CN107086273B - 显示装置和显示装置制造方法 - Google Patents

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Abstract

目的是提供一种实现窄边框的有机发光显示装置。显示装置10具有第一基板11、第二基板12、在基板之间密封的密封剂25、包括具有有机发光元件和像素电路的像素的显示单元15、包括用于驱动像素电路的晶体管的驱动电路20、用于向晶体管供应电压的第一布线单元以及连接在晶体管与第一布线单元之间的第二布线单元。驱动单元20被设置在显示单元15外围，第一布线单元被设置在显示单元15与驱动电路20之间，显示单元15和第一布线单元被设置在第一基板12与第二基板12之间，组成电极部分和第二布线单元的第二金属的熔点高于组成第一布线单元的第一金属的熔点，并且第一基板11、驱动电路20、密封剂25以及第二基板12层叠设置。

Description

显示装置和显示装置制造方法
技术领域
本公开涉及一种显示装置和用于制造显示装置的方法。
背景技术
已经提出了利用OLED(有机发光二极管)来显示图像的显示装置。OLED显示装置被简单地称为显示装置。
OLED包括由于水分和氧气而更有可能被损坏的有机薄膜。因此，此类显示装置具有如下结构：具有在表面上排列了许多OLED和像素电路的显示单元的玻璃基板被与玻璃基板相同尺寸的密封玻璃覆盖使得该基板和密封玻璃在其边缘处被气密地结合的结构。
玻璃基板与密封玻璃之间的空间被干燥空气或氮气填充。此构造防止OLED劣化。
在日本专利申请特许公开号2010-244766(在下文中称为专利文献1)、日本专利申请特许公开号2007-200849(在下文中称为专利文献2)、日本专利申请特许公开号2013-065549(在下文中称为专利文献3)和日本专利申请特许公开号2013-254732(在下文中称为专利文献4)中公开了上述构造。
低熔点粉末状玻璃被用于将玻璃基板和密封玻璃结合。以下描述提供了结合方法的简要说明。向在该处将要结合密封玻璃的玻璃基板的一部分施加包含粉末状玻璃的膏。该密封玻璃被叠加在玻璃基板上。通过用激光束穿过密封玻璃照射该膏，包含粉末状玻璃的膏熔化。熔化的玻璃因此被硬化从而形成结合部分，在该处玻璃基板和密封玻璃被气密地结合。
同时，需要在显示单元外围提供一种用于驱动像素电路以控制OLED的光的辉度的驱动电路。结合部分被提供以围绕驱动电路和显示单元。结合部分和驱动电路被置于在该处不显示图像且围绕显示单元的区域中。在下文中，将在该处不显示图像且围绕显示单元的区域称为边框区。
已经提出了用于缩窄边框区的技术手段(参见专利文献1、2)。此后，缩窄的边框区称为窄边框。
优选的是加强此类窄边框以此扩大显示区。本实施例的一个方面旨在缩窄显示装置中的边框区。
发明内容
根据实施例的一个方面的显示装置包括第一基板、第二基板、密封第一基板和第二基板的密封剂、具有多个像素(每个包括基于电流而发光的有机发光元件和控制要供应给有机发光元件的电流的像素电路)的显示单元、具有用于驱动所述多个像素电路的晶体管的驱动电路、向晶体管供应电压的第一布线单元以及连接包括在晶体管中的电极部分和第一布线单元的第二布线单元。驱动电路被设置在显示单元外围，第一布线单元被设置在显示单元与驱动电路之间，显示单元和第一布线单元被设置在第一基板与第二基板之间，组成电极部分和第二布线单元的第二金属的熔点高于组成第一布线单元的第一金属的熔点，并且第一基板、驱动电路、密封剂以及第二基板被分层。
应理解的是前文的一般描述和随后的详细描述两者是示例性和说明性的，并且不限制本公开。
根据本实施例的一个方面，可以提供一种具有窄边框的显示装置。
附图说明
图1是显示装置的外观图。
图2是沿着图1中的线II-II截取的显示装置10的示意性横截面图。
图3是以放大比例图示出图2的左部的示意性放大横截面图。
图4图示出OLED面板的制造工艺。
图5是显示装置的示意性平面图。
图6是密封区的示意性横截面图。
图7是第一供电区和第二供电区的示意性横截面图。
图8是显示区的示意性横截面图。
图9是根据比较例的显示装置的外观图。
图10是图示出OLED面板的制造工艺的流程的流程图。
图11图示出OLED面板的制造工艺。
图12图示出OLED面板的制造工艺。
图13图示出OLED面板的制造工艺。
图14图示出OLED面板的制造工艺。
图15图示出OLED面板的制造工艺。
图16图示出OLED面板的制造工艺。
图17图示出OLED面板的制造工艺。
图18图示出OLED面板的制造工艺。
图19图示出OLED面板的制造工艺。
图20图示出OLED面板的制造工艺。
图21图示出OLED面板的制造工艺。
图22图示出OLED面板的制造工艺。
图23图示出OLED面板的制造工艺。
图24是显示装置的硬件的构造图。
图25是驱动器IC的构造图。
图26是图示出用于使得单个OLED发光的电路的电路图。
图27图示出驱动TFT的输出特性。
图28是图示出视频信号和驱动信号的时序图。
图29是根据实施例2的显示装置的示意性平面图。
图30是根据实施例2的密封区的示意性横截面图。
图31是根据实施例2的第一供电区和第二供电区的示意性横截面图。
图32是根据实施例2的显示区的示意性横截面图。
图33图示出根据实施例2的OLED面板的制造工艺。
图34图示出根据实施例2的OLED面板的制造工艺。
图35是根据实施例3的密封区的示意性横截面图。
图36是根据实施例4的密封区的示意性横截面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图来描述显示装置的实施例。应注意的是在本说明书和权利要求中应用于组件的诸如“第一”、“第二”等序数是用于解释组件之间的关系并避免组件之间的混淆。因此，这些序数不使组件局限于该数。
此外，所示组件的尺寸和比，可能未被图示出从而与实际组件的那些相一致。并且，为了方便附图的图示和描述，实际上包括的某些组件可能被省略，或者所示组件的尺寸可能被比实际组件的那些更夸大地呈现。
另外，术语“连接”意指在要连接的对象之间存在电连接。短语“电连接”还包括经由诸如电极、布线、电阻器以及电容器之类的电气元件来连接要连接的对象的情况。应注意的是术语“电极”和“布线”不使这些组件局限于该精确功能。例如，可以利用“布线”作为“电极”的一部分。相反地，可以利用“电极”作为“布线”的一部分。
[实施例1]
图1是显示装置10的外观图。图1是当从正面、亦即从图像显示表面的一面看显示装置10时的图。显示装置10是用于显示静止图像和活动图像的装置。显示装置10被安装到电子设备上。电子设备包括例如智能电话、蜂窝电话、平板型装置、个人计算机以及电视机。以下描述采用在各图中用箭头指示的右、左、向上和向下方向。涉及本实施例的显示装置10是OLED面板。
显示装置10被提供有第一基板11、第二基板12、驱动器IC13和柔性印刷电路(FPC)14。第一基板11和第二基板12是由玻璃制成的基板。第一基板11和第二基板12是垂直伸长的矩形。第二基板12的水平长度与第一基板11的水平长度基本上相等。第二基板12的垂直长度比第一基板11的垂直长度短。第一基板11和第二基板12被与面对前面的第二基板12叠加，使得上侧、左侧和右侧对齐。第一基板11的顶面的下部未被第二基板12覆盖。驱动器IC13是经由各向异性导电膜安装在第一基板11上的集成电路。稍后将讨论驱动器IC 13的功能。
FPC 14是被连接到第一基板11的柔性基板。第一基板11包括连接在FPC 14与驱动器IC 13以及稍后将描述的驱动电路20之间的布线(未示出)。FPC 14被提供有将被连接到电子设备的控制器的连接器(未示出)。显示装置10通过FPC 14从电子设备的控制器获得图像信号。
第一基板11被提供有具备规则排列了许多像素(未示出)的显示单元15。显示单元15包括阴极电极19。第二基板12覆盖阴极电极19。
每个像素包括OLED(参见图26)和用于控制要供应给OLED(有机发光二极管)的电流的像素电路(参见图26)。OLED 97基于由像素电路供应的电流而发光。稍后将讨论像素电路。
阴极电极19是设置于被连接到各像素的OLED上的公共电极。可以将由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、Ag、MgAg及其化合物制成的具有小功函数的金属薄膜用于阴极电极19。为了减小阴极电极19的电阻，可以完全或部分地作为辅助布线而在这些金属薄膜上沉积透明导电膜材料(诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、ZnO、In2O3等)或者由透明导电墨、石墨烯等制成的半透明电极。
第一基板被提供有驱动电路20。涉及本实施例的驱动电路20是包括扫描驱动器21、解复用器22、发射控制驱动器23以及保护电路24的至少一个的示例。驱动电路20例如是扫描驱动器21。驱动电路20是通过半导体工艺形成的。下面提供了半导体电路的简要说明。
扫描驱动器21沿着显示单元15的左侧被设置在其外围。扫描驱动器21是用于基于通过FPC 14获得的图像信号来选择并驱动显示单元15的扫描线的电路。扫描线是在图1中由水平粗体箭头所示的扫描线方向上排列的、同时辉度进行变化的像素的行。
图1中所示的垂直粗体箭头指示扫描方向。扫描驱动器21切换在扫描方向要被驱动的扫描线从而在显示单元15上显示图像。应注意的是，由扫描驱动器21切换扫描线的顺序可以是从显示单元15的顶部至底部或者从底部至顶部。扫描驱动器21可以按照任意顺序来切换扫描线。
解复用器22沿着显示单元15的底侧，被设置在其外围。解复用器22是用于将通过FPC 14获得的高传输速率的数据行解复用回到原始传输速率的多个数据行的电路。解复用器22同时向显示单元15输出单个扫描线的信号。
发射控制驱动器23沿着显示单元15的右侧被设置在其外围。发射控制驱动器23是用于基于通过FPC 14获得的图像信号来控制显示单元15中的OLED 97中的每一个的发光时间的电路。
应注意的是，扫描驱动器21和发射控制驱动器23可以被反向地设置。扫描驱动器21可以被设置在显示单元15的两侧，从而同时地从两侧驱动扫描线。这使得可以避免在扫描线方向上排列的像素之间的操作方面的延迟。
保护电路24沿着显示单元15的顶侧，被设置在其外围。保护电路24是用于防止由于静电放电等引起的对显示面板的损坏的电路。
扫描驱动器21、解复用器22、发射控制驱动器23和保护电路24中的每一个是包括多个晶体管的集成电路，并且是驱动电路20的一个示例。在下文中，可以将扫描驱动器21、解复用器22、发射控制驱动器22和保护电路24中的任何一个或其组合称为驱动电路20。
图2是沿着图1中的线II-II截取的显示装置10的示意性横截面图。图3是以放大比例图示出图2的左部的示意性放大横截面图。参考图2和图3，将讨论显示装置10的横截面结构。
显示装置10的横截面结构被从外侧开始按顺序划分成边缘区B(参见图3)、密封区C、第一供电区D、第二供电区E以及显示区F。应注意的是，在图2中省略了边缘区B而在图3中图示出，因为其是窄的。
边缘区B对于第一基板11和第二基板12被分离的情况而言是切割边缘。如果存在小边缘，则当显示面板被单独切割时，向密封剂25施加引起裂纹的物理应力，水分可以从该裂纹进入。这使得OLED不那么可靠。此外，当密封剂25延伸至切割部分时，切割本身是困难的，其使切割工作的准确度下降并在切割表面上引起切口不规则性。
密封区C是用于密封第一基板11与第二基板12之间的空间的区域。OLED由于水分的进入而劣化其特性。为此，被密封剂25气密密封的空间27被填充诸如干燥空气或氮气之类的惰性气体。并且，密封区处的有机膜层的存在允许水分通过层和界面进入。为了防止此类水分进入，密封剂25的底部单独地由无机膜形成。在制造工艺期间所使用的有机膜在密封区C处被去除。
驱动电路20(例如，扫描驱动器21)被设置在密封区C内。驱动电路20包括晶体管26。虽然为了便于图示，在图3中示意性地呈现了两个晶体管26，但实际上在密封区C中提供了三个或更多个晶体管26。晶体管26包括无机材料、栅极部分32和源极-漏极部分33。
在第一供电区D中提供了用于向驱动电路20供电和提供时钟的第一布线单元341。第一布线单元341包括在图3的纸面的厚度方向、亦即显示装置10的垂直方向(参见图1)延伸的平行线。应注意的是，虽然在图3中为了便于图示而示意性地图示出第一布线单元341的三个布线，但根据本实施例的显示装置10被提供有第一布线单元341的四个布线，如稍后将描述的。
第一布线单元341由低熔点金属制成。第一布线单元341经由第二接触孔37而被连接到由金属制成的源极-漏极部分33。稍后将讨论第一供电区D的细节。
用于向包括阴极电极19的显示单元15供电的布线被设置在第二供电区E中。在有机发光显示器制造工艺中，阴极电极19以覆盖稍后描述的显示区F至第二供电区E的方式形成，并且被连接到用于在第二供电区E中向显示单元15供电的布线。
显示单元15被设置在显示区F中。稍后将讨论第二供电区E和显示区F的细节。
参考图1至图3，将描述将第一基板11和第二基板12结合的结构。
如图1所示，第二基板12覆盖第一基板11上的显示单元15、阴极电极19、扫描驱动器21、解复用器22、发射控制驱动器23和保护电路24。
第一基板11和第二基板12相互面对。在第一基板11与第二基板12之间存在空间27。空间27被填充诸如干燥空气或氮气之类的惰性气体。
如图1所示围绕显示单元15的密封剂25，如图2和图3所示将第一基板11和第二基板12结合，并且气密密封第一基板11与第二基板12之间的空间27。
密封剂25由例如通过加热被熔化并通过冷却被硬化的材料制成。密封剂25由例如玻璃料结合材料制成。显示装置10的制造设备(未示出)经由第二基板12用激光束来照射设置在无机绝缘膜44与第二基板12之间的低熔点粉末状玻璃。通过激光束的照射，低熔点粉末状玻璃被加热并熔化(关于被激光束照射的区域参见图4中的激光束照射区L)。
熔化的低熔点粉末状玻璃之后硬化。硬化后的低熔点粉末状玻璃(密封剂25)允许在第一基板11的表面上形成的驱动电路20(例如，扫描驱动器21)与第二基板12结合。如上所述，密封剂25由通过加热被熔化并通过冷却被硬化的材料制成。并且，显示装置10具有在密封剂25与驱动电路20之间的无机绝缘膜44。
显示单元15具有多个像素，每个包括基于电流而发光的OLED(参见图26)和控制要供应给OLED的电流的像素电路(参见图26)。驱动电路20(例如，扫描驱动器21)具有用于驱动所述多个像素电路的晶体管26。第一布线单元341向晶体管26供应电压。
驱动电路20(例如，扫描驱动器21)被设置在显示单元15的外部处(设置在其外围)。第一布线单元341在第一基板11的侧面被设置在显示单元15与驱动电路20之间。
第二布线单元332连接于包括在晶体管26中的电极部分(例如，源极-漏极部分33)与第一布线单元341之间。应注意的是，源极-漏极部分33意指晶体管的源极电极和漏极电极中的任何一者或两者。并且，源极-漏极部分33可以意指被连接到源极电极的源极布线和被连接到漏极电极的漏极布线中的任何一者或两者。
如上所述，显示装置10包括第一基板11、第二基板12、密封剂25、显示单元15、驱动电路20、第一布线单元341以及第二布线单元332。密封剂25密封第一基板11和第二基板12。应注意的是，图3中通过将密封剂25设置在扫描驱动器21上，第一基板11与第二基板12之间实现密封。换言之，密封剂25密封第一基板11与第二基板12之间的空间27。显示单元15、驱动电路20、第一布线单元341以及第二布线单元332被设置在第一基板上并被设置在第二基板下面。
以下描述提供了密封剂25的一个示例和密封第一基板11与第二基板12之间的空间27的方法。图4图示出OLED面板的制造工艺。图4是以放大比例图示出图2的左部的示意性放大横截面图。在图4中，未示出设置在第一基板11与第二基板12之间的层。应注意的是，图4是图示出密封工艺、亦即OLED面板的制造工艺的最后一步的图。稍后将描述制造工艺的总体流程。
如图4中所示，密封区C包括印刷区G、定位边缘H、扩散边缘J和激光照射区L。图3中所示的晶体管26设置于被激光器照射的区域L的正下面。应注意的是扩散边缘J可以包括晶体管26的一部分。
以下描述提供了密封工艺的简要说明。制造设备向第一基板11的一个表面(显示单元15(参见图1)和驱动电路20(参见图1)在其上面形成)的外围边缘涂敷密封剂25从而围绕显示单元15。制造设备还在驱动电路20(例如，扫描驱动器21)上涂敷密封剂25。在这里，例如通过印刷来完成所述涂敷。用印刷区G来指示密封剂25将被印刷到其上面的区域。要印刷的密封剂25是主要由例如低熔点粉末状玻璃(亦即玻璃粉)构成的膏。
制造设备通过将第二基板12设置在第一基板11上而覆盖密封剂25。制造设备通过激光束穿过第二基板12的照射来使密封剂25熔化。激光照射区L是将被激光束照射的区域。激光照射区L比印刷区G大了定位边缘H的两倍。
熔化的密封剂25散布在驱动电路20(例如，扫描驱动器21)与第二基板12之间。这要求在激光照射区L的两侧确保扩散边缘J的需要。熔化的密封剂25被硬化而将TFT基板16与第二基板12之间的空间27、亦即第一基板11与第二基板12之间的空间27密封。
如图1和图3中所示，密封剂25被设置在驱动电路20的晶体管26与第二基板12之间。在激光照射区L中，设置有驱动电路20的晶体管26。当驱动电路20的晶体管26被激光束照射时，晶体管26的温度由于激光束的照射或密封剂25被激光照射熔化而增加。因此，驱动电路20的第一区域被设置在显示单元15的第二区域外围，并且第一布线单元341的第三区域被设置在第一区域与第二区域之间。
如上所述，组成晶体管26的栅极部分32的金属和组成源极-漏极部分33的金属是耐火金属材料。组成晶体管26的无机材料也是耐热的。因此，晶体管26对由于激光束的照射而产生的热所引起的损坏具有抵抗力。因此，即使在制造期间用激光束来照射晶体管26，也可以使晶体管26的特性的变化最小化。
被激光束的照射熔化的密封剂25由于冷却而被硬化。密封剂25的硬化部分和驱动电路20重叠。此外，无机绝缘体膜44和密封剂25的硬化部分重叠。换言之，密封剂25的硬化部分和驱动电路20的晶体管26彼此相对(面对)。更具体地，激光照射区L与驱动电路20的晶体管26重叠(彼此相对)。
同时，按照惯例已使用具有用玻璃料结合材料的密封结构的显示装置。然而，在现有显示装置中，包括晶体管的驱动电路使用玻璃料被设置在从直接在密封部分下面的位置移位的位置处(参见专利文献1-4)。
然而，本申请的发明人在制造期间将驱动电路20设置在密封剂25的正下面且在被激光束照射的区域L的下面以便实现窄边框。更具体地，本申请的发明人设计驱动电路20的晶体管26，使得其被设置在激光照射区L的正下面。应注意的是在专利文献2中，扫描驱动单元被设置在涂敷有玻璃料膏的部分的正下面。
然而，在专利文献2中，在密封工艺之前，在遭受热量的扫描驱动单元等的一部分上进行掩蔽。因此，在扫描驱动单元之上的部分未被熔化玻璃料的激光束照射。该掩蔽防止扫描驱动单元内的布线和晶体管由于热量而变形。
从上可知，在专利文献2中，扫描驱动单元未被设置在被熔化玻璃料的激光束照射的区域处。因此，在扫描驱动单元上涂敷的玻璃料未被熔化且并未对密封结构有所贡献。亦即，在专利文献2中，为实现密封结构，除了扫描驱动单元的正上面的区域之外，需要提供在该处玻璃料被激光束照射并熔化的区域。因此，难以具有窄边框的充分效果。
根据本实施例，驱动电路20也设置在被激光束照射的激光照射区L的正下面。此类布局使得可以提供具有窄边框的显示装置10。
在此类布局中，当向驱动电路20中的晶体管的源极电极、漏极电极和栅极电极以及在其之间连接的布线发射激光束时，这些电极和布线可能被熔化。
因此，在本实施例中，诸如钼或钛之类的耐火金属被用于晶体管的此类电极和布线的材料以避免由于用激光束的照射而熔化。在先技术中既未描述也未提出其中由耐火金属构成的晶体管被设置在密封剂25的正下面以便实现窄边框的构造。
此外，用于向晶体管供应电压的第一布线单元341被设置在显示单元15与驱动电路20的区域之间从而优化布线的布局。
公开了一种在驱动电路位于该处的区域的两侧提供布线单元的技术。一个示例是其中梳状布线单元彼此相对的构造。在这种情况下，布线单元位于使用玻璃料的密封部分的正下面(参见专利文献1)。此类位置关系可以要求在玻璃料的正下面的布线单元由耐火金属构成(参见专利文献1)。
在耐火金属被用于布线材料的情况下，电阻增加，这可以引起电压降。其产生供电延迟和信号延迟。在供电延迟的情况下，发生信号延迟等，这可以产生副作用，诸如显示区中的像素的不稳定操作和图像质量的劣化。尤其是，此类布线(例如，第一布线单元341)从供电装置向驱动电路供电。此外，此类布线从时钟发生电路向驱动电路供应时钟。另外，在供电装置或时钟发生电路与驱动电路之间存在相对长的距离，使得布线单元的长度很长。因此，当具有高电阻的耐火金属被用于布线单元的材料时，由供电延迟、信号延迟等引起的副作用很有可能发生。因此，像素的操作容易不稳定。为了避免由延迟引起的此类副作用，在本实施例中如上所述地优化布局从而消除对第一布线单元341由耐火金属制成的需要。然后，通过将具有低薄层电阻的低熔点金属用于第一布线单元341，防止了上述延迟的发生。
将被用于本实施例的驱动电路20的晶体管26的电极和布线的耐火金属(钼、钛等)具有比铝等更高的电阻。这可能引起电压降，导致供电延迟和信号延迟。
为了避免由此类延迟引起的副作用，在本实施例中，第一布线单元341由与OLED(参见图26)的阳极电极18(参见图5)的材料相同的材料制成。阳极电极18(参见图5)由低熔点金属制成。
应注意的是通过将与阳极电极18的材料相同的低熔点金属用于第一布线单元341的材料，可以在形成阳极电极18的相同时刻形成第一布线单元341。这使得可以用简单的制造工艺来提供具有窄边框的显示装置10。
同时，连接包括在晶体管26中的电极部分(例如，栅极部分32、源极-漏极部分33)和第一布线单元341的第二布线单元332的长度与布线单元(例如，第一布线单元341)的长度相比如此短，以致于由于电压降的发生而引起的副作用可以被忽视。因此，可以使上述延迟的发生最小化。
图5是显示装置10的示意性平面图。图5是以放大比例图示出在图1中所示的显示装置10的左侧部分处提供的半导体和布线的图。在图5中，未示出第一基板11、密封剂25、无机绝缘体模44等。当从显示装置10的前面看时，图5中所示的各区域(B-F)对应于图3中的区域。应注意的是虽然在图3中的密封区C中示意性地图示出两个晶体管26，但是三个或更多晶体管实际上被设置在密封区C中。
应注意的是本实施例举例说明针对驱动电路20的晶体管采用互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管的情况。
参考图5，下面讨论半导体和布线的设置的简要说明。如图5中所示，在边缘区B中不存在布线。
将描述密封区C。在密封区C中布置有许多晶体管，每个包括半导体部分31、栅极部分32和源极-漏极部分33。半导体部分31是由多晶硅制成的层。栅极部分32是由耐火金属制成的层。栅极部分32包括栅极电极321。栅极电极321是其中半导体部分31和栅极部分32重叠的部分。
源极-漏极部分33由耐火金属制成。耐火金属是诸如钼、钛、钨等高熔点纯金属。耐火金属可以是钼/铌、钼/钨、钼/钽等。在这里，“/”意指包含前一种金属与后一种金属的层压件以及前一种金属和后一种金属的合金两者。此外，耐火金属可以是纯金属的层压件和合金。上述材料仅仅是示例，并不使耐火金属的材料局限于上文所列的金属材料。
半导体部分31、栅极部分32和源极-漏极部分33被经由第一接触孔36连接。
密封区C的源极-漏极部分33包括晶体管的源极-漏极电极部分331。源极-漏极电极部分331包括晶体管的源极电极3311和漏极电极3312。如上所述，源极-漏极电极部分331和栅极部分321是包括在本实施例的驱动电路20的晶体管中的电极部分的示例。
根据本实施例，栅极部分32和源极-漏极部分33由相同的耐火金属材料制成。因此，栅极电极321、源极电极3311和漏极电极3312由相同的耐火金属制成。
应注意的是栅极部分32和源极-漏极部分33可以由不同的耐火金属材料制成。
将描述第一供电区D。在第一供电区D中，设置有从密封区C向右侧延伸的源极-漏极部分33和在垂直于图的纸张的方向延伸的第一布线单元341。第一布线单元341是由低熔点金属制成的低熔点布线层34的一部分。低熔点金属包括一般地被用于布线的金属，诸如铝、铜和金，并且比上述耐火金属具有更低的熔点。
第一布线单元341包括用于向驱动电路20的晶体管供应低供电VSS的VSS布线3411和用于供应高供电VDD的VDD布线3412。并且，第一布线单元341包括两个时钟布线3413。例如，第一时钟布线3413向驱动电路20供应时钟CK1，并且第二时钟布线3413向驱动电路20的晶体管供应时钟CK2。亦即，第一布线单元341对应于用于向包括在驱动电路20中的晶体管供应电压的布线。
源极-漏极部分33包括第二布线单元332。第二布线单元332连接于包括在驱动电路20的晶体管中的电极部分与第一布线单元341之间。第二布线单元332例如包括第二源极布线3321和第二漏极布线3322。电极部分例如是源极电极3311、漏极电极3312或栅极电极321。
第二源极布线3321从源极电极3311向右、亦即朝着第一布线单元341延伸。第二源极布线3321连接在源极电极3311与VSS布线3411或VDD布线3412之间。第二源极布线3321在右端处经由第二接触孔37连接到VSS布线3411或VDD布线3412。亦即，第二源极布线3321在右端处经由第二接触孔37连接到第一布线单元341。
第二漏极布线3322连接在漏极电极3312与包括在第一布线单元341中的第一漏极布线之间。第二漏极布线3322从密封区C向右、亦即朝着第一布线单元341延伸。第二漏极布线3322在右端处经由接触孔(未示出)连接到第一布线单元341。应注意的是，第二漏极布线3322与第一布线单元341之间的接触部分未示出。
将描述第二供电区E。在第二供电区E中，设置有阴极布线单元342、第三布线单元343、栅极部分32F和源极-漏极部分33F。阴极布线单元342和第三布线单元343垂直地延伸。
栅极部分32F是由与密封区C的栅极部分32相同的材料制成并在与其相同的工艺中形成的层。源极-漏极部分33F是由与密封区C和第一供电区D的源极-漏极部分33相同的材料制成并在与其相同的工艺中形成的层。栅极部分32F和源极-漏极部分33F朝着显示区F延伸。
阴极布线单元342是用于向阴极电极19供应模拟负功率PVEE的阴极供电布线。第三布线单元343是用于向像素电路供应模拟正功率PVDD的阳极供电布线。阴极布线单元342和第三布线单元343是低熔点布线层34的一部分。
栅极部分32F和源极-漏极部分33F向显示区F中的像素电路供应模拟功率。阴极布线单元342和阴极电极19在其重叠的位置处经由开口部分17相连。应注意的是开口部分17也称为元件隔离层开口部分。栅极部分32F被连接到源极-漏极部分33F。
将描述显示区F。在显示区F中，设置有阳极电极18和发光部分171。应注意的是，未示出像素电路的半导体和布线。例如，阳极电极18由与低熔点布线层34的材料相同的材料制成。可以在与低熔点布线层34的工艺相同的工艺中形成阳极电极18。每个发光部分171被设置成与阳极电极18重叠。发光部分171是在该处每个OLED 97(参见图26)发光的部分。显示单元15包括许多OLED 97。
图6是密封区C的示意性横截面图。图6与图3同样地示意性地图示出包括设置在密封区C中的许多晶体管之中的两个晶体管的部分。参考图6，将描述密封区C的结构。应注意的是在横截面图的以下描述中，显示装置10的背面、亦即第一基板11的侧面被视为向下方向，并且显示单元10的正面、亦即第二基板12的侧面被视为向上方向。
显示装置10在第一基板11上具有基础绝缘层41、半导体部分31、栅极绝缘层42、栅极部分32、层间绝缘层43、源极-漏极部分33、无机绝缘体膜44、密封剂25、第二基板12、四分之一波长减速器28和起偏振片29。
基础绝缘层41被设置在第一基板11的整个表面上。半导体部分31被设置在基础绝缘层41上。栅极绝缘层42被设置在半导体部分31和未被半导体部分31覆盖的基础绝缘层41的一部分上。栅极部分32被设置在栅极绝缘层42上。层间绝缘层43被设置在栅极部分32与未被栅极部分32覆盖的栅极绝缘层42的一部分上。源极-漏极部分33被设置在层间绝缘层43上。无机绝缘体膜44被设置在源极-漏极部分33和未被源极-漏极部分33覆盖的层间绝缘层43的一部分上。密封剂25紧密地填充无机绝缘体膜44与第二基板12之间的空间。
四分之一波长减速器28被设置在第二基板12上。起偏振片29被设置在四分之一波长减速器28上。源极-漏极部分33经由第一接触孔36而连接到半导体部分31。
栅极绝缘层42、层间绝缘层43和无机绝缘体膜44每个具有预定厚度，并且被形成为符合在其下面的层的不规则性。
第一基板11、基础绝缘层41、半导体部分31、栅极绝缘层42、层间绝缘层43、无机绝缘体膜44、密封剂25和第二基板12由无机材料制成。栅极部分32和源极-漏极部分33由耐火金属制成。亦即，除四分之一波长减速器28和起偏振片29之外，密封区C仅由无机材料和耐火金属制成。
在图6中的左侧的半导体部分31、栅极部分32和源极-漏极部分33组成p沟道超级铝薄膜晶体管(P-ch S/A TFT)。左侧半导体部分31包括p型重掺杂层311和未掺杂层313。在图6中的右侧的半导体部分31、栅极部分32和源极-漏极部分33组成n沟道轻掺杂漏极薄膜晶体管(N-ch LDD TFT)。右侧半导体部分31包括未掺杂层313、n型重掺杂层314和n型轻掺杂层315。P-ch S/A TFT和N-ch LDD TFT是组成驱动电路20的晶体管的示例。图6中所示的P-ch S/A TFT和N-ch LDD TFT对应于图3中所示的晶体管26。
设置在密封区C的最右端处的N-ch LDD TFT的右侧的源极-漏极部分33被耦合到朝着第一供电区D延伸的第二布线单元332(参见图3)。
图7是第一供电区D和第二供电区E的示意性横截面图。参考图7，描述了第一供电区D和第二供电区E的结构。应注意的是将不重复与参考图6所述的密封区C等价的部分的描述。
显示装置10在第一基板11上具有基础绝缘层41、栅极绝缘层42、层间绝缘层43、第二布线单元332、无机绝缘体膜44、平面化层45、低熔点布线层34、隔离层46、阴极电极19、盖层48、第二基板12、四分之一波长减速器28和起偏振片29。
基础绝缘层41被设置在第一基板11的整个表面上。栅极绝缘层42被设置在基础绝缘层41上。层间绝缘层43被设置在栅极绝缘层42上。第二布线单元332被设置在层间绝缘层43上。无机绝缘体膜44被设置在第二布线单元332与未被第二布线单元332覆盖的层间绝缘层43的一部分上。
平面化层45被设置在无机绝缘体膜44上。低熔点布线层34被设置在平面化层45上。作为低熔点布线层，可以使用常规低电阻线材料，诸如Al、Cu或具有这些电阻线材料的各层和耐火金属膜的多层结构的导线材料。然而，使用与如所示的阳极电极材料342相同的材料使得能够实现简单的制造工艺。低熔点布线层34被用于电路的主要部分的布线，诸如供电布线和时钟布线。因此，优选的是使得能够实现等于或小于电路设计所需的上限的低电阻和阳极电极所需的高反射率的材料和膜结构。ITO/Ag的层压膜例如使得能够实现低电阻以及高反射率，并且还实现作为阳极电极的功能。可以在层压膜下面添加另一金属薄膜从而减小与耐火金属膜332的接触电阻。
隔离层46被设置在低熔点布线层34和未被低熔点布线层34覆盖的平面化层45的一部分上。应注意的是，隔离层46被称为元件隔离层。阴极电极19被设置在隔离层46上。盖层48被设置在阴极电极19上。应注意的是盖层48还覆盖阴极电极19的边缘。盖层48和未被盖层48覆盖的隔离层46的一部分经由空间27与第二基板12相对。
四分之一波长减速器28被设置在第二基板12上。起偏振片29被设置在四分之一波长减速器28上。此结构允许从外围进入并被第二基板12、阴极电极19、阳极电极342等的表面反射的光在起偏振片29中被吸收，并且只有由OLED发射的光通过前表面。因此，使得高对比率成为可能。阴极电极19经由开口部分17被连接到低熔点布线层34从而向OLED供应点亮OLED所需的电流。
平面化层45和隔离层46由有机材料制成。平面化层45覆盖无机绝缘体膜44的顶面。平面化层45在除第二接触孔37之外的顶面上是平直的。
第二布线单元332从密封区C的右端延伸到第一供电区D的内部。亦即，第二布线单元332被连接到上述N-ch LDD TFT的右侧源极-漏极部分33。
低熔点布线层34例如包括第一布线单元341、阴极布线单元342和第三布线单元343。第一布线单元341经由第二接触孔37而连接到源极-漏极部分33。
隔离层46覆盖低熔点布线层34。隔离层46在第一供电区D的左端处、亦即在密封区C与第一供电区D之间的边界部分的左侧处不存在。
阴极电极19被连接到阴极布线单元342。连接在阴极电极19与阴极布线单元342之间的部分对应于包括在隔离层46中的开口部分17。盖层48位于阴极电极19上。在盖层48的顶面与第二基板12之间形成空间27。
应注意的是，平面化层45、隔离层46和盖层48由有机材料制成。低熔点布线层34和阴极电极19由低熔点金属制成。
图8是显示区F的示意性横截面图。参考图8，将描述显示区F的结构。应注意的是将不描述等价于参考图6所讨论的密封区C的部分。此外，将不描述等价于参考图7所讨论的第一供电区D和第二供电区E的部分。
显示装置10在第一基板11上具有基础绝缘层41、半导体部分31。栅极绝缘层42、层间绝缘层43、源极-漏极部分33、无机绝缘体膜44、平面化层45、阳极电极18、隔离层46、发光层47、阴极电极19、盖层48、第二基板12、四分之一波长减速器28和起偏振片29。
基础绝缘层41被设置在第一基板11的整个表面上。半导体部分31被设置在基础绝缘层41上。栅极绝缘层42被设置在半导体部分31和未被半导体部分31覆盖的基础绝缘层41的一部分上。栅极部分32被设置在栅极绝缘层42上。层间绝缘层43被设置在栅极部分32与未被栅极部分32覆盖的栅极绝缘层42的一部分上。源极-漏极部分33被设置在层间绝缘层43上。无机绝缘体膜44被设置在源极-漏极部分33和未被源极-漏极部分33覆盖的层间绝缘层43的一部分上。
平面化层45被设置在无机绝缘体膜44上。阳极电极18被设置在平面化层45上。隔离层46被设置在阳极电极18和未被阳极电极18覆盖的平面化层45的一部分。发光层47被设置在隔离层46上。阴极电极19被设置在发光层47和未被发光层47覆盖的隔离层46的一部分上。盖层48被设置在阴极电极19上。盖层48经由空间28与第二基板12相对。
四分之一波长减速器28被设置在第二基板12上。起偏振片29被设置在四分之一波长减速器28上。阳极电极18经由接触部分38连接到源极-漏极部分33。
在图8中的左侧的半导体部分31、栅极部分32和源极-漏极部分33组成薄膜晶体管(TFT)。在图8中的右侧的半导体部分31、栅极部分32和源极-漏极部分33组成保持电容器。其全部是像素电路的电路组件的示例。
阳极电极18经由接触部分38被连接到TFT的源极-漏极部分33。隔离层46覆盖平面化层45和阳极电极18的边缘，并且未覆盖阳极电极18的中心。
发光层47是由基于电流的流动而发光的有机化合物制成的层，亦即OLED层。发光层47在通过隔离层46的开口暴露的阳极电极18及其周围区域上形成。阴极电极19覆盖发光层47和隔离层46。
将描述发光层47的操作。经由接触部分38向阳极电极18施加电压。通过阳极电极18与阴极电极19之间的电压差，从阳极电极18向发光层47注入空穴，同时从阴极电极19向发光层47注入电子。
在发光层47中由空穴与电子的重组引起的激子在返回到基态时发光。亦即，发光层47基于阳极电极18与阴极电极19之间的电流而发光。在该处隔离层46被设置在其下面的发光层47的一部分阻碍电流的流动且因此不发光。从上可知，通过隔离层46被暴露的阳极电极18的部分是发光部分171。
如上所述，平面化层45、隔离层46、发光层47和盖层48由有机材料制成。阳极电极18和阴极电极19由低熔点金属制成。亦即，显示区F包括有机材料和低熔点金属而不包括减速器28和起偏振片29。
根据本实施例，优选的是第一布线单元341的材料比第二布线单元332的材料具有更低的薄层电阻。亦即，优选的是低熔点布线层34的薄层电阻低于源极-漏极部分33的薄层电阻。
例如第一布线单元341的薄层电阻优选地等于或低于例如0.1欧姆。在针对第一布线单元341采用ITO、银和ITO的三层结构的情况下，在中间的银层的厚结构允许薄层电阻等于或低于0.1欧姆。
因此，第一布线单元341的薄层电阻意指在远离第二接触孔37等的在厚度方面均匀的第一布线单元341的一部分处的薄层电阻。并且，第二布线单元332的薄层电阻意指远离第一接触孔36等的在厚度方面均匀的第二布线单元332的薄层电阻。
图9是比较例的显示装置810的外观图。图9是如从前面、亦即从图像显示表面侧看的显示装置810的图。参考图1和图9，将描述本实施例的效果。
首先，将描述图9中所示的比较例的显示装置810。将不描述与图1中的那些等价的部分。比较例的密封第一基板811和第二基板812的密封剂825围绕扫描驱动器21、解复用器22、发射控制驱动器23和保护电路24。密封剂25位于远离扫描驱动器21、解复用器22、发射控制驱动器23和保护电路24处。在比较例中，类似于扫描驱动器21等的驱动电路20中的晶体管在密封剂25被熔化时将不太可能遭受热。
在比较例中，围绕显示单元15的外周的边框区需要包括例如扫描驱动器21的宽度、密封剂825的宽度和在显示单元15的左侧的其之间的间距的宽度。为了保护扫描驱动器21免于当密封剂825被熔化时产生的热，需要在扫描驱动器21与密封剂825之间形成间距。
相反地，在图1中所示的本实施例的显示装置10，由耐火金属形成的扫描驱动器21可以与密封剂25重叠。亦即，可以将扫描驱动器21直接地设置在密封剂25下面。因此，在根据本实施例的显示装置10中，与比较例相比，可以将边框区缩窄扫描驱动器21的宽度和对应于扫描驱动器21与密封剂25之间的间距的宽度。因此，可以提供使得能够实现窄边框的显示装置10。
接下来，将在布线结构方面描述根据本实施例的显示装置10的效果。根据本实施例，将通过由耐火金属制成的第二布线单元332从由低熔点金属制成的第一布线单元341向驱动电路20中的晶体管供应电压。这允许由低熔点金属制成的第一布线单元341远离驱动电路20。因此，可以保护第一布线单元341免于由于将在驱动电路20上提供的密封剂25熔化的热而引起的副作用。
并且，将具有低薄层电阻的低熔点金属用于第一布线单元341使得能够稳定地向驱动电路20供电和时钟信号，这可以避免故障。
另外，可以在同一工艺中形成第一布线单元341和阳极电极18。因此，可以在与参考图9描述的比较例相同数目的工艺中制造本实施例的显示装置10。亦即，可以在不增加制造工艺的数目的情况下提供具有窄边框的显示装置10。
图10图示出制造OLED面板的流程。图11-图23和图4每个图示出OLED面板的制造工艺。参考图10-图23和图4，下面将讨论本实施例的用于制造显示设备10的方法的简要说明。
应注意的是，相对于图11、图13、图15、图17和图19中所示的示意性横截面图，以下描述举例说明了单个OLED 97(参见图26)和控制显示区F内的OLED 97的单个像素电路。虽然在示意性横截面图中，提出了用于单个OLED 97的一个TFT，但可以为单个OLED 97提供多个TFT。此外，由于通过掺杂半导体部分31等来形成p型重掺杂层311、p型轻掺杂层312、未掺杂层313、n型重掺杂层314和n型轻掺杂层315的工艺类似于现有半导体制造工艺，所以将不重复其说明。
显示装置10的制造商通过半导体工艺在作为半透明基板(诸如玻璃基板等)的第一基板11的表面中的一个上制作像素电路和驱动电路20(步骤S501)。这时，显示装置10的制造商将耐火金属用于组成像素电路和驱动电路20的电极和布线。
将参考图11-图16来讨论步骤S501中的工艺。首先，将参考图11和图12来讨论该工艺。图11是在制造工艺中间的显示装置10的示意性横截面图。图12是图示出从正面看的图11中所示的状态下的显示装置10的图。图12图示出与图5相同的部分。
显示装置10的制造设备通过用化学气相沉积(CVD)方法等，在第一基板11的一个表面上沉积氮化硅膜等而形成基础绝缘层41。然后，制造设备用CVD方法等在基础绝缘层41上沉积非晶硅，并且通过准分子激光退火(ELA)来执行结晶从而以预定形式形成半导体部分31。
使用参考图13和图14继续描述。图13是图示出是在制造工艺中间的显示装置10的示意性横截面图。图13是图示出从正面看的图14中所示的状态下的显示装置10的图。图14图示出与图5相同的部分。应注意的是在图14中还图示出在此过程之后要制作的第一接触孔36。
制造设备通过用CVD方法等在半导体部分31和基础绝缘层41上形成氧化硅膜来形成栅极绝缘层42。制造设备用溅射方法以预定形式层压栅极部分32。如上所述，栅极部分32由耐火金属材料制成。
位于密封区C内的某些栅极部分32是用于驱动电路20内的晶体管的栅极电极321和布线。在栅极部分32之外的从第二供电区E向右延伸到显示区F的其它栅极部分32F是用于向像素电路供电的布线。
参考图15和图16来继续讨论该工艺。图15是图示出是在制造工艺中间的显示装置10的示意性横截面图。图16是图示出从正面看的图15中所示的状态下的显示装置10的图。图16图示出与图5相同的部分。应注意的是，在图16中还图示出在此工艺之后要制作的第二接触孔37。
显示装置10的制造设备例如通过用CVD方法等形成氧化硅膜来形成层间绝缘层43。制造设备对层间绝缘层43和栅极绝缘层42执行各向异性蚀刻以形成穿透至半导体部分31的孔。制造设备用溅射方法等以预定形式层压源极-漏极部分33。穿透至半导体部分31的孔，这时将是在随后的工艺中连接半导体部分31或栅极部分32和源极-漏极部分33的第一接触孔36。
下面将描述源极-漏极部分33的各部分。在连接到密封区C内的半导体部分31的第一接触孔36附近的源极-漏极部分33的部分是源极电极3311和漏极电极3312。连接到密封区C内的栅极部分32的第一接触孔36经由栅极部分32连接到栅极电极321。
从密封区C向右延伸并将在稍后的工艺中连接到VSS布线3411的源极-漏极部分33的部分是第二源极布线3321。从密封区C向右延伸并将在稍后的工艺中连接到VDD布线3412的源极-漏极部分33的部分是第二漏极布线3322。第二源极布线3321和第二漏极布线3322是第二布线单元332的示例。
从上可知，完成图10中所示的步骤S501从而完成组成驱动电路20的晶体管。
如上所述，显示装置10包括连接于包括在晶体管中的电极部分(例如，源极电极3311、漏极电极3312和栅极电极321)与第一布线单元341之间的第二布线单元332。显示单元15和第一布线单元341被设置在空间27内的第一基板11的表面上。组成上述电极部分和第二布线单元332的第二金属的熔点高于组成第一布线单元341的第一金属的熔点。第一基板11、驱动电路20、密封剂25以及第二基板12层叠设置。
包括在晶体管中的电极部分和第二布线单元332由相同金属制成。第二布线单元332具有被连接到电极部分的源极电极3311的第二源极布线3321。第一布线单元341具有连接到第二源极布线3321的第一源极布线。VSS布线3411是第一源极布线的一个示例。
第二源极布线3321朝着第一布线单元341延伸并在其接近于第一布线单元341的末端处连接到第一源极布线。
包括在晶体管中的电极部分和第二布线单元332由相同金属构成。第二布线单元332具有被连接到电极部分的漏极电极3312的第二漏极布线3322。第一布线单元341具有被连接到第二漏极布线3322的第一漏极布线。VDD布线3412是第一漏极布线的一个示例。第二漏极布线3322朝着第一布线单元341延伸，并且在其接近于第一布线单元341的末端处连接到第一漏极布线。
参考图17、图18和图10中所示的流程图来连续地讨论该工艺。图17是在制造工艺中间的显示装置10的示意性横截面图。图18是图示出从正面看的图17中所示的状态下的显示装置10的图。图17图示出与图5相同的部分。
制造设备用CVD方法等制作覆盖层间绝缘层43和源极-漏极部分33的无机绝缘体膜44(步骤S502)。无机绝缘体膜44例如由氧化硅或氮化硅制成。
制造设备用旋涂方法等来沉积感光有机材料从而形成平面化层45(步骤S503)。制造设备通过各向异性刻蚀等来制作穿透至源极-漏极部分33的孔。制造设备通过各向异性蚀刻等从边缘区B和密封区C去除平面化层45。
制造设备制作阳极电极18和低熔点布线层34(步骤S504)。更具体地，沉积设备在平面化层45的前表面和穿透至源极-漏极部分33的孔的内表面上沉积金属薄膜。用光刻法等来去除金属薄膜的一部分以制作阳极电极18和低熔点布线层34。应注意的是，在此工艺中制造设备去除密封区C上的金属薄膜。
穿透至源极-漏极部分33的孔变成连接在阳极电极18与源极-漏极部分33之间的接触部分38或连接在低熔点布线层34与源极-漏极部分33之间的第二接触孔37。
优选的是阳极电极18具有例如ITO、银和ITO的三层结构。此类结构允许阳极电极18充当用于将由发光层47发出的光朝着第二基板12反射的反射层。因此，可以高效地利用由发光层47发出的光。
此外，阳极电极18可以是铝和ITO的双层结构。作为铝的替代，可以使用铝和镍的合金或铝和钛的合金。
低熔点布线层34可以是通过按照与阳极电极18相同的顺序层压与阳极电极18相同的材料而获得的层压件。这使得可以在同一工艺中制作低熔点布线层34和阳极电极18。
低熔点布线层34和阳极电极18可以共享层的一部分。此外，低熔点布线层34和阳极电极18可以由不同的材料制成。
参考图19、图20和图10中所示的流程图来连续地讨论该工艺。图19是图示出在制造过程中间的显示装置10的示意性横截面图。图20图示出完成图10中所示的流程图中的步骤S505之后的从正面看的显示装置10的图。图19图示出与图5相同的部分。
制造设备制作隔离层46(步骤S505)。更具体地，旋涂设备层压例如感光有机树脂膜。曝光设备使对应于开口部分17的形状的图案暴露。显影设备和蚀刻设备去除对应于开口部分17的隔离层46的一部分，从而以预定形式制作隔离层46。在图20中用短划线的交叉影线来图示出隔离层46。
制造设备制作发光层47(步骤S506)。更具体地，通过使用金属掩膜来蒸发预定形式的发光层47。发光层47由包括红色、蓝色和绿色的三种有机发光材料制成。
参考图19、图21和图10中所示的流程图来连续地讨论该工艺。图21是图示出从正面看的完成图10中所示的流程图中的步骤S507之后的显示装置10的图。图21图示出与图5形同的部分。
制造设备通过气相沉积来制作阴极电极19(步骤S507)。制造设备通过例如气相沉积来制作盖层48。由于阴极电极19和盖层48是覆盖显示单元15的整个表面的层，所以其不需要以高精度来制作。
从上述工艺完成在第一基板11的一个表面上具有驱动电路20和显示单元15的TFT基板16。
参考图22和图23，下面将讨论图10中所示的流程图中的步骤S508。图22是步骤S508开始之前的从正面看的TFT基板16的图。图23是完成步骤S508之后的从正面看的TFT基板16的图。
参考图22，将讨论步骤S508开始之前的第一基板11。阴极电极19被置于矩形显示单元15上。在显示单元15的周围区域中设置有扫描驱动器21、解复用器22、发射控制驱动器23和保护电路24。应注意的是，未示出用于向显示单元15、扫描驱动器21、解复用器22、发射控制驱动器23和保护电路24供应电压的第一布线单元341、第二布线单元332等。
制造设备在显示单元15的周围印刷密封剂25(步骤S508)。要印刷的密封剂25是主要由例如低熔点粉末状玻璃(亦即玻璃粉)构成的膏。参考图23，下面将讨论其中制造设备印刷密封剂25的位置。制造设备印刷密封剂25，使得密封剂25在扫描驱动器21、解复用器22、发射控制驱动器23和保护电路24上围绕显示单元15。亦即，制造设备在围绕像素电路、OLED 97、第一布线单元341和第二布线单元332的位置处设置密封剂25。密封剂25因此至少被设置在驱动电路20上(横截面图中的上侧)。
制造设备在TFT基板16上设置第二基板12(步骤S509)。第二基板12被置于显示单元15、阴极电极19和密封剂25上。应注意的是，第二基板12还覆盖图22和图23中未示出的第一布线单元341、第二布线单元332等。
参考图4和图10中所示的流程图，下面将继续讨论该工艺。如上所述，图4是图示出显示装置10的左侧部分的示意性横截面图。
制造设备通过用穿过第二基板12的激光束照射密封剂25来使其熔化。熔化密封剂25被硬化从而将TFT基板16与第二基板12之间的空间27、亦即第一基板11与第二基板12之间的空间27密封(步骤S510)。
在步骤S508中，在图4中用印刷区G来图示出将在其上面印刷密封剂25的区域。制造设备用穿过第二基板12的激光束来照射密封剂25。
通过激光束的照射被熔化的密封剂25在硬化之前散布在第一基板11与第二基板12之间。因此，在激光照射区L的右侧预留了扩散边缘J。这使得可以防止熔化的热的密封剂25对第一供电区D的低熔点布线层34产生副作用。
同样地，在激光照射区L的左侧预留了扩散边缘J。这使得可以防止熔化的热的密封剂25通过第一基板11和第二基板12流出。应注意的是，密封剂25实际上并未流入其中的第一基板11的边缘附近的扩散边缘J的一部分是参考图3所解释的边缘区B。
应注意的是，密封工艺是在干燥气态气氛(诸如干燥空气或氮气)中执行的。这使得可以将干燥空气密封在由第一基板11、第二基板12和密封剂25形成的空间27内。
然后，制造设备将四分之一波长减速器28和起偏振片29粘贴到第二基板12。从上述工艺完成OLED面板。
图24是显示装置10的硬件的构造图。显示装置10具有FPC 14、驱动器IC13和TFT基板16。TFT基板16具有包括扫描驱动器21、解复用器22和发射控制驱动器23等的驱动电路20和显示单元15。
驱动器IC 13处理经由FPC 14获得的图像信号，并将图像信号输出到TFT基板16的驱动电路20。驱动电路20控制显示单元15。
图25是驱动器IC 13的构造图。参考图25，将讨论驱动器IC 13的功能。驱动器IC13包括调整单元51、接收单元56、高压逻辑单元57、模拟控制单元58、模拟输出单元59和DC/DC转换器5。调整单元51是可以以高速度操作的低压逻辑电路。调整单元51包括亮度调整单元52、色彩控制单元53和伽玛调整单元54。分别地用亮度调整电路、色彩调整电路和伽玛调整电路来实现亮度调整单元52、色彩控制单元53和伽玛调整单元54。
调整单元51可以是安装在驱动器IC 13上的处理器。在这种情况下，调整单元51从包含在驱动器IC 13中的非易失性存储器(未示出)读取控制程序，并在安装于例如驱动器IC 13上的DRAM等(未示出)开发读取程序。从上可知，可以实现亮度调整单元52、色彩控制单元53和伽玛调整单元54。
控制信号、图像信号和输入功率经由FPC 14被供应给驱动器IC 13。图像信号是符合例如由移动行业处理器接口(MIPI)或MIPI联盟确定的标准的信号。
接收单元56接收图像信号并将该信号输出到调整单元51。亮度调整单元52、色彩控制单元53和伽玛调整单元54串行地基于控制信号来处理视频信号从而使得信号符合显示装置10的特性。
高压逻辑单元57基于被调整单元51处理的视频信号来生成显示面板控制信号。显示面板控制信号是高压数字信号。高压逻辑单元57经由TFT基板16上的布线向驱动电路20内的扫描驱动器21和发射控制驱动器23输出显示面板控制信号。发送到发射控制驱动器23和扫描驱动器21的信号充当用于驱动器两者的输入信号。
模拟控制单元58和模拟输出单元59进而对已被调整单元51处理的视频信号执行处理并输出输出端子信号。输出端子信号是模拟信号。模拟输出单元59经由解复用器22向显示单元15输出该输出端子信号。该输出端子信号充当用于显示单元15的模拟输入信号。
DC/DC转换器55基于被调整单元51处理的视频信号和输入功率而产生显示面板驱动功率，并且向TFT基板16上的各电路供应功率。各电路被供应的显示面板驱动功率操作。
发射控制驱动器23和扫描驱动器21控制每个OLED 97的辉度(参见图26)。显示单元15根据该控制来显示图像。
下面将讨论用于使得OLED 97发光的电路的示例。图26是图示出用于使得单个OLED 97发光的电路图。在图26中，通过使用表示有机发光二极管(OLED)的示意性符号来举例说明单个OLED 97。在下文中将图26中所示的电路称为像素电路。
像素电路与正供电线PVDD、负供电线PVEE、视频信号线Vdatta和扫描信号线Scan相连。视频信号线Vdata被连接到解复用器22。扫描信号线Scan被连接到扫描驱动器21。
像素电路包括OLED 97、开关TFT 96、驱动TFT 98和保持电容器99。视频信号线Vdata被连接到开关TFT 96的源极电极。扫描信号线Scan被连接到开关TFT 96的栅极电极。正供电线PVDD被连接到保持电容器99的电极中的一个和驱动TFT 98的源极电极。负供电线PVEE被连接到OLED 97的阴极电极19。开关TFT 96的漏极电极被连接到保持电容器99的另一电极和驱动TFT 98的栅极电极。驱动TFT 98的漏极电极经由接触部分38被连接到OLED97的阳极电极18。
图27图示出驱动TFT 98的输出特性。参考图26和图27，下面将讨论像素电路的操作。
图27中的横轴指示驱动TFT 98的输出电压Vds。图27中的竖轴指示驱动TFT 98的输出电流Ids。图27中的实线表示驱动TFT 98的栅极电极与源极电极之间的电位差Vgs是-1.5V、-2.0V、-2.5V、-3.0V和-3.5V的情况下的驱动TFT 98的输出电压Vds与输出电流Ids之间的关系。图27中的虚线表示作为OLED 97的阳极电极18与阴极电极19之间的电流-电压关系的I-V特性。
图28是图示出视频信号和驱动信号的时序图。图28中的横轴指示时间。图28中的竖轴指示视频信号Vdata、第N扫描线中的扫描信号ScanN和第N+1扫描线中的扫描信号ScanN+1的电压。视频信号Vdata是对应于各OLED 97的亮度的范围从黑色至白色的电压电平。扫描信号ScanN和扫描信号Scan每个具有ON电平和OFF电平。在图28中，扫描信号Scan针对低压被接通，并且针对高压被关断。
参考图26至图28，将讨论OLED 97的操作。从扫描信号线Scan和视频信号线Vdata向每个像素电路施加电压。在由扫描驱动器21选择扫描线、亦即扫描信号线Scan被接通的情况下，开关TFT 96被接通，并且从开关TFT 96的漏极电极输出与从视频信号线Vdata输入的电压相对应的电压。
驱动TFT 98根据开关TFT 96的漏极电极的输出电压与正供电线PVDD之间的电位差Vgs来执行图27中所示的操作。亦即，由于电位差Vgs在电压方面是低的，所以更多的电流流过OLED 97。结果，OLED 97以高辉度发光。在来自扫描信号线Scan的输入被关断之后，储存在保持电容器99中的电荷在驱动TFT 98中保持电位差Vgs，其允许OLED 97连续地发光。
应注意的是图26中的像素电路是一个示例。像素电路可以被配置成使得更多的TFT和电容器被组合。
上文所述的半导体部分31、栅极部分32、源极-漏极部分33以及低熔点布线层34的形状仅仅是示例，并且是为了说明而被简化的示意图。此外，制造工艺和在每个工艺中使用的制造设备仅仅是示例。
应注意的是上文讨论了显示装置10的结构、操作和制造方法，举例说明了针对显示装置10采用朝着第二基板12上的表面发射光的顶发射OLED面板的情况。可以针对显示装置10采用朝着第一基板11发射光的底发射OLED面板。
[实施例2]
本实施例涉及具有在栅极部分32与源极-漏极部分33之间插入的第三耐火金属层35的显示装置10。
图29是图示出根据实施例2的显示装置10的示意性平面图。图29是以放大比例图示出显示装置10的左端处的半导体和布线的图。图29图示出与图5相同的部分。将不重复等价于实施例1的部分的描述。
下面提供了本实施例的半导体和布线的设置的简要说明。本实施例与实施例1之间的不同是在密封区C中提供的第三耐火金属层35。应注意的是第三耐火金属层35也被提供在显示区F中，但是在图29中未示出。
源极-漏极部分33与第三耐火金属层35的部分重叠。然而，在图29中还用粗体实线来表示被源极-漏极部分33覆盖的第三耐火金属层35的一部分以便使得第三耐火金属层35的形状和设置容易理解。
第三耐火金属层35是水平伸长的矩形。第三耐火金属层35被设置在驱动电路20的晶体管的沟道区上。应注意的是，在其中存在第一接触孔36的部分处未设置第三耐火金属层35。
图30是根据实施例2的密封区C的示意性横截面图。类似于图3和图6，图30示意性地图示出包括设置在密封区C中的许多晶体管之中的两个晶体管的密封区C的一部分。参考图30，将讨论密封区C的结构。
第三耐火金属层35被设置在第一层间绝缘层431与第二层间绝缘层432之间。第三耐火金属层35覆盖组成驱动电路20的晶体管的沟道区。
第一层间绝缘层431和第二层间绝缘层432每个具有恒定厚度，并且被形成为符合在其下面的层的不规则性。
第一层间绝缘层431和第二层间绝缘层432由无机材料制成。应注意的是第一层间绝缘层431和第二层间绝缘层432可以由相同材料或不同材料中的任一个制成。第三耐火金属层35由耐火金属制成。
图31是实施例2的第一供电区D和第二供电区E的示意性横截面图。参考图31，下面将讨论第一供电区D和第二供电区E的结构。应注意的是，将不重复与参考图30所讨论的密封区C等价的部分的描述。在图31中，将第一层间绝缘层431和第二层间绝缘层432设置为层间绝缘层。
图32是实施例2的显示区F的示意性横截面图。参考图32，将讨论显示区F的结构。应注意的是，将不重复与参考图30所讨论的密封区C等价的部分的描述。并且，应注意的是，将不会重复与参考图31所讨论的第一供电区D和第二供电区E等价的部分的描述。
在本实施例的显示设备10中，第一层间绝缘层431、第三耐火金属层35以及第二层间绝缘层432被按此顺序设置(层叠设置)来代替实施例1中的图8中所示的层间绝缘层43。
在图32的右侧的栅极部分32、第一层间绝缘层431和第三耐火金属层35形成保持电容器。源极-漏极部分33经由第一接触孔36被连接到第三耐火金属层35。
还可以在图32中的右侧，在基础绝缘层41与栅极绝缘层42之间提供半导体部分31，虽然其在横截面图中并未呈现。在提供了半导体部分31而未提供右侧栅极部分32的情况下，半导体部分31、栅极绝缘层42、第一层间绝缘层431和第三耐火金属层35形成保持电容器。在提供了右侧栅极部分32和第三耐火金属层35两者的情况下，可以形成被串联连接的两个保持电容器。
图33图示出实施例2的OLED面板的制造工艺。本实施例的OLED面板是在与实施例1的那些直至参考图13和图14所述的工艺(亦即制作栅极部分32的工艺)相同的工艺中制造的。
在形成栅极部分32之后，制造设备例如用CVD方法等来沉积氧化硅膜以形成第一层间绝缘层431。制造设备用溅射法等以预定形式层压第三耐火金属层35。如其名称所暗示的，第三耐火金属层35由耐火金属材料制成。制造设备例如用CVD方法等来沉积氧化硅膜等以形成第二层间绝缘层432。
图34图示出实施例2的OLED面板的制造工艺。制造设备对第一层间绝缘层431、第二层间绝缘层432和栅极绝缘层42执行各向异性蚀刻以制作穿透至半导体部分31或第三耐火金属层35的孔。制造设备用溅射方法等以预定形式层压源极-漏极部分33。由于后续制造工艺与实施例1的工艺相同，所以将不重复其描述。
如上所述，显示装置10被提供有金属层(例如，第三耐火金属层35)，其由具有高于第一金属的熔点的材料制成并覆盖在驱动电路20与密封剂25之间的晶体管的半导体部分31。
根据本实施例，可以避免在用激光照射来熔化密封剂25的工艺中向组成驱动电路20的晶体管的沟道区上进行激光照射。因此，可以防止沟道区中的半导体的劣化。
第三耐火金属层35优选地由具有激光束的高反射率的材料制成。这允许第三耐火金属层35将激光束朝着密封剂25反射，其加速密封剂25的熔化。因此，可以迅速地且安全地将密封剂25熔化从而密封第一基板11与第二基板12之间的空间27。如上所述，密封剂25的迅速熔化可以使得激光束到晶体管26的照射时间较短。因此，可以防止晶体管26由于激光束而劣化。
此外，还可以将第三耐火金属层35用于像素电路的电容器和布线。因此，可以在显示区F中以高密度制作复杂的像素电路。
[实施例3]
本实施例涉及针对驱动电路20采用p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管的显示装置10。应注意的是，在这里将不描述等价于实施例1的部分。
图35是实施例3的密封区C的示意性横截面图。类似于图3和图6，图35示意性地图示出包括设置在密封区C中的许多晶体管之中的两个晶体管的密封区C的一部分。参考图35，将讨论密封区C的结构。
由于被用于驱动电路20的图35中的晶体管是PMOS晶体管，所以未包括NMOS晶体管，不同于图6。作为图6中的NMOS晶体管的替代，在图35中的右侧的半导体部分31、栅极绝缘层42和栅极部分32组成保持电容器。
半导体部分31包括p型重掺杂层311、p型轻掺杂层312以及未掺杂层313。应注意的是在图35中的左侧的半导体部分31、栅极部分32和源极-漏极部分33组成TFT。
虽然在图35中的横截面图中未呈现，但可以将源极-漏极部分33连接到朝着第一供电区D延伸的第二布线单元332，类似于实施例1。
[实施例4]
本实施例涉及针对驱动电路20采用PMOS型晶体管并具有第三耐火金属层35的显示装置10。应注意的是未描述等价于实施例2的部分。
图36是根据实施例4的密封区C的示意性横截面图。类似于图3和图6，图36示意性地图示出包括设置在密封区C中的许多晶体管之中的两个晶体管的密封区C的一部分。参考图36，将讨论密封区C的结构。
本实施例的被用于驱动电路20的晶体管是PMOS晶体管，类似于图3。由于由半导体部分31等形成的晶体管的结构与实施例3的结构相同，所以不重复其描述。
在图36中的右侧，由作为第三耐火金属层35、第一层间绝缘层431和栅极部分32的一部分的第三电极部分352形成保持电容器。
在图36的右侧，还可以在基础绝缘层41与栅极绝缘层42之间提供半导体部分31，虽然其在横截面图中未呈现。在提供了半导体部分31而未提供右侧栅极部分32的情况下，半导体部分31、栅极绝缘层42、第一层间绝缘层431和第三电极部分352组成保持电容器。在提供了右侧栅极部分32、第三耐火金属层35和半导体部分31的情况下，可以形成被串联连接的两个保持电容器。
另外，在每个实施例中描述的技术特性(构造要求)可相互组合，并且通过将其组合可形成新的技术特性。
应理解的是本文公开的实施例在每个方面是说明性而非限制性的。由于本发明的范围由所附权利要求而非在其前面的描述定义，并且落在权利要求的界限或其此类界限的等价物内的所有改变因此意图被权利要求涵盖。

Claims (13)

1.一种显示装置，包括：
第一基板；
第二基板，其面对所述第一基板；
密封剂，其将所述第一基板和所述第二基板密封；
显示单元，其具有多个像素，每个像素包括基于电流而发光的有机发光元件和控制要供应给有机发光元件的电流的像素电路；
驱动电路，其包括用于驱动所述多个像素电路的多个晶体管；
第一布线单元，其被配置成向所述晶体管供应电压；以及
第二布线单元，其被配置成连接于包括在所述晶体管中的电极部分与所述第一布线单元之间，
其中，
所述驱动电路被设置在所述显示单元外围，
所述第一布线单元被设置在所述显示单元与所述驱动电路之间，
所述驱动电路和所述密封剂彼此重叠，并且所述第一布线单元和所述密封剂彼此不重叠；
组成所述电极部分和所述第二布线单元的第二金属的熔点高于所述密封剂的熔点和组成所述第一布线单元的第一金属的熔点，并且
所述第一基板、所述驱动电路、所述密封剂以及所述第二基板层叠设置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一布线单元的薄层电阻低于所述第二布线单元的薄层电阻。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，
包括在所述晶体管中的所述电极部分包括栅极电极、漏极电极和源极电极，并且
组成所述栅极电极、所述漏极电极和所述源极电极的所述第二金属的熔点高于所述第一金属的熔点。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述栅极电极、所述漏极电极和所述源极电极由相同金属制成。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
包括在所述晶体管中的所述电极部分和所述第二布线单元由相同金属制成，
所述第二布线单元具有被连接到所述电极部分的源极电极的第二源极布线，
所述第一布线单元具有被连接到所述第二源极布线的第一源极布线，
所述第二源极布线朝着所述第一布线单元延伸，并且
在所述第一布线单元侧的所述第二源极布线的末端被连接到所述第一源极布线。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
包括在所述晶体管中的所述电极部分和所述第二布线单元由相同金属制成，
所述第二布线单元具有被连接到所述电极部分的漏极电极的第二漏极布线，
所述第一布线单元具有被连接到所述第二漏极布线的第一漏极布线，
所述第二漏极布线朝着所述第一布线单元延伸，并且
在所述第一布线单元侧的所述第二漏极布线的末端被连接到所述第一漏极布线。
7.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，
所述密封剂由通过加热被熔化并通过冷却被硬化的材料制成，并且
所述驱动电路与硬化的密封剂重叠。
8.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，
在所述密封剂与所述驱动电路之间设置有无机绝缘体膜，
所述密封剂由通过加热被熔化并通过冷却被硬化的材料制成，并且
所述无机绝缘体膜与硬化的密封剂重叠。
9.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，所述第一布线单元由与所述有机发光元件的阳极电极的材料相同的材料制成。
10.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，在所述驱动电路与所述密封剂之间提供金属层，其由具有比设置在所述晶体管的半导体部分上的第一金属的熔点高的熔点的材料制成。
11.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，
所述驱动电路的第一区域被设置在所述显示单元的第二区域外围，并且
所述第一布线单元的第三区域被设置在所述第一区域与所述第二区域之间。
12.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，所述显示单元、所述驱动电路、所述第一布线单元、所述第二布线单元被设置在所述第一基板上并设置在所述第二基板的下面。
13.一种显示装置制造方法，包括：
在第一基板上形成显示单元、驱动电路、第一布线单元和第二布线单元，所述显示单元具有多个像素，每个像素包括基于电流而发光的有机发光元件和控制要供应给有机发光元件的电流的像素电路，驱动电路被设置在所述显示单元外围并包括用于驱动所述多个像素电路的多个晶体管，所述第二布线单元被连接到包括在所述晶体管中的电极部分，且所述第一布线单元被设置在所述驱动电路与所述显示单元之间并被配置成经由所述第二布线单元向所述晶体管供应电压；
在围绕所述像素电路、所述有机发光元件、所述第一布线单元和所述第二布线单元的位置处设置密封剂；
在所述密封剂上设置面向所述第一基板的第二基板从而覆盖所述驱动电路、所述第一布线单元、所述第二布线单元和所述显示单元；以及
通过将所述密封剂熔化来密封所述第一基板与所述第二基板之间的空间，
其中，
所述驱动电路和所述密封剂彼此重叠，并且所述第一布线单元和所述密封剂彼此不重叠，并且
组成所述电极部分和所述第二布线单元的第二金属由具有比所述密封剂的熔点和组成所述第一布线单元的第一金属的熔点高的熔点的材料制成。
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