JP2003123988A - 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器Info
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- JP2003123988A JP2003123988A JP2001311843A JP2001311843A JP2003123988A JP 2003123988 A JP2003123988 A JP 2003123988A JP 2001311843 A JP2001311843 A JP 2001311843A JP 2001311843 A JP2001311843 A JP 2001311843A JP 2003123988 A JP2003123988 A JP 2003123988A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 101
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 65
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 36
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 8
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 9
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
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-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 水平方向に電流が流れる際の電圧降下を小さ
くすることによって均一な発光を実現するとともに、Ｔ
ＦＴ等アクティブ素子を用いても開口率および光透過率
を低下させることのない有機エレクトロルミネッセンス
装置及びその製造方法、並びに電子機器を提供する。 【解決手段】 画素間隔壁３０上に積層された陰極層２
４の上面或いは下面に接するように、補助陰極６０を形
成する。
くすることによって均一な発光を実現するとともに、Ｔ
ＦＴ等アクティブ素子を用いても開口率および光透過率
を低下させることのない有機エレクトロルミネッセンス
装置及びその製造方法、並びに電子機器を提供する。 【解決手段】 画素間隔壁３０上に積層された陰極層２
４の上面或いは下面に接するように、補助陰極６０を形
成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス装置の構造及びその製造方法、並びに電子
機器に関する。
ミネッセンス装置の構造及びその製造方法、並びに電子
機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス（以下有
機ＥＬと称す）素子は、少なくとも一層の発光性有機層
が陰極と陽極との間に配置された構造を有する自発光性
素子であり、液晶表示素子と比較して、応答速度が速く
視野角度が広い等、 表示素子としての利点を多く備えて
いるため、表示装置の画素や光源等を含む多種多様な用
途での実用化が検討されている。
機ＥＬと称す）素子は、少なくとも一層の発光性有機層
が陰極と陽極との間に配置された構造を有する自発光性
素子であり、液晶表示素子と比較して、応答速度が速く
視野角度が広い等、 表示素子としての利点を多く備えて
いるため、表示装置の画素や光源等を含む多種多様な用
途での実用化が検討されている。
【０００３】ここで、加速する情報端末の携帯化に伴っ
て、省電力ディスプレイ（表示装置）を実現するため
に、有機ＥＬ素子をＴＦＴ (Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒ
ａｎｓｉｓｔｏｒ) 等のアクティブ素子で駆動させる手
段が知られている。これにより、有機ＥＬ素子を直流電
圧により駆動することができるため、有機ＥＬ素子に負
担をかけずに低電圧で、且つ、発光効率の高い領域で駆
動することが可能となる。
て、省電力ディスプレイ（表示装置）を実現するため
に、有機ＥＬ素子をＴＦＴ (Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒ
ａｎｓｉｓｔｏｒ) 等のアクティブ素子で駆動させる手
段が知られている。これにより、有機ＥＬ素子を直流電
圧により駆動することができるため、有機ＥＬ素子に負
担をかけずに低電圧で、且つ、発光効率の高い領域で駆
動することが可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記ＴＦＴ
などを用いたアクティブマトリックス構造を有する有機
ＥＬ表示装置（ディスプレイ）においては、画素毎に設
けられるＴＦＴの回路によって発光層の面積が制限さ
れ、開口率が低くなるという問題があった。そのため、
表示輝度を上げるには、画素あたりの輝度を高める必要
があるため、駆動電圧及び消費電力が高くなり、有機Ｅ
Ｌ素子の寿命が短くなってしまうという不具合があっ
た。
などを用いたアクティブマトリックス構造を有する有機
ＥＬ表示装置（ディスプレイ）においては、画素毎に設
けられるＴＦＴの回路によって発光層の面積が制限さ
れ、開口率が低くなるという問題があった。そのため、
表示輝度を上げるには、画素あたりの輝度を高める必要
があるため、駆動電圧及び消費電力が高くなり、有機Ｅ
Ｌ素子の寿命が短くなってしまうという不具合があっ
た。
【０００５】このような不具合を解消するために、特開
２０００−３６３９１号公報において、補助配線を用い
て電極の抵抗を下げ、輝度や効率を向上させる手段が開
示されている。しかし、アクティブマトリックス構造の
有機ＥＬディスプレイに応用するには、その構造上困難
であった。そこで、本発明は、上記事情に鑑みてなされ
たものであり、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を
極小さくすることによって均一な発光を実現するととも
に、ＴＦＴ等アクティブ素子を用いても開口率および光
透過率を低下させることのない有機エレクトロルミネッ
センス装置及びその製造方法、並びに電子機器を提供す
ることを課題としている。
２０００−３６３９１号公報において、補助配線を用い
て電極の抵抗を下げ、輝度や効率を向上させる手段が開
示されている。しかし、アクティブマトリックス構造の
有機ＥＬディスプレイに応用するには、その構造上困難
であった。そこで、本発明は、上記事情に鑑みてなされ
たものであり、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を
極小さくすることによって均一な発光を実現するととも
に、ＴＦＴ等アクティブ素子を用いても開口率および光
透過率を低下させることのない有機エレクトロルミネッ
センス装置及びその製造方法、並びに電子機器を提供す
ることを課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、請求項１に記載の発明は、基板上に積層さ
れ、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発
光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって
分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成し
てなり、少なくとも前記陰極の上面或いは下面に接する
ように、補助陰極が形成されてなることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス装置としている。
るために、請求項１に記載の発明は、基板上に積層さ
れ、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の発
光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によって
分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成し
てなり、少なくとも前記陰極の上面或いは下面に接する
ように、補助陰極が形成されてなることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス装置としている。
【０００７】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記補
助陰極が、前記発光領域間に形成されてなることを特徴
としている。請求項３に記載の発明は、請求項１又は２
に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、
前記補助陰極が、前記陰極における前記発光領域間隔壁
上に積層された部分に接するように形成されてなること
を特徴としている。
の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記補
助陰極が、前記発光領域間に形成されてなることを特徴
としている。請求項３に記載の発明は、請求項１又は２
に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、
前記補助陰極が、前記陰極における前記発光領域間隔壁
上に積層された部分に接するように形成されてなること
を特徴としている。
【０００８】請求項４に記載の発明は、請求項２又は３
に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、
前記補助陰極が、前記発光領域間隔壁と実質的に同一パ
ターンで形成されてなることを特徴としている。請求項
５に記載の発明は、請求項２又は３に記載の有機エレク
トロルミネッセンス装置において、前記補助陰極が、前
記発光領域間隔壁の上面における前記発光領域寄りの縁
部を除いた内側領域のみに形成されてなるとともに、前
記補助陰極の形成されていない前記発光領域間隔壁の上
面には、撥液処理が施されてなることを特徴としてい
る。
に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、
前記補助陰極が、前記発光領域間隔壁と実質的に同一パ
ターンで形成されてなることを特徴としている。請求項
５に記載の発明は、請求項２又は３に記載の有機エレク
トロルミネッセンス装置において、前記補助陰極が、前
記発光領域間隔壁の上面における前記発光領域寄りの縁
部を除いた内側領域のみに形成されてなるとともに、前
記補助陰極の形成されていない前記発光領域間隔壁の上
面には、撥液処理が施されてなることを特徴としてい
る。
【０００９】請求項６に記載の発明は、請求項１〜５の
いずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置に
おいて、前記補助陰極が、耐酸化性を有する導電性材料
からなることを特徴としている。請求項７に記載の発明
は、請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス装
置において、前記補助陰極が、タンタル（Ｔａ）、タン
グステン（Ｗ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、銀
（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）のいずれか、 或いはこ
れら各金属の合金からなることを特徴としている。
いずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置に
おいて、前記補助陰極が、耐酸化性を有する導電性材料
からなることを特徴としている。請求項７に記載の発明
は、請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス装
置において、前記補助陰極が、タンタル（Ｔａ）、タン
グステン（Ｗ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、銀
（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）のいずれか、 或いはこ
れら各金属の合金からなることを特徴としている。
【００１０】請求項８に記載の発明は、請求項１〜５の
いずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置に
おいて、前記補助陰極が、光吸収性を有する導電性材料
からなることを特徴としている。請求項９に記載の発明
は、請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス装
置において、前記補助陰極が、カーボンまたはクロムか
らなることを特徴としている。
いずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置に
おいて、前記補助陰極が、光吸収性を有する導電性材料
からなることを特徴としている。請求項９に記載の発明
は、請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス装
置において、前記補助陰極が、カーボンまたはクロムか
らなることを特徴としている。
【００１１】請求項１０に記載の発明は、 請求項１〜９
のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置
において、前記陽極が、少なくとも一種類の金属を薄膜
化することにより透明性を有する導電性材料からなるこ
とを特徴としている。請求項１１に記載の発明は、請求
項１〜１０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッ
センス装置において、前記陰極が、少なくとも一種類の
金属を薄膜化することにより透明性を有する導電性材料
からなることを特徴としている。
のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置
において、前記陽極が、少なくとも一種類の金属を薄膜
化することにより透明性を有する導電性材料からなるこ
とを特徴としている。請求項１１に記載の発明は、請求
項１〜１０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッ
センス装置において、前記陰極が、少なくとも一種類の
金属を薄膜化することにより透明性を有する導電性材料
からなることを特徴としている。
【００１２】請求項１２に記載の発明は、請求項１〜１
０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装
置において、前記陰極が、少なくとも一種類の導電性材
料と、金属酸化物または金属弗化物との積層からなるこ
とを特徴としている。請求項１３に記載の発明は、請求
項１〜１２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッ
センス装置において、前記発光領域間隔壁と、前記発光
性有機層の前記発光領域間隔壁寄りの縁部とが、絶縁性
膜の上に形成されてなることを特徴としている。
０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装
置において、前記陰極が、少なくとも一種類の導電性材
料と、金属酸化物または金属弗化物との積層からなるこ
とを特徴としている。請求項１３に記載の発明は、請求
項１〜１２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッ
センス装置において、前記発光領域間隔壁と、前記発光
性有機層の前記発光領域間隔壁寄りの縁部とが、絶縁性
膜の上に形成されてなることを特徴としている。
【００１３】請求項１４に記載の発明は、請求項１〜１
３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装
置において、前記基板の上面に、アクティブマトリック
ス式の駆動回路を形成するＴＦＴを備えたことを特徴と
している。請求項１５に記載の発明は、請求項１４に記
載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記
ＴＦＴが、前記発光領域間隔壁の下に形成されているこ
とを特徴としている。
３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装
置において、前記基板の上面に、アクティブマトリック
ス式の駆動回路を形成するＴＦＴを備えたことを特徴と
している。請求項１５に記載の発明は、請求項１４に記
載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記
ＴＦＴが、前記発光領域間隔壁の下に形成されているこ
とを特徴としている。
【００１４】請求項１６に記載の発明は、請求項１４又
は１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置にお
いて、前記基板として集積回路を形成した半導体基板を
用いたことを特徴としている。請求項１７に記載の発明
は、請求項１〜１６のいずれかに記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス装置において、前記陰極或いは前記補助
陰極のさらに上面に、前記発光領域間隔壁と対応する部
分に光吸収性層が具備された保護板が、封止樹脂を介し
て張り合わされてなることを特徴としている。
は１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置にお
いて、前記基板として集積回路を形成した半導体基板を
用いたことを特徴としている。請求項１７に記載の発明
は、請求項１〜１６のいずれかに記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス装置において、前記陰極或いは前記補助
陰極のさらに上面に、前記発光領域間隔壁と対応する部
分に光吸収性層が具備された保護板が、封止樹脂を介し
て張り合わされてなることを特徴としている。
【００１５】請求項１８に記載の発明は、基板上に積層
され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の
発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によっ
て分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成
してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
において、前記発光領域は覆い、前記発光領域間隔壁上
は露出させるマスクを利用することにより、前記発光領
域間隔壁上に形成された陰極の上面或いは下面に接する
ように補助陰極を形成する工程を含むことを特徴として
いる。
され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の
発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によっ
て分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成
してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
において、前記発光領域は覆い、前記発光領域間隔壁上
は露出させるマスクを利用することにより、前記発光領
域間隔壁上に形成された陰極の上面或いは下面に接する
ように補助陰極を形成する工程を含むことを特徴として
いる。
【００１６】請求項１９に記載の発明は、請求項１８に
記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に
おいて、前記発光領域間隔壁と同一パターンを有するマ
スクを用いて、前記発光領域間隔壁上に、前記補助陰極
を形成する工程を含むことを特徴としている。請求項２
０に記載の発明は、基板上に積層され、陰極と陽極との
間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁
体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発
光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法において、前記発光領
域及び前記発光領域間隔壁の上面における該発光領域寄
りの縁部は覆い、当該発光領域間隔壁の内側領域は露出
させるマスクを利用することにより、前記発光領域間隔
壁の内側領域のみに補助陰極を形成する工程と、前記補
助陰極が形成されていない前記発光領域間隔壁の上面
に、撥液処理を施す工程と、を含むことを特徴としてい
る。
記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に
おいて、前記発光領域間隔壁と同一パターンを有するマ
スクを用いて、前記発光領域間隔壁上に、前記補助陰極
を形成する工程を含むことを特徴としている。請求項２
０に記載の発明は、基板上に積層され、陰極と陽極との
間に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁
体からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発
光領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法において、前記発光領
域及び前記発光領域間隔壁の上面における該発光領域寄
りの縁部は覆い、当該発光領域間隔壁の内側領域は露出
させるマスクを利用することにより、前記発光領域間隔
壁の内側領域のみに補助陰極を形成する工程と、前記補
助陰極が形成されていない前記発光領域間隔壁の上面
に、撥液処理を施す工程と、を含むことを特徴としてい
る。
【００１７】請求項２１に記載の発明は、 基板上に積層
され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の
発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によっ
て分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成
してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
において、少なくとも発光領域間隔壁が形成された基板
の上面に導電性薄膜を成膜することで、前記発光領域間
隔壁で囲まれた凹部に成膜された前記薄膜によって陽極
を形成し、前記発光領域間隔壁の上面に成膜された前記
薄膜によって補助陰極を形成する工程を含むことを特徴
としている。
され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の
発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によっ
て分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成
してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
において、少なくとも発光領域間隔壁が形成された基板
の上面に導電性薄膜を成膜することで、前記発光領域間
隔壁で囲まれた凹部に成膜された前記薄膜によって陽極
を形成し、前記発光領域間隔壁の上面に成膜された前記
薄膜によって補助陰極を形成する工程を含むことを特徴
としている。
【００１８】請求項２２に記載の発明は、基板上に積層
され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の
発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によっ
て分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成
してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
において、前記陽極が積層された前記基板の上面におい
て、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域間
隔壁寄りの縁部を除いた内側領域は覆い、前記発光領域
間隔壁の形成領域と、前記発光性有機層の形成領域のう
ち前記発光領域間隔壁寄りの縁部とは露出させるように
パターニングすることで、前記発光領域間隔壁の形成領
域と、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域
間隔壁寄りの縁部とに、絶縁性膜を形成する工程を含む
ことを特徴としている。
され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の
発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によっ
て分割され、複数の発光領域を備えた発光領域群を形成
してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
において、前記陽極が積層された前記基板の上面におい
て、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域間
隔壁寄りの縁部を除いた内側領域は覆い、前記発光領域
間隔壁の形成領域と、前記発光性有機層の形成領域のう
ち前記発光領域間隔壁寄りの縁部とは露出させるように
パターニングすることで、前記発光領域間隔壁の形成領
域と、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域
間隔壁寄りの縁部とに、絶縁性膜を形成する工程を含む
ことを特徴としている。
【００１９】請求項２３に記載の発明は、基板上に積層
され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の
発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によっ
て分割され、 複数の発光領域を備えた発光領域群を形成
してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
において、前記陽極が積層された前記基板の上面に、前
記発光領域間隔壁用絶縁層を積層し、さらにその上面に
補助陰極用導電層を積層する工程と、前記補助陰極の上
面に、 前記発光領域の形成予定領域が露出するようにマ
スクを形成したのち、前記発光領域間隔壁用絶縁層と前
記補助陰極壁用導電層とを同時にエッチングして前記発
光領域間隔壁と前記補助陰極とを形成する工程と、を備
えたことを特徴としている。
され、陰極と陽極との間に配置される少なくとも一層の
発光性有機層が、絶縁体からなる発光領域間隔壁によっ
て分割され、 複数の発光領域を備えた発光領域群を形成
してなる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
において、前記陽極が積層された前記基板の上面に、前
記発光領域間隔壁用絶縁層を積層し、さらにその上面に
補助陰極用導電層を積層する工程と、前記補助陰極の上
面に、 前記発光領域の形成予定領域が露出するようにマ
スクを形成したのち、前記発光領域間隔壁用絶縁層と前
記補助陰極壁用導電層とを同時にエッチングして前記発
光領域間隔壁と前記補助陰極とを形成する工程と、を備
えたことを特徴としている。
【００２０】請求項２４に記載の発明は、表示体と、当
該表示体に駆動電流を供給する駆動回路と、を備えた電
子機器において、前記表示体として、請求項１〜１７の
いずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を
備えたことを特徴としている。本発明における有機エレ
クトロルミネッセンス装置は、基板上に、少なくとも一
層の発光性有機層が陰極と陽極に挟まれて積層され、こ
の発光性有機層を絶縁体からなる発光領域間隔壁によっ
て分割することで発光領域群を形成した構成を有してお
り、陰極の上面或いは下面に接するように、補助陰極を
形成したことによって、陰極及び補助陰極に水平方向に
電流が流れる際の電圧降下を極小さくすることができる
ようになる。このため、装置全面に渡って均一な発光を
得ることが可能となる。
該表示体に駆動電流を供給する駆動回路と、を備えた電
子機器において、前記表示体として、請求項１〜１７の
いずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を
備えたことを特徴としている。本発明における有機エレ
クトロルミネッセンス装置は、基板上に、少なくとも一
層の発光性有機層が陰極と陽極に挟まれて積層され、こ
の発光性有機層を絶縁体からなる発光領域間隔壁によっ
て分割することで発光領域群を形成した構成を有してお
り、陰極の上面或いは下面に接するように、補助陰極を
形成したことによって、陰極及び補助陰極に水平方向に
電流が流れる際の電圧降下を極小さくすることができる
ようになる。このため、装置全面に渡って均一な発光を
得ることが可能となる。
【００２１】また、陰極に接している補助陰極によっ
て、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくす
ることができるため、陰極自体の膜厚を薄くすることが
可能となる。よって、薄膜化することにより透明性を有
する陰極を用いた場合、より光透過性を向上させること
が可能となる。特に、請求項３に記載の発明において、
補助陰極を、陰極における発光領域間隔壁の上に積層さ
れた部分に接するように形成したことによって、発光領
域群を構成する各発光領域には薄い陰極を形成すること
ができる。このため、薄膜化することで透明性を有する
陰極を用いた場合、陰極側からの発光を得ることが可能
となるとともに、光透過率及び発光効率を向上させるこ
とが可能となる。
て、水平方向に電流が流れる際の電圧降下を極小さくす
ることができるため、陰極自体の膜厚を薄くすることが
可能となる。よって、薄膜化することにより透明性を有
する陰極を用いた場合、より光透過性を向上させること
が可能となる。特に、請求項３に記載の発明において、
補助陰極を、陰極における発光領域間隔壁の上に積層さ
れた部分に接するように形成したことによって、発光領
域群を構成する各発光領域には薄い陰極を形成すること
ができる。このため、薄膜化することで透明性を有する
陰極を用いた場合、陰極側からの発光を得ることが可能
となるとともに、光透過率及び発光効率を向上させるこ
とが可能となる。
【００２２】ここで、発光領域間隔壁上の陰極上面に接
するように補助陰極を形成するようにすれば、補助陰極
を後付けすることが出来るようになるため、補助陰極に
様々な材料を用いることができ、その材料特有の効果を
付与することが出来る。また、陰極側から発光させるこ
とによって、基板として、シリコン等半導体基板や金属
基板等不透明な材料を用いることが可能となる。よっ
て、例えば、シリコン基板上に集積回路を形成し、 その
上に有機ＥＬ素子を組み込む等、有機ＥＬ装置自体の小
型化を図ることが可能となる。
するように補助陰極を形成するようにすれば、補助陰極
を後付けすることが出来るようになるため、補助陰極に
様々な材料を用いることができ、その材料特有の効果を
付与することが出来る。また、陰極側から発光させるこ
とによって、基板として、シリコン等半導体基板や金属
基板等不透明な材料を用いることが可能となる。よっ
て、例えば、シリコン基板上に集積回路を形成し、 その
上に有機ＥＬ素子を組み込む等、有機ＥＬ装置自体の小
型化を図ることが可能となる。
【００２３】また、請求項４に記載の発明において、補
助陰極を、発光領域間隔壁と実質的に同一パターンで形
成するようにしたことによって、補助陰極が、各発光領
域の周囲を網羅するため、装置全面に渡ってより均一な
発光を得ることが可能となる。さらに、請求項５及び請
求項２０に記載の発明において、補助陰極が、発光領域
間隔壁上における発光領域寄りの縁部を除いた内側領域
のみに形成されているとともに、補助陰極の形成されて
いない発光領域間隔壁上には、 撥液処理が施されている
ことによって、発光領域間隔壁間に発光性有機層を形成
する工程が容易且つ確実に行えるとともに、均一な発光
性有機層を形成することが可能となる。
助陰極を、発光領域間隔壁と実質的に同一パターンで形
成するようにしたことによって、補助陰極が、各発光領
域の周囲を網羅するため、装置全面に渡ってより均一な
発光を得ることが可能となる。さらに、請求項５及び請
求項２０に記載の発明において、補助陰極が、発光領域
間隔壁上における発光領域寄りの縁部を除いた内側領域
のみに形成されているとともに、補助陰極の形成されて
いない発光領域間隔壁上には、 撥液処理が施されている
ことによって、発光領域間隔壁間に発光性有機層を形成
する工程が容易且つ確実に行えるとともに、均一な発光
性有機層を形成することが可能となる。
【００２４】ここで、撥液処理としては、例えば、ＣＦ
4 プラズマ照射法等いずれの方法を適用することができ
る。さらに、請求項８に記載の発明において、補助陰極
を光吸収性を有する導電性材料から形成することによっ
て、光放射側から見る場合、発光領域間には光吸収性の
前記補助陰極が見えるため、外光が吸収され、コントラ
ストが高められるようになる。
4 プラズマ照射法等いずれの方法を適用することができ
る。さらに、請求項８に記載の発明において、補助陰極
を光吸収性を有する導電性材料から形成することによっ
て、光放射側から見る場合、発光領域間には光吸収性の
前記補助陰極が見えるため、外光が吸収され、コントラ
ストが高められるようになる。
【００２５】さらに、請求項１３に記載の発明におい
て、発光領域間隔壁と、発光性有機層の発光領域間隔壁
寄りの縁部とが、絶縁性膜の上に形成されていることに
よって、例えば、インクジェット法によって発光性有機
層を凹状に形成した場合、発光性有機層の厚さの違いを
見かけ上緩衝することが可能となる。つまり、凹状に形
成される発光性有機層の周縁部と中央部との厚みを見か
け上均一にすることで、厚みによって異なる色の発光を
均一にすることができるようにする。一方、発光性有機
層を凸状に形成した場合に、電極間の距離が短くなる発
光性有機層の周囲部において、電極間のショートを抑制
することが可能となる。
て、発光領域間隔壁と、発光性有機層の発光領域間隔壁
寄りの縁部とが、絶縁性膜の上に形成されていることに
よって、例えば、インクジェット法によって発光性有機
層を凹状に形成した場合、発光性有機層の厚さの違いを
見かけ上緩衝することが可能となる。つまり、凹状に形
成される発光性有機層の周縁部と中央部との厚みを見か
け上均一にすることで、厚みによって異なる色の発光を
均一にすることができるようにする。一方、発光性有機
層を凸状に形成した場合に、電極間の距離が短くなる発
光性有機層の周囲部において、電極間のショートを抑制
することが可能となる。
【００２６】さらに、請求項１５に記載の発明におい
て、アクティブマトリックス式駆動回路を形成するＴＦ
Ｔを、 発光領域間隔壁の下に形成したことによって、発
光領域開口部の面積をＴＦＴとは無関係に設計すること
が可能となる。よって、開口率を向上させ、低駆動電圧
及び低消費電力で輝度を向上させることが可能となるた
め、有機ＥＬ装置の高寿命を実現させることが可能とな
る。
て、アクティブマトリックス式駆動回路を形成するＴＦ
Ｔを、 発光領域間隔壁の下に形成したことによって、発
光領域開口部の面積をＴＦＴとは無関係に設計すること
が可能となる。よって、開口率を向上させ、低駆動電圧
及び低消費電力で輝度を向上させることが可能となるた
め、有機ＥＬ装置の高寿命を実現させることが可能とな
る。
【００２７】さらに、請求項１６に記載の発明におい
て、基板として集積回路を形成した半導体基板を用いた
ことによって、携帯端末の電子回路、ディスプレイ駆動
用のコントローラー、ドライバー、電源回路等装置に必
要とされる電子回路をすべて半導体基板上に形成し、さ
らに有機ＥＬ素子駆動用のトランジスタまで形成できる
ため、装置の高性能化及びコスト削減を同時に実現させ
ることが可能となる。
て、基板として集積回路を形成した半導体基板を用いた
ことによって、携帯端末の電子回路、ディスプレイ駆動
用のコントローラー、ドライバー、電源回路等装置に必
要とされる電子回路をすべて半導体基板上に形成し、さ
らに有機ＥＬ素子駆動用のトランジスタまで形成できる
ため、装置の高性能化及びコスト削減を同時に実現させ
ることが可能となる。
【００２８】さらに、請求項１７に記載の発明におい
て、陰極或いは補助陰極のさらに上面に、発光領域間隔
壁と対応する部分に光吸収性層が具備された保護板を、
封止樹脂を介して張り合わさせたことによって、補助陰
極とは別に、発光領域間に光吸収部を設けることができ
るため、請求項８と同様の効果を得ることが可能とな
る。
て、陰極或いは補助陰極のさらに上面に、発光領域間隔
壁と対応する部分に光吸収性層が具備された保護板を、
封止樹脂を介して張り合わさせたことによって、補助陰
極とは別に、発光領域間に光吸収部を設けることができ
るため、請求項８と同様の効果を得ることが可能とな
る。
【００２９】本発明における有機エレクトロルミネッセ
ンス装置の製造方法によれば、請求項１〜１７のいずれ
かに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を容易に
製造することが可能となる。ここで、補助陰極のパター
ニングとしてはマスク蒸着法、インクジェット法、印刷
法などを用いることが出来る。
ンス装置の製造方法によれば、請求項１〜１７のいずれ
かに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を容易に
製造することが可能となる。ここで、補助陰極のパター
ニングとしてはマスク蒸着法、インクジェット法、印刷
法などを用いることが出来る。
【００３０】本発明における電子機器において、表示体
として、 本発明における有機エレクトロルミネッセンス
装置を備えたことによって、光透過率及び発光効率が良
好で、且つ、小型化を実現させることが可能となる。
として、 本発明における有機エレクトロルミネッセンス
装置を備えたことによって、光透過率及び発光効率が良
好で、且つ、小型化を実現させることが可能となる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施形態につ
いて、図面を参照して説明する。 （第１実施形態）図１は、本発明に係る第１実施形態を
示す有機ＥＬパネルの断面図である。第一実施形態にお
ける有機ＥＬ表示体（パネル）１００ａは、図１に示す
ように、基板１０と、その上面に形成される積層体２０
と、この積層体２０を分割して発光領域となる発光画素
領域を形成する画素間隔壁３０と、積層体２０のさらに
上面に、酸素及び水分の侵入を抑制するために封止剤４
０を介して張付けられる保護基板５０と、から構成され
ており、発光領域間隔壁３０の上面には、その画素間隔
壁３０と同一パターンの補助陰極６０が形成されてい
る。
いて、図面を参照して説明する。 （第１実施形態）図１は、本発明に係る第１実施形態を
示す有機ＥＬパネルの断面図である。第一実施形態にお
ける有機ＥＬ表示体（パネル）１００ａは、図１に示す
ように、基板１０と、その上面に形成される積層体２０
と、この積層体２０を分割して発光領域となる発光画素
領域を形成する画素間隔壁３０と、積層体２０のさらに
上面に、酸素及び水分の侵入を抑制するために封止剤４
０を介して張付けられる保護基板５０と、から構成され
ており、発光領域間隔壁３０の上面には、その画素間隔
壁３０と同一パターンの補助陰極６０が形成されてい
る。
【００３２】積層体２０は、基板１０の上面に順次積層
される陽極層２１、正孔注入層２２、発光性有機層（発
光層）２３、陰極層２４、とから構成されている。ここ
で、陽極層２１の形成材料としては、ＩＴＯ（錫ドープ
酸化インジウム）や、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウ
ム）を用いることができる。正孔注入層２２の形成材料
としては、バイトロン（登録商標、バイエル社製）や、
低分子のＴＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、銅フタロシアニン
等を用いることができる。発光層２３の形成材料として
は、例えば、ポリフルオレン、ＰＰＶなどの高分子材料
や、Ａｌｑ3 などの低分子材料を用いることができる。
陰極層２４の形成材料としては、マグネシウム（Ｍ
ｇ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）など仕事
関数の低いアルカリ金属やアルカリ土類金属などの材料
を用いることにより、高い効率を得るとともに、その上
面にアルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）な
どの耐酸化性及び導電性を併せ持つ金属の積層或いは合
金化を行うことによって、耐酸化性及び導電性を向上さ
せるようにすることが好ましい。ここで、陰極層２４と
して、ＩＴＯや薄膜化することにより透明性を有する金
属材料を用いれば、陰極層２４側から発光を得ることが
できるようになり、そのときの陽極２１側の基板１０に
は不透明な材料を用いることが可能となる。
される陽極層２１、正孔注入層２２、発光性有機層（発
光層）２３、陰極層２４、とから構成されている。ここ
で、陽極層２１の形成材料としては、ＩＴＯ（錫ドープ
酸化インジウム）や、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウ
ム）を用いることができる。正孔注入層２２の形成材料
としては、バイトロン（登録商標、バイエル社製）や、
低分子のＴＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、銅フタロシアニン
等を用いることができる。発光層２３の形成材料として
は、例えば、ポリフルオレン、ＰＰＶなどの高分子材料
や、Ａｌｑ3 などの低分子材料を用いることができる。
陰極層２４の形成材料としては、マグネシウム（Ｍ
ｇ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）など仕事
関数の低いアルカリ金属やアルカリ土類金属などの材料
を用いることにより、高い効率を得るとともに、その上
面にアルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）な
どの耐酸化性及び導電性を併せ持つ金属の積層或いは合
金化を行うことによって、耐酸化性及び導電性を向上さ
せるようにすることが好ましい。ここで、陰極層２４と
して、ＩＴＯや薄膜化することにより透明性を有する金
属材料を用いれば、陰極層２４側から発光を得ることが
できるようになり、そのときの陽極２１側の基板１０に
は不透明な材料を用いることが可能となる。
【００３３】画素間隔壁３０は、絶縁体材料であるポリ
イミドやアクリル樹脂などから構成されており、基板１
０の上面に所定形状に積層された陽極２１間に形成さ
れ、積層体２０を分割し、複数の発光画素領域２０Ａか
らなる発光画素群を形成している。保護基板５０は、ガ
ラス、金属、シリコン等半導体、プラスチック等から構
成されており、封止剤４０として、２液性のエポキシ系
熱硬化性樹やＵＶ硬化性樹脂等を用いて、基板１０と張
り合わせ封止している。
イミドやアクリル樹脂などから構成されており、基板１
０の上面に所定形状に積層された陽極２１間に形成さ
れ、積層体２０を分割し、複数の発光画素領域２０Ａか
らなる発光画素群を形成している。保護基板５０は、ガ
ラス、金属、シリコン等半導体、プラスチック等から構
成されており、封止剤４０として、２液性のエポキシ系
熱硬化性樹やＵＶ硬化性樹脂等を用いて、基板１０と張
り合わせ封止している。
【００３４】補助陰極６０は、タンタル（Ｔａ）、タン
グステン（Ｗ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、銀
（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等の耐酸化性を有する
導電性材料や、カーボン、クロム等の光吸収性を有する
導電性材料から形成される。特に、補助陰極６０とし
て、耐酸化性を有するタンタルを用いた場合、陰極２４
としてＣａを２〜２０ｎｍ、Ａｌを３ｎｍ程度の膜厚と
することができ、従来の膜厚（Ａｌの場合２００ｎｍ）
に比べ薄くすることができるため、透明性を有する陰極
層２４を用いた場合には、光透過性を向上させることが
可能となる。また、補助陰極６０として、光吸収性を有
する材料を用いた場合には外光を吸収できるため、陰極
層２４側から発光する際には、より高いコントラストを
得ることができる。
グステン（Ｗ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、銀
（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等の耐酸化性を有する
導電性材料や、カーボン、クロム等の光吸収性を有する
導電性材料から形成される。特に、補助陰極６０とし
て、耐酸化性を有するタンタルを用いた場合、陰極２４
としてＣａを２〜２０ｎｍ、Ａｌを３ｎｍ程度の膜厚と
することができ、従来の膜厚（Ａｌの場合２００ｎｍ）
に比べ薄くすることができるため、透明性を有する陰極
層２４を用いた場合には、光透過性を向上させることが
可能となる。また、補助陰極６０として、光吸収性を有
する材料を用いた場合には外光を吸収できるため、陰極
層２４側から発光する際には、より高いコントラストを
得ることができる。
【００３５】次に、第１実施形態に記載の有機ＥＬパネ
ル１００ａの製造方法について説明する。まず、基板１
０の上面に、ＩＴＯなどからなる陽極用の薄膜を、 例え
ばスパッタリング法によって５０ｎｍの膜厚で成膜した
のち、フォトリソグラフィ工程によりパターニング及び
エッチングを行うことによって、所定形状の陽極層２１
を形成する。
ル１００ａの製造方法について説明する。まず、基板１
０の上面に、ＩＴＯなどからなる陽極用の薄膜を、 例え
ばスパッタリング法によって５０ｎｍの膜厚で成膜した
のち、フォトリソグラフィ工程によりパターニング及び
エッチングを行うことによって、所定形状の陽極層２１
を形成する。
【００３６】次いで、画素間隔３０の形成材料であるア
クリル樹脂を陽極層２１のさらに全上面に塗布したの
ち、同様にフォトリソグラフィ工程によりパターニング
及びエッチングを行うことによって、陽極層２１の形成
部位以外の基板１０上面に、高さ１〜２μｍ程度の画素
間隔壁３０を形成する。次いで、画素間隔壁３０の上面
から、補助陰極６０としてタンタルを、 例えばスパッタ
リング法によって１００ｎｍの膜厚で成膜したのち、画
素間隔壁３０と同様のパターンとなるように、フォトリ
ソグラフィ工程によりパターニング及びエッチングを行
うことによって、画素間隔壁３０の上面に補助陰極６０
を形成する。
クリル樹脂を陽極層２１のさらに全上面に塗布したの
ち、同様にフォトリソグラフィ工程によりパターニング
及びエッチングを行うことによって、陽極層２１の形成
部位以外の基板１０上面に、高さ１〜２μｍ程度の画素
間隔壁３０を形成する。次いで、画素間隔壁３０の上面
から、補助陰極６０としてタンタルを、 例えばスパッタ
リング法によって１００ｎｍの膜厚で成膜したのち、画
素間隔壁３０と同様のパターンとなるように、フォトリ
ソグラフィ工程によりパターニング及びエッチングを行
うことによって、画素間隔壁３０の上面に補助陰極６０
を形成する。
【００３７】次いで、画素間隔壁３０で区画された発光
画素領域２０Ａ内に、正孔注入層２２としてバイトロン
（バイエル社製）をスピンコート法などで６０ｎｍの膜
厚で成膜する。ただし、膜厚はこの限りではなく、例え
ば１〜２００ｎｍの範囲を用いることができるが、５０
〜７０ｎｍの範囲がより好ましい。次いで、正孔注入層
２２の上面に、発光層２３として赤、緑、青の発光材料
であるポリフルオレン系の材料をインクジェット法など
で各発光画素領域２０Ａ内にそれぞれ６０ｎｍの膜厚で
成膜する。ただし、膜厚はこの限りではなく、例えば、
１〜２００ｎｍの範囲を用いることができるが、５０〜
８０ｎｍの範囲がより好ましい。ここで、発光層２３と
して、低分子材料を用いる場合には蒸着法等で形成する
ことが望ましい。
画素領域２０Ａ内に、正孔注入層２２としてバイトロン
（バイエル社製）をスピンコート法などで６０ｎｍの膜
厚で成膜する。ただし、膜厚はこの限りではなく、例え
ば１〜２００ｎｍの範囲を用いることができるが、５０
〜７０ｎｍの範囲がより好ましい。次いで、正孔注入層
２２の上面に、発光層２３として赤、緑、青の発光材料
であるポリフルオレン系の材料をインクジェット法など
で各発光画素領域２０Ａ内にそれぞれ６０ｎｍの膜厚で
成膜する。ただし、膜厚はこの限りではなく、例えば、
１〜２００ｎｍの範囲を用いることができるが、５０〜
８０ｎｍの範囲がより好ましい。ここで、発光層２３と
して、低分子材料を用いる場合には蒸着法等で形成する
ことが望ましい。
【００３８】次いで、発光層２３の上方及び画素間隔壁
３０の上方、すなわち基板１０面全体に、陰極層２４と
して金属弗化物、例えば弗化リチウムを全面に２ｎｍの
膜厚で蒸着したのち、順次、Ｃａを２０ｎｍ、Ａｌを３
ｎｍの膜厚で蒸着して形成する。なお、金属弗化物の代
わりに金属酸化物としてもよい。次いで、陰極層２４の
上面に、ガラスからなる保護基板５０を、２液性のエポ
キシ熱硬化性樹脂を用いて、基板１０と張り合わせ封止
する。
３０の上方、すなわち基板１０面全体に、陰極層２４と
して金属弗化物、例えば弗化リチウムを全面に２ｎｍの
膜厚で蒸着したのち、順次、Ｃａを２０ｎｍ、Ａｌを３
ｎｍの膜厚で蒸着して形成する。なお、金属弗化物の代
わりに金属酸化物としてもよい。次いで、陰極層２４の
上面に、ガラスからなる保護基板５０を、２液性のエポ
キシ熱硬化性樹脂を用いて、基板１０と張り合わせ封止
する。
【００３９】上記構成の有機ＥＬパネル１００ａにおい
て、画素間隔壁３０の上面に、同一パターンとなるよう
に補助陰極６０を形成したことによって、発光画素領域
２０Ａの周囲を網羅するように、陰極層２４と補助陰極
６０とからなる厚い導電性膜が形成されるようになるた
め、有機ＥＬパネル１００ａの水平方向に電流が流れる
際の電圧抵抗を極小さくすることができるようになるた
め、全体として均一な発光を得ることが可能となる。 （第２実施形態）図２は、本発明に係る第２実施形態を
示す有機ＥＬパネルの断面図である。図３は、図２にお
ける補助陰極まで形成した状態を示す斜視図である。
て、画素間隔壁３０の上面に、同一パターンとなるよう
に補助陰極６０を形成したことによって、発光画素領域
２０Ａの周囲を網羅するように、陰極層２４と補助陰極
６０とからなる厚い導電性膜が形成されるようになるた
め、有機ＥＬパネル１００ａの水平方向に電流が流れる
際の電圧抵抗を極小さくすることができるようになるた
め、全体として均一な発光を得ることが可能となる。 （第２実施形態）図２は、本発明に係る第２実施形態を
示す有機ＥＬパネルの断面図である。図３は、図２にお
ける補助陰極まで形成した状態を示す斜視図である。
【００４０】第２実施形態における有機ＥＬパネル１０
０ｂは、図３に示すように、第１実施形態における有機
ＥＬパネル１００ａにおいて、補助陰極６０が、画素間
隔壁３０上面における５μｍ幅の周縁部３０Ａ（つま
り、発光画素領域２０Ａ寄りの部分）を除いた内側領域
３０Ｂに形成されており、その５μｍ幅の周縁部３０Ａ
には、撥液処理が施されている。
０ｂは、図３に示すように、第１実施形態における有機
ＥＬパネル１００ａにおいて、補助陰極６０が、画素間
隔壁３０上面における５μｍ幅の周縁部３０Ａ（つま
り、発光画素領域２０Ａ寄りの部分）を除いた内側領域
３０Ｂに形成されており、その５μｍ幅の周縁部３０Ａ
には、撥液処理が施されている。
【００４１】次に、第２実施形態における有機ＥＬパネ
ル１００ｂの製造方法について説明する。まず、第１の
実施形態の製造方法と同様に、基板１０の上面に、陽極
層２１および画素間隔壁３０を形成する。次いで、画素
間隔壁３０の上面から、補助陰極６０としてタンタル
を、 例えばスパッタリング法によって１００ｎｍの厚さ
で成膜したのち、画素間隔壁３０上面における幅５μｍ
の周縁部３０Ａは露出し、その周縁部３０Ａは除いた内
側領域３０Ｂは覆うようにレジストのパターンを形成す
る。そして、エッチングを行うことで、画素間隔壁３０
上面における内側領域３０Ｂのみに補助陰極６０を形成
する。
ル１００ｂの製造方法について説明する。まず、第１の
実施形態の製造方法と同様に、基板１０の上面に、陽極
層２１および画素間隔壁３０を形成する。次いで、画素
間隔壁３０の上面から、補助陰極６０としてタンタル
を、 例えばスパッタリング法によって１００ｎｍの厚さ
で成膜したのち、画素間隔壁３０上面における幅５μｍ
の周縁部３０Ａは露出し、その周縁部３０Ａは除いた内
側領域３０Ｂは覆うようにレジストのパターンを形成す
る。そして、エッチングを行うことで、画素間隔壁３０
上面における内側領域３０Ｂのみに補助陰極６０を形成
する。
【００４２】次いで、画素間隔壁３０上面のうち、補助
陰極６０が形成されていない、画素間隔壁３０の周縁部
３０ＡをＣＦ4 によるプラズマ処理等により撥液化す
る。そして、それぞれの発光画素領域２０Ａに正孔注入
層２２、発光層２３、陰極層２４を順次積層したのち、
第１実施形態と同様の工程を経て、有機ＥＬパネル１０
０ｂを完成させる。
陰極６０が形成されていない、画素間隔壁３０の周縁部
３０ＡをＣＦ4 によるプラズマ処理等により撥液化す
る。そして、それぞれの発光画素領域２０Ａに正孔注入
層２２、発光層２３、陰極層２４を順次積層したのち、
第１実施形態と同様の工程を経て、有機ＥＬパネル１０
０ｂを完成させる。
【００４３】上記構成の有機ＥＬパネル１００ｂにおい
て、画素間隔壁３０の内側領域３０Ｂのみに補助陰極６
０を形成し、発光画素領域２０Ａ寄りの画素間隔壁３０
の周縁部３０Ａを撥液化したことによって、画素間隔壁
３０に囲まれた発光画素領域２０Ａ内に、正孔注入層２
２を形成するための液体材料或いは発光層２３を形成す
るための液体材料の塗布を容易且つ確実に行うことが可
能となる。ここで、図３に示すように、発光画素領域２
０Ａの形状は円形である必要はなく、楕円や多角形、 或
いは後述する図６に示すように、矩形体であっても良
い。 （第３実施形態）図４は、本発明に係る第３実施形態を
示す有機ＥＬパネルの断面図である。
て、画素間隔壁３０の内側領域３０Ｂのみに補助陰極６
０を形成し、発光画素領域２０Ａ寄りの画素間隔壁３０
の周縁部３０Ａを撥液化したことによって、画素間隔壁
３０に囲まれた発光画素領域２０Ａ内に、正孔注入層２
２を形成するための液体材料或いは発光層２３を形成す
るための液体材料の塗布を容易且つ確実に行うことが可
能となる。ここで、図３に示すように、発光画素領域２
０Ａの形状は円形である必要はなく、楕円や多角形、 或
いは後述する図６に示すように、矩形体であっても良
い。 （第３実施形態）図４は、本発明に係る第３実施形態を
示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【００４４】第３実施形態における有機ＥＬパネル１０
０ｃは、図４に示すように、第１実施形態における有機
ＥＬパネル１００ａにおいて、補助陰極６０を、画素間
隔壁３０に対応する陰極層２４の上面に形成している。
次に、第３実施形態における有機ＥＬパネル１００ｃの
製造方法について説明する。
０ｃは、図４に示すように、第１実施形態における有機
ＥＬパネル１００ａにおいて、補助陰極６０を、画素間
隔壁３０に対応する陰極層２４の上面に形成している。
次に、第３実施形態における有機ＥＬパネル１００ｃの
製造方法について説明する。
【００４５】まず、第１実施形態における製造方法と同
様に、基板１０の上面に、陽極層２１及び画素間隔壁３
０を形成したのち、発光画素領域２０Ａ内に、正孔注入
層２２、発光層２３を順次成膜する。次いで、発光層２
３の上方及び画素間隔壁３０の上方、すなわち基板１０
面全体に、陰極層２４を蒸着法などによって成膜する。
様に、基板１０の上面に、陽極層２１及び画素間隔壁３
０を形成したのち、発光画素領域２０Ａ内に、正孔注入
層２２、発光層２３を順次成膜する。次いで、発光層２
３の上方及び画素間隔壁３０の上方、すなわち基板１０
面全体に、陰極層２４を蒸着法などによって成膜する。
【００４６】次いで、同様に、陰極層２４の上面に補助
陰極６０を形成するタンタルを蒸着したのち、フォトリ
ソグラフィ工程によりパターニング及びエッチングを行
うことによって、画素間隔壁３０に対応する陰極層２４
の上面に補助陰極６０を形成する。そして、第１の実施
形態と同様の工程を経て、有機ＥＬパネル１００ｃを完
成させる。
陰極６０を形成するタンタルを蒸着したのち、フォトリ
ソグラフィ工程によりパターニング及びエッチングを行
うことによって、画素間隔壁３０に対応する陰極層２４
の上面に補助陰極６０を形成する。そして、第１の実施
形態と同様の工程を経て、有機ＥＬパネル１００ｃを完
成させる。
【００４７】上記構成の有機ＥＬパネル１００ｃにおい
て、陰極層２４を形成した後に補助陰極６０を形成する
ようにしたことによって、補助陰極６０のパターニング
は画素間隔壁３０と同一にする必要がないため自由な設
計ができるとともに、膜厚も厚く形成することができ
る。また、画素間隔壁３０の上の陰極層２４の上面に接
するように補助陰極６０を形成するようにすれば、補助
陰極６０を後付けすることが出来るようになるため、補
助陰極６０に様々な材料を用いることが出来、その材料
特有の効果を付与することが出来る。
て、陰極層２４を形成した後に補助陰極６０を形成する
ようにしたことによって、補助陰極６０のパターニング
は画素間隔壁３０と同一にする必要がないため自由な設
計ができるとともに、膜厚も厚く形成することができ
る。また、画素間隔壁３０の上の陰極層２４の上面に接
するように補助陰極６０を形成するようにすれば、補助
陰極６０を後付けすることが出来るようになるため、補
助陰極６０に様々な材料を用いることが出来、その材料
特有の効果を付与することが出来る。
【００４８】さらに、発光画素領域２０Ａ内に、正孔注
入層２２、発光層２３を塗布した後に補助陰極６０を形
成するため、発光画素領域２０Ａと隣接する画素間隔壁
３０の周囲に撥水処理を施す必要がなくなる。 (第４実施形態）図５は、本発明に係る第４実施形態に
おける有機ＥＬパネルを示す断面図である。図６は、本
発明に係る第４実施形態における有機ＥＬパネルを示す
平面図である。
入層２２、発光層２３を塗布した後に補助陰極６０を形
成するため、発光画素領域２０Ａと隣接する画素間隔壁
３０の周囲に撥水処理を施す必要がなくなる。 (第４実施形態）図５は、本発明に係る第４実施形態に
おける有機ＥＬパネルを示す断面図である。図６は、本
発明に係る第４実施形態における有機ＥＬパネルを示す
平面図である。
【００４９】本実施形態における有機ＥＬパネル１００
ｄは、図５に示すように、第１実施形態における有機Ｅ
Ｌパネル１００ａにおいて、画素間隔壁３０及び発光層
２３の画素間隔壁３０寄りの縁部が、絶縁層３０ａの上
面に形成されているものである。この絶縁層３０ａに
は、画素間隔壁３０の下面から発光画素領域２０Ａ内部
に向かって狭くなるテーパー状の傾斜が形成されてい
る。
ｄは、図５に示すように、第１実施形態における有機Ｅ
Ｌパネル１００ａにおいて、画素間隔壁３０及び発光層
２３の画素間隔壁３０寄りの縁部が、絶縁層３０ａの上
面に形成されているものである。この絶縁層３０ａに
は、画素間隔壁３０の下面から発光画素領域２０Ａ内部
に向かって狭くなるテーパー状の傾斜が形成されてい
る。
【００５０】本実施の形態における有機ＥＬ素子１００
ｄの製造方法は、まず、第１実施形態と同様に、基板１
０の上面に所定形状を有する陽極層２１を積層したの
ち、その上面に、ＳｉＯ2 からなる絶縁層３０ａを、例
えば、プラズマＣＶＤ法などにより１５０ｎｍの厚さで
成膜する。ただし、膜厚はこの限りではなく、例えば、
５０〜２００ｎｍの範囲が好ましい。
ｄの製造方法は、まず、第１実施形態と同様に、基板１
０の上面に所定形状を有する陽極層２１を積層したの
ち、その上面に、ＳｉＯ2 からなる絶縁層３０ａを、例
えば、プラズマＣＶＤ法などにより１５０ｎｍの厚さで
成膜する。ただし、膜厚はこの限りではなく、例えば、
５０〜２００ｎｍの範囲が好ましい。
【００５１】次いで、発光層２３の形成領域のうち画素
間隔壁３０寄りの縁部を除いた内側領域は覆い、画素間
隔壁３０の形成領域と、発光層２３の形成領域のうち画
素間隔壁３０寄りの縁部とは露出させるとともに、画素
間隔壁３０側から発光領域２０Ａの内部に向かって狭ま
るテーパ状の斜面が形成されるように、レジストのパタ
ーンを形成する。そして、エッチングを行うことで、画
素間隔壁３０の形成領域及び発光層２３の形成領域のう
ち画素間隔壁３０寄りの縁部に、絶縁層３０ａを形成す
る。
間隔壁３０寄りの縁部を除いた内側領域は覆い、画素間
隔壁３０の形成領域と、発光層２３の形成領域のうち画
素間隔壁３０寄りの縁部とは露出させるとともに、画素
間隔壁３０側から発光領域２０Ａの内部に向かって狭ま
るテーパ状の斜面が形成されるように、レジストのパタ
ーンを形成する。そして、エッチングを行うことで、画
素間隔壁３０の形成領域及び発光層２３の形成領域のう
ち画素間隔壁３０寄りの縁部に、絶縁層３０ａを形成す
る。
【００５２】次いで、この絶縁層３０ａの上面に、画素
間隔壁３０と、発光層２３の画素間隔壁３０寄りの縁部
とが形成されるように、第一実施形態と同様の工程を行
い、有機ＥＬパネル１００ｄを完成させる。上記構成の
有機ＥＬパネル１００ｄにおいて、画素間隔壁３０と、
発光層２３の画素間隔壁３０寄りの縁部とを絶縁層３０
ａの上面に形成したことによって、例えば、インクジェ
ット法によって発光層２３を発光画素領域２０Ａ内に凹
状となるように形成する際に、発光層２３の厚さの違い
を見かけ上緩衝することが可能となる。つまり、凹状に
形成される発光画素領域２０Ａの周縁部と中央部との厚
みを見かけ上均一にすることで、厚みによって異なる色
の発光を均一にすることができるようになる。同様に、
インクジェット法によって、 発光層２３を発光画素領域
２０Ａ内へ凸状となるように形成する際に、その発光層
２３の厚みが小さな周縁部からの電極間のショートを抑
制することが可能となる。
間隔壁３０と、発光層２３の画素間隔壁３０寄りの縁部
とが形成されるように、第一実施形態と同様の工程を行
い、有機ＥＬパネル１００ｄを完成させる。上記構成の
有機ＥＬパネル１００ｄにおいて、画素間隔壁３０と、
発光層２３の画素間隔壁３０寄りの縁部とを絶縁層３０
ａの上面に形成したことによって、例えば、インクジェ
ット法によって発光層２３を発光画素領域２０Ａ内に凹
状となるように形成する際に、発光層２３の厚さの違い
を見かけ上緩衝することが可能となる。つまり、凹状に
形成される発光画素領域２０Ａの周縁部と中央部との厚
みを見かけ上均一にすることで、厚みによって異なる色
の発光を均一にすることができるようになる。同様に、
インクジェット法によって、 発光層２３を発光画素領域
２０Ａ内へ凸状となるように形成する際に、その発光層
２３の厚みが小さな周縁部からの電極間のショートを抑
制することが可能となる。
【００５３】ここで、補助陰極６０は、図５（Ａ）に示
すように、画素間隔壁３０の上面、つまり、陰極層２４
の下面に形成してもよいし、図５（Ｂ）に示すように、
画素間隔壁３０に対応する陰極層２４の上面に形成して
もよい。また、補助陰極６０の形成部位は、図６（Ａ）
に示すように、発光画素領域２０Ａ以外の全画素間隔壁
３０の上面をカバーしてもよいし、 (ｂ) に示すよう
に、発光画素領域２０Ａ間の所定の位置に形成するよう
にしても構わない。
すように、画素間隔壁３０の上面、つまり、陰極層２４
の下面に形成してもよいし、図５（Ｂ）に示すように、
画素間隔壁３０に対応する陰極層２４の上面に形成して
もよい。また、補助陰極６０の形成部位は、図６（Ａ）
に示すように、発光画素領域２０Ａ以外の全画素間隔壁
３０の上面をカバーしてもよいし、 (ｂ) に示すよう
に、発光画素領域２０Ａ間の所定の位置に形成するよう
にしても構わない。
【００５４】(第５実施形態）図７は、本発明に係る第
５実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。本実
施形態における有機ＥＬパネル１００ｅは、第１実施形
態における有機ＥＬパネル１００ａにおいて、基板１０
上に形成した画素間隔壁３０の下面に、各画素に対応す
るＴＦＴ７０が、アクティブマトリックス方式で具備さ
れている。なお、陽極層２１としては、ＩＴＯにより形
成された透明陽極が形成されており、本実施形態におけ
る有機ＥＬパネル１００ｅは、基板１０側からの発光が
得られる。
５実施形態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。本実
施形態における有機ＥＬパネル１００ｅは、第１実施形
態における有機ＥＬパネル１００ａにおいて、基板１０
上に形成した画素間隔壁３０の下面に、各画素に対応す
るＴＦＴ７０が、アクティブマトリックス方式で具備さ
れている。なお、陽極層２１としては、ＩＴＯにより形
成された透明陽極が形成されており、本実施形態におけ
る有機ＥＬパネル１００ｅは、基板１０側からの発光が
得られる。
【００５５】本実施の形態における有機ＥＬパネル１０
０ｅの製造方法は、基板１０の上面に、各画素毎にＴＦ
Ｔ７０を形成した後、その上面に第１の実施形態と同様
に、積層体２０及び画素間隔壁３０、保護板５０を形成
し、有機ＥＬパネル１００ｅを完成させる。上記構成の
有機ＥＬパネル１００ｅにおいて、画素間隔壁３０の下
面に、各画素に対応するＴＦＴ７０を配置したことによ
って、基板１０側から発光を得る際に発光層２３の面積
がＴＦＴ７０によって制限されないため、発光効率を向
上させることが可能となる。
０ｅの製造方法は、基板１０の上面に、各画素毎にＴＦ
Ｔ７０を形成した後、その上面に第１の実施形態と同様
に、積層体２０及び画素間隔壁３０、保護板５０を形成
し、有機ＥＬパネル１００ｅを完成させる。上記構成の
有機ＥＬパネル１００ｅにおいて、画素間隔壁３０の下
面に、各画素に対応するＴＦＴ７０を配置したことによ
って、基板１０側から発光を得る際に発光層２３の面積
がＴＦＴ７０によって制限されないため、発光効率を向
上させることが可能となる。
【００５６】ここで、ＴＦＴ７０は、本実施形態のよう
に画素間隔壁３０の下面に配置されることが好適ではあ
るが、例えば、基板１０側に発光する場合に、発光画素
領域２０Ａの下面にＴＦＴ７０が配置されたとしても、
補助陰極６０によって水平方向に電流が流れる際の電圧
降下を極小さくすることが可能となるため、駆動電圧を
上げることなく、高い輝度及び発光効率を得ることが可
能である。 （第６実施形態）図８は、本発明に係る第６実施形態を
示す有機ＥＬパネルの断面図である。
に画素間隔壁３０の下面に配置されることが好適ではあ
るが、例えば、基板１０側に発光する場合に、発光画素
領域２０Ａの下面にＴＦＴ７０が配置されたとしても、
補助陰極６０によって水平方向に電流が流れる際の電圧
降下を極小さくすることが可能となるため、駆動電圧を
上げることなく、高い輝度及び発光効率を得ることが可
能である。 （第６実施形態）図８は、本発明に係る第６実施形態を
示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【００５７】本実施形態に係る有機ＥＬパネル１００ｆ
は、第５実施形態における有機ＥＬパネル１００ｅにお
いて、基板１０上に形成した発光画素領域２０Ａの下面
に、各画素に対応するＴＦＴ７０が、アクティブマトリ
ックス方式で具備されている。ここで、陰極層２４は、
ＩＴＯを薄膜化することにより透明性を有しているの
で、基板１０とは反対側（つまり、陰極層２４側）に発
光を得る。ここで、 薄膜化し形成することにより透明性
を有する陰極層２４の材料としては、金、銀、銅、カル
シウム、マグネシウム、セシウム、ストロンチウム、ル
ビジウムなどの金属材料や、例えばマグネシウムと銀や
アルミニウムとリチウムなど、これら各金属の合金を適
用することができる。また、基板１０としては、シリコ
ンウエハーなどの半導体基板や反射性を有する基板など
が用いられる。
は、第５実施形態における有機ＥＬパネル１００ｅにお
いて、基板１０上に形成した発光画素領域２０Ａの下面
に、各画素に対応するＴＦＴ７０が、アクティブマトリ
ックス方式で具備されている。ここで、陰極層２４は、
ＩＴＯを薄膜化することにより透明性を有しているの
で、基板１０とは反対側（つまり、陰極層２４側）に発
光を得る。ここで、 薄膜化し形成することにより透明性
を有する陰極層２４の材料としては、金、銀、銅、カル
シウム、マグネシウム、セシウム、ストロンチウム、ル
ビジウムなどの金属材料や、例えばマグネシウムと銀や
アルミニウムとリチウムなど、これら各金属の合金を適
用することができる。また、基板１０としては、シリコ
ンウエハーなどの半導体基板や反射性を有する基板など
が用いられる。
【００５８】上記構成を有する有機ＥＬパネル１００ｆ
において、陰極層２４側に発光が得られるため、基板１
０上のＴＦＴ７０によって発光画素領域２０Ａ内の開口
部は制限を受けることがない。よって、従来の開口率３
０％に比べ開口率を７０％まで高めることができるた
め、輝度を高くすることが可能となる。また、補助陰極
６０を形成していることによって、駆動電圧を抑制する
ことができるため、有機ＥＬ素子に掛かる負担が減り寿
命も長くなる。
において、陰極層２４側に発光が得られるため、基板１
０上のＴＦＴ７０によって発光画素領域２０Ａ内の開口
部は制限を受けることがない。よって、従来の開口率３
０％に比べ開口率を７０％まで高めることができるた
め、輝度を高くすることが可能となる。また、補助陰極
６０を形成していることによって、駆動電圧を抑制する
ことができるため、有機ＥＬ素子に掛かる負担が減り寿
命も長くなる。
【００５９】さらに、補助陰極６０を用いることによっ
て、透明性を有する陰極層２４を用いる場合、補助陰極
６０を用いない場合に比べて膜厚をさらに薄くすること
ができるため、透過率が高く、より輝度の高い発光を得
ることが可能となる。さらに、補助陰極６０として、光
吸収性を有するカーボンやクロムを用いるようにすれ
ば、陰極層２４側から発光する際に外光の反射率が抑え
られコントラストを向上させることが可能となる。 （第７実施形態）図９は、本発明に係る第７実施形態を
示す有機ＥＬパネルの断面図である。
て、透明性を有する陰極層２４を用いる場合、補助陰極
６０を用いない場合に比べて膜厚をさらに薄くすること
ができるため、透過率が高く、より輝度の高い発光を得
ることが可能となる。さらに、補助陰極６０として、光
吸収性を有するカーボンやクロムを用いるようにすれ
ば、陰極層２４側から発光する際に外光の反射率が抑え
られコントラストを向上させることが可能となる。 （第７実施形態）図９は、本発明に係る第７実施形態を
示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【００６０】本実施の形態における有機ＥＬパネル１０
０ｇは、 第１実施形態における有機ＥＬパネル１００ａ
において、保護基板５０の陰極層２４との接触面に、画
素間隔壁３０の上面と対応するように光吸収層５１が形
成されている。この保護基板５０は、第１の実施形態と
同様に、陰極層２４の上面に封止剤４０を介して封止さ
れている。
０ｇは、 第１実施形態における有機ＥＬパネル１００ａ
において、保護基板５０の陰極層２４との接触面に、画
素間隔壁３０の上面と対応するように光吸収層５１が形
成されている。この保護基板５０は、第１の実施形態と
同様に、陰極層２４の上面に封止剤４０を介して封止さ
れている。
【００６１】上記構成の有機ＥＬパネル１００ｇにおい
て、画素間隔壁３０の上方に、補助陰極６０のみなら
ず、光吸収層５１を形成したことによって、陰極層２４
側から発光する際に、水平方向に電流が流れる際の電圧
降下を極小さくできることで均一な発光が得られるだけ
でなく、外光の反射を抑制させて高いコントラストを得
ることが可能となる。 （第８実施形態）図１０は、本発明に係る第８の実施形
態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
て、画素間隔壁３０の上方に、補助陰極６０のみなら
ず、光吸収層５１を形成したことによって、陰極層２４
側から発光する際に、水平方向に電流が流れる際の電圧
降下を極小さくできることで均一な発光が得られるだけ
でなく、外光の反射を抑制させて高いコントラストを得
ることが可能となる。 （第８実施形態）図１０は、本発明に係る第８の実施形
態を示す有機ＥＬパネルの断面図である。
【００６２】本実施の形態における有機ＥＬパネル１０
０ｈは、第１の実施形態における有機ＥＬパネル１００
ａにおいて、陽極層２１及び補助陰極６０を同一の導電
性薄膜を積層することで形成している。本実施の形態に
おける有機ＥＬパネル１００ｈの製造方法は、第１実施
形態と同様に、基板１０上に陽極層２１としてＩＴＯを
１５０ｎｍの厚さでスパッタリング法などにより成膜
し、フォトリソグラフィ工程によりパターニングする。
次いで、さらにその全面にポリイミドを塗布した後、パ
ターニングして画素間隔壁３０を形成する。
０ｈは、第１の実施形態における有機ＥＬパネル１００
ａにおいて、陽極層２１及び補助陰極６０を同一の導電
性薄膜を積層することで形成している。本実施の形態に
おける有機ＥＬパネル１００ｈの製造方法は、第１実施
形態と同様に、基板１０上に陽極層２１としてＩＴＯを
１５０ｎｍの厚さでスパッタリング法などにより成膜
し、フォトリソグラフィ工程によりパターニングする。
次いで、さらにその全面にポリイミドを塗布した後、パ
ターニングして画素間隔壁３０を形成する。
【００６３】次いで、さらにその全面に、ＩＴＯから形
成される透明性薄膜を１０ｎｍの膜厚でスパッタリング
する。このとき、基板１０上に突出して形成されている
画素間隔壁３０の上面に積層されるＩＴＯ薄膜は補助陰
極６０として形成され、画素間隔壁３０間に形成されて
いる凹部に積層されるＩＴＯ薄膜は陽極層２１として形
成される。
成される透明性薄膜を１０ｎｍの膜厚でスパッタリング
する。このとき、基板１０上に突出して形成されている
画素間隔壁３０の上面に積層されるＩＴＯ薄膜は補助陰
極６０として形成され、画素間隔壁３０間に形成されて
いる凹部に積層されるＩＴＯ薄膜は陽極層２１として形
成される。
【００６４】次いで、第１実施形態と同様に手順で、画
素間隔壁３０で区画された発光画素領域２０Ａ内に正孔
注入層２２、発光層２３、 陰極層２４と順次積層し、封
止剤４０を介して保護板５０で封止されることで、有機
ＥＬパネル１００ｈを完成させる。上記構成の有機ＥＬ
パネル１００ｈにおいて、補助陰極６０のパターニング
におけるマスク蒸着法やフォトリソグラフィ工程が必要
ではないため、生産性を向上させることが可能となる。
素間隔壁３０で区画された発光画素領域２０Ａ内に正孔
注入層２２、発光層２３、 陰極層２４と順次積層し、封
止剤４０を介して保護板５０で封止されることで、有機
ＥＬパネル１００ｈを完成させる。上記構成の有機ＥＬ
パネル１００ｈにおいて、補助陰極６０のパターニング
におけるマスク蒸着法やフォトリソグラフィ工程が必要
ではないため、生産性を向上させることが可能となる。
【００６５】ここで、全面にスパッタリングするＩＴＯ
の他に薄膜化することにより透明性を有する材料を蒸着
して用いることも可能である。上記第１〜８の実施形態
において、有機ＥＬ装置の一例として有機ＥＬパネル１
００ａ〜１００ｈについて説明したが、有機ＥＬ装置と
してはこれに限らず、照明などの機器に適用することも
可能である。 （第９実施形態）図１１は、 本発明に係る有機ＥＬ装置
を表示体として備えた有機ＥＬ表示装置（ディスプレ
イ）の断面図である。
の他に薄膜化することにより透明性を有する材料を蒸着
して用いることも可能である。上記第１〜８の実施形態
において、有機ＥＬ装置の一例として有機ＥＬパネル１
００ａ〜１００ｈについて説明したが、有機ＥＬ装置と
してはこれに限らず、照明などの機器に適用することも
可能である。 （第９実施形態）図１１は、 本発明に係る有機ＥＬ装置
を表示体として備えた有機ＥＬ表示装置（ディスプレ
イ）の断面図である。
【００６６】本実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ２
００は、シリコン基板上に第１〜第８のいずれかの実施
形態に記載の有機ＥＬパネル１００ａ〜１００ｈで構成
される表示部２０１の他に、Ｘドライバー２０２、Ｙド
ライバー２０３、コントローラ２０４、トランジスタ
（図示しない）、 電源回路２０５、電子回路２０６等の
集積回路を形成している。ここで、データ線Ｘと走査線
Ｙとの交点に画素回路が設けられており、Ｘドライバー
２０２によってデータ線を駆動し、Ｙドライバー２０３
によって走査線Ｙを駆動している。
００は、シリコン基板上に第１〜第８のいずれかの実施
形態に記載の有機ＥＬパネル１００ａ〜１００ｈで構成
される表示部２０１の他に、Ｘドライバー２０２、Ｙド
ライバー２０３、コントローラ２０４、トランジスタ
（図示しない）、 電源回路２０５、電子回路２０６等の
集積回路を形成している。ここで、データ線Ｘと走査線
Ｙとの交点に画素回路が設けられており、Ｘドライバー
２０２によってデータ線を駆動し、Ｙドライバー２０３
によって走査線Ｙを駆動している。
【００６７】上記構成の有機ＥＬディスプレイ２００
を、携帯電話、ＰＤＡ、携帯型ゲーム機などに搭載する
場合、半導体基板上に全て形成できるため、これらの装
置を小型かつ薄型にすることができる。ここで、 本実施
の形態において、有機ＥＬ装置を適用した電子機器の一
例として、有機ＥＬディスプレイ２００について説明し
たが、その他、モバイル型のパーソナルコンピュータ、
携帯電話、ディジタルスチルカメラ等に適用した実施例
として、図１２〜図１４を参照して説明する。
を、携帯電話、ＰＤＡ、携帯型ゲーム機などに搭載する
場合、半導体基板上に全て形成できるため、これらの装
置を小型かつ薄型にすることができる。ここで、 本実施
の形態において、有機ＥＬ装置を適用した電子機器の一
例として、有機ＥＬディスプレイ２００について説明し
たが、その他、モバイル型のパーソナルコンピュータ、
携帯電話、ディジタルスチルカメラ等に適用した実施例
として、図１２〜図１４を参照して説明する。
【００６８】図１２は、モバイル型のパーソナルコンピ
ュータの構成を示す斜視図である。図１２において、パ
ーソナルコンピュータ３００は、キーボード３０１を備
えた本体部３０２と、前述の有機ＥＬディスプレイ２０
０からなる表示ユニット３０３とから構成されている。
図１３は、携帯電話の斜視図である。図１３において、
携帯電話４００は、複数の操作ボタン４０１の他、受話
口４０２、送話口４０３と共に、前述の有機ＥＬディス
プレイ２００からなる表示パネル４０４を備えている。
ュータの構成を示す斜視図である。図１２において、パ
ーソナルコンピュータ３００は、キーボード３０１を備
えた本体部３０２と、前述の有機ＥＬディスプレイ２０
０からなる表示ユニット３０３とから構成されている。
図１３は、携帯電話の斜視図である。図１３において、
携帯電話４００は、複数の操作ボタン４０１の他、受話
口４０２、送話口４０３と共に、前述の有機ＥＬディス
プレイ２００からなる表示パネル４０４を備えている。
【００６９】図１４は、ディジタルスチルカメラの構成
を示す斜視図である。なお、外部機器との接続について
も簡易的に示している。通常のカメラは、被写体の光像
によってフィルムを感光するのに対し、ディジタルスチ
ルカメラ５００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge cou
pled device)等の撮像素子により光電変換して撮像信号
を生成するものである。ここで、ディジタルスチルカメ
ラ５００におけるケース５０１の背面には、前述した有
機ＥＬディスプレイ２００からなる表示パネル５０２が
設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて、表示を行
う構成となっている。このため、表示パネル５０２は、
被写体を表示するファイダとして機能する。また、５０
１の観察側（図においては裏面側）には、光学レンズや
ＣＣＤ等を含んだ受光ユニット５０３が設けられてい
る。
を示す斜視図である。なお、外部機器との接続について
も簡易的に示している。通常のカメラは、被写体の光像
によってフィルムを感光するのに対し、ディジタルスチ
ルカメラ５００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge cou
pled device)等の撮像素子により光電変換して撮像信号
を生成するものである。ここで、ディジタルスチルカメ
ラ５００におけるケース５０１の背面には、前述した有
機ＥＬディスプレイ２００からなる表示パネル５０２が
設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて、表示を行
う構成となっている。このため、表示パネル５０２は、
被写体を表示するファイダとして機能する。また、５０
１の観察側（図においては裏面側）には、光学レンズや
ＣＣＤ等を含んだ受光ユニット５０３が設けられてい
る。
【００７０】ここで、撮影者が表示パネル５０２に表示
された被写体像を確認して、シャッタボタン５０４を押
下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路
基板５０５のメモリに転送・格納される。また、このデ
ィジタルスチルカメラ５００にあっては、ケース５０１
の側面にビデオ信号出力端子５０６と、データ通信用の
入出力端子５０７とが設けられている。そして、図に示
されるように、前者のビデオ信号出力端子５０６には、
テレビモニタ６００が、また、後者のデータ通信用の入
出力端子５０７にはパーソナルコンピュータ７００が、
それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作
によって、回路基板３１０のメモリに格納された撮像信
号が、テレビモニタ６００や、パーソナルコンピュータ
７００に出力される構成となっている。
された被写体像を確認して、シャッタボタン５０４を押
下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路
基板５０５のメモリに転送・格納される。また、このデ
ィジタルスチルカメラ５００にあっては、ケース５０１
の側面にビデオ信号出力端子５０６と、データ通信用の
入出力端子５０７とが設けられている。そして、図に示
されるように、前者のビデオ信号出力端子５０６には、
テレビモニタ６００が、また、後者のデータ通信用の入
出力端子５０７にはパーソナルコンピュータ７００が、
それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作
によって、回路基板３１０のメモリに格納された撮像信
号が、テレビモニタ６００や、パーソナルコンピュータ
７００に出力される構成となっている。
【００７１】なお、電子機器としては、図１２のパーソ
ナルコンピュータ３００や、図１３の携帯電話４００、
図１４のディジタルスチルカメラ５００の他にも、テレ
ビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープ
レコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手
帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テ
レビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等を
挙げることができる。ここで、上記各種電子機器の表示
部として、上述した有機ＥＬディスプレイ２００を適用
することが可能である。
ナルコンピュータ３００や、図１３の携帯電話４００、
図１４のディジタルスチルカメラ５００の他にも、テレ
ビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープ
レコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手
帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テ
レビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等を
挙げることができる。ここで、上記各種電子機器の表示
部として、上述した有機ＥＬディスプレイ２００を適用
することが可能である。
【００７２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明における有
機エレクトロルミネッセンス装置によれば、少なくとも
陰極の上面或いは下面に接するように補助陰極を形成し
たことによって、水平方向に電流が流れる際の電圧降下
を極小さくすることができるため、均一な発光を得るこ
とが可能となる。よって、ＴＦＴなどを用いたアクティ
ブマトリックス方式で駆動させる等、発光画素領域の開
口率に制限がある場合であっても、駆動電圧を上げるこ
となく、高輝度と高発光効率を提供することが可能とな
る。
機エレクトロルミネッセンス装置によれば、少なくとも
陰極の上面或いは下面に接するように補助陰極を形成し
たことによって、水平方向に電流が流れる際の電圧降下
を極小さくすることができるため、均一な発光を得るこ
とが可能となる。よって、ＴＦＴなどを用いたアクティ
ブマトリックス方式で駆動させる等、発光画素領域の開
口率に制限がある場合であっても、駆動電圧を上げるこ
となく、高輝度と高発光効率を提供することが可能とな
る。
【００７３】また、補助陰極によって、水平方向に電流
が流れる際の電圧降下を極小さくできるため、陰極自体
を薄くすることが可能となる。よって、 薄膜化すること
により透明性を有する陰極を用いた場合に、光透過率を
さらに向上させることが可能となる。本発明における有
機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法によれば、
本発明における有機エレクトロルミネッセンス装置を容
易に製造することが可能となる。本発明における電子機
器によれば、本発明における有機エレクトロルミネッセ
ンス装置を備えたことによって、光透過率及び発光効率
が良好で、且つ、小型化を実現させることが可能とな
る。
が流れる際の電圧降下を極小さくできるため、陰極自体
を薄くすることが可能となる。よって、 薄膜化すること
により透明性を有する陰極を用いた場合に、光透過率を
さらに向上させることが可能となる。本発明における有
機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法によれば、
本発明における有機エレクトロルミネッセンス装置を容
易に製造することが可能となる。本発明における電子機
器によれば、本発明における有機エレクトロルミネッセ
ンス装置を備えたことによって、光透過率及び発光効率
が良好で、且つ、小型化を実現させることが可能とな
る。
【図１】本発明に係る第１の実施形態を示す有機ＥＬパ
ネルの断面図である。
ネルの断面図である。
【図２】本発明に係る第２の実施形態を示す有機ＥＬパ
ネルの断面図である。
ネルの断面図である。
【図３】図２における補助陰極まで形成した斜視図であ
る。
る。
【図４】本発明に係る第３の実施形態を示す有機ＥＬパ
ネルの断面図である。
ネルの断面図である。
【図５】本発明に係る第４の実施形態を示す有機ＥＬパ
ネルの断面図である。
ネルの断面図である。
【図６】本発明に係る第４の実施形態を示す有機ＥＬパ
ネルの平面図である。
ネルの平面図である。
【図７】本発明に係る第５の実施形態を示す有機ＥＬパ
ネルの断面図である。
ネルの断面図である。
【図８】本発明に係る第６の実施形態を示す有機ＥＬパ
ネルの断面図である。
ネルの断面図である。
【図９】本発明に係る第７の実施形態を示す有機ＥＬパ
ネルの断面図である。
ネルの断面図である。
【図１０】本発明に係る第８の実施形態を示す有機ＥＬ
パネルの断面図である。
パネルの断面図である。
【図１１】本発明に係る第９の実施形態を示す有機ＥＬ
ディスプレイの平面図である。
ディスプレイの平面図である。
【図１２】モバイル型のパーソナルコンピュータの構成
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図１３】携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図１４】ディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図
である。
である。
１０ 基板
２０ 積層体
２０Ａ 発光画素領域（発光領域）
２１ 陽極層
２２ 正孔注入層
２３ 発光層
２４ 陰極層
３０ 画素間隔壁（発光領域間隔壁）
３０Ａ 周縁領域
３０Ｂ 内側領域
３０ａ 絶縁層
４０ 封止剤
５０ 保護板
５１ 光吸収層
６０ 補助陰極
７０ ＴＦＴ
１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ，１００ｅ，
１００ｆ，１００ｇ，１００ｈ 有機ＥＬパネル (有機
エレクトロルミネッセンス装置） ２００ 有機ＥＬディスプレイ (電子機器） ２０１ 表示部 ２０２ Ｘドライバー ２０３ Ｙドライバー ２０４ コントローラ ２０５ 電子回路 ２０６ 電源回路 ３００ パーソナルコンピュータ（電子機器） ３０１ キーボード ３０２ 本体部 ３０３ 表示ユニット ４００ 携帯電話（電子機器） ４０１ 操作ボタン ４０２ 受話口 ４０３ 送話口 ４０４ 表示パネル ５００ ディジタルスチルカメラ（電子機器） ５０１ ケース ５０２ 表示パネル ５０３ 受光ユニット ５０４ シャッタボタン ５０５ 回路基板 ５０６ ビデオ信号出力端子 ５０７ データ通信用の入出力端子５０７ ６００ テレビモニタ ７００ パーソナルコンピュータ
１００ｆ，１００ｇ，１００ｈ 有機ＥＬパネル (有機
エレクトロルミネッセンス装置） ２００ 有機ＥＬディスプレイ (電子機器） ２０１ 表示部 ２０２ Ｘドライバー ２０３ Ｙドライバー ２０４ コントローラ ２０５ 電子回路 ２０６ 電源回路 ３００ パーソナルコンピュータ（電子機器） ３０１ キーボード ３０２ 本体部 ３０３ 表示ユニット ４００ 携帯電話（電子機器） ４０１ 操作ボタン ４０２ 受話口 ４０３ 送話口 ４０４ 表示パネル ５００ ディジタルスチルカメラ（電子機器） ５０１ ケース ５０２ 表示パネル ５０３ 受光ユニット ５０４ シャッタボタン ５０５ 回路基板 ５０６ ビデオ信号出力端子 ５０７ データ通信用の入出力端子５０７ ６００ テレビモニタ ７００ パーソナルコンピュータ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ
33/22 33/22 Ｚ
Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB05 AB17 AB18 BA06
BB07 CB01 CB03 CB04 DB03
EB00 FA01 FA02 GA04
5C094 AA04 AA07 AA10 AA15 AA24
AA43 AA48 AA53 AA55 BA03
BA27 CA19 DA09 DA13 DB01
DB04 EA04 EA10 FA01 FA02
FB01 FB02 FB12 GB10
5G435 AA01 AA03 AA16 AA17 AA18
BB05 CC09 HH01 HH20 KK05
Claims (24)
- 【請求項１】 基板上に積層され、陰極と陽極との間に
配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体か
らなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光領
域を備えた発光領域群を形成してなり、 少なくとも前記陰極の上面或いは下面に接するように、
補助陰極が形成されてなることを特徴とする有機エレク
トロルミネッセンス装置。 - 【請求項２】 前記補助陰極が、前記発光領域間に形成
されてなることを特徴とする請求項１に記載の有機エレ
クトロルミネッセンス装置。 - 【請求項３】 前記補助陰極が、前記陰極における前記
発光領域間隔壁上に積層された部分に接するように形成
されてなることを特徴とする請求項１又は２に記載の有
機エレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項４】 前記補助陰極が、前記発光領域間隔壁と
実質的に同一パターンで形成されてなることを特徴とす
る請求項２又は３に記載の有機エレクトロルミネッセン
ス装置。 - 【請求項５】 前記補助陰極が、前記発光領域間隔壁の
上面における前記発光領域寄りの縁部を除いた内側領域
のみに形成されてなるとともに、前記補助陰極の形成さ
れていない前記発光領域間隔壁の上面には、撥液処理が
施されてなることを特徴とする請求項２又は３に記載の
有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項６】 前記補助陰極が、耐酸化性を有する導電
性材料からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれ
かに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項７】 前記補助陰極が、タンタル（Ｔａ）、タ
ングステン（Ｗ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、銀
（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）のいずれか、 或いはこ
れら各金属の合金からなることを特徴とする請求項６に
記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項８】 前記補助陰極が、光吸収性を有する導電
性材料からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれ
かに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項９】 前記補助陰極が、カーボンまたはクロム
からなることを特徴とする請求項８に記載の有機エレク
トロルミネッセンス装置。 - 【請求項１０】 前記陽極が、少なくとも一種類の金属
を薄膜化することにより透明性を有する導電性材料から
なることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の
有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項１１】 前記陰極が、少なくとも一種類の金属
を薄膜化することにより透明性を有する導電性材料から
なることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載
の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項１２】 前記陰極が、少なくとも一種類の導電
性材料と、金属酸化物または金属弗化物との積層からな
ることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の
有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項１３】 前記発光領域間隔壁と、前記発光性有
機層の前記発光領域間隔壁寄りの縁部とが、絶縁性膜の
上に形成されてなることを特徴とする請求項１〜１２の
いずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項１４】 前記基板の上面に、アクティブマトリ
ックス式の駆動回路を形成するＴＦＴを備えたことを特
徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の有機エレク
トロルミネッセンス装置。 - 【請求項１５】 前記ＴＦＴが、前記発光領域間隔壁の
下に形成されてなることを特徴とする請求項１４に記載
の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項１６】 前記基板として集積回路を形成した半
導体基板を用いたことを特徴とする請求項１４又は１５
に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項１７】 前記陰極或いは前記補助陰極のさらに
上面に、前記発光領域間隔壁と対応する部分に光吸収性
層が具備された保護板が、封止樹脂を介して張り合わさ
れてなることを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに
記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項１８】 基板上に積層され、陰極と陽極との間
に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体
からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光
領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロ
ルミネッセンス装置の製造方法において、 前記発光領域は覆い、前記発光領域間隔壁上は露出させ
るマスクを利用することにより、前記発光領域間隔壁上
に形成された陰極の上面或いは下面に接するように補助
陰極を形成する工程を含むことを特徴とする有機エレク
トロルミネッセンス装置の製造方法。 - 【請求項１９】 前記発光領域間隔壁と同一パターンを
有するマスクを用いて、前記発光領域間隔壁上に、前記
補助陰極を形成する工程を含むことを特徴とする請求項
１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造
方法。 - 【請求項２０】 基板上に積層され、陰極と陽極との間
に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体
からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光
領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロ
ルミネッセンス装置の製造方法において、 前記発光領域及び前記発光領域間隔壁の上面における該
発光領域寄りの縁部は覆い、当該発光領域間隔壁の内側
領域は露出させるマスクを利用することにより、前記発
光領域間隔壁の内側領域のみに補助陰極を形成する工程
と、 前記補助陰極が形成されていない前記発光領域間隔壁の
上面に、撥液処理を施す工程と、を含むことを特徴とす
る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 【請求項２１】 基板上に積層され、陰極と陽極との間
に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体
からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光
領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロ
ルミネッセンス装置の製造方法において、 少なくとも発光領域間隔壁が形成された基板の上面に導
電性薄膜を成膜することで、前記発光領域間隔壁で囲ま
れた凹部に成膜された前記薄膜によって陽極を形成し、
前記発光領域間隔壁の上面に成膜された前記薄膜によっ
て補助陰極を形成する工程を含むことを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 【請求項２２】 基板上に積層され、陰極と陽極との間
に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体
からなる発光領域間隔壁によって分割され、複数の発光
領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロ
ルミネッセンス装置の製造方法において、 前記陽極が積層された前記基板の上面において、前記発
光性有機層の形成領域のうち前記発光領域間隔壁寄りの
縁部を除いた内側領域は覆い、前記発光領域間隔壁の形
成領域と、前記発光性有機層の形成領域のうち前記発光
領域間隔壁寄りの縁部とは露出させるようにパターニン
グすることで、前記発光領域間隔壁の形成領域と、前記
発光性有機層の形成領域のうち前記発光領域間隔壁寄り
の縁部とに、絶縁性膜を形成する工程を含むことを特徴
とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 【請求項２３】 基板上に積層され、陰極と陽極との間
に配置される少なくとも一層の発光性有機層が、絶縁体
からなる発光領域間隔壁によって分割され、 複数の発光
領域を備えた発光領域群を形成してなる有機エレクトロ
ルミネッセンス装置の製造方法において、 前記陽極が積層された前記基板の上面に、前記発光領域
間隔壁用絶縁層を積層し、さらにその上面に補助陰極用
導電層を積層する工程と、 前記補助陰極の上面に、 前記発光領域の形成予定領域が
露出するようにマスクを形成したのち、前記発光領域間
隔壁用絶縁層と前記補助陰極壁用導電層とを同時にエッ
チングして前記発光領域間隔壁と前記補助陰極とを形成
する工程と、を備えたことを特徴とする有機エレクトロ
ルミネッセンス装置の製造方法。 - 【請求項２４】 表示体と、当該表示体に駆動電流を供
給する駆動回路と、を備えた電子機器において、 前記表示体として、請求項１〜１７のいずれかに記載の
有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴
とする電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001311843A JP4058930B2 (ja) | 2001-10-09 | 2001-10-09 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001311843A JP4058930B2 (ja) | 2001-10-09 | 2001-10-09 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003123988A true JP2003123988A (ja) | 2003-04-25 |
| JP4058930B2 JP4058930B2 (ja) | 2008-03-12 |
Family
ID=19130594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001311843A Expired - Lifetime JP4058930B2 (ja) | 2001-10-09 | 2001-10-09 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4058930B2 (ja) |
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| KR102513824B1 (ko) | 2015-12-30 | 2023-03-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
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| CN107084354A (zh) * | 2017-04-27 | 2017-08-22 | 上海小糸车灯有限公司 | 一种oled智能组合后灯 |
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| CN110911585B (zh) * | 2019-11-29 | 2022-12-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、其制作方法及显示装置 |
| CN110911585A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、其制作方法及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4058930B2 (ja) | 2008-03-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101228 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4058930 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101228 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111228 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111228 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121228 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121228 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131228 Year of fee payment: 6 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
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| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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|
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