KR20160062002A - 감광성 차광 페이스트 및 터치 센서용 적층 패턴의 제조 방법 - Google Patents

감광성 차광 페이스트 및 터치 센서용 적층 패턴의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160062002A
KR20160062002A KR1020167007344A KR20167007344A KR20160062002A KR 20160062002 A KR20160062002 A KR 20160062002A KR 1020167007344 A KR1020167007344 A KR 1020167007344A KR 20167007344 A KR20167007344 A KR 20167007344A KR 20160062002 A KR20160062002 A KR 20160062002A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
photosensitive
shielding
organic compound
coating film
Prior art date
Application number
KR1020167007344A
Other languages
English (en)
Inventor
미하루 타나베
카즈타카 쿠사노
아키히코 타나카
Original Assignee
도레이 카부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도레이 카부시키가이샤 filed Critical 도레이 카부시키가이샤
Publication of KR20160062002A publication Critical patent/KR20160062002A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/105—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having substances, e.g. indicators, for forming visible images
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 ITO의 대체로서 기능하고, 검출 전극의 전극 보임이나 광반사라는 문제를 수반하는 일 없는 차광층과 도전층으로 이루어지는 미세한 적층 패턴을 형성하기 위한 감광성 차광 페이스트를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 안료, 감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물을 함유하는 감광성 차광 페이스트이며, 전체 고형분에 차지하는 상기 안료의 비율이 5~50질량%인 감광성 차광 페이스트를 제공한다.

Description

감광성 차광 페이스트 및 터치 센서용 적층 패턴의 제조 방법{PHOTOSENSITIVE LIGHT-SHIELDING PASTE AND PROCESS FOR PRODUCING LAMINATED PATTERN FOR TOUCH SENSOR}
본 발명은 감광성 차광 페이스트 및 터치 센서용 적층 패턴의 제조 방법에 관한 것이다.
휴대 전화나 휴대 정보 단말(PDA) 등의 기기에 장착되는 경우가 많은 터치 패널은 대별해서 액정 패널과 같은 표시 장치와, 터치 센서와 같은 위치 입력 장치로 이루어진다. 그리고 터치 센서는 상기 표시 장치가 주로 표시부에 형성된 검출 전극과, 상기 표시부의 주변에 배치된 도전 배선으로 구성된다. 검출 전극으로서는 표시부의 시인성을 저해하지 않도록 투명도가 높은 산화인듐주석(이하, 「ITO」)이 폭넓게 사용되고 있다.
그러나, ITO의 원료가 되는 인듐은 고가인 희토류 금속이며, 그 공급은 불안정하다. 또한, 도전성이 비교적 낮은 점에서 전자 칠판 등에 장착되는 대형의 터치 패널의 검출 전극으로서 사용하기 위해서는 도전성이 지나치게 낮다는 문제도 안는 것이었다. 이와 같은 사정으로부터 ITO의 대체 물질의 탐색이 진척되고 있고, 예를 들면 귀금속을 사용한 재료(특허문헌 1) 등이 개발되어 있다.
일본 특허공개 2013-924호 공보
귀금속을 사용한 재료를 터치 패널에 적용했을 경우에는 검출 전극의 패턴이 보여 버리는 소위 전극 보임이나 광반사에 의해 표시부의 시인성이 저하되어 버린다.
그래서 본 발명은 ITO의 대체로서 사용할 수 있는 검출 전극의 전극 보임이나 광반사라는 문제를 수반하는 일이 없는 차광층과 도전층으로 이루어지는 미세한 적층 패턴을 형성하기 위한 감광성 차광 페이스트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명은 이하의 (1)~(8)에 기재한 감광성 차광 페이스트, 터치 센서용 적층 패턴의 제조 방법, 터치 센서 및 터치 패널을 제공한다.
(1) 안료, 감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물을 함유하는 감광성 차광 페이스트이며, 전체 고형분에 차지하는 상기 안료의 비율이 5~50질량%인 감광성 차광 페이스트.
(2) 상기 (1)에 있어서, 상기 안료는 크롬, 철, 코발트, 루테늄, 망간, 팔라듐, 구리, 니켈, 마그네슘 및 티탄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속의 산화물 또는 카본 블랙인 감광성 차광 페이스트.
(3) 상기 (1) 또는 (2)에 있어서, 상기 감광성 유기 화합물 및/또는 열경화성 화합물은 비스페놀A 골격, 비스페놀F 골격, 비페닐 골격 및 수첨 비스페놀A 골격으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 골격을 갖는 감광성 차광 페이스트.
(4) (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 있어서, 상기 감광성 유기 화합물은 카르복실기를 갖는 상기 감광성 차광 페이스트.
(5) 안료, 감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물을 함유하는 감광성 차광 페이스트를 기판 상에 도포해서 차광 도포막을 얻는 제 1 도포 공정과, 도전성 분말, 감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물을 함유하는 감광성 도전 페이스트를 상기 차광 도포막 상에 도포해서 도전 도포막을 얻는 제 2 도포 공정과, 상기 차광 도포막 및 상기 도전 도포막을 일괄해서 노광 및 현상하고, 또한 100~300℃에서 가열 또는 제논 플래시 램프의 광을 조사해서 차광층과 도전층으로 이루어지는 적층 패턴을 얻는 적층 패턴 형성 공정을 구비하는 터치 센서용 적층 패턴의 제조 방법.
(6) 상기 (5)에 있어서, 상기 적층 패턴의 선 폭이 2~9㎛인 터치 센서용 적층 패턴의 제조 방법.
(7) 상기 (5) 또는 (6)에 기재된 제조 방법에 의해 얻어진 터치 센서용 적층 패턴을 구비하는 터치 센서.
(8) 상기 (7)에 기재된 터치 센서를 구비하는 터치 패널.
(발명의 효과)
본 발명의 감광성 차광 페이스트에 의하면 ITO의 대체로서 사용할 수 있는 검출 전극의 전극 보임이나 광반사라는 문제를 수반하는 일이 없는 차광층과 도전층으로 이루어지는 미세한 적층 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명의 감광성 차광 페이스트는 안료, 감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물을 함유하는 감광성 차광 페이스트이며, 전체 고형분에 차지하는 상기 안료의 비율이 5~50질량%인 것을 특징으로 한다. 여기에서 전체 고형분이란 용제를 제외하는 감광성 차광 페이스트의 전체 구성 성분을 말한다.
본 발명의 감광성 차광 페이스트가 함유하는 감광성 유기 화합물이란 불포화 2중 결합을 갖는 모노머, 올리고머 또는 폴리머를 말한다. 불포화 2중 결합을 갖는 모노머로서는, 예를 들면 아크릴계 모노머를 들 수 있다. 아크릴계 모노머로서는, 예를 들면 메틸아크릴레이트, 아크릴산, 아크릴산 2-에틸헥실, 메타크릴산 에틸, n-부틸아크릴레이트, iso-부틸아크릴레이트, iso-프로판아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, N-메톡시메틸아크릴아미드, N-에톡시메틸아크릴아미드, N-n-부톡시메틸아크릴아미드, N-이소부톡시메틸아크릴아미드, 부톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 이소덱실아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 메톡시에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 트리플루오로에틸아크릴레이트, 아크릴아미드, 아미노에틸아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 1-나프틸아크릴레이트, 2-나프틸아크릴레이트, 티오페놀아크릴레이트 또는 벤질메르캅탄아크릴레이트 등의 아크릴계 모노머, 스티렌, p-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, α-메틸스티렌, 클로로메틸스티렌 또는 히드록시메틸스티렌 등의 스티렌류, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 1-비닐-2-피롤리돈, 알릴화 시클로헥실디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디메틸올프로판테트라아크릴레이트, 글리세롤디아크릴레이트, 메톡시화 시클로헥실디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 트리글리세롤디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 에폭시기를 불포화산에 의해 개환시켜서 생성된 수산기를 갖는 에틸렌글리콜디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 글리세린디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 비스페놀A디글리시딜에테르의 아크릴산 부가물, 비스페놀F의 아크릴산 부가물 또는 크레졸노볼락의 아크릴산 부가물 등의 에폭시아크릴레이트모노머 또는 상기 아크릴계 모노머의 아크릴기를 메타크릴기로 치환한 화합물을 들 수 있다. 또한, 시판된 각종 에폭시아크릴레이트로서, 예를 들면 에폭시에스테르 40EM, 70PA, 80MFA 또는 3002M 등(이상, 모두 kyoeisha Chemical Co., Ltd.제), CN 104 또는 CN 121 등(이상, 모두 sartomer company제), EBECRYL 3702 또는 EBECRYL 3700 또는 EBECRYL 600 등(이상, 모두 Daicel-Cytec Co., Ltd.제)을 들 수 있다.
불포화 2중 결합을 갖는 올리고머나 폴리머로서는, 예를 들면 아크릴계 공중합체의 올리고머나 폴리머를 들 수 있다. 아크릴계 공중합체란 공중합 성분에 아크릴계 모노머를 포함하는 공중합체를 말한다.
감광성 유기 화합물은 카르복실기를 갖는 것이 바람직하다. 카르복실기를 갖는 아크릴계 공중합체나 올리고머는 모노머로서 불포화 카르복실산 등의 불포화산을 사용함으로써 얻어진다. 불포화산으로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 말레산, 푸말산 또는 아세트산 비닐 또는 이들의 산무수물을 들 수 있다. 사용하는 불포화산의 다소에 따라 얻어지는 아크릴계 공중합체의 산가를 조정할 수 있다.
또한, 상기 아크릴계 공중합체가 갖는 카르복실기와, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등의 불포화 2중 결합을 갖는 화합물을 반응시킴으로써 측쇄에 반응성의 불포화 2중 결합을 갖는 알칼리 가용성의 아크릴계 공중합체가 얻어진다.
감광성 유기 화합물의 산가는 감광성 유기 화합물의 알칼리 가용성을 지적인 것으로 하기 때문에 40~250㎎KOH/g인 것이 바람직하다. 산가가 40㎎KOH/g 미만이면 가용 부분의 용해성이 저하된다. 한편, 산가가 250㎎KOH/g을 초과하면 현상 허용 폭이 좁아진다. 또한, 산가는 JIS K 0070:1992에 준거해서 측정할 수 있다.
본 발명의 감광성 차광 페이스트가 함유하는 열경화성 화합물이란 에폭시기를 갖는 모노머, 올리고머 또는 폴리머를 말한다. 또한, 1분자 중에 에폭시기와 불포화 2중 결합의 양쪽을 갖는 것은 감광성 유기 화합물로 분류하는 것으로 한다.
에폭시기를 갖는 폴리머로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜 변성 에폭시 수지, 비스페놀A형 에폭시 수지, 브롬화 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에테르형 에폭시 수지 또는 복소환식 에폭시 수지를 들 수 있다.
열경화성 화합물의 첨가량은 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대해서 1~100질량부인 것이 바람직하고, 10~80질량부인 것이 보다 바람직하고, 30~80질량부인 것이 더 바람직하다. 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대한 첨가량이 1질량부 이상이면 밀착성이 향상된다. 한편, 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대한 첨가량이 100질량부 이하이면 도포막 상태에서의 안정성이 높은 감광성 차광 페이스트를 얻을 수 있다.
본 발명의 감광성 차광 페이스트가 함유하는 감광성 유기 화합물 및/또는 열경화성 화합물은 비스페놀A 골격, 비스페놀F 골격, 비페닐 골격 및 지환식 골격으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 골격을 갖는 것이 바람직하다. 감광성 유기 화합물 및/또는 열경화성 화합물은 이러한 골격을 가짐으로써 가열시에 차광 도포막 및 도전 도포막의 형상을 유지할 수 있다. 그 중에서도 지환식 골격을 갖는 것이 바람직하고, 시클로헥산 골격을 갖는 것이 보다 바람직하다. 여기에서 지환식 구조란 탄소 원자가 환상으로 결합한 구조 중 방향족환을 제외한 것을 말한다. 지환식 구조로서는, 예를 들면 시클로프로판 골격, 시클로부탄 골격, 시클로펜탄 골격, 시클로헥산 골격, 시클로부텐 골격, 시클로펜텐 골격, 시클로헥센 골격, 시클로프로핀 골격, 시클로부틴 골격, 시클로펜틴 골격, 시클로헥신 골격 또는 수첨 비스페놀 골격을 들 수 있다. 이들 골격을 갖는 감광성 유기 화합물 또는 열경화성 화합물의 그 자체 또는 합성에 사용하는 화합물로서는, 예를 들면 수첨 비스페놀A, 1,1-시클로부탄디카르복실산, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산, 4,4-디아미노-디시클로헥실메탄, 이소포론디아민, 디시클로헥실메탄4,4'-디이소시아네이트, 트랜스-4-메틸시클로헥실이소시아네이트, TAKENATE 600(1,3-비스(이소시아네이트메틸)시클로헥산)(Mitsui Chemicals, Inc.제), 디이소시안산 이소포론, 1,2-에폭시시클로헥산, 1-비닐-3,4-에폭시시클로헥산, RIKARESIN DME-100(1,4-시클로헥산디메탄올디글리시딜에테르)(New Japan Chemical Co., Ltd.제), RIKARESIN HBE-100(4,4'-이소프로필리덴디시클로헥산올과 (클로로메틸)옥실란의 폴리머)(Japan Chemical Co., Ltd.제), ST-4000D(수첨 비스페놀A를 주성분으로 하는 에폭시 수지; Nippon Steel Chemical Co., Ltd.제), 1,2:5,6-디에폭시시클로옥탄, 수첨 비스페놀A의 PO부가물 디아크릴레이트, 수첨 비스페놀A의 EO 부가물 디메타크릴레이트, 수첨 비스페놀A의 PO 부가물 디메타크릴레이트, 2-아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산, 디메틸올-트리시클로데칸디아크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 시클로헥실메타크릴레이트, tert-부틸시클로헥실아크릴레이트, tert-부틸시클로헥실메타크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸메타크릴레이트 또는 디시클로펜타닐메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 그 중에서도 수첨 비스페놀A 골격을 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 감광성 차광 페이스트가 함유하는 안료란 가시 영역에 흡수를 갖는 유색의 분말을 말한다. 안료는 차광성에 영향을 주는 분말의 색, 입자 지름, 분산 상태 및 표면 거칠기 등의 최적화가 용이한 점에서 가시 영역에 흡수를 갖는 무기 화합물의 분말이 바람직하다. 여기에서 무기 화합물이란 탄소 이외의 원소로 구성되는 화합물 및 단순한 일부의 탄소 화합물을 말한다. 단순한 일부의 탄소 화합물로서는, 예를 들면 그래파이트 또는 다이아몬드 등의 탄소의 동소체, 탄산 칼슘 등의 금속 탄산염 또는 금속 탄화물 등의 염을 들 수 있다. 안료로서 사용할 수 있는 가시 영역에 흡수를 갖는 무기 화합물로서는, 예를 들면 금속 산화물, 카본 블랙이나 아세틸렌 블랙, 케첸 블랙, 티탄 블랙, 카본 위스커 또는 카본 나노 튜브 등을 들 수 있지만, 크롬, 철, 코발트, 루테늄, 망간, 팔라듐, 구리, 니켈, 마그네슘 및 티탄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속의 산화물 또는 카본 블랙의 분말이 바람직하다. 상기 금속의 산화물이나 카본 블랙은 단독으로 사용해도 상관없고, 혼합 산화물이나 혼합 분말로서 사용해도 상관없다. 이와 같은 안료로서는, 예를 들면 사산화삼코발트(Co3O4), 루테늄 산화물(RuO2), Cr2O3-CuO-Co3O4 또는 CuO-Cr2O3-Mn2O3 또는 이들 혼합 분말을 들 수 있다. 또한, 상기 금속 산화물로 다른 금속 분말 또는 수지 분말을 피복한 것을 사용해도 상관없다.
안료의 체적 평균 입자 지름은 안료를 페이스트 중에 균일하게 분산한 상태에서 차광성을 확보하면서 미세 패터닝을 달성하기 위하여 이하의 조건을 만족시키는 것이 바람직하다. 안료의 체적 평균 입자 지름이 0.03㎛ 미만이면 차광성이 불충분해지는 경우가 있는 점에서 0.03㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.05㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 한편, 안료의 체적 평균 입자 지름이 2㎛를 초과하면 본 발명의 감광성 차광 페이스트의 도포막의 표면 평활도가 낮아지고, 또한 그 도포막을 노광할 때 노광 광이 도포막을 투과하기 어려워져서 미세 패터닝이 곤란해질 경우가 있는 점에서 2㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 체적 평균 입자 지름은 동적 광산란법에 의해 측정할 수 있다.
안료의 첨가량은 감광성 차광 페이스트 중의 전체 고형분에 대해서 5~50질량%가 바람직하다. 전체 고형분에 대한 첨가량이 5질량% 이상이면 치밀하며 차광성이 높은 도포막을 얻을 수 있다. 한편, 전체 고형분에 대한 첨가량이 50질량%를 초과하면 노광 광이 도포막을 투과하기 어려워져서 미세 패터닝이 곤란해질 뿐만 아니라 현상시에 패턴이 박리되기 쉬워질 경우가 있다.
본 발명의 감광성 차광 페이스트는 필요에 따라서 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 여기에서 광중합 개시제란 자외선 등의 단파장의 광을 흡수해서 분해하거나 또는 수소 인발 반응을 일으켜서 라디칼을 발생시키는 화합물을 말한다. 광중합 개시제로서는, 예를 들면 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥시드, 에탄온, 1-[9-에틸-6-2(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 벤조페논, o-벤조일벤조산 메틸, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐케톤, 디벤질케톤, 플루오레논, 2,2'-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, p-t-부틸디클로로아세토페논, 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 벤질, 벤질디메틸케탈, 벤질-β-메톡시에틸아세탈, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인부틸에테르, 안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논, β-클로로안트라퀴논, 안트론, 벤즈안트론, 디벤조수베론, 메틸렌안트론, 4-아지드벤잘아세토페논, 2,6-비스(p-아지드벤질리덴)시클로헥산온, 6-비스(p-아지드벤질리덴)-4-메틸시클로헥산온, 1-페닐-1,2-부탄디온-2-(o-메톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(o-벤조일)옥심, 1,3-디페닐-프로판트리온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-3-에톡시-프로판트리온-2-(o-벤조일)옥심, 미힐러케톤, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로판온, 나프탈렌술포닐클로라이드, 퀴놀린술포닐클로라이드, N-페닐티오아크리돈, 4,4'-아조비스이소부티로니트릴, 디페닐디술피드, 벤즈티아졸디술피드, 트리페닐포스핀, 캠퍼퀴논, 2,4-디에틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 사브롬화탄소, 트리브로모페닐술폰, 과산화벤조인, 에오신 또는 메틸렌블루 등의 광환원성 색소와, 아스코르브산 또는 트리에탄올아민 등의 환원제의 조합을 들 수 있다.
광중합 개시제의 첨가량은 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대해서 0.05~30질량부가 바람직하고, 5~20질량부가 보다 바람직하다. 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대한 첨가량이 0.05질량부 이상이면 감광성 차광 페이스트를 노광한 부분의 경화 밀도가 높아지고, 현상 후의 잔막률이 높아진다. 한편, 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대한 광중합 개시제의 첨가량이 30질량부 이하이면 감광성 차광 페이스트를 도포해서 얻어지는 도포막 상부에서의 과잉의 광 흡수가 억제된다. 그 결과, 형성된 패턴이 역 테이퍼형상이 되는 것에 의한 기판과의 밀착성 저하가 억제된다.
본 발명의 감광성 차광 페이스트는 광중합 개시제와 함께 증감제를 함유해도 상관없다.
증감제로서는, 예를 들면 2,4-디에틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,3-비스(4-디에틸아미노벤잘)시클로펜탄온, 2,6-비스(4-디메틸아미노벤잘)시클로헥산온, 2,6-비스(4-디메틸아미노벤잘)-4-메틸시클로헥산온, 미힐러케톤, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4-비스(디메틸아미노)칼콘, 4,4-비스(디에틸아미노)칼콘, p-디메틸아미노신나밀리덴인다논, p-디메틸아미노벤질리덴인다논, 2-(p-디메틸아미노페닐비닐렌)이소나프토티아졸, 1,3-비스(4-디메틸아미노페닐비닐렌)이소나프토티아졸, 1,3-비스(4-디메틸아미노벤잘)아세톤, 1,3-카르보닐비스(4-디에틸아미노벤잘)아세톤, 3,3-카르보닐비스(7-디에틸아미노쿠마린), N-페닐-N-에틸에탄올아민, N-페닐에탄올아민, N-톨릴디에탄올아민, 디메틸아미노벤조산 이소아밀, 디에틸아미노벤조산 이소아밀, 3-페닐-5-벤조일티오테트라졸 또는 1-페닐-5-에톡시카르보닐티오테트라졸을 들 수 있다.
증감제의 첨가량은 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대해서 0.05~10질량부가 바람직하고, 0.1~10질량부가 보다 바람직하다. 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대한 첨가량이 0.05질량부 이상이면 광 감도가 향상된다. 한편, 감광성 유기성분의 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대한 첨가량이 10질량부 이하이면 감광성 차광 페이스트를 도포해서 얻어지는 도포막 상부에서의 과잉의 광 흡수가 억제된다. 그 결과, 형성된 패턴이 역 테이퍼형상이 되는 것에 의한 기판과의 밀착성 저하가 억제된다.
본 발명의 감광성 차광 페이스트는 카르복실산 또는 그 산무수물을 함유해도 상관없다. 카르복실산으로서는, 예를 들면 아세트산, 프로피온산, 숙신산, 말레산, 프탈산, 1,2,3,6-테트라히드로프탈산, 3,4,5,6-테트라히드로프탈산, 헥사히드로프탈산, 4-메틸헥사히드로프탈산, 메틸비시클로[2.2,1]헵탄-2,3-디카르복실산, 에틸렌글리콜비스안히드로트리멜리테이트, 글리세린비스안히드로트리멜리테이트모노아세테이트, 테트라프로페닐숙신산, 옥테닐숙신산, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산, 1,3,3a,4,5,9b-헥사히드로-5(테트라히드로-2,5-디옥소-3-플라닐)나프토[1,2-c]푸란-1,3-디온, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산, 시클로헥산-1,2,3,4-테트라카르복실산, FLOWLEN G-700(Kyoeisha Chemical Co., Ltd.제), FLOWLEN G-900(Kyoeisha Chemical Co., Ltd.제), BYK-P105(BYK Japan KK.제), KD-4(Croda Japan KK.제), KD-8(Croda Japan KK.제), KD-9(Croda Japan KK.제), KD-12(Croda Japan KK.제), KD-15(Croda Japan KK.제), JP-57(Croda Japan KK.제) 또는 PA-111(Ajinomoto Fine-Techno Co.,Inc.제)을 들 수 있다. 카르복실산의 산무수물로서는, 예를 들면 무수 아세트산, 무수 프로피온산, 무수 숙신산, 무수 말레산, 무수 프탈산, 1,2,3,6-테트라히드로 무수 프탈산, 3,4,5,6-테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 4-메틸헥사히드로 무수 프탈산, 메틸비시클로[2.2,1]헵탄-2,3-디카르복실산 무수물, 에틸렌글리콜비스안히드로트리멜리테이트, 글리세린비스안히드로트리멜리테이트모노아세테이트, 테트라프로페페닐 무수 숙신산, 옥테닐숙신산 무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사히드로-5(테트라히드로-2,5-디옥소-3-플라닐)나프토[1,2-c]푸란-1,3-디온, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 2무수물 또는 시클로헥산-1,2,3,4-테트라카르복실산 3,4무수물을 들 수 있다.
카르복실산 또는 그 산무수물의 첨가량은 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대해서 0.5~30질량부가 바람직하고, 1~20질량부가 보다 바람직하다. 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대한 카르복실산 또는 그 산무수물의 첨가량이 0.5질량부이상이면 현상액으로의 친화성이 높아져 양호한 패터닝이 가능해진다. 한편, 100질량부의 감광성 유기 화합물에 대한 카르복실산 또는 산무수물의 첨가량이 30질량부 이하이면 현상 마진이나 고온 고습도 하에 있어서의 밀착성이 향상된다.
본 발명의 감광성 차광 페이스트는 그 점도를 조제하기 위해서 용제를 함유해도 상관없다. 용제를 함유하면 페이스트의 점도를 조정할 수 있는 점에서 바람직하다. 용제로서는, 예를 들면 N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸이미다졸리디논, 디메틸술폭시드, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(이하, 「DMEA」), 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤, 락트산 에틸, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올, 에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디아세톤알코올, 테트라히드로푸르푸릴알코올 또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 들 수 있다. 본 발명의 감광성 차광 페이스트는 그 소망의 특성을 손상하지 않는 범위이면 가소제, 레벨링제, 계면 활성제, 실란 커플링제, 소포제 또는 안정제 등을 함유해도 상관없다.
가소제로서는, 예를 들면 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜 또는 글리세린을 들 수 있다.
레벨링제로서는, 예를 들면 특수 비닐계 중합물 또는 특수 아크릴계 중합물을 들 수 있다.
실란 커플링제로서는, 예를 들면 메틸트리메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 헥사메틸디실라잔, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 또는 비닐트리메톡시실란을 들 수 있다.
안정제로서는, 예를 들면 벤조트리아졸 유도체, 벤조페논 유도체, 살리실산유도체, 시아노아크릴레이트 유도체, 티누빈 109, 티누빈 234, 티누빈 328, 티누빈 329, 티누빈 384-2 또는 티누빈 571(이상, 모두 NAGASE & CO., LTD.제), EVERSORB 75, EVERSORB 76, EVERSORB 81, EVERSORB 109 또는 EVERSORB 234(이상, 모두 SORT CO., LTD.제), ADEKASTAB LA-38(ADEKA CORPORATION제), Sumisorb 130, Sumisorb 250, Sumisorb 340 또는 Sumisorb 350(이상, 모두 Sumika Chemtex Co., Ltd.제), 1~3급의 아미노기를 갖는 화합물을 들 수 있다. 1~3급의 아미노기를 갖는 화합물로서는, 예를 들면 N-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)-4-메틸피페라진히드로클로라이드, 6-아미노-1-메틸우라실, 폴리에틸렌이민 또는 옥타데실이소시아네이트 변성 폴리에틸렌이민, 프로필렌옥시드 변성 에폴리에틸렌이민을 들 수 있다.
본 발명의 감광성 차광 페이스트는, 예를 들면 3개 롤러, 볼 밀 또는 유성식 볼 밀 등의 분산기 또는 혼련기를 사용해서 제조된다.
본 발명의 터치 센서용 적층 패턴의 제조 방법은 안료, 감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물을 함유하는 감광성 차광 페이스트를 기판 상에 도포해서 차광 도포막을 얻는 제 1 도포 공정과, 도전성 분말, 감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물을 함유하는 감광성 도전 페이스트를 상기 차광 도포막 상에 도포해서 도전 도포막을 얻는 제 2 도포 공정과, 상기 차광 도포막 및 상기 도전 도포막을 일괄해서 노광 및 현상하고, 또한 100~300℃에서 가열 또는 제논 플래시 램프의 광을 조사해서 차광층과 도전층으로 이루어지는 적층 패턴을 얻는 적층 패턴 형성 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
제 1 도포 공정에서 사용하는 감광성 차광 페이스트는 안료, 감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물을 함유하지만, 그 중에서도 안료로서 크롬, 철, 코발트, 루테늄, 망간, 팔라듐, 구리, 니켈, 마그네슘 및 티탄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속의 산화물 또는 카본 블랙을 함유하는 것이 바람직하다.
제 1 도포 공정에서 사용하는 기판으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(이하, 「PET 필름」), 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 아라미드 필름, 에폭시 수지 기판, 폴리에테르이미드 수지 기판, 폴리에테르케톤 수지 기판, 폴리술폰계 수지 기판, 유리 기판, 실리콘 웨이퍼, 알루미나 기판, 질화알루미늄 기판, 탄화규소 기판, 가식층 형성 기판 또는 절연층 형성 기판을 들 수 있다.
감광성 차광 페이스트를 기판 상에 도포하는 방법으로서는, 예를 들면 스피너를 사용한 회전 도포, 스프레이 도포, 롤 코팅, 스크린 인쇄 또는 블레이드 코터, 다이 코터, 캘린더 코터, 메니스커스 코터 또는 바 코터를 사용한 도포를 들 수 있다. 얻어지는 차광 도포막의 막 두께는 도포의 방법 또는 감광성 차광 페이스트의 전체 고형분 농도 또는 점도 등에 따라 적당하게 결정하면 좋지만, 건조 후의 막 두께가 0.1~10㎛가 되는 막 두께인 것이 바람직하다. 또한, 막 두께는, 예를 들면 surfcom(등록상표) 1400(TOKYO SEIMITSU CO., LTD.제)과 같은 촉침식 단차계를 사용해서 측정할 수 있다. 보다 구체적으로는 랜덤한 3개의 위치의 막 두께를 촉침식 단차계(측장: 1㎜, 주사 속도: 0.3㎜/sec)로 각각 측정하고, 그 평균값을 막 두께로 한다.
얻어진 차광 도포막을 제 2 도포 공정에 제공하기 전에 차광 도포막을 건조해서 용제를 휘발 제거해두는 것이 바람직하다. 용제를 휘발 제거하는 방법으로서는, 예를 들면 오븐 또는 핫 플레이트 등의 전도에 의한 가열 건조, 자외선 램프, 적외선 히터 또는 할로겐 히터 등의 전자파 또는 마이크로파에 의한 가열 건조 또는 진공 건조를 들 수 있다. 가열 온도는 50~120℃가 바람직하고, 가열 시간은 1분~수시간이 바람직하다.
제 2 도포 공정에서 사용하는 감광성 도전 페이스트는 도전성 분말, 감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물을 함유한다. 감광성 도전 페이스트가 함유하는 감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물은 각각 감광성 차광 페이스트가 함유하는 감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물 유기 화합물과 동일한 것이 바람직하다. 감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물이 각각 동일함으로써 후공정에서 얻어지는 차광층과 도전층으로 이루어지는 적층 패턴을 가열할 때에 차광층과 도전층의 열 수축률이 같은 정도가 되어 패턴의 변형이나 층간의 박리 등을 억제할 수 있다.
감광성 도전 페이스트가 함유하는 도전성 분말로서는 은, 금, 구리, 백금, 납, 주석, 니켈, 알루미늄, 텅스텐, 몰리브덴, 산화루테늄, 크롬 또는 티탄의 분말 또는 이들 금속의 합금의 분말, 이들 분말의 혼합 분말 또는 이들 금속으로 표면을 피복한 분말을 들 수 있지만, 도전성의 관점으로부터 은, 구리 또는 금이 바람직하고, 비용 및 안정성의 관점으로부터 은이 보다 바람직하다.
도전성 분말의 체적 평균 입자 지름은 미세한 패터닝을 가능하게 하기 위해서 0.05~2㎛가 바람직하고, 0.05~1㎛가 보다 바람직하다. 도전성 분말의 체적 평균 입자 지름이 2㎛를 초과하면 노광 광이 도포막을 투과하기 어려워져서 미세 패터닝이 곤란해지는 경우가 있다. 또한, 도전성 분말의 체적 평균 입자 지름은 안료와 마찬가지로 동적 광산란법에 의해 측정할 수 있다.
도전성 분말의 첨가량으로서는 감광성 도전 페이스트 중의 전체 고형분에 대해서 60~95질량%가 바람직하다. 전체 고형분에 대한 첨가량이 60질량% 이상이면 얻어지는 도전층의 비저항값 및 단선 확률을 저감할 수 있다. 한편, 전체 고형분에 대한 첨가량이 95질량%를 초과하면 노광 광이 도포막을 투과하기 어려워져서 미세 패터닝이 곤란해지는 경우가 있다. 또한, 여기에서 말하는 고형분의 정의는 감광성 차광 페이스트의 경우와 같다.
감광성 도전 페이스트는 본 발명의 감광성 차광 페이스트와 마찬가지로 광중합 개시제, 증감제, 카르복실산 또는 그 산 무수물, 가소제, 레벨링제, 계면 활성제, 실란 커플링제, 소포제 또는 안정제 등의 첨가제 또는 용제를 함유해도 상관없다.
차광 도포막 상에 감광성 도전 페이스트를 도포하는 방법으로서는 감광성 차광 페이스트를 기판 상에 도포하는 방법과 마찬가지의 방법을 들 수 있다. 얻어지는 도전 도포막의 막 두께는 도포의 방법 또는 감광성 도전 페이스트의 전체 고형분 농도 또는 점도 등에 따라 적당히 결정하면 좋지만, 건조 후의 막 두께가 0.1~10㎛의 범위 내가 되는 막 두께인 것이 바람직하다.
얻어진 도전 도포막을 적층 패턴 형성 공정에 제공하기 전에 도전 도포막을 건조해서 용제를 휘발 제거해두는 것이 바람직하다. 용제를 휘발 제거하는 방법으로서는 차광 도포막과 마찬가지의 방법을 들 수 있다
적층 패턴 형성 공정에 있어서는 적층한 차광 도포막 및 도전 도포막을 포토리소그래피법에 의해 가공한다. 즉, 적층 패턴 형성 공정에 있어서는 적층한 차광 도포막 및 도전 도포막을 일괄해서 노광 및 현상하고, 또한 100~300℃에서 가열 또는 제논 플래시 램프의 광을 조사해서 차광층과 도전층으로 이루어지는 적층 패턴을 형성한다.
노광을 행할 때의 광원으로서는 수은등의 i선(365nm), h선(405nm) 또는 g선(436nm)이 바람직하다. 또한, 노광을 행할 때의 광원을 제논 플래시 램프로 해도 상관없다.
일괄해서 노광된 차광 도포막 및 도전 도포막을 현상액을 사용해서 일괄해서 현상하고, 각각의 미노광부를 용해 제거함으로써 소망의 패턴이 형성된다. 알칼리 현상을 행할 경우의 현상액으로서는, 예를 들면 수산화테트라메틸암모늄, 디에탄올아민, 디에틸아미노에탄올, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산 나트륨, 탄산 칼륨, 트리에틸아민, 디에틸아민, 메틸아민, 디메틸아민, 아세트산 디메틸아미노에틸, 디메틸아미노에탄올, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 시클로헥실아민, 에틸렌디아민 또는 헥사메틸렌디아민의 수용액을 들 수 있지만, 이들 수용액 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드 또는 γ-부티로락톤 등의 극성 용매, 메탄올, 에탄올 또는 이소프로판올 등의 알코올류, 락트산 에틸 또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류, 시클로펜탄온, 시클로헥산온, 이소부틸케톤 또는 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류 및/또는 계면 활성제를 첨가해도 상관없다. 유기 현상을 행할 경우의 현상액으로서는, 예를 들면 N-메틸-2-피롤리돈, N-아세틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드, 헥사메틸포스포르트리아미드 등의 극성 용매 또는 이들 극성 용매와 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, 크실렌, 물, 메틸카르비톨 또는 에틸카르비톨의 혼합 용액을 들 수 있다.
현상의 방법으로서는, 예를 들면 기판을 정치 또는 회전시키면서 현상액을 도포막면에 스프레이하는 방법, 기판을 현상액 중에 침지하는 방법 또는 기판을 현상액 중에 침지하면서 초음파를 가하는 방법을 들 수 있다.
현상에 의해 얻어진 패턴은 린스액에 의한 린스 처리를 실시해도 상관없다. 여기에서 린스액으로서는, 예를 들면 물 또는 물에 에탄올 또는 이소프로필알코올 등의 알코올류 또는 락트산 에틸 또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류를 첨가한 수용액을 들 수 있다.
얻어진 차광막 및 도전막의 적층을 100~300℃에서 가열 또는 제논 플래시 램프의 광을 조사함으로써 차광층과 도전층으로 이루어지는 적층 패턴이 형성된다. 100~300℃에서 가열 또는 제논 플래시 램프의 광을 조사함으로써 형성되는 적층 패턴의 경도가 높아져 다른 부재와의 접촉에 의한 결함이나 박리 등을 억제할 수 있고, 또한 기판과의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
가열의 방법으로서는, 예를 들면 오븐, 이너트 오븐, 핫 플레이트 또는 적외선 등에 의한 가열 건조를 들 수 있다.
제논 플래시 램프의 광은 펄스 조사되는 것이 바람직하다. 여기에서 펄스 조사란 연속 조사와 간헐 조사를 순시에 반복하는 광의 조사 방법을 말한다. 펄스 조사는 연속 조사에 비해 보다 약한 광의 조사가 가능하기 때문에 도전 패턴의 급격한 변성을 억제할 수 있으므로 바람직하다. 생산 효율의 향상, 잉여의 광산란의 방지, 기판의 손상 방지 등을 목적으로 할 경우 유효한 수단이다. 보다 구체적으로는 0.01~10000msec의 토탈 조사 시간으로 펄스 조사를 조합시키는 것이 바람직하다. 또한, 제논 플래시 램프의 광과 더불어 휘선을 갖는 광을 조사해도 상관없다. 여기에서 휘선을 갖는 광을 동시에 조사하기 위해서는, 예를 들면 수은 제논 램프를 사용해도 상관없고, 제논 램프와 수은 램프의 광을 동시에 조사해도 상관없다.
조사하는 제논 플래시 램프의 광의 에너지량은 기판의 종류 또는 형성하는 도전 패턴의 두께나 선 폭을 고려해서 적당히 결정하면 좋지만, 열화되기 쉬운 기판의 손상 방지를 위해서 300~2500mJ/㎠가 바람직하다. 또한, 표시 영역상과 가식 영역상의 사이에서 조사하는 제논 플래시 램프의 광의 에너지량 및 조사 시간을 다른 것으로 해도 상관없다.
한편, 얻어진 패턴에 도전성을 발현시키기 위한 처리로서 100~300℃에서의 가열과, 제논 플래시 램프의 광의 조사를 조합시켜서 행해도 상관없다.
이와 같이 해서 형성되는 적층 패턴의 선 폭은 2~9㎛인 것이 바람직하다. 선 폭이 2㎛ 미만이면 도전층의 도전성이 불충분해지고, 또한 단선이 발생하기 쉬워지는 경우가 있다. 한편, 선 폭이 9㎛를 초과하면 표시부의 시인성이 저해될 경우가 있다.
본 발명의 감광성 차광 페이스트를 사용해서 제조되는 패턴은 터치 패널이 구비하는 부재 중 하나인 터치 센서가 구비하는 검출 전극으로서 적합하게 사용된다. 터치 패널의 방식으로서는, 예를 들면 저항막식, 광학식, 전자 유도식 또는 정전 용량식을 들 수 있지만, 정전 용량식 터치 패널에 있어서 본 발명의 적층 패턴이 보다 적합하게 사용된다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 들어서 본 발명을 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들에 의해 한정되는 것은 아니다.
각 실시예 및 비교예에서 사용한 평가 방법은 이하와 같다.
<패터닝성의 평가 방법>
유리 기판 상에 감광성 차광 페이스트를 건조 두께가 3~4㎛가 되도록 스크린 인쇄로 도포하고, 90℃의 IR(원적외선) 히터로 내에서 10분간 건조하여 차광 도포막을 얻었다. 이어서, 차광 도포막 상에 감광성 도전 페이스트를 건조 두께가 3~4㎛가 되도록 스크린 인쇄로 도포하고, 90℃의 IR 히터로 내에서 5분간 건조했다.
이어서, 투광 패턴 폭 3㎛의 포토 마스크를 통해 건조 후의 차광 도포막을 노광 및 현상하고, 또한 140℃에서 30분간 IR 히터로 내에서 가열하여 적층 패턴을 얻었다. 또한, 노광은 노광 장치(PEM-6M; Union Optical Co., LTD.제)를 사용해서 노광량 1000mJ/㎠(파장 365nm 환산)로 전체선 노광을 행하고, 현상은 0.2%의 Na2CO3 용액에 기판을 30초 침지시킨 후 초순수에 의한 린스 처리를 실시해서 행했다.
얻어진 적층 패턴을 광학 현미경에 의해 관찰하고, 패턴 두께 및 패턴의 직진성을 평가했다. 패턴 두께에 대해서는 선폭이 9㎛ 이하이면 합격으로 했다. 패턴의 직진성에 대해서는 적층 패턴의 사행 또는 적층 패턴의 단선이 없으면 합격으로 했다.
<라인 저항의 평가 방법>
패터닝성의 평가 방법과 마찬가지로 적층 패턴을 형성하고, 얻어진 적층 패턴의 각각의 단부에 저항계를 연결시켜 라인 저항을 측정했다.
<차광성의 평가 방법>
유리 기판 상에 감광성 차광 페이스트를 건조막의 막 두께가 3~4㎛가 되도록 도포하고, 얻어진 차광 도포막을 90℃의 IR 히터로 내에서 10분간 건조했다. 건조한 차광 도포막 상에 감광성 도전 페이스트를 건조막의 막 두께가 3~4㎛가 되도록 도포하고, 90℃의 IR 히터로 내에서 10분간 건조하고 나서 그 전체면을 노광하고, 140℃의 IR 히터로 내에서 30분간 가열하여 평가용 기판을 얻었다. 또한, 노광의 조건은 상기 패터닝성의 평가 방법과 마찬가지로 했다. 분광 측색계(CM-2500d; Konica Minolta, Inc.제)를 사용해서 얻어진 평가용 기판의 안측으로부터 L＊값을 측정하고, L＊값이 <35(35 미만)가 되는 것을 합격으로 했다. 또한, L＊은 100이 순백을, 0이 흑을 표현한다.
<기판과의 밀착성의 평가 방법>
유리 기판 상에 감광성 차광 페이스트를 건조막의 막 두께가 3~4㎛가 되도록 도포하고, 얻어진 차광 도포막을 100℃의 IR 히터로 내에서 5분간 건조하고 나서 그 전체면을 노광하고, 140℃의 IR 히터로 내에서 30분간 가열했다. 또한, 노광의 조건은 상기 패터닝성의 평가 방법과 마찬가지로 했다. 그 후 1mm 폭으로 10×10의 바둑판형상으로 커터에 의해 자국을 넣고, 85℃, 85% RH의 항온 항습조 SH-661(ESPEC CORP.제)에 240시간 투입했다. 인출한 샘플의 바둑판형상의 자국 전체에 셀로판 테이프(NICHIBAN CO., LTD.제)를 점착해서 박리하여 잔존 사각형을 카운트하고, 잔존 사각형 수가 90 이상인 것을 합격으로 했다.
각 실시예 및 비교예에서 사용한 재료는 이하와 같다.
[감광성 유기 화합물]
(합성예 1: 감광성 유기 화합물(1))
공중합 비율(질량 기준): 에틸아크릴레이트(이하, 「EA」)/메타크릴산 2-에틸헥실(이하, 「2-EHMA」)/스티렌(이하, 「St」)/글리시딜메타크릴레이트(이하, 「GMA」)/아크릴산(이하, 「AA」)=20/40/20/5/15
질소 분위기의 반응 용기 중에 150g의 DMEA를 주입하고, 오일 배스를 사용해서 80℃까지 승온했다. 이것에 20g의 EA, 40g의 2-EHMA, 20g의 St, 15g의 AA, 0.8g의 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 및 10g의 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트로 이루어지는 혼합물을 1시간 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후 6시간 더 중합 반응을 행했다. 그 후 1g의 하이드로퀴논모노메틸에테르를 첨가해서 중합 반응을 정지했다. 계속해서 5g의 GMA, 1g의 트리에틸벤질암모늄클로라이드 및 10g의 DMEA로 이루어지는 혼합물을 0.5시간 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후 2시간 더 부가 반응을 행했다. 얻어진 반응 용액을 메탄올로 정제함으로써 미반응 불순물을 제거하고, 24시간 더 진공 건조함으로써 감광성 유기 화합물(1)을 얻었다. 얻어진 감광성 유기 화합물(1)의 산가는 103㎎KOH/g이었다.
(합성예 2: 감광성 유기 화합물(2))
공중합 비율(질량 기준) 트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트(IRR214-K; Daicel-Cytec Co., Ltd.제)/변성 비스페놀A디아크릴레이트(EBECRYL150; Daicel-Cytec Co., Ltd.제)/St/AA)=25/40/20/15
질소 분위기의 반응 용기 중에 150g의 DMEA를 주입하고, 오일 배스를 사용해서 80℃까지 승온했다. 이것에 25g의 트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트(IRR214-K), 40g의 변성 비스페놀A디아크릴레이트(EBECRYL 150), 20g의 St, 15g의 AA, 0.8g의 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 및 10g의 DMEA로 이루어지는 혼합물을 1시간 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후 6시간 더 중합 반응을 행했다. 그 후 1g의 하이드로퀴논모노메틸에테르 1g을 첨가해서 중합 반응을 정지했다. 얻어진 반응 용액을 메탄올로 정제함으로써 미반응 불순물을 제거하고, 24시간 더 진공 건조함으로써 감광성 유기 화합물(2)을 얻었다. 얻어진 감광성 유기 화합물(2)의 산가는 89㎎KOH/g이었다.
(합성예 3: 감광성 유기 화합물(3))
공중합 비율(질량 기준): 에틸렌옥시드 변성 비스페놀A디아크릴레이트(FA-324A; Hitachi Chemical Co., Ltd.제)/EA/GMA/AA=50/10/5/15
질소 분위기의 반응 용기 중에 150g의 DMEA를 주입하고, 오일 배스를 사용해서 80℃까지 승온했다. 이것에 50g의 에틸렌옥시드 변성 비스페놀A디아크릴레이트(FA-324A), 20g의 EA, 15g의 AA, 0.8g의 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 및 10g의 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트DMEA로 이루어지는 혼합물을 1시간 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후 6시간 더 중합 반응을 행했다. 그 후 1g의 하이드로퀴논모노메틸에테르를 첨가해서 중합 반응을 정지했다. 계속해서 5g의 GMA, 1g의 트리에틸벤질암모늄클로라이드 및 10g의 DMEA로 이루어지는 혼합물을 0.5시간 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후 2시간 더 부가 반응을 행했다. 얻어진 반응 용액을 메탄올로 정제함으로써 미반응 불순물을 제거하고, 24시간 더 진공 건조함으로써 감광성 유기 화합물(3)을 얻었다. 얻어진 감광성 유기 화합물(3)의 산가는 96㎎KOH/g이었다.
(합성예 4: 감광성 유기 화합물(4))
공중합 비율(질량 기준) 2관능 에폭시아크릴레이트 모노머(에폭시에스테르 3002A; kyoeisha Chemical Co., Ltd.제)/2관능 에폭시아크릴레이트 모노머(에폭시에스테르 70PA; kyoeisha Chemical Co., Ltd.제)/GMA/St/AA=20/40/5/20/15
질소 분위기의 반응 용기 중에 150g의 DMEA를 주입하고, 오일 배스를 사용해서 80℃까지 승온했다. 이것에 20g의 2관능 에폭시아크릴레이트 모노머(에폭시에스테르 3002A), 40g의 2관능 에폭시아크릴레이트 모노머(에폭시에스테르 70PA), 20g의 St, 15g의 AA, 0.8g의 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 및 10g의 DMEA로 이루어지는 혼합물을 1시간 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후 6시간 더 중합 반응을 행했다. 그 후 1g의 하이드로퀴논모노메틸에테르를 첨가해서 중합 반응을 정지했다. 계속해서 5g의 GMA, 1g의 트리에틸벤질암모늄클로라이드 및 10g의 DMEA로 이루어지는 혼합물을 0.5시간 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후 2시간 더 부가 반응을 행했다. 얻어진 반응 용액을 메탄올로 정제함으로써 미반응 불순물을 제거하고, 24시간 더 진공 건조함으로써 감광성 유기 화합물(4)을 얻었다. 얻어진 감광성 유기 화합물(4)의 산가는 101㎎KOH/g이었다.
[열경화성 화합물]
에폭시 수지(1)(ADEKARESIN EP-4530(에폭시당량 190); ADEKA CORPORATION제)
에폭시 수지(2)(JER1001(에폭시당량 475); Mitsubishi Chemical Corporation제)
[안료]
표 1에 기재된 것(체적 평균 입자 지름은 동적 광산란식 입도 분포계(HORIBA, Ltd.제)를 사용해서 측정)
[도전성 분말]
체적 평균 입자 지름이 1㎛인 Ag 입자(체적 평균 입자 지름은 안료와 마찬가지로 측정)
[광중합 개시제]
IRGACURE(등록상표) 369(BASF SE제)
N-1919(ADEKA CORPORATION제)
[용제]
DMEA(Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.제)
(실시예 1)
(ⅰ) 감광성 차광 페이스트
100㎖ 클린 보틀에 16.5g의 감광성 유기 화합물(1), 0.5g의 N-1919, 1.0g의 에폭시 수지(1) 및 10.0g의 DMEA를 넣고, 자전·공전 믹서 "Awatori Rentaro"(등록상표)(ARE-310; THINKY CORPORATION제)로 혼합해서 28.0g의 수지 용액을 얻었다.
얻어진 28.0g의 수지 용액과, 2.0g의 사산화삼코발트(체적 평균 입자 지름0.8㎛)를 혼합하고, 3개 롤러(EXAKT M-50; ExAkt GmbH.제)를 사용해서 혼련하여 30g의 감광성 차광 페이스트를 얻었다.
(ⅱ) 감광성 도전 페이스트
100㎖ 클린 보틀에 17.5g의 감광성 유기 화합물(1)을 3.5g의 IRGACURE(등록상표)369, 1.5g의 에폭시 수지(1), 3.5g 라이트 아크릴레이트 BP-4EA(kyoeisha Chemical Co., Ltd.제) 및 19.0g의 DMEA를 넣고, 상기 (i)에서 사용한 것과 같은 자전·공전 믹서로 혼합하여 45.5g의 수지 용액을 얻었다.
얻어진 45.5g의 수지 용액과, 62.3g의 Ag 입자(체적 평균 입자 지름 1㎛)를 혼합하고, 3개 롤러(EXAKT M-50; ExAkt GmbH.제)를 사용해서 혼련하여 77.8g의 감광성 도전 페이스트를 얻었다.
얻어진 감광성 차광 페이스트 및 감광성 도전 페이스트를 사용해서 패터닝성, 라인 저항, 차광성 및 기판과의 밀착성을 각각 평가했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다. 그리고 적층 패턴의 라인 저항을 측정한 결과 350Ω이었다.
(실시예 2~10)
표 1에 나타내는 조성의 감광성 차광 페이스트를 사용한 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 평가를 했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
또한, 실시예 10에 대해서는 유리 기판 대신에 PET 필름 기판을 사용했다.
(실시예 11 및 12)
표 1에 나타내는 조성의 감광성 차광 페이스트를 사용하여 유리 기판 대신에PET 필름 기판을 사용하고, 또한 패터닝성의 평가 방법, 차광성의 평가 방법 및 기판과의 밀착성의 평가 방법에 있어서의 30분간의 가열(140℃의 IR 히터로 내) 대신에 제논 플래시 램프의 광을 조사한 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 평가를 했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다. 또한, 제논 플래시 램프의 광을 조사하는 조건은 에너지량을 1J/㎠, 조사 시간을 0.5msec로 했다.
(비교예 1 및 2)
표 1에 나타내는 조성의 감광성 차광 페이스트를 사용한 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 평가를 했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
본원발명의 요건을 만족시키는 실시예 1~12에서는 저저항이며 또한 미세하고, 또한 차광성이 우수한 적층 패턴을 형성할 수 있었다.
Figure pct00001
Figure pct00002

Claims (8)

  1. 안료, 감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물을 함유하는 감광성 차광 페이스트이며, 전체 고형분에 차지하는 상기 안료의 비율이 5~50질량%인 감광성 차광 페이스트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 안료는 크롬, 철, 코발트, 루테늄, 망간, 팔라듐, 구리, 니켈, 마그네슘 및 티탄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속의 산화물 또는 카본 블랙인 감광성 차광 페이스트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 감광성 유기 화합물 및/또는 열경화성 화합물은 비스페놀A 골격, 비스페놀F 골격, 비페닐 골격 및 지환식 골격으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 골격을 갖는 감광성 차광 페이스트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 감광성 유기 화합물은 카르복실기를 갖는 감광성 차광 페이스트.
  5. 안료, 감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물을 함유하는 감광성 차광 페이스트를 기판 상에 도포해서 차광 도포막을 얻는 제 1 도포 공정과,
    도전성 분말, 감광성 유기 화합물 및 열경화성 화합물을 함유하는 감광성 도전 페이스트를 상기 차광 도포막 상에 도포해서 도전 도포막을 얻는 제 2 도포 공정과,
    상기 차광 도포막 및 상기 도전 도포막을 일괄해서 노광 및 현상하고, 100~300℃에서 가열 또는 제논 플래시 램프의 광을 더 조사해서 차광층과 도전층으로 이루어지는 적층 패턴을 얻는 적층 패턴 형성 공정을 구비하는 터치 센서용 적층 패턴의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 적층 패턴의 선 폭이 2~9㎛인 터치 센서용 적층 패턴의 제조 방법.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 기재된 제조 방법에 의해 얻어진 터치 센서용 적층 패턴을 구비하는 터치 센서.
  8. 제 7 항에 기재된 터치 센서를 구비하는 터치 패널.
KR1020167007344A 2013-09-25 2014-09-18 감광성 차광 페이스트 및 터치 센서용 적층 패턴의 제조 방법 KR20160062002A (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-197991 2013-09-25
JP2013197991 2013-09-25
JPJP-P-2014-051261 2014-03-14
JP2014051261 2014-03-14
PCT/JP2014/074716 WO2015046018A1 (ja) 2013-09-25 2014-09-18 感光性遮光ペースト及びタッチセンサー用積層パターンの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160062002A true KR20160062002A (ko) 2016-06-01

Family

ID=52743157

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167007344A KR20160062002A (ko) 2013-09-25 2014-09-18 감광성 차광 페이스트 및 터치 센서용 적층 패턴의 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20160231650A1 (ko)
JP (1) JP5733483B1 (ko)
KR (1) KR20160062002A (ko)
CN (1) CN105531626B (ko)
TW (1) TWI641000B (ko)
WO (1) WO2015046018A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6225053B2 (ja) * 2014-03-20 2017-11-01 富士フイルム株式会社 感光性積層体、転写材料、パターン化された感光性積層体及びその製造方法、タッチパネル、並びに画像表示装置
KR101987263B1 (ko) * 2015-08-13 2019-06-10 주식회사 엘지화학 전도성 구조체 및 이의 제조방법
US11449180B2 (en) * 2017-03-17 2022-09-20 Toray Industries, Inc. Method for manufacturing substrate equipped with wiring electrode, and substrate equipped with wiring electrode

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013000924A (ja) 2011-06-14 2013-01-07 Toray Ind Inc 導電性フィルム及びその製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6055024A (ja) * 1983-09-07 1985-03-29 Toyobo Co Ltd 導電性樹脂組成物
US5164128A (en) * 1988-04-18 1992-11-17 3D Systems, Inc. Methods for curing partially polymerized parts
JP2003100208A (ja) * 2001-09-26 2003-04-04 Taiyo Ink Mfg Ltd 電極パターンの形成方法および該電極パターンを形成したプラズマディスプレイパネル
JP2004063247A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2004266142A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Shin Etsu Polymer Co Ltd 電磁波シールド体の製造方法
US7135267B2 (en) * 2004-08-06 2006-11-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Aqueous developable photoimageable compositions for use in photo-patterning methods
JP2006286708A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Toray Ind Inc 電磁波シールド板およびその製造方法
JP4899100B2 (ja) * 2007-05-29 2012-03-21 ナガセケムテックス株式会社 感光性組成物
JP5544217B2 (ja) * 2010-05-19 2014-07-09 富士フイルム株式会社 重合性組成物
KR101307296B1 (ko) * 2010-06-22 2013-09-11 니폰샤신인사츠가부시키가이샤 방청성이 우수한 협소 프레임 터치 입력 시트와 그 제조 방법
JP5744528B2 (ja) * 2011-01-11 2015-07-08 東京応化工業株式会社 タッチパネル用着色感光性樹脂組成物、タッチパネル、及び表示装置
JP5723699B2 (ja) * 2011-02-25 2015-05-27 富士フイルム株式会社 遮光性組成物、遮光性組成物の製造方法、ソルダレジスト、パターン形成方法、及び固体撮像素子
JP5583091B2 (ja) * 2011-08-31 2014-09-03 株式会社タムラ製作所 黒色硬化性樹脂組成物
JP5920357B2 (ja) * 2011-11-01 2016-05-18 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、硬化物、画像表示装置の隔壁の形成方法、画像表示装置の製造方法及び画像表示装置
JP5922013B2 (ja) * 2011-12-28 2016-05-24 富士フイルム株式会社 光学部材セット及びこれを用いた固体撮像素子
CN104040640B (zh) * 2012-01-19 2017-03-29 东丽株式会社 导电浆料和导电图案的制造方法
JP5953848B2 (ja) * 2012-03-19 2016-07-20 大日本印刷株式会社 カラーフィルタ形成基板および液晶表示装置
JP2013206050A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Toray Ind Inc タッチパネルの製造方法
JP2013246723A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Mitsubishi Paper Mills Ltd 静電容量型タッチパネル用光透過性電極
JP6324656B2 (ja) * 2012-07-12 2018-05-16 大日本印刷株式会社 タッチパネル基板、及び表示装置
JP6225708B2 (ja) * 2012-11-13 2017-11-08 東レ株式会社 静電容量型タッチパネル
JP6139894B2 (ja) * 2013-01-28 2017-05-31 新日鉄住金化学株式会社 タッチパネル用黒色感光性組成物及びタッチパネル
CN203338293U (zh) * 2013-07-05 2013-12-11 南昌欧菲光显示技术有限公司 带触控效果的滤光片及触控显示组件

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013000924A (ja) 2011-06-14 2013-01-07 Toray Ind Inc 導電性フィルム及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5733483B1 (ja) 2015-06-10
TW201517058A (zh) 2015-05-01
WO2015046018A1 (ja) 2015-04-02
CN105531626A (zh) 2016-04-27
US20160231650A1 (en) 2016-08-11
JPWO2015046018A1 (ja) 2017-03-09
CN105531626B (zh) 2020-01-14
TWI641000B (zh) 2018-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5967079B2 (ja) 導電ペーストおよび導電パターンの製造方法
KR101898955B1 (ko) 도전 패턴 형성 부재의 제조 방법
TWI809000B (zh) 感光性導電糊及導電圖案形成用薄膜、壓力感測器、以及附配線的基板的製造方法
US11449180B2 (en) Method for manufacturing substrate equipped with wiring electrode, and substrate equipped with wiring electrode
KR20160062002A (ko) 감광성 차광 페이스트 및 터치 센서용 적층 패턴의 제조 방법
US10198139B2 (en) Method of producing touch sensor member, and touch sensor member
JP5764931B2 (ja) 有機−無機複合導電性パターン形成用感光性ペーストおよび有機−無機複合導電性パターンの製造方法
JP5884556B2 (ja) 感光性導電ペースト
KR102208100B1 (ko) 도전 페이스트, 터치패널 및 도전 패턴의 제조방법
KR101788100B1 (ko) 도전 페이스트 및 도전 패턴의 제조 방법
JP5403187B1 (ja) 感光性導電ペーストおよび導電パターンの製造方法
TWI704417B (zh) 感光性導電糊及附有導電圖案之基板的製造方法
JP2013196998A (ja) 感光性導電ペースト
JP2019114497A (ja) 導電ペーストおよび導電パターン形成基板の製造方法
WO2017010343A1 (ja) 導電ペースト、タッチセンサー部材及び導電パターンの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application