KR102276074B1 - 배선 전극 부착 기판의 제조 방법 및 배선 전극 부착 기판 - Google Patents

배선 전극 부착 기판의 제조 방법 및 배선 전극 부착 기판 Download PDF

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Abstract

미세 패턴을 갖고, 도전성이 우수하며, 불투명 배선 전극이 시인되기 어려운 배선 전극 부착 기판의 제조 방법을 제공한다. 투명 기판의 적어도 편면에 불투명 배선 전극을 형성하는 공정, 상기 투명 기판의 편면에 포지티브형 감광성 조성물을 도포하는 공정, 및 상기 불투명 배선 전극을 마스크로 해서 상기 포지티브형 감광성 조성물을 노광하고 현상함으로써, 불투명 배선 전극에 대응하는 부위에 기능층을 형성하는 공정을 갖는 배선 전극 부착 기판의 제조 방법이다.

Description

배선 전극 부착 기판의 제조 방법 및 배선 전극 부착 기판
본 발명은 투명 기판, 불투명 배선 전극 및 기능층을 갖는 배선 전극 부착 기판의 제조 방법 및 배선 전극 부착 기판에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 투명 기판, 배선 전극 및 차광층을 갖는 배선 전극 부착 기판의 제조 방법 및 배선 전극 부착 기판에 관한 것이다.
최근, 입력 수단으로서 터치 패널이 넓게 이용되고 있다. 터치 패널은 액정 패널 등의 표시부와, 특정의 위치에 입력된 정보를 검출하는 터치 패널 센서 등으로 구성된다. 터치 패널의 방식은 입력 위치의 검출 방법에 따라 저항막 방식, 정전 용량 방식, 광학 방식, 전자 유도 방식, 초음파 방식 등으로 대별된다. 그 중에서도, 광학적으로 밝은 것, 의장성이 우수한 것, 구조가 간이한 것 및 기능적으로 우수한 것 등의 이유에 따라 정전 용량 방식의 터치 패널이 널리 사용되고 있다. 정전 용량 방식의 터치 패널 센서는 제 1 전극과 절연층을 통해서 직교하는 제 2 전극을 갖고, 터치 패널면의 전극에 전압을 걸어, 손가락 등의 도전체가 접촉되었을 때의 정전 용량 변화를 검지함으로써 얻어진 접촉 위치를 신호로서 출력한다. 정전 용량 방식에 사용되는 터치 패널 센서로서는, 예를 들면 한 쌍의 대향하는 투명 기판 위에 전극 및 외부 접속 단자를 형성한 구조나, 한 장의 투명 기판의 양면에 전극 및 외부 접속 단자를 각각 형성한 구조 등이 알려져 있다. 터치 패널 센서에 사용되는 배선 전극으로서는 배선 전극을 보이기 어렵게 하는 관점에서 투명 배선 전극이 사용되는 것이 일반적이었지만, 최근 고감도화나 화면의 대형화에 따라 금속 재료를 이용한 불투명 배선 전극이 확대되고 있다.
금속 재료를 이용한 불투명 배선 전극을 갖는 터치 패널 센서는 불투명 배선 전극의 금속 광택에 의해 불투명 배선 전극이 시인되는 과제가 있었다. 불투명 배선 전극을 시인되기 어렵게 하는 방법으로서는 금속의 흑화 처리에 의해 반사를 억제하는 것이 생각된다. 금속 흑화 처리액으로서는, 예를 들면 텔루륨이 용해된 염산 용액이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 또한, 배선 전극이 시인되기 어려운 터치 패널 센서로서 투명 기판과 금속 배선부 및 미립자를 포함하는 저 반사층을 갖는 금속 전극을 갖는 터치 패널 센서가 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).
일본 특허 공개 2006-233327호 공보 일본 특허 공개 2013-235315호 공보
그러나, 특허문헌 1에 기재되는 금속 흑화 기술을 터치 패널 센서에 적용하면 금속의 산화에 의해 불투명 배선 전극의 도전성이 저하되는 문제가 있었다. 또한, 특허문헌 2에 기재된 저반사층은 잉크젯법에 의해 형성된 것이어서 미세 가공이 곤란하고, 금속 배선부와 저반사층의 위치 어긋남에 의해 배선 전극이 시인되는 과제가 있었다. 본 발명은 상기 실정을 감안하여 이루어진 것이며, 미세 패턴을 갖고, 도전성이 우수하며, 불투명 배선 전극이나 배선 전극이 시인되기 어려운 배선 전극 부착 기판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 주로 이하의 구성을 갖는다.
투명 기판의 적어도 편면에 불투명 배선 전극을 형성하는 공정, 상기 투명 기판의 편면에 포지티브형 감광성 조성물을 도포하는 공정, 및 상기 불투명 배선 전극을 마스크로 해서 상기 포지티브형 감광성 조성물을 노광하고 현상함으로써, 불투명 배선 전극에 대응하는 부위에 기능층을 형성하는 공정을 갖는 배선 전극 부착 기판의 제조 방법.
투명 기판의 편면에 차광층을 패턴 형성하는 공정, 상기 투명 기판의 편면에 포지티브형 감광성 도전성 조성물을 도포하는 공정, 및 상기 차광층을 마스크로 해서 상기 포지티브형 감광성 도전성 조성물을 노광하고 현상함으로써, 차광층에 대응하는 부위에 배선 전극을 형성하는 공정을 갖는 배선 전극 부착 기판의 제조 방법.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면, 미세 패턴을 갖고, 도전성이 우수하며, 불투명 배선 전극이나 배선 전극이 시인되기 어려운 배선 전극 부착 기판을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 배선 전극 부착 기판의 구성의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 배선 전극 부착 기판의 구성의 다른 예를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 배선 전극 부착 기판의 구성의 또 다른 일례를 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 배선 전극 부착 기판의 구성의 또 다른 일례를 나타내는 개략도이다.
도 5는 본 발명의 배선 전극 부착 기판의 구성의 또 다른 일례를 나타내는 개략도이다.
도 6은 본 발명의 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 7은 실시예 및 비교예에 있어서의 시인성 및 도전성 평가용 전극 패턴을 나타내는 개략도이다.
도 8은 본 발명의 배선 전극 부착 기판의 구성의 또 다른 일례를 나타내는 개략도이다.
도 9는 본 발명의 배선 전극 부착 기판의 구성의 또 다른 일례를 나타내는 개략도이다.
도 10은 본 발명의 배선 전극 부착 기판의 구성의 또 다른 일례를 나타내는 개략도이다.
도 11은 본 발명의 배선 전극 부착 기판의 제 2 제조 방법의 다른 일례를 나타내는 개략도이다.
도 12는 본 발명의 배선 전극 부착 기판의 제 2 제조 방법의 또 다른 일례를 나타내는 개략도이다.
본 발명의 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법은 투명 기판의 적어도 편면에 불투명 배선 전극을 형성하는 공정, 상기 투명 기판의 편면에 포지티브형 감광성 조성물을 도포하는 공정, 및 상기 불투명 배선 전극을 마스크로 해서 상기 포지티브형 감광성 조성물을 노광하고 현상함으로써, 불투명 배선 전극에 대응하는 부위에 기능층을 형성하는 공정을 갖는다. 투명 기판에 불투명 배선 전극을 형성하고, 이 불투명 배선 전극을 마스크로 해서 포지티브형 감광성 조성물을 노광함으로써 불투명 배선 전극에 대응하는 부위에 기능층을 형성할 수 있고, 도전성이 우수하며, 불투명 배선 전극이 시인되기 어려운 배선 전극 부착 기판을 얻을 수 있다. 또한, 투명 기판의 불투명 배선 전극 형성면의 반대면에 포지티브형 감광성 조성물을 도포하는 경우에는 불투명 배선 전극을 형성하는 공정과 포지티브형 감광성 조성물을 도포하는 공정의 순서는 관계없다. 또한, 필요에 따라서 다른 공정을 더 갖고 있어도 좋다.
투명 기판은 노광광의 조사 에너지에 대하여 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로서는 파장 365㎚의 광의 투과율은 50% 이상이 바람직하고, 80% 이상이 보다 바람직하다. 파장 365㎚의 광의 투과율을 50% 이상으로 함으로써, 포지티브형 감광성 조성물을 효율적으로 노광할 수 있다. 또한, 투명 기판의 파장 365㎚에 있어서의 투과율은 자외 가시 분광 광도계(U-3310 Hitachi High-Technologies Corporation제)를 이용하여 측정할 수 있다.
투명 기판으로서는 가요성을 갖지 않는 투명 기판이나 가요성을 갖는 투명 기판이 예시된다. 가요성을 갖지 않는 투명 기판으로서는, 예를 들면 석영 유리, 소다 유리, 화학 강화 유리, "PYREX(등록상표)" 유리, 합성 석영판, 에폭시 수지 기판, 폴리에테르이미드 수지 기판, 폴리에테르케톤 수지 기판, 폴리술폰계 수지 기판 등이 예시된다. 가요성을 갖는 투명 기판으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(이하, 「PET 필름」), 시클로올레핀 폴리머 필름, 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 아라미드 필름 등의 수지로 이루어지는 투명 필름이나 광학용 수지판 등이 예시된다. 이들을 복수 겹쳐서 사용해도 좋고, 예를 들면 점착층에 의해 복수의 투명 기판을 이용해서 접합하여 사용할 수 있다. 또한, 이들 투명 기판의 표면에는 절연층을 갖고 있어도 좋다.
투명 기판의 두께는 불투명 배선 전극을 안정적으로 지지할 수 있고, 상술의 투과성을 갖는 범위에 있어서 재료에 따라서 적절히 선택된다. 예를 들면, 불투명 배선 전극을 보다 안정적으로 지지하는 관점에서는 유리 등의 가요성을 갖지 않는 투명 기판의 경우 0.3㎜ 이상이 바람직하고, PET 필름 등의 가요성을 갖는 투명 기판의 경우 25㎛ 이상이 바람직하다. 한편, 노광광의 투과성을 보다 향상시키는 관점에서는 유리 등의 가요성을 갖지 않는 투명 기판의 경우 1.5㎜ 이하가 바람직하고, PET 필름 등의 가요성을 갖는 투명 기판의 경우, 300㎛ 이하가 바람직하다.
불투명 배선 전극은 노광광의 조사 에너지에 대하여 차광성을 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로는 파장 365㎚의 광의 투과율은 20% 이하가 바람직하고, 10% 이하가 보다 바람직하다. 파장 365㎚의 광의 투과율을 20% 이하로 함으로써, 불투명 배선 전극을 마스크로 해서 포지티브형 감광성 조성물의 패턴을 형성하고, 불투명 배선 전극에 대응하는 부위에 기능층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 투과율은 상기 투명 기판 상의 0.1㎜×0.1㎜ 이상의 불투명 배선 전극에 대해서 미소면 분광 색차계(VSS 400 : NIPPON DENSO Co., Ltd.제)에 의해 측정할 수 있다.
불투명 배선 전극을 구성하는 재료로서는, 예를 들면 은, 금, 구리, 백금, 납, 주석, 니켈, 알루미늄, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 티타늄, 인듐 등의 금속이나, 이들의 합금 등의 도전 입자가 예시된다. 이들 중에서도, 도전성의 관점에서 은, 구리, 금이 바람직하다.
도전성 입자의 형상은 구상이 바람직하다.
도전 입자의 평균 입자지름은 도전 입자의 분산성을 향상시키는 관점에서 0.05㎛ 이상이 바람직하고, 0.1㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 불투명 배선 전극의 패턴의 단부를 샤프하게 하는 관점에서 1.5㎛ 이하가 바람직하고, 1.0㎛ 이하가 보다 바람직하다. 또한, 도전 입자의 평균 입자지름은 주사형 전자 현미경(SEM) 또는 투과형 현미경(TEM)을 이용하여 15000배의 배율로 도전 입자를 확대 관찰하고, 무작위로 선택한 100개의 도전 입자에 대해서 각각의 장축 길이를 측정하고, 그 수 평균값을 산출함으로써 구할 수 있다.
도전 입자의 애스펙트비는 도전 입자끼리의 접촉 확률을 향상시키고 불투명 배선 전극의 저항값의 편차를 작게 하는 관점에서 1.0 이상이 바람직하다. 한편, 노광 공정에 있어서 노광광의 차폐를 억제하고, 현상 마진을 넓게하는 관점에서 도전 입자의 애스펙트비는 2.0 이하가 바람직하고, 1.5 이하가 보다 바람직하다. 또한, 도전 입자의 애스펙트비는 SEM 또는 TEM을 이용하여 15000배의 배율로 도전 입자를 확대 관찰하고, 무작위로 선택한 100개의 도전 입자에 대해서 각각의 장축 길이 및 단축 길이를 측정하고, 양자의 평균값의 비를 산출함으로써 구할 수 있다.
불투명 배선 전극은 상술의 도전성 입자와 함께 유기 성분을 함유해도 좋다. 불투명 배선 전극은, 예를 들면 도전 입자, 알칼리 가용성 수지, 광중합 개시제를 포함하는 감광성 도전성 조성물의 경화물로부터 형성되어 있어도 좋고, 이 경우 불투명 배선 전극은 광중합 개시제 및/또는 그 광분해물을 함유한다. 감광성 도전성 조성물은 필요에 따라서 열경화제, 레벨링제 등의 첨가제를 함유해도 좋다.
불투명 배선 전극의 패턴 형상으로서는, 예를 들면 메쉬 형상, 스트라이프 형상 등이 예시된다. 메쉬 형상으로서는, 예를 들면 단위 형상이 삼각형, 사각형, 다각형, 원형 등의 격자 형상 또는 이들의 단위 형상의 조합으로 이루어지는 격자 형상 등이 예시된다. 그 중에서도, 패턴의 도전성을 균일하게 하는 관점에서 메쉬 형상이 바람직하다. 불투명 배선 전극은 상술한 금속으로 구성되며 메쉬 형상의 패턴을 갖는 메탈 메쉬인 것이 보다 바람직하다.
불투명 배선 전극의 두께는 차광성을 보다 향상시키는 관점에서 0.01㎛ 이상이 바람직하고, 0.05㎛ 이상이 보다 바람직하고, 0.1㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 불투명 배선 전극의 두께는 보다 미세한 배선을 형성하는 관점에서 10㎛ 이하가 바람직하고, 5㎛ 이하가 보다 바람직하고, 3㎛ 이하가 더욱 바람직하다.
불투명 배선 전극의 패턴의 선폭은 도전성을 보다 향상시키는 관점에서 1㎛ 이상이 바람직하고, 1.5㎛ 이상이 보다 바람직하고, 2㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 불투명 배선 전극의 패턴의 선폭은 배선 전극을 보다 시인되기 어렵게 하는 관점에서 10㎛ 이하가 바람직하고, 7㎛ 이하가 바람직하고, 6㎛ 이하가 더욱 바람직하다.
포지티브형 감광성 조성물이란 광조사부가 현상액에 용해하는 포지티브형 감광성을 갖고, 기능층을 형성했을 때에 차광성, 도전성, 절연성 등의 각종 기능성을 발현하는 조성물을 말한다. 예를 들면, 감광제(용해 억제제) 및 알칼리 가용성 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서, 기능층은 차광성을 갖는 것이 바람직하고, 포지티브형 감광성 조성물은 포지티브형 감광성 조성물인 것이 바람직하다.
포지티브형 감광성 차광성 조성물이란 광조사부가 현상액에 용해하는 포지티브형 감광성을 갖고, 차광층을 형성했을 때에 차광성을 발현하는 조성물을 말하며, 차광층의 반사율을 후술하는 바람직한 범위로 하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 착색제, 감광제(용해 억제제) 및 알칼리 가용성 수지를 함유하는 것이 바람직하다.
착색제로서는, 예를 들면 염료, 유기 안료, 무기 안료 등이 예시된다. 이것들을 2종 이상 함유해도 좋다.
염료로서는, 예를 들면 유용성 염료, 분산 염료, 반응성 염료, 산성 염료, 직접 염료 등이 예시된다. 염료의 골격 구조로서는, 예를 들면 안트라퀴논계, 아 조계, 프탈로시아닌계, 메틴계, 옥사진계, 이것들의 함금속 착염계 등이 예시된다. 염료의 구체예로서는, 예를 들면 "SUMIPLAST(등록상표)", 염료(상품명, Sumitomo Chemical Co., Ltd.제), Zapon "Neozapon(등록상표)"(이상 상품명, BASF Corporation제), Kayaset, Kayakalan 염료(이상 상품명, Nippon Kayaku Co., Ltd.제), Valifastcolors 염료(상품명, Orient Chemical, Ltd제), Savinyl(상품명, Clariant제) 등이 예시된다.
유기 안료로서는 카본 블랙이 바람직하다. 카본 블랙의 구체예로서는, 예를 들면 퍼니스 블랙, 서멀 블랙, 채널 블랙, 아세틸렌 블랙 등이 예시된다.
무기 안료로서는, 예를 들면 망간 산화물, 티타늄 산화물, 티탄산 질화물, 크롬 산화물, 바나듐 산화물, 철 산화물, 코발트 산화물, 니오브 산화물 등이 예시된다.
포지티브형 감광성 차광성 조성물 중에 있어서의 착색제의 함유량은 차광층의 반사율을 보다 저감하고, 불투명 배선 전극을 보다 시인되기 어렵게 하는 관점에서 전체 고형분 중 1질량% 이상이 바람직하고, 2질량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 포지티브형 감광성 차광성 조성물의 광반응을 보다 효과적으로 진행시키고, 잔사를 억제하는 관점에서 착색제의 함유량은 전체 고형분 중 30질량% 이하가 바람직하고, 20질량% 이하가 보다 바람직하다.
감광제(용해 억제제)로서는 노광 에너지에 의해 산이 발생되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 디아조디술폰 화합물, 트리페닐술포늄 화합물, 퀴논디아지드 화합물 등이 예시된다. 디아조디술폰 화합물로서는, 예를 들면 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(삼차부틸술포닐)디아조메탄, 비스(4-메틸페닐술포닐)디아조메탄 등이 예시된다. 트리페닐술포늄 화합물로서는, 예를 들면 디페닐-4-메틸페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐-2,4,6-트리메틸페닐페닐술포늄p-톨루엔술포네이트, 디페닐(4-메톡시페닐)술포늄트리플루오로메탄술포네이트 등이 예시된다. 퀴논디아지드 화합물로서는, 예를 들면 폴리히드록시 화합물에 퀴논디아지드의 술폰산이 에스테르에 의해 결합된 것, 폴리아미노 화합물에 퀴논디아지드의 술폰산이 술폰아미드 결합한 것, 폴리히드록시폴리아미노 화합물에 퀴논디아지드의 술폰산이 에스테르 결합 및/또는 술폰아미드 결합한 것 등이 예시된다. 이들을 2종 이상 함유해도 좋다.
포지티브형 감광성 조성물 중에 있어서의 감광제(용해 억제제)의 함유량은 미노광부의 알칼리 가용성 수지의 용해 억제의 관점에서, 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여 5질량부 이상이 바람직하고, 15질량부 이상이 보다 바람직하다. 한편, 노광부의 감광제(용해 억제제)에 의한 과잉한 광흡수를 억제하고, 잔사의 발생을 억제하는 관점에서, 감광제(용해 억제제)의 함유량은 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여 40질량부 이하가 바람직하고, 30질량부 이하가 보다 바람직하다.
알칼리 가용성 수지로서는, 예를 들면 히드록시기 및/또는 카르복실기를 갖는 수지 등이 예시된다.
히드록시기를 갖는 수지로서는, 예를 들면 페놀성 히드록시기를 갖는 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지 등의 노볼락 수지, 히드록시기를 갖는 모노머의 중합체, 히드록시기를 갖는 모노머와 스티렌, 아크릴로니트릴, 아크릴 모노머 등과의 공중합체가 예시된다.
히드록시기를 갖는 모노머로서는, 예를 들면 4-히드록시스티렌, 히드록시페닐(메타)아크릴레이트 등의 페놀성 히드록시기를 갖는 모노머; (메타)아크릴산 2-히드록시에틸, (메타)아크릴산 2-히드록시프로필, (메타)아크릴산 3-메틸-3-히드록시부틸, (메타)아크릴산 1,1-디메틸-3-히드록시부틸, (메타)아크릴산 1,3-디메틸-3-히드록시부틸, (메타)아크릴산 2,2,4-트리메틸-3-히드록시펜틸, (메타)아크릴산 2-에틸-3-히드록시헥실, 글리세린모노(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메타)아크릴레이트 등의 비페놀성 히드록시기를 갖는 모노머 등이 예시된다.
카르복실기를 갖는 수지로서는, 예를 들면 카르복실산 변성 에폭시 수지, 카르복실산 변성 페놀 수지, 폴리아믹산, 카르복실산 변성 실록산 수지, 카르복실기를 갖는 모노머의 중합체, 카르복실기를 갖는 모노머와 스티렌, 아크릴로니트릴, 아크릴 모노머 등의 공중합체 등이 예시된다.
카르복실기를 갖는 모노머로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이타콘산, 시트라콘산, 신남산 등이 예시된다.
히드록시기 및 카르복실기를 갖는 수지로서는 히드록시기를 갖는 모노머와 카르복실기를 갖는 모노머의 공중합체, 히드록시기를 갖는 모노머와, 카르복실기를 갖는 모노머와, 스티렌, 아크릴로니트릴, 아크릴 모노머 등의 공중합체가 예시된다. 이들을 2종 이상 함유해도 좋다.
그 중에서도, 페놀성 히드록시기 및 카르복실기를 함유하는 수지가 바람직하다. 페놀성 히드록시기를 함유함으로써, 감광제(용해 억제제)로서 퀴논디아지드 화합물을 이용하는 경우, 페놀성 히드록시기와 퀴논디아지드 화합물이 수소 결합을 형성하고, 포지티브형 감광성 조성물층의 미노광부의 현상액에 대한 용해도를 저하시킬 수 있고, 미노광부와 노광부의 용해도 차가 커져 현상 마진을 확대할 수 있다. 또한, 카르복실기를 함유함으로써, 현상액에 대한 용해성이 향상되고, 카르복실기의 함유량에 따라 현상 시간의 조정이 용이해진다.
카르복실기를 갖는 알칼리 가용성 수지의 산가는 현상액에 대한 용해성의 관점에서 50mgKOH/g 이상이 바람직하고, 미노광부의 과도한 용해를 억제하는 관점에서 250mgKOH/g 이하가 바람직하다. 또한, 카르복실기를 갖는 알칼리 가용성 수지의 산가는 JIS K 0070(1992)에 준하여 측정할 수 있다.
포지티브형 감광성 조성물은 열경화성 화합물을 함유해도 좋다. 열경화성 화합물을 함유함으로써 차광층의 경도가 향상되기 때문에 다른 부재와의 접촉에 의한 깨짐이나 박리를 억제하고, 불투명 배선 전극과의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 열경화성 화합물로서는, 예를 들면 에폭시기를 갖는 모노머, 올리고머 또는 폴리머 등이 예시된다.
포지티브형 감광성 조성물은 용제를 함유하는 것이 바람직하고, 조성물의 점도를 소망의 범위로 조정할 수 있다. 용제로서는, 예를 들면 N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 2-피롤리돈, 디메틸이미다졸리디논, 디메틸술폭시드, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, γ-부틸락톤, 락트산 에틸, 1-메톡시-2-프로판올, 에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디아세톤알코올, 테트라히드로푸르푸릴알코올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등이 예시된다. 이들을 2종 이상 함유해도 좋다.
포지티브형 감광성 조성물은 그 소망의 특성을 손상시키지 않는 범위에서 가소제, 레벨링제, 계면활성제, 실란 커플링제, 소포제, 안정제 등을 함유해도 좋다. 가소제로서는, 예를 들면 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 폴리에릴렌클리콜, 글리세린 등이 예시된다. 레벨링제로서는, 예를 들면 특수 비닐계 중합체 또는 특수 아크릴계 중합체 등이 예시된다. 실란 커플링제로서는, 예를 들면 메틸트리메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 헥사메틸디실라잔, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란 등이 예시된다.
기능층으로서는, 예를 들면 불투명 배선 전극을 차광하는 차광층, 불투명 배선 전극의 도전성을 향상시키는 도전 보조층, 불투명 배선 전극을 보호하는 보호층, 불투명 배선 전극을 절연하는 절연층 등이 예시된다. 본 발명에 있어서는 기능층이 차광층인 것이 바람직하다. 차광층은 상술의 포지티브형 감광성 차광성 조성물의 경화물로 형성되는 것이 바람직하고, 이 경우, 차광층은 감광제 및/또는 그광 분해물을 함유하는 것이 바람직하다.
차광층은 불투명 배선 전극에 대응하는 부위에 형성되고, 불투명 배선 전극의 반사율을 저감시키는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 차광층의 파장 550㎚의 광의 반사율은 25% 이하가 바람직하고, 10% 이하가 보다 바람직하다. 차광층의 반사율을 25% 이하로 함으로써, 불투명 배선 전극의 반사를 억제하고, 배선 전극을 보다 시인되기 어렵게 할 수 있다. 또한, 차광층의 반사율은 투명 기판 상의 0.1㎜×0.1㎜ 이상의 차광층에 대해서 반사율계(VSR-400 : NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES CO., LTD.제)에 의해 측정할 수 있다.
차광층의 파장 550㎚의 광의 반사율을 상기 범위로 하는 방법으로서는, 예를 들면 상술의 바람직한 조성의 포지티브형 감광성 차광성 조성물을 이용하는 방법이나 차광층의 막두께를 후술하는 바람직한 범위로 하는 방법 등이 예시된다.
차광층의 막두께는 불투명 배선 전극의 반사율을 보다 저감하는 관점에서 0.1㎛ 이상이 바람직하고, 0.5㎛ 이상이 보다 바람직하고, 1㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 잔사를 억제하고, 보다 미세한 패턴을 형성하는 관점에서 20㎛ 이하가 바람직하고, 10㎛ 이하가 보다 바람직하고, 5㎛ 이하가 더욱 바람직하다.
도 1~5에, 본 발명의 배선 전극 부착 기판의 구성의 일례의 개략도를 나타낸다. 도 1은 투명 기판(1) 위에 불투명 배선 전극(2)을 갖고, 불투명 배선 전극(2) 위에 기능층(3)을 갖는 배선 전극 부착 기판의 개략도이다. 도 1에 나타내는 배선 전극 부착 기판은 후술하는 제 1 제조 방법에 있어서, 투명 기판의 불투명 배선 전극 형성면의 반대면 측으로부터 노광 공정을 통하여 얻을 수 있다. 도 2는 투명 기판(1) 아래에 불투명 배선 전극(2)을 갖고, 투명 기판(1) 위에 기능층(3)을 갖는 배선 전극 부착 기판의 개략도이다. 도 2에 나타내는 배선 전극 부착 기판은 후술하는 제 1 제조 방법에 있어서, 투명 기판의 불투명 배선 전극 형성면 측으로부터 노광하는 공정을 통하여 얻을 수 있다. 도 3은 투명 기판(1)의 양면에 불투명 배선 전극(2)을 갖고, 투명 기판(1)의 단면 측의 불투명 배선 전극(2) 위에 기능층(3)을 갖는 배선 전극 부착 기판의 개략도이다. 도 3에 나타내는 배선 전극 부착 기판은 후술하는 제 1 제조 방법에 있어서, 투명 기판의 포지티브형 감광성 조성물 도포면의 반대면 측으로부터 노광하는 공정을 통하여 얻을 수 있다. 도 4는 투명 기판(1) 위에 불투명 배선 전극(2)(제 1 불투명 배선 전극) 및 절연층(4)을 갖고, 절연층(4) 위에 불투명 배선 전극(2)(제 2 불투명 배선 전극)을 갖고, 또한 불투명 배선 전극(2)(제 1 불투명 배선 전극 및 제 2 불투명 배선 전극)에 대응하는 부위에 기능층(3)을 갖는 배선 전극 부착 기판의 개략도이다. 도 4에 나타내는 배선 전극 부착 기판은 후술하는 제 1 제조 방법에 있어서, 투명 기판의 편면에 제 1 불투명 배선 전극, 절연층 및 제 2 불투명 배선 전극을 형성하고, 포지티브형 감광성 조성물을 도포하고, 투명 기판의 불투명 배선 전극 형성면의 반대면 측으로부터 노광하는 공정을 통하여 얻을 수 있다. 도 5는 투명 기판(1) 위에 불투명 배선 전극(2)(제 1 불투명 배선 전극), 기능층(3)(제 1 차광층) 및 절연층(4)을 갖고, 절연층(4) 위에 불투명 배선 전극(2)(제 2 불투명 배선 전극)을 갖고, 불투명 배선 전극(2)(제 1 불투명 배선 전극 및 제 2 불투명 배선 전극)에 대응하는 부위에 기능층(3)을 더 갖는 배선 전극 부착 기판의 개략도이다. 도 5에 나타내는 배선 전극 부착 기판은 후술하는 제 1 제조 방법에 있어서, 투명 기판의 편면에 제 1 불투명 배선 전극 및 제 1 기능층, 절연층, 제 2 불투명 배선 전극을 각각 형성하고, 포지티브형 감광성 조성물을 더 도포하고, 투명 기판의 불투명 배선 전극 형성면의 반 대면 측으로부터 노광하는 공정을 통하여 얻을 수 있다.
이어서, 본 발명의 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 각 공정에 대해서 자세하게 설명한다. 도 6에, 본 발명의 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법의 일례의 개략도를 나타낸다.
우선, 투명 기판(1)의 적어도 편면에 불투명 배선 전극(2)을 형성한다. 투명 기판의 양면에 불투명 배선 전극을 형성해도 좋다. 또한, 투명 기판의 적어도 편면에 불투명 배선 전극을 형성하는 공정이 투명 기판의 편면에 제 1 불투명 배선 전극을 형성하는 공정, 상기 제 1 불투명 배선 전극 위에 절연층을 형성하는 공정, 및 상기 절연층 위에 제 2 불투명 배선 전극을 형성하는 공정을 가져도 좋다.
불투명 배선 전극의 형성 방법으로서는, 예를 들면 상술의 감광성 도전성 조성물을 이용하여 포토리소그래피법에 의해 패턴 형성하는 방법, 도전성 조성물(도전 페이스트)을 이용하여 스크린 인쇄, 그라비아 인쇄, 잉크젯 등에 의해 패턴 형성하는 방법, 금속, 금속 복합체, 금속과 금속 화합물의 복합체, 금속 합금 등의 막을 형성하고, 레지스트를 이용하여 포토리소그래피법에 의해 형성하는 방법 등이 예시된다. 이들 중에서도, 미세 배선이 형성 가능하기 때문에 감광성 도전성 조성물을 이용하여 포토리소그래피법에 의해 형성하는 방법이 바람직하다. 또한, 불투명 배선 전극을 투명 기판의 양면에 형성하는 경우나, 절연층을 통해서 불투명 배선 전극을 2층 이상 형성하는 경우에는, 각 불투명 배선 전극을 같은 방법에 의해 형성해도 좋고, 다른 방법을 조합해도 좋다. 얻어진 불투명 배선 전극 부착 기판의 불투명 배선 전극 위에 절연층을 형성해도 좋다.
절연층의 형성 방법으로서는, 예를 들면 절연성 조성물(절연 페이스트)을 도포하고, 건조하는 방법이나, 불투명 배선 전극 형성면 측에 점착제를 개재하여 투명 기판을 접합시키는 방법 등이 예시된다. 후자의 경우, 점착제와 투명 기판이 절연층이 된다. 절연 페이스트의 도포 방법으로서는, 예를 들면 스피너를 이용한 회전 도포, 스프레이 도포, 롤 코팅, 스크립 인쇄, 오프셋 인쇄, 그라비아 인쇄, 활판 인쇄, 플렉소 인쇄, 블레이드 코터, 다이 코터, 캘린더 코터, 메니스커스 코터 또는 바 코터를 이용하는 방법이 예시된다. 그 중에서도, 절연층의 표면 평탄성이 우수하고, 스크린판의 선택에 의해 막두께 조정이 용이하기 때문에, 스크린 인쇄가 바람직하다. 절연 페이스트를 도포하고, 건조하는 방법에 있어서, 건조막을 자외선 처리 및/또는 열 처리에 의해 경화시킬 수 있다. 접착제를 개재해서 투명 기판을 접합하는 방법으로서는, 예를 들면 점착제를 불투명 배선 전극 부착 기재 위에 형성하고, 투명 기판을 접합시켜도 좋고, 점착제 부착 투명 기재를 접합시켜도 좋다. 접합시키는 투명 기판으로서는 투명 기판으로서 먼저 예시한 것이 예시된다.
절연 페이스트는, 예를 들면 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 칼도 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 우레탄 수지, 규소계 수지, 불소계 수지 등의 절연성을 부여하는 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 이것들을 2종 이상 함유해도 좋다.
이어서, 상기 투명 기판(1)의 편면에 포지티브형 감광성 조성물(5)을 도포한다. 투명 기판의 불투명 배선 전극 형성면에 도포해도 좋고, 불투명 배선 전극 형성면의 반대면에 도포해도 좋다. 불투명 배선 전극 형성면의 반대면에 도포하는 경우, 불투명 배선 전극을 형성하는 공정과 포지티브형 감광성 조성물을 도포하는 공정의 순서는 관계없다.
포지티브형 감광성 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들면 스피너를 이용한 회전 도포, 스프레이 도포, 롤 코팅, 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄, 그라비아 인쇄, 활판 인쇄, 플렉소 인쇄, 블레이드 코터, 다이 코터, 캘린더 코터, 메니스커스 코터, 또는 바 코터를 이용하는 방법이 예시된다. 그 중에서도, 얻어지는 포지티브형 감광성 조성물 막의 표면 평탄성이 우수하고, 스크린판의 선택에 의해 막두께 조정이 용이하기 때문에 스크린 인쇄가 바람직하다. 또한, 본 발명의 배선 전극 부착 기판을 터치 패널 센서로서 사용하는 경우, 필요에 따라서 플렉소 기판과의 접속부에는 포지티브형 감광성 조성물을 도포하지 않아도 좋다.
포지티브형 감광성 조성물이 용제를 함유하는 경우에는 도포한 포지티브형 감광성 조성물막을 건조하여 용제를 휘발 제거하는 것이 바람직하다. 건조 방법 으로서는, 예를 들면 가열 건조, 진공 건조 등이 예시된다. 가열 건조 장치는 전자파나 마이크로파에 의해 가열하는 것이어도 좋고, 예를 들면 오븐, 핫 플레이트, 전자파 자외선 램프, 적외선 히터, 할로겐 히터 등이 예시된다. 가열 온도는 용제의 잔존을 억제하는 관점에서 50℃ 이상이 바람직하고, 70℃ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 가열 온도는 감광제(용해 억제제)의 실활을 억제하는 관점에서 150℃ 이하가 바람직하고, 110℃ 이하가 보다 바람직하다. 가열 시간은 1분간~수 시간이 바람직하고, 1분간~50분간이 보다 바람직하다.
포지티브형 감광성 조성물의 도포막두께는 0.1㎛ 이상이 바람직하고, 0.5㎛ 이상이 보다 바람직하고, 1㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 도포막두께는 20㎛ 이하가 바람직하고, 10㎛ 이하가 보다 바람직하고, 5㎛ 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 포지티브형 감광성 조성물이 용제를 함유하는 경우, 도포막두께란 건조 후의 막두께를 말한다.
이어서, 상기 불투명 배선 전극(2)을 마스크로 해서 상기 포지티브형 감광성 조성물(5)을 노광하고 현상함으로써, 불투명 배선 전극에 대응하는 부위에 차광층을 형성한다. 불투명 배선 전극을 마스크로 해서 노광함으로써 별도의 노광 마스크를 필요로 하지 않고, 불투명 배선 전극에 대응하는 부위에 대응하는 차광층을 형성할 수 있다. 상술의 투명 기판의 적어도 편면에 불투명 배선 전극을 형성하는 공정이 투명 기판의 편면에 제 1 불투명 배선 전극을 형성하는 공정, 상기 제 1 불투명 배선 전극 위에 절연층을 형성하는 공정, 및 상기 절연층 위에 제 2 불투명 배선 전극을 형성하는 공정을 갖는 경우, 제 1 불투명 배선 전극 및 제 2 불투명 배선 전극에 대응하는 부위에 차광층을 형성하는 것이 바람직하다. 노광은 불투명 배선 전극의 형성면에 상관없이, 포지티브형 감광성 조성물의 도포면의 반대면으로부터 행하는 것이 바람직하다.
노광광은 포지티브형 감광성 조성물이 함유하는 감광제(용해 억제제)의 흡수 파장과 일치하는 자외 영역, 즉 200㎚~450㎚의 파장 영역에 발광을 갖는 것이 바람직하다. 그러한 노광광을 얻기 위한 광원으로서는, 예를 들면 수은 램프, 할로겐 램프, 크세논 램프, LED 램프, 반도체 레이저, KrF 또는 ArF 엑시머 레이저 등이 예시된다. 이들 중에서도, 수은 램프의 i선(파장 365㎚)이 바람직하다. 노광량은 노광부의 현상액에 대한 용해성의 관점에서 파장 365㎚ 환산으로 50mJ/㎠ 이상이 바람직하고, 100mJ/㎠ 이상이 보다 바람직하고, 200mJ/㎠ 이상이 더욱 바람직하다.
노광한 포지티브형 감광성 조성물의 도포막을 현상함으로써 노광부를 제거하고, 불투명 배선 전극에 대응하는 부위에 차광층을 형성할 수 있다. 현상액으로서는, 불투명 배선 전극의 도전성을 저해하지 않는 것이 바람직하고, 알칼리 현상액이 바람직하다.
알칼리 현상액으로서는, 예를 들면 수산화테트라메틸암모늄, 디에탄올아민, 디에틸아민, 디에틸아미노에탄올, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 트리에틸아민, 디에틸아민, 메틸아민, 디메틸아민, 아세트산 디메틸아미노에틸, 디메틸아미노에탄올, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 시클로헥실아민, 에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민 등의 알칼리성 물질의 수용액이 예시된다. 이들 수용액에 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, γ-부틸락톤 등의 극성 용매; 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 등의 알코올류; 락트산 에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류; 시클로펜타논, 시클로헥사논, 이소부틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류; 계면활성제를 첨가해도 좋다.
현상 방법으로서, 예를 들면 포지티브형 감광성 조성물의 도포막을 형성한 기판을 정치, 회전 또는 반송시키면서 현상액을 상기 포지티브형 감광성 조성물의 도포막의 표면에 스프레이하는 방법, 포지티브형 감광성 조성물의 도포막을 현상액 중에 침지하는 방법, 포지티브형 감광성 조성물의 도포막을 현상액 중에 침지시키면서 초음파를 거는 방법 등이 예시된다.
현상에 의해 얻어진 패턴에 린스액에 의한 린스 처리를 실시해도 좋다. 린스 액으로서는, 예를 들면 물; 에탄올, 이소프로필알코올 등의 알코올류의 수용액; 락트산 에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류의 수용액 등이 예시된다.
얻어진 차광층을 또한 100℃~250℃에서 가열해도 좋다. 가열에 의해, 차광층의 경도를 향상시키고, 다른 부재와의 접촉에 의한 깨짐이나 박리를 억제하고, 불투명 배선 전극과의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 가열 장치로서는, 포지티브형 감광성 조성물 막의 가열 건조 장치로서 예시한 것이 예시된다.
얻어진 배선 전극 부착 기판의 차광층 위에 절연층을 형성하는 공정, 절연층 위에 제 2 불투명 배선 전극을 형성하는 공정, 포지티브형 감광성 조성물을 제 2 불투명 배선 전극 형성면에 도포하고, 투명 기판의 제 2 불투명 배선 전극 형성면의 반대면 측으로부터 노광하고 현상함으로써, 적어도 제 2 불투명 배선 전극에 대응하는 부위에 차광층을 형성하는 공정을 가져도 좋다.
본 발명의 배선 전극 부착 기판의 제 2 제조 방법은 투명 기판의 편면에 차광층을 패턴 형성하는 공정, 상기 투명 기판의 편면에 포지티브형 감광성 도전성 조성물을 도포하는 공정, 및 상기 차광층을 마스크로 해서 상기 포지티브형 감광성 도전성 조성물을 노광하고 현상함으로써, 차광층에 대응하는 부위에 배선 전극을 형성하는 공정을 갖는다. 투명 기판의 편면에 차광층을 패턴 형성하고, 이 차광층을 마스크로 해서 포지티브형 감광성 도전성 조성물을 노광함으로써 차광층에 대응하는 부위에 배선 전극을 형성할 수 있고, 도전성이 우수하며, 배선 전극이 시인되기 어려운 배선 전극 부착 기판을 얻을 수 있다. 또한, 투명 기판의 차광층 형성면의 반대면에 포지티브형 감광성 도전성 조성물을 도포하는 경우에는, 차광층을 패턴 형성하는 공정과 포지티브형 감광성 도전성 조성물을 도포하는 공정의 순서는 관계없다. 또한, 필요에 따라서 다른 공정을 더 갖고 있어도 좋다.
투명 기판은 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 투명 기판으로서 예시한 것을 사용할 수 있다.
차광층은 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 불투명 배선 전극과 동 정도의 차광성을 갖는 것이 바람직하다.
차광층은 대응하는 부위에 배선 전극이 형성되고, 배선 전극의 반사율을 저감시키는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 차광층은 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 차광층과 동 정도의 반사율을 갖는 것이 바람직하다.
차광층의 파장 550㎚의 광의 반사율을 상기 범위로 하는 방법으로서는, 예를 들면 상술의 포지티브형 감광성 차광성 조성물을 이용하는 방법이나 차광층의 막두께를 후술하는 바람직한 범위로 하는 방법 등이 예시된다.
차광층의 막두께는 배선 전극의 반사율을 보다 저감하는 관점에서 0.1㎛ 이상이 바람직하고, 0.5㎛ 이상이 보다 바람직하고, 1㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 차광층의 막두께는 잔사를 억제하고, 보다 미세한 패턴을 형성하는 관점에서 20㎛ 이하가 바람직하고, 10㎛ 이하가 보다 바람직하고, 5㎛ 이하가 더욱 바람직하다.
차광층의 패턴 형상으로서는, 예를 들면 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 불투명 배선 전극과 마찬가지의 형상이 바람직하다.
차광층의 패턴의 선폭은 차광층에 대응하는 부위에 형성된 배선 전극의 도전성을 보다 향상시키는 관점에서 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 불투명 배선 전극과 마찬가지의 범위가 바람직하다.
차광층을 형성하는 재료로서는, 예를 들면 착색제가 예시된다. 보다 용이하게 패턴을 형성하는 관점에서 포지티브형 또는 네거티브형 감광성 차광성 조성물이 바람직하다. 이 경우, 차광층은 포지티브형 또는 네거티브형 감광성 차광성 조성물의 경화물로 이루어진다.
포지티브형 감광성 차광성 조성물로서, 예를 들면 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 포지티브형 감광성 차광성 조성물로서 예시한 것이 예시된다.
네거티브형 감광성 차광성 조성물이란 광 미조사부가 현상액에 용해하는 네거티브형 감광성을 갖고, 차광층을 형성했을 때에 차광성을 발현하는 조성물을 말한다. 차광층의 반사율을 상술의 바람직한 범위로 하는 것이 바람직하다. 네거티브 형 감광성 차광성 조성물은, 예를 들면 착색제, 광중합 개시제, 알칼리 가용성 수지를 함유하는 것이 바람직하다.
착색제로서는 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 포지티브형 감광성 차광성 조성물에 사용되는 착색제로서 예시한 것이 예시된다.
광중합 개시제로서는, 예를 들면 벤조페논 유도체, 아세토페논 유도체, 티옥산톤 유도체, 벤질 유도체, 벤조인 유도체, 옥심계 화합물, α-히드록시케톤계 화합물, α-아미노알킬페논계 화합물, 포스핀옥시드계 화합물, 안트론 화합물, 안트라퀴논 화합물 등이 예시된다. 벤조페논 유도체로서는, 예를 들면 벤조페논, O-벤조일벤조산 메틸, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논, 플루오레논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐케톤 등이 예시된다. 아세토페논 유도체로서는, 예를 들면 p-t-부틸디클로로아세토페논, 4-아지도벤잘아세토페논, 2,2'-디에톡시아세토페논 등이 예시된다. 티옥산톤 유도체로서는, 예를 들면 티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤, 디에틸티옥산톤 등이 예시된다. 벤질 유도체로서는, 예를 들면 벤질, 벤질디메틸케탈, 벤질-β-메톡시에틸아세탈 등이 예시된다. 벤조인 유도체로서는, 예를 들면 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인부틸에테르 등이 예시된다. 옥심계 화합물로서는, 예를 들면 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 1-페닐-1,2-부탄디온-2-(O-메톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(O-벤조일)옥심, 1,3-디페닐-프로판트리온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-3-에톡시-프로판트리온-2-(O-벤조일)옥심 등이 예시된다. α-히드록시케톤계 화합물로서는, 예를 들면 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 1-[4-(2-히드록시에톡시)-페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온 등이 예시된다. α-아미노알킬페논계 화합물로서는, 예를 들면 2-메틸-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온 등이 예시된다. 포스핀옥시드계 화합물로서는, 예를 들면 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥시드 등이 예시된다. 안트론 화합물로서는 안트론, 벤즈안트론, 디벤조수베론, 메틸렌안트론 등이 예시된다. 안트라퀴논 화합물로서는, 예를 들면 안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논, β-클로로안트라퀴논 등이 예시된다. 이들을 2종 이상 함유해도 좋다. 이들 중에서도, 광감도가 높은 옥심계 화합물이 바람직하다.
네거티브형 감광성 차광성 조성물 중에 있어서의 광중합 개시제의 함유량은 노광 감도를 향상시키는 관점에서, 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여 0.05질량부 이상이 바람직하고, 0.1질량부 이상이 보다 바람직하다. 한편, 광중합 개시제의 함유량은 과잉한 광흡수를 억제하는 관점에서 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여 10질량부 이하가 바람직하다.
알칼리 가용성 수지로서는, 예를 들면 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 포지티브형 감광성 조성물에 사용되는 알칼리 가용성 수지로서 예시한 것이 예시된다. 알칼리 가용성 수지는 불포화 이중결합을 갖는 것이 바람직하다. 불포화 이중결합을 갖는 알칼리 가용성 수지로서는, 예를 들면 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 포지티브형 감광성 조성물에 사용되는 카르복실기를 갖는 수지로서 예시한 수지와, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등의 불포화 이중결합을 갖는 화합물의 반응 생성물인, 측쇄에 불포화 이중결합을 갖는 수지 등이 예시된다.
알칼리 가용성 수지의 산가는 현상액에 대한 용해성의 관점에서 50mgKOH/g 이상이 바람직하고, 노광부의 과도한 용해를 억제하는 관점에서 250mgKOH/g 이하가 바람직하다. 또한, 알칼리 가용성 수지의 산가는 JIS K 0070(1992)에 준하여 측정할 수 있다.
네거티브형 감광성 차광성 조성물은 그 소망의 특성을 손상시키지 않는 범위에서 가소제, 레벨링제, 계면활성제, 실란 커플링제, 소포제, 안정제 등을 함유해도 좋다. 이것들의 예로서는, 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 포지티브형 감광성 조성물에 있어서 예시한 것이 예시된다.
배선 전극은 상기 차광층에 대응하는 부위에 형성된다. 배선 전극의 패턴 형상은 패턴의 도전성을 균일하게 하는 관점에서 메쉬 형상이 바람직하다. 배선 전극은 후술하는 포지티브형 감광성 도전성 조성물에 의해 형성되고, 메쉬 형상의 패턴을 갖는 메탈 메쉬인 것이 바람직하다. 배선 전극의 막두께 및 선폭은 상술의 불투명 배선 전극과 마찬가지의 범위인 것이 바람직하다.
포지티브형 감광성 도전성 조성물이란 광조사부가 현상액에 용해하는 포지티브형 감광성을 갖고, 배선 전극을 형성했을 때에 도전성을 발현하는 조성물을 말하고, 배선 전극의 도전성을 후술하는 바람직한 범위로 하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 도전 입자, 감광제(용해 억제제), 알칼리 가용성 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 도전성 입자는 배선 전극에 도전성을 부여하는 작용을 갖는다. 알칼리 가용성 수지는 알칼리 현상액에 대한 용해성을 나타내고, 현상에 의한 패턴 가공을 가능하게 하는 작용을 갖는다. 감광제(용해 억제제)는 광에 의해 변화함으로써 미노광부와 노광부 사이에 현상액에 대한 용해도의 차를 형성하는 작용을 갖는다.
도전 입자로서는 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 불투명 배선 전극에 있어서의 도전 입자로서 예시한 것이 바람직하다.
포지티브형 감광성 도전성 조성물에 있어서의 도전 입자의 함유량은 배선 전극의 도전성을 보다 향상시키는 관점에서 전체 고형분 중 65질량% 이상이 바람직하고, 70질량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 보다 미세한 배선을 형성하는 관점에서 포지티브형 감광성 도전성 조성물에 있어서의 도전 입자의 함유량은 전체 고형분 중 90질량% 이하가 바람직하고, 85질량% 이하가 보다 바람직하다.
감광제(용해 억제제)로서는 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 감광제(용해 억제제)로서 예시한 것이 예시된다.
포지티브형 감광성 도전성 조성물 중에 있어서의 감광제(용해 억제제)의 함유량은 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 포지티브형 감광성 조성물과 마찬가지의 범위가 바람직하다.
알칼리 가용성 수지로서는, 예를 들면 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 포지티브형 감광성 조성물에 있어서의 알칼리 가용성 수지로서 예시한 것이 예시된다.
포지티브형 감광성 도전성 조성물은 열경화성 화합물을 함유해도 좋다. 열경화성 화합물을 함유함으로써 배선 전극의 경도가 향상되기 때문에 다른 부재와의 접촉에 의한 깨짐이나 박리를 억제하고, 차광층과의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 열경화성 화합물로서는, 예를 들면 에폭시기를 갖는 모노머, 올리고머 또는 폴리머 등이 예시된다.
포지티브형 감광성 도전성 조성물은 용제를 함유하는 것이 바람직하고, 조성물의 점도를 소망의 범위로 조정할 수 있다. 용제로서는, 예를 들면 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 포지티브형 감광성 조성물에 있어서의 용제로서 예시한 것이 예시된다.
포지티브형 감광성 도전성 조성물은 그 소망의 특성을 손상시키지 않는 범위에서 가소제, 레벨링제, 계면활성제, 실란커플링제, 소포제, 안정제 등을 함유해도 좋다. 이것들의 예로서는, 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 포지티브형 감광성 조성물에 있어서 예시한 것이 예시된다.
도 8~10에, 본 발명의 배선 전극 부착 기판의 구성의 일례의 개략도를 나타낸다. 도 8은 투명 기판(1) 위에 차광층(7)을 갖고, 차광층(7) 위에 배선 전극(8)을 갖는 배선 전극 부착 기판의 개략도이다. 도 8에 나타내는 배선 전극 부착 기판은 후술하는 제 2 제조 방법에 있어서, 투명 기판의 차광층 형성면의 반대면 측으로부터 노광하는 공정을 통하여 얻을 수 있다. 도 9는 투명 기판(1) 아래에 차광층(7)을 갖고, 투명 기판(1) 위에 배선 전극(8)을 갖는 배선 전극 부착 기판의 개략도이다. 도 9에 나타내는 배선 전극 부착 기판은 후술하는 제 2 제조 방법에 있어서, 투명 기판의 차광층 형성면 측으로부터 노광하는 공정을 통하여 얻을 수 있다. 도 10은 투명 기판(1) 위에 차광층(7)(제 1 차광층), 배선 전극(8)(제 1 배선 전극) 및 절연층(4)을 갖고, 절연층(4) 위에 차광층(7)(제 2 차광층), 배선 전극(8)(제 2 배선 전극)을 갖는 배선 전극 부착 기판의 개략도이다. 도 11에 나타내는 배선 전극 부착 기판은 후술하는 제 2 제조 방법에 있어서, 투명 기판의 편면에 제 1 차광층 및 제 1 배선 전극, 절연층, 제 2 차광층을 각각 형성하고, 또한 포지티브형 감광성 도전성 조성물을 도포하고, 투명 기판의 차광층 형성면의 반대면 측으로부터 노광하는 공정을 통하여 얻을 수 있다.
이어서, 본 발명의 배선 전극 부착 기판의 제 2 제조 방법에 있어서의 각 공정에 대해서 상세하게 설명한다. 도 11~12에, 본 발명의 배선 전극 부착 기판의 제 2 제조 방법의 일례의 개략도를 나타낸다.
우선, 투명 기판(1)의 편면에 차광층(7)을 형성한다. 차광층의 형성 방법으로서는, 예를 들면 네거티브형 또는 포지티브형 감광성 차광성 조성물을 이용하여 포토리소그래피법에 의해 패턴 형성하는 방법, 차광성 조성물을 이용하여 스크린 인쇄, 그라비아 인쇄, 잉크젯 등에 의해 패턴 형성하는 방법, 금속 산화물 등의 막을 형성하고, 레지스트를 이용하여 포토리소그래피법에 의해 형성하는 방법 등이 예시된다. 이들 중에서도, 미세 배선이 형성 가능하기 때문에 감광성 차광성 조성물을 사용하여 포토리소그래피법에 의해 형성하는 방법이 바람직하다.
이어서, 상기 투명 기판(1)의 편면에 포지티브형 감광성 도전성 조성물(9)을 도포한다. 포지티브형 감광성 도전성 조성물은 도 11에 나타내는 바와 같이, 투명 기판의 차광층 형성면에 도포해도 좋고, 도 12에 나타내는 바와 같이 차광층 형성면의 반대면에 도포해도 좋다. 차광층 형성면의 반대면에 도포하는 경우, 차광층을 형성하는 공정과 포지티브형 감광성 도전성 조성물을 도포하는 공정의 순서는 관계없다.
포지티브형 감광성 도전성 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들면 상술의 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 포지티브형 감광성 조성물의 도포 방법과 마찬가지의 방법이 예시된다.
포지티브형 감광성 도전성 조성물이 용제를 함유하는 경우에는 도포된 포지티브형 감광성 도전성 조성물층을 건조하여 용제를 휘발 제거하는 것이 바람직하다. 건조 방법으로서는, 예를 들면 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 포지티브형 감광성 조성물 및 마찬가지의 방법이 예시된다.
포지티브형 감광성 도전성 조성물의 도포막두께는 도전성을 보다 향상시키는 관점에서 0.5㎛ 이상이 바람직하고, 0.7㎛ 이상이 보다 바람직하고, 1㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 보다 미세한 배선을 형성하는 관점에서 7㎛ 이하가 바람직하고, 5㎛ 이하가 보다 바람직하고, 3㎛ 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 포지티브형 감광성 도전성 조성물이 용제를 함유하는 경우, 도포막두께란 건조 후의 막두께를 말한다.
이어서, 상기 차광층(7)을 마스크로 해서 상기 포지티브형 감광성 도전성 조성물(9)을 노광하고 현상함으로써, 차광층에 대응하는 부위에 배선 전극(8)을 형성한다. 차광층을 마스크로 해서 노광함으로써 별도의 노광 마스크를 필요로 하지 않고, 차광층에 대응하는 부위에 대응하는 배선 전극을 형성할 수 있다. 노광은 차광층의 형성면에 상관없이 포지티브형 감광성 도전성 조성물의 도포면의 반대면으로부터 행하는 것이 바람직하다.
노광광은 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 노광광으로서 예시한 것이 바람직하다.
노광한 포지티브형 감광성 도전성 조성물의 도포막을 현상함으로써 노광부를 제거하고, 차광층에 대응하는 부위에 배선 전극을 형성할 수 있다. 현상액으로서는 알칼리 현상액이 바람직하다.
알칼리 현상액으로서는, 예를 들면 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 알칼리 현상액으로서 예시한 것이 예시된다.
현상 방법으로서, 예를 들면 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 현상 방법으로서 예시한 방법이 예시된다.
현상에 의해 얻어진 패턴에 린스액에 의한 린스 처리를 실시해도 좋다. 린스액으로서는, 예를 들면 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 린스액 으로서 예시한 것이 예시된다.
얻어진 배선 전극을 또한 100℃~250℃에서 가열해도 좋다. 가열에 의해, 도전 입자끼리의 접점부에 있어서의 소결을 보다 효과적으로 진행시켜, 얻어지는 배선 전극의 도전성을 보다 향상시킬 수 있다. 소결을 보다 효과적으로 진행시키는 관점에서, 가열 온도는 120℃ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 투명 기판의 선택의 자유도를 높이는 관점에서 200℃ 이하가 보다 바람직하고, 150℃ 이하가 더욱 바람직하다.
얻어진 배선 전극 부착 기판의 배선 전극 위에 절연층을 형성하는 공정, 절연층 위에 제 2 차광층을 형성하는 공정, 포지티브형 감광성 도전성 조성물을 제 2 차광층 위에 도포하고, 투명 기판의 제 2 차광층 형성면의 반대면 측으로부터 노광하고 현상함으로써, 제 2 차광층에 대응하는 부위에 배선 전극을 형성하는 공정을 가져도 좋다.
절연층의 형성 방법으로서는, 예를 들면 배선 전극 부착 기판의 제 1 제조 방법에 있어서의 절연층의 형성 방법으로서 예시한 방법이 예시된다.
본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 배선 전극 부착 기판은 배선 전극이 시인되기 어려운 것이 필요한 용도에 적합하게 사용할 수 있다. 배선 전극의 시인 억제가 특히 요구되는 용도로서는, 예를 들면 터치 패널용 부재, 전자 실드용 부재, 투명 LED 라이트용 부재 등이 예시된다. 그 중에서도, 미세화 및 배선 전극을 시인되기 어렵게 하는 것이 보다 높게 요구되는 터치 패널용 부재로서 적합하게 사용할 수 있다.
실시예
이하, 실시예를 들어서 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이것에 의해 한정되는 것은 아니다.
각 실시예에서 사용된 재료는 이하와 같다. 또한, 투명 기판의 파장 365㎚에 있어서의 투과율은 자외 가시 분광 광도계(U-3310 Hitachi High-Technologies Corporation제)를 사용하여 측정했다.
(투명 기판)
·"Lumirror(등록상표)" T60(Toray Industries, Inc.제)(두께 : 100㎛, 파장 365㎚ 투과율 : 85%) (a-1)
·"ZEONEX(등록상표)" 480(Zeon Corporation제)(두께 : 100㎛, 파장 365㎚ 투과율 90%) (a-2).
(제조예 1 : 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(d-1))
질소 분위기의 반응 용기 중에 150g의 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(이하, 「DMEA」)를 투입하고, 오일 배스를 이용해서 80℃까지 승온했다. 여기에, 20g의 에틸아크릴레이트(이하, 「EA」), 40g의 메타크릴산 2-에틸헥실(이하, 「2-EHMA」), 20g의 스티렌(이하, 「St」) 15g의 아크릴산(이하, 「AA」), 0.8g의 2,2-아조비스이소부티로니트릴 및 10g의 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트로 이루어지는 혼합물을 1시간에 걸쳐 적하했다. 적하 종료 후, 또한 6시간 교반하고, 중합 반응을 행했다. 그 후, 1g의 하이드로퀴논모노메틸에테르를 첨가하고, 중합 반응을 정지했다. 계속해서, 5g의 글리시딜메타크릴레이트(이하, 「GMA」), 1g의 트리에틸벤젠암모늄클로라이드 및 10g의 DMEA로 이루어지는 혼합물을 0.5시간에 걸쳐 적하했다. 적하 종료 후, 2시간 반응 용기 중에서 더 교반하고, 부가 반응을 행했다. 얻어진 반응 용액을 메탄올로 정제함으로써 미반응 불순물을 제거하고, 또한 24시간 진공 건조하여 공중합 비율(중량 기준) : EA/2-EHMA/St/GMA/AA=20/40/20/5/15의 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(d-1)를 얻었다. 얻어진 공중합체의 산가를 측정한 결과, 103mgKOH/g이었다. 또한, 산가는 JIS K 0070(1992)에 준하여 측정했다.
(제조예 2 : 감광성 도전 페이스트)
100mL 크린 보틀에 17.5g의 제조예 1에 의해 얻어진 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(d-1), 0.5g의 광중합 개시제 N-1919(ADEKA CORPORATION제), 1.5g의 에폭시 수지 "ADEKA RESIN(등록상표)" EP-4530(에폭시 당량 190, ADEKA CORPORATION제), 3.5g의 모노머 "LIGHT ACRYLATE(등록상표)", BP-4EA(Kyoeisha Chemical Co., Ltd.제) 및 19.0g의 DMEA를 넣고, "AWATORI RENTARO(등록상표)" ARE-310(THINKY CORPORATION제)를 이용해서 혼합하여 42.0g의 수지 용액을 얻었다. 얻어진 42g의 수지 용액과 62.3g의 체적 입자지름 0.3㎛의 Ag 입자를 혼합시켜 3단 롤러 EXAKT M50(EXAKT제)을 이용하여 혼련한 후에 DMEA를 7g 더 첨가하고 혼합하여 111g의 감광성 도전 페이스트를 얻었다. 감광성 도전 페이스트의 점도는 10,000mPa·s였다. 또한, 점도는 브룩필드형의 점도계를 이용하고, 온도 25℃, 회전수 3rpm의 조건에서 측정했다.
(제조예 3 : 퀴논디아지드 화합물(c))
건조 질소 기류 하, α,α-비스(4-히드록시페닐)-4-(4-히드록시-α,α-디메틸디메틸벤질에틸벤젠(상품명 TrisP-PA Honshu Chemical Industry Co., Ltd.제) 21.22g(0.05몰)과 5-나프토퀴논디아지드술포닐산 클로라이드 33.58g(0.125몰)을 1,4-디옥산 450g에 용해시키고, 실온으로 했다. 여기에, 1,4-디옥산 50g과 혼합한 트리에틸아민 15.18g을 계 내가 35℃ 이상이 되지 않도록 적하했다. 적하 후 30℃에서 2시간 교반했다. 트리에틸아민염을 여과하고, 여과액을 물에 투입했다. 그 후, 석출된 침전을 여과에 의해 모았다. 이 침전을 진공 건조기에 의해 건조시키고, 퀴논디아지드 화합물(c)을 얻었다.
(제조예 4 : 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(d-2))
질소 분위기의 반응 용기 중에, 150g의 2-메톡시-1-메틸에틸아세테이트(이하, 「PMA」)를 투입하고, 오일 배스를 이용하여 80℃까지 승온했다. 여기에, 20g의 EA, 20g의 2-EHMA, 20g의 4-히드록시스티렌(이하, 「HS」), 15g의 N-메틸올아크릴아미드(이하, 「MAA」), 25g의 AA, 0.8g의 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 및 10g의 PMA로 이루어지는 혼합물을 1시간에 걸쳐 적하했다. 적하 종료 후, 또한 80℃에서 6시간 가열하고 교반하여 중합 반응을 행했다. 그 후, 1g의 하이드로퀴논모노메틸에테르를 첨가하여 중합 반응을 정지했다. 얻어진 반응 용액을 메탄올에 의해 정제함으로써 미반응 불순물을 제거하고, 또한 24시간 진공 건조하여 공중합 비율(질량 기준) : EA/2-EHMA/HS/MAA/AA=20/20/20/15/25의 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(d)를 얻었다. 제조예 1과 마찬가지로 산가를 측정한 결과, 153mgKOH/g였다.
(제조예 5 : 절연 페이스트(e))
100mL 크린 보틀에 20.0g의 폴리머형 아클릴레이트 "UNIDIC(등록상표)" V6840, 0.5g의 광중합 개시제 "IRGACURE(등록상표)" 184, 10.0g의 이소부틸케톤을 넣고, "AWATORI RENTARO(등록상표)" ARE-310(THINKY CORPORATION제)을 이용하여 혼합하여 30.5g의 절연 페이스트(e)를 얻었다.
(착색제)
·활성탄 분말(Cas 번호. 7440-44-0 Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.제) (b-1)
·VALIFAST BLACK 1807(Orient Chemical Industries Co., Ltd.제) (b-2).
각 실시예 및 비교예에 있어서의 평가는 이하의 방법에 의해 행했다.
(1) 시인성(시인되기 어려움)(육안)
각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 도 7에 나타내는 시인성 및 도전성 평가용 패턴을 갖는 배선 전극 부착 기판을 배선 전극에 대해 차광층 측이 보이도록 흑색 필름 상에 설치하고, 투광기를 이용하여 광을 투사하고, 30cm 분리된 위치로부터 10명이 각각 육안으로 봤을 때 메쉬 형상의 전극 부분이 시인 가능한지의 여부를 평가했다. 단, 비교예 11~12에 대해서는 배선 전극 부착 기판의 배선 전극 형성면의 반대측으로부터 평가했다. 7명 이상이 시인 가능한 경우에는 「D」, 4명 이상 7명 미만이 시인 가능한 경우에는 「C」, 1명 이상 4명 미만이 시인 가능한 경우에는 「B」, 10명이 시인 불가능한 경우에는 「A」라고 평가했다.
(2) 시인성(시인되기 어려움)(반사율)
각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 도 7에 나타내는 시인성 및 도전성 평가용 패턴을 갖는 배선 전극 부착 기판의 차광층 중, 패드부(6)에 대응하는 개소에 대해서, 반사율계(VSR400 : NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES CO., LTD.제)를 이용하여 파장 550㎚에 있어서의 반사율을 측정했다.
(3) 미세 가공성(차광층 선폭)
실시예 1~15 및 비교예 1~4에 의해 얻어진 배선 전극 부착 기판에 대해서, 불투명 배선 전극에 대응하는 차광층을 광학 현미경에 의해 관찰하고, 무작위로 선택한 10점의 선폭을 측정하고, 그 평균값을 산출했다. 실시예 21~33 및 비교예 11~12에 의해 얻어진 배선 전극 부착 기판에 대해서, 얻어진 배선 전극을 광학 현미경에 의해 관찰하고, 무작위로 선택한 10점의 선폭을 측정하고, 그 평균값을 산출했다.
(4) 도전성
각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 도 7에 나타내는 시인성 및 도전성 평가용 패턴을 갖는 불투명 배선 전극 부착 기판과 배선 전극 부착 기판에 대해서, 단자 사이의 저항값을 저항 측정용 테스터(2407A; B&K Precision Corporation제)를 이용하여 측정했다. 또한, 단자 사이의 거리는 20㎜, 폭은 2㎜로 하고, 패드부(6)는 4㎟의 정사각형으로 했다. 실시예 1~14 및 비교예 1~4에 대해서는 불투명 배선 전극의 차광층 형성 전후에 있어서의 저항값의 변화율을 산출하고, 변화율이 110% 이하인 경우에는 「B」, 110~200%인 경우에는 「C」, 변화율이 200% 이상인 경우에는 「D」라고 평가했다. 단, 실시예 12, 14, 15에 대해서는 2층의 불투명 배선 전극을 각각 평가하고, 변화율이 큰 것을 기초로 평가했다. 비교예 3, 4에 대해서는 흑색화 처리 전후에 있어서의 저항값의 변화율을 기초로 평가했다. 실시예 21~33 및 비교예 11~12에 대해서는 배선 전극의 저항값을 측정하고, 1000Ω 이하의 경우에는 「B」, 1000Ω을 초과하고 2000Ω 미만인 경우에는 「C」, 2000Ω 이상인 경우에는 「D」라고 평가했다. 단, 실시예 33에 대해서는 2층의 배선 전극을 각각 평가하고, 저항값이 큰 것을 기초로 평가했다.
(실시예 1)
<불투명 배선 전극의 형성>
상기 투명 기판(a-1)의 편면에, 제조예 2에 의해 얻어진 감광성 도전 페이스트를 스크린 인쇄에 의해 건조 후 막두께가 1㎛가 되도록 인쇄하고, 100℃에서 10분간 건조했다. 도 7에 나타내는 피치 300㎛의 메쉬 형상의 패턴을 갖는 노광 마스크를 통해서 노광 장치(PEM-6M; Union Optical Co., Ltd.제)를 이용하여 노광량 500mJ/㎠(파장 365㎚ 환산)으로 노광했다. 마스크 개구폭은 3㎛로 했다. 그 후, 0.2질량% 탄산나트륨 수용액에서 30초간 침지 현상을 행하고, 또한 초순수로 린스하고 나서, 140℃의 IR 히터 로 내에서 30분간 가열하고, 불투명 배선 전극 부착 기판을 얻었다. 불투명 배선 전극 선폭을 광학 현미경으로 측정한 결과 4㎛였다. 도 7에 나타내는 시인성 및 도전성 평가용 패턴에 있어서 패드부(6)의 불투명 배선 전극의 파장 365㎚에 있어서의 투과율은 5%였다. 또한, 불투명 배선 전극의 투과율은 미소면 분광 색차계(VSS 400 : NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES CO., LTD.제)에 의해 측정했다.
<포지티브형 감광성 차광성 조성물>
100mL 크린 보틀에 20.0g의 제조예 4에 의해 얻어진 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(d), 6.0g의 제조예 3에 의해 얻어진 퀴논디아지드 화합물(c), 1.0g의 착색제(b-1), 20.0g의 DMEA를 "AWATORI RENTARO(등록상표)" ARE-310(THINKY CORPORATION제)를 이용해서 혼합하여 47.0g의 포지티브형 감광성 차광성 조성물을 얻었다.
<차광층의 형성>
얻어진 불투명 배선 전극 부착 기판의 불투명 배선 전극 형성면에, 상기 방법에 의해 얻어진 포지티브형 감광성 차광성 조성물을 스크린 인쇄에 의해 건조 후의 막두께가 2㎛가 되도록 인쇄하고, 100℃에서 10분간 건조하여 포지티브형 감광성 차광성 조성물층 부착 기판을 얻었다. 얻어진 포지티브형 감광성 차광성 조성물층 부착 기판을 불투명 배선 전극을 마스크로 해서 불투명 배선 전극 형성면의 반대면 측으로부터 노광량 500mJ/㎠(파장 365㎚ 환산)으로 노광했다. 그 후, 0.2질량% 탄산나트륨 수용액에서 60초간 침지 현상을 행하고, 불투명 배선 전극에 대응하는 개소에 차광층을 형성했다. 또한, 140℃의 히터 로 내에서 30분간 가열하여 배선 전극 부착 기판을 얻었다. 상술한 방법에 의해 평가한 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 2~9)
투명 기판, 포지티브형 감광성 차광성 조성물의 조성, 차광층의 막두께를 표 1에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 불투명 배선 전극, 차광층을 형성하고, 실시예 1과 마찬가지의 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 10)
실시예 1의 ＜불투명 배선 전극의 형성＞에 있어서의 노광량을 2000mJ/㎠(파장 365㎚ 환산)으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 불투명 배선 전극, 차광층을 형성했다. 불투명 배선 전극의 선폭은 7㎛였다. 실시예 1과 마찬가지의 평가를 행한 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 11)
실시예 1의 ＜불투명 배선 전극의 형성＞과 마찬가지의 방법에 의해 불투명 배선 전극을 형성했다. 얻어진 불투명 배선 전극 부착 기판의 불투명 배선 전극 형성면과 반대면에, 실시예 1에 의해 얻어진 포지티브형 감광성 차광성 조성물을 스크린 인쇄에 의해 건조 후의 막두께가 2㎛가 되도록 인쇄하고, 100℃에서 10분간 건조하여 포지티브형 감광성 차광성 조성물층 부착 기판을 얻었다. 얻어진 포지티브형 감광성 차광성 조성물층 부착 기판을 불투명 배선 전극을 마스크로 해서 불투명 배선 전극 형성면 측으로부터 노광량 500mJ/㎠(파장 365㎚ 환산)으로 노광했다. 그 후, 0.2질량% 탄산나트륨 수용액에서 60초간 침지 현상을 행하여 불투명 배선 전극에 대응하는 개소에 차광층을 형성했다.
(실시예 12)
실시예 1의 ＜불투명 배선 전극의 형성＞과 마찬가지의 방법에 의해 투명 기판(a-1)의 양면에 순차적으로 불투명 배선 전극을 형성했다. 얻어진 불투명 배선 전극 부착 기판의 편면에 실시예 1의 ＜차광층의 형성＞과 마찬가지의 방법에 의해 차광층을 형성하고, 실시예 1과 마찬가지의 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 13)
＜불투명 배선 전극의 형성＞
상기 투명 기판(a-1), Low Profile의 매우 얇은 구리박 MTSD-H(두께 3㎛, Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.제)를 투명 점착층(절연층)으로 해서 광학 투명 접착제 LOCA(Henkel Japan Ltd.제)를 이용하여 접착했다. 얻어진 구리박 부착 필름을 포토리소그래피법을 이용하여 도 7에 나타내는 시인성 및 도전성 평가용 패턴(피치 300㎛)이 되도록 불투명 배선 전극을 패턴 형성했다. 불투명 배선 전극 선폭을 광학 현미경으로 측정한 결과 4㎛였다. 실시예 1과 마차가지로 측정한 패드부(6)의 파장 365㎚에 있어서의 투과율은 0%였다.
<차광층의 형성>
얻어진 불투명 배선 전극 부착 기판에 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 차광층을 형성하고, 실시예 1과 마찬가지의 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 14)
＜제 1 불투명 배선 전극의 형성＞
상기 투명 기판(a-1)의 편면에 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 제 1 불투명 배선 전극을 형성했다.
＜절연층의 형성＞
얻어진 불투명 배선 전극 부착 기판의 불투명 배선 전극 형성면에 제조예 5에 의해 얻어진 절연 페이스트(e)를 스크린 인쇄에 의해 건조 후의 막두께가 5㎛가되도록 인쇄하고, 100℃에서 10분간 건조하고, 노광량 1000mJ/㎠(파장 365㎚ 환산)으로 노광하여 절연층을 형성했다.
＜제 2 불투명 배선 전극의 형성＞
얻어진 배선 전극 부착 기재의 절연층 형성면에 제 1 불투명 배선 전극의 형성과 마찬가지의 방법에 의해 제 2 불투명 배선 전극을 형성했다.
＜차광층의 형성＞
얻어진 불투명 배선 전극 부착 기판의 불투명 배선 전극 형성면에, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 차광층을 형성하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 15)
＜제 1 불투명 배선 전극 및 제 1 차광층의 형성＞
상기 투명 기판(a-1)의 편면에 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 제 1 불투명 배선 전극과 제 1 차광층을 형성했다.
＜절연층＞
얻어진 배선 전극 부착 기판의 배선 전극 형성면에 실시예 14와 마찬가지의 방법에 의해 절연층을 형성했다.
＜제 2 배선 전극의 형성＞
얻어진 배선 전극 부착 기재의 절연층 형성면에 제 1 불투명 배선 전극 및 차광층의 형성과 마찬가지의 방법에 의해 제 2 불투명 배선 전극과 제 2 차광층을 형성하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 1)
실시예 1의 ＜불투명 배선 전극의 형성＞과 마찬가지의 방법에 의해 불투명 배선 전극 부착 기판을 형성하고, 미세 가공성 및 도전성 평가 이외에 대해서, 실시예 1과 마찬가지의 평가를 실시했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 2)
실시예 13의 ＜불투명 배선 전극의 형성＞과 마찬가지의 방법에 의해 불투명 배선 전극 부착 기판을 형성하고, 미세 가공성 및 도전성 평가 이외에 대해서, 실시예 1과 마찬가지의 평가를 실시했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 3)
실시예 1의 ＜불투명 배선 전극의 형성＞과 마찬가지의 방법에 의해 불투명 배선 전극 부착 기판을 형성했다.
물 50g에 36질량% 염산 40g을 첨가하여 염산의 수용액을 조제했다. 이어서, 이 염산 수용액 90g에 산화텔루륨 3g을 첨가했다. 산화텔루륨이 염산 수용액에 완전히 용해된 것을 육안으로 확인한 후, 이 염산 수용액에 아세트산 5g을 첨가하고, 물을 더 첨가하여 전체량을 100g으로 하고, 흑색화 용액을 조제했다. 얻어진 흑색화 용액에 상기 불투명 배선 전극 부착 기판을 10초간 침지시켜 흑색화하고, 배선 전극 부착 기판을 형성했다. 미세 가공성 평가 이외에 대해서, 실시예 1과 마찬가지의 평가를 실시했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 4)
실시예 1의 ＜불투명 배선 전극의 형성＞과 마찬가지의 방법에 의해 불투명 배선 전극 부착 기판을 형성했다. 비교예 3과 마찬가지의 방법에 의해, 흑색화 용액을 조제했다. 얻어진 흑색화 용액에 상기 불투명 배선 전극 부착 기판을 2초간 침지시켜 흑색화하고, 배선 전극 부착 기판을 형성했다. 미세 가공성 평가 이외에 대해서, 실시예 1과 마찬가지의 평가를 실시했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112019075416311-pct00001
(실시예 21)
<네거티브형 감광성 차광성 조성물＞
100mL 크린 보틀에 17.5g의 제조예 1에 의해 얻어진 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(d-1), 0.5g의 광중합 개시제 N-1919(ADEKA CORPORATION제), 1.5g의 에폭시 수지 "ADEKA RESIN(등록상표)" EP-4530(에폭시 당량 190, ADEKA CORPORATION제), 3.5g의 모노머 "LIGHT ACRYLATE(등록상표)" BP-4EA(Kyoeisha Chemical Co., Ltd.제) 및 19.0g의 DMEA를 넣고, "AWATORI RENTARO(등록상표)" ARE-310(THINKY CORPORATION제)을 이용해서 혼합하여 42.0g의 수지 용액을 얻었다. 얻어진 42g의 수지 용액과 1.2g의 활성탄 분말(b-1)을 혼합시키고, 3단 롤러 EXAKT M50(EXAKT제)을 이용하여 혼련한 후에 DMEA를 6.5g 더 첨가하고 혼합하여 50g의 감광성 차광성 조성물을 얻었다. 네거티브형 감광성 차광성 조성물의 점도는 17,000mPa·s였다. 또한, 점도는 브룩필드형의 점도계를 이용하여 온도 25℃, 회전수 3rpm의 조건에서 측정한 값이다.
＜차광층의 형성＞
상기 투명 기판(a-1)의 편면에 상기 방법에 의해 얻어진 네거티브형 감광성 차광성 조성물을 스크린 인쇄에 의해 건조 후 막두께가 1㎛가 되도록 인쇄하고, 100℃에서 10분간 건조했다. 도 7에 나타내는 피치 300㎛의 메쉬 형상의 패턴을 갖는 노광 마스크를 통해서 노광 장치(PEM-6M; Union Optical Co., Ltd.제)를 이용하여 노광량 500mJ/㎠(파장 365㎚ 환산)으로 노광했다. 마스크 개구폭은 3㎛로 했다. 그 후, 0.2질량% 탄산나트륨 수용액에 의해 30초간 침지 현상을 행하고, 또한 초순수로 린스하고 나서 140℃의 IR 히터 로 내에서 30분간 가열하여 배선 전극 부착 기판을 얻었다. 차광층의 선폭을 광학 현미경으로 측정한 결과 4㎛였다. 도 7에 나타내는 시인성 및 도전성 평가용 패턴에 있어서 패드부(5)의 차광층의 파장 365㎚에 있어서의 투과율은 5%였다. 또한, 차광층의 투과율은 미소면 분광 색차계(VSS 400 : NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES CO., LTD.제)에 의해 측정했다.
＜포지티브형 감광성 도전성 조성물＞
100mL 크린 보틀에 20.0g의 제조예 4에 의해 얻어진 카르복실기 함유 아크릴계 공중합체(d-2), 6.0g의 제조예 3에 의해 얻어진 퀴논디아지드 화합물(c), 40.0g의 PMA를 넣고, "AWATORI RENTARO(등록상표)" ARE-310(THINKY CORPORATION제)을 이용해서 혼합하여 66.0g의 수지 용액을 얻었다. 66g의 얻어진 수지 용액과 평균 입자지름 0.2㎛의 Ag 분말 105g을 혼합하고, 3단 롤러(EXAKT M-50; EXAKT사제)를 이용하여 혼련하고, 161g의 포지티브형 감광성 도전성 조성물을 얻었다.
＜배선 전극의 형성＞
얻어진 차광층 부착 기판의 차광층 형성면에, 상기 방법에 의해 얻어진 포지티브형 감광성 도전성 조성물을 스크린 인쇄에 의해 건조 후의 막두께가 1.5㎛가 되도록 인쇄하고, 100℃에서 10분간 건조하여 포지티브형 감광성 도전성 조성물층 부착 기판을 얻었다. 얻어진 포지티브형 감광성 도전성 조성물층 부착 기판을 차광층을 마스크로 해서 투명 기판의 차광층 형성면의 반대면 측으로부터 노광량 500mJ/㎠(파장 365㎚ 환산)로 노광했다. 그 후, 0.2질량% 탄산나트륨 수용액에서 60초간 침지 현상을 행하고, 차광층에 대응하는 개소에 배선 전극을 형성했다. 또한, 140℃의 IR 히터 로 내에서 30분간 가열하여 배선 전극 부착 기판을 얻었다. 상술한 방법에 의해 평가한 결과를 표 2에 나타낸다.
(실시예 22~30)
투명 기판, 포지티브형 감광성 도전성 조성물의 조성, 차광층 중의 착색제 함유량, 차광층의 막두께, 차광층의 선폭을 표 2에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 21과 마찬가지의 방법에 의해 차광층, 배선 전극을 형성하고, 실시예 21과 마찬가지의 평가를 행했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
(실시예 31)
＜차광층의 형성＞
상기 투명 기판(a-1)의 편면에 실시예 1의 방법에 의해 얻어진 포지티브형 감광성 차광성 조성물을 스크린 인쇄에 의해 건조 후 막두께가 1㎛가 되도록 인쇄하고, 100℃에서 10분간 건조했다. 도 7에 나타내는 피치 300㎛의 메쉬 형상의 패턴을 갖는 노광 마스크를 통해서 노광 장치(PEM-6M; Union Optical Co., Ltd.제)를 이용하여 노광량 500mJ/㎠(파장 365㎚ 환산)으로 노광했다. 마스크 개구폭은 3㎛로 했다. 그 후, 0.2질량% 탄산나트륨 수용액에서 30초간 침지 현상을 행하고, 또한 초순수로 린스하고 나서 140℃의 IR 히터 로 내에서 30분간 가열하여 차광층 부착 기판을 얻었다. 차광층의 선폭을 광학 현미경으로 측정한 결과 4㎛였다. 도 7에 나타내는 시인성 및 도전성 평가용 패턴에 있어서 패드부(6)의 차광층의 파장 365㎚에 있어서의 투과율은 5%였다. 또한, 차광층의 투과율은 실시예 21과 마찬가지의 방법에 의해 측정했다.
＜배선 전극의 형성＞
실시예 21의 ＜배선 전극의 형성＞과 마찬가지의 방법에 의해 배선 전극을 형성하고, 실시예 21과 마찬가지의 평가를 행했다.
(실시예 32)
실시예 21의 ＜차광층의 형성＞과 마찬가지의 방법에 의해 차광층을 형성했다. 얻어진 차광층 부착 기판의 차광층 형성면과 반대면에, 실시예 1에 의해 얻어진 포지티브형 감광성 도전성 조성물을 스크린 인쇄에 의해 건조 후의 막두께가 1.5㎛가 되도록 인쇄하고, 100℃에서 10분간 건조하여 포지티브형 감광성 도전성 조성물층 부착 기판을 얻었다. 얻어진 포지티브형 감광성 도전성 조성물층 부착 기판을 차광층을 마스크로 해서 차광층 형성면 측으로부터 노광량 500mJ/㎠(파장 365㎚ 환산)으로 노광했다. 그 후, 0.2질량% 탄산나트륨 수용액에서 60초간 침지 현상을 행하고, 차광층에 대응하는 부위에 배선 전극을 형성했다. 또한, 140℃의 IR 히터 로 내에서 30분간 가열하여 배선 전극 부착 기판을 얻었다. 실시예 1과 마찬가지의 평가를 행한 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 33)
＜제 1 차광층 및 제 1 배선 전극의 형성＞
상기 투명 기판(a-1)의 편면에 실시예 21의 ＜차광층의 형성＞ 및 ＜배선 전극의 형성＞과 마찬가지의 방법에 의해, 제 1 차광층 및 제 1 배선 전극을 형성했다.
＜절연층의 형성＞
얻어진 배선 전극 부착 기판의 배선 전극 형성면에 제조예 5에 의해 얻어진 절연 페이스트(e)를 스크린 인쇄에 의해 건조 후의 막두께가 5㎛가 되도록 인쇄하고, 100℃에서 10분간 건조하고, 노광량 1000mJ/㎠(파장 365㎚ 환산)으로 노광하여 절연층을 형성했다.
＜제 2 차광층 및 제 2 배선 전극의 형성＞
얻어진 배선 전극 부착 기재의 절연층 형성면에 제 1 차광층 및 제 1 배선 전극의 형성과 마찬가지의 방법에 의해, 제 2 차광층 및 제 2 배선 전극을 형성하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 평가를 행했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
(비교예 11)
상기 투명 기판(a-1)의 편면에 실시예 21에 의해 얻어진 포지티브형 감광성 도전성 조성물을 스크린 인쇄에 의해 건조 후의 막두께가 1.5㎛가 되도록 인쇄하고, 100℃에서 10분간 건조하여 포지티브형 감광성 도전성 조성물층 부착 기판을 얻었다. 얻어진 포지티브형 감광성 도전성 조성물층 부착 기판을 도 6에서 나타내는 패턴을 갖는 노광 마스크를 이용하여, 투명 기판의 차광층 형성면 측으로부터 노광량 500mJ/㎠(파장 365㎚ 환산)로 노광했다. 그 후, 0.2질량% 탄산나트륨 수용액에서 60초간 침지 현상을 행하고, 140℃의 IR 히터 로 내에서 30분간 가열하여 배선 전극 부착 기판을 얻었다. 상술한 방법에 의해 평가한 결과를 표 2에 나타낸다.
(비교예 12)
비교예 1과 마찬가지의 방법에 의해 배선 전극 부착 기판을 얻었다. 비교예 3과 마찬가지의 방법에 의해 흑색화하고, 배선 전극 부착 기판을 형성했다. 실시예 1과 마찬가지의 평가를 실시했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure 112019075416311-pct00002
(산업상 이용 가능성)
본 발명의 배선 전극 부착 기판의 제조 방법을 이용함으로써, 미세 패턴을 갖고, 도전성이 우수하며, 불투명 배선 전극이 시인되기 어려운 배선 전극 부착 기판을 얻을 수 있어 외관이 양호한 터치 패널을 제공하는 것이 가능하다.
1 투명 기판 2 불투명 배선 전극
3 기능층 4 절연층
5 포지티브형 감광성 조성물 6 패드부
7 차광층 8 배선 전극
9 포지티브형 감광성 도전성 조성물

Claims (20)

  1. 투명 기판의 적어도 편면에 불투명 배선 전극을 형성하는 공정, 상기 투명 기판의 편면에 포지티브형 감광성 조성물을 도포하는 공정, 및 상기 불투명 배선 전극을 마스크로 해서 상기 포지티브형 감광성 조성물을 노광하고 현상함으로써, 불투명 배선 전극에 대응하는 부위에 기능층을 형성하는 공정을 갖고, 상기 포지티브형 감광성 조성물이 포지티브형 감광성 차광성 조성물이고, 상기 기능층이 차광층인 배선 전극 부착 기판의 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 포지티브형 감광성 조성물을 투명 기판의 불투명 배선 전극 형성면에 도포하고, 투명 기판의 불투명 배선 전극 형성면의 반대면 측으로부터 노광하는 배선 전극 부착 기판의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 투명 기판의 적어도 편면에 불투명 배선 전극을 형성하는 공정이 투명 기판의 편면에 제 1 불투명 배선 전극을 형성하는 공정, 상기 제 1 불투명 배선 전극 위에 절연층을 형성하는 공정, 및 상기 절연층 위에 제 2 불투명 배선 전극을 형성하는 공정을 갖고, 상기 기능층을 제 1 불투명 배선 전극 및 제 2 불투명 배선 전극에 대응하는 부위에 형성하는 배선 전극 부착 기판의 제조 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 불투명 배선 전극에 대응하는 부위에 기능층을 형성하는 공정 후에, 불투명 배선 전극 형성면에 절연층을 형성하는 공정, 상기 절연층 위에 제 2 불투명 배선 전극을 형성하는 공정, 포지티브형 감광성 조성물을 불투명 배선 전극 형성면에 도포하고, 투명 기판의 불투명 배선 전극 형성면의 반대면 측으로부터 노광하고 현상함으로써, 제 2 불투명 배선 전극에 대응하는 부위에 기능층을 형성하는 공정을 갖는 배선 전극 부착 기판의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 포지티브형 감광성 조성물을 투명 기판의 불투명 배선 전극 형성면의 반대면에 도포하고, 투명 기판의 불투명 배선 전극 형성면 측으로부터 노광하는 배선 전극 부착 기판의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    투명 기판의 양면에 불투명 배선 전극을 형성하고, 투명 기판의 포지티브형 감광성 조성물 도포면의 반대면 측으로부터 노광하는 배선 전극 부착 기판의 제조 방법.
  8. 제 1 항, 및 제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 불투명 배선 전극의 365㎚에 있어서의 투과율이 20% 이하인 배선 전극 부착 기판의 제조 방법.
  9. 제 1 항, 및 제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 불투명 배선 전극이 광중합 개시제 및 그 광분해물 중 어느 하나 이상을 함유하는 배선 전극 부착 기판의 제조 방법.
  10. 투명 기판의 편면에 차광층을 패턴 형성하는 공정, 상기 투명 기판의 편면에 포지티브형 감광성 도전성 조성물을 도포하는 공정, 및 상기 차광층을 마스크로 해서 상기 포지티브형 감광성 도전성 조성물을 노광하고 현상함으로써, 차광층에 대응하는 부위에 배선 전극을 형성하는 공정을 갖고, 상기 차광층이 네거티브형 또는 포지티브형 감광성 차광성 조성물의 경화물로 이루어지는 배선 전극 부착 기판의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 포지티브형 감광성 도전성 조성물을 투명 기판의 차광층 형성면에 도포하고, 투명 기판의 차광층 형성면의 반대면 측으로부터 노광하는 배선 전극 부착 기판의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 차광층에 대응하는 부위에 배선 전극을 형성하는 공정 후에, 배선 전극 형성면에 절연층을 형성하는 공정, 상기 절연층 위에 제 2 차광층을 형성하는 공정, 포지티브형 감광성 도전성 조성물을 차광층 형성면 측에 도포하고, 투명 기판의 차광층 형성면의 반대면 측으로부터 노광하고 현상함으로써, 제 2 차광층에 대응하는 부위에 배선 전극을 형성하는 공정을 갖는 배선 전극 부착 기판의 제조 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 포지티브형 감광성 도전성 조성물을 투명 기판의 차광층 형성면의 반대면에 도포하고, 투명 기판의 차광층 형성면 측으로부터 노광하는 배선 전극 부착 기판의 제조 방법.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 네거티브형 또는 포지티브형 감광성 차광성 조성물의 경화물이 착색제를 함유하는 네거티브형 또는 포지티브형 감광성 차광성 조성물의 광경화물로 이루어지는 배선 전극 부착 기판의 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 네거티브형 또는 포지티브형 감광성 차광성 조성물의 경화물이 광중합 개시제 및 그 광분해물 중 어느 하나 이상을 함유하는 배선 전극 부착 기판의 제조 방법.
  16. 제 1 항, 제 3 항 내지 제 7 항, 및 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 차광층의 550㎚에 있어서의 반사율이 25% 이하인 배선 전극 부착 기판의 제조 방법.
  17. 제 1 항, 제 3 항 내지 제 7 항, 및 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 배선 전극의 선폭이 1~10㎛인 배선 전극 부착 기판의 제조 방법.
  18. 제 1 항, 제 3 항 내지 제 7 항, 및 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 배선 전극 부착 기판이 터치 패널용 부재인 배선 전극 부착 기판의 제조 방법.
  19. 삭제
  20. 삭제
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