KR20160139544A - 오프셋 인쇄용 클리쉐 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 오프셋 인쇄용 클리쉐 - Google Patents

오프셋 인쇄용 클리쉐 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 오프셋 인쇄용 클리쉐 Download PDF

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Abstract

본 명세서는 오프셋 인쇄용 클리쉐 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 오프셋 인쇄용 클리쉐에 관한 것이다.

Description

오프셋 인쇄용 클리쉐 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 오프셋 인쇄용 클리쉐{METHOD FOR MANUFACTURING CLICHE FOR OFFSET PRINTING, CLICHE FOR OFFSET PRINTING MANUFACTURED BY METHOD}
본 명세서는 오프셋 인쇄용 클리쉐 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 오프셋 인쇄용 클리쉐에 관한 것이다.
오프셋 프린팅은 도전성 페이스트, 우수한 광학적 특성을 지니는 잉크 등과 같은 특수전자재료를 패턴화하는 방법의 하나로서, 회로소재나 디스플레이용 컬러필터와 같은 전자기 기록/화상/회로장치의 핵심부품의 제조 시 수행되는 한 공정이며, 이를 위해서는 클리쉐가 필수적으로 필요하다.
클리쉐란 사전적 의미로 인쇄되는 어떤 모양을 쉽게 삽입할 수 있게 제조된 형태로서, 당 기술 분야에서는 일반적으로 전자재료의 패턴을 전사하기 위한 요철부를 포함하는 도구를 의미한다.
종래 3 ㎛ 이하의 미세 패턴을 포함하는 오프셋 인쇄용 클리쉐를 제작하기 위해서는 유리 기재의 등방성 식각에 의한 홈부의 선폭 증가현상을 감안하여, 2 ㎛ 이하의 포토레지스트(PR, photoresist) 패턴 형성이 필수적이며, 이를 위하여 고비용의 레이저 직접 노광 공정이 요구된다.
또한, 유리 식각 공정 중 홈부 선폭 증가에 따라 식각 깊이의 제한이 발생하며, 이로 인하여 인쇄 공정 시 블랭킷과 클리쉐 사이의 인압이 특정 수치 이상 가해질 경우 교차부 패턴 등이 소실되는 문제점이 발생한다.
일본 특허 출원 공개 제2009-296597호
본 발명은 오프셋 인쇄용 클리쉐 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 오프셋 인쇄용 클리쉐를 제공하고자 한다.
본 명세서의 일 실시상태는, a) 투명 기판의 일면에 마스킹 패턴층을 형성하는 단계; b) 상기 투명 기판의 상기 마스킹 패턴층이 구비된 면 상에 포지티브 포토레지스트층을 형성하는 단계; c) 상기 투명 기판의 상기 마스킹 패턴층이 형성된 면의 반대면에서 상기 포토레지스트층을 노광하는 단계; d) 상기 포토레지스트층을 현상하여 포토레지스트층을 패턴화하는 단계; e) 상기 투명 기판의 상기 마스킹 패턴층 및 패턴화된 포토레지스트층이 구비된 면 상에 금속 또는 금속 산화물을 증착하는 단계; 및 f) 상기 포토레지스트층을 박리하는 단계를 포함하는 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법을 제공한다.
본 명세서의 또 다른 실시상태는, 상기 실시상태에 따른 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법으로 제조된 오프셋 클리쉐를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 또한, 투명 기판; 및 상기 투명 기판 상에 형성된 금속 또는 금속 산화물 패턴을 포함하는 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐를 제공한다.
본 명세서에 기재된 실시상태에 따른 제조방법으로 클리쉐를 제조 시, 고비용의 레이저 직접 노광 공정이 불필요하며, 배면 노광 공정 시 노광량 증가를 통하여 포토레지스트 패턴 선폭이 감소됨에 따라 클리쉐의 홈부 패턴을 보다 미세하게 형성할 수 있는 장점이 있다.
또한, 포토레지스트 패턴 형성 후 금속 또는 금속 산화물 층의 증착 두께를 증가시킴에 따라 홈부 패턴을 깊게 형성하여 인쇄 인압 마진이 크게 증가되는 효과가 있으며, 제조 공정이 간단하여 경제적인 이점이 있다.
종래 리버스 오프셋 인쇄 공정은 생산성 향상을 위해 동일한 클리쉐를 여러 장 사용해야 하므로, 클리쉐 제작 비용이 총 제조원가에서 많은 부분을 차지하는 문제점이 있었으나, 본 명세서에 기재된 실시상태에 따른 제조방법으로 클리쉐를 제조하는 경우, 한 장의 마스터 클리쉐를 활용하여 마스킹 패턴이 형성되어 있는 투명 기판을 반복적으로 생산할 수 있으며, 이를 이용하여 마스터 클리쉐와 동일 선폭 또는 미세 선폭의 클리쉐를 저가로 제작할 수 있는 장점이 있다.
또한, 기존 클리쉐 제조 시에 유리 식각을 위한 불산 사용이 불필요해짐에 따라 환경적인 측면에서도 유리하다.
도 1은 본 명세서의 몇몇 실시상태에 따른 오프셋 인쇄용 클리쉐 제조방법을 예시한 도이다.
도 2는 배면 노광 공정 시 노광량 증가를 통한 미세 선폭 클리쉐 제조방법을 예시한 도이다.
도 3은 종래 기술에 따른 오프셋 인쇄용 클리쉐 제조방법을 예시한 도이다.
도 4는 본 명세서의 배면 노광 공정 시 노광 시간에 따른 포토레지스트 패턴의 SEM 이미지이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태는, a) 투명 기판의 일면에 마스킹 패턴층을 형성하는 단계; b) 상기 투명 기판의 상기 마스킹 패턴층이 구비된 면 상에 포지티브 포토레지스트층을 형성하는 단계; c) 상기 투명 기판의 상기 마스킹 패턴층이 형성된 면의 반대면에서 상기 포토레지스트층을 노광하는 단계; d) 상기 포토레지스트층을 현상하여 포토레지스트층을 패턴화하는 단계; e) 상기 투명 기판의 상기 마스킹 패턴층 및 패턴화된 포토레지스트층이 구비된 면 상에 금속 또는 금속 산화물을 증착하는 단계; 및 f) 상기 포토레지스트층을 박리하는 단계를 포함하는 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법을 제공한다.
본 명세서에서 오프셋 인쇄(offset printing)란 간접 인쇄 방법의 하나로 제판에서 잉크를 고무블랭킷에 옮겨 다시 옮기는 인쇄법을 일컬을 수 있으며, 클리쉐란 롤러 상에 도포된 잉크 조성물을 원하는 형태로 패터닝하기 위해 사용되는 일종의 요철판을 의미할 수 있다.
즉, 본 명세서에서 오프셋 인쇄용 클리쉐란 제판에서 잉크를 옮겨 원하는 형태로 패터닝하기 위해 사용되는 일종의 요철판을 의미할 수 있다.
도 1에 상기 오프셋 인쇄용 클리쉐 제조방법의 일 예를 도시하였다. 도 1의 (a) 내지 (f) 단계는 각각 전술한 오프셋 인쇄용 클리쉐 제조방법 중 a) 내지 f) 단계에 대응할 수 있다.
본 명세서의 또 다른 실시상태는 상기 f) 단계와 동시 또는 이후에 상기 a) 단계의 상기 마스킹 패턴층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 마스킹 패턴층이 남아 있는 경우를 도 1의 (f)에 나타내었고, 상기 마스킹 패턴층을 제거하는 경우를 도 1의 (g) 로 나타내었으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 상기 마스킹 패턴층을 제거하는 단계를 f) 단계와 동시에 진행할 수도 있고, f) 단계 후에 진행될수도 있다.
상기 투명 기판은 특별히 한정되지 않으나, 빛투과율이 50% 이상, 바람직하게는 75% 이상인 것이 바람직하다. 구체적으로, 상기 투명 기판으로는 유리를 사용할 수도 있고, 플라스틱 기판 또는 플라스틱 필름을 사용할 수 있다. 상기 플라스틱 기판 또는 필름으로는 당 기술분야에 알려져 있는 재료를 사용할 수 있으며, 예컨대 폴리아크릴계, 폴리우레탄계, 폴리에스테르계, 폴리에폭시계, 폴리올레핀계, 폴리카보네이트계 및 셀룰로오스계 중에서 선택된 1종 이상의 수지로 형성된 것을　사용할　수　있다. 더욱　구체적으로, PET(Polyethylene terephthalate), PVB(polyvinylbutyral), PEN(polyethylenenaphthalate), PES(polyethersulfon), PC(polycarbonate), PMMA(polymethylmethacrylate), 아세틸 셀룰로이드와 같은 가시광 투과율 80% 이상의 필름일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니나 유리 기판인 것이 바람직하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 a) 단계의 마스킹 패턴층은 포토 리소그래피 공정 또는 인쇄 공정을 통하여 형성될 수 있다. 도 1의 (a)에 상기 a) 단계의 마스킹 패턴층이 형성된 일 예를 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 마스킹 패턴층의 형태는 당업계에서 일반적으로 사용하는 패턴의 형태라면 한정되지 않으며, 필요에 따라 최종 용도에 적합하도록 결정하여 사용될 수 있다.
예컨대, 상기 마스킹 패턴층은 리버스 오프셋 인쇄 공정을 이용하여 마스킹물질, 예컨대 금속층이 증착된 투명기재 상에 레지스트 패턴을 형성한 후 금속 식각 공정을 진행하여 레지스트 패턴 이외의 영역에 존재하는 금속층을 제거한 후, 마스킹 패턴(금속 패턴) 상부에 잔존하는 레지스트를 제거함으로써 투명 기판상에 형성할 수 있다.
상기 마스킹 패턴층은 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 은(Ag)을 1종 이상 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 당 업계에서 일반적으로 사용하는 금속을 포함할 수 있다.
상기 포지티브 포토레지스트층의 포티지브 포토레지스트로는 TFT-LCD 디스플레이 제조 시 TFT 패턴을 형성하기 위해 사용하는 G-line, I-line 포토레지스트를 사용할 수 있다. 상기 G-line, I-line 포토레지스트로는 다이아조나프토퀴논(diazonaphthoquinone) 유도체로 구성되어 있는 광활성물질(Photo Active compound), 알칼리 가용성 수지 바인더, 용매, 기타 첨가제 등이 섞여 있는 혼합물로서 당 기술 분야에 알려져 있는 것을 사용할 수 있다.
상기 마스킹 패턴층 상에 상기 포지티브 포토레지스트층을 형성하는 것은 스핀 코팅(spin coating), 슬릿엔스핀 코팅(slit & spin coating), 슬릿 코팅(slit coating), 카필러리 코팅(capillary coating) 등에 의해 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 1의 (b)에 상기 마스킹 패턴층 상에 포지티브 포토레지스트층이 형성된 일 예를 도시하였다.
상기 포지티브 포토레지스트층을 형성한 뒤, 열경화 단계를 더 포함할 수도 있다. 상기 열경화 단계를 프리베이크(pre-bake)를 일컫는 것으로서, 추후 상술할 하드 베이크(hard-bake)와 구별되는 표현일 수 있다. 상기 프리베이크 조건은 상기 포지티브 포토레지스트층을 이루고 있는 각 성분의 종류, 배합 비율, 도포 막 두께 등에 따라 상이하지만 통상적으로 70℃ 내지 150℃이며, 구체적으로 80℃ 내지 140℃에서 2분 내지 50분간 정도이다. 가열 시간이 너무 짧은 경우 현상 동안 부착이 불량해질 수 있으며, 가열 시간이 너무 길면 열 포깅(heat fogging)이 해상력의 열화를 야기할 수 있다.
상기 c) 단계에서 상기 마스킹 패턴층이 형성된 투명 기판의 반대면에서 상기 포토레지스트층을 노광한다는 것은, 마스킹 패턴층이 형성되지 않은 유리 기판의 방향에서 상기 포토레지스트층을 배면노광한다는 것을 의미한다. 즉, 상기 마스킹 패턴층이 형성된 투명 기판의 반대면이란 도 1의 (b), (c)의 화살표 방향에서 노광하는 것을 의미한다.
도 2는 배면 노광 공정 시 노광량을 Eth(Threshold Energy)의 2배 이상 조사하여 포토레지스트 패턴의 선폭을 감소시킴에 따라 최종적으로 클리쉐의 홈부 패턴 선폭을 감소시키는 방법을 도시한 것이다.
본 명세서에서 상기 Eth는 동일 현상 조건에서 포토레지스트층이 기판에서 완전히 현상되는 최소 노광량을 의미한다. 상기 Eth 미만의 노광량을 적용할 경우, 기판 상에서 포토레지스트층의 일부가 잔존하게 되며, Eth를 초과한 노광량을 적용할 경우, 포토레지스트층의 현상 속도가 증가하여 포토레지스트층의 패턴의 선폭이 감소하게 된다.
도 3은 종래 오프셋 인쇄용 클리쉐 제조방법을 도시한 것이다. 종래 2 ㎛ 이하 포토레지스트 패턴을 형성하는 경우, 고비용의 레이저 직접 노광 공정이 필수적이었다. 또한, 불산 용액을 이용한 유리 기판 식각 공정을 포함하기 때문에 홈부의 선폭이 증가하는 문제점이 있었다.
본 발명의 오프셋 인쇄용 클리쉐 제조방법에 따르면, 포토레지스트층을 배면노광함으로써 배면 노광량 증가에 따라 금속층 상부의 포토레지스트층 패턴의 선폭이 감소하여 미세 패턴을 구현할 수 있으며, 고비용의 레이저 직접 노광 공정이 불필요하기 때문에 저비용으로 제조가 가능하다는 이점이 있다. 또한, 유리 기판 식각 방법이 아니라 금속 또는 금속 산화물이 증착된 포토레지스트 패턴을 박리함으로써 홈부 선폭을 유지 또는 감소시킬 수 있는 이점이 있다.
상기 d) 단계에서 상기 포토레지스트를 현상할 때 사용되는 현상액으로는 이에 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 소정의 알칼리 수용액을 현상액으로서 사용하여, 불필요한 부분을 용해, 제거하여 소정의 포토레지스트 패턴을 얻을 수 있다. 상기 현상액으로는, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아수, 에틸아민, n-프로필아민, 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민, 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 피롤, 피페리딘, 1,8-디아자비시클로[5,4,0]-7-운데센, 1,5-디아자비시클로[4,3,0]-5-노난 등의 알칼리 수용액을 사용할 수 있다. 또, 상기 알칼리 수용액에 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매나 계면 활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.
상기 현상 시간은 포토레지스트층을 구성하는 각 성분의 종류, 배합 비율, 도막의 두께에 따라 상이하지만, 통상적으로 30초 내지 10분간 수행하는 것이 바람직하며, 현상 방법은 스핀법(spin method), 디핑법, 패들법, 스프레이 현상법 중 어느 것이어도 된다. 현상 후에는 유수 세정을 30초 내지 90초간 실시하고, 에어건이나 오븐 등을 사용하여 건조하는 단계를 추가할 수 있다.
본 발명에 따르면 상기 포토레지스트층을 배광 노광, 즉 상기 투명 기판의 반대면에서 노광할 경우 노광량 증가에 따라 하부 금속 패턴 대비 포토레지스트 패턴의 선폭이 감소하게 된다. 그러므로, 최종적으로 클리쉐의 홈부 패턴의 선폭이 감소하는 이점이 있다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 상기 c) 단계의 노광은 G-line(436nm), H-line(405nm) 또는 I-line(365nm)의 단독 또는 혼합광원을 이용하여 Eth(Threshold Energy)의 1.2배 내지 10배의 노광량을 조사하여 이루어질 수 있다. 상기 노광이 상기 파장 범위에서 Eth의 1.2 내지 2배의 노광량이 적용될 경우 포토레지스트 패턴 선폭이 하부 마스킹 패턴의 선폭과 동등 수준으로 확보되며 Eth 2배 이상의 노광량이 적용될 경우 포토레지스트 패턴 선폭이 하부 마스킹 패턴의 선폭 대비 크게 감소하는 이점이 있다. 본 명세서의 일 실시상태는, 상기 d) 단계 이후에 열경화하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 d) 단계 이후의 열경화는 하드 베이크(hard-bake)로서 전술한 프리 베이크(pre-bake)와 구별될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니지만 통상적으로 70 내지 120 의 온도에서 1분 내지 10분간 가열함으로써 이루어질 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유리 기판의 두께는 0.2 mm 내지 2 mm일 수 있다. 상기 유리 기판의 두께가 상기 범위 내일 경우, 블랭킷에 의해 가압이 일어나도 견딜 수 있는 기계적 강도를 제공하면서 일반적인 LCD 컬러필터 제조공정에 들어가서 용이하게 포토레지스트의 패터닝이 될 수 있는 이점이 있다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 상기 마스킹 패턴층의 두께는 20nm 내지 500nm일 수 있다. 상기 마스킹 패턴층의 두께가 상기 범위내일 경우, 배면노광시 빛 에너지를 충분히 차광해주며 마스킹 패턴층 상부에 포토레지스트 층을 형성할 때 마스킹 패턴 단차에 의한 코팅 불량 발생을 억제할 수 있는 이점이 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 포토레지스트층 상에 증착하는 상기 금속은 구리, 니켈, 크롬 또는 몰리브덴 중 1 이상을 포함할 수 있다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 상기 포토레지스트층 상에 증착하는 상기 금속 산화물은 산화크롬, 산화몰리브덴, 인듐틴옥사이드 또는 실리콘다이옥사이드 중 1 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 금속 또는, 상기 금속 산화물은 300nm 내지 1000nm의 두께로 증착하는 것이 바람직하며, 이 경우 클리쉐의 홈부 선폭 3㎛ 이하에서 인압 마진이 크게 증가될 수 있는 이점이 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 e) 단계의 금속 또는 금속 산화물을 증착하는 단계는 스퍼터링, 이베퍼레이팅 또는 무전해도금 법으로 형성하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 1 의 (e)에 금속 또는 금속 산화물이 증착한 일 예를 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 f) 단계의 남아있는 포토레지스트층을 박리하는 단계는 한정되지 않으며, 당업계에서 수행되고 있는 정법에 따라 박리액 등을 사용하여 제거할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 전술한 오프셋 클리쉐 제조방법으로 제조된 오프셋 클리쉐를 제공한다.
본 명세서의 또 다른 실시상태는, a) 투명 기판의 일면에 마스킹 패턴층을 형성하는 단계; b) 상기 투명 기판의 상기 마스킹 패턴층이 구비된 면 상에 포지티브 포토레지스트층을 형성하는 단계; c) 상기 마스킹 패턴층이 형성된 투명 기판의 반대면에서 상기 포토레지스트층을 노광하는 단계; d) 상기 포토레지스트층을 현상하여 포토레지스트층을 패턴화하는 단계; e) 상기 d)단계에서 패턴화된 포토레지스트층 상에 금속 또는 금속 산화물을 증착하는 단계; 및 f) 상기 포토레지스트층을 박리하는 단계를 포함하는 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐 제조방법으로 제조된 오프셋 클리쉐를 제공한다.
본 명세서의 또 다른 실시상태는, 투명 기판; 및 상기 투명 기판 상에 형성된 금속 또는 금속 산화물 패턴을 포함하는 것인 오프셋 클리쉐를 제공한다.
여기서, 투명 기판 및 금속 또는 금속 산화물에 대한 설명은 전술한 제조방법에 관한 설명이 적용될 수 있다.본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 상기 오프셋 클리쉐는 상기 투명 기판 상의 금속 또는 금속 산화물 패턴이 구비되지 않은 면에 구비된 마스킹 패턴층을 더 포함할 수 있다. 이는 전술한 제조방법의 설명 중 마스킹 패턴층을 제거하지 않은 상태를 의미할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 패턴은 선폭이 0.5 ㎛ 내지 50 ㎛일 수 있다. 구체적으로, 상기 패턴은 선폭이 0.5 ㎛ 내지 30 ㎛일 수 있으며, 더욱 구체적으로 0.5 ㎛ 내지 15 ㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 상기 패턴의 피치는 10 ㎛ 내지 1cm일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 또 다른 실시상태에 있어서, 상기 패턴의 선고는 0.2 ㎛ 내지 2 ㎛ 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 4는 본 명세서의 배면 노광 공정 시 노광 시간에 따른 포토레지스트 패턴의 주사전자현미경(SEM) 사진을 나타낸 것이다. 도 4를 참조하면, 노광시간이 증가함에 따라 마스킹 패턴층 상부의 포토레지스트 선폭이 감소하는 것을 알 수 있으며, 이에 따라 미세 패턴을 형성하는 것이 가능하다.

Claims (14)

  1. a) 투명 기판 상에 마스킹 패턴층을 형성하는 단계;
    b) 상기 투명 기판의 상기 마스킹 패턴층이 구비된 면 상에 포지티브 포토레지스트층을 형성하는 단계;
    c) 상기 투명 기판의 상기 마스킹 패턴층이 형성된 면의 반대면에서 상기 포토레지스트층을 노광하는 단계;
    d) 상기 포토레지스트층을 현상하여 포토레지스트층을 패턴화하는 단계;
    e) 상기 투명 기판의 상기 마스킹 패턴층 및 패턴화된 포토레지스트층이 구비된 면 상에 금속 또는 금속 산화물을 증착하는 단계; 및
    f) 상기 포토레지스트층을 박리하는 단계를 포함하는 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 f) 단계와 동시 또는 이후에 상기 a) 단계의 상기 마스킹 패턴층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 a) 단계의 마스킹 패턴층은 포토 리소그래피 공정 또는 인쇄 공정을 통하여 형성된 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 c) 단계의 노광은 G-line(436nm), H-line(405nm) 또는 I-line(365nm)의 단독 또는 혼합광원을 이용하여 Eth(Threshold Energy)의 1.2 배 내지 10 배의 노광량을 조사하여 이루어지는 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 d) 단계 이후에 열경화하는 단계를 더 포함하는 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 투명 기판의 두께는 0.2 mm 내지 2 mm 인 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 마스킹 패턴층의 두께는 20nm 내지 500nm인 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 e) 단계의 상기 금속은 구리, 니켈, 크롬 또는 몰리브덴 중 1 이상을 포함하는 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 e) 단계의 상기 금속 산화물은 산화크롬, 산화몰리브덴, 인듐틴옥사이드 또는 실리콘다이옥사이드 중 1 이상을 포함하는 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 포지티브 포토레지스트는 다이아조나프토퀴논(diazonaphthoquinone) 유도체인 광활성물질(Photo Active Compound)과 알칼리 가용성 수지로 구성된 G-line, I-line 포토레지스트인 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법.
  11. 청구항 1에 있어서,
    e) 단계의 금속 또는 금속 산화물을 증착하는 단계는 스퍼터링, 이베퍼레이팅 또는 무전해도금 법으로 형성하는 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법.
  12. 청구항 1 내지 11의 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법으로 제조된 오프셋 인쇄용 클리쉐.
  13. 투명 기판; 및
    상기 투명 기판 상에 형성된 금속 또는 금속 산화물 패턴
    을 포함하는 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 투명 기판 상에 금속 또는 금속산화물 패턴이 구비되지 않은 면에 구비된 마스킹 패턴층을 더 포함하는 오프셋 인쇄용 클리쉐.
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