JP2010238678A - 発光装置の作製方法および発光装置 - Google Patents
発光装置の作製方法および発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010238678A JP2010238678A JP2010169102A JP2010169102A JP2010238678A JP 2010238678 A JP2010238678 A JP 2010238678A JP 2010169102 A JP2010169102 A JP 2010169102A JP 2010169102 A JP2010169102 A JP 2010169102A JP 2010238678 A JP2010238678 A JP 2010238678A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- seal pattern
- sealing
- sealing substrate
- element substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 285
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 157
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 40
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 33
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000005072 1,3,4-oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 MgAg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明では、密閉性に優れた封止構造を形成するために二重構造の封止を行う。なお、この場合において、素子が形成される素子基板(以下、第1の基板ともいう)と、封止に用いる封止基板(以下、第2の基板ともいう)にそれぞれサイズの異なる基板を用いて、両基板が重ならない領域(以下、オフセット領域という)を設けることにより、二重構造における外側のシールパターンを形成する場合における作業性を良くすることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
[特許文献2]特開平5−36475号公報
[特許文献3]特開平5−89959号公報
第1の基板および第2の基板に形成された第1のシールパターンに用いる第1のシール剤および第2のシールパターンに用いる第2のシール剤を紫外線照射、加熱、または紫外線照射と加熱との組み合わせにより硬化させることを特徴とする。
前記第1のシール剤として用いるエポキシ系樹脂の粘性率が、前記第2のシール剤として用いるエポキシ系樹脂の粘性率よりも高いこと特徴とする。
(実施の形態1)
図1(A)は、本発明を実施したアクティブマトリクス型の発光装置の上面図である。
本実施の形態2においては、実施の形態1で示した構造とは異なる構造を有する発光装置について図3、図4を用いて説明する。
本実施の形態3では、1枚の基板に複数の画素部および駆動回路部を形成する場合、いわゆる多面取りの場合について図5により説明する。
本実施の形態4では、発光装置の画素部の構成について、図6の断面図を用いて説明する。
本実施の形態5では、アクティブマトリクス型の発光装置の外観図について図7に説明する。なお、図7(A)は、発光装置を示す上面図、図7(B)は図7(A)をA−A’で切断した断面図である。点線で示された701は駆動回路部(ソース側駆動回路)、702は画素部、703は駆動回路部(ゲート側駆動回路)である。また、704は封止基板、705は第1のシールパターンであり、第1のシールパターン705で囲まれた内側707は、空間になっている。さらに706は乾燥剤であり、また、第1のシール剤705と乾燥剤706を囲んで素子基板710のオフセット領域に第2のシールパターン715が形成される。
本実施の形態6では、実施の形態1乃至3、または実施の形態5において示した封止構造に加えて図8に示すような封止構造とすることもできる。
発光素子を用いた発光装置は自発光型であるため、液晶表示装置に比べ、明るい場所での視認性に優れ、視野角が広い。従って、本発明の発光装置を用いて様々な電気器具を完成させることができる。
102 封止基板
103 画素部 104 駆動回路部
105 端子部
106 第1のシールパターン
107 オフセット領域
108 第2のシールパターン
Claims (8)
- 素子基板に、発光素子を複数有する画素部及び駆動回路部を形成する工程を有し、
封止基板に、シール剤を塗布して第1のシールパターンを形成する工程を有し、
前記画素部及び前記駆動回路部が形成された面と、前記第1のシールパターンが形成された面とが対向するように、前記素子基板と前記封止基板とを貼り合わせる工程を有し、
前記第1のシールパターンは前記画素部及び前記駆動回路部を囲んで配置され、
前記素子基板は、前記封止基板の周囲4辺に、前記封止基板と重ならない領域であるオフセット領域を有し、
前記封止基板の周囲4辺にある、前記素子基板の前記オフセット領域にシール剤を連続的に塗布して、前記封止基板の端部を覆うように、前記オフセット領域から前記封止基板の端部にかけて第2のシールパターンを形成する工程を有し、
前記第2のシールパターンは前記封止基板の4辺の端部を覆い、
前記第2のシールパターンは毛管現象により前記素子基板と前記封止基板との間に入り込み、前記素子基板と前記封止基板との隙間周辺を封じることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 素子基板に、発光素子を複数有する画素部及び駆動回路部を形成する工程を有し、
封止基板に2つの窪みを形成し、前記2つの窪みの一方に第1の乾燥剤を備え、他方に第2の乾燥剤を備える工程を有し、
前記封止基板に、シール剤を塗布して第1のシールパターンを形成する工程を有し、
前記第1の乾燥剤は前記第1のシールパターンに囲まれ、
前記画素部及び前記駆動回路部が形成された面と、前記第1のシールパターンが形成された面とが対向するように、前記素子基板と前記封止基板とを貼り合わせる工程を有し、
前記第1のシールパターンは前記画素部及び前記駆動回路部を囲んで配置され、
前記素子基板は、前記封止基板の周囲4辺に、前記封止基板と重ならない領域であるオフセット領域を有し、
前記封止基板の周囲4辺にある、前記素子基板の前記オフセット領域にシール剤を連続的に塗布して、前記封止基板の端部を覆うように、前記オフセット領域から前記封止基板の端部にかけて第2のシールパターンを形成する工程を有し、
前記第2の乾燥剤は前記第2のシールパターンと前記第1のシールパターンの間に設けられ、
前記第2のシールパターンは前記封止基板の4辺の端部を覆い、
前記第2のシールパターンは毛管現象により前記素子基板と前記封止基板との間に入り込み、前記素子基板と前記封止基板との隙間周辺を封じることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 素子基板に、発光素子を複数有する画素部及び駆動回路部を複数形成する工程を有し、
複数の封止基板に、シール剤を塗布して第1のシールパターンを形成する工程を有し、
前記画素部及び前記駆動回路部が形成された面と、前記第1のシールパターンが形成された面とが対向するように、前記素子基板と前記複数の封止基板とを貼り合わせる工程を有し、
前記画素部及び前記駆動回路部が形成された領域毎に、前記封止基板が貼り合わせられ、
前記第1のシールパターンは前記画素部及び前記駆動回路部を囲んで配置され、
前記素子基板は、前記封止基板の周囲4辺に、前記封止基板と重ならない領域であるオフセット領域を有し、
前記封止基板の周囲4辺にある、前記素子基板の前記オフセット領域にシール剤を連続的に塗布して、前記封止基板の端部を覆うように、前記オフセット領域から前記封止基板の端部にかけて第2のシールパターンを形成する工程を有し、
前記第2のシールパターンは前記封止基板の4辺の端部を覆い、
前記第2のシールパターンは毛管現象により前記素子基板と前記封止基板との間に入り込み、前記素子基板と前記封止基板との隙間周辺を封じ、
前記素子基板を、前記封止基板で貼り合わされた前記画素部及び前記駆動回路部が形成された領域毎に切り離す工程を有することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、前記素子基板と前記封止基板とを貼り合わせる工程は湿度を露点−60℃以下の不活性ガス雰囲気下で行うことを特徴とする発光装置の作製方法。
- 請求項1乃至3のいずれか一において、前記第2のシールパターンは前記第1のシールパターンとの間に隙間を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
- 請求項1乃至3のいずれか一において、前記第2のシールパターンに用いるシール剤の粘性率は200Pa・s(25℃)以下で、前記第1のシールパターンに用いるシール剤の粘性率よりも低いことを特徴とする発光装置の作製方法。
- 発光素子を複数有する画素部及び駆動回路部が設けられた素子基板を有し、
前記素子基板上の封止基板を有し、
前記素子基板と前記封止基板との間には第1のシールパターンと第2のシールパターンが設けられ、
前記第1のシールパターンは前記画素部及び前記駆動回路部を囲んで配置され、
前記素子基板は、前記封止基板の周囲4辺に、前記封止基板と重ならない領域であるオフセット領域を有し、
前記第2のシールパターンは前記オフセット領域から前記封止基板の端部にかけて設けられ、前記素子基板と前記封止基板との間に設けられ、前記封止基板の4辺の端部を覆うことを特徴とする発光装置。 - 発光素子を複数有する画素部及び駆動回路部が設けられた素子基板を有し、
前記素子基板上の封止基板を有し、
前記素子基板と前記封止基板との間には第1のシールパターンと第2のシールパターンが設けられ、
前記第1のシールパターンは前記画素部及び前記駆動回路部を囲んで配置され、
前記素子基板は、前記封止基板の周囲4辺に、前記封止基板と重ならない領域であるオフセット領域を有し、
前記第2のシールパターンは前記オフセット領域から前記封止基板の端部にかけて設けられ、前記素子基板と前記封止基板との間に設けられ、前記封止基板の4辺の端部を覆い、
前記封止基板の2つの窪みの一方に第1の乾燥剤を備え、他方に第2の乾燥剤を備え、
前記第1の乾燥剤は前記第1のシールパターンに囲まれ、
前記第2の乾燥剤は前記第2のシールパターンと前記第1のシールパターンの間に設けられることを特徴とする発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010169102A JP2010238678A (ja) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | 発光装置の作製方法および発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010169102A JP2010238678A (ja) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | 発光装置の作製方法および発光装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002261914A Division JP2004103337A (ja) | 2002-09-06 | 2002-09-06 | 発光装置およびその作製方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012001924A Division JP2012069534A (ja) | 2012-01-10 | 2012-01-10 | 発光装置 |
JP2012001925A Division JP2012109257A (ja) | 2012-01-10 | 2012-01-10 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010238678A true JP2010238678A (ja) | 2010-10-21 |
Family
ID=43092792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010169102A Withdrawn JP2010238678A (ja) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | 発光装置の作製方法および発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010238678A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109346623A (zh) * | 2018-11-14 | 2019-02-15 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | Amoled显示产品封边方法、封边结构及显示产品 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10134959A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Sharp Corp | 薄膜elパネル |
JPH11185956A (ja) * | 1997-12-18 | 1999-07-09 | Tdk Corp | 有機el素子の製造方法および有機el素子 |
WO2001018887A1 (de) * | 1999-09-09 | 2001-03-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur verkapselung von bauelementen |
JP2001155854A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Toyota Motor Corp | 有機el素子の封止方法 |
JP2001297878A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネルの製造方法 |
JP2001345172A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Nec Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
JP2002050471A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-15 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2002049333A (ja) * | 2000-05-12 | 2002-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電気器具 |
WO2002021557A1 (en) * | 2000-09-06 | 2002-03-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Encapsulation for oled devices |
JP2002158088A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-05-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El表示装置 |
JP2002216949A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-08-02 | Tohoku Pioneer Corp | 有機elディスプレイの封止方法及び封止構造 |
-
2010
- 2010-07-28 JP JP2010169102A patent/JP2010238678A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10134959A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Sharp Corp | 薄膜elパネル |
JPH11185956A (ja) * | 1997-12-18 | 1999-07-09 | Tdk Corp | 有機el素子の製造方法および有機el素子 |
WO2001018887A1 (de) * | 1999-09-09 | 2001-03-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur verkapselung von bauelementen |
JP2001155854A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Toyota Motor Corp | 有機el素子の封止方法 |
JP2001297878A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネルの製造方法 |
JP2002049333A (ja) * | 2000-05-12 | 2002-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電気器具 |
JP2001345172A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Nec Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
JP2002050471A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-15 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
WO2002021557A1 (en) * | 2000-09-06 | 2002-03-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Encapsulation for oled devices |
JP2002158088A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-05-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El表示装置 |
JP2002216949A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-08-02 | Tohoku Pioneer Corp | 有機elディスプレイの封止方法及び封止構造 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109346623A (zh) * | 2018-11-14 | 2019-02-15 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | Amoled显示产品封边方法、封边结构及显示产品 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10103355B2 (en) | Light emitting device and method for manufacturing the same | |
JP2004103337A (ja) | 発光装置およびその作製方法 | |
US7128632B2 (en) | Method for manufacturing light-emitting device | |
JP4240276B2 (ja) | 発光装置 | |
US8785964B2 (en) | Panel light comprising a light-emitting device | |
US7220988B2 (en) | Luminescent device and process of manufacturing the same | |
US20050208697A1 (en) | Light-emitting device and manufacturing method thereof | |
US7268487B2 (en) | Light-emitting apparatus | |
JP2003332073A (ja) | 発光装置およびその作製方法 | |
US7453094B2 (en) | Light-emitting apparatus and fabrication method of the same | |
JP4215750B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
JP4118630B2 (ja) | 発光装置、電気器具及び発光装置の作製方法 | |
JP2010238678A (ja) | 発光装置の作製方法および発光装置 | |
JP2012069534A (ja) | 発光装置 | |
JP2012109257A (ja) | 発光装置 | |
JP3766044B2 (ja) | 発光装置及びその作製方法、電気器具 | |
JP2014044958A (ja) | 発光装置 | |
JP2003017276A (ja) | 発光装置及びその作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120113 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120710 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20120831 |