JP2001032086A - 電気配線の製造方法および配線基板および表示装置および画像検出器 - Google Patents
電気配線の製造方法および配線基板および表示装置および画像検出器Info
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空成膜装置を用いることなく、低コストで
製造できると共に、大面積基板に容易に対応できる電気
配線の製造方法および配線基板および表示装置および画
像検出器を提供する。 【解決手段】 絶縁性基板４１上に湿式成膜技術(ゾル
ゲル法,化学析出法または液相析出法)を用いて酸化膜４
２を形成する。次に、上記酸化膜４２を配線形状にパタ
ーニングする。そして、酸化膜のパターン４２a上に、
湿式成膜技術(湿式メッキ法)を用いてＮiからなる金属
膜４３を成膜する。さらに、そのＮiからなる金属膜４
３上に、無電解メッキにより低抵抗なＡuからなる金属
膜４４を積層し、Ａu膜４４上に電気メッキにより低抵
抗で低コストなＣuからなる金属膜４５を積層する。
製造できると共に、大面積基板に容易に対応できる電気
配線の製造方法および配線基板および表示装置および画
像検出器を提供する。 【解決手段】 絶縁性基板４１上に湿式成膜技術(ゾル
ゲル法,化学析出法または液相析出法)を用いて酸化膜４
２を形成する。次に、上記酸化膜４２を配線形状にパタ
ーニングする。そして、酸化膜のパターン４２a上に、
湿式成膜技術(湿式メッキ法)を用いてＮiからなる金属
膜４３を成膜する。さらに、そのＮiからなる金属膜４
３上に、無電解メッキにより低抵抗なＡuからなる金属
膜４４を積層し、Ａu膜４４上に電気メッキにより低抵
抗で低コストなＣuからなる金属膜４５を積層する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、フラットパネル
ディスプレイや二次元画像検出器の電子機器の電気回路
基板等に用いられる電気配線の製造方法に関し、さら
に、各種電子デバイスに適用できる配線基板、および、
液晶表示装置(ＬＣＤ),プラズマ表示装置(ＰＤＰ),エレ
クトロクロミック表示装置(ＥＣＤ)またはエレクトロル
ミネッセント表示装置(ＥＬＤ)等の表示装置、および、
光や放射線による画像検出器に関する。
ディスプレイや二次元画像検出器の電子機器の電気回路
基板等に用いられる電気配線の製造方法に関し、さら
に、各種電子デバイスに適用できる配線基板、および、
液晶表示装置(ＬＣＤ),プラズマ表示装置(ＰＤＰ),エレ
クトロクロミック表示装置(ＥＣＤ)またはエレクトロル
ミネッセント表示装置(ＥＬＤ)等の表示装置、および、
光や放射線による画像検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、液晶表示装置に代表されるフラットパネルディスプ
レイは、通常一対の基板の間に液晶,放電ガス等の表示
材料を挟んで保持し、この表示材料に電圧を印加する。
このとき、少なくとも一方の基板には、導電性材料から
なる電気配線を配列している。
来、液晶表示装置に代表されるフラットパネルディスプ
レイは、通常一対の基板の間に液晶,放電ガス等の表示
材料を挟んで保持し、この表示材料に電圧を印加する。
このとき、少なくとも一方の基板には、導電性材料から
なる電気配線を配列している。
【０００３】例えば、アクティブマトリクス駆動型ディ
スプレイの場合、表示材料を挟んで保持する一対の基板
のうちの一方の基板(アクティブマトリクス基板)上に
は、ゲート電極とデータ電極をマトリクス状に配設する
と共に、その交差部毎に薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)と画
素電極とを配設している。通常、このゲート電極やデー
タ電極をＴa,ＡlまたはＭo等の金属材料で形成してお
り、スパッタ法等のドライ成膜法によって成膜してい
る。
スプレイの場合、表示材料を挟んで保持する一対の基板
のうちの一方の基板(アクティブマトリクス基板)上に
は、ゲート電極とデータ電極をマトリクス状に配設する
と共に、その交差部毎に薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)と画
素電極とを配設している。通常、このゲート電極やデー
タ電極をＴa,ＡlまたはＭo等の金属材料で形成してお
り、スパッタ法等のドライ成膜法によって成膜してい
る。
【０００４】一方、光やＸ線のセンサーとして、上記ア
クティブマトリクス駆動型ディスプレイと同構造のアク
ティブマトリクス基板に光感知素子やＸ線感知素子を組
み合わせたフラットパネル型の二次元画像検出器が開発
されている。このような二次元画像検出器の詳細につい
ては、「L．S Jeromin，et al.,“Application of a‐S
i Active‐Matrix Technology in X‐Ray Detector Pan
el”, SID 97 DIGEST，p.91-94,1997」や、「特開平６
−３４２０９８号公報」等に記載されている。
クティブマトリクス駆動型ディスプレイと同構造のアク
ティブマトリクス基板に光感知素子やＸ線感知素子を組
み合わせたフラットパネル型の二次元画像検出器が開発
されている。このような二次元画像検出器の詳細につい
ては、「L．S Jeromin，et al.,“Application of a‐S
i Active‐Matrix Technology in X‐Ray Detector Pan
el”, SID 97 DIGEST，p.91-94,1997」や、「特開平６
−３４２０９８号公報」等に記載されている。
【０００５】ところで、このようなフラットパネルディ
スプレイや二次元画像検出器において、大面積化,高精
細化を図ろうとした場合、駆動周波数が高くなるにした
がって、電気配線の抵抗や寄生容量が増大することか
ら、駆動信号の遅延が大きな問題となってくる。
スプレイや二次元画像検出器において、大面積化,高精
細化を図ろうとした場合、駆動周波数が高くなるにした
がって、電気配線の抵抗や寄生容量が増大することか
ら、駆動信号の遅延が大きな問題となってくる。
【０００６】そこで、この駆動信号の遅延問題を解決す
るために、従来の配線材料であるＡl(バルク抵抗率２.
７μΩ・ｃｍ)、α−Ｔa(バルク抵抗率１３.１μΩ・ｃ
ｍ)、Ｍo(バルク抵抗率５.８μΩ・ｃｍ)の代わりに、
より電気抵抗の低いＣu(バルク抵抗率１.７μΩ・ｃｍ)
を配線材料に用いる試みがなされている。例えば、「Lo
w Resistance Copper Address Line for TFT-LCD」(Jap
an Display '89 p.498‐501)において、ゲート電極材料
にＣuを用いたＴＦＴ−ＬＣＤ(液晶表示装置)の検討結
果が開示されている。この文献によれば、スパッタ法で
成膜したＣu膜は下地ガラス基板との密着性が悪いた
め、下地にＴa等の金属膜を介在させることにより密着
性の向上を図る必要があることが明記されている。
るために、従来の配線材料であるＡl(バルク抵抗率２.
７μΩ・ｃｍ)、α−Ｔa(バルク抵抗率１３.１μΩ・ｃ
ｍ)、Ｍo(バルク抵抗率５.８μΩ・ｃｍ)の代わりに、
より電気抵抗の低いＣu(バルク抵抗率１.７μΩ・ｃｍ)
を配線材料に用いる試みがなされている。例えば、「Lo
w Resistance Copper Address Line for TFT-LCD」(Jap
an Display '89 p.498‐501)において、ゲート電極材料
にＣuを用いたＴＦＴ−ＬＣＤ(液晶表示装置)の検討結
果が開示されている。この文献によれば、スパッタ法で
成膜したＣu膜は下地ガラス基板との密着性が悪いた
め、下地にＴa等の金属膜を介在させることにより密着
性の向上を図る必要があることが明記されている。
【０００７】しかしながら、上記下地にＴa等の金属膜
を介在させた配線構造の場合、Ｃu膜とＴa等の下地金属
膜に対して、個別のドライ成膜工程やエッチングプロセ
スが必要となり、プロセスが増加して、コストアップに
つながるといった問題を有する。
を介在させた配線構造の場合、Ｃu膜とＴa等の下地金属
膜に対して、個別のドライ成膜工程やエッチングプロセ
スが必要となり、プロセスが増加して、コストアップに
つながるといった問題を有する。
【０００８】そこで、特開平４−２３２９２２号公報に
おいて、ＩＴＯ(Indium-Tin-Oxide：錫添加酸化インジ
ウム)等からなる透明電極を下地膜に使用し、上記下地
膜上にＣu等の金属膜をメッキ技術によって成膜する電
気配線の製造方法が提案されている。この技術によれ
ば、メッキ金属は、ＩＴＯ膜上のみに選択的に成膜する
ことができるため、パターニングプロセスは透明電極の
ＩＴＯ膜だけでよく、Ｃu配線を大面積でも高率よく成
膜できる効果が明記されている。また、ＩＴＯ膜と密着
性のよいＮi等の金属膜をＩＴＯとＣuの間に介在させる
構造についても記載されている。
おいて、ＩＴＯ(Indium-Tin-Oxide：錫添加酸化インジ
ウム)等からなる透明電極を下地膜に使用し、上記下地
膜上にＣu等の金属膜をメッキ技術によって成膜する電
気配線の製造方法が提案されている。この技術によれ
ば、メッキ金属は、ＩＴＯ膜上のみに選択的に成膜する
ことができるため、パターニングプロセスは透明電極の
ＩＴＯ膜だけでよく、Ｃu配線を大面積でも高率よく成
膜できる効果が明記されている。また、ＩＴＯ膜と密着
性のよいＮi等の金属膜をＩＴＯとＣuの間に介在させる
構造についても記載されている。
【０００９】一方、上記特開平４−２３２９２２号公報
に記載の電気配線の製造方法に限らず、アクティブマト
リクス基板のプロセスの短縮化、単純マトリクス型の液
晶表示装置等の透明電極の低抵抗化、ＩＴＯ膜上の半田
の濡れ性の向上といった種々の目的で、パターニングさ
れたＩＴＯ膜上にＮi,ＡuまたはＣu等の金属膜をメッキ
技術で成膜する電気配線の製造方法が提案されている
(例えば、特開平２−８３５３３号公報、特開平２−２
２３９２４号公報、特開昭６２−２８８８８３号公報、
特開平１−９６３８３号公報参照)。
に記載の電気配線の製造方法に限らず、アクティブマト
リクス基板のプロセスの短縮化、単純マトリクス型の液
晶表示装置等の透明電極の低抵抗化、ＩＴＯ膜上の半田
の濡れ性の向上といった種々の目的で、パターニングさ
れたＩＴＯ膜上にＮi,ＡuまたはＣu等の金属膜をメッキ
技術で成膜する電気配線の製造方法が提案されている
(例えば、特開平２−８３５３３号公報、特開平２−２
２３９２４号公報、特開昭６２−２８８８８３号公報、
特開平１−９６３８３号公報参照)。
【００１０】しかしながら、上記下地にＩＴＯを用いた
電気配線の製造方法の場合、金属膜については真空成膜
装置を用いないメッキ技術によって成膜されているが、
金属膜の下地となるＩＴＯ膜については依然としてスパ
ッタ法や蒸着法の真空成膜装置によって成膜が行われる
ため、コストダウン効果が充分に得られず、大面積基板
に対して容易に対応できないという問題がある。
電気配線の製造方法の場合、金属膜については真空成膜
装置を用いないメッキ技術によって成膜されているが、
金属膜の下地となるＩＴＯ膜については依然としてスパ
ッタ法や蒸着法の真空成膜装置によって成膜が行われる
ため、コストダウン効果が充分に得られず、大面積基板
に対して容易に対応できないという問題がある。
【００１１】そこで、この発明の目的は、真空成膜装置
を用いることなく、低コストで製造できると共に、大面
積基板に容易に対応できる電気配線の製造方法および配
線基板および表示装置および画像検出器を提供すること
にある。
を用いることなく、低コストで製造できると共に、大面
積基板に容易に対応できる電気配線の製造方法および配
線基板および表示装置および画像検出器を提供すること
にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の電気配線の製造方法は、絶縁性基板上に
湿式成膜技術によって酸化膜を形成する酸化膜形成工程
と、上記酸化膜上に湿式成膜技術によって金属膜を形成
する金属膜形成工程とを有することを特徴としている。
め、請求項１の電気配線の製造方法は、絶縁性基板上に
湿式成膜技術によって酸化膜を形成する酸化膜形成工程
と、上記酸化膜上に湿式成膜技術によって金属膜を形成
する金属膜形成工程とを有することを特徴としている。
【００１３】上記請求項１の電気配線の製造方法によれ
ば、真空成膜装置を一切使用せずに金属膜と酸化膜とに
よって形成された積層構造の電気配線を得ることがで
き、従来の電気配線の製造方法に比べて充分なコストダ
ウン効果が得られる。また、湿式成膜技術は、真空成膜
技術に比べて大面積成膜が容易であることから、大面積
基板に対しても容易に対応できる。また、真空成膜装置
を一切使用せずに金属膜と酸化膜とによって形成された
積層構造の電気配線を得ることができるので、ガラス基
板のように耐真空性や耐熱性に優れたガラス基板以外に
も、有機材料からなる絶縁性基板(例えば高分子フィル
ム)等にも容易に電気配線を形成することが可能にな
る。さらに、真空系を用いないメリットを生かし、長い
フィルム基材を用いてロールツーロール方式で生産性よ
く電気配線を形成できる。
ば、真空成膜装置を一切使用せずに金属膜と酸化膜とに
よって形成された積層構造の電気配線を得ることがで
き、従来の電気配線の製造方法に比べて充分なコストダ
ウン効果が得られる。また、湿式成膜技術は、真空成膜
技術に比べて大面積成膜が容易であることから、大面積
基板に対しても容易に対応できる。また、真空成膜装置
を一切使用せずに金属膜と酸化膜とによって形成された
積層構造の電気配線を得ることができるので、ガラス基
板のように耐真空性や耐熱性に優れたガラス基板以外に
も、有機材料からなる絶縁性基板(例えば高分子フィル
ム)等にも容易に電気配線を形成することが可能にな
る。さらに、真空系を用いないメリットを生かし、長い
フィルム基材を用いてロールツーロール方式で生産性よ
く電気配線を形成できる。
【００１４】また、請求項２の電気配線の製造方法は、
請求項１の電気配線の製造方法において、上記酸化膜形
成工程と上記金属膜形成工程との間に、上記酸化膜を所
定の形状にパターニングするパターニング工程を有する
ことを特徴としている。
請求項１の電気配線の製造方法において、上記酸化膜形
成工程と上記金属膜形成工程との間に、上記酸化膜を所
定の形状にパターニングするパターニング工程を有する
ことを特徴としている。
【００１５】上記請求項２の電気配線の製造方法によれ
ば、上記金属膜形成工程で成膜される金属膜を、上記パ
ターニング工程により所定の形状にパターニングされた
酸化膜上のみに選択的に成膜することができる。したが
って、酸化膜と金属膜とを絶縁性基板の全面に成膜した
後にその両者をパターニングする場合に比べて、必要な
部分にしか金属膜が成膜されないので、金属膜のパター
ニングが不要になり、金属膜材料の無駄も発生しない。
ば、上記金属膜形成工程で成膜される金属膜を、上記パ
ターニング工程により所定の形状にパターニングされた
酸化膜上のみに選択的に成膜することができる。したが
って、酸化膜と金属膜とを絶縁性基板の全面に成膜した
後にその両者をパターニングする場合に比べて、必要な
部分にしか金属膜が成膜されないので、金属膜のパター
ニングが不要になり、金属膜材料の無駄も発生しない。
【００１６】また、請求項３の電気配線の製造方法は、
請求項２の電気配線の製造方法において、上記酸化膜の
前駆体は感光性を有し、上記酸化膜を所定の形状にパタ
ーニングするパターニング工程は上記酸化膜の前駆体に
光を照射する工程を含むことを特徴としている。
請求項２の電気配線の製造方法において、上記酸化膜の
前駆体は感光性を有し、上記酸化膜を所定の形状にパタ
ーニングするパターニング工程は上記酸化膜の前駆体に
光を照射する工程を含むことを特徴としている。
【００１７】上記請求項３の電気配線の製造方法によれ
ば、上記酸化膜の成膜からパターニングまでの間に、レ
ジストの塗布や剥離工程を必要としないため、製造効率
を向上できる。
ば、上記酸化膜の成膜からパターニングまでの間に、レ
ジストの塗布や剥離工程を必要としないため、製造効率
を向上できる。
【００１８】また、請求項４の電気配線の製造方法は、
請求項１または２の電気配線の製造方法において、上記
酸化膜形成工程に用いられる湿式成膜技術はゾルゲル法
であることを特徴としている。
請求項１または２の電気配線の製造方法において、上記
酸化膜形成工程に用いられる湿式成膜技術はゾルゲル法
であることを特徴としている。
【００１９】上記ゾルゲル法とは、湿式成膜技術の一種
であり、金属の有機化合物または無機化合物を溶液と
し、その溶液中で化合物の加水分解・重縮合反応を進ま
せて、ゾルをゲルとして固化し、ゲルの加熱によって酸
化物固体を作成する方法である。上記請求項４の電気配
線の製造方法によれば、上記ゾルゲル方法を用いること
によって、真空成膜装置を用いることなく、ガラス等の
絶縁性基板上にゾルゲル溶液を塗布して焼成するだけで
酸化膜を容易に成膜することができる。また、上記ゾル
ゲル法では、真空成膜装置によって成膜された酸化膜の
滑らかな表面に比べて、微細な孔が網目状に存在する多
孔質(ポーラス)な酸化膜を形成することが可能である。
したがって、ゾルゲル法によって得られた酸化膜上に金
属膜をメッキすると、酸化膜の微細な孔がアンカー効果
を発揮して、非常に密着性のよいメッキ膜を得ることが
できる。これにより、従来困難であったＩＴＯ膜上への
無電解Ｃuメッキも可能となる。
であり、金属の有機化合物または無機化合物を溶液と
し、その溶液中で化合物の加水分解・重縮合反応を進ま
せて、ゾルをゲルとして固化し、ゲルの加熱によって酸
化物固体を作成する方法である。上記請求項４の電気配
線の製造方法によれば、上記ゾルゲル方法を用いること
によって、真空成膜装置を用いることなく、ガラス等の
絶縁性基板上にゾルゲル溶液を塗布して焼成するだけで
酸化膜を容易に成膜することができる。また、上記ゾル
ゲル法では、真空成膜装置によって成膜された酸化膜の
滑らかな表面に比べて、微細な孔が網目状に存在する多
孔質(ポーラス)な酸化膜を形成することが可能である。
したがって、ゾルゲル法によって得られた酸化膜上に金
属膜をメッキすると、酸化膜の微細な孔がアンカー効果
を発揮して、非常に密着性のよいメッキ膜を得ることが
できる。これにより、従来困難であったＩＴＯ膜上への
無電解Ｃuメッキも可能となる。
【００２０】また、請求項５の電気配線の製造方法は、
請求項１または２の電気配線の製造方法において、上記
酸化膜形成工程に用いられる湿式成膜技術は化学析出法
または液相析出法のいずれか一方であることを特徴とし
ている。
請求項１または２の電気配線の製造方法において、上記
酸化膜形成工程に用いられる湿式成膜技術は化学析出法
または液相析出法のいずれか一方であることを特徴とし
ている。
【００２１】上記化学析出法は、水溶液中に絶縁性基板
を浸漬し、水溶中での酸化還元反応を用いて、絶縁性基
板上に酸化膜を析出する方法である。また、液相析出法
(ＬＰＤ法)は、金属フルオロ錯体やケイフッ化水素酸の
加水分解平衡反応を用いて、絶縁性基板上に酸化膜を析
出する方法である。上記請求項５の電気配線の製造方法
によれば、このような化学析出法または液相析出法を用
いることによって、真空成膜装置を用いることなく、絶
縁性基板を水溶液に浸漬するだけで酸化膜を容易に成膜
することができる。また、上記化学析出法によって得ら
れた酸化膜は、絶縁性基板上に付着させた金属触媒を核
に結晶粒が成長していくため、真空成膜装置によって成
膜された酸化膜に比べると表面の凹凸が激しい。したが
って、化学析出法によって得られた酸化膜上に金属膜を
メッキすれば、酸化膜の表面の凹凸がアンカー効果を発
揮して、非常に密着性のよいメッキ膜を得ることができ
る。
を浸漬し、水溶中での酸化還元反応を用いて、絶縁性基
板上に酸化膜を析出する方法である。また、液相析出法
(ＬＰＤ法)は、金属フルオロ錯体やケイフッ化水素酸の
加水分解平衡反応を用いて、絶縁性基板上に酸化膜を析
出する方法である。上記請求項５の電気配線の製造方法
によれば、このような化学析出法または液相析出法を用
いることによって、真空成膜装置を用いることなく、絶
縁性基板を水溶液に浸漬するだけで酸化膜を容易に成膜
することができる。また、上記化学析出法によって得ら
れた酸化膜は、絶縁性基板上に付着させた金属触媒を核
に結晶粒が成長していくため、真空成膜装置によって成
膜された酸化膜に比べると表面の凹凸が激しい。したが
って、化学析出法によって得られた酸化膜上に金属膜を
メッキすれば、酸化膜の表面の凹凸がアンカー効果を発
揮して、非常に密着性のよいメッキ膜を得ることができ
る。
【００２２】また、請求項６の電気配線の製造方法は、
請求項１または２の電気配線の製造方法において、上記
金属膜形成工程に用いられる湿式成膜技術は湿式メッキ
法であることを特徴としている。
請求項１または２の電気配線の製造方法において、上記
金属膜形成工程に用いられる湿式成膜技術は湿式メッキ
法であることを特徴としている。
【００２３】上記請求項６の電気配線の製造方法によれ
ば、電気メッキと無電解メッキに大別される湿式メッキ
法のうちの電気メッキの場合は、金属イオンを溶解した
メッキ液に陽極となる金属と陰極(被メッキ電極)を配置
して、メッキ液に直流電流を流すことにより陰極表面に
金属膜が析出する。したがって、酸化膜形成工程で形成
する下地の酸化膜が導電性を有する場合は、その酸化膜
を陰極とすることにより、酸化膜上のみに金属膜を析出
させることが可能になる。一方、上記無電解メッキ(還
元メッキや置換メッキ等)の場合は、メッキ液に電流を
流さずに金属膜を析出させることが可能である。したが
って、上記酸化膜形成工程で形成される下地の酸化膜の
導電性の有無を問わず、金属膜を析出させることが可能
になる。また、電気メッキに比べると電流密度分布の影
響を受けないので、大面積でも膜厚なメッキ膜を成膜す
ることが可能である。さらに、このときに酸化膜上のみ
に選択的に触媒を付着させる処理を行うことにより、酸
化膜上のみに選択的に金属膜を析出させることも可能と
なる。このように、金属膜形成工程の湿式成膜技術に湿
式メッキ法を用いることにより、真空成膜装置を用いず
に金属膜を容易に成膜することができる。
ば、電気メッキと無電解メッキに大別される湿式メッキ
法のうちの電気メッキの場合は、金属イオンを溶解した
メッキ液に陽極となる金属と陰極(被メッキ電極)を配置
して、メッキ液に直流電流を流すことにより陰極表面に
金属膜が析出する。したがって、酸化膜形成工程で形成
する下地の酸化膜が導電性を有する場合は、その酸化膜
を陰極とすることにより、酸化膜上のみに金属膜を析出
させることが可能になる。一方、上記無電解メッキ(還
元メッキや置換メッキ等)の場合は、メッキ液に電流を
流さずに金属膜を析出させることが可能である。したが
って、上記酸化膜形成工程で形成される下地の酸化膜の
導電性の有無を問わず、金属膜を析出させることが可能
になる。また、電気メッキに比べると電流密度分布の影
響を受けないので、大面積でも膜厚なメッキ膜を成膜す
ることが可能である。さらに、このときに酸化膜上のみ
に選択的に触媒を付着させる処理を行うことにより、酸
化膜上のみに選択的に金属膜を析出させることも可能と
なる。このように、金属膜形成工程の湿式成膜技術に湿
式メッキ法を用いることにより、真空成膜装置を用いず
に金属膜を容易に成膜することができる。
【００２４】また、請求項７の電気配線の製造方法は、
請求項１乃至６のいずれか１つの電気配線の製造方法に
おいて、上記酸化膜がメッキ触媒を含有することを特徴
としている。
請求項１乃至６のいずれか１つの電気配線の製造方法に
おいて、上記酸化膜がメッキ触媒を含有することを特徴
としている。
【００２５】上記請求項７の電気配線の製造方法によれ
ば、後の工程で酸化膜上に無電解メッキによって金属膜
を形成する場合に、メッキ触媒の付与工程を省くことが
可能になる。
ば、後の工程で酸化膜上に無電解メッキによって金属膜
を形成する場合に、メッキ触媒の付与工程を省くことが
可能になる。
【００２６】また、請求項８の電気配線の製造方法は、
請求項１乃至７のいずれか１つの電気配線の製造方法に
おいて、上記酸化膜が導電性酸化膜であることを特徴と
している。
請求項１乃至７のいずれか１つの電気配線の製造方法に
おいて、上記酸化膜が導電性酸化膜であることを特徴と
している。
【００２７】上記請求項８の電気配線の製造方法によれ
ば、上記酸化膜を導電性酸化膜とすることにより、その
導電性酸化膜上に電気メッキによる金属膜形成が可能に
なる。
ば、上記酸化膜を導電性酸化膜とすることにより、その
導電性酸化膜上に電気メッキによる金属膜形成が可能に
なる。
【００２８】また、請求項９の電気配線の製造方法は、
請求項８の電気配線の製造方法において、上記導電性酸
化膜が透明性を有することを特徴としている。
請求項８の電気配線の製造方法において、上記導電性酸
化膜が透明性を有することを特徴としている。
【００２９】上記請求項９の電気配線の製造方法によれ
ば、上記酸化膜を透明性を有する導電性酸化膜とするこ
とにより、電気配線以外に例えば液晶表示装置や二次元
画像検出器の画素毎に設けられている透明電極も同じ透
明導電性酸化膜で形成することができ、プロセスの短縮
化ができる。
ば、上記酸化膜を透明性を有する導電性酸化膜とするこ
とにより、電気配線以外に例えば液晶表示装置や二次元
画像検出器の画素毎に設けられている透明電極も同じ透
明導電性酸化膜で形成することができ、プロセスの短縮
化ができる。
【００３０】また、請求項１０の電気配線の製造方法
は、請求項８または９の電気配線の製造方法において、
上記導電性酸化膜は、電気配線およびその電気配線以外
の用途の膜であって、上記絶縁性基板上に同一工程によ
り同じ材料で形成されることを特徴としている。
は、請求項８または９の電気配線の製造方法において、
上記導電性酸化膜は、電気配線およびその電気配線以外
の用途の膜であって、上記絶縁性基板上に同一工程によ
り同じ材料で形成されることを特徴としている。
【００３１】上記請求項１０の電気配線の製造方法によ
れば、液晶表示装置や二次元画像検出器のように、電気
配線の用途以外に透明導電膜(例えば画素毎に設けられ
ている透明電極)の成膜を必要とする場合、同一工程に
より同じ材料で形成された透明導電性酸化膜を、上記電
気配線およびその電気配線以外の用途の膜に用いること
ができ、プロセスを短縮化できると共に、効率よく電気
配線を製造できる。
れば、液晶表示装置や二次元画像検出器のように、電気
配線の用途以外に透明導電膜(例えば画素毎に設けられ
ている透明電極)の成膜を必要とする場合、同一工程に
より同じ材料で形成された透明導電性酸化膜を、上記電
気配線およびその電気配線以外の用途の膜に用いること
ができ、プロセスを短縮化できると共に、効率よく電気
配線を製造できる。
【００３２】また、請求項１１の電気配線の製造方法
は、請求項１乃至１０のいずれか１つの電気配線の製造
方法において、上記金属膜は、ニッケル,銅および金の
うちのいずれか１つからなる単層膜か、または、上記ニ
ッケル,銅および金のうちのいずれか１つからなる単層
膜を少なくとも１層含む多層膜であることを特徴として
いる。
は、請求項１乃至１０のいずれか１つの電気配線の製造
方法において、上記金属膜は、ニッケル,銅および金の
うちのいずれか１つからなる単層膜か、または、上記ニ
ッケル,銅および金のうちのいずれか１つからなる単層
膜を少なくとも１層含む多層膜であることを特徴として
いる。
【００３３】上記請求項１１の電気配線の製造方法によ
れば、Ｎi膜は、酸化膜(ＩＴＯ等)上に密着性よく成膜
することができ、さらに酸化膜(ＩＴＯ等)上のみに選択
的に無電解メッキを行うこともできる。また、ＣuやＡu
は比抵抗が小さく、低抵抗な電気配線を実現することが
できる。特に、酸化膜(ＩＴＯ膜)上にＮi膜を成膜し、
さらにそのＮi膜上にＣu,ＡuまたはＣu／Ａu等の膜を成
膜すれば、密着性のよい低抵抗な電気配線を実現するこ
とが可能になる。
れば、Ｎi膜は、酸化膜(ＩＴＯ等)上に密着性よく成膜
することができ、さらに酸化膜(ＩＴＯ等)上のみに選択
的に無電解メッキを行うこともできる。また、ＣuやＡu
は比抵抗が小さく、低抵抗な電気配線を実現することが
できる。特に、酸化膜(ＩＴＯ膜)上にＮi膜を成膜し、
さらにそのＮi膜上にＣu,ＡuまたはＣu／Ａu等の膜を成
膜すれば、密着性のよい低抵抗な電気配線を実現するこ
とが可能になる。
【００３４】また、請求項１２の配線基板は、絶縁性基
板上に湿式成膜技術によって形成された酸化膜と、上記
酸化膜上に湿式成膜技術によって形成された金属膜とを
有する積層構造の電気配線を備えたことを特徴としてい
る。
板上に湿式成膜技術によって形成された酸化膜と、上記
酸化膜上に湿式成膜技術によって形成された金属膜とを
有する積層構造の電気配線を備えたことを特徴としてい
る。
【００３５】上記請求項１２の配線基板によれば、真空
成膜装置を一切使用せずに金属膜と酸化膜とによって形
成された積層構造の電気配線を得ることができ、従来の
製造方法で形成された電気配線を用いる場合に比べて充
分なコストダウン効果が得られる。また、湿式成膜技術
は、真空成膜技術に比べて大面積成膜が容易であること
から、大面積基板に対しても容易に対応できる。また、
真空成膜装置を一切使用せずに金属膜と酸化膜とによっ
て形成された積層構造の電気配線を得ることができるた
め、ガラス基板のように耐真空性や耐熱性に優れたガラ
ス基板以外にも、有機材料からなる絶縁性基板(例えば
高分子フィルム)等にも容易に電気配線を形成すること
が可能になる。さらには、真空系を用いないメリットを
生かし、非常に長いフィルム基材を用いてロールツーロ
ール方式で生産性よく電気配線を形成できる。
成膜装置を一切使用せずに金属膜と酸化膜とによって形
成された積層構造の電気配線を得ることができ、従来の
製造方法で形成された電気配線を用いる場合に比べて充
分なコストダウン効果が得られる。また、湿式成膜技術
は、真空成膜技術に比べて大面積成膜が容易であること
から、大面積基板に対しても容易に対応できる。また、
真空成膜装置を一切使用せずに金属膜と酸化膜とによっ
て形成された積層構造の電気配線を得ることができるた
め、ガラス基板のように耐真空性や耐熱性に優れたガラ
ス基板以外にも、有機材料からなる絶縁性基板(例えば
高分子フィルム)等にも容易に電気配線を形成すること
が可能になる。さらには、真空系を用いないメリットを
生かし、非常に長いフィルム基材を用いてロールツーロ
ール方式で生産性よく電気配線を形成できる。
【００３６】また、請求項１３の配線基板は、請求項１
２の配線基板において、上記酸化膜が配線形状にパター
ニングされ、そのパターンニングされた酸化膜上に上記
金属膜が選択的に成膜されていることを特徴としてい
る。
２の配線基板において、上記酸化膜が配線形状にパター
ニングされ、そのパターンニングされた酸化膜上に上記
金属膜が選択的に成膜されていることを特徴としてい
る。
【００３７】上記請求項１３の配線基板によれば、上記
酸化膜と金属膜とを上記絶縁性基板の全面に成膜した後
にその両者を配線形状にパターニングする場合に比べ
て、必要な部分にしか金属膜が成膜されないので、金属
膜のパターニング工程が不要になり、金属膜材料の無駄
も発生しない。
酸化膜と金属膜とを上記絶縁性基板の全面に成膜した後
にその両者を配線形状にパターニングする場合に比べ
て、必要な部分にしか金属膜が成膜されないので、金属
膜のパターニング工程が不要になり、金属膜材料の無駄
も発生しない。
【００３８】また、請求項１４の電気配線は、請求項１
２または請求項１３の配線基板において、上記酸化膜の
前駆体が感光性を有することを特徴としている。
２または請求項１３の配線基板において、上記酸化膜の
前駆体が感光性を有することを特徴としている。
【００３９】上記請求項１４の電気配線によれば、上記
酸化膜の前駆体に光を照射して酸化膜を所定の形状にパ
ターニングすることが可能となり、酸化膜の成膜からパ
ターニングまでの間に、レジストの塗布や剥離工程を必
要としないため、製造効率を向上できる。
酸化膜の前駆体に光を照射して酸化膜を所定の形状にパ
ターニングすることが可能となり、酸化膜の成膜からパ
ターニングまでの間に、レジストの塗布や剥離工程を必
要としないため、製造効率を向上できる。
【００４０】また、請求項１５の配線基板は、請求項１
２乃至１３の配線基板において、上記酸化膜が多孔質な
膜であることを特徴としている。
２乃至１３の配線基板において、上記酸化膜が多孔質な
膜であることを特徴としている。
【００４１】上記請求項１５の配線基板によれば、上記
多孔質(ポーラス)な酸化膜上に金属膜をメッキすると、
酸化膜の微細な孔がアンカー効果を発揮して、非常に密
着性のよいメッキ膜を得ることができる。これにより、
従来困難であったＩＴＯ膜上への無電解Ｃuメッキも可
能となる。
多孔質(ポーラス)な酸化膜上に金属膜をメッキすると、
酸化膜の微細な孔がアンカー効果を発揮して、非常に密
着性のよいメッキ膜を得ることができる。これにより、
従来困難であったＩＴＯ膜上への無電解Ｃuメッキも可
能となる。
【００４２】また、請求項１６の配線基板は、請求項１
２乃至１３の配線基板において、上記酸化膜が表面に凹
凸を有する膜であることを特徴としている。
２乃至１３の配線基板において、上記酸化膜が表面に凹
凸を有する膜であることを特徴としている。
【００４３】上記請求項１６の配線基板によれば、上記
酸化膜の表面の凹凸がアンカー効果を発揮して、酸化膜
上に非常に密着性のよいメッキ膜を形成することができ
る。
酸化膜の表面の凹凸がアンカー効果を発揮して、酸化膜
上に非常に密着性のよいメッキ膜を形成することができ
る。
【００４４】また、請求項１７の配線基板は、請求項１
２乃至１６のいずれか１つの配線基板において、上記酸
化膜が導電性酸化膜であることを特徴としている。
２乃至１６のいずれか１つの配線基板において、上記酸
化膜が導電性酸化膜であることを特徴としている。
【００４５】上記請求項１７の配線基板によれば、上記
酸化膜を導電性酸化膜とすることにより、導電性酸化膜
上に電気メッキによる金属膜形成が可能になる。
酸化膜を導電性酸化膜とすることにより、導電性酸化膜
上に電気メッキによる金属膜形成が可能になる。
【００４６】また、請求項１８の配線基板は、請求項１
２の配線基板において、上記導電性酸化膜が透明性を有
することを特徴としている。
２の配線基板において、上記導電性酸化膜が透明性を有
することを特徴としている。
【００４７】上記請求項１８の配線基板によれば、上記
酸化膜を透明性を有する導電性酸化膜とすることによ
り、電気配線以外に例えば液晶表示装置や二次元画像検
出器の画素毎に設けられている透明電極も同じ透明導電
性酸化膜で形成することができ、プロセスの短縮化を実
現できる。
酸化膜を透明性を有する導電性酸化膜とすることによ
り、電気配線以外に例えば液晶表示装置や二次元画像検
出器の画素毎に設けられている透明電極も同じ透明導電
性酸化膜で形成することができ、プロセスの短縮化を実
現できる。
【００４８】また、請求項１９の配線基板は、請求項１
２乃至１８のいずれか１つの配線基板において、上記金
属膜は、ニッケル,銅または金のうちのいずれか１つの
単層膜か、または、上記ニッケル,銅または金のうちの
いずれか１つの単層膜を少なくとも１層含む多層膜であ
ることを特徴としている。
２乃至１８のいずれか１つの配線基板において、上記金
属膜は、ニッケル,銅または金のうちのいずれか１つの
単層膜か、または、上記ニッケル,銅または金のうちの
いずれか１つの単層膜を少なくとも１層含む多層膜であ
ることを特徴としている。
【００４９】上記請求項１９の配線基板によれば、Ｎi
膜は、酸化膜(ＩＴＯ膜等)上に密着性よく成膜すること
ができ、さらに酸化膜(ＩＴＯ膜等)上のみに選択的に無
電解メッキを行うこともできる。また、ＣuやＡuは比抵
抗が小さく、低抵抗な電気配線を実現することができ
る。特に、酸化膜(ＩＴＯ膜)上にＮi膜を成膜し、さら
にその上にＣu、Ａu、Ｃu／Ａu等の膜を成膜すれば、密
着性のよい低抵抗な電気配線を実現することが可能にな
る。
膜は、酸化膜(ＩＴＯ膜等)上に密着性よく成膜すること
ができ、さらに酸化膜(ＩＴＯ膜等)上のみに選択的に無
電解メッキを行うこともできる。また、ＣuやＡuは比抵
抗が小さく、低抵抗な電気配線を実現することができ
る。特に、酸化膜(ＩＴＯ膜)上にＮi膜を成膜し、さら
にその上にＣu、Ａu、Ｃu／Ａu等の膜を成膜すれば、密
着性のよい低抵抗な電気配線を実現することが可能にな
る。
【００５０】また、請求項２０の表示装置は、請求項１
２乃至１９のいずれか１つの配線基板を用いたことを特
徴としている。
２乃至１９のいずれか１つの配線基板を用いたことを特
徴としている。
【００５１】上記請求項２０の表示装置によれば、真空
成膜装置を用いることなく、低コストで製造できると共
に、大面積基板に対応可能な表示装置を提供できる。
成膜装置を用いることなく、低コストで製造できると共
に、大面積基板に対応可能な表示装置を提供できる。
【００５２】また、請求項２１の画像検出器は、請求項
１２乃至１９のいずれか１つの配線基板を用いたことを
特徴としている。
１２乃至１９のいずれか１つの配線基板を用いたことを
特徴としている。
【００５３】上記請求項２１の画像検出器によれば、真
空成膜装置を用いることなく、低コストで製造できると
共に、大面積基板に対応可能な画像検出器を提供でき
る。
空成膜装置を用いることなく、低コストで製造できると
共に、大面積基板に対応可能な画像検出器を提供でき
る。
【００５４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の電気配線の製造
方法および配線基板および表示装置および画像検出器を
図示の実施の形態により詳細に説明する。
方法および配線基板および表示装置および画像検出器を
図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００５５】（第１実施形態）図１はこの発明の第１実
施形態の表示装置に用いられる配線基板の断面図であ
る。
施形態の表示装置に用いられる配線基板の断面図であ
る。
【００５６】図１に示すように、絶縁性基板としてのガ
ラス基板１上にゲート配線２,ゲート電極３が形成され
ている。このゲート配線２,ゲート電極３は、スパッタ
法によって成膜される従来のＡl,ＴaおよびＭoといった
電気配線とは異なり、後述する電気配線の製造方法によ
り全て湿式成膜技術によって成膜された積層膜で構成さ
れている。さらにその上にはＳiＮxからなるゲート絶縁
膜４を形成している。そして、上記ゲート電極３上に、
ａ−Ｓi：Ｈからなるチャネル層６と、ｎ+型のａ−Ｓ
i：Ｈからなるコンタクト層７と、Ａl(またはＴa,Ｍo
等)からなるソース電極８,ドレイン電極９とで構成され
たＴＦＴ部１５を形成している。また、画素部には、透
明電極５(または反射電極)を形成している。さらに、Ｔ
ＦＴ部１５やバスライン部(ゲート配線２およびソース
配線(図示せず))の上に、ＳiＮxや有機絶縁膜からなる
絶縁保護膜１０を形成している。このようなＴＦＴ等の
アクティブ素子を備えた配線基板は、一般にアクティブ
マトリクス基板と呼ばれる。
ラス基板１上にゲート配線２,ゲート電極３が形成され
ている。このゲート配線２,ゲート電極３は、スパッタ
法によって成膜される従来のＡl,ＴaおよびＭoといった
電気配線とは異なり、後述する電気配線の製造方法によ
り全て湿式成膜技術によって成膜された積層膜で構成さ
れている。さらにその上にはＳiＮxからなるゲート絶縁
膜４を形成している。そして、上記ゲート電極３上に、
ａ−Ｓi：Ｈからなるチャネル層６と、ｎ+型のａ−Ｓ
i：Ｈからなるコンタクト層７と、Ａl(またはＴa,Ｍo
等)からなるソース電極８,ドレイン電極９とで構成され
たＴＦＴ部１５を形成している。また、画素部には、透
明電極５(または反射電極)を形成している。さらに、Ｔ
ＦＴ部１５やバスライン部(ゲート配線２およびソース
配線(図示せず))の上に、ＳiＮxや有機絶縁膜からなる
絶縁保護膜１０を形成している。このようなＴＦＴ等の
アクティブ素子を備えた配線基板は、一般にアクティブ
マトリクス基板と呼ばれる。
【００５７】また、図２は上記アクティブマトリクス基
板を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の構造
を示す斜視図である。図２に示すように、絶縁性基板２
１上に、マトリックス状に配列されたゲート電極２３,
ソース電極２４と、そのゲート電極２３,ソース電極２
４の交差部毎に配設された画素電極２５,ＴＦＴ２６を
設けると共に、対向基板３１に、カラーフルター３４
と、ブラックマトリクス３５と、共通電極３２とを設け
ている。そして、上記アクティブマトリクス型液晶表示
装置は、アクティブマトリクス基板２１と対向基板３１
との間に液晶３０を挟んだ構造をしている。このアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置において、画素電極２５
に、透明電極を用いれば透過型液晶表示装置、反射電極
を用いれば反射型液晶表示装置を実現することができ
る。
板を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の構造
を示す斜視図である。図２に示すように、絶縁性基板２
１上に、マトリックス状に配列されたゲート電極２３,
ソース電極２４と、そのゲート電極２３,ソース電極２
４の交差部毎に配設された画素電極２５,ＴＦＴ２６を
設けると共に、対向基板３１に、カラーフルター３４
と、ブラックマトリクス３５と、共通電極３２とを設け
ている。そして、上記アクティブマトリクス型液晶表示
装置は、アクティブマトリクス基板２１と対向基板３１
との間に液晶３０を挟んだ構造をしている。このアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置において、画素電極２５
に、透明電極を用いれば透過型液晶表示装置、反射電極
を用いれば反射型液晶表示装置を実現することができ
る。
【００５８】次に、図１に示すゲート配線２,ゲート電
極３の製造方法について説明する。図３(a)〜(e)は上記
ゲート配線２,ゲート電極３の製造方法を示す工程図で
ある。なお、図１のゲート配線２,ゲート電極３では、
ＩＴＯ膜１１,Ｎi膜１２,Ａu膜１３およびＣu膜１４か
らなる積層膜のみを示している。
極３の製造方法について説明する。図３(a)〜(e)は上記
ゲート配線２,ゲート電極３の製造方法を示す工程図で
ある。なお、図１のゲート配線２,ゲート電極３では、
ＩＴＯ膜１１,Ｎi膜１２,Ａu膜１３およびＣu膜１４か
らなる積層膜のみを示している。
【００５９】[第１の工程]まず、酸化膜形成工程として
の第１の工程において、図３(a)に示すように、ガラス
等の絶縁性基板４１の表面に、湿式成膜技術を用いて酸
化膜薄膜４２を形成する。なお、この発明における絶縁
性基板は、ガラス,セラミックまたは表面に絶縁層を備
えた半導体基板(または導体基板)等の無機基板や、ＰＥ
Ｔ(テレフタル酸ポリエチレン),ＡＢＳ(アクリロニトリ
ル-ブタジエン-スチレン共重合体)またはＰＣ(ポリカー
ボネート)等の各種有機基板(またはフィルム)等を含
む。
の第１の工程において、図３(a)に示すように、ガラス
等の絶縁性基板４１の表面に、湿式成膜技術を用いて酸
化膜薄膜４２を形成する。なお、この発明における絶縁
性基板は、ガラス,セラミックまたは表面に絶縁層を備
えた半導体基板(または導体基板)等の無機基板や、ＰＥ
Ｔ(テレフタル酸ポリエチレン),ＡＢＳ(アクリロニトリ
ル-ブタジエン-スチレン共重合体)またはＰＣ(ポリカー
ボネート)等の各種有機基板(またはフィルム)等を含
む。
【００６０】この第１の工程における湿式成膜技術は、
スパッタ法やＣＶＤ法のような乾式成膜技術ではなく、
真空系を用いずに行なう成膜技術の総称であり、例えば
ゾルゲル法、水溶液中の化学析出法や液相析出法、酸化
物の微粒子を分散させた溶液や樹脂の塗布成膜、溶液の
ミストを用いたＣＭＤ(Chemical Mist Deposition)法、
スプレー法等などを範囲に含む。
スパッタ法やＣＶＤ法のような乾式成膜技術ではなく、
真空系を用いずに行なう成膜技術の総称であり、例えば
ゾルゲル法、水溶液中の化学析出法や液相析出法、酸化
物の微粒子を分散させた溶液や樹脂の塗布成膜、溶液の
ミストを用いたＣＭＤ(Chemical Mist Deposition)法、
スプレー法等などを範囲に含む。
【００６１】上記ゾルゲル法とは、金属の有機化合物ま
たは無機化合物を溶液とし、溶液中で化合物の加水分解
・重縮合反応を進ませて、ゾルをゲルとして固化し、ゲ
ルの加熱によって酸化物固体を作成する方法である。
たは無機化合物を溶液とし、溶液中で化合物の加水分解
・重縮合反応を進ませて、ゾルをゲルとして固化し、ゲ
ルの加熱によって酸化物固体を作成する方法である。
【００６２】図４は金属アルコキシドを原料とするゾル
ゲル法による薄膜の作成手順を示している。なお、出発
原料としては、重縮合反応が可能な金属アルコキシドが
適しているが、金属アルコキシドと一緒であれば金属塩
や金属アセチルアセトナート錯体等も使用できる。ま
た、溶媒には、各種アルコールが使用されるのが一般的
である。 まず、ステップＳ１で金属アルコキシドを溶媒で希釈す
る。 次に、ステップＳ２で水を加えて、加水分解・重縮合反
応を行わせて、ゾルを形成する。 そして、ステップＳ３でゾルを絶縁性基板に塗布し、ゲ
ル膜を生成する。このときの塗布法としては、ディッピ
ング法、スピンコーティング法、メニカスコーティング
法等がある。 その後、ゲル膜を乾燥した後、ステップＳ４で残留有機
物を除去するために４００℃程度の熱処理を行うことに
より、非晶質または結晶性薄膜を成膜する。 通常、乾燥後のゲル膜は、多孔体(キセロゲル)となり、
微細な孔が網目状に存在する膜となりやすい。また、ゾ
ルゲル溶液の組成や焼成条件を工夫することにより、微
細な孔が網目状に存在する多孔質(ポーラス)な膜から、
空孔の少ない緻密な膜まで任意に成膜することが可能で
ある。
ゲル法による薄膜の作成手順を示している。なお、出発
原料としては、重縮合反応が可能な金属アルコキシドが
適しているが、金属アルコキシドと一緒であれば金属塩
や金属アセチルアセトナート錯体等も使用できる。ま
た、溶媒には、各種アルコールが使用されるのが一般的
である。 まず、ステップＳ１で金属アルコキシドを溶媒で希釈す
る。 次に、ステップＳ２で水を加えて、加水分解・重縮合反
応を行わせて、ゾルを形成する。 そして、ステップＳ３でゾルを絶縁性基板に塗布し、ゲ
ル膜を生成する。このときの塗布法としては、ディッピ
ング法、スピンコーティング法、メニカスコーティング
法等がある。 その後、ゲル膜を乾燥した後、ステップＳ４で残留有機
物を除去するために４００℃程度の熱処理を行うことに
より、非晶質または結晶性薄膜を成膜する。 通常、乾燥後のゲル膜は、多孔体(キセロゲル)となり、
微細な孔が網目状に存在する膜となりやすい。また、ゾ
ルゲル溶液の組成や焼成条件を工夫することにより、微
細な孔が網目状に存在する多孔質(ポーラス)な膜から、
空孔の少ない緻密な膜まで任意に成膜することが可能で
ある。
【００６３】このようなゾルゲル法を用いれば、ガラス
等の絶縁性基板上にゾルゲル溶液を塗布して焼成するだ
けで酸化膜を形成することができるため、真空成膜装置
を用いずに成膜することができ、その酸化膜上に金属膜
を形成することにより配線基板を安価に製造できると共
に、大面積成膜にも容易に対応できる。
等の絶縁性基板上にゾルゲル溶液を塗布して焼成するだ
けで酸化膜を形成することができるため、真空成膜装置
を用いずに成膜することができ、その酸化膜上に金属膜
を形成することにより配線基板を安価に製造できると共
に、大面積成膜にも容易に対応できる。
【００６４】なお、ゾルゲル法により成膜が可能な酸化
膜の種類や原理等の詳細については、「ゾル−ゲル法の
科学」(発行：アグネ承風社、著者：作花済夫)等に詳し
く記載されている。また、透明導電性酸化膜であるＩＴ
Ｏ膜の成膜については、「ゾル・ゲル法によるＩＴＯ薄
膜の作製」(Journal of the Ceramic Society of Japa
n，vol.102，N0.2，p.200-205，1994)や、「特開平８−
２５３３１８号公報」等に成膜例が報告されている。
膜の種類や原理等の詳細については、「ゾル−ゲル法の
科学」(発行：アグネ承風社、著者：作花済夫)等に詳し
く記載されている。また、透明導電性酸化膜であるＩＴ
Ｏ膜の成膜については、「ゾル・ゲル法によるＩＴＯ薄
膜の作製」(Journal of the Ceramic Society of Japa
n，vol.102，N0.2，p.200-205，1994)や、「特開平８−
２５３３１８号公報」等に成膜例が報告されている。
【００６５】一方、化学析出法とは、水溶液中に絶縁性
基板を浸漬し、水溶中の酸化還元反応を用いて、絶縁性
基板上に酸化膜を析出する方法であり、陽極析出法や陰
極析出法がある。この化学析出法において酸化剤や還元
剤を用いることにより、無電解で絶縁性基板上に酸化膜
を析出させることが可能である。例えば、金属の硝酸塩
と還元剤(例えばジメチルアミンボラン(ＤＭＡＢ))を共
存させた水溶液中に、触媒が付着した絶縁性基板を浸漬
すると、還元剤から供給される電子により硝酸−亜硝酸
の還元反応が駆動され、その結果、金属酸化膜(または
水酸化膜)が析出する。
基板を浸漬し、水溶中の酸化還元反応を用いて、絶縁性
基板上に酸化膜を析出する方法であり、陽極析出法や陰
極析出法がある。この化学析出法において酸化剤や還元
剤を用いることにより、無電解で絶縁性基板上に酸化膜
を析出させることが可能である。例えば、金属の硝酸塩
と還元剤(例えばジメチルアミンボラン(ＤＭＡＢ))を共
存させた水溶液中に、触媒が付着した絶縁性基板を浸漬
すると、還元剤から供給される電子により硝酸−亜硝酸
の還元反応が駆動され、その結果、金属酸化膜(または
水酸化膜)が析出する。
【００６６】また、水溶液中で酸化膜を成膜する方法と
しては、他に液相析出法(ＬＰＤ法)がある。この液相析
出法は、金属フルオロ錯体やケイフッ化水素酸の加水分
解平衡反応を用いて、絶縁性基板上に酸化膜を析出する
方法である。
しては、他に液相析出法(ＬＰＤ法)がある。この液相析
出法は、金属フルオロ錯体やケイフッ化水素酸の加水分
解平衡反応を用いて、絶縁性基板上に酸化膜を析出する
方法である。
【００６７】このような化学析出法を用いることによっ
て、ガラス基板を水溶液に浸漬するだけで酸化膜を形成
することができるため、真空成膜装置を用いることな
く、酸化膜を成膜することができ、後工程でその酸化膜
上に金属膜を形成することにより配線基板を安価に製造
できると共に、大面積成膜にも容易に対応できる。
て、ガラス基板を水溶液に浸漬するだけで酸化膜を形成
することができるため、真空成膜装置を用いることな
く、酸化膜を成膜することができ、後工程でその酸化膜
上に金属膜を形成することにより配線基板を安価に製造
できると共に、大面積成膜にも容易に対応できる。
【００６８】なお、透明導電性酸化膜であるＺnＯの成
膜については、「Transparet Zinc Oxide Films Chemic
ally Prepared from Aqueous Solution」(J．Electroch
em.Soc.，Vol.144，No.1，January 1997)や、「特開平
９−２７８４３７号公報」に記載されている。また、透
明導電性酸化膜であるＩn2Ｏ3の成膜については、「Pre
paration of Transparent Indium Oxide Films from a
Chemically Deposited Precursor」(Electrochemical a
nd Solid‐State Letters，vol.1，No.5，1998)等に成
膜例が記載されている。
膜については、「Transparet Zinc Oxide Films Chemic
ally Prepared from Aqueous Solution」(J．Electroch
em.Soc.，Vol.144，No.1，January 1997)や、「特開平
９−２７８４３７号公報」に記載されている。また、透
明導電性酸化膜であるＩn2Ｏ3の成膜については、「Pre
paration of Transparent Indium Oxide Films from a
Chemically Deposited Precursor」(Electrochemical a
nd Solid‐State Letters，vol.1，No.5，1998)等に成
膜例が記載されている。
【００６９】また、酸化物の微粒子を分散させた溶液や
樹脂の塗布成膜とは、透明導電酸化物などの超微粒子
(一次粒子径が０．０１〜０．１μｍ程度の粒子)を感光
性レジストなどのバインダーに分散させ、スピン塗布な
どで基板上に成膜する方法である。本方法では、塗布さ
れた膜をバインダーが熱分解しない程度の温度で焼成す
ることで、バインダー(すなわちレジスト樹脂)に収縮な
どの体積変化をもたらす。この結果、分散していた超微
粒子が凝集し、互いに接触し合うため透明導電性酸化膜
としての性能が発現する仕組みになっている。
樹脂の塗布成膜とは、透明導電酸化物などの超微粒子
(一次粒子径が０．０１〜０．１μｍ程度の粒子)を感光
性レジストなどのバインダーに分散させ、スピン塗布な
どで基板上に成膜する方法である。本方法では、塗布さ
れた膜をバインダーが熱分解しない程度の温度で焼成す
ることで、バインダー(すなわちレジスト樹脂)に収縮な
どの体積変化をもたらす。この結果、分散していた超微
粒子が凝集し、互いに接触し合うため透明導電性酸化膜
としての性能が発現する仕組みになっている。
【００７０】なお、このような酸化物の超微粒子を分散
させた溶液や樹脂の塗布成膜については、「特開平１０
―２５５５５６号公報」等に記載されている。ところ
で、本方法で成膜される膜は、純粋な酸化膜ではなく、
バインダーと酸化物超微粒子の混在膜になるが、広義で
本明細書の酸化膜の定義に属するものとする。
させた溶液や樹脂の塗布成膜については、「特開平１０
―２５５５５６号公報」等に記載されている。ところ
で、本方法で成膜される膜は、純粋な酸化膜ではなく、
バインダーと酸化物超微粒子の混在膜になるが、広義で
本明細書の酸化膜の定義に属するものとする。
【００７１】[第２の工程]次に、パターンニング工程と
しての第２の工程において、図３(b)に示すように、上
記第１の工程で得られた酸化膜４２(図３(a)に示す)を
配線形状にパターニングする。
しての第２の工程において、図３(b)に示すように、上
記第１の工程で得られた酸化膜４２(図３(a)に示す)を
配線形状にパターニングする。
【００７２】上記パターニングの方法としては、フォト
リソグラフィ等の技術によって酸化膜上に所定のパター
ンのレジストを形成し、ウェットエッチングやドライエ
ッチングにより不要な酸化膜を除去する方法が一般的で
ある。例えば、ＩＴＯ膜のエッチングには、ＨＢrや塩
化第二鉄水溶液を用いることができる。また、ＳnＯ2の
エッチングには、亜鉛触媒と塩酸とを用いることができ
る。
リソグラフィ等の技術によって酸化膜上に所定のパター
ンのレジストを形成し、ウェットエッチングやドライエ
ッチングにより不要な酸化膜を除去する方法が一般的で
ある。例えば、ＩＴＯ膜のエッチングには、ＨＢrや塩
化第二鉄水溶液を用いることができる。また、ＳnＯ2の
エッチングには、亜鉛触媒と塩酸とを用いることができ
る。
【００７３】また、それ以外でも、第１の工程でゾルゲ
ル法によって酸化膜を形成する場合、酸化膜自身に感光
性を持たせておいて、レジストを用いずにパターニング
することも可能である。例えば、アセチルアセトン(Ａ
ｃＡｃ)やベンゾイルアセトン(ＢｚＡｃ)等のキレート
剤により化学修飾された金属アルコキシドを用いてゲル
膜を形すると、そのゲル膜は、紫外線照射によってゲル
膜の溶解度が大きく変化する。すなわち、紫外線が照射
されたゲル膜はキレート結合が切断され、アルカリ溶液
やアルコールに不溶化する。この原理を用いて、ゲル膜
を露光,現像した後、焼成を行うことにより酸化膜のパ
ターニングが簡便になる。また、化学修飾されていない
通常のゲル膜に対してエキシマレーザーを照射して、ゲ
ル膜を分解しパターニングすることも可能である。
ル法によって酸化膜を形成する場合、酸化膜自身に感光
性を持たせておいて、レジストを用いずにパターニング
することも可能である。例えば、アセチルアセトン(Ａ
ｃＡｃ)やベンゾイルアセトン(ＢｚＡｃ)等のキレート
剤により化学修飾された金属アルコキシドを用いてゲル
膜を形すると、そのゲル膜は、紫外線照射によってゲル
膜の溶解度が大きく変化する。すなわち、紫外線が照射
されたゲル膜はキレート結合が切断され、アルカリ溶液
やアルコールに不溶化する。この原理を用いて、ゲル膜
を露光,現像した後、焼成を行うことにより酸化膜のパ
ターニングが簡便になる。また、化学修飾されていない
通常のゲル膜に対してエキシマレーザーを照射して、ゲ
ル膜を分解しパターニングすることも可能である。
【００７４】また、その他の方法として、ゾルゲル溶液
と、感光性を有する樹脂を適度な割合でブレンドするこ
とで、ゾルゲル溶液に感光性を付与することが可能にな
る。例えば、ゾルゲル溶液に光重合性を有するモノマー
(例えばアクリル系モノマー)と重合開始剤をブレンドし
た材料の前駆膜に紫外線を照射すると、モノマーが重合
し網目状の高分子(高分子ネットワーク)が形成され、そ
の高分子ネットワークの隙間にゾルゲル溶液が存在した
状態になる。その後、現像処理を行うことで紫外線が照
射した重合部分の膜のみネガパターンとして残存し、未
照射部は未重合のモノマーと共にゾルゲル溶液も現像液
に溶解する。最後に５００℃程度の焼成を行い、高分子
ネットワークやゾルゲル溶液中の残留有機物を除去する
ことでゾルゲル酸化膜のパターンが完成する。この場
合、感光性樹脂としては市販のネガ型フォトレジスト等
を使用することもできる。
と、感光性を有する樹脂を適度な割合でブレンドするこ
とで、ゾルゲル溶液に感光性を付与することが可能にな
る。例えば、ゾルゲル溶液に光重合性を有するモノマー
(例えばアクリル系モノマー)と重合開始剤をブレンドし
た材料の前駆膜に紫外線を照射すると、モノマーが重合
し網目状の高分子(高分子ネットワーク)が形成され、そ
の高分子ネットワークの隙間にゾルゲル溶液が存在した
状態になる。その後、現像処理を行うことで紫外線が照
射した重合部分の膜のみネガパターンとして残存し、未
照射部は未重合のモノマーと共にゾルゲル溶液も現像液
に溶解する。最後に５００℃程度の焼成を行い、高分子
ネットワークやゾルゲル溶液中の残留有機物を除去する
ことでゾルゲル酸化膜のパターンが完成する。この場
合、感光性樹脂としては市販のネガ型フォトレジスト等
を使用することもできる。
【００７５】[第３の工程]次に、金属膜形成工程として
の第３の工程において、図３(b)に示すように、上記第
２の工程で得られた酸化膜のパターン４２a(図３(b)に
示す)上に、湿式成膜技術を用いてＮiからなる金属膜４
３を成膜する。この第３の工程における湿式成膜技術
は、スパッタ法やＣＶＤ法のような金属の乾式成膜技術
ではなく、真空系を用いずに行う金属成膜技術、いわゆ
る湿式メッキ法のことである。
の第３の工程において、図３(b)に示すように、上記第
２の工程で得られた酸化膜のパターン４２a(図３(b)に
示す)上に、湿式成膜技術を用いてＮiからなる金属膜４
３を成膜する。この第３の工程における湿式成膜技術
は、スパッタ法やＣＶＤ法のような金属の乾式成膜技術
ではなく、真空系を用いずに行う金属成膜技術、いわゆ
る湿式メッキ法のことである。
【００７６】上記湿式メッキ法は、電気メッキと無電解
メッキに大別される。 電気メッキの場合は、金属イオンを溶解したメッキ液に
陽極となる金属と陰極(被メッキ電極)とを配置して、メ
ッキ液に直流電流を流すことにより陰極表面に金属膜が
析出する。したがって、第１の工程で形成する酸化膜が
導電性を有する場合、酸化膜を陰極とすることにより、
酸化膜上のみに金属膜を析出させることが可能になる。 ―方、無電解メッキ(還元メッキ,置換メッキ等)の場合
は、メッキ液に電流を流さずに金属膜を析出させること
が可能である。したがって、第１の工程で形成される酸
化膜の導電性を問わずに金属膜を析出させることが可能
になる。さらに、このとき、酸化膜上のみに触媒を付着
させる処理を行うことにより、あるいは酸化膜内に予め
Ｐdなどのメッキ触媒を含有させておくことにより酸化
膜上のみに選択的に金属膜を析出させることも可能とな
る。 上記湿式メッキ法において、メッキ可能な金属として
は、ニッケル,コバルト,スズ,金,銅,銀またはパラジウ
ム等がある。また、この第３の工程で成膜する金属膜
は、単層でもよいし、それぞれ役割の異なる金属膜の積
層膜でもよい。例えば、酸化膜に密着性のよいＮiから
なる金属膜４３上に、無電解メッキにより低抵抗なＡu
からなる金属膜４４を積層してもよいし(図３(d))、さ
らにＡu膜４４上に、電気メッキにより低抵抗で低コス
トなＣuからなる金属膜４５を積層してもよい(図３
(e))。
メッキに大別される。 電気メッキの場合は、金属イオンを溶解したメッキ液に
陽極となる金属と陰極(被メッキ電極)とを配置して、メ
ッキ液に直流電流を流すことにより陰極表面に金属膜が
析出する。したがって、第１の工程で形成する酸化膜が
導電性を有する場合、酸化膜を陰極とすることにより、
酸化膜上のみに金属膜を析出させることが可能になる。 ―方、無電解メッキ(還元メッキ,置換メッキ等)の場合
は、メッキ液に電流を流さずに金属膜を析出させること
が可能である。したがって、第１の工程で形成される酸
化膜の導電性を問わずに金属膜を析出させることが可能
になる。さらに、このとき、酸化膜上のみに触媒を付着
させる処理を行うことにより、あるいは酸化膜内に予め
Ｐdなどのメッキ触媒を含有させておくことにより酸化
膜上のみに選択的に金属膜を析出させることも可能とな
る。 上記湿式メッキ法において、メッキ可能な金属として
は、ニッケル,コバルト,スズ,金,銅,銀またはパラジウ
ム等がある。また、この第３の工程で成膜する金属膜
は、単層でもよいし、それぞれ役割の異なる金属膜の積
層膜でもよい。例えば、酸化膜に密着性のよいＮiから
なる金属膜４３上に、無電解メッキにより低抵抗なＡu
からなる金属膜４４を積層してもよいし(図３(d))、さ
らにＡu膜４４上に、電気メッキにより低抵抗で低コス
トなＣuからなる金属膜４５を積層してもよい(図３
(e))。
【００７７】このように、[第１の工程],[第２の工程]
および[第３の工程]によって、真空成膜装置を一切使用
せずに金属膜と酸化膜とによって形成された積層構造の
電気配線が得られる。 従来、IＴＯパターンの上に金属膜を形成する場合、金
属については、真空成膜装置を用いないメッキ技術によ
って成膜されていたが、金属膜の下地となるＩＴＯ膜に
ついては、依然としてスパッタ法や蒸着法といった真空
成膜装置によって成膜が行われていた。したがって、コ
ストダウン効果や大面積成膜の容易性といったメリット
が充分に得られていなかった。 これに対して、上記電気配線の製造方法では、真空成膜
装置を―切使用しないので、装置コストが安価であり、
従来の電気配線の製造方法に比べて充分なコストダウン
効果が得られる。また、湿式成膜技術は、真空成膜技術
に比べて大面積成膜が容易であることから、大面積基板
に対しても容易に対応することが可能になる。さらに、
低温成膜が可能となることから、成膜に関わるエネルギ
ー消費量を削減することも可能となる。
および[第３の工程]によって、真空成膜装置を一切使用
せずに金属膜と酸化膜とによって形成された積層構造の
電気配線が得られる。 従来、IＴＯパターンの上に金属膜を形成する場合、金
属については、真空成膜装置を用いないメッキ技術によ
って成膜されていたが、金属膜の下地となるＩＴＯ膜に
ついては、依然としてスパッタ法や蒸着法といった真空
成膜装置によって成膜が行われていた。したがって、コ
ストダウン効果や大面積成膜の容易性といったメリット
が充分に得られていなかった。 これに対して、上記電気配線の製造方法では、真空成膜
装置を―切使用しないので、装置コストが安価であり、
従来の電気配線の製造方法に比べて充分なコストダウン
効果が得られる。また、湿式成膜技術は、真空成膜技術
に比べて大面積成膜が容易であることから、大面積基板
に対しても容易に対応することが可能になる。さらに、
低温成膜が可能となることから、成膜に関わるエネルギ
ー消費量を削減することも可能となる。
【００７８】以下、上記[第１の工程]〜[第３の工程]つ
いて、具体的な４通りの配線基板の製造方法〜を夫
々説明する。
いて、具体的な４通りの配線基板の製造方法〜を夫
々説明する。
【００７９】電気配線の製造方法 先ず、第１の工程として、コーニング社製＃１７３７の
ガラス基板上に、ゾルゲル法によりＩＴＯ膜を成膜す
る。このとき、ゾルゲル溶液はアルコールで適当な粘性
に希釈し、スピンコートにより約０.２μｍの厚みで塗
布する。そして、１５０℃で乾燥させた後、４５０℃で
焼成を行うことにより約０.１μｍの厚みの多孔質のＩ
ＴＯ膜が完成する。
ガラス基板上に、ゾルゲル法によりＩＴＯ膜を成膜す
る。このとき、ゾルゲル溶液はアルコールで適当な粘性
に希釈し、スピンコートにより約０.２μｍの厚みで塗
布する。そして、１５０℃で乾燥させた後、４５０℃で
焼成を行うことにより約０.１μｍの厚みの多孔質のＩ
ＴＯ膜が完成する。
【００８０】次に、第２の工程として、ＩＴＯ膜のパタ
ーニングを行う。上記ＩＴＯ膜上にポジ型のフォトレジ
ストをスピンコートにより約１μｍの厚みで塗布した
後、８０℃でプリベークを行った後、フォトマスクを介
して紫外線露光を行う。その後、現像処理と、１２０℃
のポストベーク処理とを行うことにより、ＩＴＯ膜上に
配線形状の有するレジストパターンを形成する。このレ
ジストパターンが形成されたガラス基板をＨＢrに浸漬
することにより、レジストに覆われていない領域のＩＴ
Ｏ膜をエッチングする。最後に、レジスト剥離液を用い
てレジストを除去することにより、配線形状のＩＴＯパ
ターンを形成する。
ーニングを行う。上記ＩＴＯ膜上にポジ型のフォトレジ
ストをスピンコートにより約１μｍの厚みで塗布した
後、８０℃でプリベークを行った後、フォトマスクを介
して紫外線露光を行う。その後、現像処理と、１２０℃
のポストベーク処理とを行うことにより、ＩＴＯ膜上に
配線形状の有するレジストパターンを形成する。このレ
ジストパターンが形成されたガラス基板をＨＢrに浸漬
することにより、レジストに覆われていない領域のＩＴ
Ｏ膜をエッチングする。最後に、レジスト剥離液を用い
てレジストを除去することにより、配線形状のＩＴＯパ
ターンを形成する。
【００８１】さらに、第３の工程として、ＩＴＯ膜上に
無電解メッキによりＮi膜を成膜する。先ず、ＩＴＯパ
ターン付き絶縁性基板を、アルカリや有機溶剤を用いて
脱脂洗浄を行う。次に、必要に応じてフッ化物含有溶液
でＩＴＯ膜表面を僅かにエッチング粗化した後、塩化パ
ラジウム溶液に浸漬して活性化処理(アクティベーティ
ング処理)を行うことにより、ＩＴＯ膜上のみに無電解
メッキの触媒となるパラジウム触媒を析出させる。そし
て、次亜リン酸塩を還元剤とする無電解Ｎiメッキ液を
用いてＮi膜を約０.３μｍの厚みで成膜する。これによ
り、ＩＴＯパターン上のみに選択的にＮi膜を成膜す
る。
無電解メッキによりＮi膜を成膜する。先ず、ＩＴＯパ
ターン付き絶縁性基板を、アルカリや有機溶剤を用いて
脱脂洗浄を行う。次に、必要に応じてフッ化物含有溶液
でＩＴＯ膜表面を僅かにエッチング粗化した後、塩化パ
ラジウム溶液に浸漬して活性化処理(アクティベーティ
ング処理)を行うことにより、ＩＴＯ膜上のみに無電解
メッキの触媒となるパラジウム触媒を析出させる。そし
て、次亜リン酸塩を還元剤とする無電解Ｎiメッキ液を
用いてＮi膜を約０.３μｍの厚みで成膜する。これによ
り、ＩＴＯパターン上のみに選択的にＮi膜を成膜す
る。
【００８２】なお、パラジウム触媒付与の方法として
は、ＰdＣl2やＳnＣl2からなる錯塩またはコロイド溶液
による触媒付与(キャタリスト)処理と、フッ化物含有の
酸性アクセレーターによる触媒活性(アクセレーター)処
理とにより、ＩＴＯ膜上のみに選択的にパラジウム触媒
を析出させる方法も可能である。
は、ＰdＣl2やＳnＣl2からなる錯塩またはコロイド溶液
による触媒付与(キャタリスト)処理と、フッ化物含有の
酸性アクセレーターによる触媒活性(アクセレーター)処
理とにより、ＩＴＯ膜上のみに選択的にパラジウム触媒
を析出させる方法も可能である。
【００８３】また、ゾルゲル法によって得られる酸化膜
に予めＰdなどの触媒を含有させたり、ＰdＯを主成分と
する酸化膜を形成することにより、上述の触媒付与工程
を省くことも可能である。
に予めＰdなどの触媒を含有させたり、ＰdＯを主成分と
する酸化膜を形成することにより、上述の触媒付与工程
を省くことも可能である。
【００８４】一般に、ゾルゲル法によって得られる酸化
膜は、空孔の少ない緻密な膜を成膜することが可能であ
るが、ゾルゲル溶液の組成や焼成条件を工夫することに
より、微細な孔が網目状に存在する多孔質(ポーラス)な
膜を得ることもできる。つまり、図５(ａ)に示すよう
に、ガラス基板５１上にスパッタ法により成膜されたＩ
ＴＯ膜５２の滑らかな表面形状に比べて、図５(ｂ)に示
すように、絶縁性基板５３上にゾルゲル法により成膜さ
れ、その内部に多くの気孔５５を有するＩＴＯ膜５４を
得ることが可能である。このように、意図的に多孔質に
成膜されたＩＴＯ膜５４の場合、無電解メッキ用のパラ
ジウム触媒が、ＩＴＯ膜５４の微細な孔の内部にも析出
し、この孔を埋めるようにＮiが析出していく。したが
って、ＩＴＯ膜５４の微細な孔がアンカー効果を発揮し
て、スパッタ等の真空成膜で得られたＩＴＯ膜５４上へ
のＮiメッキに比べて、密着性のよいメッキ膜を得るこ
とができる。
膜は、空孔の少ない緻密な膜を成膜することが可能であ
るが、ゾルゲル溶液の組成や焼成条件を工夫することに
より、微細な孔が網目状に存在する多孔質(ポーラス)な
膜を得ることもできる。つまり、図５(ａ)に示すよう
に、ガラス基板５１上にスパッタ法により成膜されたＩ
ＴＯ膜５２の滑らかな表面形状に比べて、図５(ｂ)に示
すように、絶縁性基板５３上にゾルゲル法により成膜さ
れ、その内部に多くの気孔５５を有するＩＴＯ膜５４を
得ることが可能である。このように、意図的に多孔質に
成膜されたＩＴＯ膜５４の場合、無電解メッキ用のパラ
ジウム触媒が、ＩＴＯ膜５４の微細な孔の内部にも析出
し、この孔を埋めるようにＮiが析出していく。したが
って、ＩＴＯ膜５４の微細な孔がアンカー効果を発揮し
て、スパッタ等の真空成膜で得られたＩＴＯ膜５４上へ
のＮiメッキに比べて、密着性のよいメッキ膜を得るこ
とができる。
【００８５】比較のため、スパッタ法で成膜されたＩＴ
Ｏ膜と、ゾルゲル法で成膜されたＩＴＯ膜の両者に対し
て、ＩＴＯ膜表面のエッチング粗化処理を行わず、同じ
条件でＮiの無電解メッキを行い、クロスカット法によ
るピールテストを行って密着性の評価を行った。この結
果、スパッタ法で成膜されたＩＴＯ膜上にメッキされた
Ｎiについては、一部膜ハガレ現象が見られたが、ゾル
ゲル法で成膜されたＩＴＯ膜上にメッキされたＮiは全
く膜ハガレが生じなかった。
Ｏ膜と、ゾルゲル法で成膜されたＩＴＯ膜の両者に対し
て、ＩＴＯ膜表面のエッチング粗化処理を行わず、同じ
条件でＮiの無電解メッキを行い、クロスカット法によ
るピールテストを行って密着性の評価を行った。この結
果、スパッタ法で成膜されたＩＴＯ膜上にメッキされた
Ｎiについては、一部膜ハガレ現象が見られたが、ゾル
ゲル法で成膜されたＩＴＯ膜上にメッキされたＮiは全
く膜ハガレが生じなかった。
【００８６】このようにして得られた無電解Ｎiメッキ
膜は、還元剤の影響でＮiとＰの共析膜となるため、膜
の面抵抗が４〜５Ω／□と高く、電気配線の用途として
は限られたものとなる。そこで、Ｎi膜の低抵抗化を図
るために、必要に応じてＮi膜上にＡuメッキを施す。
膜は、還元剤の影響でＮiとＰの共析膜となるため、膜
の面抵抗が４〜５Ω／□と高く、電気配線の用途として
は限られたものとなる。そこで、Ｎi膜の低抵抗化を図
るために、必要に応じてＮi膜上にＡuメッキを施す。
【００８７】このＡuメッキは、Ｎi膜に対して無電解置
換メッキが可能なため、配線形状を有するＮi／ＩＴＯ
膜上のみに選択的に成膜が可能であり、Ｎi膜の表面か
ら約０.０５μｍをＡuに置換することにより、膜の面抵
抗を約０.５Ω／□に低減することが可能になる。
換メッキが可能なため、配線形状を有するＮi／ＩＴＯ
膜上のみに選択的に成膜が可能であり、Ｎi膜の表面か
ら約０.０５μｍをＡuに置換することにより、膜の面抵
抗を約０.５Ω／□に低減することが可能になる。
【００８８】さらに、低抵抗化が必要な場合は、Ａuを
電気メッキで厚く成膜するか、または、Ａu膜上にＣu等
の低抵抗膜を金属電解(または無電解メッキ)で成膜する
とよい。ただし、Ａuを厚くメッキするとコストアップ
につながるので、Ｃuメッキにより低抵抗化を図ること
が望ましい。例えば、Ａu／Ｎi／ＩＴＯ膜上にＣu電気
メッキで約０.１５μｍ成膜すると、膜の面抵抗は約０.
１Ω／□まで低減し、大型高精細のフラットパネルディ
スプレイ用電気配線としても充分に使用できるものとな
る。
電気メッキで厚く成膜するか、または、Ａu膜上にＣu等
の低抵抗膜を金属電解(または無電解メッキ)で成膜する
とよい。ただし、Ａuを厚くメッキするとコストアップ
につながるので、Ｃuメッキにより低抵抗化を図ること
が望ましい。例えば、Ａu／Ｎi／ＩＴＯ膜上にＣu電気
メッキで約０.１５μｍ成膜すると、膜の面抵抗は約０.
１Ω／□まで低減し、大型高精細のフラットパネルディ
スプレイ用電気配線としても充分に使用できるものとな
る。
【００８９】このとき、電気配線の表面はＣuが露出し
た構造になるが、Ｃuの酸化を防ぐ場合には、さらにバ
リア金属を積層したり、酸素遮断膜をコートしたりし
て、次工程までＣuを保護することも有用である。
た構造になるが、Ｃuの酸化を防ぐ場合には、さらにバ
リア金属を積層したり、酸素遮断膜をコートしたりし
て、次工程までＣuを保護することも有用である。
【００９０】また、ＩＴＯ膜上に形成されるメッキ膜と
しては、上述に限らず、ニッケル,コバルト,スズ,金,
銅,銀またはパラジウム等の各種金属を使用してもよ
く、それらを組み合わせて使用してもよい。
しては、上述に限らず、ニッケル,コバルト,スズ,金,
銅,銀またはパラジウム等の各種金属を使用してもよ
く、それらを組み合わせて使用してもよい。
【００９１】電気配線の製造方法 上記製造方法の第１,第２の工程と同様に、ゾルゲル
法によりＩＴＯ膜を形成し、エッチングによりＩＴＯ膜
をパターン形成する。なお、酸化膜を成膜するとき、ゾ
ルゲル溶液の組成や焼成条件を工夫することにより、酸
化膜中に微細な孔が網目状に存在する多孔質(ポーラス)
な膜に形成する。
法によりＩＴＯ膜を形成し、エッチングによりＩＴＯ膜
をパターン形成する。なお、酸化膜を成膜するとき、ゾ
ルゲル溶液の組成や焼成条件を工夫することにより、酸
化膜中に微細な孔が網目状に存在する多孔質(ポーラス)
な膜に形成する。
【００９２】その後、第３の工程として、ＩＴＯ膜上に
金属膜を成膜する。具体的には、ＰdＣl2やＳnＣl2から
なる錯塩またはコロイド溶液による触媒付与(キャタリ
スト)処理と、フッ化物含有の酸性アクセレーターによ
る触媒活性(アクセレーター)処理とにより、ＩＴＯ膜上
のみに選択的にパラジウム触媒を析出させる。このと
き、ＩＴＯ膜の微細な孔の内部にもパラジウム触媒が析
出する。
金属膜を成膜する。具体的には、ＰdＣl2やＳnＣl2から
なる錯塩またはコロイド溶液による触媒付与(キャタリ
スト)処理と、フッ化物含有の酸性アクセレーターによ
る触媒活性(アクセレーター)処理とにより、ＩＴＯ膜上
のみに選択的にパラジウム触媒を析出させる。このと
き、ＩＴＯ膜の微細な孔の内部にもパラジウム触媒が析
出する。
【００９３】その後、無電解メッキにより、ＩＴＯ膜上
にＣuを０.２μｍの厚みで成膜する。従来、ＩＴＯ膜上
へのＣuの無電解メッキは、密着性が非常に悪く、Ｃu膜
を形成するのは困難であった。しかし、この製造方法
では、ゾルゲル法により成膜されたＩＴＯ膜の微細な孔
がアンカー効果を発揮するため、ＩＴＯ膜上への直接Ｃ
uメッキが可能となる。この原理を利用すれば、Ｃuに限
らず、Ａu等の他の金属も直接ＩＴＯ膜上に無電解メッ
キを施すことが可能になる。
にＣuを０.２μｍの厚みで成膜する。従来、ＩＴＯ膜上
へのＣuの無電解メッキは、密着性が非常に悪く、Ｃu膜
を形成するのは困難であった。しかし、この製造方法
では、ゾルゲル法により成膜されたＩＴＯ膜の微細な孔
がアンカー効果を発揮するため、ＩＴＯ膜上への直接Ｃ
uメッキが可能となる。この原理を利用すれば、Ｃuに限
らず、Ａu等の他の金属も直接ＩＴＯ膜上に無電解メッ
キを施すことが可能になる。
【００９４】これにより、Ｃu／ＩＴＯ膜の面抵抗は約
０.１Ω／□となり、大型高精細のフラットパネルディ
スプレイ用電気配線としても充分に使用できるものとな
る。
０.１Ω／□となり、大型高精細のフラットパネルディ
スプレイ用電気配線としても充分に使用できるものとな
る。
【００９５】電気配線の製造方法 先ず、第１の工程として、コーニング社製＃１７３７の
ガラス基板上に、ゾルゲル法によりＳnＯ2膜を成膜す
る。このとき、ゾルゲル溶液に、アセチルアセトン(Ａ
ｃＡｃ)を配合し、アルコールで適当な粘性に希釈した
後、スピンコートにより約０.１μｍの厚みで塗布す
る。そして、約２００℃で乾燥させることにより、Ｓn
Ｏ2のキレート膜を形成する。
ガラス基板上に、ゾルゲル法によりＳnＯ2膜を成膜す
る。このとき、ゾルゲル溶液に、アセチルアセトン(Ａ
ｃＡｃ)を配合し、アルコールで適当な粘性に希釈した
後、スピンコートにより約０.１μｍの厚みで塗布す
る。そして、約２００℃で乾燥させることにより、Ｓn
Ｏ2のキレート膜を形成する。
【００９６】次に、第２の工程として、ＳnＯ2のキレー
ト膜をパターニングする。具体的には、ＳnＯ2のキレー
ト膜に、配線パターンが描かれたフォトマスクを介して
紫外線(λ＝３００ｎｍ)照射を行うことにより、紫外線
が照射された部分のみキレート結合を切断する。その
後、絶縁性基板をアルカリ水溶液に浸漬させると、紫外
線が照射されなかったキレート膜のみが溶解し、結果と
してＳnＯ2のパターンが完成する。さらにその後、約４
００℃で焼成を行うことにより、ＳnＯ2が緻密化,低抵
抗化し、ＳnＯ2の配線パターンが完成する。
ト膜をパターニングする。具体的には、ＳnＯ2のキレー
ト膜に、配線パターンが描かれたフォトマスクを介して
紫外線(λ＝３００ｎｍ)照射を行うことにより、紫外線
が照射された部分のみキレート結合を切断する。その
後、絶縁性基板をアルカリ水溶液に浸漬させると、紫外
線が照射されなかったキレート膜のみが溶解し、結果と
してＳnＯ2のパターンが完成する。さらにその後、約４
００℃で焼成を行うことにより、ＳnＯ2が緻密化,低抵
抗化し、ＳnＯ2の配線パターンが完成する。
【００９７】次に、第３の工程として、ＳnＯ2膜上にメ
ッキにより金属膜を形成する。メッキ膜の成膜方法とし
ては、上記製造方法,と同様の方法が可能であり、 ・Ｎi／ＳnＯ2膜 ・Ａu／Ｎi／ＳnＯ2膜 ・Ｃu／Ａu／Ｎi／ＳnＯ2膜 ・Ｃu／Ｎi／ＳnＯ2膜 ・Ｃu／ＳnＯ2膜 等の構成が可能である。特に、ＣuやＡuを用いた膜の構
成を用いることによって、膜の面抵抗は約０.１Ω／□
となり、大型高精細のフラットパネルディスプレイ用電
気配線としても充分に使用できるものとなる。
ッキにより金属膜を形成する。メッキ膜の成膜方法とし
ては、上記製造方法,と同様の方法が可能であり、 ・Ｎi／ＳnＯ2膜 ・Ａu／Ｎi／ＳnＯ2膜 ・Ｃu／Ａu／Ｎi／ＳnＯ2膜 ・Ｃu／Ｎi／ＳnＯ2膜 ・Ｃu／ＳnＯ2膜 等の構成が可能である。特に、ＣuやＡuを用いた膜の構
成を用いることによって、膜の面抵抗は約０.１Ω／□
となり、大型高精細のフラットパネルディスプレイ用電
気配線としても充分に使用できるものとなる。
【００９８】また、上記電気配線の製造方法では、Ｓ
nＯ2膜の成膜からパターニングまでの間に、レジストの
塗布や剥離工程を必要としないため、製造方法に比べ
て製造効率が向上する。
nＯ2膜の成膜からパターニングまでの間に、レジストの
塗布や剥離工程を必要としないため、製造方法に比べ
て製造効率が向上する。
【００９９】なお、キレート剤を用いて、感光性を付与
できるゾルゲル酸化膜としては、上記ＳnＯ2膜以外にも
Ｉn2Ｏ3,ＩＴＯ,ＴiＯ2,ＺrＯ2およびＳiＯ2等からなる
各種酸化膜が成膜可能であり、また、これらの酸化膜上
に選択的に触媒を付着させることにより、酸化膜パター
ン上に選択的に各種金属膜をメッキ成膜することが可能
である。
できるゾルゲル酸化膜としては、上記ＳnＯ2膜以外にも
Ｉn2Ｏ3,ＩＴＯ,ＴiＯ2,ＺrＯ2およびＳiＯ2等からなる
各種酸化膜が成膜可能であり、また、これらの酸化膜上
に選択的に触媒を付着させることにより、酸化膜パター
ン上に選択的に各種金属膜をメッキ成膜することが可能
である。
【０１００】電気配線の製造方法 先ず、第１の工程として、コーニング社製＃１７３７の
ガラス基板上に、化学析出法によりＺnＯ膜を成膜す
る。具体的に説明すれば、先ずガラス基板をアルカリ溶
液や有機溶剤を用いて脱脂洗浄し、センシタイザーおよ
びアクチベーター処理によりパラジウム触媒付与を行っ
た後、Ｚn(ＮＯ3)3とジメチルアミンボラン(ＤＭＡＢ)
を含有する浴温６０℃の水溶液に浸漬することにより、
ＺnＯ膜を０.２μｍの厚みで成膜する(成膜プロセスの
詳細は特開平９−２７８４３７号公報を参照)。
ガラス基板上に、化学析出法によりＺnＯ膜を成膜す
る。具体的に説明すれば、先ずガラス基板をアルカリ溶
液や有機溶剤を用いて脱脂洗浄し、センシタイザーおよ
びアクチベーター処理によりパラジウム触媒付与を行っ
た後、Ｚn(ＮＯ3)3とジメチルアミンボラン(ＤＭＡＢ)
を含有する浴温６０℃の水溶液に浸漬することにより、
ＺnＯ膜を０.２μｍの厚みで成膜する(成膜プロセスの
詳細は特開平９−２７８４３７号公報を参照)。
【０１０１】このとき、ＺnＯ膜は、触媒であるパラジ
ウムを核として成長して成膜されるため、真空成膜装置
によって成膜された酸化膜に比べると、表面に激しい凹
凸が存在する。つまり、図５(ｃ)に示すように、絶縁性
基板５６上に化学析出法により成膜された表面が凹凸の
ＺnＯ膜５７を得ることが可能である。
ウムを核として成長して成膜されるため、真空成膜装置
によって成膜された酸化膜に比べると、表面に激しい凹
凸が存在する。つまり、図５(ｃ)に示すように、絶縁性
基板５６上に化学析出法により成膜された表面が凹凸の
ＺnＯ膜５７を得ることが可能である。
【０１０２】次に、第２の工程として、ＺnＯ膜をレジ
ストマスクを用いたエッチング処理により配線形状にパ
ターニングする。
ストマスクを用いたエッチング処理により配線形状にパ
ターニングする。
【０１０３】次に、第３の工程として、ＺnＯ膜上にメ
ッキにより金属膜を形成する。メッキ膜の成膜方法とし
ては、製造方法,と同様の方法が可能であり、 ・Ｎi／ＺnＯ膜 ・Ａu／Ｎi／ＺnＯ膜 ・Ｃu／Ａu／Ｎi／ＺnＯ膜 ・Ｃu／Ｎi／ＺnＯ膜 ・Ｃu／ＺnＯ膜 等の構成が可能である。特に、ＣuやＡuを用いた膜の構
成を用いれば、膜の面抵抗は約０.１Ω／□となり、大
型高精細のフラットパネルディスプレイ用電気配線とし
ても充分に使用できるものとなる。
ッキにより金属膜を形成する。メッキ膜の成膜方法とし
ては、製造方法,と同様の方法が可能であり、 ・Ｎi／ＺnＯ膜 ・Ａu／Ｎi／ＺnＯ膜 ・Ｃu／Ａu／Ｎi／ＺnＯ膜 ・Ｃu／Ｎi／ＺnＯ膜 ・Ｃu／ＺnＯ膜 等の構成が可能である。特に、ＣuやＡuを用いた膜の構
成を用いれば、膜の面抵抗は約０.１Ω／□となり、大
型高精細のフラットパネルディスプレイ用電気配線とし
ても充分に使用できるものとなる。
【０１０４】また、上記ＺnＯ膜の代わりに化学析出法
によって得られたＩＴＯ膜を用いても同様のメッキ膜を
得ることが可能である。
によって得られたＩＴＯ膜を用いても同様のメッキ膜を
得ることが可能である。
【０１０５】また、上記ＺnＯ膜やＩＴＯ膜のように化
学析出法によって得られた酸化膜の表面の凹凸がアンカ
ー効果を発揮して、非常に密着性のよいメッキ膜を得る
ことができる。
学析出法によって得られた酸化膜の表面の凹凸がアンカ
ー効果を発揮して、非常に密着性のよいメッキ膜を得る
ことができる。
【０１０６】比較のため、スパッタ法で成膜されたＩＴ
Ｏ膜と、化学析出法で成膜されたＺnＯ膜の両者に対し
て、ＩＴＯ膜表面のエッチング粗化処理を行わず、同じ
条件でＮiの無電解メッキを行い、クロスカット法によ
るピールテストを行って密着性の評価を行った。この結
果、スパッタ法で成膜されたIＴＯ膜上にメッキされた
Ｎiについては、一部膜ハガレ現象が見られたが、化学
析出法で成膜されたＺnＯ膜上にメッキされたＮiは全く
膜ハガレが生じなかった。
Ｏ膜と、化学析出法で成膜されたＺnＯ膜の両者に対し
て、ＩＴＯ膜表面のエッチング粗化処理を行わず、同じ
条件でＮiの無電解メッキを行い、クロスカット法によ
るピールテストを行って密着性の評価を行った。この結
果、スパッタ法で成膜されたIＴＯ膜上にメッキされた
Ｎiについては、一部膜ハガレ現象が見られたが、化学
析出法で成膜されたＺnＯ膜上にメッキされたＮiは全く
膜ハガレが生じなかった。
【０１０７】なお、水溶液中で酸化膜を成膜する方法と
しては、上述の酸化還元反応を利用した化学析出法以外
にも、金属フルオロ錯体やケイフッ化水素酸の加水分解
平衡反応を用いた液相析出法等があり、ＳiＯ2またはＴ
iＯ2等からなる各種酸化膜の成膜も可能である。
しては、上述の酸化還元反応を利用した化学析出法以外
にも、金属フルオロ錯体やケイフッ化水素酸の加水分解
平衡反応を用いた液相析出法等があり、ＳiＯ2またはＴ
iＯ2等からなる各種酸化膜の成膜も可能である。
【０１０８】また、これらの酸化膜上に選択的に触媒を
付着させることにより、酸化膜パターン上に選択的に各
種金属膜をメッキ成膜することが可能である。
付着させることにより、酸化膜パターン上に選択的に各
種金属膜をメッキ成膜することが可能である。
【０１０９】上記電気配線の製造方法では、酸化膜を
水溶液中で析出しているため、１００℃以下の低温で成
膜することが可能である。また、その酸化膜上にメッキ
成膜する金属膜も１００℃以下の低温で成膜が可能なた
め、密着性を向上させるための成膜後の補助的な焼成を
除けば、全て１００℃以下の低温プロセスにより電気配
線の形成が可能になる。したがって、ガラス基板に限定
されず、ＡＢＳ,ＰＣまたはＰＥＴ等の有機系基板(また
はフィルム)上にも容易に電気配線を形成することが可
能になる。
水溶液中で析出しているため、１００℃以下の低温で成
膜することが可能である。また、その酸化膜上にメッキ
成膜する金属膜も１００℃以下の低温で成膜が可能なた
め、密着性を向上させるための成膜後の補助的な焼成を
除けば、全て１００℃以下の低温プロセスにより電気配
線の形成が可能になる。したがって、ガラス基板に限定
されず、ＡＢＳ,ＰＣまたはＰＥＴ等の有機系基板(また
はフィルム)上にも容易に電気配線を形成することが可
能になる。
【０１１０】上記電気配線の製造方法〜では、真空
成膜装置を一切使用しないので、従来の電気配線の製造
方法に比べて充分なコストダウン効果が得られる。ま
た、湿式成膜技術は、真空成膜技術に比べて大面積成膜
が容易であることから、大面積基板に対しても容易に対
応することが可能となる。さらには、真空系を用いない
メリットを生かし、非常に長いロール状に巻き付けたフ
ィルム基材を順次搬送しながら、ロールツーロール方式
で生産性よく電気配線を形成することも可能である。
成膜装置を一切使用しないので、従来の電気配線の製造
方法に比べて充分なコストダウン効果が得られる。ま
た、湿式成膜技術は、真空成膜技術に比べて大面積成膜
が容易であることから、大面積基板に対しても容易に対
応することが可能となる。さらには、真空系を用いない
メリットを生かし、非常に長いロール状に巻き付けたフ
ィルム基材を順次搬送しながら、ロールツーロール方式
で生産性よく電気配線を形成することも可能である。
【０１１１】この発明の第１実施形態では、全て湿式成
膜技術よって得られた酸化膜上に、無電解メッキによっ
て金属膜を形成することにより電気配線を形成している
が、酸化膜として導電性酸化膜を用いると、無電解メッ
キに限らず、電気メッキでも、導電性酸化膜上にメッキ
膜を直接形成することも可能である。ただし、この場合
は、導電性酸化膜のシート抵抗にメッキ膜の膜厚分布が
影響されるので、それを考慮した基板サイズや用途に限
定される。
膜技術よって得られた酸化膜上に、無電解メッキによっ
て金属膜を形成することにより電気配線を形成している
が、酸化膜として導電性酸化膜を用いると、無電解メッ
キに限らず、電気メッキでも、導電性酸化膜上にメッキ
膜を直接形成することも可能である。ただし、この場合
は、導電性酸化膜のシート抵抗にメッキ膜の膜厚分布が
影響されるので、それを考慮した基板サイズや用途に限
定される。
【０１１２】また、上記第１実施形態では、スパッタ法
や蒸着法といった真空成膜装置によって成膜された酸化
膜上に金属メッキを行うよりも、ゾルゲル法や化学析出
法で成膜された酸化膜上に金属メッキを行った方が、密
着性の優れた金属膜を形成できるため、信頼性の優れた
表示装置を実現することが可能になる。
や蒸着法といった真空成膜装置によって成膜された酸化
膜上に金属メッキを行うよりも、ゾルゲル法や化学析出
法で成膜された酸化膜上に金属メッキを行った方が、密
着性の優れた金属膜を形成できるため、信頼性の優れた
表示装置を実現することが可能になる。
【０１１３】(第２実施形態)図６はこの発明の第２実施
形態の表示装置に用いられる配線基板の断面図であっ
て、この配線基板は、第１実施形態の電気配線の製造方
法〜のいずれか１つにより製造された電気配線をゲ
ート配線に用いた液晶表示装置用のアクティブマトリク
ス基板である。
形態の表示装置に用いられる配線基板の断面図であっ
て、この配線基板は、第１実施形態の電気配線の製造方
法〜のいずれか１つにより製造された電気配線をゲ
ート配線に用いた液晶表示装置用のアクティブマトリク
ス基板である。
【０１１４】図６に示すように、ガラス基板８１上にゲ
ート配線８２(ゲート電極８３)が形成されており、スパ
ッタ法によって成膜される従来のＡl,ＴaまたはＭoとい
った電気配線の代わりに、電気配線の製造方法〜を
簡単に適用することが可能である(図６では４層構造の
積層膜で構成された電気配線のみを示す)。さらにその
上には、ＳiＮxからなるゲート絶縁膜８４を形成してい
る。そして、上記ゲート電極８３上に、ａ−Ｓi：Ｈか
らなるチャネル層８５と、ｎ+型のａ−Ｓi：Ｈからなる
コンタクト層８６と、Ｍoからなるソース電極８７、ド
レイン電極８８とで構成されたＴＦＴ部８０を形成して
いる。また、さらにそのＴＦＴ部８０やバスライン部
(ゲート配線８２およびソース配線(図示せず))の上に
は、ＳｉＮxからなる絶縁保護膜１０１および有機層間
絶縁膜１０３を形成し、さらに有機層間絶縁膜１０３上
の最表層部に、画素電極として透明電極８９(または反
射電極)を形成している。画素電極である透明電極８９
とドレイン電極８８は、絶縁保護膜１０１および有機層
間絶縁膜１０３に設けられたコンタクトホール１０４を
介して電気的に接続されている。
ート配線８２(ゲート電極８３)が形成されており、スパ
ッタ法によって成膜される従来のＡl,ＴaまたはＭoとい
った電気配線の代わりに、電気配線の製造方法〜を
簡単に適用することが可能である(図６では４層構造の
積層膜で構成された電気配線のみを示す)。さらにその
上には、ＳiＮxからなるゲート絶縁膜８４を形成してい
る。そして、上記ゲート電極８３上に、ａ−Ｓi：Ｈか
らなるチャネル層８５と、ｎ+型のａ−Ｓi：Ｈからなる
コンタクト層８６と、Ｍoからなるソース電極８７、ド
レイン電極８８とで構成されたＴＦＴ部８０を形成して
いる。また、さらにそのＴＦＴ部８０やバスライン部
(ゲート配線８２およびソース配線(図示せず))の上に
は、ＳｉＮxからなる絶縁保護膜１０１および有機層間
絶縁膜１０３を形成し、さらに有機層間絶縁膜１０３上
の最表層部に、画素電極として透明電極８９(または反
射電極)を形成している。画素電極である透明電極８９
とドレイン電極８８は、絶縁保護膜１０１および有機層
間絶縁膜１０３に設けられたコンタクトホール１０４を
介して電気的に接続されている。
【０１１５】上記構成の配線基板は、第１実施形態の図
１に示す配線基板と同様の効果を有する。
１に示す配線基板と同様の効果を有する。
【０１１６】（第３実施形態）図７はこの発明の第３実
施形態の表示装置に用いられる配線基板の断面図であっ
て、この配線基板は、第１実施形態の電気配線の製造方
法〜のいずれか１つにより製造された電気配線をゲ
ート配線に用いた液晶表示装置用のアクティブマトリク
ス基板である。
施形態の表示装置に用いられる配線基板の断面図であっ
て、この配線基板は、第１実施形態の電気配線の製造方
法〜のいずれか１つにより製造された電気配線をゲ
ート配線に用いた液晶表示装置用のアクティブマトリク
ス基板である。
【０１１７】図７に示すように、ガラス基板９１上にゲ
ート配線９２(ゲート電極９３)が形成されており、スパ
ッタ法によって成膜される従来のＡl,ＴaまたはＭoとい
った電気配線の代わりに、電気配線の製造方法〜を
適用する(図７では４層構造の積層膜で構成された電気
配線のみを示す)。このとき、ゲート配線９２の最下層
となる酸化膜を、ＩＴＯ,ＳnＯ2またはＺnＯ等からなる
導電性酸化膜で形成し、さらにこの導電性酸化膜の形成
と同時に画素電極９４を形成しておく。さらにその上に
は、ＳiＮxからなるゲート絶縁膜１００を形成する。そ
して、ゲート電極９３上に、ａ−Ｓi：Ｈからなるチャ
ネル層９６と、ｎ+型のａ―Ｓi：Ｈからなるコンタクト
層９７と、Ｍo,ＴaまたはＡl等の金属からなるソース電
極９８,ドレイン電極９９とで構成されたＴＦＴ部９０
を形成している。そして、ＴＦＴ部９０やバスライン部
(ゲート配線９２およびソース配線(図示せず))の上に
は、ＳiＮxや有機絶縁膜からなる絶縁保護膜１０２を形
成している。
ート配線９２(ゲート電極９３)が形成されており、スパ
ッタ法によって成膜される従来のＡl,ＴaまたはＭoとい
った電気配線の代わりに、電気配線の製造方法〜を
適用する(図７では４層構造の積層膜で構成された電気
配線のみを示す)。このとき、ゲート配線９２の最下層
となる酸化膜を、ＩＴＯ,ＳnＯ2またはＺnＯ等からなる
導電性酸化膜で形成し、さらにこの導電性酸化膜の形成
と同時に画素電極９４を形成しておく。さらにその上に
は、ＳiＮxからなるゲート絶縁膜１００を形成する。そ
して、ゲート電極９３上に、ａ−Ｓi：Ｈからなるチャ
ネル層９６と、ｎ+型のａ―Ｓi：Ｈからなるコンタクト
層９７と、Ｍo,ＴaまたはＡl等の金属からなるソース電
極９８,ドレイン電極９９とで構成されたＴＦＴ部９０
を形成している。そして、ＴＦＴ部９０やバスライン部
(ゲート配線９２およびソース配線(図示せず))の上に
は、ＳiＮxや有機絶縁膜からなる絶縁保護膜１０２を形
成している。
【０１１８】このように、ゲート配線９２の最下層であ
る酸化膜として、ＩＴＯ,ＳnＯ2またはＺnＯ等からなる
透明性の優れた導電性酸化膜を用いると、液晶表示装置
のように、電気配線以外にも別途透明導電膜(例えば画
素毎に設けられている透明電極)の成膜を必要とする場
合、両者を同じ透明導電性酸化膜で形成することがで
き、プロセスの短縮(高効率化)を実現することができ
る。
る酸化膜として、ＩＴＯ,ＳnＯ2またはＺnＯ等からなる
透明性の優れた導電性酸化膜を用いると、液晶表示装置
のように、電気配線以外にも別途透明導電膜(例えば画
素毎に設けられている透明電極)の成膜を必要とする場
合、両者を同じ透明導電性酸化膜で形成することがで
き、プロセスの短縮(高効率化)を実現することができ
る。
【０１１９】（第４実施形態）図８はこの発明の第４実
施形態の二次元画像検出器の平面模式図を示している。
図８に示すように、上記二次元画像検出器は、ガラス基
板１１０と、上記ガラス基板１１０上に碁盤の目状に配
列された画素電極１１１と、上記画素電極１１１の行毎
に設けられたゲート配線１１２と、上記画素電極１１１
の列毎に設けられたデータ電極１１３と、上記データ電
極１１３が入力端子に接続されたアンプ１１４と、上記
画素電極１１１に設けられ、上記ゲート配線１１２にゲ
ートが接続されたＴＦＴ１１５と、上記画素電極１１１
毎に設けられた蓄積容量１１６とを備えている。
施形態の二次元画像検出器の平面模式図を示している。
図８に示すように、上記二次元画像検出器は、ガラス基
板１１０と、上記ガラス基板１１０上に碁盤の目状に配
列された画素電極１１１と、上記画素電極１１１の行毎
に設けられたゲート配線１１２と、上記画素電極１１１
の列毎に設けられたデータ電極１１３と、上記データ電
極１１３が入力端子に接続されたアンプ１１４と、上記
画素電極１１１に設けられ、上記ゲート配線１１２にゲ
ートが接続されたＴＦＴ１１５と、上記画素電極１１１
毎に設けられた蓄積容量１１６とを備えている。
【０１２０】また、図９は図８で示した二次元画像検出
器の１画素当りの断面図である。この二次元画像検出器
は、アクティブマトリクス基板上にＸ線導電体と上部電
極が形成された構造を基本的に有している。図９に示す
ように、ガラス基板１２１上にゲート電極１２２を形成
している。このゲート配線１２２は、スパッタ法によっ
て成膜される従来のＡl,ＴaまたはＭoといった電気配線
とは異なり、第１実施形態で説明した方法で全て湿式成
膜技術によって成膜されたＣu／Ａu／Ｎi／ＩＴＯの積
層膜で構成している。さらにその上に、ＳiＮxからなる
ゲート絶縁膜１２４を形成している。そして、上記ゲー
ト電極１２２上に、ａ−Ｓi：Ｈからなるチャネル層１
２６と、ｎ+型のａ−Ｓi：Ｈからなるコンタクト層１２
７と、Ａl,ＴaまたはＭo等の金属からなるソース電極１
２８,ドレイン電極１２９とで構成されたＴＦＴ部１２
０を形成している。さらに、ＴＦＴ部１２０やゲート配
線,ソース配線(図示せず)を覆うように樹脂製の絶縁層
１３０)を形成した後、画素電極１２８として透明電極
や金属電極を形成している。上記画素電極１２８とＴＦ
Ｔ部１２０のドレイン電極１２９とを、絶縁層に設けら
れたビアホール(図示せず)によって接続している。ま
た、蓄積容量は、蓄積容量電極１２３と画素電極１２８
の間に介在するゲート絶縁膜１２４によって構成されて
いる。
器の１画素当りの断面図である。この二次元画像検出器
は、アクティブマトリクス基板上にＸ線導電体と上部電
極が形成された構造を基本的に有している。図９に示す
ように、ガラス基板１２１上にゲート電極１２２を形成
している。このゲート配線１２２は、スパッタ法によっ
て成膜される従来のＡl,ＴaまたはＭoといった電気配線
とは異なり、第１実施形態で説明した方法で全て湿式成
膜技術によって成膜されたＣu／Ａu／Ｎi／ＩＴＯの積
層膜で構成している。さらにその上に、ＳiＮxからなる
ゲート絶縁膜１２４を形成している。そして、上記ゲー
ト電極１２２上に、ａ−Ｓi：Ｈからなるチャネル層１
２６と、ｎ+型のａ−Ｓi：Ｈからなるコンタクト層１２
７と、Ａl,ＴaまたはＭo等の金属からなるソース電極１
２８,ドレイン電極１２９とで構成されたＴＦＴ部１２
０を形成している。さらに、ＴＦＴ部１２０やゲート配
線,ソース配線(図示せず)を覆うように樹脂製の絶縁層
１３０)を形成した後、画素電極１２８として透明電極
や金属電極を形成している。上記画素電極１２８とＴＦ
Ｔ部１２０のドレイン電極１２９とを、絶縁層に設けら
れたビアホール(図示せず)によって接続している。ま
た、蓄積容量は、蓄積容量電極１２３と画素電極１２８
の間に介在するゲート絶縁膜１２４によって構成されて
いる。
【０１２１】このような構成のアクティブマトリクス基
板上に、Ｘ線導電層１３１と上部電極１３２とを形成す
ることにより二次元画像検出器が完成する。なお、Ｘ線
導電層１３１の材料としては、ａ−Ｓe,ＣdＴe,ＣdＺn
ＴeまたはＰbＩ2等が使用できる。
板上に、Ｘ線導電層１３１と上部電極１３２とを形成す
ることにより二次元画像検出器が完成する。なお、Ｘ線
導電層１３１の材料としては、ａ−Ｓe,ＣdＴe,ＣdＺn
ＴeまたはＰbＩ2等が使用できる。
【０１２２】上記構成の二次元画像検出器では、Ｘ線導
電層８１にＸ線が入射すると、Ｘ線導電層８１内で電子
−正孔対が発生し、この電荷が蓄積容量(蓄積容量電極
１２３,画素電極１２８およびゲート絶縁膜１２４で構
成)に蓄積される。この電荷を二次元状に配置されたＴ
ＦＴ部１２０(図８では１１５)で順次読み出していくこ
とにより、Ｘ線の画像を得ることが可能になる。
電層８１にＸ線が入射すると、Ｘ線導電層８１内で電子
−正孔対が発生し、この電荷が蓄積容量(蓄積容量電極
１２３,画素電極１２８およびゲート絶縁膜１２４で構
成)に蓄積される。この電荷を二次元状に配置されたＴ
ＦＴ部１２０(図８では１１５)で順次読み出していくこ
とにより、Ｘ線の画像を得ることが可能になる。
【０１２３】このように、上記二次元画像検出器は、真
空成膜装置を一切使用せずに金属膜と酸化膜とによって
形成された積層構造の電気配線(ゲート配線)が得られ
る。したがって、第１〜第３実施形態と同様に、酸化膜
上に密着性の優れた金属膜を形成できるため、信頼性の
高い二次元画像検出器を実現することが可能になる。
空成膜装置を一切使用せずに金属膜と酸化膜とによって
形成された積層構造の電気配線(ゲート配線)が得られ
る。したがって、第１〜第３実施形態と同様に、酸化膜
上に密着性の優れた金属膜を形成できるため、信頼性の
高い二次元画像検出器を実現することが可能になる。
【０１２４】また、この第４実施形態では、真空成膜装
置を一切使用しないので、装置コストが安価であり、従
来の電気配線の製造方法に比べて充分なコストダウン効
果が得られる。また、湿式成膜技術は、真空成膜技術に
比べて大面積成膜が容易であることから、大面積基板に
対しても容易に対応することが可能になる。特に、Ｘ線
の二次元画像を検出しようとした場合、原理上、Ｘ線像
を結像させることが困難なため、受像領域に略等しいサ
イズの二次元画像検出器が必要となることから、二次元
画像検出器自身の大面積化が要求されるので、この発明
は極めて有効なものとなる。さらに、この場合、低温成
膜が可能となることから、成膜に関わるエネルギー消費
量を削減することも可能となる。
置を一切使用しないので、装置コストが安価であり、従
来の電気配線の製造方法に比べて充分なコストダウン効
果が得られる。また、湿式成膜技術は、真空成膜技術に
比べて大面積成膜が容易であることから、大面積基板に
対しても容易に対応することが可能になる。特に、Ｘ線
の二次元画像を検出しようとした場合、原理上、Ｘ線像
を結像させることが困難なため、受像領域に略等しいサ
イズの二次元画像検出器が必要となることから、二次元
画像検出器自身の大面積化が要求されるので、この発明
は極めて有効なものとなる。さらに、この場合、低温成
膜が可能となることから、成膜に関わるエネルギー消費
量を削減することも可能となる。
【０１２５】さらに、Ｘ線導電層を画素毎に分離するよ
うにパターンニング形成してもよいし、Ｘ線導電層を各
種ダイオード構造とすることも可能である。また、Ｘ線
導電層の代わりに光導電層を用いれば、光に対する二次
元画像検出器を形成することも可能である。また、この
ような光に対する二次元画像検出器とＸ線−光変換層を
組み合わせて、Ｘ線用の二次元画像検出器を構成するこ
とも可能である。
うにパターンニング形成してもよいし、Ｘ線導電層を各
種ダイオード構造とすることも可能である。また、Ｘ線
導電層の代わりに光導電層を用いれば、光に対する二次
元画像検出器を形成することも可能である。また、この
ような光に対する二次元画像検出器とＸ線−光変換層を
組み合わせて、Ｘ線用の二次元画像検出器を構成するこ
とも可能である。
【０１２６】なお、上記第１〜第４実施形態の図１,図
６,図７または図９に示す配線基板(アクティブマトリク
ス基板)の構造は単なる一例であり、ゲート配線だけで
なくソース配線にも湿式成膜法を適用することが可能で
ある。また、ＴＦＴの構造も図１,図６,図７または図９
に示すＴＦＴ部１５,８０,９０,１２０に限定されるわ
けではなく、スタガー構造,逆スタガー構造のどちらに
も適用できる。また、ａ−Ｓiを用いたＴＦＴだけでな
く、ｐ−Ｓi,ＣdＳe等からなる他の半導体膜を用いたＴ
ＦＴ構造を採用しても構わない。さらに、ＴＦＴ以外に
もＭＩＭ(MetalInsulator Metal:メタル・インシュレー
タ・メタル),ＢＴＢ(バックツーバックダイオード),ダ
イオードリング,バリスタまたはプラズマスイッチング
等を用いたアクティブマトリクス基板を表示装置や画像
検出器に広く適用することができる。また、上記電気配
線の構造は、アクティブ素子を備えない配線基板にも適
用することができ、その配線基板を用いて、パッシブマ
トリクス型の表示装置を形成することも可能である。
６,図７または図９に示す配線基板(アクティブマトリク
ス基板)の構造は単なる一例であり、ゲート配線だけで
なくソース配線にも湿式成膜法を適用することが可能で
ある。また、ＴＦＴの構造も図１,図６,図７または図９
に示すＴＦＴ部１５,８０,９０,１２０に限定されるわ
けではなく、スタガー構造,逆スタガー構造のどちらに
も適用できる。また、ａ−Ｓiを用いたＴＦＴだけでな
く、ｐ−Ｓi,ＣdＳe等からなる他の半導体膜を用いたＴ
ＦＴ構造を採用しても構わない。さらに、ＴＦＴ以外に
もＭＩＭ(MetalInsulator Metal:メタル・インシュレー
タ・メタル),ＢＴＢ(バックツーバックダイオード),ダ
イオードリング,バリスタまたはプラズマスイッチング
等を用いたアクティブマトリクス基板を表示装置や画像
検出器に広く適用することができる。また、上記電気配
線の構造は、アクティブ素子を備えない配線基板にも適
用することができ、その配線基板を用いて、パッシブマ
トリクス型の表示装置を形成することも可能である。
【０１２７】また、上記第１〜第３実施形態では、配線
基板が用いられる液晶表示装置について説明したが、表
示装置はこれに限らず、表示媒体として液晶以外の光学
媒体を採用した表示装置、例えば、 ・プラズマ表示装置(ＰＤＰ) ・無機または有機のＥＬ表示装置 ・エレクトロクロミック表示装置 ・電気泳動表示装置 などの電気配線を必要とするあらゆる表示装置、とりわ
け低抵抗化,大面積化,コストダウン等が要求される表示
装置に広く適用できる。
基板が用いられる液晶表示装置について説明したが、表
示装置はこれに限らず、表示媒体として液晶以外の光学
媒体を採用した表示装置、例えば、 ・プラズマ表示装置(ＰＤＰ) ・無機または有機のＥＬ表示装置 ・エレクトロクロミック表示装置 ・電気泳動表示装置 などの電気配線を必要とするあらゆる表示装置、とりわ
け低抵抗化,大面積化,コストダウン等が要求される表示
装置に広く適用できる。
【０１２８】また、この発明の電機配線の製造方法で
は、アクティブマトリクス駆動型やパッシブマトリクス
駆動型のフラットパネルディスプレイ全般や、その他フ
ラットパネル形状をした二次元画像検出器や、その他の
電気配線を具備するあらゆる電子機器に広く適用するこ
とが可能である。
は、アクティブマトリクス駆動型やパッシブマトリクス
駆動型のフラットパネルディスプレイ全般や、その他フ
ラットパネル形状をした二次元画像検出器や、その他の
電気配線を具備するあらゆる電子機器に広く適用するこ
とが可能である。
【０１２９】また、この発明の配線基板(アクティブマ
トリクス基板)は、透過型液晶表示装置や反射型液晶表
示装置および二次元画像検出器等に使用することがで
き、中でも大面積であることが求められるディスプレイ
分野のように、電気配線の低抵抗化するためにＣuを使
用する場合や、ドライ成膜に代わり湿式成膜により電気
配線を形成する場合に極めて有効である。
トリクス基板)は、透過型液晶表示装置や反射型液晶表
示装置および二次元画像検出器等に使用することがで
き、中でも大面積であることが求められるディスプレイ
分野のように、電気配線の低抵抗化するためにＣuを使
用する場合や、ドライ成膜に代わり湿式成膜により電気
配線を形成する場合に極めて有効である。
【０１３０】
【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１の発
明の電気配線の製造方法によれば、絶縁性基板上に湿式
成膜技術によって酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
上記酸化膜上に湿式成膜技術によって金属膜を形成する
金属膜形成工程とを有するので、真空成膜装置を一切使
用せずに金属膜と酸化膜とによって形成された積層構造
の電気配線を得ることができ、従来の製造方法に比べて
充分なコストダウン効果が得られる。また、湿式成膜技
術は、真空成膜技術に比べて大面積成膜が容易であるこ
とから、大面積基板に対しても容易に対応することがで
きる。また、真空成膜装置を一切使用せずに金属膜と酸
化膜とによって形成された積層構造の電気配線を得るこ
とができるため、耐真空性や耐熱性に優れたガラス基板
以外にも、有機材料からなる絶縁性基板(例えば高分子
フィルム)等にも容易に電気配線を形成することが可能
になる。さらに、真空系を用いないメリットを生かし、
非常に長いフィルム基材を用いてロールツーロール方式
で生産性よく電気配線を形成することもできる。
明の電気配線の製造方法によれば、絶縁性基板上に湿式
成膜技術によって酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
上記酸化膜上に湿式成膜技術によって金属膜を形成する
金属膜形成工程とを有するので、真空成膜装置を一切使
用せずに金属膜と酸化膜とによって形成された積層構造
の電気配線を得ることができ、従来の製造方法に比べて
充分なコストダウン効果が得られる。また、湿式成膜技
術は、真空成膜技術に比べて大面積成膜が容易であるこ
とから、大面積基板に対しても容易に対応することがで
きる。また、真空成膜装置を一切使用せずに金属膜と酸
化膜とによって形成された積層構造の電気配線を得るこ
とができるため、耐真空性や耐熱性に優れたガラス基板
以外にも、有機材料からなる絶縁性基板(例えば高分子
フィルム)等にも容易に電気配線を形成することが可能
になる。さらに、真空系を用いないメリットを生かし、
非常に長いフィルム基材を用いてロールツーロール方式
で生産性よく電気配線を形成することもできる。
【０１３１】また、請求項２の発明の電気配線の製造方
法によれば、請求項１の電気配線の製造方法において、
上記酸化膜形成工程と上記金属膜形成工程との間のパタ
ーニング工程により、上記酸化膜を所定の形状にパター
ニングするので、金属膜形成工程で成膜される金属膜
を、パターニングされた酸化膜上のみに選択的に成膜す
ることができ、酸化膜と金属膜との両者を全面成膜して
から両者をパターニングする方法に比べて、必要な部分
にしか金属膜が成膜されないので、金属膜のパターニン
グが不要になり、金属膜材料の無駄も発生しない。
法によれば、請求項１の電気配線の製造方法において、
上記酸化膜形成工程と上記金属膜形成工程との間のパタ
ーニング工程により、上記酸化膜を所定の形状にパター
ニングするので、金属膜形成工程で成膜される金属膜
を、パターニングされた酸化膜上のみに選択的に成膜す
ることができ、酸化膜と金属膜との両者を全面成膜して
から両者をパターニングする方法に比べて、必要な部分
にしか金属膜が成膜されないので、金属膜のパターニン
グが不要になり、金属膜材料の無駄も発生しない。
【０１３２】また、請求項３の発明の電気配線の製造方
法によれば、請求項２の電気配線の製造方法において、
上記酸化膜の前駆体は感光性を有し、上記酸化膜を所定
の形状にパターニングするパターニング工程は上記酸化
膜の前駆体に光を照射する工程を含むことによって、上
記酸化膜の成膜からパターニングまでの間に、レジスト
の塗布や剥離工程を必要としないため、製造効率を向上
できる。
法によれば、請求項２の電気配線の製造方法において、
上記酸化膜の前駆体は感光性を有し、上記酸化膜を所定
の形状にパターニングするパターニング工程は上記酸化
膜の前駆体に光を照射する工程を含むことによって、上
記酸化膜の成膜からパターニングまでの間に、レジスト
の塗布や剥離工程を必要としないため、製造効率を向上
できる。
【０１３３】また、請求項４の発明の電気配線の製造方
法によれば、請求項１または２の電気配線の製造方法に
おいて、上記酸化膜形成工程に用いられる湿式成膜技術
はゾルゲル法であるので、真空成膜装置を用いることな
く、ガラス等の絶縁性基板上にゾルゲル溶液を塗布して
焼成するだけで酸化膜を容易に成膜することができる。
また、上記ゾルゲル法によって、微細な孔が網目状に存
在する多孔質(ポーラス)な酸化膜を形成して、その酸化
膜上に金属膜をメッキすることにより、酸化膜の微細な
孔がアンカー効果を発揮して、非常に密着性のよいメッ
キ膜を得ることができる。これにより、従来困難であっ
たＩＴＯ膜上への無電解Ｃuメッキも可能となる。
法によれば、請求項１または２の電気配線の製造方法に
おいて、上記酸化膜形成工程に用いられる湿式成膜技術
はゾルゲル法であるので、真空成膜装置を用いることな
く、ガラス等の絶縁性基板上にゾルゲル溶液を塗布して
焼成するだけで酸化膜を容易に成膜することができる。
また、上記ゾルゲル法によって、微細な孔が網目状に存
在する多孔質(ポーラス)な酸化膜を形成して、その酸化
膜上に金属膜をメッキすることにより、酸化膜の微細な
孔がアンカー効果を発揮して、非常に密着性のよいメッ
キ膜を得ることができる。これにより、従来困難であっ
たＩＴＯ膜上への無電解Ｃuメッキも可能となる。
【０１３４】また、請求項５の発明の電気配線の製造方
法によれば、請求項１または２の電気配線の製造方法に
おいて、上記酸化膜形成工程に用いられる湿式成膜技術
は化学析出法または液相析出法のいずれか一方であるの
で、真空成膜装置を用いることなく、ガラス基板を水溶
液に浸漬するだけで酸化膜を容易に成膜することができ
る。また、化学析出法によって得られた酸化膜は、絶縁
性基板上に付着させた金属触媒を核に結晶粒が成長して
いくため、真空成膜装置によって成膜された酸化膜に比
べると表面の凹凸が激しいので、その酸化膜上に金属膜
をメッキすることにより、酸化膜の表面の凹凸がアンカ
ー効果を発揮して、非常に密着性のよいメッキ膜を得る
ことができる。
法によれば、請求項１または２の電気配線の製造方法に
おいて、上記酸化膜形成工程に用いられる湿式成膜技術
は化学析出法または液相析出法のいずれか一方であるの
で、真空成膜装置を用いることなく、ガラス基板を水溶
液に浸漬するだけで酸化膜を容易に成膜することができ
る。また、化学析出法によって得られた酸化膜は、絶縁
性基板上に付着させた金属触媒を核に結晶粒が成長して
いくため、真空成膜装置によって成膜された酸化膜に比
べると表面の凹凸が激しいので、その酸化膜上に金属膜
をメッキすることにより、酸化膜の表面の凹凸がアンカ
ー効果を発揮して、非常に密着性のよいメッキ膜を得る
ことができる。
【０１３５】また、請求項６の発明の電気配線の製造方
法によれば、請求項１または２の電気配線の製造方法に
おいて、上記金属膜形成工程に用いられる湿式成膜技術
は湿式メッキ法であるので、金属膜形成工程の湿式成膜
技術に湿式メッキ法を用いることにより、真空成膜装置
を用いずに金属膜を容易に成膜することができる。
法によれば、請求項１または２の電気配線の製造方法に
おいて、上記金属膜形成工程に用いられる湿式成膜技術
は湿式メッキ法であるので、金属膜形成工程の湿式成膜
技術に湿式メッキ法を用いることにより、真空成膜装置
を用いずに金属膜を容易に成膜することができる。
【０１３６】また、請求項７の発明の電気配線の製造方
法によれば、請求項１乃至６のいずれか１つの電気配線
の製造方法において、上記酸化膜がメッキ触媒を含有し
ているので、後の工程で酸化膜上に無電解メッキによっ
て金属膜を形成する場合に、メッキ触媒の付与工程を省
くことが可能になる。
法によれば、請求項１乃至６のいずれか１つの電気配線
の製造方法において、上記酸化膜がメッキ触媒を含有し
ているので、後の工程で酸化膜上に無電解メッキによっ
て金属膜を形成する場合に、メッキ触媒の付与工程を省
くことが可能になる。
【０１３７】また、請求項８の発明の電気配線の製造方
法によれば、請求項１乃至７のいずれか１つの電気配線
の製造方法において、上記酸化膜が導電性酸化膜である
ので、導電性酸化膜上に電気メッキによる金属膜形成が
可能になる。
法によれば、請求項１乃至７のいずれか１つの電気配線
の製造方法において、上記酸化膜が導電性酸化膜である
ので、導電性酸化膜上に電気メッキによる金属膜形成が
可能になる。
【０１３８】また、請求項９の発明の電気配線の製造方
法によれば、請求項８の電気配線の製造方法において、
上記導電性酸化膜が透明性を有することにより、電気配
線以外に例えば液晶表示装置の画素毎に設けられている
透明電極を同じ透明導電性酸化膜で形成することがで
き、プロセスの短縮化ができる。
法によれば、請求項８の電気配線の製造方法において、
上記導電性酸化膜が透明性を有することにより、電気配
線以外に例えば液晶表示装置の画素毎に設けられている
透明電極を同じ透明導電性酸化膜で形成することがで
き、プロセスの短縮化ができる。
【０１３９】また、請求項１０の発明の電気配線の製造
方法によれば、請求項８または９の電気配線の製造方法
において、電気配線以外の用途の透明導電膜(例えば液
晶表示装置の画素毎に設けられている透明電極)の成膜
を必要とする場合、同一工程により同じ材料で形成され
た透明導電性酸化膜を、上記電気配線およびその電気配
線以外の用途の透明導電膜に用いることができ、プロセ
スを短縮化でき、効率よく電気配線を製造できる。
方法によれば、請求項８または９の電気配線の製造方法
において、電気配線以外の用途の透明導電膜(例えば液
晶表示装置の画素毎に設けられている透明電極)の成膜
を必要とする場合、同一工程により同じ材料で形成され
た透明導電性酸化膜を、上記電気配線およびその電気配
線以外の用途の透明導電膜に用いることができ、プロセ
スを短縮化でき、効率よく電気配線を製造できる。
【０１４０】また、請求項１１の発明の電気配線の製造
方法によれば、請求項１乃至１０のいずれか１つの電気
配線の製造方法において、上記金属膜は、ニッケル,銅
および金のうちのいずれか１つからなる単層膜か、また
は、上記ニッケル,銅および金のうちのいずれか１つか
らなる単層膜を少なくとも１層含む多層膜であるので、
Ｎiの単層膜の場合は、酸化膜(IＴＯ等)上に密着性よく
成膜することができ、さらに酸化膜(ＩＴＯ等)上のみに
選択的に無電解メッキを行うこともできると共に、Ｃu
やＡuの単層膜の場合は比抵抗が小さく、低抵抗な電気
配線を実現することができる。特に、酸化膜(ＩＴＯ膜)
上にＮi膜を成膜し、さらにその上にＣu,ＡuまたはＣu
／Ａu等の膜を成膜することにより、密着性のよい低抵
抗な電気配線を実現することが可能になる。
方法によれば、請求項１乃至１０のいずれか１つの電気
配線の製造方法において、上記金属膜は、ニッケル,銅
および金のうちのいずれか１つからなる単層膜か、また
は、上記ニッケル,銅および金のうちのいずれか１つか
らなる単層膜を少なくとも１層含む多層膜であるので、
Ｎiの単層膜の場合は、酸化膜(IＴＯ等)上に密着性よく
成膜することができ、さらに酸化膜(ＩＴＯ等)上のみに
選択的に無電解メッキを行うこともできると共に、Ｃu
やＡuの単層膜の場合は比抵抗が小さく、低抵抗な電気
配線を実現することができる。特に、酸化膜(ＩＴＯ膜)
上にＮi膜を成膜し、さらにその上にＣu,ＡuまたはＣu
／Ａu等の膜を成膜することにより、密着性のよい低抵
抗な電気配線を実現することが可能になる。
【０１４１】また、請求項１２の発明の配線基板によれ
ば、絶縁性基板上に湿式成膜技術によって形成された酸
化膜と、上記酸化膜上に湿式成膜技術によって形成され
た金属膜とを有する積層構造の電気配線を備えたので、
真空成膜装置を一切使用せずに金属膜と酸化膜とによっ
て形成された積層構造の電気配線を得ることができ、従
来の製造方法で形成された電気配線を用いる場合に比べ
て充分なコストダウン効果が得られる。また、湿式成膜
技術は、真空成膜技術に比べて大面積成膜が容易である
ことから、大面積基板に対しても容易に対応することが
可能になる。また、真空成膜装置を一切使用せずに金属
膜と酸化膜の積層櫛造配線を形成するため、耐真空性や
耐熱性に優れたガラス基板以外にも、有機材料からなる
絶縁性基板や高分子フィルム等にも容易に電気配線を形
成することが可能になる。さらには、真空系を用いない
メリットを生かし、非常に長いフィルム基材を用いて、
ロールツーロール方式で生産性よく電気配線を形成する
ことも可能である。
ば、絶縁性基板上に湿式成膜技術によって形成された酸
化膜と、上記酸化膜上に湿式成膜技術によって形成され
た金属膜とを有する積層構造の電気配線を備えたので、
真空成膜装置を一切使用せずに金属膜と酸化膜とによっ
て形成された積層構造の電気配線を得ることができ、従
来の製造方法で形成された電気配線を用いる場合に比べ
て充分なコストダウン効果が得られる。また、湿式成膜
技術は、真空成膜技術に比べて大面積成膜が容易である
ことから、大面積基板に対しても容易に対応することが
可能になる。また、真空成膜装置を一切使用せずに金属
膜と酸化膜の積層櫛造配線を形成するため、耐真空性や
耐熱性に優れたガラス基板以外にも、有機材料からなる
絶縁性基板や高分子フィルム等にも容易に電気配線を形
成することが可能になる。さらには、真空系を用いない
メリットを生かし、非常に長いフィルム基材を用いて、
ロールツーロール方式で生産性よく電気配線を形成する
ことも可能である。
【０１４２】また、請求項１３の発明の配線基板によれ
ば、請求項１２の配線基板において、上記酸化膜が配線
形状にパターニングされ、そのパターンニングされた酸
化膜上に上記金属膜が選択的に成膜されているので、酸
化膜と金属膜との両者を全面成膜した後にその両者を配
線形状にパターニングする方法に比べると、必要な部分
にしか金属膜が成膜されないから、金属膜のパターニン
グ工程が不要になり、その上、金属膜材料の無駄も発生
しない。
ば、請求項１２の配線基板において、上記酸化膜が配線
形状にパターニングされ、そのパターンニングされた酸
化膜上に上記金属膜が選択的に成膜されているので、酸
化膜と金属膜との両者を全面成膜した後にその両者を配
線形状にパターニングする方法に比べると、必要な部分
にしか金属膜が成膜されないから、金属膜のパターニン
グ工程が不要になり、その上、金属膜材料の無駄も発生
しない。
【０１４３】また、請求項１４の発明の電気配線の製造
方法によれば、請求項１２または請求項１３の配線基板
において、上記酸化膜の前駆体が感光性を有するので、
酸化膜の前駆体に光を照射して酸化膜を所定の形状にパ
ターニングでき、酸化膜の成膜からパターニングまでの
間に、レジストの塗布や剥離工程を必要としないため、
製造効率を向上できる。
方法によれば、請求項１２または請求項１３の配線基板
において、上記酸化膜の前駆体が感光性を有するので、
酸化膜の前駆体に光を照射して酸化膜を所定の形状にパ
ターニングでき、酸化膜の成膜からパターニングまでの
間に、レジストの塗布や剥離工程を必要としないため、
製造効率を向上できる。
【０１４４】また、請求項１５の発明の配線基板によれ
ば、請求項１２乃至１３の配線基板において、上記酸化
膜が多孔質な膜であるので、酸化膜上に金属膜をメッキ
することにより、酸化膜の微細な孔がアンカー効果を発
揮して、非常に密着性のよいメッキ膜を得ることがで
き、従来困難であったＩＴＯ膜上への無電解Ｃuメッキ
も可能となる。
ば、請求項１２乃至１３の配線基板において、上記酸化
膜が多孔質な膜であるので、酸化膜上に金属膜をメッキ
することにより、酸化膜の微細な孔がアンカー効果を発
揮して、非常に密着性のよいメッキ膜を得ることがで
き、従来困難であったＩＴＯ膜上への無電解Ｃuメッキ
も可能となる。
【０１４５】また、請求項１６の発明の配線基板によれ
ば、請求項１２乃至１３の配線基板において、上記酸化
膜が表面に凹凸を有する膜であるので、酸化膜上に金属
膜をメッキすることにより、酸化膜の表面の凹凸がアン
カー効果を発揮して、非常に密着性のよいメッキ膜を得
ることができる。
ば、請求項１２乃至１３の配線基板において、上記酸化
膜が表面に凹凸を有する膜であるので、酸化膜上に金属
膜をメッキすることにより、酸化膜の表面の凹凸がアン
カー効果を発揮して、非常に密着性のよいメッキ膜を得
ることができる。
【０１４６】また、請求項１７の発明の配線基板によれ
ば、請求項１２乃至１６のいずれか１つの配線基板にお
いて、上記酸化膜が導電性酸化膜であるので、導電性酸
化膜上に電気メッキによる金属膜形成が可能になる。
ば、請求項１２乃至１６のいずれか１つの配線基板にお
いて、上記酸化膜が導電性酸化膜であるので、導電性酸
化膜上に電気メッキによる金属膜形成が可能になる。
【０１４７】また、請求項１８の発明の配線基板によれ
ば、請求項１２の配線基板において、上記導電性酸化膜
が透明性を有するので、液晶表示装置や二次元画像検出
器のように、電気配線以外に透明導電膜(例えば画素毎
に設けられている透明電極)の成膜を必要とする場合、
両者を同じ透明導電性酸化膜で形成することができ、プ
ロセスの短縮化を実現することができる。
ば、請求項１２の配線基板において、上記導電性酸化膜
が透明性を有するので、液晶表示装置や二次元画像検出
器のように、電気配線以外に透明導電膜(例えば画素毎
に設けられている透明電極)の成膜を必要とする場合、
両者を同じ透明導電性酸化膜で形成することができ、プ
ロセスの短縮化を実現することができる。
【０１４８】また、請求項１９の発明の配線基板によれ
ば、請求項１２乃至１８のいずれか１つの配線基板にお
いて、上記金属膜は、ニッケル,銅または金のうちのい
ずれか１つの単層膜か、または、上記ニッケル,銅また
は金のうちのいずれか１つの単層膜を少なくとも１層含
む多層膜であるので、Ｎiの単層膜の場合は、酸化膜(Ｉ
ＴＯ膜等)上に密着性よく成膜することができ、さらに
酸化膜(ＩＴＯ膜等)上のみに選択的に無電解メッキを行
うこともできると共に、ＣuやＡuの単層膜の場合は比抵
抗が小さく、低抵抗な電気配線を実現することができ
る。特に、酸化膜(ＩＴＯ膜)上にＮi膜を成膜し、さら
にその上にＣu,ＡuまたはＣu／Ａu等の膜を成膜すれ
ば、密着性がよくかつ低抵抗な電気配線を実現すること
が可能になる。
ば、請求項１２乃至１８のいずれか１つの配線基板にお
いて、上記金属膜は、ニッケル,銅または金のうちのい
ずれか１つの単層膜か、または、上記ニッケル,銅また
は金のうちのいずれか１つの単層膜を少なくとも１層含
む多層膜であるので、Ｎiの単層膜の場合は、酸化膜(Ｉ
ＴＯ膜等)上に密着性よく成膜することができ、さらに
酸化膜(ＩＴＯ膜等)上のみに選択的に無電解メッキを行
うこともできると共に、ＣuやＡuの単層膜の場合は比抵
抗が小さく、低抵抗な電気配線を実現することができ
る。特に、酸化膜(ＩＴＯ膜)上にＮi膜を成膜し、さら
にその上にＣu,ＡuまたはＣu／Ａu等の膜を成膜すれ
ば、密着性がよくかつ低抵抗な電気配線を実現すること
が可能になる。
【０１４９】また、請求項２０の発明の表示装置によれ
ば、請求項１２乃至１９のいずれか１つの配線基板を用
いたので、真空成膜装置を用いることなく、低コストで
製造できると共に、大面積基板に対応可能な表示装置を
提供できる。
ば、請求項１２乃至１９のいずれか１つの配線基板を用
いたので、真空成膜装置を用いることなく、低コストで
製造できると共に、大面積基板に対応可能な表示装置を
提供できる。
【０１５０】また、請求項２１の発明の画像検出器によ
れば、請求項１２乃至１９のいずれか１つの配線基板を
用いたので、真空成膜装置を用いることなく、低コスト
で製造できると共に、大面積基板に対応可能な画像検出
器を提供できる。
れば、請求項１２乃至１９のいずれか１つの配線基板を
用いたので、真空成膜装置を用いることなく、低コスト
で製造できると共に、大面積基板に対応可能な画像検出
器を提供できる。
【図１】 図１はこの発明の第１実施形態の表示装置に
用いる配線基板の断面図である。
用いる配線基板の断面図である。
【図２】 図２は上記配線基板をアクティブマトリクス
型液晶表示装置の構造を示す斜視図である。
型液晶表示装置の構造を示す斜視図である。
【図３】 図３(a)〜(e)1は図１に示す電気配線の製造
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図４】 図４は金属アルコキシドを原料とするゾルゲ
ル法による薄膜の作成手順を示す図である。
ル法による薄膜の作成手順を示す図である。
【図５】 図５(a)〜(c)は成膜方法の違いによる酸化膜
構造の断面図である。
構造の断面図である。
【図６】 図６はこの発明の第２実施形態の表示装置に
用いる配線基板の断面図である。
用いる配線基板の断面図である。
【図７】 図７はこの発明の第３実施形態の表示装置に
用いる配線基板の断面図である。
用いる配線基板の断面図である。
【図８】 図８はこの発明の第４実施形態の二次元画像
検出器の平面摸式図である。
検出器の平面摸式図である。
【図９】 図９は上記二次元画像検出器の１画素当りの
断面図である。
断面図である。
１…ガラス基板、２…ゲート配線、３…ゲート電極、４
…ゲート絶縁膜、５…透明電極、６…チャネル層、７…
コンタクト層、８…ソース電極、９…ドレイン電極、１
０…絶縁保護膜、１５…ＴＦＴ部。
…ゲート絶縁膜、５…透明電極、６…チャネル層、７…
コンタクト層、８…ソース電極、９…ドレイン電極、１
０…絶縁保護膜、１５…ＴＦＴ部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３Ｂ ５Ｇ３２３ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｂ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ (72)発明者 越智 久雄 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 JA05 JB02 JB03 LA01 2H092 JB22 JB31 KB04 MA10 MA11 MA12 NA27 NA28 PA01 4K022 AA02 AA03 AA05 AA14 AA19 AA20 BA03 BA08 BA10 BA14 BA15 BA21 BA25 BA31 BA33 BA35 BA36 CA06 CA07 CA18 CA21 CA22 DA01 DA06 DA09 DB02 DB03 4K044 AA12 AA16 AB10 BA06 BA08 BA12 BB02 BB10 BC05 BC14 CA15 CA18 CA21 CA53 5E346 CC04 CC16 CC32 CC37 CC38 DD23 EE34 GG17 HH31 5G323 BA01 BA04 BB01 BB06 BC01
Claims (21)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に湿式成膜技術によって酸
化膜を形成する酸化膜形成工程と、 上記酸化膜上に湿式成膜技術によって金属膜を形成する
金属膜形成工程とを有することを特徴とする電気配線の
製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の電気配線の製造方法に
おいて、 上記酸化膜形成工程と上記金属膜形成工程との間に、上
記酸化膜を所定の形状にパターニングするパターニング
工程を有することを特徴とする電気配線の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の電気配線の製造方法に
おいて、 上記酸化膜の前駆体は感光性を有し、上記酸化膜を所定
の形状にパターニングするパターニング工程は上記酸化
膜の前駆体に光を照射する工程を含むことを特徴とする
電気配線の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１または２に記載の電気配線の製
造方法において、 上記酸化膜形成工程に用いられる湿式成膜技術はゾルゲ
ル法であることを特徴とする電気配線の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１または２に記載の電気配線の製
造方法において、 上記酸化膜形成工程に用いられる湿式成膜技術は化学析
出法または液相析出法のいずれか一方であることを特徴
とする電気配線の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１または２に記載の電気配線の製
造方法において、 上記金属膜形成工程に用いられる湿式成膜技術は湿式メ
ッキ法であることを特徴とする電気配線の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１つに記載の
電気配線の製造方法において、 上記酸化膜がメッキ触媒を含有することを特徴とする電
気配線の製造方法。 - 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれか１つに記載の
電気配線の製造方法において、 上記酸化膜が導電性酸化膜であることを特徴とする電気
配線の製造方法。 - 【請求項９】 請求項８に記載の電気配線の製造方法に
おいて、 上記導電性酸化膜が透明性を有することを特徴とする電
気配線の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項８または９に記載の電気配線の
製造方法において、 上記導電性酸化膜は、電気配線およびその電気配線以外
の用途の膜であって、上記絶縁性基板上に同一工程によ
り同じ材料で形成されることを特徴とする電気配線の製
造方法。 - 【請求項１１】 請求項１乃至１０のいずれか１つに記
載の電気配線の製造方法において、 上記金属膜は、ニッケル(Ｎi),銅(Ｃu)および金(Ａu)の
うちのいずれか１つからなる単層膜か、または、上記ニ
ッケル(Ｎi),銅(Ｃu)および金(Ａu)のうちのいずれか１
つからなる単層膜を少なくとも１層含む多層膜であるこ
とを特徴とする電気配線の製造方法。 - 【請求項１２】 絶縁性基板上に湿式成膜技術によって
形成された酸化膜と、上記酸化膜上に湿式成膜技術によ
って形成された金属膜とを有する積層構造の電気配線を
備えたことを特徴とする配線基板。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載の配線基板におい
て、 上記酸化膜が配線形状にパターニングされ、そのパター
ンニングされた酸化膜上に上記金属膜が選択的に成膜さ
れていることを特徴とする配線基板。 - 【請求項１４】 請求項１２または請求項１３に記載の
配線基板において、 上記酸化膜の前駆体が感光性を有することを特徴とする
配線基板。 - 【請求項１５】 請求項１２乃至１３に記載の配線基板
において、 上記酸化膜が多孔質な膜であることを特徴とする配線基
板。 - 【請求項１６】 請求項１２乃至１３に記載の配線基板
において、 上記酸化膜が表面に凹凸を有する膜であることを特徴と
する配線基板。 - 【請求項１７】 請求項１２乃至１６のいずれか１つに
記載の配線基板において、 上記酸化膜が導電性酸化膜であることを特徴とする配線
基板。 - 【請求項１８】 請求項１７に記載の配線基板におい
て、 上記導電性酸化膜が透明性を有することを特徴とする配
線基板。 - 【請求項１９】 請求項１２乃至１８のいずれか１つに
記載の配線基板において、 上記金属膜は、ニッケル(Ｎi),銅(Ｃu)または金(Ａu)の
うちのいずれか１つの単層膜か、または、上記ニッケル
(Ｎi),銅(Ｃu)または金(Ａu)のうちのいずれか１つの単
層膜を少なくとも１層含む多層膜であることを特徴とす
る配線基板。 - 【請求項２０】 請求項１２乃至１９のいずれか１つに
記載の配線基板を用いたことを特徴とする表示装置。 - 【請求項２１】 請求項１２乃至１９のいずれか１つに
記載の配線基板を用いたことを特徴とする画像検出器。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000058696A JP3479023B2 (ja) | 1999-05-18 | 2000-03-03 | 電気配線の製造方法および配線基板および表示装置および画像検出器 |
| TW089109086A TW508594B (en) | 1999-05-18 | 2000-05-12 | Method for fabricating electric interconnections and interconnection substrate having electric interconnections fabricated by the same method |
| US09/573,464 US6750475B1 (en) | 1999-05-18 | 2000-05-17 | Method for fabricating electric interconnections and interconnection substrate having electric interconnections fabricated by the same method |
| KR10-2000-0026403A KR100463818B1 (ko) | 1999-05-18 | 2000-05-17 | 전기 배선의 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 전기배선을 갖는 배선 기판 |
| US10/137,217 US6720211B2 (en) | 1999-05-18 | 2002-05-02 | Method for fabricating electric interconnections and interconnection substrate having electric interconnections fabricated by the same method |
| KR10-2003-0016420A KR100531077B1 (ko) | 1999-05-18 | 2003-03-17 | 전기 배선의 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 전기배선을 갖는 배선 기판 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-137122 | 1999-05-18 | ||
| JP13712299 | 1999-05-18 | ||
| JP2000058696A JP3479023B2 (ja) | 1999-05-18 | 2000-03-03 | 電気配線の製造方法および配線基板および表示装置および画像検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001032086A true JP2001032086A (ja) | 2001-02-06 |
| JP3479023B2 JP3479023B2 (ja) | 2003-12-15 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000058696A Expired - Fee Related JP3479023B2 (ja) | 1999-05-18 | 2000-03-03 | 電気配線の製造方法および配線基板および表示装置および画像検出器 |
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|---|---|
| US (2) | US6750475B1 (ja) |
| JP (1) | JP3479023B2 (ja) |
| KR (2) | KR100463818B1 (ja) |
| TW (1) | TW508594B (ja) |
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