TWI443629B - 顯示裝置、其驅動方法及電子設備 - Google Patents

顯示裝置、其驅動方法及電子設備 Download PDF

Info

Publication number
TWI443629B
TWI443629B TW098140710A TW98140710A TWI443629B TW I443629 B TWI443629 B TW I443629B TW 098140710 A TW098140710 A TW 098140710A TW 98140710 A TW98140710 A TW 98140710A TW I443629 B TWI443629 B TW I443629B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
potential
driving transistor
transistor
pixels
Prior art date
Application number
TW098140710A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201030717A (en
Inventor
Yukihito Iida
Mitsuru Asano
Katsuhide Uchino
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2008315467A external-priority patent/JP5168116B2/ja
Priority claimed from JP2008316551A external-priority patent/JP5309946B2/ja
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of TW201030717A publication Critical patent/TW201030717A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI443629B publication Critical patent/TWI443629B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G09G2320/045—Compensation of drifts in the characteristics of light emitting or modulating elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/028—Generation of voltages supplied to electrode drivers in a matrix display other than LCD
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/10—Dealing with defective pixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Description

顯示裝置、其驅動方法及電子設備
本發明係關於一種顯示裝置、一種其驅動方法及一種電子設備。更具體而言，本發明係關於一種具有一像素矩陣(每一像素包含一電光元件)之平面(扁平面板)顯示裝置、一種用於驅動該顯示裝置之方法及一種電子設備。
近年來，在用於顯示影像之顯示裝置領域中，具有一像素矩陣(像素電路，每一像素包含一發光元件)之平面顯示裝置已迅速地日益增加。平面顯示裝置(舉例而言，包含有機EL元件之有機電致發光(EL)顯示裝置，該等有機EL元件利用其中向一有機薄膜施加一電場誘發發光之一現象)已被開發且正被商業化。
由於可用10V或更小之一所施加電壓來驅動有機EL元件，因此功率消耗低。另外，因自發射特性，有機EL元件不使用為液晶顯示裝置所必需之一光源(背光)。此外，因回應速度高達約數微妙，有機EL元件在移動影像之顯示期間不引起後像。
如在液晶顯示裝置中，有機EL顯示裝置可使用簡單的(被動)矩陣及主動矩陣驅動方案。近年來，包含具有主動元件(例如，絕緣閘極場效應電晶體(一般而言，薄膜電晶體(TFT)))之像素電路之主動矩陣顯示裝置之開發已極大地加速。
一般而言，眾所周知，有機EL元件之電流-電壓特性(I-V特性)隨時間而劣化(稱為隨時間劣化)。此外，因製造製程之變化，一驅動電晶體之一臨限電壓Vth或形成該驅動電晶體中之一通道之一半導體薄膜之遷移率μ(後文中稱為「驅動電晶體之遷移率μ」)隨時間而改變或每一像素不同。
因此，為將有機EL元件之發光照度維持在一恆定位準而不遭受以上影響，該等像素電路中之每一者經組態以具有用於補償有機EL元件之特性改變之一功能，且亦具有用於校正一驅動電晶體之臨限電壓Vth之改變(後文中稱為「臨限值校正」)及校正一驅動電晶體之遷移率μ之改變(後文中稱為「遷移率校正」)之校正功能(例如，參見日本未審查專利申請公開案第2006-133542號)。
然而，在相關技術之一像素電路中之電位設定中，一像素中之一驅動電晶體之閘極與陰極之間的一短路導致一有缺陷的像素不發光。另外，出現另一問題：在轉移之前的數個像素中之照度改變之一區域(後文中稱為一「照度改變區域」)被察覺為一線性缺陷。就可見度而言，不准許針對照度之一改變基於顯示區域中不發光像素之數目提供一標準。特定而言，對於照度之一增加，甚至不准許一個不發光像素。特定而言，若在顯示區域中照度增加，則存在察覺到一線性缺陷之一問題。
此外，在相關技術之一像素電路中，一儲存電容器與一輔助電容器係配置成彼此毗鄰，且連接至彼等電容器之佈線提供於相同層中。在製造製程期間因該相同層上之灰塵或類似物而存在該相同層中之佈線彼此短路之危險。佈線之間的一短路導致使其與該等佈線導電之驅動電晶體之閘極與有機EL元件之陰極之間的一短路。驅動電晶體之閘極與有機EL元件之陰極之間的一短路涉及以下問題：不照亮其中已出現短路之一有缺陷的像素且將沿轉移方向在前面的數個像素中之一照度改變區域察覺為一線性缺陷。就可見度而言，不准許針對照度之一改變基於顯示區域中不發光像素之數目提供一標準。特定而言，對於照度增加，甚至不准許一個不發光像素。特定而言，若在顯示區域中照度增加，則存在察覺到一線性缺陷之一問題。
因此期望，儘管在一像素內一驅動電晶體之閘極與一陰極彼此電短路，雖然一有缺陷的像素可能不被照亮，但亦不將一照度改變區域察覺為一線性缺陷。
亦期望防止在一驅動電晶體之閘極電極與一陰極電極之間出現一電短路，以使得因該短路可不將一不發光像素及一照度改變區域察覺為線性缺陷。
本發明之一實施例提供一種顯示裝置，該顯示裝置包含：一像素陣列單元，其具有配置成一矩陣之像素，每一像素具有包含一有機電致發光元件、一驅動電晶體、一寫入電晶體及一儲存電容器之一電路組態，其中該有機電致發光元件之一陽極電極係連接至該驅動電晶體之一源極電極，該驅動電晶體之一閘極電極係連接至該寫入電晶體之一源極電極或汲極電極，且該儲存電容器係連接於該驅動電晶體之該閘極與源極電極之間；掃描線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等像素之個別列且經組態以將一掃描信號供應至該等寫入電晶體之該等閘極電極；電源線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等像素之該等個別列且經組態以選擇性地將一第一電位及低於該第一電位之一第二電位供應至該等驅動電晶體之該等汲極電極；及信號線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等像素之個別行且經組態以選擇性地將一視訊信號及一視訊信號參考電位供應至該等寫入電晶體之該等汲極電極或源極電極。該視訊信號參考電位供應至該等信號線達一週期，在該週期期間該掃描信號在一先前列中之像素之驅動期間供應至該等掃描線，且當執行對一當前像素中之該驅動電晶體之臨限值校正時，該視訊信號參考電位與該有機電致發光元件之一陰極電極之一電位彼此相等。
本發明之實施例亦提供一種用於驅動該顯示裝置、用於設定該視訊信號參考電位及該有機電致發光元件之該陰極電極之一電位以便具有一相同電位值之方法。
本發明之實施例亦提供一種包含上述顯示裝置之電子設備，該顯示裝置係提供於該電子設備之一外殼中。
在本發明之實施例中，一視訊信號參考電位與一陰極電極之一電位經設定以具有一相同電位值，藉此即使在於一像素內在一驅動電晶體之閘極電極與一陰極電極之間出現一電短路之情形下，亦可使先前像素列中之像素之參考電位恆定。
本發明之另一實施例提供一種顯示裝置，該顯示裝置包含：一像素陣列單元，其具有配置成一矩陣之像素，每一像素具有包含一電光元件、一驅動電晶體、一寫入電晶體、一儲存電容器及一輔助電容器之一電路組態，其中該電光元件之一第一電極係連接至該驅動電晶體之一源極電極，該驅動電晶體之一閘極電極係連接至該寫入電晶體之一源極電極或汲極電極，該儲存電容器係連接於該驅動電晶體之該閘極與源極電極之間，且該輔助電容器係連接於該電光元件之該第一電極與該電光元件之一第二電極之間。該儲存電容器與該輔助電容器係配置成彼此毗鄰。該儲存電容器之使其與該驅動電晶體之該閘極電極導電之一佈線與該輔助電容器之使其與該電光元件之該第二電極導電之一佈線係提供於不同層中。
本發明之實施例亦提供一種包含上述顯示裝置之電子設備，該顯示裝置係提供於該電子設備之一外殼中。
在本發明之實施例中，一儲存電容器之使其與一驅動電晶體之閘極電極導電之一佈線與一輔助電容器之使其與一電光元件之一第二電極導電之一佈線係提供於不同層中。此可有效避免在該等佈線之間出現一短路。
一電光元件可係一有機EL元件，其具有充當一陽極電極之一第一電極及充當一陰極電極之一第二電極。提供於不同層中之佈線可係安置於一基板之一扁平表面及該基板上之一絕緣膜之一扁平表面上之主要佈線，且不包含提供於該等層之間的觸點及類似物。
根據本發明之一實施例，即使一驅動電晶體之閘極與陰極彼此電短路，雖然一有缺陷的像素可能不被照亮，但亦可防止一照度改變區域被察覺為一線性缺陷。
根據本發明之另一實施例，可有效地避免在一驅動電晶體之閘極電極與一電光元件之一第二電極之間出現一電短路。因此，雖然一有缺陷的像素可能不被照亮，但可防止一照度改變區域被察覺為一線性缺陷。
現在將闡述本發明之一實施例。本闡述將按如下次序給出：
1.　根據本實施例之顯示裝置(系統組態、像素電路及電路操作)
2.　由驅動電晶體之閘極與陰極之間的短路所引起的問題(等效電路及定時波形圖)
3.　根據本實施例之實例組態(像素電路、系統組態及驅動方法)
4.　應用實例(電子設備中之應用之各種實例)
5.　根據本實施例之實例組態(像素電路、系統組態、佈線結構及驅動方法)
1.　根據本實施例之顯示裝置 系統組態
圖1係示意性地顯示根據本實施例之一主動矩陣顯示裝置之組態之一系統組態圖。
現在將給出對一電流驅動型電光元件之一闡述，其發光照度根據在裝置(例如，其中以實例方式使用一有機EL元件作為一像素(像素電路)之一發光元件之一主動矩陣有機EL顯示裝置)中流動之一電流之一電流值而改變。
如圖1中所顯示，一有機EL顯示裝置100經組態以包含：一像素陣列單元102，其具有配置成一二維矩陣之像素(PXLC)101；及一驅動單元，其配置於像素陣列單元102周圍以驅動像素101。用於驅動像素101之該驅動單元包含(例如)一水平驅動電路103、一寫入掃描電路104及一供電掃描電路105。
像素陣列單元102具有掃描線WSL-1至WSL-m、電源線DSL-1至DSL-m及信號線DTL-1至DTL-n以用於m列n行像素陣列。掃描線WSL-1至WSL-m及電源線DSL-1至DSL-m經安置以用於個別列，且信號線DTL-1至DTL-n經安置以用於個別像素行。
像素陣列單元102通常界定於一透明絕緣基板(例如，一玻璃基板)上，且具有一平面(扁平)面板結構。像素陣列單元102中之像素101中之每一者皆可使用一非晶矽薄膜電晶體(TFT)或一低溫多晶矽TFT形成。在其中使用低溫多晶矽TFT之一情形下，亦可將水平驅動電路103、寫入掃描電路104及供電掃描電路105安裝於其上界定像素陣列單元102之顯示面板(基板)上。
寫入掃描電路104可係由一移位暫存器或其他適合裝置形成，該移位暫存器用於與一時鐘脈衝ck同步地依序移位(轉移)一開始脈衝sp。為將一視訊信號寫入像素陣列單元102中之像素101中，寫入掃描電路104依序將寫入脈衝(掃描信號)WS1至WSm供應至掃描線WSL-1至WSL-m。因此，按逐列次序掃描(線依序掃描)像素陣列單元102中之像素101。
供電掃描電路105可係由一移位暫存器或任一其他適合裝置形成，該移位暫存器用於與時鐘脈衝ck同步地依序移位開始脈衝sp。與由寫入掃描電路104執行之線依序掃描同步，供電掃描電路105選擇性地將電源線電位DS1至DSm(其等在一第一電位Vcc_H與低於該第一電位Vcc_H之一第二電位Vcc_L之間切換)供應至電源線DSL-1至DSL-m。因此，可控制像素101之發光/不發光。
水平驅動電路103適當地選擇對應於照度資訊之一視訊信號(其係自一信號供應源(未顯示)供應)之一信號電壓Vsig(後文中亦簡稱為一「信號電壓」)與一信號線參考電位Vo中之一者，且經由信號線DTL-1至DTL-n(例如)在一逐列基礎上將該選定者寫入像素陣列單元102中之像素101中。換言之，水平驅動電路103採用其中逐列(逐線)寫入一視訊信號之一信號電壓Vin之一線順序寫入驅動模式。
信號線參考電位Vo係視訊信號之信號電壓Vin基於其之一電壓(例如，對應於黑色位準之一電壓)。此外，第二電位Vcc_L設定為低於信號線參考電位Vo之一電位，舉例而言，低於一電位Vo-Vth(其中Vth指示一驅動電晶體之臨限電壓)之一電位，較佳地，足夠低於電位Vo-Vth之一電位。
像素電路
圖2係顯示像素(像素電路)101中之每一者之一具體實例組態之一電路圖。
如圖2中所顯示，像素101具有一電流驅動型電光元件，其發光照度根據在裝置(例如，作為一發光元件之一有機EL元件1D)中流動之一電流之一電流值而改變。像素101具有一像素組態，其除有機EL元件1D以外還包含一驅動電晶體1B、一寫入電晶體1A及一儲存電容器1C，亦即，具有兩個電晶體(Tr)及一個電容器(C)之一2Tr/1C像素組態。
在具有以上組態之像素101中，使用一N通道TFT來實施驅動電晶體1B及寫入電晶體1A中之每一者。然而，本文中所使用之電晶體(亦即，驅動電晶體1B及寫入電晶體1A)之導體組合僅係一實例，且可採用電晶體之任一其他組合。
有機EL元件1D具有連接至經共同安置以用於所有像素101之一共同電源線1H之一陰極電極。驅動電晶體1B具有連接至有機EL元件1D之一陽極電極之一源極電極及連接至電源線DSL(DSL-1至DSL-m)之一汲極電極。
寫入電晶體1A具有連接至掃描線WSL(WSL-1至WSL-m)之一閘極電極、連接至信號線DTL(DTL-1至DTL-n)之一個電極(源極電極或汲極電極)及連接至驅動電晶體1B之一閘極電極之另一電極(汲極電極或源極電極)。
儲存電容器1C具有連接至驅動電晶體1B之閘極電極之一個電極及連接至驅動電晶體1B之源極電極(有機EL元件1D之陽極電極)之另一電極。
在具有一2Tr/1C像素組態之像素101中，回應於經由掃描線WSL自寫入掃描電路104施加至閘極電極之一掃描信號WS使寫入電晶體1A變為一導電狀態。因此，對對應於照度資訊之視訊信號(其係經由信號線DTL自水平驅動電路103供應)之信號電壓Vin或信號線參考電位Vo進行取樣並將其寫入於像素101中。
將所寫入信號電壓Vin或信號線參考電位Vo施加至驅動電晶體1B之閘極電極，且亦將其儲存於儲存電容器1C中。當電源線DSL(DSL-1至DSL-m)之電位DS設定為第一電位Vcc_H時，自電源線DSL給驅動電晶體1B供應一電流且將對應於儲存於儲存電容器1C中之信號電壓Vin之電壓值的電流值之一驅動電流供應至有機EL元件1D以驅動有機EL元件1D發射光。
有機EL顯示裝置之電路操作
接下來，將參考圖3中所顯示之一定時波形圖及圖4A至圖6C中所顯示之操作解釋圖來闡述具有以上組態之有機EL顯示裝置100之電路操作。在圖4A至6C中所顯示之操作解釋圖中，為簡化圖解說明，由開關符號來表示寫入電晶體1A。由於有機EL元件1D具有一電容性組件，因此亦圖解說明一EL電容器1I。
圖3中所顯示之定時波形圖圖解說明掃描線WSL(WSL-1至WSL-m)之電位(寫入脈衝)WS之改變、電源線DSL(DSL-1至DSL-m)之電位DS(Vcc_H或Vcc_L)之改變及驅動電晶體1B之閘極電位Vg及源極電位Vs之改變。
(發光週期)
在圖3中所顯示之定時波形圖中，在時間t1之前，有機EL元件1D係處於一發光狀態中(發光週期)。在該發光週期中，電源線DSL之電位DS設定為第一電位Vcc_H且寫入電晶體1A係處於一不導電狀態中。
在此週期期間，驅動電晶體1B經設定以便在飽和區中操作。因此，如圖4A中所顯示，對應於驅動電晶體1B之一閘極-源極電壓Vgs的一驅動電流(汲極-源極電流)Ids係透過驅動電晶體1B自電源線DSL供應至有機EL元件1D。因此，有機EL元件1D以對應於驅動電流Ids之電流值之一照度發射光。
(臨限值校正準備週期)
線依序掃描之一新的場開始於時間t1處。如圖4B中所顯示，電源線DSL之電位DS自第一電位(後文中稱為一「高電位」)Vcc_H切換至足夠低於信號線DTL之信號線參考電位Vo-Vth之第二電位(後文中稱為一「低電位」)Vcc_L。
此處，有機EL元件1D具有一臨限電壓Vel且共同電源線1H具有一電位Vcath。若低電位Vcc_L滿足條件Vcc_L<Vel+Vcath，則驅動電晶體1B之源極電位Vs大致等於低電位Vcc_L。因此，有機EL元件1D進入反向偏壓狀態且光熄滅。
然後，如圖4C中所顯示，在時間t2處，掃描線WSL之電位WS自低電位側至高電位側之過渡使寫入電晶體1A變為導電狀態。此時，由於信號線參考電位Vo係自水平驅動電路103供應至信號線DTL，因此驅動電晶體1B之閘極電位Vg設定為信號線參考電位Vo。此外，驅動電晶體1B之源極電位Vs設定為足夠低於信號線參考電位Vo之電位Vcc_L。
此時，驅動電晶體1B之閘極-源極電壓Vgs設定為一電位Vo-Vcc_L。此處，必需建立電位關係Vo-Vcc_L>Vth，乃因除非電位Vo-Vcc_L大於驅動電晶體1B之臨限電壓Vth否則不執行下文所闡述之臨限值校正操作。因此，藉助驅動電晶體1B之固定(設定)為信號線參考電位Vo之閘極電位Vg及設定為低電位Vcc_L之源極電位Vs執行初始化之一操作係用於準備臨限值校正之一操作。
(第一臨限值校正週期)
然後，如圖4D中所顯示，在時間t3處，電源線DSL之電位DS自低電位Vcc_L切換至高電位Vcc_H。然後，驅動電晶體1B之源極電位Vs開始增加，且一第一臨限值校正週期開始。驅動電晶體1B之源極電位Vs在第一臨限值校正週期期間之增加允許驅動電晶體1B之閘極-源極電壓Vgs具有一預定電位Vx1。電位Vx1係儲存於儲存電容器1C中。
隨後，如圖5A中所顯示，在此水平週期(1H)之第二半週期隨其開始之時間t4處，視訊信號之信號電壓Vin自水平驅動電路103供應至信號線DTL，因此致使信號線DTL之電位自信號線參考電位Vo過渡至信號電壓Vin。在此週期期間，信號電壓Vin寫入於另一列中之像素中。
此時，為防止信號電壓Vin寫入於當前列中之像素中，掃描線WSL之電位WS自高電位側至低電位側之一過渡使寫入電晶體1A變為不導電狀態。因此，驅動電晶體1B之閘極電極係與信號線DTL分離且變得浮動。
當驅動電晶體1B之閘極電極浮動時，由於連接於驅動電晶體1B之閘極與源極之間的儲存電容器1C，若驅動電晶體1B之源極電位Vs改變，則驅動電晶體1B之閘極電位Vg亦根據(或跟隨)源極電位Vs之改變而改變。此稱為基於儲存電容器1C之一自舉操作。
即使在時間t4之後，驅動電晶體1B之源極電位Vs亦繼續增加且最終增加Va1(Vs=Vo-Vx1+Va1)。此時，因該自舉操作，驅動電晶體1B之閘極電位Vg亦根據源極電位Vs之增加而增加Va1(Vg=Vo+Va1)。
(第二臨限值校正週期)
在時間t5處，下一水平週期開始，且如圖5B中所顯示，掃描線WSL之電位WS自低電位側至高電位側之一過渡使寫入電晶體1A變為導電狀態。同時，信號線參考電位Vo代替信號電壓Vin自水平驅動電路103供應至信號線DTL，且一第二臨限值校正週期開始。
在該第二臨限值校正週期期間，由於使寫入電晶體1A變為導電狀態，因此寫入信號線參考電位Vo。因此，驅動電晶體1B之閘極電位Vg再次初始化為信號線參考電位Vo。此時，根據閘極電位Vg之下降，源極電位Vs亦減小。然後，驅動電晶體1B之源極電位Vs再次開始增加。
然後，驅動電晶體1B之源極電位Vs在第二臨限值校正週期期間之增加允許驅動電晶體1B之閘極-源極電壓Vgs具有一預定電位Vx2。電位Vx2係儲存於儲存電容器1C中。
隨後，如圖5C中所顯示，在此水平週期(1H)之第二半週期隨其開始之時間t6處，視訊信號之信號電壓Vin自水平驅動電路103供應至信號線DTL，因此致使信號線DTL之電位自偏移電壓Vo過渡至信號電壓Vin。在此週期期間，信號電壓Vin寫入於另一列(其中已執行先前寫入之列之後的列)中之像素中。
此時，為防止像素中之信號電壓Vin寫入於當前列中，掃描線WSL之電位WS自高電位側至低電位側之一過渡使寫入電晶體1A變為不導電狀態。因此，驅動電晶體1B之閘極電極係與信號線DTL分離且變得浮動。
即使在時間t6之後，驅動電晶體1B之源極電位Vs亦繼續增加且最終增加Va2(Vs=Vo-Vx1+Va2)。此時，因自舉操作，驅動電晶體1B之閘極電位Vg亦根據源極電位Vs之增加而增加Va2(Vg=Vo+Va2)。
(第三臨限值校正週期)
在時間t7處，下一水平週期開始，且如圖5D中所顯示，掃描線WSL之電位WS自低電位側至高電位側之一過渡使寫入電晶體1A變為導電狀態。同時，信號線參考電位Vo代替信號電壓Vin自水平驅動電路103供應至信號線DTL，且一第三臨限值校正週期開始。
在該第三臨限值校正週期期間，由於使寫入電晶體1A變為導電狀態，因此寫入信號線參考電位Vo。因此，驅動電晶體1B之閘極電位Vg再次初始化為信號線參考電位Vo。此時，根據閘極電位Vg之下降，源極電位Vs亦減小。然後，驅動電晶體1B之源極電位Vs再次開始增加。
驅動電晶體1B之源極電位Vs之增加允許驅動電晶體1B之閘極-源極電壓Vgs收斂至驅動電晶體1B之臨限電壓Vth。因此，對應於臨限電壓Vth之電壓係儲存於儲存電容器1C中。
如上文所闡述執行三次之臨限值校正操作允許偵測像素中之每一者之驅動電晶體1B之臨限電壓Vth及將對應於臨限電壓Vth之電壓儲存於儲存電容器1C中。為在三個臨限值校正週期期間致使一電流流入儲存電容器1C中時防止一電流流入有機EL元件1D中，設定共同電源線1H之電位Vcath從而可使有機EL元件1D處於一切斷狀態中。
(信號寫入週期＆遷移率校正週期)
然後，如圖6A中所顯示，在時間t8處，掃描線WSL之電位WS至低電位側之一過渡使寫入電晶體1A變為不導電狀態。同時，信號線DTL之電位自偏移電壓Vo切換至視訊信號之信號電壓Vin。
由於使寫入電晶體1A變為不導電狀態，因此驅動電晶體1B之閘極電極變得浮動。然而，閘極-源極電壓Vgs等於驅動電晶體1B之臨限電壓Vth且因此使驅動電晶體1B處於一切斷狀態中。因此，汲極-源極電流Ids不在驅動電晶體1B中流動。
隨後，如圖6B中所顯示，在時間t9處，掃描線WSL之電位WS至高電位側之一過渡使寫入電晶體1A變為導電狀態。因此，對視訊信號之信號電壓Vin進行取樣並將其寫入於像素101中。信號電壓Vin藉由寫入電晶體1A之寫入允許驅動電晶體1B之閘極電位Vg增加信號電壓Vin。
然後，當藉由視訊信號之信號電壓Vin驅動驅動電晶體1B時，使驅動電晶體1B之臨限電壓Vth與對應於儲存於儲存電容器1C中之臨限電壓Vth之電壓相抵消，藉此執行臨限值校正。下文將闡述臨限值校正之一原理。
此時，由於有機EL元件1D最初處於切斷狀態(高阻抗狀態)中，因此根據視訊信號之信號電壓Vin自電源線DSL流入驅動電晶體1B中之電流(汲極-源極電流Ids)流入有機EL元件1D之EL電容器1I中。因此，開始EL電容器1I之充電。
因EL電容器1I之充電，驅動電晶體1B之源極電位Vs隨時間增加。由於此時驅動電晶體1B之臨限電壓Vth之變化已經校正(臨限值校正)，因此驅動電晶體1B中之汲極-源極電流Ids相依於驅動電晶體1B之遷移率μ。
然後，當驅動電晶體1B之源極電位Vs增加達到一電位Vo-Vth+ΔV時，驅動電晶體1B之閘極-源極電壓Vgs係由Vin+Vth-ΔV給出。亦即，自儲存於儲存電容器1C中之電壓減去源極電位Vs之增加量ΔV(Vin+Vth-ΔV)，換言之，放電儲存電容器1C中之電荷。因此，施加一負回饋。因此，源極電位Vs之增加量ΔV表示負回饋的量。
因此，流入驅動電晶體1B之汲極-源極電流Ids係輸入至驅動電晶體1B之閘極，亦即，汲極-源極電流Ids係負回饋至閘極-源極電壓Vgs，藉此消除驅動電晶體1B之汲極-源極電流Ids對遷移率μ之相依性。亦即，執行用於校正每一像素之校正遷移率μ之變化的遷移率校正。
更具體而言，視訊信號之信號電壓Vin越高，汲極-源極電流Ids越大，且因此負回饋量(校正量)ΔV之絕對值越大。因此，可根據發光照度位準來執行遷移率校正。當視訊信號之信號電壓Vin保持恆定時，驅動電晶體1B之遷移率μ越高，負回饋量ΔV之絕對值越大。因此，可消除每一像素之遷移率μ之變化。下文將闡述遷移率校正之一原理。
(發光週期)
然後，如圖6C中所顯示，在時間t10處，掃描線WSL之電位WS至低電位側之一過渡使寫入電晶體1A變為不導電狀態。因此，驅動電晶體1B之閘極電極係與信號線DTL分離且變得浮動。
驅動電晶體1B之閘極電極變得浮動，且同時驅動電晶體1B中之汲極-源極電流Ids開始流入有機EL元件1D中。因此，有機EL元件1D之陽極電位根據驅動電晶體1B中之汲極-源極電流Ids增加。
有機EL元件1D之陽極電位之增加等效於驅動電晶體1B之源極電位Vs之增加。當驅動電晶體1B之源極電位Vs增加時，驅動電晶體1B之閘極電位Vg亦因儲存電容器1C之自舉操作而根據其增加。
此時，若假定自舉增益係1(理想值)，則閘極電位Vg之增加量等於源極電位Vs之增加量。因此，驅動電晶體1B之閘極-源極電壓Vgs在發光週期期間保持於由Vin+Vth-ΔV給出之一恆定值。然後，在時間t11處，信號線DTL之電位係自視訊信號之信號電壓Vin切換至信號線參考電位Vo。
如自上文所闡述之操作可理解，在本實例中，針對總共3H週期提供臨限值校正週期，亦即，在其期間執行信號寫入及遷移率校正之一1H週期及1H週期前面的2H週期。因此，可確保一足夠時間週期作為臨限值校正週期。此確保可偵測驅動電晶體1B之臨限電壓Vth且可將其儲存於儲存電容器1C中，且亦確保可可靠地執行臨限值校正操作。
雖然針對3H週期提供臨限值校正週期，但此僅係一實例。若可於在其期間執行信號寫入及遷移率校正之一1H週期內確保一足夠長度之臨限值校正週期，則無需針對先前水平週期設定一臨限值校正週期。相反，若1H週期之長度因經改良之解析度而短且即使針對3H週期提供之臨限值校正週期不足夠，則亦可針對4H週期或更多週期設定臨限值校正週期。
2.　由驅動電晶體之閘極與陰極之間的短路所引起的問題 等效電路
圖7A顯示圖2中所顯示之其中驅動電晶體1B之閘極g與陰極1H彼此電短路之像素電路之一等效電路。在此操作定時處，以實例方式，如圖4D、5B及5D中所顯示，寫入視訊信號參考電位Vo。
以此方式，驅動電晶體1B之閘極g與陰極1H之間的用導線連接以具有一低阻抗之一電短路在寫入電晶體1A接通時引起視訊信號線DTL、驅動電晶體1B之閘極g與一陰極1H之間的導電。因此，供應至視訊信號線DTL之視訊信號參考電位Vo被拉至陰極電位Vcath。
圖7B係顯示其中已出現圖7A中所顯示之缺陷之一顯示狀態之一示意圖。不照亮一有缺陷的像素，亦即，如圖7A中所顯示，其中驅動電晶體1B之閘極g與陰極1H彼此電短路之一像素。此外，沿轉移方向在前面的數個像素形成一照度改變區域。該照度改變區域相依於轉移方向，且始終出現於沿轉移方向在前面的側上。
定時波形圖
圖8係當已出現圖7A中所顯示之缺陷時之一定時波形圖。此外，在圖7A中，以實例方式，關係Vo>Vcath成立。在圖8中所顯示之定時波形圖中，與像素Vn-6至Vn+2相關聯地表示具有掃描線數目之掃描線之定時，且像素Vn係一有缺陷的像素。使用DTL來表示視訊信號電位之改變。在圖8中，週期(A)至(L)中之每一者對應於一個水平週期(1H)。
如圖7A中所顯示，若驅動電晶體1B之閘極g與陰極1H彼此電短路，則在圖8中所顯示之週期(F)至(J)中出現一問題。在彼等週期內，於對應於有缺陷的像素Vn之掃描線WSL至高電位側之一過渡之時間，供應至視訊信號線DTL之電位被拉至陰極電位Vcath。
因此，在像素Vn-4至Vn-1中之每一者中，直接在對視訊信號電位之取樣之前的視訊信號參考電位Vo被拉至陰極電位Vcath。因此，驅動電晶體1B之閘極g之輸入信號具有由Vin'=Vsig-Vcath而非Vin=Vsig-Vo給出之一振幅。
在圖8中，由於Vo>Vcath成立，因此具有比基於視訊信號參考電位Vo之振幅較高之一振幅的一信號係等效地寫入於像素Vn-4至Vn-1中之每一者中。此導致像素Vn-4至Vn-1中增加之照度位準。因此，在有缺陷的像素前面的數個像素中照度增加，其被察覺為一線性照度增加區域。在有缺陷的像素Vn中，視訊信號電位Vsig亦被拉至陰極電位Vcath，從而導致自其不發光。
3.　根據本實施例之實例組態 像素電路
圖9A係圖解說明根據本實施例之一像素電位之設定之一實例之一電路圖。該像素電路包含一有機EL元件1D、一驅動電晶體1B、一寫入電晶體1A及一儲存電容器1C。
具體而言，有機EL元件1D之一陽極電極係連接至驅動電晶體1B之一源極電極，且驅動電晶體1B之一閘極電極係連接至寫入電晶體1A之一源極電極或汲極電極。儲存電容器1C係進一步連接於驅動電晶體1B之閘極與源極電極之間。
信號線DTL係連接至寫入電晶體1A之汲極電極或源極電極。寫入電晶體1A之一閘極電極係連接至一掃描線(未顯示)，且給出一預定定時。一電源線DSL係連接至驅動電晶體1B之汲極電極。
在像素電路之以上組態中，在本實施例中，施加至信號線DTL之視訊信號參考電位Vo與有機EL元件1D之一陰極電極之電位(陰極電位)Vcath具有一相同電位(亦即，一電位Va)。因此，即使在圖8中所顯示之週期(F)至(J)內，視訊信號參考電位Vo亦不被拉至高於或低於電位Va之一電位。此可防止跨越前面的像素出現一照度改變區域。
注意，視訊信號參考電位Vo及陰極電位Vcath不相對於其他驅動電位設定為所期望值，且滿足例如圖3中所顯示之臨限值校正操作之驅動條件。為將視訊信號參考電位Vo及陰極電位Vcath設定為相同電位值，除調整視訊信號參考電位Vo從而等於陰極電位Vcath以外，亦可調整陰極電位Vcath從而等於視訊信號參考電位Vo。另一選擇為，可調整視訊信號參考電位Vo及陰極電位Vcath從而等於其他恆定電位。較佳地，電位Va設定為現有設定電位Vo或Vcath，藉此滿足圖3中所顯示之驅動條件。
系統組態
圖10係顯示本實施例之一實例之一系統組態圖。如圖10中所顯示，一有機EL顯示裝置100經組態以包含：一像素陣列單元102，其具有配置成一二維矩陣之像素(PXLC)101；及一驅動單元，其配置於像素陣列單元102周圍以驅動像素101。用於驅動像素101之該驅動單元包含(例如)一水平驅動電路103、一寫入掃描電路104及一供電掃描電路105。
像素陣列單元102具有掃描線WSL-1至WSL-m、電源線DSL-1至DSL-m及信號線DTL-1至DTL-n以用於m列n行像素陣列。掃描線WSL-1至WSL-m及電源線DSL-1至DSL-m經安置以用於個別列，且信號線DTL-1至DTL-n經安置以用於個別像素行。以上組態係與圖1中所顯示之系統組態相同。
在本實施例中，自信號線DTL-1至DTL-n施加至像素101之一視訊信號參考電位Vo與像素101中之每一者中之有機EL元件之陰極電極之電位(陰極電位)設定為相同電位Va。
陰極電位作為一共同電位供應至個別像素101之有機EL元件。因此，電位Va供應至一共同佈線COM，使該共同佈線COM與個別像素101中之有機EL元件之陰極電極導電。
自信號線DTL-1至DTL-n施加之視訊信號參考電位Vo亦設定為電位Va。水平驅動電路103選擇性地將一信號電位Vin及視訊信號參考電位Vo供應至信號線DTL-1至DTL-n。因此，水平驅動電路103執行控制以便在選擇視訊信號參考電位Vo時供應電位Va。
因此，一視訊信號參考電位供應至一信號線達一週期，在該週期期間一掃描信號在先前像素列之驅動期間供應至一掃描線，因此防止視訊信號參考電位被拉至高於或低於電位Va之一電位達一週期，在該週期期間對當前像素中之一驅動電晶體執行臨限值校正。亦即，即使當一驅動電晶體之一閘極與一有機EL元件之一陰極彼此電短路時，亦可防止跨越前面的像素出現一照度改變區域。
驅動方法
圖11係圖解說明根據本實施例之用於驅動一顯示裝置之一方法之一定時波形圖。圖11中所顯示之定時波形圖類似於圖3中所顯示之定時波形圖之處在於重複一發光週期、臨限值校正週期及一取樣週期＆遷移率校正週期，而不同之處在於供應至一信號線之一視訊信號參考電位係設定為電位Va，其與陰極電位相同。
視訊信號線電位(DTL)選擇性地在視訊信號Vin與視訊信號參考電位Va之間切換。視訊信號參考電位係設定為電位Va，藉此在臨限值校正週期內將驅動電晶體之閘極電位(Vg)設定為電位Va。由於所有像素皆係基於相同電位Va，因此可維持照度一致性。
圖12係當已因驅動電晶體1B之閘極g與陰極1H之間的一電短路而在根據本實施例之圖9A中所顯示之像素組態中引起一缺陷時之一定時波形圖。在圖12中所顯示之定時波形圖中，與像素Vn-6至Vn+2相關聯地表示具有掃描線數目之掃描線之定時，且像素Vn係一有缺陷的像素。使用DTL來表示視訊信號電位之改變。在圖12中，週期(A)至(L)中之每一者皆對應於一個水平週期(1H)。
如圖9A中所顯示，若驅動電晶體1B之閘極g與陰極1H彼此電短路，則一現有組態可在圖12中所顯示之週期(F)至(J)中引起一問題。亦即，在彼等週期內，在對應於有缺陷的像素Vn之掃描線WSL至高電位側之一過渡之時間，供應至視訊信號線DTL之電位被拉至陰極電位Vcath(參見由圖12中所顯示之虛線所指示之部分)。
在本實施例之組態中，相反，施加至視訊信號線DTL之視訊信號參考電位Vo係等於電位Va，且陰極電位Vcath係等於電位Va。亦即，執行控制以使得視訊信號參考電位Vo與陰極電位Vcath係設定為相同電位Va。
因此，在像素Vn-4至Vn-1中之每一者中，直接在對視訊信號電位之取樣之前的視訊信號參考電位Vo係等於電位Va，因此提供與其他像素之準則相同的準則。因此，驅動電晶體1B之閘極g之輸入信號具有由Vin=Vsig-Va給出之一振幅，從而不導致在有缺陷的像素Vn前面的數個像素之照度增加。
在上文所闡述之實施例中，已以實例方式闡述了對包含有機EL元件作為像素101之電光元件之一有機EL顯示裝置之應用。然而，本發明之實施例並不限於此應用實例，且可應用於包含一電流驅動型電光元件(發光元件)之任一顯示裝置，該電流驅動型電光元件之發光照度根據在該裝置中流動之一電流之電流值而改變。
此外，像素101每一者具有以實例方式包含兩個電晶體(Tr)及一個電容器(C)之一2Tr/1C像素組態。然而，本發明之實施例並不限於此，且可應用於任一其他像素組態，例如包含四個電晶體(Tr)及一個電容器(C)之一4Tr/1C像素組態。
4.　應用實例
根據上文所闡述之本實施例之顯示裝置可應用於圖13至17G中以實例方式所顯示之各種電子設備中。該顯示裝置可應用於任一領域中之電子設備中所使用之顯示裝置，其經組態以使得一電子設備之一視訊信號輸入或一電子設備中所產生之一視訊信號可顯示為一影像或視訊，例如一數位相機、一筆記本大小的個人電腦、一行動終端裝置(例如一行動電話)及一視訊相機。
使用根據本實施例之顯示裝置作為任一領域中之電子設備中之一顯示裝置可提供一所顯示影像之經改良品質。因此，有利地，各種電子設備皆允許影像之高品質顯示。
根據本實施例之顯示裝置亦可包含具有一密封組態之一模組。舉例而言，可形成一顯示模組以便附接至玻璃或類似物之面向像素陣列單元102之一透明面向部分。該透明面向部分可具有一濾色器、一保護性膜及類似物，且亦可具有一光屏蔽膜。該顯示模組可具有經組態以自外部輸入一信號或類似物或將一信號或類似物輸出至一像素陣列單元之一電路單元、一撓性印刷電路(FPC)及類似物。
下文將闡述其中可應用本實施例之顯示裝置之電子設備之具體實例。
圖13係顯示根據本實施例之一應用實例之一電視機之外觀之一透視圖。根據該應用實例之電視機包含一視訊顯示螢幕單元107，其具有一前部面板108、一濾光玻璃109及類似物。可藉由使用根據本實施例之顯示裝置來實施視訊顯示螢幕單元107。
圖14A及14B係顯示根據本實施例之另一應用實例之一數位相機之外觀且分別顯示該數位相機之前部及後部之透視圖。根據本應用實例之數位相機包含用於發射閃光之一發光單元111、一顯示單元112、一選單開關113、一快門按鈕114。可藉由使用根據本實施例之顯示裝置來實施顯示單元112。
圖15係顯示根據本實施例之一應用實例之一筆記本大小的個人電腦之外觀之一透視圖。根據本應用實例之筆記本大小的個人電腦具有：一主體121，其包含經操作以輸入字符或類似物之一鍵盤122；及一顯示單元123，其用於顯示一影像。可藉由使用根據本實施例之顯示裝置來實施顯示單元123。
圖16係顯示根據本實施例之一應用實例之一視訊相機之外觀之一透視圖。根據本應用實例之視訊相機包含：一主單元131；一透鏡132，其安置於該視訊相機之一側表面上以便朝向前部定向且經組態以拍攝一對象；一開始/停止開關133，其經操作以用於拍攝；及一顯示單元134。可藉由使用根據本實施例之顯示裝置來實施顯示單元134。
圖17A至17G係顯示根據本實施例之一應用實例之一行動終端裝置(例如，一行動電話)之外部視圖。圖17A及17B分別係處於其打開狀態中之該行動電話之一前視圖及一側視圖。圖17C、17D、17E、17F及17G分別係處於其閉合狀態中之該行動電話之一前視圖、一左側視圖、一右側視圖、一俯視圖及一仰視圖。根據本應用實例之行動電話包含一上部外殼141、一下部外殼142、一連接部分(此處，一鉸鏈部分)143、一顯示器144、一子顯示器145、一畫面燈146及一相機147。可藉由使用根據本實施例之顯示裝置來實施顯示器144或子顯示器145。
現在將給出本發明之實施例之用於避免一驅動電晶體之一閘極電極與一電光元件之一第二電極之間的一電短路之其他特徵之一闡述。
圖18A至18C係圖解說明一像素之一佈線結構之圖示。圖18A係該像素之一平面圖，且圖18B及18C係沿圖18A之線XVIIIB-XVIIIB與XVIIIC-XVIIIC所截取之橫截面圖。如在圖18A中所顯示之一圖案佈局中，一儲存電容器1C與一輔助電容器1J大致經配置以使得(就藉此所佔據之區域及圖案佈局效率而言)儲存電容器1C之至少一個側與輔助電容器1J之至少一個側彼此毗鄰。
如圖18B之橫截面圖中所顯示，儲存電容器1C與輔助電容器1J經配置以使得第一電極D1在一玻璃基板上彼此毗鄰且第二電極藉助該等第一電極D1與該等第二電極之間的一閘極絕緣膜M1整體地形成於一多晶矽電極p-Si中。當使用一低溫多晶矽製程來形成一多晶矽電極p-Si時，儲存電容器1C與輔助電容器1J係由平行扁平板以將第一電極D1形成為第一金屬佈線且將第二電極形成為一多晶矽電極p-Si之此一方式形成。
在圖18C中，為圖解說明圖18B中所顯示之佈線佈局與充當圖7A所顯示之儲存電容器1C及輔助電容器1J之上部電極及下部電極之間的關係，圖18C中之圓括號中之編號表示圖7A中所顯示之電極之參考編號。充當儲存電容器1C之第一電極D1(g)之第一金屬佈線係連接至驅動電晶體1B之閘極g，且充當第二電極之多晶矽電極p-Si(s)係連接至驅動電晶體1B之源極s。此外，充當輔助電容器1J之第一電極D1(1H)之第一金屬佈線係連接至有機EL元件1D之陰極1H，且充當第二電極之多晶矽電極p-Si(s)係連接至驅動電晶體1B之源極s。
然而，在低溫多晶矽製程中，由於難以極好地避免因在製造製程期間所產生之灰塵或類似物而出現圖案缺陷，因此亦可採用TFT製造製程中之雷射修復技術。特定而言，因相同層中之佈線中之一圖案缺陷導致的一短路以顯著高於中間層佈線中之一短路之速率的一速率出現。
亦即，在圖18A至18C中，儲存電容器1C與輔助電容器1J之第一電極D1係彼此毗鄰地提供於相同層(第一金屬佈線)中。因此，灰塵或類似物很可能在製造製程中附接至佈線，從而導致其間出現一短路之一危險。佈線之間的短路對應於圖7A中所顯示之驅動電晶體1B之閘極g與有機EL元件1D之陰極(驅動電晶體1B之源極s)之間的一短路，且可引起一有缺陷的像素及在轉移方向前面的像素的照度之一改變。
5.　根據本實施例之實例組態 像素電路
圖9B係圖解說明一像素電位之設定之一電路圖。該像素電路包含一有機EL元件1D、一驅動電晶體1B、一寫入電晶體1A及一儲存電容器1C。
具體而言，有機EL元件1D之一陽極電極係連接至驅動電晶體1B之一源極電極，且驅動電晶體1B之一閘極電極係連接至寫入電晶體1A之一源極電極或汲極電極。儲存電容器1C係進一步連接於驅動電晶體1B之閘極與源極電極之間。另外，一輔助電容器1J係連接於有機EL元件1D之陽極(第一電極)與陰極(第二電極)之間。
信號線DTL係連接至寫入電晶體1A之汲極電極或源極電極。寫入電晶體1A之一閘極電極係連接至一掃描線(未顯示)，且給出一預定定時。一電源線DSL係連接至驅動電晶體1B之汲極電極。
在像素電路之以上組態中，在本實施例中，儲存電容器1C與輔助電容器1J係配置成彼此毗鄰，且儲存電容器1C之佈線(使其與驅動電晶體1B之閘極電極導電)與輔助電容器1J之佈線(使其與有機EL元件1D之陰極電極導電)係提供於不同層中，此構成一特徵。
此外，在本實施例中，在像素電路之以上組態中，儲存電容器1C之佈線(使其與驅動電晶體1B之源極電極導電)與輔助電容器1J之佈線(使其與有機EL元件1D之陽極電極導電)係提供於不同層中。
因此，由於儲存電容器1C之佈線(使其與驅動電晶體1B之閘極電極導電)與輔助電容器1J之佈線(使其與有機EL元件1D之陰極電極導電)係提供於不同層中，因此與其中其等提供於相同層中之情形相比較可更有效地避免在該等佈線之間出現一短路。
本文中，以上佈線係主要佈線，其等係安置於一基板之一扁平表面及該基板上之一絕緣膜上之一扁平表面上，且不包含提供於層之間的觸點及類似物。在本實施例中，以上佈線中之一者係由一第一金屬佈線形成且另一者係由多晶矽形成，其係相對於該第一金屬佈線藉助其間之一閘極絕緣膜形成。
系統組態
圖10係顯示本實施例之一實例之一系統組態圖。如圖10中所顯示，一有機EL顯示裝置100經組態以包含：一像素陣列單元102，其具有配置成一二維矩陣之像素(PXLC)101；及一驅動單元，其配置於像素陣列單元102周圍以驅動像素101。用於驅動像素101之該驅動單元包含(例如)一水平驅動電路103、一寫入掃描電路104及一供電掃描電路105。
像素陣列單元102具有掃描線WSL-1至WSL-m、電源線DSL-1至DSL-m及信號線DTL-1至DTL-n以用於m列n行像素陣列。掃描線WSL-1至WSL-m及電源線DSL-1至DSL-m係經安置以用於個別列，且信號線DTL-1至DTL-n經安置以用於個別像素行。以上組態係與圖1中所顯示之系統組態相同。
佈線結構
圖19A至20係圖解說明根據本實施例之一實例佈線結構之圖示。圖19A係一平面圖，且圖19B及19C係分別沿圖19A之線XIXB-XIXB與XIXC-XIXC所截取之橫截面圖。圖20係沿圖19A之線XX-XX所截取之一橫截面圖。如在圖19A中所顯示之一圖案佈局中，儲存電容器1C與輔助電容器1J經配置以使得(就藉此所佔據之區域及圖案佈局效率而言)儲存電容器1C之至少一個側與輔助電容器1J之至少一個側彼此毗鄰。
儲存電容器1C係形成為具有一第一電極D1及充當一第二電極之一多晶矽電極p-Si之一平行扁平板，且輔助電容器1J係形成為具有一第一電極D1及充當一第二電極之一多晶矽電極p-Si'之一平行扁平板。因此，在本實施例中，藉由使用分離多晶矽電極代替一積體電極來實施儲存電容器1C及輔助電容器1J之第二電極。
此外，儲存電容器1C之電極(使其與驅動電晶體1B之閘極g導電)與輔助電容器1J之電極(使其與有機EL元件1D之陰極1H導電)係提供於不同佈線層中。亦即，儲存電容器1C之電極(使其與驅動電晶體1B之閘極g導電)與輔助電容器1J之電極(使其與有機EL元件1D之陰極1H導電)中之一者係界定於一第一金屬佈線層中，且另一者係界定於一多晶矽電極p-Si層中。
圖19B及19C顯示佈線之具體實例。在該等圖中，圓括號中之編號對應於圖9B中所顯示之電極之編號。
首先，在圖19B中所顯示之具體實例中，儲存電容器1C經組態以使得充當第一金屬佈線之第一電極D1(g)係連接至驅動電晶體1B之閘極g且充當第二電極之多晶矽電極p-Si(s)係連接至驅動電晶體1B之源極s。輔助電容器1J經組態以使得充當第一金屬佈線之第一電極D1(s)係連接至驅動電晶體1B之源極s且充當第二電極之多晶矽電極p-Si'(1H)係連接至有機EL元件1D之陰極1H。
因此，儲存電容器1C之電極D1(g)(使其與驅動電晶體1B之閘極g導電)與輔助電容器1J之電極(多晶矽電極p-Si'(1H)，使其與有機EL元件1D之陰極1H導電)係提供於不同佈線層中。由於此等佈線不在相同層中，因此可實現其中較不可能因在製造製程期間所產生之灰塵或類似物而出現一短路之一結構。
此外，在以上佈線結構中，儲存電容器1C與輔助電容器1J之第二電極亦係提供於不同佈線層中。由於該等層係藉助對角地固持於其間之一絕緣層而定位，因此與其中第二電極係提供於相同層中之情形相比較可顯著減少一圖案短路之危險。
接下來，在圖19C中所顯示之具體實例中，儲存電容器1C經組態以使得充當第一金屬佈線之第一電極D1(s)係連接至驅動電晶體1B之源極s且充當第二電極之多晶矽電極p-Si(g)係連接至驅動電晶體1B之閘極g。輔助電容器1J經組態以使得充當第一金屬佈線之第一電極D1(1H)係連接至有機EL元件1D之陰極1H且充當第二電極之多晶矽電極p-Si'(s)係連接至驅動電晶體1B之源極s。換言之，圖19C中所顯示之佈線結構具有與圖19B中所顯示之各別電容器之電極之佈線之間的連接關係相反之一連接關係。
因此，儲存電容器1C之電極D1(g)(使其與驅動電晶體1B之閘極g導電)與輔助電容器1J之電極(多晶矽電極p-Si'(1H)，使其與有機EL元件1D之陰極1H導電)係提供於不同佈線層中。由於此等佈線不在相同層中，因此可實現其中較不可能因在製造製程期間所產生之灰塵或類似物而出現一短路之一結構。
此外，在以上佈線結構中，儲存電容器1C與輔助電容器1J之第二電極亦係提供於不同佈線層中。由於該等層係藉助對角地固持於其間之一絕緣層而定位，因此與其中第二電極係提供於相同層中之情形相比可顯著減少一圖案短路之危險。
圖20係沿圖19A之線XX-XX所截取之一橫截面圖。在圖20中，圖解說明圖19B中所顯示之電極之間的佈線關係。如較早所闡述，儲存電容器1C之電極(多晶矽電極p-Si(s)，使其與驅動電晶體1B之源極s導電)與輔助電容器1J之電極D1(s)(使其與有機EL元件1D之陽極(亦即，驅動電晶體1B之源極s)導電)係提供於不同佈線層中。然而，期望使各別電極彼此導電，乃因該等電極表示同一節點。
因此，如在圖20中所顯示，延伸穿過中間層絕緣膜M1及M2之一接觸孔CH1係連接至輔助電容器1J之電極D1(s)，且延伸穿過中間層絕緣膜M2之一接觸孔CH2係連接至儲存電容器1C之電極(多晶矽電極p-Si(s))。使用一第二金屬佈線D2來使接觸孔CH1與接觸孔CH2彼此導電。
具有與圖20中所顯示之儲存電容器1C及輔助電容器1J之電極之間的連接關係相反之一連接關係的一類似結構可應用於圖19C中所顯示之電極之間的佈線關係。
驅動方法
圖11係圖解說明根據本實施例之用於驅動一顯示裝置之一方法之一定時波形圖。圖11中所顯示之定時波形圖類似於圖3中所顯示之定時波形圖之處在於重複一發光週期、臨限值校正週期及一取樣週期＆遷移率校正週期。
在根據上文所闡述之本實施例之像素佈局(佈線結構)中，雖然儲存電容器1C與輔助電容器1J彼此毗鄰，但在驅動電晶體1B之閘極g與有機EL元件1D之陰極1H之間較不可能出現一短路，因此減少出現一有缺陷的像素。因此，執行上文所闡述之驅動方法以防止出現圖8中所顯示之不能發射光之之一有缺陷的像素以使得視訊信號線DTL之電位在圖8中所顯示之週期(F)至(J)期間不被拉至陰極電位Vcath或不產生其照度增加之像素。
在上文所闡述之實施例中，已以實例方式闡述了對包含有機EL元件作為像素101之電光元件之一有機EL顯示裝置之應用。然而，本發明之實施例並不限於此應用實例，且可應用於包含一電流驅動型電光元件(發光元件)之任一顯示裝置，該電流驅動型電光元件之發光照度根據在裝置中流動之一電流之電流值而改變。
此外，像素101每一者具有以實例方式包含兩個電晶體(Tr)及一個電容器(C)之一2Tr/1C像素組態。然而，本發明之實施例並不限於此，且可應用於任一其他像素組態，例如包含四個電晶體(Tr)及一個電容器(C)之一4Tr/1C像素組態。
本申請案含有與2008年12月11日在日本專利局提出申請之日本優先權專利申請案JP 2008-315467及2008年12月12日在日本專利局提出申請之2008-316551中所揭示之標的物相關之標的物，該等申請案之全部內容藉此以引用方式併入本文中。
熟習此項技術者應理解，可端視設計要求及其他因素而作出各種修改、組合、子組合及變更，只要其等係在隨附申請專利範圍及其等效內容之範疇內。
1A．．．寫入電晶體
1B．．．驅動電晶體
1C．．．儲存電容器
1D．．．有機EL元件
1H．．．共同電源線
1I．．．EL電容器
1J．．．輔助電容器
100．．．有機EL顯示裝置
101．．．像素
102．．．像素陣列單元
103．．．水平驅動電路
104．．．寫入掃描電路
105．．．供電掃描電路
107．．．視訊顯示螢幕單元
108．．．前部面板
109．．．濾光玻璃
111．．．發光單元
112．．．顯示單元
113．．．選單開關
114．．．快門按鈕
121．．．主體
122．．．鍵盤
123．．．顯示單元
131．．．主單元
132．．．透鏡
133．．．開始/停止開關
134．．．顯示單元
141．．．上部外殼
142．．．下部外殼
143．．．連接部分
144．．．顯示器
145．．．子顯示器
146．．．鏡畫燈
147．．．相機
CH1．．．接觸孔
CH2．．．接觸孔
ck．．．時鐘脈衝
COM．．．共同佈線
D1．．．第一電極
D2．．．第二金屬佈線
DS．．．電源線電位
DSL．．．電源線
DTL．．．信號線
g．．．閘極
Ids．．．汲極-源極電流
M1．．．中間層絕緣膜
M2．．．中間層絕緣膜
p-Si．．．多晶矽電極
p-Si'．．．多晶矽電極
s．．．源極
sp．．．開始脈衝
Va．．．電位
Vo．．．視訊信號參考電位
WS．．．寫入脈衝
WSL．．．掃描線
圖1係示意性地顯示根據本發明之一實施例之一主動矩陣有機EL顯示裝置之組態之一系統組態圖；
圖2係顯示一像素(像素電路)之一具體實例組態之一電路圖；
圖3係圖解說明根據本發明之實施例之主動矩陣有機EL顯示裝置之操作之一定時波形圖；
圖4A至4D係圖解說明根據本發明之實施例之主動矩陣有機EL顯示裝置之電路操作之圖示(第一部分)；
圖5A至5D係圖解說明根據本發明之實施例之主動矩陣有機EL顯示裝置之電路操作之圖示(第二部分)；
圖6A至6C係圖解說明根據本發明之實施例之主動矩陣有機EL顯示裝置之電路操作之圖示(第三部分)；
圖7A及7B係圖解說明一驅動電晶體上之一短路之效應之圖示；
圖8係當已出現一缺陷時之一定時波形圖；
圖9A及9B係圖解說明根據本實施例之一像素電位之設定之一實例之電路圖；
圖10係顯示根據本實施例之一顯示裝置之一實例之一系統組態圖；
圖11係圖解說明根據本實施例之用於驅動一顯示裝置之一方法之一定時波形圖；
圖12係當一缺陷已出現於根據本實施例之像素組態中時之一定時波形圖；
圖13係顯示根據本實施例之一應用實例之一電視機之外觀之一透視圖；
圖14A及14B係顯示根據本實施例之另一應用實例之一數位相機之外觀且分別顯示該數位相機之前部與後部之透視圖；
圖15係顯示根據本實施例之另一應用實例之一筆記本大小的個人電腦之外觀之一透視圖；
圖16係顯示根據本實施例之另一應用實例之一視訊相機之外觀之一透視圖；
圖17A至17G係顯示根據本實施例之另一應用實例之一行動電話之外部視圖，其中圖17A及17B分別係處於其打開狀態中之該行動電話之一前視圖及一側視圖，且圖17C、17D、17E、17F及17G分別係處於其閉合狀態中之該行動電話之一前視圖、一左側視圖、一右側視圖、一俯視圖及一仰視圖；
圖18A至18C係圖解說明一像素之一佈線結構之圖示，其中圖18A係該像素之一平面圖，且圖18B及18C係沿圖18A之線XVIIIB-XVIIIB與XVIIIC-XVIIIC所截取之橫截面圖；
圖19A至19C係圖解說明根據本實施例之一實例佈線結構之圖示(第一部分)；且
圖20係圖解說明根據本實施例之該實例佈線結構之一圖示(第二部分)。
1A．．．寫入電晶體
1B．．．驅動電晶體
1C．．．儲存電容器
1D．．．有機EL元件
1H．．．共同電源線
100．．．有機EL顯示裝置
102．．．像素陣列單元
103．．．水平驅動電路
104．．．寫入掃描電路
105．．．供電掃描電路
DTL．．．信號線
DSL．．．電源線
g．．．閘極
s．．．源極
WSL．．．掃描線

Claims (11)

  1. 一種顯示裝置，其包括：一像素陣列單元，其具有配置成一矩陣之像素，每一像素具有包含一有機電致發光元件、一驅動電晶體、一寫入電晶體及一儲存電容器之一電路組態，其中該有機電致發光元件之一陽極電極係連接至該驅動電晶體之一源極電極，該驅動電晶體之一閘極電極係連接至該寫入電晶體之一源極電極或汲極電極，且該儲存電容器係連接於該驅動電晶體之該閘極與源極電極之間；複數個掃描線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等像素之個別列且經組態以將一掃描信號供應至該等寫入電晶體之該等閘極電極；複數個電源線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等像素之該等個別列且經組態以選擇性地將一第一電位及低於該第一電位之一第二電位供應至該等驅動電晶體之該等汲極電極；及複數個信號線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等像素之個別行且經組態以選擇性地將一視訊信號及一視訊信號參考電位供應至該等寫入電晶體之該等汲極電極或源極電極，其中該視訊信號參考電位係供應至該複數個信號線達一週期，在該週期期間該掃描信號係在一先前列中之像素之驅動期間供應至該複數個掃描線，且當執行對一當前像素中之該驅動電晶體之臨限值校正時，該視訊信號 參考電位與該有機電致發光元件之一陰極電極之一電位彼此相等。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中該視訊信號參考電位經調整從而等於該陰極電極之該電位。
  3. 如請求項1之顯示裝置，其中該陰極電極之該電位經調整從而等於該視訊信號參考電位。
  4. 一種顯示裝置，其包括：一像素陣列單元，其具有配置成一矩陣之像素，每一像素包含：一電光元件；一寫入電晶體，其經組態以寫入一視訊信號；一儲存電容器，其經組態以儲存由該寫入電晶體所寫入之該視訊信號；及一驅動電晶體，其經組態以基於儲存於該儲存電容器中之該視訊信號驅動該電光元件；複數個掃描線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等像素之個別列且經組態以將一掃描信號供應至該等寫入電晶體；複數個電源線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等像素之該等個別列且經組態以選擇性地將一第一電位及低於該第一電位之一第二電位供應至該等驅動電晶體之汲極電極；及複數個信號線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等像素之個別行且經組態以選擇性地將一視訊信號及一視訊信號參考電位供應至該等寫入電晶體，其中該視訊信號參考電位係供應至該複數個信號線達 一週期，在該週期期間該掃描信號係在一先前列中之像素之驅動期間供應至該複數個掃描線，且當執行對一當前像素中之該驅動電晶體之臨限值校正時，該視訊信號參考電位與該電光元件之一共同電位彼此相等。
  5. 一種用於驅動一顯示裝置之方法，該顯示裝置包含：一像素陣列單元，其具有配置成一矩陣之像素，每一像素具有一電路組態，其中一有機電致發光元件之一陽極電極係連接至一驅動電晶體之一源極電極，該驅動電晶體之一閘極電極係連接至一寫入電晶體之一源極電極或汲極電極，且一儲存電容器係連接於該驅動電晶體之該閘極與源極電極之間；複數個掃描線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等像素之個別列且經組態以將一掃描信號供應至該等寫入電晶體之該等閘極電極；複數個電源線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等像素之該等個別列且經組態以選擇性地將一第一電位及低於該第一電位之一第二電位供應至該等驅動電晶體之該等汲極電極或源極電極；及複數個信號線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等像素之個別行且經組態以選擇性地將一視訊信號及一視訊信號參考電位供應至該等寫入電晶體之該等汲極電極，該方法包括以下步驟：將該視訊信號參考電位供應至該複數個信號線達一週期，在該週期期間該掃描信號係在一先前列中之像素之驅動期間供應至該複數個掃描線；及 當執行對一當前像素中之該驅動電晶體之臨限值校正時，設定該視訊信號參考電位及該有機電致發光元件之一陰極電極之一電位以便具有一相同電位值。
  6. 一種電子設備，其包括：一顯示裝置，其提供於該電子設備之一外殼中，該顯示裝置包含一像素陣列單元，其具有配置成一矩陣之像素，每一像素具有包含一有機電致發光元件、一驅動電晶體、一寫入電晶體及一儲存電容器之一電路組態，其中該有機電致發光元件之一陽極電極係連接至該驅動電晶體之一源極電極，該驅動電晶體之一閘極電極係連接至該寫入電晶體之一源極電極或汲極電極，且該儲存電容器係連接於該驅動電晶體之該閘極與源極電極之間，複數個掃描線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等像素之個別列且經組態以將一掃描信號供應至該等寫入電晶體之該等閘極電極，複數個電源線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等像素之該等個別列且經組態以選擇性地將一第一電位及低於該第一電位之一第二電位供應至該等驅動電晶體之該等汲極電極，及複數個信號線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等像素之個別行且經組態以選擇性地將一視訊信號及一視訊信號參考電位供應至該等寫入電晶體之該等汲極電極或源極電極， 其中該視訊信號參考電位係供應至該複數個信號線達一週期，在該週期期間該掃描信號係在一先前列中之像素之驅動期間供應至該複數個掃描線，且當執行對一當前像素中之該驅動電晶體之臨限值校正時，該視訊信號參考電位與該有機電致發光元件之一陰極電極之一電位彼此相等。
  7. 一種顯示裝置，其包括：一像素陣列單元，其具有配置成一矩陣之像素，每一像素具有包含一電光元件、一驅動電晶體、一寫入電晶體、一儲存電容器及一輔助電容器之一電路組態，其中該電光元件之一第一電極係連接至該驅動電晶體之一源極電極，該驅動電晶體之一閘極電極係連接至該寫入電晶體之一源極電極或汲極電極，該儲存電容器係連接於該驅動電晶體之該閘極與源極電極之間，且該輔助電容器係連接於該電光元件之該第一電極與該電光元件之一第二電極之間，其中該儲存電容器與該輔助電容器係配置成彼此毗鄰，且其中該儲存電容器之使其與該驅動電晶體之該閘極電極導電之一佈線與該輔助電容器之使其與該電光元件之該第二電極導電之一佈線係提供於不同層中。
  8. 一種顯示裝置，其包括：一像素陣列單元，其具有配置成一矩陣之像素，每一像素具有包含一電光元件、一驅動電晶體、一寫入電晶 體、一儲存電容器及一輔助電容器之一電路組態，其中該電光元件之一第一電極係連接至該驅動電晶體之一源極電極，該驅動電晶體之一閘極電極係連接至該寫入電晶體之一源極電極或汲極電極，該儲存電容器係連接於該驅動電晶體之該閘極與源極電極之間，且該輔助電容器係連接於該電光元件之該第一電極與該電光元件之一第二電極之間，其中該儲存電容器與該輔助電容器係配置成彼此毗鄰，且其中該儲存電容器之使其與該驅動電晶體之該源極電極導電之一佈線與該輔助電容器之使其與該電光元件之該第一電極導電之一佈線係提供於不同層中。
  9. 如請求項7或8之顯示裝置，其中該等不同層中之一者係一第一佈線層且另一層係一多晶矽層。
  10. 如請求項7或8中之任一項之顯示裝置，其中該電光元件係一有機電致發光元件，其中該第一電極係一陽極電極，且其中該第二電極係一陰極電極。
  11. 一種電子設備，其包括：一顯示裝置，其提供於該電子設備之一外殼中，該顯示裝置包含一像素陣列單元，其具有配置成一矩陣之像素，每一像素具有包含一電光元件、一驅動電晶體、一寫入電晶體、一儲存電容器及一輔助電容器之一電路組態，其 中該電光元件之一第一電極係連接至該驅動電晶體之一源極電極，該驅動電晶體之一閘極電極係連接至該寫入電晶體之一源極電極或汲極電極，該儲存電容器係連接於該驅動電晶體之該閘極與源極電極之間，且該輔助電容器係連接於該電光元件之該第一電極與該電光元件之一第二電極之間，其中該儲存電容器與該輔助電容器係配置成彼此毗鄰，且其中該儲存電容器之使其與該驅動電晶體之該閘極電極導電之一佈線與該輔助電容器之使其與該電光元件之該第二電極導電之一佈線係提供於不同層中。
TW098140710A 2008-12-11 2009-11-27 顯示裝置、其驅動方法及電子設備 TWI443629B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008315467A JP5168116B2 (ja) 2008-12-11 2008-12-11 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器
JP2008316551A JP5309946B2 (ja) 2008-12-12 2008-12-12 表示装置および電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201030717A TW201030717A (en) 2010-08-16
TWI443629B true TWI443629B (zh) 2014-07-01

Family

ID=42239878

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098140710A TWI443629B (zh) 2008-12-11 2009-11-27 顯示裝置、其驅動方法及電子設備

Country Status (4)

Country Link
US (8) US8570245B2 (zh)
KR (1) KR101562068B1 (zh)
CN (1) CN101751858A (zh)
TW (1) TWI443629B (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101860860B1 (ko) * 2011-03-16 2018-07-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
KR102061791B1 (ko) 2012-11-13 2020-01-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6164059B2 (ja) * 2013-11-15 2017-07-19 ソニー株式会社 表示装置、電子機器、及び表示装置の駆動方法
CN104715725A (zh) * 2015-04-03 2015-06-17 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、显示装置及其驱动方法
KR102464283B1 (ko) * 2015-06-29 2022-11-09 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치와 그의 구동방법
KR102367462B1 (ko) * 2015-08-11 2022-02-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6677386B2 (ja) * 2016-02-16 2020-04-08 天馬微電子有限公司 表示装置および表示装置の製造方法
KR102473216B1 (ko) * 2017-07-17 2022-12-01 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치 및 이의 구동방법
KR102606487B1 (ko) 2018-02-01 2023-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
CN108682390A (zh) * 2018-05-16 2018-10-19 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其亮度检测方法
KR102591768B1 (ko) 2018-07-17 2023-10-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109727578A (zh) * 2018-12-14 2019-05-07 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示装置的补偿方法、装置和显示设备
CN109658856B (zh) * 2019-02-28 2021-03-19 京东方科技集团股份有限公司 像素数据补偿参数获取方法及装置、amoled显示面板
WO2021102997A1 (zh) * 2019-11-29 2021-06-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
KR102516060B1 (ko) * 2019-12-23 2023-03-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN111785210A (zh) * 2020-07-16 2020-10-16 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、显示基板、显示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9923261D0 (en) * 1999-10-02 1999-12-08 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display device
JP2006133542A (ja) 2004-11-08 2006-05-25 Sony Corp 画素回路及び表示装置
JP2006209089A (ja) 2004-12-27 2006-08-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
CN101694766A (zh) * 2005-05-02 2010-04-14 株式会社半导体能源研究所 发光器件、以及电子器具
EP3614442A3 (en) * 2005-09-29 2020-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
JP2007101873A (ja) 2005-10-04 2007-04-19 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP2007316510A (ja) 2006-05-29 2007-12-06 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置
KR100778514B1 (ko) 2006-08-09 2007-11-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR100814820B1 (ko) 2006-08-31 2008-03-20 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치
JP2008107785A (ja) 2006-09-29 2008-05-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
TWI442368B (zh) * 2006-10-26 2014-06-21 Semiconductor Energy Lab 電子裝置，顯示裝置，和半導體裝置，以及其驅動方法
JP2008185670A (ja) 2007-01-29 2008-08-14 Sony Corp 有機ｅｌ表示装置、有機ｅｌ表示装置の制御方法および電子機器
JP4306753B2 (ja) 2007-03-22 2009-08-05 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法と電子機器
JP2008249919A (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Sony Corp 表示装置及び電子機器
JP4715849B2 (ja) * 2008-01-15 2011-07-06 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法と電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US20160118456A1 (en) 2016-04-28
US20190109183A1 (en) 2019-04-11
US20170025495A1 (en) 2017-01-26
KR20100067624A (ko) 2010-06-21
TW201030717A (en) 2010-08-16
US20100149075A1 (en) 2010-06-17
US9496324B2 (en) 2016-11-15
KR101562068B1 (ko) 2015-10-20
US8570245B2 (en) 2013-10-29
CN101751858A (zh) 2010-06-23
US20180097054A1 (en) 2018-04-05
US9136285B2 (en) 2015-09-15
US20130320847A1 (en) 2013-12-05
US8988330B2 (en) 2015-03-24
US20150311270A1 (en) 2015-10-29
US20140339534A1 (en) 2014-11-20
US9847384B2 (en) 2017-12-19
US10170533B2 (en) 2019-01-01
US10431645B2 (en) 2019-10-01
US9299762B2 (en) 2016-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI443629B (zh) 顯示裝置、其驅動方法及電子設備
US11004390B2 (en) Display device and electronic apparatus
KR101567734B1 (ko) 표시 장치 및 전자 기기
TWI416469B (zh) 顯示裝置及電子設備
TWI423220B (zh) 顯示裝置，在顯示裝置中佈局導線之方法及電子裝置
TWI410927B (zh) 顯示裝置、顯示裝置之驅動方法及電子裝置
TWI413067B (zh) 顯示器，驅動顯示器之方法，及電子裝置
JP2008286897A (ja) 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器
JP5309946B2 (ja) 表示装置および電子機器
JP5168116B2 (ja) 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees