃基板抬起，放置于取料位待取料。
在其中一些实施例中，烘烤的温度为90℃～110℃，烘烤的时间为30s～50s。可理解，烘烤的温度可以为但不限于90℃、92℃、94℃、96℃、98℃、100℃、102℃、104℃、106℃、108℃、110℃；烘烤的时间可以为但不限于30s、32s、34s、36s、38s、40s、42s、44s、46s、48s、50s。
总体而言，本发明采用玻璃基板，并采用正性光刻胶作为抗蚀层，通过曝光、显影、蚀刻和脱模等步骤制备得到玻璃基线路板；正性光刻胶的线宽线距解析度高，并且与玻璃基板的结合较好；相比于传统的采用负性干膜作为抗蚀层、采用纸质基板或塑料基板的方法，本发明所制备的玻璃基线路板可以实现超高的电路布线密度，其线宽线距可达到7μm～11μm，可以满足应用设备微型化的要求。
本发明的线路板采用玻璃基板，玻璃基板具有高的热导率，且具有更好的散热性能，可满足更高密度焊接产品上更复杂的布线要求。并且，玻璃基板的平整度高，更容易在芯片转移技术上取得突破。采用双面镀铜玻璃基板代替传统印制线路板承载层，可广泛应用于精密仪器、航空航天等复杂状态下的电子产品；比传统印制线路板更为透明，且具有可靠的尺寸稳定性，可耐600℃～800℃高温，耐电弧性大于150s，耐漏电起痕指数大于180V，具有良好的电器性能。
本发明的制备方法，一次性完成双面镀铜玻璃电路蚀刻，利用双面涂布正性光刻胶为抗蚀层，经过双面曝光、显影、蚀刻等工艺得到双面铜电路玻璃基板，可以显著提高玻璃基线路板的生产效率、降低生产成本，且能够更好地保证产品的稳定性和质量。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种玻璃基线路板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供双面镀铜玻璃基板；
在所述双面镀铜玻璃基板双面的铜镀层上形成正性光刻胶层；
对所述正性光刻胶层进行图形化曝光和显影，以使未曝光区域的正性光刻胶层保留在所述双面镀铜玻璃基板上；
对所述双面镀铜玻璃基板进行蚀刻，以将未受正性光刻胶层保护的区域内的铜镀层去除，得到双面铜线路玻璃基板；
将所述双面铜线路玻璃基板上的所述正性光刻胶层进行脱模。
2.根据权利要求1所述的玻璃基线路板的制备方法，其特征在于，在所述双面镀铜玻璃基板双面的铜镀层上形成正性光刻胶层，包括如下步骤：
在所述双面镀铜玻璃基板第一面的铜镀层上设置保护膜；
在所述双面镀铜玻璃基板第二面的铜镀层上涂布正性光刻胶，固化后形成第二正性光刻胶层；
在所述双面镀铜玻璃基板第二面的所述正性光刻胶层上设置保护膜，并去除所述双面镀铜玻璃基板第一面上的保护膜；
在所述双面镀铜玻璃基板第一面的铜镀层上涂布正性光刻胶，固化后形成第一正性光刻胶层。
3.根据权利要求2所述的玻璃基线路板的制备方法，其特征在于，对所述正性光刻胶层进行图形化曝光，包括如下步骤：
对所述双面镀铜玻璃基板第一面上的所述第一正性光刻胶层进行图形化曝光；
去除所述双面镀铜玻璃基板第二面的所述正性光刻胶层上的保护膜；
对所述双面镀铜玻璃基板第二面上的所述第二正性光刻胶层进行图形化曝光。
4.根据权利要求2所述的玻璃基线路板的制备方法，其特征在于，固化形成所述第二正性光刻胶层的固化温度为85℃～95℃，固化时间为45s～55s；和/或
固化形成所述第一正性光刻胶层的固化温度为110℃～130℃，固化时间为120s～140s；和/或
所述第一正性光刻胶层和所述第二正性光刻胶层的厚度均为0.5μm～8μm。
5.根据权利要求2所述的玻璃基线路板的制备方法，其特征在于，在所述双面镀铜玻璃基板第一面的铜镀层上设置保护膜之后，且在所述双面镀铜玻璃基板第二面的铜镀层上涂布正性光刻胶之前，还包括对所述第二面的铜镀层进行清洗的步骤；和/或
在所述双面镀铜玻璃基板第二面的所述正性光刻胶层上设置保护膜之后，且在所述双面镀铜玻璃基板第一面的铜镀层上涂布正性光刻胶之前，还包括对所述第一面的铜镀层进行清洗的步骤。
6.根据权利要求1至5任一项所述的玻璃基线路板的制备方法，其特征在于，所述正性光刻胶的粘度为5cp～10cp，所述正性光刻胶的线宽线距分辨力解析度在1.5μm以上，所述正性光刻胶的颗粒度低于100pcs/mL。
7.根据权利要求1至5任一项所述的玻璃基线路板的制备方法，其特征在于，所述图形化曝光为激光直写曝光，曝光量为290mJ/cm2～310mJ/cm2。
8.根据权利要求1至5任一项所述的玻璃基线路板的制备方法，其特征在于，所述显影采用的显影液中包含甲基氢氧化铵，显影电导率为45ms/cm2～55ms/cm2，显影温度为23℃～27℃，显影时间为140s～160s。
9.根据权利要求1至5任一项所述的玻璃基线路板的制备方法，其特征在于，所述蚀刻采用的蚀刻液为含有双氧水的铜蚀刻液，蚀刻液浓度为2mol/L～3mol/L，蚀刻温度为30℃～40℃，蚀刻时间为170s～230s；和/或
所述脱模采用的脱模液为碱溶液，脱模液浓度为1mol/L～2mol/L，脱模温度为40℃～50℃，脱模时间为250s～350s。
10.一种玻璃基线路板，其特征在于，所述玻璃基线路板通过权利要求1至9任一项所述的制备方法制备得到。
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