JP2004220870A

JP2004220870A - 発光装置の製造方法

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Publication number: JP2004220870A
Application number: JP2003005095A
Authority: JP
Inventors: Yasuo Nakamura; 康男中村
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2003-01-10
Filing date: 2003-01-10
Publication date: 2004-08-05
Anticipated expiration: 2023-01-10
Also published as: JP4401657B2; US8492968B2; US7128632B2; US20040152392A1; US20070040492A1

Abstract

【課題】酸素や水分の到達を防止し、発光素子の劣化を防ぎ、信頼性を向上する封止構造を、発光素子の画素領域に熱やＵＶ光を照射することなく提供することを目的とする。
【解決手段】本発明では、シール材で画素領域を全面覆う密閉性に優れた封止構造を、熱やＵＶ光に曝すことなく形成する。なお、この場合において、一方の基板にシール材を硬化せしめる触媒を成膜し、他方の基板に画素部を覆うシール材を塗布し、両者を貼り合わせたことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）で構成された回路を有する半導体装置の作製方法に関する。例えば、一対の電極間に有機化合物を含む膜（以下、「有機化合物層」と記す）を設けた素子に電界を加えることで、蛍光又は燐光が得られる発光素子を用いた発光装置の作製方法に関する。なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅｐｒｉｎｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（ＴａｐｅＣａｒｒｉｅｒＰａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【従来の技術】
【０００２】
〈ＥＬ素子の概要〉
近年、自発光型の素子としてＥＬ素子を有した発光装置の研究が活発化しており、特に、ＥＬ材料として有機材料を用いた発光装置が注目されている。この発光装置はＥＬディスプレイとも呼ばれている。
また、この発光装置は液晶表示装置と異なり自発光型であるため、視野角の問題がないという特徴がある。即ち、屋外に用いられるディスプレイとしては、液晶ディスプレイよりも適しており、様々な形での使用が提案されている。
【０００３】
ＥＬ素子は、電場を加えることで発生するルミネッセンス（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）が得られる有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）と、陽極と、陰極とを有する。有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明の成膜装置および成膜方法により作製される発光装置は、どちらの発光を用いた場合にも適用可能である。
【０００４】
また、本明細書中では、陰極、ＥＬ層及び陽極で形成される発光素子をＥＬ素子といい、これには、互いに直交するように設けられた２種類のストライプ状電極の間にＥＬ層を形成する方式（単純マトリクス方式）、又はＴＦＴに接続されマトリクス状に配列された画素電極と対向電極との間にＥＬ層を形成する方式（アクティブマトリクス方式）の２種類がある。しかし、画素密度が増えた場合には、画素（又は１ドット）毎にスイッチが設けられているアクティブマトリクス型の方が低電圧駆動できるので有利であると考えられている。
【０００５】
〈封止の概要〉
ＥＬ層を形成するＥＬ材料は極めて劣化しやすく、酸素もしくは水の存在により容易に酸化もしくは吸湿して劣化するため、発光素子における発光輝度の低下や寿命が短くなる問題がある。
そこで、従来では、発光素子に封止缶を被せて内部に乾燥した窒素ガスなどを封入し、さらに乾燥剤を貼り付けることによって、発光素子への酸素の到達、もしくは水分の到達を防止している。
【０００６】
素子の封止に用いられるシール材としては主に熱硬化型とＵＶ硬化型のものが用いられる。二液型のシール材は混合時に気泡が入ったり、混合後張り合わせまでの時間が制約されたりし、作業効率が悪いためあまり用いられることはない。
熱硬化型シール材は加熱により硬化するが、硬化に際し素子全体を高温に曝されるため、素子の特性が劣化する。また、硬化時間が長いため生産性を高めることが困難である。
一方、ＵＶ硬化型シール材は硬化速度が速く、容易に生産効率を高めることができかつ、熱によるダメージを受けることもないため、ＥＬ素子用シール材として広く利用されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００１−１３９９３３号公報
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の発光装置において、基板上の電極が陽極として形成され、陽極上に有機化合物層が形成され、有機化合物層上に陰極が形成される発光素子を有し、有機化合物層において生じた光を透明電極である陽極からＴＦＴの方へ取り出す（以下、下面出射構造とよぶ）という構造であった。このような下面出射構造の場合、画素の開口率がＴＦＴ回路の構造に制約されるという問題がある。
一方、基板上に陽極を形成し、陽極上に有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層上に透明電極である陰極を形成するという構造（以下、上面出射構造とよぶ）とする場合には、下面出射構造に比べ画素の開口率を大きくできる点がメリットである。
しかし、上面出射構造では表示の邪魔になるため、画素領域上に乾燥剤を配置したり、表示光を遮断する材料で形成された封止缶を使用したりできないといった課題がある。また、乾燥剤は吸湿し易いため封入する際には素早く作業をするなど、取り扱いに細心の注意が必要である。
【０００９】
発光素子の設けられた基板と封止基板とを貼りあわせる上面出射構造において、２枚の基板を貼りあわせる際、画素領域上の空間を透明な第１のシール材で満たして封止すればシール材が画素領域全面を覆うため、酸素や水分子が素子内部に拡散するのを抑制できる。
さらには、２枚の基板間隔を保持するギャップ材（フィラー、微粒子など）を含む第２のシール材（第１のシール材よりも粘度が高い）で第１のシール材を囲む、第２のシール材と第１のシール材とで封止する構造も考えられる。
しかしながら、第２のシール材のシールパターン形状をロの字状、コの字状、あるいはＵ字状に形成し、粘度の低い第１のシール材を滴下して２枚の基板を貼りあわせた場合、角に画素領域まで拡がる気泡が残る恐れがある。
【００１０】
また、ＵＶ硬化型シール方法は前述の通り素子の封止に適しているが、封止する基板にＵＶ光を透過しない部分（例えば、ＴＦＴ基板の配線部、封止缶等）があるとシールパターンは制約を受けてしまう。
特に、上面出射素子にカラーフィルター付き封止基板を張り合わせる素子では、ＴＦＴ基板もカラーフィルター付き封止基板もＵＶ光を透過しないため、画素領域上の空間をＵＶ硬化型シール材で満たして封止することはできない。
また、ＵＶ光を透過する封止基板だったとしても、高いエネルギー線であるＵＶ光をＥＬ層に照射しないよう配慮する必要がある。特に上面出射素子ではシール材下部に透光性の電極が位置するため、ＵＶ光はＥＬ層まで到達し、素子にダメージを与えてしまう。
【００１１】
発光素子の画素領域に熱やＵＶ光を照射することなく酸素や水分の到達を防止し、発光素子の劣化を防ぎ、信頼性の向上を図ることを課題とする。また、乾燥剤を封入することなく、少ない工程数で発光素子を封止することも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
そこで、本発明は、発光素子の設けられた基板と封止基板とを貼りあわせる上面出射構造とし、基板もしくは封止基板のどちらか一方に、基板を貼りあわせる際に第１のシール材が画素領域を全面覆うように塗布し、第１のシール材を塗布しない基板の少なくとも画素領域もしくは画素領域に相対する領域に、第１のシール材を硬化せしめる触媒を成膜し、第１のシール材もしくは第１のシール材を硬化せしめる触媒を囲むように、２枚の基板間隔を保持するギャップ材（フィラー、微粒子など）を含む第２のシール材（第１のシール材よりも粘度が高い）を塗布し、基板と封止基板とを張り合わせることで第１のシール材を画素領域全面に押し広げながら触媒に接触させ、第１のシール材の硬化を開始せしめる方法とする。
【００１３】
また、第２のシール材のパターン形状をロの字状、コの字状、あるいはＵ字状にすることなく、折り曲げ部のないパターン（ライン状もしくはスポット状）とし、気泡を逃がすための開口部をけることによって、粘度の低い第１のシール材を用いて２枚の基板を貼りあわせる際、角の開口部の方向に粘度の低い第１のシール材が押し出され、気泡が混入することなく画素領域上を覆うことができる。さらに、粘度の高い第２のシール材のパターンは、気泡が形成されないように若干、湾曲させてもよい。また、第２のシール材のシールパターンは、ディスペンサ装置だけでなく他のシールパターン形成方法、例えば印刷法なども用いることもできる。また、気泡が混入しないように触媒を成膜した基板の表面は平坦性の優れた滑らかなものとすることが好ましい。
【００１４】
加えて、第１のシール材は触媒との接触により硬化が始まるため、素子に熱を加えることなく、もしくは画素領域にＵＶ光を照射することなく硬化を開始できる。触媒との接触により硬化が開始するシール材としては、脂環式エポキシ樹脂、芳香族エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂などが使用でき、触媒としては塩化アルミニウム（ＩＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）、五塩化アンチモン、臭化アルミニウム、四塩化チタン、四塩化スズ、塩化亜鉛、塩化銅などのルイス酸を挙げることができる。
【００１５】
基板を貼り合わせる際、第１のシール材は押し広げられて基板間の空隙を満たしていく。第１のシール材の粘度、または押し出されかたによっては、第１のシール材の周縁部が開口部から出て広がり、はみでる形状（突出した形状）となる場合もあれば、第１のシール材の周縁部が開口部の内側に入りこんだ形状となる場合もある。しかしながら、触媒が成膜されていない部分まで拡がった第１のシール材の硬化反応は著しく遅くなる。
すなわち粘度の高い第２のシール材は、基板間隔をギャップ材で維持するとともに、粘度の低い第１のシール材の平面形状を整える機能を、またパターン状に成膜された触媒は硬化反応の進行をパターン状に制御する機能を果たしている。
【００１６】
また、第２のシール材は、基板を分断する際に目印にもなりうる。例えば、一枚の基板に複数のパネルを作製する、いわゆる多面取りとする場合、この第２のシール材に沿って基板を分断すればよいし、触媒が成膜された領域からはみ出した第１のシール材は硬化しないため、分断の障害にはならない。
【００１７】
また、外部からの衝撃を受けた場合、一番負荷が掛かるのは、画素領域以外に配置された第２のシール材（第２のシール材のみにギャップ材を有している）の箇所とすることができ、画素領域には負荷が掛からないようにすることができる。また、第２のシール材は、それぞれ対称的に配置され、それぞれ均一にバランスよく負荷がかかる構造となっているため、外部からの衝撃を均一に拡散することができる。即ち、本発明の構成とすることによって、より一層、発光装置の機械的強度を丈夫なものとすることができる。
【００１８】
また、上面出射構造においては、発光素子からの発光が通過する基板の厚さは薄いことが望ましいが、薄い基板は衝撃に弱いという欠点があった。本発明により、発光素子からの発光が通過する基板として比較的割れやすいガラス基板などを用いても、外部からの衝撃に耐えられるものとすることができる。また、用いる透光性の基板は特に限定されず、例えばプラスチック基板なども用いることができるが、接着強度を維持するために、一対の基板は熱膨張係数が同じ基板を用いることが好ましい。
【００１９】
また、第１のシール材を硬化する触媒は蒸着やスピンコートにより成膜できる。水もしくは有機溶媒に触媒を溶解してスピンコートすることもできるが、バインダーポリマーと触媒を溶解した溶液を塗布して、触媒を含む高分子薄膜としても良い。特に、マスクを利用した蒸着は、画素領域または画素領域に相対する領域に選択的に成膜する方法として有効である。
また、発光素子は、第２のシール材と、第１のシール材と、基板とで封止されるため、水分や酸素を効果的にブロッキングすることができる。なお、一対の基板を貼りあわせる際、減圧または窒素雰囲気で行うことが望ましい。
【００２０】
本明細書で開示する発明の構成は、
【００２１】
少なくとも一方が透光性である一対の基板間に、第１の電極と、該第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に接する第２の電極とを有する発光素子を複数有する画素部を備えた発光装置の製造方法において、第１のシール材を塗布した一方の基板と第１のシール材を硬化せしめる触媒を成膜した他方の基板を、前記画素部を第１のシール材で覆いつつ貼り合わせる工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法である。
【００２２】
ＴＦＴが形成された第１の基板上に形成された第１の電極上に
エレクトロルミネッセンスを発する層を形成する工程と、
第２の電極を形成する工程と、
第１のシール材を硬化する触媒層を成膜する工程と、
第２の基板上に第１のシール材を塗布する工程と、
第２の基板に第１の基板を貼り合わせる工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法である。
【００２３】
上記構成において、
前記画素部を少なくとも覆うように前記触媒を成膜する工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法である
【００２４】
ＴＦＴが形成された第１の基板上に形成された第１の電極上に
エレクトロルミネッセンスを発する層を形成する工程と、
第２の電極を形成する工程と、
第１のシール材を塗布する工程と、
第２の基板上に第１のシール材を硬化する触媒層を成膜する工程と、
第１の基板に第２の基板を貼り合わせる工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法である。
【００２５】
上記構成において、
前記画素部を有していない第２の基板に少なくとも前記画素部を全面覆うことのできる形状に前記触媒を成膜する工程と、
第２の基板の触媒が成膜された範囲が第１の基板の画素部を覆うように貼り合わせる工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法である。
【００２６】
上記構成において、真空蒸着法により前記触媒を成膜する工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法である。
【００２７】
上記構成において、スピンコート法により前記触媒を成膜する工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法である。
【００２８】
請求項４もしくは５のいずれか一項において、
第１の基板と第２の基板を貼り合わせる工程で前記触媒の成膜範囲より第１のシール材が大きく拡がるように第１のシール材を塗布する工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法である。
【００２９】
上記構成において、前記画素部を覆う第１のシール材とは別に、前記画素部を囲む第２のシール材を少なくとも４隅に開口を有するように塗布する工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法である。
【００３０】
上記構成において、第１のシール材より高粘度な第２のシール材を塗布する工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【００３１】
上記構成において、前記第２の電極と第１のシール材との間に、ＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、またはＢａＦ_２からなる透光性を有する保護層を成膜する工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法である。
【００３２】
上記構成において、脂環式エポキシ樹脂、芳香族エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂などのエポキシ系樹脂からなる第１のシール材を塗布する工程と、塩化アルミニウム（ＩＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）、五塩化アンチモン、臭化アルミニウム、四塩化チタン、四塩化スズ、塩化亜鉛、塩化銅などのルイス酸を触媒として成膜する工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法である。
【００３３】
なお、発光素子（ＥＬ素子）は、電場を加えることで発生するルミネッセンス（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）が得られる有機化合物を含む層と、陽極と、陰極とを有する。有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明により作製される発光装置は、どちらの発光を用いた場合にも適用可能である。
【００３４】
また、本発明の発光装置において、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、発光装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。
【発明の実施の形態】
【００３５】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００３６】
（実施の形態１）
図１（Ａ）は、本発明を実施したアクティブマトリクス型の発光装置の上面図である。
図１（Ａ）において、１１は第１基板、１２は第２基板、１３は画素部、１４は駆動回路部、１５は端子部、１６は第２のシール材、１７ａは第１のシール材、１８は第１のシール材を硬化する触媒である。
【００３７】
第１基板１１の材料としては、特に限定されないが、第２基板１２と貼りあわせるため、熱膨張係数が同一のものとすることが好ましい。下面出射型とする場合には、透光性を有する基板、例えばガラス基板、石英基板、プラスチック基板とする。また、上面出射型とする場合には、半導体基板や金属基板をも用いることができる。第１基板１１には、発光素子を複数有する画素部１３、駆動回路部１４、端子部１５が設けられている。
【００３８】
ここでは、画素部１３と駆動回路部１４とを囲んで第２のシール材１６が配置される例を示している。また、第２のシール材１６の一つは、端子部１５（または端子電極から延びた配線）と一部重なっている。なお、第２のシール材１６は、一対の基板間隔を維持するためのギャップ材が含まれている。ギャップ材が含まれているため、なんらかの荷重が加えられた場合にショートなどが生じないよう第２のシール材１６と素子（ＴＦＴなど）とが重ならないようにすることが好ましい。また、第２のシール材１６の上面形状は線形であり、四隅に開口を有している。言い換えると、Ｘ方向に２本の第２のシール材１６が画素部を挟んで平行に配置された１組と、Ｙ方向に２本の第２のシール材１６が画素部を挟んで平行に配置された１組とで合計４本配置されている。
【００３９】
また、第１のシール材１７ａは、無色透明の材料とし、ギャップ材も含んでいないため、第２のシール材１６よりも透光性が高い。この第１のシール材１７ａは、それぞれの第２のシール材１６の隙間、即ち開口で露出しており、露出している前記第１のシール材１７ａの周縁は湾曲している上面形状となる。
第１のシール材１７ａが図１（Ａ）に示す形状となるしくみを図２を用いて以下に説明する。図２（Ａ）には、貼りあわせる前の封止基板（第２の基板２２）の上面図の一例を示している。図２（Ａ）では一枚の基板から１つの画素部を有する発光装置を形成する例を示している。
【００４０】
まず、第２の基板２２上にディスペンサを用いて４本の第２のシール材２６を形成した後、第２のシール材よりも粘度の低い第１のシール材を滴下する。なお、滴下した状態での上面図が図２（Ａ）に相当する。
次いで、発光素子が画素部２３、または駆動回路部２４、端子部２５が設けられた第１の基板と貼りあわせる。一対の基板を貼り合せた直後の上面図を図２（Ｂ）に示す。第２のシール材の粘度は高いため、貼り合せた際にはほとんど広がらないが、第１のシール材の粘度は低いため、貼り合せた際、図２（Ｂ）に示すように、第１のシール材は平面的に広がることとなる。第１のシール材が、第２のシール材２６の間、即ち開口部に向かって図２（Ｂ）中の矢印の方向に押し出されることによって、第２のシール材２６の間に充填される領域に気泡が存在しないようにすることができる。第２のシール材２６は第１のシール材２７ｂと接しても混ざることはなく、第２のシール材２６は第１のシール材２７ｂによって形成位置は変化しない粘度を有している。
【００４１】
図２（Ｂ）では、第１のシール材２７ｂは前記開口で露出しており、露出している前記第１のシール材２７の周縁は前記開口から突出している。開口から突出させることによって外気と画素部との距離を大きくすることができ、さらに酸素や水分のブロッキングが実現できる。また、トータルの接着面積も増大するため、貼り合わせ強度も増加する。また、開口において第１のシール材２７の周縁は湾曲している。
また、第１のシール材は第１の基板と貼り合わせることによって第１の基板に成膜された触媒と接触するため、徐々に硬化が始まる。一方、第２のシール材２６は画素領域を遮光マスクで保護したうえ紫外線を照射して硬化させる。
なお、ここでは第２の基板２２に第２のシール材または第１のシール材を形成した後、基板を貼りあわせる例を示したが、特に限定されず、素子が形成されている第１の基板に第２のシール材または第１のシール材を形成してもよい。ただし、その場合は第２の基板に触媒が成膜される。
【００４２】
次いで、第２基板２２の一部を分断する。図２（Ｂ）には鎖線で示したラインが基板分断ラインとなる。分断する際には、端子部２５上に形成された第２のシール材２６に沿って平行に分断ラインを設定すればよい。
以上に示した手順に従えば、図１（Ａ）に示す第１のシール材１７ａの形状を得ることができる。
【００４３】
また、図１（Ａ）では第１のシール材１７ａが開口から突出している例を示したが、第１のシール材の粘度や量や材料を適宜変更することによって、様々な形状とすることができる。
例えば、図１（Ｂ）に示すように、第１のシール材１７ｂを、前記開口で露出させ、露出している前記第１のシール材の周縁を湾曲させてもよい。図１（Ｂ）において第１のシール材は開口から突出しておらず、ちょうど第１のシール材の周縁が、弧を描いて第２のシール材の隙間を埋めている形状となっている。
また、図１（Ｃ）に示すように、第１のシール材１７ｃを前記開口で露出させ、露出している前記第１のシール材の周縁が前記開口部から凹んで湾曲している形状としてもよい。
【００４４】
また、第２のシール材は線形に限定されず、左右対称であり、且つ、画素部を挟んでそれぞれ対称に配置されていればよく、例えば、図６に示すように、貼りあわせる際、粘度の低い第１のシール材が広がりやすいように第２のシール材の形状を若干湾曲させてもよい。
【００４５】
（実施の形態２）
ここでは本発明の画素部における断面構造の一部を図３に示す。
【００４６】
（第１の基板概要）
図３（Ａ）において、３００は第１の基板、３０１ａ、３０１ｂは絶縁層、３０２はＴＦＴ、３０８が第１の電極、３０９は絶縁物、３１０はＥＬ層、３１１は第２の電極、３１２は透明保護層、３１３は触媒層、３１４は第１のシール材、３１５は第２の基板である。
【００４７】
（ＴＦＴ構造）
第１の基板３００上に設けられたＴＦＴ３０２（ｐチャネル型ＴＦＴ）は、発光するＥＬ層３１０に流れる電流を制御する素子であり、３０４はドレイン領域（またはソース領域）である。また、３０６は第１の電極とドレイン領域（またはソース領域）とを接続するドレイン電極（またはソース電極）である。また、ドレイン電極３０６と同じ工程で電源供給線やソース配線などの配線３０７も同時に形成される。ここでは第１電極とドレイン電極とを別々に形成する例を示したが、同一としてもよい。第１の基板３００上には下地絶縁膜（ここでは、下層を窒化絶縁膜、上層を酸化絶縁膜）となる絶縁層３０１ａが形成されており、ゲート電極３０５と活性層との間には、ゲート絶縁膜が設けられている。また、３０１ｂは有機材料または無機材料からなる層間絶縁膜である。また、ここでは図示しないが、一つの画素には、他にもＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴ）を一つ、または複数設けている。また、ここでは、一つのチャネル形成領域３０３を有するＴＦＴを示したが、特に限定されず、複数のチャネルを有するＴＦＴとしてもよい。
【００４８】
（陽極）
また、３０８は、第１の電極、即ち、ＯＬＥＤの陽極（或いは陰極）である。第１の電極３０８の材料としては、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＳｉ_ＸＮ_Ｙ、Ｎｉ、Ｗ、ＷＳｉ_Ｘ、ＷＮ_Ｘ、ＷＳｉ_ＸＮ_Ｙ、ＮｂＮ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、またはＭｏから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とする膜またはそれらの積層膜を総膜厚１００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で用いればよい。また、有機層の成膜前にＵＶオゾン処理などの前処理を施すことが望ましい。
例えば、窒化チタン膜を第１の電極３０８として用いる場合、表面に紫外線照射や塩素ガスを用いたプラズマ処理を行って仕事関数を増大させることが好ましい。
下面出射素子もしくは両面出射素子の陽極としてはホール注入性に優れかつ透明なＩＴＯがよく使われる。ＩＴＯを上面出射素子の陽極に使用する場合は、Ａｌ−Ｓｉ（３５０ｎｍ）／Ｔｉ（１００ｎｍ）等の金属膜上にＩＴＯを成膜して反射電極とする。反射電極上で反射した光と直接光は発光領域で互いに干渉し合い、強度やスペクトルが変化する。反射光の位相はＩＴＯの厚みに依存するため、発光効率を高めるには発光波長に応じてＩＴＯの厚みを注意深く設計する必要がある。特に、白色光を取り出す場合は、可視光領域にフラットな取り出し特性を示すよう、２０ｎｍ程度の極薄のＩＴＯが好ましい。
【００４９】
（土手）
また、第１の電極３０８の端部（および配線３０７）を覆う絶縁物３０９（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）を有している。絶縁物３０９としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはこれらの積層などを用いることができるが、ここでは窒化シリコン膜で覆われた感光性の有機樹脂を用いる。例えば、有機樹脂の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物の上端部のみに曲率半径を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【００５０】
（有機層概要）
また、有機化合物を含む層３１０は、蒸着法または塗布法を用いて形成する。なお、信頼性を向上させるため、有機化合物を含む層３１０の形成前に真空加熱を行って吸着した水分子等を取り除くことが好ましい。例えば、蒸着法を用いる場合、真空度が５×１０^−３Ｔｏｒｒ（０．６６５Ｐａ）以下、好ましくは１０^−４〜１０^−６Ｐａまで真空排気された成膜室で蒸着を行う。蒸着の際、予め、抵抗加熱により有機化合物は気化されており、蒸着時にシャッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。気化された有機化合物は、上方に飛散し、メタルマスクに設けられた開口部を通って基板に蒸着される。
【００５１】
（低分子素子）
例えば、ホール注入層として銅フタロシアニン２０ｎｍ、ホール輸送層としてα―ＮＰＤ３０ｎｍに青色の発光材料ペリレンをドープして成膜する。さらに同一の蒸着マスクを用いて、電子輸送層としてＢＡｌｑ５００ｎｍに赤色の発光材料ＤＣＭ−１をドープして成膜する。このように順次積層することで白色の発光を得ることができる。
【００５２】
（高分子素子）
また、スピンコートを用いた塗布法により有機化合物を含む層を形成する場合、塗布した後、真空加熱で焼成することが好ましい。例えば、正孔注入層として作用するポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を全面に塗布、焼成し、その後、発光層として作用する発光中心色素（１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（ＴＰＢ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノ−スチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ１）、ナイルレッド、クマリン６など）ドープしたポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）溶液を全面に塗布、焼成すればよい。なお、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは溶媒に水を用いており、有機溶剤には溶けない。従って、ＰＶＫ溶液をその上から塗布する場合にも、再溶解する心配はない。また、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとＰＶＫは溶媒が異なるため、成膜室は同一のものを使用しないことが好ましい。また、有機化合物を含む層３１０を単層とすることもでき、ホール輸送性のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に電子輸送性の１，３，４−オキサジアゾール誘導体（ＰＢＤ）を分散させてもよい。また、３０ｗｔ％のＰＢＤを電子輸送剤として分散し、４種類の色素（ＴＰＢ、クマリン６、ＤＣＭ１、ナイルレッド）を適当量分散することで白色発光が得られる。
【００５３】
（陰極）
また、３１１は、導電膜からなる第２の電極、即ち、ＯＬＥＤの陰極（或いは陽極）である。第２の電極３１１の材料としては、アルミニウム、マグネシウム、銀等の金属、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ等の合金、または周期表の１族もしくは２族に属する元素とアルミニウムもしくは銀とを共蒸着法により形成した透光性を有する膜を用いればよい。陰極形成の際には蒸着による抵抗加熱法を用い、蒸着マスクを用いて選択的に形成すればよい。また、スパッタリング法でＩＴＯ等の透明電極を形成してもよい。ＩＴＯは単独もしくは前述の透光性を有する金属膜と併用することもできる。
ここでは、第２の電極を通過させて発光させる上面出射型であるので、１ｎｍ〜３０ｎｍの銀薄膜を用いる。また、銀薄膜からの電子注入性を向上するために、銅フタロシアニンもしくはＢＣＰまたはＡｌｑ３等にＬｉ等の１族もしくはＭｇ等の２族に属する元素を０．１〜１０モル等量共蒸着した電子注入層を第２の電極下に１ｎｍ〜２０ｎｍ形成する。
また、陰極の低抵抗化を図るため、発光領域とならない領域の第２の電極３１１上に補助電極を設けてもよい。
【００５４】
（保護層）
また、３１２は蒸着法により形成する透明保護層であり、金属薄膜からなる第２の電極３１１を保護する。
例えばエポキシ樹脂を硬化する触媒は塩化アルミ等のルイス酸であるが、極薄い金属膜で作成した第２の電極３１１上に直接成膜すると第２の電極３１１は容易に変質する恐れがある。
このような第２の電極３１１を透明保護層３１２、例えばＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、またはＢａＦ_２で覆うことによって、第２の電極３１１と第１のシール材を硬化する触媒３１３とが反応することを防ぐことができる。また、酸素や水分を効果的にブロックする膜としても働く。
また、ＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢａＦ_２は、蒸着法で形成することが可能であり、連続的に陰極と透明な保護層とを蒸着法で形成することによって、不純物の混入や電極表面が大気に触れることを防ぐことができる。加えて、蒸着法を用いれば、有機化合物を含む層へダメージをほとんど与えない条件で透明保護層３１２を形成することができる。
【００５５】
（触媒）
また、触媒層３１３は第１のシール材３１４と接触して硬化反応を引き起こす。触媒層３１３は透明保護層３１２上に蒸着やスピンコートにより成膜しておく。例えば塩化アルミニウム（ＩＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）などのルイス酸の１ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは５ｎｍ〜５００ｎｍの厚みに真空蒸着した膜を用いることができる。
【００５６】
（シール材）
また、第１のシール材３１４は実施の形態１に示した方法で第２の基板３１５と第１の基板３００とを貼り合せている。触媒との接触により硬化が開始する第１のシール材３１４としては、透光性を有している材料であれば特に限定されず、代表的には脂環式エポキシ樹脂、芳香族エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂などが使用できる。また、紫外線の照射によりルイス酸を発生する光酸発生剤を添加し、触媒だけでなく紫外線によっても硬化が開始可能なシール材としてもよい。ここでは屈折率１．５０、粘度２５Ｐａ・ｓ、ショアＤ硬度９０、テンシル強度３０００ｐｓｉ、Ｔｇ点１５０℃、体積抵抗１×１０^１５Ω・ｃｍ、耐電圧４５０Ｖ／ｍｉｌである高耐熱のＵＶエポキシ樹脂（エレクトロライト社製：２５００Ｃｌｅａｒ）を用いる。
【００５７】
（第２の基板）
第２の基板３１５は透光性を有していれば良く、ガラス基板、石英基板の他、プラスチック基板であっても良い。また、第２の基板３１５上にカラーフィルターを作成しておくこともできる。
【００５８】
（出射方向）
また、図３（Ｂ）には、発光領域における積層構造を簡略化したものを示す。図３（Ｂ）に示す矢印の方向に発光が放出される。
また、金属層からなる第１の電極３０８に代えて、図３（Ｃ）に示すように透明導電膜からなる第１の電極３１８を用いた場合、上面と下面の両方に発光を放出することができる。透明導電膜としては、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を用いればよい。
また、本実施の形態は実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
【００５９】
（実施の形態３）
１枚の基板に複数の画素部を形成する場合、即ち多面取りの例を図４に示す。ここでは１枚の基板を用いて４つのパネルを形成する例を示す。
【００６０】
まず、不活性気体雰囲気で第２基板３１上にディスペンサ装置で第２のシール材３１を所定の位置に形成する。（図４（Ａ））半透明な第２のシール材３１としてはフィラー（直径６μｍ〜２４μｍ）を含み、且つ、粘度３７０Ｐａ・ｓのものを用いる。また、簡単なシールパターンであるので第２のシール材３１は、印刷法で形成することもできる。
【００６１】
また、図３（Ｂ）には、発光領域における積層構造を簡略化したものを示す。図３（Ｂ）に示す矢印の方向に発光が放出される。
また、金属層からなる第１の電極３０８に代えて、図３（Ｃ）に示すように透明導電膜からなる第１の電極３１８を用いた場合、上面と下面の両方に発光を放出することができる。透明導電膜としては、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を用いればよい。
また、本実施の形態は実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
【００６２】
次いで、第２のシール材３１に囲まれた領域（ただし、四隅が開口している）に透明な第１のシール材３３を滴下する。（図４（Ｂ））ここでは屈折率１．５０、粘度２５Ｐａ・ｓ、光酸発生剤が添加されている高耐熱のエポキシ樹脂（エレクトロライト社製：２５００Ｃｌｅａｒ）を用いる。
【００６３】
次いで、画素部３４が設けられた第１基板と、シール材が設けられた基板とを貼りあわせる。（図４（Ｃ））なお、シール材によって一対の基板を貼りつける直前には真空でアニールを行って脱気を行うことが好ましい。ここでは、図１（Ｂ）に示したような形状となるように第１のシール材３３を広げて第２のシール材３２の間を充填させる。同時に第１のシール材３３と触媒が接触し、硬化反応が開始される。第２のシール材３２の形状および配置により気泡が入ることなく第１のシール材３３を充填することができる。
【００６４】
次いで、遮光マスクで画素部に光が当たらぬよう手当して、第２のシール材３２および第１のシール材３３の外周部に紫外線を照射して硬化させる。
【００６５】
次いで、スクライバー装置を用いて鎖線で示したスクライブライン３５を形成する。（図４（Ｄ））スクライブライン３５は、第２のシール材に沿って形成すればよい。
次いで、ブレイカー装置を用いて基板を分断する。（図４（Ｅ））こうして、１枚の基板から４つのパネルを作製することができる。
【００６６】
また、本実施の形態は、実施の形態１または実施の形態２と自由に組み合わせすることができる。
【００６７】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
【００６８】
（実施例）
【００６９】
［実施例１］
本実施例では、有機化合物を含む層を発光層とする発光素子を備えた発光装置の一例を図５に示す。
なお、図５（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。点線で示された１１０１はソース信号線駆動回路、１１０２は画素部、１１０３はゲート信号線駆動回路である。また、１１０４は封止基板、１１０５は第２のシール材であり、第２のシール材１１０５で囲まれた内側は、透明な第１のシール材１１０７で充填されている。また１１０６は第１のシール材を硬化する触媒である。なお、第１のシール材１１０７は四隅で露出している。
【００７０】
１１０８はソース信号線駆動回路１１０１及びゲート信号線駆動回路１１０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１１０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【００７１】
次に、断面構造について図５（Ｂ）を用いて説明する。基板１１１０上には駆動回路及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路としてソース信号線駆動回路１１０１と画素部１１０２が示されている。
なお、ソース信号線駆動回路１１０１はｎチャネル型ＴＦＴ１１２３とｐチャネル型ＴＦＴ１１２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施例では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。
【００７２】
また、画素部１１０２はスイッチング用ＴＦＴ１１１１と、電流制御用ＴＦＴ１１１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極（陽極）１１１３を含む複数の画素により形成される。
ここでは第１の電極１１１３がＴＦＴのドレインと直接接している構成となっているため、第１の電極１１１３の下層はシリコンからなるドレインとオーミックコンタクトのとれる材料層とし、有機化合物を含む層と接する表面に仕事関数の大きい材料層とすることが望ましい。
【００７３】
また、第１の電極（陽極）１１１３の両端には絶縁物（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）１１１４が形成される。絶縁物１１１４は有機樹脂膜もしくは珪素を含む絶縁膜で形成すれば良い。ここでは、絶縁物１１１４として、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いて図５に示す形状の絶縁物を形成する。また、絶縁物１１１４を窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜、または窒化珪素膜からなる保護膜で覆ってもよい。この保護膜はスパッタ法（ＤＣ方式やＲＦ方式）により得られる窒化珪素または窒化酸化珪素を主成分とする絶縁膜、または炭素を主成分とする薄膜である。シリコンターゲットを用い、窒素とアルゴンを含む雰囲気で形成すれば、窒化珪素膜が得られる。また、窒化シリコンターゲットを用いてもよい。また、保護膜は、リモートプラズマを用いた成膜装置を用いて形成してもよい。また、保護膜に発光を通過させるため、保護膜の膜厚は、可能な限り薄くすることが好ましい。
【００７４】
また、第１の電極（陽極）１１１３上には、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法によって有機化合物を含む層１１１５を選択的に形成する。さらに、有機化合物を含む層１１１５上には第２の電極（陰極）１１１６が形成される。これにより、第１の電極（陽極）１１１３、有機化合物を含む層１１１５、及び第２の電極（陰極）１１１６からなる発光素子１１１８が形成される。ここでは発光素子１１１８は白色発光とする例であるので着色層１１３１とＢＭ１１３２からなるカラーフィルター（簡略化のため、ここではオーバーコート層は図示しない）が設けている。
また、Ｒ、Ｇ、Ｂの発光が得られる有機化合物を含む層をそれぞれ選択的に形成すれば、カラーフィルターを用いなくともフルカラーの表示を得ることができる。
【００７５】
また、基板１１１０上に形成された発光素子１１１８を封止するために第２のシール材１１０５、第１のシール材１１０７により封止基板１１０４を貼り合わせる。なお、第２のシール材１１０５、第１のシール材１１０７としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第２のシール材１１０５、第１のシール材１１０７はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
【００７６】
また、本実施例では封止基板１１０４を構成する材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−ＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄＰｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。また、第２のシール材１１０５、第１のシール材１１０７を用いて封止基板１１０４を接着した後、さらに側面（露呈面）を覆うように第３のシール材で封止することも可能である。
【００７７】
以上のようにして画素領域を熱やＵＶ光に曝すことなく発光素子を第２のシール材１１０５、第１のシール材１１０７に封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
【００７８】
また、本実施例は実施の形態１乃至３のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
【００７９】
［実施例２］
本実施例では、実施の形態２で示した断面構造と異なる例を図７に示す。
図７（Ａ）において、７００は第１の基板、７０１ａ、７０１ｂは絶縁層、７０２はＴＦＴ、７０９は絶縁物、７１０はＥＬ層、７１１は第２の電極、７１２は透明保護層、７１３は触媒層、７１４は第１のシール材、７１５は第２の基板である。
【００８０】
第１の基板７００上に設けられたＴＦＴ７０２（ｐチャネル型ＴＦＴ）は、発光するＥＬ層７１０に流れる電流を制御する素子であり、７０４はドレイン領域（またはソース領域）である。また、ここでは図示しないが、一つの画素には、他にもＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴ）を一つ、または複数設けている。また、ここでは、一つのチャネル形成領域７０３を有するＴＦＴを示したが、特に限定されず、複数のチャネルを有するＴＦＴとしてもよい。
また、図７（Ａ）に示す構造は、金属層の積層からなる第１の電極７０８ａ〜７０８ｃを形成し、該第１の電極の端部を覆う絶縁物（バンク、隔壁と呼ばれる）７０９を形成した後、該絶縁物７０９をマスクとして自己整合的にエッチングを行い、該絶縁物の一部をエッチングするとともに第１の電極の中央部を薄くエッチングして端部に段差を形成する。このエッチングによって第１の電極の中央部は薄く、且つ、平坦な面とし、絶縁物で覆われた第１の電極の端部は厚い形状、即ち、凹部形状となる。そして、第１の電極上には有機化合物を含む層７１０、および第２の電極７１１を形成して発光素子を完成させる。
【００８１】
図７（Ａ）に示す構造は、第１の電極の段差部分に形成された斜面で横方向の発光を反射または集光させて、ある一方向（第２の電極を通過する方向）に取り出す発光量を増加させるものである。
従って、斜面となる部分７０８ｂは、光を反射する金属、例えばアルミニウム、銀などを主成分とする材料とすることが好ましく、有機化合物を含む層７１０と接する中央部７０８ａは、仕事関数の大きい陽極材料、或いは、仕事関数の小さい陰極材料とすることが好ましい。電源供給線やソース配線などの配線７０７も同時に形成されるため、低抵抗な材料を選択することが好ましい。
また、第１の電極の中央部に向かう傾斜面における傾斜角度（テーパー角度とも呼ぶ）は、５０°を超え、６０°未満、さらに好ましくは５４．７°であることが好ましい。なお、この第１の電極の傾斜面で反射された光が層間で分散したり、迷光とならないように適宜、傾斜角度、有機化合物層の材料および膜厚、または第２の電極の材料および膜厚を設定することが必要である。
【００８２】
本実施例では、７０８ａとしてチタン膜（６０ｎｍ）と窒化チタン膜（膜厚１００ｎｍ）の積層、７０８ｂとしてＴｉを微量に含むアルミニウム膜（３５０ｎｍ）、７０８ｃとしてチタン膜（１００ｎｍ）とする。この７０８ｃは、７０８ｂを保護してアルミニウム膜のヒロック発生、変質などを防ぐ。また、７０８ｃとして窒化チタン膜を用い、遮光性を持たせ、アルミニウム膜の反射を防いでもよい。また、７０８ａとしてシリコンからなる７０４との良好なオーミックコンタクトを取るために７０８ａの下層にチタン膜を用いたが、特に限定されず、他の金属膜を用いてもよい。また、７０８ａは窒化チタン膜の単層としてもよい。
また、本実施例では窒化チタン膜を陽極として用いるため、ＵＶ処理やプラズマ処理を行う必要があるが、７０８ｂ、７０８ｃをエッチングする際に同時に窒化チタン膜表面へのプラズマ処理が行われるため、陽極として十分な仕事関数を得ることができる。
また、窒化チタン膜に代わる陽極材料としては、Ｎｉ、Ｗ、ＷＳｉ_Ｘ、ＷＮ_Ｘ、ＷＳｉ_ＸＮ_Ｙ、ＮｂＮ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、またはＭｏから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とする膜またはそれらの積層膜を総膜厚１００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で用いればよい。
【００８３】
また、図７（Ａ）に示した構造は、絶縁物７０９をマスクとして自己整合的にエッチングを行うため、マスク数の増加はなく、トータルとして少ないマスク数および工程数で上面出射型の発光装置を作製することができる。
また、図７（Ａ）と異なる構造を図７（Ｂ）に示す。図７（Ｂ）の構造は、絶縁層８０１ｃを層間絶縁膜として用い、第１の電極とドレイン電極（またはソース電極）とを異なる層に設けることで、マスク数は増加する一方、発光領域の面積を増大させることができる構造である。
【００８４】
図７（Ｂ）において、８００は第１の基板、８０１ａ、８０１ｂ、８０１ｃは絶縁層、８０２はＴＦＴ（ｐチャネル型ＴＦＴ）、８０３はチャネル形成領域、８０４はドレイン領域（またはソース領域）、８０５はゲート電極、８０６はドレイン電極（またはソース電極）、８０７は配線、８０８は第１の電極、８０９は絶縁物、８１０はＥＬ層、８１１は第２の電極、８１２は透明保護層、８１３は触媒層、８１４は第１のシール材、８１５は第２の基板である。
また、第１の電極８０８として透明導電膜を用いれば両面発光型の発光装置を作製することができる。
【００８５】
また、本実施例は実施の形態１乃至３、実施例１のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
【００８６】
［実施例３］
本発明を実施することによって有機化合物を含む層を有するモジュール（アクティブマトリクス型ＥＬモジュール、パッシブマトリクス型ＥＬモジュール）を組み込んだ全ての電子機器が完成される。
【００８７】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図１０、図１１に示す。
【００８８】
図１０（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、表示部２００３、キーボード２００４等を含む。
図１０（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。
図１０（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示部２２０５等を含む。
図１０（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体２３０１、表示部２３０２、アーム部２３０３等を含む。
図１０（Ｅ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、操作スイッチ２４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（ＤｉｇｔｉａｌＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。
図１０（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０３、操作スイッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。
【００８９】
図１１（Ａ）は携帯電話であり、本体２９０１、音声出力部２９０２、音声入力部２９０３、表示部２９０４、操作スイッチ２９０５、アンテナ２９０６、画像入力部（ＣＣＤ、イメージセンサ等）２９０７等を含む。
図１１（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。
図１１（Ｃ）はディスプレイであり、本体３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３等を含む。
ちなみに図１１（Ｃ）に示すディスプレイは中小型または大型のもの、例えば５〜２０インチの画面サイズのものである。また、このようなサイズの表示部を形成するためには、基板の一辺が１ｍのものを用い、多面取りを行って量産することが好ましい。
【００９０】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施の形態１乃至３、実施例１、２のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
【発明の効果】
本発明により、一対の基板を貼り合せる際、画素領域上に気泡を含むことなく、また、熱やＵＶ光に曝すことなく透明なシール材を充填することができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１を示す図。
【図２】実施の形態１を示す図。
【図３】実施の形態２を示す図。
【図４】実施の形態３を示す図。
【図５】アクティブマトリクス型発光装置の構成を示す図。（実施例１）
【図６】実施の形態１を示す図。
【図７】実施例２を示す図。
【図８】電子機器の一例を示す図。（実施例３）
【図９】電子機器の一例を示す図。（実施例３）

Claims

少なくとも一方が透光性である一対の基板間に、第１の電極と、該第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に接する第２の電極とを有する発光素子を複数有する画素部を備えた発光装置の製造方法において、第１のシール材を塗布した一方の基板と第１のシール材を硬化せしめる触媒を成膜した他方の基板を、前記画素部を第１のシール材で覆いつつ貼り合わせる工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
ＴＦＴが形成された第１の基板上に形成された第１の電極上に
エレクトロルミネッセンスを発する層を形成する工程と、
第２の電極を形成する工程と、
第１のシール材を硬化する触媒層を成膜する工程と、
第２の基板上に第１のシール材を塗布する工程と、
第２の基板に第１の基板を貼り合わせる工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
ＴＦＴが形成された第１の基板上に形成された第１の電極上に
エレクトロルミネッセンスを発する層を形成する工程と、
第２の電極を形成する工程と、
第１のシール材を塗布する工程と、
第２の基板上に第１のシール材を硬化する触媒層を成膜する工程と、
第１の基板に第２の基板を貼り合わせる工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
請求項２において、
前記画素部を少なくとも覆うように前記触媒を成膜する工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
請求項３において、
前記画素部を有していない第２の基板に少なくとも前記画素部を全面覆うことのできる形状に前記触媒を成膜する工程と、
第２の基板の触媒が成膜された範囲が第１の基板の画素部を覆うように貼り合わせる工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
請求項１乃至５のいずれか一項において、真空蒸着法により前記触媒を成膜する工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
請求項１乃至５のいずれか一項において、スピンコート法により前記触媒を成膜する工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
請求項４もしくは５のいずれか一項において、
第１の基板と第２の基板を貼り合わせる工程で前記触媒の成膜範囲より第１のシール材が大きく拡がるように第１のシール材を塗布する工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記画素部を覆う第１のシール材とは別に、前記画素部を囲む第２のシール材を少なくとも４隅に開口を有するように塗布する工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
請求項９において、
第１のシール材より高粘度な第２のシール材を塗布する工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
請求項１乃至１０のいずれか一項において、前記第２の電極と第１のシール材との間に、ＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、またはＢａＦ_２からなる透光性を有する保護層を成膜する工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
請求項１乃至１１のいずれか一項において、脂環式エポキシ樹脂、芳香族エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂などのエポキシ系樹脂からなる第１のシール材を塗布する工程と、塩化アルミニウム（ＩＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）、五塩化アンチモン、臭化アルミニウム、四塩化チタン、四塩化スズ、塩化亜鉛、塩化銅などのルイス酸を触媒として成膜する工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法。