JPH09152623A - 液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示素子およびその製造方法Info
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- JPH09152623A JPH09152623A JP33572595A JP33572595A JPH09152623A JP H09152623 A JPH09152623 A JP H09152623A JP 33572595 A JP33572595 A JP 33572595A JP 33572595 A JP33572595 A JP 33572595A JP H09152623 A JPH09152623 A JP H09152623A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＯＧ型液晶表示素子において、ことさら工
程を追加することなく、端子部に形成される引き出し端
子を低抵抗化する。 【解決手段】 透明ガラス基板２１ａの一方の表示面上
に所定のパターンをもって金属遮光膜１２、電気絶縁膜
１３および透明電極１４を順次形成するとともに、その
端子部２２上に、透明電極１４に連なる引き出し端子２
６を形成するにあたって、透明ガラス基板２１ａに所定
のパターンをもって金属遮光膜１２を形成する際、端子
部２上に引き出し端子２６とほぼ同一のパターンをもっ
てあらかじめ補助電極用金属膜２３を形成し、この補助
電極用金属膜２３上に透明電極１４に連なる引き出し端
子２６を形成する。
程を追加することなく、端子部に形成される引き出し端
子を低抵抗化する。 【解決手段】 透明ガラス基板２１ａの一方の表示面上
に所定のパターンをもって金属遮光膜１２、電気絶縁膜
１３および透明電極１４を順次形成するとともに、その
端子部２２上に、透明電極１４に連なる引き出し端子２
６を形成するにあたって、透明ガラス基板２１ａに所定
のパターンをもって金属遮光膜１２を形成する際、端子
部２上に引き出し端子２６とほぼ同一のパターンをもっ
てあらかじめ補助電極用金属膜２３を形成し、この補助
電極用金属膜２３上に透明電極１４に連なる引き出し端
子２６を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子および
その製造方法に関し、さらに詳しく言えば、透明ガラス
基板に連設された端子部を備え、その端子部に電子部品
を実装するようにした液晶表示素子およびその製造方法
に関するものである。
その製造方法に関し、さらに詳しく言えば、透明ガラス
基板に連設された端子部を備え、その端子部に電子部品
を実装するようにした液晶表示素子およびその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】マトリクス型ディスプレイの液晶表示素
子に用いられる透明電極基板には、その非電極部からの
光の漏れを防止するため、クロム金属などからなる格子
状の金属遮光膜（ブラックマトリクス）が形成されてい
る。
子に用いられる透明電極基板には、その非電極部からの
光の漏れを防止するため、クロム金属などからなる格子
状の金属遮光膜（ブラックマトリクス）が形成されてい
る。
【０００３】これを透明電極基板の断面図が示されてい
る図４（ａ）およびその平面図である同図（ｂ）により
説明すると、透明電極基板１０は基体としての透明ガラ
ス基板１１を備え、まず、この透明ガラス基板１１の一
方の表示面上に例えばクロム金属からなる金属遮光膜１
２が格子状に形成され、これによりその一桝を最小表示
単位とする複数の表示画素領域が画定される。
る図４（ａ）およびその平面図である同図（ｂ）により
説明すると、透明電極基板１０は基体としての透明ガラ
ス基板１１を備え、まず、この透明ガラス基板１１の一
方の表示面上に例えばクロム金属からなる金属遮光膜１
２が格子状に形成され、これによりその一桝を最小表示
単位とする複数の表示画素領域が画定される。
【０００４】次に、この金属遮光膜１２上に電気絶縁膜
１３がその全面にわたって形成され、しかる後、この電
気絶縁膜１３上に例えばＩＴＯ膜（酸化インジウムと酸
化スズとの混合膜）からなる透明電極１４が形成され
る。
１３がその全面にわたって形成され、しかる後、この電
気絶縁膜１３上に例えばＩＴＯ膜（酸化インジウムと酸
化スズとの混合膜）からなる透明電極１４が形成され
る。
【０００５】ここで、格子状金属遮光膜１２のＸ軸方向
に沿うストライプ膜を１２ａ、Ｙ軸方向に沿うストライ
プ膜を１２ｂとすると、この図示されている透明電極基
板１０側においては、透明電極１４が例えばストライプ
膜１２ｂ間においてＹ軸方向に沿って帯状に形成され、
これに対して図示されていない相手側の透明電極基板側
では、その透明電極がストライプ膜１２ａ間においてＸ
軸方向に沿って帯状に形成されることになる。このよう
にして、各透明電極１４間の非電極部に対応する位置に
金属遮光膜が形成されているため、その非電極部からの
光の漏れが防止される。
に沿うストライプ膜を１２ａ、Ｙ軸方向に沿うストライ
プ膜を１２ｂとすると、この図示されている透明電極基
板１０側においては、透明電極１４が例えばストライプ
膜１２ｂ間においてＹ軸方向に沿って帯状に形成され、
これに対して図示されていない相手側の透明電極基板側
では、その透明電極がストライプ膜１２ａ間においてＸ
軸方向に沿って帯状に形成されることになる。このよう
にして、各透明電極１４間の非電極部に対応する位置に
金属遮光膜が形成されているため、その非電極部からの
光の漏れが防止される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の液
晶表示素子の分野においても、他の電子機器と同様に、
小形化、薄型化の要望が強く、これを受けて液晶表示素
子自体にその駆動用ＩＣなどを実装してユニット化を図
るチップオングラス（ＣＯＧ）の技術の採用が盛んにな
りつつある。
晶表示素子の分野においても、他の電子機器と同様に、
小形化、薄型化の要望が強く、これを受けて液晶表示素
子自体にその駆動用ＩＣなどを実装してユニット化を図
るチップオングラス（ＣＯＧ）の技術の採用が盛んにな
りつつある。
【０００７】すなわち、ＣＯＧにおいては、透明ガラス
基板を本来の表示面以外にまで広げてその部分を端子部
とし、同端子部に透明電極に連なる引き出し端子（ＩＴ
Ｏ端子）を形成するとともに、その引き出し端子上に液
晶駆動用ＩＣなどの部品を直接表面実装するようにして
いる。
基板を本来の表示面以外にまで広げてその部分を端子部
とし、同端子部に透明電極に連なる引き出し端子（ＩＴ
Ｏ端子）を形成するとともに、その引き出し端子上に液
晶駆動用ＩＣなどの部品を直接表面実装するようにして
いる。
【０００８】しかしながら、ＩＴＯ端子は透明電極と同
じくその膜厚が極端に薄いため、その部分での電圧降下
が大きく、表示品位が低下するおそれがある。もっと
も、これを防止するには、ＩＴＯ端子にそれを低抵抗化
するに足りる低抵抗化用の補助電極を付設すればよいの
であるが、そのためだけに工程を追加することは製造コ
スト上好ましくない。
じくその膜厚が極端に薄いため、その部分での電圧降下
が大きく、表示品位が低下するおそれがある。もっと
も、これを防止するには、ＩＴＯ端子にそれを低抵抗化
するに足りる低抵抗化用の補助電極を付設すればよいの
であるが、そのためだけに工程を追加することは製造コ
スト上好ましくない。
【０００９】本発明は、このような問題を解決するため
になされたもので、その主たる目的は、ことさら工程を
追加することなく、端子部の引き出し端子を低抵抗化し
得るようにしたＣＯＧ型液晶表示素子の製造方法を提供
することにある。また、本発明の他の目的は、低抵抗化
された引き出し端子を備え、表示品位の良好なＣＯＧ型
液晶表示素子を提供することにある。
になされたもので、その主たる目的は、ことさら工程を
追加することなく、端子部の引き出し端子を低抵抗化し
得るようにしたＣＯＧ型液晶表示素子の製造方法を提供
することにある。また、本発明の他の目的は、低抵抗化
された引き出し端子を備え、表示品位の良好なＣＯＧ型
液晶表示素子を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、透明ガラス基板
の一方の表示面上に所定のパターンをもって金属遮光
膜、電気絶縁膜および透明電極を順次形成するととも
に、その透明ガラス基板に連設されている端子部上に上
記透明電極に連なる引き出し端子を形成してなる液晶表
示素子の製造方法において、上記透明ガラス基板の一方
の表示面上に所定のパターンをもって金属遮光膜を形成
する際、上記端子部上に上記引き出し端子とほぼ同一の
パターンをもってあらかじめ補助電極用金属膜を形成
し、この補助電極用金属膜上に上記透明電極に連なる引
き出し端子を形成するようにしたことを特徴としてい
る。
め、請求項１に記載の発明においては、透明ガラス基板
の一方の表示面上に所定のパターンをもって金属遮光
膜、電気絶縁膜および透明電極を順次形成するととも
に、その透明ガラス基板に連設されている端子部上に上
記透明電極に連なる引き出し端子を形成してなる液晶表
示素子の製造方法において、上記透明ガラス基板の一方
の表示面上に所定のパターンをもって金属遮光膜を形成
する際、上記端子部上に上記引き出し端子とほぼ同一の
パターンをもってあらかじめ補助電極用金属膜を形成
し、この補助電極用金属膜上に上記透明電極に連なる引
き出し端子を形成するようにしたことを特徴としてい
る。
【００１１】この場合、請求項２に記載されているよう
に、上記補助電極用金属膜は、上記金属遮光膜と同一の
材料により形成されることが好ましく、これによれば特
に新たな工程を追加することなく、引き出し端子を低抵
抗化することができる。
に、上記補助電極用金属膜は、上記金属遮光膜と同一の
材料により形成されることが好ましく、これによれば特
に新たな工程を追加することなく、引き出し端子を低抵
抗化することができる。
【００１２】また、請求項３の発明においては、上記透
明ガラス基板の一方の表示面上に所定のパターンをもっ
て金属遮光膜を形成する際、上記端子部の電子部品実装
面にも、その電子部品を外光から遮光するための金属遮
光膜を同時に形成することを特徴としている。
明ガラス基板の一方の表示面上に所定のパターンをもっ
て金属遮光膜を形成する際、上記端子部の電子部品実装
面にも、その電子部品を外光から遮光するための金属遮
光膜を同時に形成することを特徴としている。
【００１３】液晶駆動用ＩＣは往々にして外光によって
誤動作を引き起こす。請求項３の発明によれば、透明ガ
ラス基板の表示面上に格子状に金属遮光膜を形成する
際、端子部の電子部品実装面にも金属遮光膜が同時に形
成されるため、上記と同様に、特に工程を追加すること
なく、外光による液晶駆動用ＩＣの誤動作を防止するこ
とが可能となる。
誤動作を引き起こす。請求項３の発明によれば、透明ガ
ラス基板の表示面上に格子状に金属遮光膜を形成する
際、端子部の電子部品実装面にも金属遮光膜が同時に形
成されるため、上記と同様に、特に工程を追加すること
なく、外光による液晶駆動用ＩＣの誤動作を防止するこ
とが可能となる。
【００１４】一方、請求項４の発明は、透明ガラス基板
の一方の表示面上に所定のパターンをもって金属遮光
膜、電気絶縁膜および透明電極が順次形成されていると
ともに、その透明ガラス基板に連設された端子部を備
え、同端子部上に上記透明電極に連なる引き出し端子が
形成されている液晶表示素子において、上記引き出し端
子の下部に上記金属遮光膜と同一材料からなる補助電極
用金属膜が同引き出し端子とほぼ同一のパターンをもっ
て形成されていることを特徴としている。
の一方の表示面上に所定のパターンをもって金属遮光
膜、電気絶縁膜および透明電極が順次形成されていると
ともに、その透明ガラス基板に連設された端子部を備
え、同端子部上に上記透明電極に連なる引き出し端子が
形成されている液晶表示素子において、上記引き出し端
子の下部に上記金属遮光膜と同一材料からなる補助電極
用金属膜が同引き出し端子とほぼ同一のパターンをもっ
て形成されていることを特徴としている。
【００１５】また、請求項５の発明においては、透明ガ
ラス基板の一方の表示面上に所定のパターンをもって金
属遮光膜、電気絶縁膜および透明電極が順次形成されて
いるとともに、その透明ガラス基板に連設された端子部
を備え、同端子部上に上記透明電極に連なる引き出し端
子が形成されている液晶表示素子において、上記端子部
の電子部品実装面にその電子部品を外光から遮光するた
めの金属遮光膜が形成されていることを特徴としてい
る。
ラス基板の一方の表示面上に所定のパターンをもって金
属遮光膜、電気絶縁膜および透明電極が順次形成されて
いるとともに、その透明ガラス基板に連設された端子部
を備え、同端子部上に上記透明電極に連なる引き出し端
子が形成されている液晶表示素子において、上記端子部
の電子部品実装面にその電子部品を外光から遮光するた
めの金属遮光膜が形成されていることを特徴としてい
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の技術的思想をより
よく理解するうえで、図１ないし図３を参照しながら、
その実施の形態に即して本発明を説明する。図１には液
晶表示素子の表示部の一部分とそれに連設された端子部
の構成が示されており、図２には図１の平面が模式的に
表されており、さらに図３には端子部に形成される引き
出し端子と補助電極用金属膜との相互関係が例示されて
いる。なお、図１において先に説明した図４の構成要素
と同一もしくは同一と見なされる部分には、それと同じ
参照符号が用いられている。
よく理解するうえで、図１ないし図３を参照しながら、
その実施の形態に即して本発明を説明する。図１には液
晶表示素子の表示部の一部分とそれに連設された端子部
の構成が示されており、図２には図１の平面が模式的に
表されており、さらに図３には端子部に形成される引き
出し端子と補助電極用金属膜との相互関係が例示されて
いる。なお、図１において先に説明した図４の構成要素
と同一もしくは同一と見なされる部分には、それと同じ
参照符号が用いられている。
【００１７】図１に示されているように、この液晶表示
素子２０は、一対とされる透明電極基板２０ａ，２０ｂ
とを備えている。各透明電極基板２０ａ，２０ｂの各々
は、透明ガラス基板２１ａ，２１ｂを有し、この場合、
一方の透明ガラス基板２１ａは他方の透明ガラス基板２
１ｂよりも大きく形成され、その食み出し部分が端子部
２２とされている。
素子２０は、一対とされる透明電極基板２０ａ，２０ｂ
とを備えている。各透明電極基板２０ａ，２０ｂの各々
は、透明ガラス基板２１ａ，２１ｂを有し、この場合、
一方の透明ガラス基板２１ａは他方の透明ガラス基板２
１ｂよりも大きく形成され、その食み出し部分が端子部
２２とされている。
【００１８】各透明電極基板２０ａ，２０ｂの互いに対
向する側の一方の表示面上には、先に図４（ｂ）で説明
したのと同様に金属遮光膜１２がそれぞれ形成されるの
であるが、その際、本発明では一方の透明ガラス基板２
１ａの端子部２２上にも、好ましくは金属遮光膜１２と
同じ材料にて補助電極用金属膜２３が形成される。図２
には、端子部２２に実装される電子部品、例えば液晶駆
動用ＩＣ２４と接続される配線パターン２５が例示され
ているが、補助電極用金属膜２３はこの配線パターン２
５に沿って形成される。
向する側の一方の表示面上には、先に図４（ｂ）で説明
したのと同様に金属遮光膜１２がそれぞれ形成されるの
であるが、その際、本発明では一方の透明ガラス基板２
１ａの端子部２２上にも、好ましくは金属遮光膜１２と
同じ材料にて補助電極用金属膜２３が形成される。図２
には、端子部２２に実装される電子部品、例えば液晶駆
動用ＩＣ２４と接続される配線パターン２５が例示され
ているが、補助電極用金属膜２３はこの配線パターン２
５に沿って形成される。
【００１９】上記金属遮光膜１２および補助電極用金属
膜２３はの形成方法としては、メッキ法、真空蒸着法、
スパッタ法、イオンプレーティング法など、一般的に行
なわれている成膜法が適用される。
膜２３はの形成方法としては、メッキ法、真空蒸着法、
スパッタ法、イオンプレーティング法など、一般的に行
なわれている成膜法が適用される。
【００２０】また、金属の種類としては種々のものが使
用可能であるが、パターニングするのに適した金属を選
ぶことが重要である。例えば、アルミニウム、鉄、コバ
ルト、ニッケル、銅、亜鉛、パラジウム、銀、インジウ
ム、スズ、白金、金、ビスマスからなる群より選ばれる
金属が用いられる。
用可能であるが、パターニングするのに適した金属を選
ぶことが重要である。例えば、アルミニウム、鉄、コバ
ルト、ニッケル、銅、亜鉛、パラジウム、銀、インジウ
ム、スズ、白金、金、ビスマスからなる群より選ばれる
金属が用いられる。
【００２１】金属遮光膜１２および補助電極用金属膜２
３のパターニングは、通常実施されているフォトリソ法
が適している。すなわち、上記の中から選ばれた金属を
成膜した後、その上にレジストを塗布し、所定のパター
ンを持つマスクを介して露光、現像し、金属の不要な部
分をエッチングして除去することにより、所定パターン
の金属遮光膜１２および補助電極用金属膜２３が得られ
る。
３のパターニングは、通常実施されているフォトリソ法
が適している。すなわち、上記の中から選ばれた金属を
成膜した後、その上にレジストを塗布し、所定のパター
ンを持つマスクを介して露光、現像し、金属の不要な部
分をエッチングして除去することにより、所定パターン
の金属遮光膜１２および補助電極用金属膜２３が得られ
る。
【００２２】次に、金属遮光膜１２上に電気絶縁膜１３
が形成される。この電気絶縁膜１３には種々の材料を用
いることができるが、大別して無機材料と有機材料とに
分けられる。無機材料としては、シリカ、チタニアなど
の酸化物、チッ化ケイ素などのチッ化物が例示される。
そして、その形成方法の具体的な例としては、シリカの
スパッタ法、シリカ系のゾルゲル法などがある。有機材
料としては、熱硬化樹脂系の材料が一般的である。
が形成される。この電気絶縁膜１３には種々の材料を用
いることができるが、大別して無機材料と有機材料とに
分けられる。無機材料としては、シリカ、チタニアなど
の酸化物、チッ化ケイ素などのチッ化物が例示される。
そして、その形成方法の具体的な例としては、シリカの
スパッタ法、シリカ系のゾルゲル法などがある。有機材
料としては、熱硬化樹脂系の材料が一般的である。
【００２３】しかる後、電気絶縁膜１３上に透明電極１
４が形成されるが、その際、一方の透明ガラス基板２０
ａ側においては、その端子部２２上にも透明電極１４と
同一の材料にて引き出し端子２６が形成される。すなわ
ち、引き出し端子２６は図２の配線パターン２５に沿っ
て先に形成されている補助電極用金属膜２３上に積層さ
れる（図３参照）。
４が形成されるが、その際、一方の透明ガラス基板２０
ａ側においては、その端子部２２上にも透明電極１４と
同一の材料にて引き出し端子２６が形成される。すなわ
ち、引き出し端子２６は図２の配線パターン２５に沿っ
て先に形成されている補助電極用金属膜２３上に積層さ
れる（図３参照）。
【００２４】この透明電極１４および引き出し端子２６
の成膜法としては、真空蒸着法やスパッタ法が用いられ
る。その材料には、酸化スズやインジウムスズオキサイ
ド（ＩＴＯ）が用いられる。ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗ
ｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）に適した低抵抗のＩＴＯ
膜の成膜法としてはスパッタ法が好ましい。
の成膜法としては、真空蒸着法やスパッタ法が用いられ
る。その材料には、酸化スズやインジウムスズオキサイ
ド（ＩＴＯ）が用いられる。ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗ
ｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）に適した低抵抗のＩＴＯ
膜の成膜法としてはスパッタ法が好ましい。
【００２５】また、透明電極１４および引き出し端子２
６のパターニングは、通常行なわれるように所定のパタ
ーンを描いたマスクを用いて、いわゆるフォトリソパタ
ーニングを行なってもよいが、透明電極１４に関して
は、金属遮光膜１２の遮光性を利用した背面露光による
と、このパターニング工程をより簡便なものとすること
ができる。
６のパターニングは、通常行なわれるように所定のパタ
ーンを描いたマスクを用いて、いわゆるフォトリソパタ
ーニングを行なってもよいが、透明電極１４に関して
は、金属遮光膜１２の遮光性を利用した背面露光による
と、このパターニング工程をより簡便なものとすること
ができる。
【００２６】すなわち、ＩＴＯ膜を成膜した後、その上
にネガ型レジストを塗布し、金属遮光膜１２をマスクと
して、透明ガラス基板２１ａ，２１ｂの背面側（透明電
極形成面とは反対側）から露光し、現像する。これによ
りネガ型レジストのマスクされた未露光部分が除去さ
れ、その下地面にＩＴＯ膜が露出する。そして、この露
出された部分のＩＴＯ膜をエッチングにより除去すると
ともに、残されたネガ型レジストを剥離することによ
り、所定パターンの透明電極１４が得られる。このよう
に、金属遮光膜１２をマスクとする背面露光によれば、
マスクやその位置合わせが不要となる。
にネガ型レジストを塗布し、金属遮光膜１２をマスクと
して、透明ガラス基板２１ａ，２１ｂの背面側（透明電
極形成面とは反対側）から露光し、現像する。これによ
りネガ型レジストのマスクされた未露光部分が除去さ
れ、その下地面にＩＴＯ膜が露出する。そして、この露
出された部分のＩＴＯ膜をエッチングにより除去すると
ともに、残されたネガ型レジストを剥離することによ
り、所定パターンの透明電極１４が得られる。このよう
に、金属遮光膜１２をマスクとする背面露光によれば、
マスクやその位置合わせが不要となる。
【００２７】このようにして各透明電極基板２０ａ，２
０ｂが得られるが、必要に応じてその透明電極１４上に
電気絶縁膜および配向制御膜が形成される。配向制御膜
はポリイミド、ポリアミドのような樹脂のほかに、一酸
化ケイ素のような斜め蒸着膜であってもよい。ポリイミ
ドのような膜は、通常ラビング処理が施される。表示モ
ードによっては、垂直配向剤を用いる場合もある。
０ｂが得られるが、必要に応じてその透明電極１４上に
電気絶縁膜および配向制御膜が形成される。配向制御膜
はポリイミド、ポリアミドのような樹脂のほかに、一酸
化ケイ素のような斜め蒸着膜であってもよい。ポリイミ
ドのような膜は、通常ラビング処理が施される。表示モ
ードによっては、垂直配向剤を用いる場合もある。
【００２８】最終的に、２枚の透明電極基板２０ａ，２
０ｂは、それらの透明電極形成面同士を対向させて配置
されるとともにシール材２７を介して所定の間隔をもっ
て接合され、その内部に液晶が真空注入される。そし
て、通常はこの透明電極基板２０ａ，２０ｂの外面側の
少なくとも一方に偏光板が配置される。なお、その透明
ガラス基板自体を偏光板で構成したり、透明電極と透明
ガラス基板との間に偏光層を形成してもよい。
０ｂは、それらの透明電極形成面同士を対向させて配置
されるとともにシール材２７を介して所定の間隔をもっ
て接合され、その内部に液晶が真空注入される。そし
て、通常はこの透明電極基板２０ａ，２０ｂの外面側の
少なくとも一方に偏光板が配置される。なお、その透明
ガラス基板自体を偏光板で構成したり、透明電極と透明
ガラス基板との間に偏光層を形成してもよい。
【００２９】上記のようにして本発明によれば、一方の
透明電極基板２０ａの端子部２２上に、ことさら新たな
工程を追加することなく、補助電極用金属膜２３を有す
る低抵抗化された引き出し端子２６が形成される。ちな
みに、表示ムラが生じないとされる引き出し端子２６の
抵抗値は１００Ω以下、好ましくは１０Ωとされている
が、本発明によると補助電極用金属膜２３上に引き出し
端子２６を形成することで、この数値を達成することが
できる。
透明電極基板２０ａの端子部２２上に、ことさら新たな
工程を追加することなく、補助電極用金属膜２３を有す
る低抵抗化された引き出し端子２６が形成される。ちな
みに、表示ムラが生じないとされる引き出し端子２６の
抵抗値は１００Ω以下、好ましくは１０Ωとされている
が、本発明によると補助電極用金属膜２３上に引き出し
端子２６を形成することで、この数値を達成することが
できる。
【００３０】この端子部２２に、例えば液晶駆動用ＩＣ
２４が図１のように実装されるのであるが、液晶駆動用
ＩＣ２４は外光を受けると誤動作を起こすおそれがあ
る。これを防止するため、本発明は次の実施形態を含
む。
２４が図１のように実装されるのであるが、液晶駆動用
ＩＣ２４は外光を受けると誤動作を起こすおそれがあ
る。これを防止するため、本発明は次の実施形態を含
む。
【００３１】すなわち、透明ガラス基板２１ａ上に金属
遮光膜１２を形成するに伴なって、上記の例では端子部
２２上に補助電極用金属膜２３を形成しているが、この
例においては、さらに液晶駆動用ＩＣ２４が実装される
面（図２の点線枠にて囲まれた部分）に、外光遮断用と
しての金属膜を形成する。もっとも、この金属膜は補助
電極用金属膜２３と絶縁された状態で形成される。
遮光膜１２を形成するに伴なって、上記の例では端子部
２２上に補助電極用金属膜２３を形成しているが、この
例においては、さらに液晶駆動用ＩＣ２４が実装される
面（図２の点線枠にて囲まれた部分）に、外光遮断用と
しての金属膜を形成する。もっとも、この金属膜は補助
電極用金属膜２３と絶縁された状態で形成される。
【００３２】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、本発明は透過型、反射型のいずれにも適用可能で
ある。透過型で使用する場合には、その裏面側に光源が
配置されることになるが、その光源に導光体やカラーフ
ィルタを併設してもよい。一方、透過型で使用する場合
には、画素以外の背景部分を印刷などによる遮光膜で覆
うこともできる。また、遮光膜を用いるとともに、表示
したくない部分に選択電圧を印加するように逆の駆動を
することもできる。総括して言えば、本発明はその効果
を損なわない範囲で、通常のＳＴＮ液晶表示素子で使用
されている種々の技術の適用を拒むものではない。
たが、本発明は透過型、反射型のいずれにも適用可能で
ある。透過型で使用する場合には、その裏面側に光源が
配置されることになるが、その光源に導光体やカラーフ
ィルタを併設してもよい。一方、透過型で使用する場合
には、画素以外の背景部分を印刷などによる遮光膜で覆
うこともできる。また、遮光膜を用いるとともに、表示
したくない部分に選択電圧を印加するように逆の駆動を
することもできる。総括して言えば、本発明はその効果
を損なわない範囲で、通常のＳＴＮ液晶表示素子で使用
されている種々の技術の適用を拒むものではない。
【００３３】
《実施例１》第１の透明電極基板として、透明ガラス基
板に日本カニゼン社製塩化第一スズ『ピンクシューマ』
（商品名）をスピンコートし乾燥させた。次に、同社製
のパラジウム触媒を塗布した後、同社製ニッケルメッキ
液でニッケル層を０．１５μｍの厚さに形成した。続い
て、そのニッケル層上にネガ型レジストを塗布し、表示
面内の遮光膜および端子部のパターンを露光し、そのニ
ッケル層を塩酸−リン酸混合液でエッチングした。そし
て、その上の表示面内部のみにペルヒドロポリシラザン
（東燃製）を塗布して、電気絶縁膜を形成した。
板に日本カニゼン社製塩化第一スズ『ピンクシューマ』
（商品名）をスピンコートし乾燥させた。次に、同社製
のパラジウム触媒を塗布した後、同社製ニッケルメッキ
液でニッケル層を０．１５μｍの厚さに形成した。続い
て、そのニッケル層上にネガ型レジストを塗布し、表示
面内の遮光膜および端子部のパターンを露光し、そのニ
ッケル層を塩酸−リン酸混合液でエッチングした。そし
て、その上の表示面内部のみにペルヒドロポリシラザン
（東燃製）を塗布して、電気絶縁膜を形成した。
【００３４】次に、透明電極膜として、スパッタ法によ
りＩＴＯ膜を１５００オングストロームの厚さに形成
し、フォトリソ法にて表示用透明電極と、端子部のニッ
ケル層上に引き出し端子とを同時に形成した。その後は
常法にしたがって透明電極基板を形成した。なお、第２
の透明電極基板についても、透明電極膜としてのＩＴＯ
膜および金属遮光膜の向きが、上記第１の透明電極基板
と直交させた以外は同じとして、第２の透明電極基板を
形成した。
りＩＴＯ膜を１５００オングストロームの厚さに形成
し、フォトリソ法にて表示用透明電極と、端子部のニッ
ケル層上に引き出し端子とを同時に形成した。その後は
常法にしたがって透明電極基板を形成した。なお、第２
の透明電極基板についても、透明電極膜としてのＩＴＯ
膜および金属遮光膜の向きが、上記第１の透明電極基板
と直交させた以外は同じとして、第２の透明電極基板を
形成した。
【００３５】そして、この第１および第２の透明電極基
板を対向させてそれらの周辺をシール剤で接着して液晶
パネルを得、その内部に誘電異方性が正のネマチック液
晶を注入し、２４０度捩じれの左らせんの液晶となるよ
うにキラル物質を添加して調整し、液晶注入口を封止し
た。
板を対向させてそれらの周辺をシール剤で接着して液晶
パネルを得、その内部に誘電異方性が正のネマチック液
晶を注入し、２４０度捩じれの左らせんの液晶となるよ
うにキラル物質を添加して調整し、液晶注入口を封止し
た。
【００３６】この実施例１による液晶表示素子のコント
ラスト比は２５：１であった。また、端子部に形成され
た引き出し端子の抵抗値を測定したところ、その長さに
もよるが概ね２〜６Ωの範囲であった。そして、この引
き出し端子上に液晶駆動用ＩＣを実装して、実際にこの
液晶表示素子を駆動したところ、表示品質としてもクロ
ストークがなく良好であった。
ラスト比は２５：１であった。また、端子部に形成され
た引き出し端子の抵抗値を測定したところ、その長さに
もよるが概ね２〜６Ωの範囲であった。そして、この引
き出し端子上に液晶駆動用ＩＣを実装して、実際にこの
液晶表示素子を駆動したところ、表示品質としてもクロ
ストークがなく良好であった。
【００３７】《実施例２》第１の透明電極基板の端子部
に、引き出し端子の下地層としての金属膜を形成する
際、液晶駆動用ＩＣ実装面上に、同液晶駆動用ＩＣを外
光から遮光するための金属膜を形成した。それ以外は、
上記実施例１と同じとして液晶表示素子を作成した。こ
の第２実施例によると、液晶駆動用ＩＣの外光による誤
動作を避けることができた。
に、引き出し端子の下地層としての金属膜を形成する
際、液晶駆動用ＩＣ実装面上に、同液晶駆動用ＩＣを外
光から遮光するための金属膜を形成した。それ以外は、
上記実施例１と同じとして液晶表示素子を作成した。こ
の第２実施例によると、液晶駆動用ＩＣの外光による誤
動作を避けることができた。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
次のような効果が奏される。すなわち、透明ガラス基板
の一方の表示面上に所定のパターンをもって金属遮光
膜、電気絶縁膜および透明電極を順次形成するととも
に、その透明ガラス基板に連設されている端子部上に上
記透明電極に連なる引き出し端子を形成してなる液晶表
示素子の製造方法において、上記透明ガラス基板の一方
の表示面上に所定のパターンをもって金属遮光膜を形成
する際、上記端子部上に上記引き出し端子とほぼ同一の
パターンをもってあらかじめ補助電極用金属膜を形成
し、この補助電極用金属膜上に上記透明電極に連なる引
き出し端子を形成するようにした請求項１の発明および
その際に上記補助電極用金属膜を上記金属遮光膜と同一
の材料により形成するようにした請求項２の発明によれ
ば、特に新たな工程を追加することなく、引き出し端子
を低抵抗化することができ、表示品位の良好な液晶表示
素子が得られる。
次のような効果が奏される。すなわち、透明ガラス基板
の一方の表示面上に所定のパターンをもって金属遮光
膜、電気絶縁膜および透明電極を順次形成するととも
に、その透明ガラス基板に連設されている端子部上に上
記透明電極に連なる引き出し端子を形成してなる液晶表
示素子の製造方法において、上記透明ガラス基板の一方
の表示面上に所定のパターンをもって金属遮光膜を形成
する際、上記端子部上に上記引き出し端子とほぼ同一の
パターンをもってあらかじめ補助電極用金属膜を形成
し、この補助電極用金属膜上に上記透明電極に連なる引
き出し端子を形成するようにした請求項１の発明および
その際に上記補助電極用金属膜を上記金属遮光膜と同一
の材料により形成するようにした請求項２の発明によれ
ば、特に新たな工程を追加することなく、引き出し端子
を低抵抗化することができ、表示品位の良好な液晶表示
素子が得られる。
【００３９】また、上記透明ガラス基板の一方の表示面
上に所定のパターンをもって金属遮光膜を形成する際、
上記端子部の電子部品実装面にも、その電子部品を外光
から遮光するための金属遮光膜を同時に形成するように
した請求項３の発明によれば、上記請求項１による発明
の効果に加えて、特に工程を追加することなく、外光に
よる液晶駆動用ＩＣの誤動作をも防止することが可能と
なる。
上に所定のパターンをもって金属遮光膜を形成する際、
上記端子部の電子部品実装面にも、その電子部品を外光
から遮光するための金属遮光膜を同時に形成するように
した請求項３の発明によれば、上記請求項１による発明
の効果に加えて、特に工程を追加することなく、外光に
よる液晶駆動用ＩＣの誤動作をも防止することが可能と
なる。
【図１】本発明により得られる液晶表示素子の一部分を
拡大して示した断面図。
拡大して示した断面図。
【図２】図１に対応する模式的平面図。
【図３】図１の端子部に形成される引き出し端子と補助
電極用金属膜との相互関係を説明するための斜視図。
電極用金属膜との相互関係を説明するための斜視図。
【図４】マトリクス型ディスプレイの液晶表示素子に用
いられる従来の透明電極基板を説明するための断面図お
よびその模式的平面図。
いられる従来の透明電極基板を説明するための断面図お
よびその模式的平面図。
１２ 金属遮光膜 １３ 電気絶縁膜 １４ 透明電極 ２０ 液晶表示素子 ２０ａ，２０ｂ 透明電極基板 ２１ａ，２１ｂ 透明ガラス基板 ２２ 端子部 ２３ 補助電極用金属膜 ２４ 液晶駆動用ＩＣ ２５ 配線パターン ２６ 引き出し端子
Claims (5)
- 【請求項１】 透明ガラス基板の一方の表示面上に所定
のパターンをもって金属遮光膜、電気絶縁膜および透明
電極を順次形成するとともに、その透明ガラス基板に連
設されている端子部上に、上記透明電極に連なる引き出
し端子を形成してなる液晶表示素子の製造方法におい
て、上記透明ガラス基板の一方の表示面上に所定のパタ
ーンをもって金属遮光膜を形成する際、上記端子部上に
上記引き出し端子とほぼ同一のパターンをもってあらか
じめ補助電極用金属膜を形成し、この補助電極用金属膜
上に上記透明電極に連なる引き出し端子を形成するよう
にしたことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項２】 上記補助電極用金属膜は、上記金属遮光
膜と同一の材料により形成されることを特徴とする請求
項１に記載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項３】 上記透明ガラス基板の一方の表示面上に
所定のパターンをもって金属遮光膜を形成する際、上記
端子部の電子部品実装面にも、その電子部品を外光から
遮光するための金属遮光膜を同時に形成することを特徴
とする請求項１に記載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項４】 透明ガラス基板の一方の表示面上に所定
のパターンをもって金属遮光膜、電気絶縁膜および透明
電極が順次形成されているとともに、その透明ガラス基
板に連設された端子部を備え、同端子部上に上記透明電
極に連なる引き出し端子が形成されている液晶表示素子
において、上記引き出し端子の下部に上記金属遮光膜と
同一材料からなる補助電極用金属膜が同引き出し端子と
ほぼ同一のパターンをもって形成されていることを特徴
とする液晶表示素子。 - 【請求項５】 透明ガラス基板の一方の表示面上に所定
のパターンをもって金属遮光膜、電気絶縁膜および透明
電極が順次形成されているとともに、その透明ガラス基
板に連設された端子部を備え、同端子部上に上記透明電
極に連なる引き出し端子が形成されている液晶表示素子
において、上記端子部の電子部品実装面にその電子部品
を外光から遮光するための金属遮光膜が形成されている
ことを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33572595A JPH09152623A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33572595A JPH09152623A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09152623A true JPH09152623A (ja) | 1997-06-10 |
Family
ID=18291778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33572595A Withdrawn JPH09152623A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09152623A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6768533B2 (en) | 2000-05-25 | 2004-07-27 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, manufacturing method therefor, and electronic apparatus |
| US6798476B2 (en) | 2000-05-25 | 2004-09-28 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, method for making the same, and electronic apparatus |
| CN100381928C (zh) * | 2004-06-23 | 2008-04-16 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板及其制造方法和电子设备 |
| US8723769B2 (en) | 2008-07-21 | 2014-05-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device |
| US9601520B2 (en) | 2012-05-07 | 2017-03-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and display device including the same |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP33572595A patent/JPH09152623A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6768533B2 (en) | 2000-05-25 | 2004-07-27 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, manufacturing method therefor, and electronic apparatus |
| US6798476B2 (en) | 2000-05-25 | 2004-09-28 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, method for making the same, and electronic apparatus |
| US6831717B2 (en) | 2000-05-25 | 2004-12-14 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, method for making the same, and electronic apparatus |
| US7092050B2 (en) | 2000-05-25 | 2006-08-15 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, manufacturing method therefor, and electronic apparatus |
| CN100381928C (zh) * | 2004-06-23 | 2008-04-16 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板及其制造方法和电子设备 |
| US7547918B2 (en) | 2004-06-23 | 2009-06-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and electronic device |
| US8723769B2 (en) | 2008-07-21 | 2014-05-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device |
| US9601520B2 (en) | 2012-05-07 | 2017-03-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and display device including the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030204 |