JP2003017276A

JP2003017276A - 発光装置及びその作製方法

Info

Publication number: JP2003017276A
Application number: JP2002121945A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2001-04-27
Filing date: 2002-04-24
Publication date: 2003-01-17

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】発光素子の素子特性を向上させることを目的
とする。【解決手段】電流制御ＴＦＴ２０２のドレイン配線１
２０に接続された陽極１２２にはスリットが形成されて
おり、陽極１２２上に透明な正孔発生層１２４を形成す
ることを特徴とする。スリットが形成されていることか
ら、陽極１２２として遮光性の金属膜を用いても発光を
取り出すことができる。さらに、正孔発生層１２４が半
導電性を有するために陽極１２２から有機化合物層１２
５にかかる電界を均一にすることができる。また、正孔
発生層１２４において正孔が発生するために、陽極１２
２から注入されたキャリアの密度を高めることができ
る。以上により、駆動電圧が低く、輝度の高い発光素子
を形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する分野】本発明は、電界を加えることで蛍
光又は燐光が得られる有機化合物を含む膜（以下、「有
機化合物層」と記す）を有する発光素子を用いた発光装
置及びその作製方法に関する。

【０００２】尚、本発明において発光素子とは一対の電
極間に有機化合物層を設けた素子を指し、発光装置と
は、発光素子を用いた画像表示デバイスもしくは発光デ
バイスを指す。また、発光素子にコネクター、例えばＦ
ＰＣ(Flexible Printed Circuit)もしくはＴＡＢ（Tape
Automated Bonding）テープもしくはTCP（Tape Carrie
r Package）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテー
プやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュー
ル、または発光素子にＣＯＧ（Chip On Glass）方式に
よりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全
て発光装置に含むものとする。

【０００３】

【従来の技術】薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動
などの特徴を有する有機化合物を発光体として用いた発
光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応
用が期待されている。特に、発光素子をマトリクス状に
配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、
視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えら
れている。

【０００４】発光素子の発光機構は、一対の電極間に有
機化合物層を挟んで電圧を印加することにより、陰極か
ら注入された電子および陽極から注入された正孔が有機
化合物層中の発光中心で再結合して分子励起子を形成
し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを
放出して発光するといわれている。励起状態には一重項
励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を
経ても可能であると考えられている。

【０００５】このような発光素子をマトリクス状に配置
して形成された発光装置には、パッシブマトリクス駆動
（単純マトリクス型）とアクティブマトリクス駆動（ア
クティブマトリクス型）といった駆動方法を用いること
が可能である。しかし、画素密度が増えた場合には、画
素（又は１ドット）毎にスイッチが設けられているアク
ティブマトリクス型の方が低電圧駆動できるので有利で
あると考えられている。

【０００６】アクティブマトリクス型の発光装置として
は、絶縁表面上に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴとよ
ぶ）を形成した後、ＴＦＴ上に層間絶縁膜を形成し、層
間絶縁膜を介してＴＦＴと電気的に接続された発光素子
の陽極が形成される。陽極を形成する材料としては、仕
事関数の大きい透明性導電材料が適しており、代表的に
はＩＴＯ（indium tin oxides）が用いられている。

【０００７】さらに陽極上には、有機化合物層が形成さ
れ、有機化合物層には、正孔注入層、正孔輸送層、発光
層、ブロッキング層、電子輸送層及び電子注入層等が含
まれる。なお、有機化合物層は単層で形成しても良い
が、上述した複数の層を組み合わせて形成することもで
きる。

【０００８】有機化合物層を形成した後で、陰極を形成
することにより、発光素子が形成される。陰極としては
仕事関数の小さい金属（代表的には周期表の１族もしく
は２族に属する金属）やこれらを含む合金を用いること
が多い。

【０００９】また、陽極の端部を覆うように形成され、
陽極が後から形成される陰極とショートすることを防ぐ
ために有機樹脂材料からなる絶縁層が形成されている。
以上のような発光素子が各画素に形成され、これらが画
素部に複数形成されることによりアクティブマトリクス
型の発光装置が形成される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これま
で陽極として用いられてきた透明導電膜は、可視光を透
過するため発光層で生じた光を透過することができる
が、金属に比べて抵抗率が大きいという欠点がある。膜
抵抗が大きくなるとキャリアが注入されにくくなるため
に発光素子におけるキャリアの再結合性が低下するとい
う問題が生じる。

【００１１】そこで、本発明では、これまで陽極に用い
ていた透明導電膜と同様に光を透過させるだけでなく、
透明導電膜を用いたときよりも低抵抗な材料を用いるこ
とにより透明導電膜を用いたときよりも素子特性を向上
させることを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明では、上記課題を
解決するために抵抗の低い導電性材料を用いてスリット
（光を遮らないようにするための細隙）を有する陽極を
形成することにより、電極材料として遮光性の金属膜を
用いることができる。これにより、透明導電膜と同様に
発光層で生じた光を通し、かつ透明導電膜よりも低抵抗
な陽極を形成することができる。

【００１３】また、スリットを有する陽極を形成するこ
とで、陽極の電極面積が小さくなり、有機化合物層に電
界が均一にかからず、充分な発光が得られないといった
問題が生じることから、本発明では、透明性の高い有機
材料と電子受容体からなる半導電膜を陽極のスリットに
おける凹部、及び凸部上に形成する。なお、ここでは導
体と絶縁体の中間の電気伝導率を有する導電性（本明細
書中では、半導電性と呼ぶ）の膜のことを半導電膜と呼
ぶ。これにより、半導電膜を電極の一部として機能させ
ることができるために有機化合物層に電界を均一にかけ
ることができる。さらにこの半導電膜の成膜表面を平滑
化させて形成することで、次に形成される正孔注入層、
正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を均一に形成するこ
とができる。

【００１４】なお、本発明において半導電膜は有機材料
と電子受容体とを共蒸着することにより形成される。有
機材料と電子受容体との間では、有機材料が有する電子
を電子受容体が引き抜くことにより電荷移動が生じ、有
機材料から正孔を発生させることができるために、陽極
から電圧を印加して正孔が注入された際に、流れる正孔
の密度を高めることができる。なお、本明細書中では、
半導電膜からなる層のことを正孔発生層とよび、正孔注
入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層およびブロッキ
ング層等から構成される有機化合物層に含めるものとす
る。

【００１５】また、陽極の役割は、電圧が印加された際
に正孔（ホール）を有機化合物層に注入することであ
り、有機化合物層を形成する有機化合物よりもＨＯＭＯ
準位の高い材料であることが要求される。即ち、仕事関
数の大きい材料であることが望ましい。さらに本発明に
おいて陽極の低抵抗化が望まれることからＩＴＯよりも
低抵抗な材料であることが要求される。なお、そのよう
な陽極材料としては、白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、
タングステン（Ｗ）もしくはニッケル（Ｎｉ）などの金
属材料を用いることができる。

【００１６】また、本発明において、陽極が有するスリ
ットの間隔（隣接するスリット間の距離）は０．５〜３
μｍ（好ましくは１．０〜２．０μｍ）で、スリットの
幅はスリットの間隔の５〜１５倍が良い。例えば、スリ
ットの間隔が１．５μｍのとき、スリットの幅は１０〜
１５μｍが望ましい。また、陽極が形成される面積に対
してスリットが形成される面積の占める割合が７０〜９
０％となるように設けると良い。なお、これらの条件
は、スリットを形成することにより陽極の電極面積が小
さくなると、陽極から有機化合物層に印加される電圧が
不均一になり、電界集中により有機化合物層が劣化する
という問題と、陽極側から光を透過させるために陽極に
開口部を形成しなくてはならないという相反する問題を
解決するために本発明者が見いだしたものである。

【００１７】なお、本発明における半導電膜を形成する
透明性の高い有機材料としては、低分子材料または高分
子材料からなる材料を用いることができる。また、ここ
でいう低分子材料とは、高分子からなる高分子材料に比
べて低い分子量をもつ材料のことをいう。

【００１８】半導電膜を低分子材料により形成する場合
には、アントラセン、テトラセン、ピレン等の縮合環炭
化水素、直鎖パラフィン、オリゴチオフェン系材料及び
フタロシアニン系材料といった低分子材料に、ＴＣＮＱ
（tetracyano-quinodimethan）、ＦｅＣｌ₃、ＺｒＣ
ｌ₄、ＨｆＣｌ₄、ＮｂＣｌ₅、ＴａＣｌ₅、ＭｏＣｌ₅、
ＷＣｌ₆、といった電子受容体（アクセプタ）を共蒸着
することにより形成する。

【００１９】一方、本発明における半導電膜を高分子材
料により形成する場合には、ポリアセチレン、ポリチオ
フェン、ポリ（３−メチル）チオフェン、ポリ（３−エ
チル）チオフェン、ポリ（３−ｎ−ブチル）チオフェ
ン、ポリ（３−ヘキシル）チオフェン、ポリ（３−オク
チル）チオフェン、ポリ（３−ドデシル）チオフェン、
ポリ（３−オクタデシル）チオフェン、ポリ（３−アイ
コシル）チオフェンもしくはポリ（３−メチル−Ｃｏ−
ブチル）チオフェンといった高分子材料とＰＦ₆ ^-、臭素
もしくはヨウ素といった電子受容体（アクセプタ）を共
に溶媒中に共存させて印刷法、インクジェット法もしく
はスピンコート法により形成させることができる。

【００２０】このように本発明を実施することで、遮光
性であっても低抵抗な金属材料を用いることができるた
めに陽極材料として使用できる材料の選択の幅が増加す
る。また、スリットを形成した陽極上に正孔発生層を形
成することにより、次に形成される有機化合物層を均一
に形成することができるだけでなく有機化合物層に均一
に電界をかけることができる。

【００２１】さらに、正孔発生層は正孔を発生させる層
であることから、陽極から電圧を印加して正孔が注入さ
れた際に流れる正孔の密度を高めることができるので、
従来の素子に比べて駆動電圧が低く、発光輝度の高い発
光素子を形成することができる。また、そのような発光
素子を有する発光装置を表示部として用いることにより
高性能な電気器具を得ることができる。

【００２２】尚、本発明の発光装置から得られる発光
は、一重項励起状態又は三重項励起状態のいずれか一
方、またはその両者による発光を含むものとする。

【００２３】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態として、発光
装置の画素部の作製方法及びその構造について図１を用
いて説明する。

【００２４】図１（Ａ）において、基板１０１上に半導
体素子を形成する。なお、本実施の形態では、基板１０
１としては、ガラス基板を用いるが、石英基板、シリコ
ン基板、金属基板もしくはセラミックス基板を用いても
良い。

【００２５】また、ここでは半導体素子として薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ:thin film transistor）を形成する
場合について説明する。

【００２６】はじめに結晶質シリコン膜を５０ｎｍの膜
厚に形成する。なお、結晶質シリコン膜の成膜方法とし
ては公知の手段を用いることができる。

【００２７】結晶質シリコン膜をパターニングして島状
の結晶質シリコン膜１０２、１０３（以下活性層と呼
ぶ）を形成する。そして、活性層１０２、１０３を覆っ
て酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜１０４を形成す
る。さらに、ゲート絶縁膜１０４の上にはゲート電極１
０５、１０６を形成する。ゲート電極１０５、１０６を
形成する材料としては、３５０ｎｍの膜厚でタングステ
ン膜、もしくはタングステン合金膜を用いる。なお、図
３に示すようにゲート電極１０５は、ゲート配線３０１
の一部である。

【００２８】そして、図１（Ｂ）に示すようにゲート電
極１０５、１０６をマスクとして周期表の１３族に属す
る元素（代表的にはボロン）を添加する。添加方法は公
知の手段を用いれば良い。こうしてｐ型の導電型を示す
不純物領域（以下、ｐ型不純物領域という）１０７〜１
１１が形成される。また、ゲート電極１０５、１０６の
直下にはチャネル形成領域１１２〜１１４が画定され
る。なお、ｐ型不純物領域１０７〜１１１はＴＦＴのソ
ース領域もしくはドレイン領域となる。

【００２９】次に、保護膜（ここでは窒化シリコン膜）
１１５を５０ｎｍの厚さに形成し、その後、加熱処理を
行って添加された周期表の１３族に属する元素の活性化
を行う。この活性化はファーネスアニール、レーザーア
ニールもしくはランプアニールにより行うか、又はそれ
らを組み合わせて行えば良い。本実施の形態では５００
℃４時間の加熱処理を窒素雰囲気で行う。

【００３０】活性化が終了したら、水素化処理を行うと
効果的である。水素化処理は、公知の水素アニール技術
もしくはプラズマ水素化技術を用いれば良い。

【００３１】次に、図１（Ｃ）に示すように、ポリイミ
ド、アクリル、ポリイミドアミドなどの有機樹脂膜から
なる第１層間絶縁膜１１６を８００ｎｍの厚さに形成す
る。これらの材料は、スピナーで塗布した後、加熱して
焼成又は重合させて形成することで、表面を平滑化する
ことができる。また、有機樹脂材料は、一般に誘電率が
低いため、寄生容量を低減できる。なお、第１層間絶縁
膜１１６としては無機絶縁膜を用いても良い。

【００３２】次いで、第一層間絶縁膜１１６からの脱ガ
スが発光素子に悪影響を及ぼさないように第１の層間絶
縁膜１１６上に第２の層間絶縁膜１１７を形成する。第
２の層間絶縁膜１１７は、無機絶縁膜、代表的には、酸
化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、
またはこれらを組み合わせた積層膜で形成すればよく、
プラズマＣＶＤ法で反応圧力２０〜２００Pa、基板温度
３００〜４００℃とし、高周波（１３．５６MHz）で電
力密度０．１〜１．０W/cm²で放電させて形成する。も
しくは、層間絶縁膜表面にプラズマ処理をして、水素、
窒素、ハロゲン化炭素、弗化水素または希ガスから選ば
れた一種または複数種の気体元素を含む硬化膜を形成し
てもよい。

【００３３】その後、所望のパターンのレジストマスク
を形成し、ＴＦＴのドレイン領域に達するコンタクトホ
ールを形成して、配線１１８〜１２１を形成する。配線
材料としては、導電性の金属膜としてＡｌやＴｉの他、
これらの合金材料を用い、スパッタ法や真空蒸着法で成
膜した後、所望の形状にパターニングすればよい。

【００３４】この状態でＴＦＴが完成する。本実施の形
態において発光装置の画素部には、図１（Ｃ）に示すよ
うにスイッチング用ＴＦＴ２０１及び電流制御用ＴＦＴ
２０２が形成され、同時に図３に示す消去用ＴＦＴ２０
３も同時に形成される。なお、消去用ＴＦＴ２０３のゲ
ート電極は、スイッチング用ＴＦＴ２０１のゲート電極
を形成するゲート配線３０１とは異なるゲート配線３０
２の一部により形成されている。なお、本実施の形態で
は、これらのＴＦＴは全てｐチャネル型ＴＦＴで形成さ
れる。

【００３５】また、同時に図３に示すように保持容量３
０５が形成される。保持容量３０５はＴＦＴの活性層と
同時に形成された半導体層３０６、ゲート絶縁膜１０４
及びゲート電極１０６を形成する配線により形成される
下側保持容量と、ゲート電極１０６を形成する配線、保
護膜１１５、第１層間絶縁膜１１６、第２層間絶縁膜１
１７及び電流供給線３０４で形成される上側保持容量と
で形成される。また、半導体層３０６は電流供給線３０
４と電気的に接続されている。

【００３６】次いで、発光素子の陽極となる導電膜を成
膜する。また、導電膜としては、陰極を形成する材料よ
りも仕事関数の大きい材料を用い、さらにＩＴＯ膜より
もシート抵抗の低い材料、具体的には白金（Ｐｔ）、ク
ロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、もしくはニッケル
(Ｎｉ)といった材料を用いることができる。なお、この
時の導電膜の膜厚は、１０〜１００ｎｍとするのが望ま
しい。

【００３７】続いて、図１（Ｄ）に示すように、導電膜
をエッチングしてスリットが形成された陽極１２２を形
成する。なお、ここまで形成された状態を上面から見る
と図３（Ａ）に示すような構造となっている。

【００３８】図３（Ａ）に示すように、陽極は複数のス
リット３０３を有し、陽極１２２を形成する材料が遮光
性の材料であった場合にも、スリット３０３から光を通
すことができる。

【００３９】なお、本実施の形態において、スリット３
０３の間隔（図３（Ａ）中のＡで示される距離）を２μ
ｍ、スリット３０３の幅（図３（Ａ）中のＢで示される
距離）を２０μｍとする。

【００４０】その後、全面にポリイミド、アクリル、ポ
リイミドアミドから成る有機樹脂膜を形成する。これら
は、加熱して硬化する熱硬化性材料のもの或いは紫外線
を照射して硬化させる感光性材料のものを採用すること
ができる。熱硬化性材料を用いた場合は、その後、レジ
ストのマスクを形成し、ドライエッチングにより陽極１
２２上に開口部を有する絶縁層１２３を形成する。感光
性材料を用いた場合は、フォトマスクを用いて露光と現
像処理を行うことにより陽極１２２上に開口部を有する
絶縁層１２３を形成する。いずれにしても絶縁層１２３
は、陽極１２２の端部を覆いテーパー状の縁を有するよ
うに形成する。縁をテーパー状に形成することで、その
後形成する有機化合物層の被覆性を良くすることができ
る。

【００４１】次いで、陽極１２２上に正孔発生層１２４
を形成する。なお、本発明における正孔発生層１２４
は、光透過性を有する膜であり、有機材料として低分子
材料１２４ａと電子受容体１２４ｂを共蒸着することに
より形成する。なお、低分子材料としては、アントラセ
ン、テトラセン、ピレン等の縮合環炭化水素、直鎖パラ
フィン、オリゴチオフェン系材料及びフタロシアニン系
材料といった材料を用いることができ、電子受容体とし
ては、ＴＣＮＱ（tetracyano-quinodimethan）、ＦｅＣ
ｌ₃、ＺｒＣｌ₄、ＨｆＣｌ₄、ＮｂＣｌ₅、ＴａＣｌ₅、
ＭｏＣｌ₅、ＷＣｌ ₆、といった材料を用いることができ
る。

【００４２】また、正孔発生層１２４を形成する際に
は、低分子材料１２４ａの電子受容体１２４ｂに対する
比率は、モル比で１：１となるのが望ましい。

【００４３】なお、メタルマスクを用いて蒸着法により
正孔発生層を成膜することで、正孔発生層１２４を図１
（Ｅ）に示すような形状にパターニングすることができ
る。以上のようにして正孔発生層１２４が形成される
が、正孔発生層１２４は陽極１２２の上部だけでなく、
スリット部分にも成膜される。

【００４４】正孔発生層１２４を形成した後で、発光層
の他に正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送
層、電子注入層およびバッファー層といった複数の層を
組み合わせて積層された有機層１２５が形成される。ま
た、有機層１２５は２０〜３００ｎｍ程度の厚さで形成
される（図２（Ａ））。なお、本実施の形態において、
正孔発生層１２４および有機層１２５を含めて有機化合
物層１３０と呼ぶ。

【００４５】次に陰極１２６を蒸着法により形成する
（図２（Ｂ））。陰極１２６となる材料としては、Ｍｇ
Ａｇ合金やＡｌＬｉ合金の他に、周期表の１族もしくは
２族に属する元素の単体もしくはこれらを含む化合物
（ＣａＦ、ＢａＦ等）とアルミニウムとを共蒸着法によ
り形成した膜を用いることもできる。なお、陰極１２６
の膜厚は８０〜２００nm程度が好ましい。

【００４６】以上により、図４に示すようにスリット３
０３を有する陽極１２２と有機化合物層１３０と、陰極
１２６とからなる発光素子１２７を完成させることがで
きる。

【００４７】以上のように、スリットが形成された陽極
１２２と、陽極１２２上に光透過性を有する正孔発生層
１２４を２０〜２００ｎｍ、好ましくは２０〜５０ｎｍ
程度の膜厚で形成することにより、陽極１２２を形成す
る導電膜として光透過性が悪くても、低抵抗な導電膜を
用いることができる。また、陽極１２２上に正孔発生層
１２４を形成することにより、陽極から有機化合物層１
２５への正孔の注入性を高めることができ、素子特性を
向上させることができる。

【００４８】さらに、本発明においてスリットの凹凸を
有する陽極１２２上に陽極１２２よりも膜厚の厚い正孔
発生層１２４を形成することにより、その成膜表面が平
坦化されると、後に形成される正孔発生層１２４以外の
有機化合物層１２５を均一に形成することができ、ダー
クスポットや、陽極１２２と陰極１２６とが短絡して発
光素子１２７が非点灯となる不良を防止することができ
る。

【００４９】さらに、図２（Ｃ）に示すように発光素子
１２７をカバー材１２８などで封止して、空間１２９に
封入する。これにより、発光素子１２７を外部から完全
に遮断することができ、外部から水分や酸素といった有
機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐこと
ができる。

【００５０】なお、カバー材１２８を構成する材料とし
てガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Fiberglass-Rei
nforced Plastics）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライ
ド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からな
るプラスチック基板を用いることができる。

【００５１】

【実施例】〔実施例１〕本実施例では、本発明の発光装
置が有する発光素子の素子構造について図５を用いて説
明する。

【００５２】図５において、５０１はスリット５０２を
有する陽極であり、白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、タ
ングステン（Ｗ）もしくはニッケル（Ｎｉ）等の金属膜
を用いることができる。なお、本実施例においては、陽
極５０１の膜厚が３０ｎｍとなるように形成する。

【００５３】次に、電子受容体５０３と低分子材料５０
４とを共蒸着させることにより、正孔発生層５０５を形
成する。なお、本実施例において、電子受容体として
は、本実施の形態で示したのと同様の材料を用いること
ができるが、低分子材料５０４としては、正孔注入性の
材料を用いる。

【００５４】正孔注入性の材料としては、銅フタロシア
ニン（ＣｕＰｃ）や無金属フタロシアニン（Ｈ₂Ｐｃ）
等のフタロシアニン系の材料を用いることができる。

【００５５】なお、本実施例に於いては、正孔注入性材
料である低分子材料５０４と電子受容体５０３からなる
正孔発生層５０５を共蒸着法により、５０〜６０ｎｍの
膜厚で形成する。

【００５６】次に、正孔注入層５０７、正孔輸送層５０
８、発光層５０９及び電子輸送層５１０を積層すること
により形成する。

【００５７】なお、正孔注入層５０７は、正孔注入性材
料を用いて形成するが、本実施例では、正孔発生層を形
成する際に低分子材料として用いた材料と同じ材料を用
い、１０〜３０ｎｍの膜厚で形成する。このように正孔
発生層と正孔注入層を同一の低分子材料を用いて形成す
ることで、二層間が有するエネルギー障壁を緩和するこ
とができるため、キャリアの移動を容易にすることがで
きる。

【００５８】次に正孔輸送性の材料を用いて正孔輸送層
５０８が形成される。本実施例において、正孔輸送性の
材料としては、芳香族アミン系の4,4'-ヒ゛ス［N-(1-ナフチル)
-N-フェニル-アミノ］ヒ゛フェニル（α−ＮＰＤ）、1,1-ヒ゛ス［4-ヒ゛ス
(4-メチルフェニル)-アミノ-フェニル］シクロヘキサン（ＴＰＡＣ）、4,4',
4''-トリス[N-(3-メチルフェニル)-N-フェニル-アミノ]トリフェニルアミン(ＭＴＤ
ＡＴＡ)といった材料を用い、３０〜６０ｎｍの膜厚で
形成する。

【００５９】次に、発光性の材料を用いて発光層５０９
が形成される。本実施例において、発光性の材料として
は、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（以下、
Ａｌｑ₃と示す）の他、これにフェニル基が導入された
構造のＡｌｐｑ₃等を用い、３０〜６０ｎｍの膜厚で形
成する。また、発光層５０９にドーピングを行う場合に
はペリレン、ルブレン、クマリン、4-(シ゛シアノメチレン)-2-メチ
ル-6-(p-シ゛メチルアミノスチリル)-4H-ヒ゜ラン（ＤＣＭ）およびキナク
リドンといった公知の材料をドーパントとして用いるこ
とができる。

【００６０】さらに、ドーパントであるＣＢＰと三重項
励起状態からの発光が得られるイリジウム錯体（Ｉｒ
（ｐｐｙ）₃）または白金錯体とを共蒸着させることに
より、発光層５０９を形成することもできる。なお、こ
の場合には、発光層５０９と電子輸送層５１０との間に
正孔阻止層を形成する必要がある。正孔阻止層を形成す
る材料としてバソキュプロイン（以下、ＢＣＰと示す）
を用い、１０〜３０ｎｍの膜厚で形成すればよい。

【００６１】次に、電子輸送性の材料を用いて電子輸送
層５１０を形成する。本実施例において、電子輸送性の
材料としては、1,3,4-オキサジアゾール誘導体や1,2,4-
トリアゾール誘導体といった材料を用いることができ
る。具体的には、2-(4-ヒ゛フェニリル)-5-(4-tert-フ゛チルフェニル)-
1,3,4-オキサシ゛アソ゛ール（ＰＢＤ）、2,5-(1,1'-シ゛ナフチル)-1,3,
4-オキサシ゛アソ゛ール（ＢＮＤ）、1,3-ヒ゛ス［5-(p-tert-フ゛チルフェニ
ル)-1,3,4-オキサシ゛アソ゛ール-2-イル］ヘ゛ンセ゛ン（ＯＸＤ−７）、3-
(4-tert-フ゛チルフェニル)-4-フェニル-5-(4-ヒ゛フェニリル)-1,2,4-トリアソ゛
ール（ＴＡＺ）といった材料を用い、３０〜６０ｎｍの膜
厚で形成する。

【００６２】有機化合物層５０６を形成した後で、蒸着
法により陰極５１１を形成する。本実施例では発光素子
の陰極５１１となる導電膜としてＭｇＡｇを用いるが、
ＡｌやＹｂの他、Ａｌ−Ｌｉ合金膜（アルミニウムとリ
チウムとの合金膜）や、周期表の１族もしくは２族に属
する元素の単体もしくはこれらを含む化合物（ＣａＦ、
ＢａＦ等）とアルミニウムとを共蒸着法により形成した
膜を用いることも可能である。

【００６３】以上により、スリットが形成された陽極上
に積層構造を有する有機化合物膜を形成し、正孔発生層
と正孔注入層に同一の材料を用いることができる。な
お、本実施例に示した発光素子は本発明の発光装置に用
いることができる。

【００６４】〔実施例２〕本実施例では、実施例１で示
した発光素子に混合層を形成する場合について図６を用
いて説明する。

【００６５】図６において、６０１はスリット６０２を
有する陽極であり、６０５は、電子受容体と低分子材料
とを共蒸着することにより形成される正孔発生層であ
る。

【００６６】正孔発生層の上に正孔注入層６０７、正孔
輸送層６０８、発光層６０９、電子輸送層６１０を積層
することにより有機化合物層６０６を形成することがで
きる。なお、これらの形成には、実施例１を参照すれば
よい。

【００６７】本実施例においては、発光層６０９と接し
て形成される正孔輸送層６０８及び電子輸送層６１０
と、発光層６０９との界面にそれぞれ混合層を形成す
る。

【００６８】なお、本実施例では、発光層６０９と正孔
輸送層６０８との界面に形成される混合層を混合層
（１）６１２、発光層６０９と電子輸送層６１０との界
面に形成される混合層を混合層（２）６１３と呼ぶこと
にする。

【００６９】そして、混合層（１）６１２を形成する際
には、発光層６０９を形成する材料と正孔輸送層６０８
を形成する材料とを共蒸着させる。なお、混合層（１）
を形成する際には、各材料の混合比を変化させることが
できる。

【００７０】また、混合層（２）６１３を形成する際に
は、発光層６０９を形成する材料と電子輸送層６１０を
形成する材料とを共蒸着させる。なお、混合層（２）６
１３を形成する場合も同様に各材料の混合比を変化させ
ることができる。

【００７１】以上に示すように発光層との界面（具体的
には、発光層と正孔輸送層の界面、及び発光層と電子輸
送層の界面）において、混合層が設けられる構造を形成
することにより、正孔輸送層４０３から発光層への正孔
の注入性および電子輸送層から発光層への電子の注入性
を良くすることができるため、発光層におけるキャリア
の再結合性を高めることができる。

【００７２】〔実施例３〕本実施例では、赤、緑、青色
の発光を示す発光素子が形成される発光装置について説
明する。本実施例では、図１（Ｅ）で示すように正孔発
生層１２４を形成したら、発光層に異なる材料を用いる
ことで異なる発光を示す有機化合物層の形成を行う。ま
た、成膜法としては、いずれも蒸着法を用いているの
で、成膜時にメタルマスクを用いることにより画素毎に
異なる材料を用いて発光層を形成することは可能であ
る。

【００７３】本実施例では、赤色に発色する発光層（以
下、赤色発光層と呼ぶ）をメタルマスクを用いて形成す
る。なお、本実施例において赤色発光層を形成するため
に用いる材料としては公知の材料を用いることができ
る。また、発光装置に形成される全ての赤色発光層を同
時に形成しても良いし、メタルマスクをずらしながら順
次形成しても良い。

【００７４】次に、緑色に発色する発光層（以下、緑色
発光層と呼ぶ）を同様にしてメタルマスクを用いて形成
する。なお、本実施例において緑色発光層を形成するた
めに用いる材料としては公知の材料を用いることができ
る。また、発光装置に形成される全ての緑色発光層を同
時に形成しても良いし、メタルマスクをずらしながら順
次形成しても良い。

【００７５】さらに、青色に発色する発光層（以下、青
色発光層と呼ぶ）を同様にしてメタルマスクを用いて形
成する。なお、本実施例において青色発光層を形成する
ために用いる材料としては公知の材料を用いることがで
きる。また、発光装置に形成される全ての青色発光層を
同時に形成しても良いし、メタルマスクをずらしながら
順次形成しても良い。

【００７６】以上により、赤、緑、青色の発光を示す発
光素子が形成される発光装置を形成することができる。
なお、本実施例において示した発光色に限られることは
なく、白色に発光する材料や、橙色に発光する材料など
の公知の材料を組み合わせて用いることは可能である。

【００７７】〔実施例４〕本実施例では、本発明の発光
装置の外観図について図７を用いて説明する。

【００７８】図７（Ａ）は、発光装置の上面図であり、
図７（Ｂ）は図７（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図で
ある。点線で示された７０１はソース信号線駆動回路、
７０２は画素部、７０３はゲート信号線駆動回路であ
る。また、７１０は基板、７０４はカバー材、７０５は
シール剤であり、基板７１０、カバー材７０４及びシー
ル剤７０５で囲まれたところは、空間７０７になってい
る。

【００７９】なお、７０８はソース信号線駆動回路７０
１及びゲート信号線駆動回路７０３に入力される信号を
伝送するための接続配線であり、外部入力端子となるＦ
ＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）７０９からビ
デオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではＦ
ＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント
配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明
細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、
それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも
含むものとする。

【００８０】次に、断面構造について図７（Ｂ）を用い
て説明する。基板７１０上には駆動回路及び画素部が形
成されているが、ここでは、駆動回路としてソース信号
線駆動回路７０１と画素部７０２が示されている。

【００８１】ここでは、ソース信号線駆動回路７０１は
ｎチャネル型ＴＦＴ７１３とｐチャネル型ＴＦＴ７１４
とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。なお、駆
動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭ
ＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。ま
た、本実施例では、基板上に駆動回路を形成したドライ
バー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上
ではなく外部に形成することもできる。

【００８２】また、画素部７０２は電流制御用ＴＦＴ７
１１とそのドレインに電気的に接続された陽極７１２を
含む複数の画素により形成される。

【００８３】陽極７１２には、スリットが形成されてい
る。また、陽極７１２の両端には絶縁体７１５が形成さ
れ、陽極７１２上には正孔発生層７１６及び正孔注入
層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層からなる有機化合
物層７１７が形成される。さらに、絶縁体７１５と有機
化合物層７１７上には陰極７１８が形成される。これに
より、陽極、有機化合物層及び陰極からなる発光素子７
１９が形成される。

【００８４】陰極７１８は全画素に共通の配線としても
機能し、接続配線７０８を経由してＦＰＣ７０９に電気
的に接続されている。

【００８５】また、基板７１０上に形成された発光素子
７１９を封止するためにシール剤７０５によりカバー材
７０４を貼り合わせる。なお、カバー材７０４と発光素
子７１９との間隔を確保するために樹脂膜からなるスペ
ーサを設けても良い。そして、シール剤７０５の内側の
空間７０７には窒素等の不活性気体が充填されている。
なお、シール剤７０５としてはエポキシ系樹脂を用いる
のが好ましい。また、シール剤７０５はできるだけ水分
や酸素を透過しない材料であることが望ましい。さら
に、空間７０７の内部に吸湿効果をもつ物質や酸化を防
止する効果をもつ物質を含有させても良い。

【００８６】また、本実施例ではカバー材７０４を構成
する材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Fi
berglass-Reinforced Plastics）、ＰＶＦ（ポリビニル
フロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル
等からなるプラスチック基板を用いることができる。

【００８７】また、シール剤７０５を用いてカバー材７
０４を接着した後、さらに側面（露呈面）を覆うように
シール剤で封止することも可能である。

【００８８】以上のようにして発光素子を空間７０７に
封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断す
ることができ、外部から水分や酸素といった有機化合物
層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができ
る。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができ
る。

【００８９】なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例３のいずれの構成により形成された発光素子を封止し
て発光装置とする際に自由に組み合わせて実施すること
が可能である。

【００９０】〔実施例５〕本発明における発光装置は、
図８（Ａ）に示す画素部とすることができる。なお、図
８（Ａ）における回路構造について図８（Ｂ）に示す。

【００９１】図８（Ａ）において、８０１はスイッチン
グ用ＴＦＴであり、ｎチャネル型ＴＦＴである。また、
８０２で示される配線は、スイッチング用ＴＦＴ８０１
のゲート電極８０４（８０４a、８０４b）を電気的に接
続するゲート配線である。

【００９２】なお、本実施例ではチャネル形成領域が二
つ形成されるダブルゲート構造としているが、チャネル
形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは
三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。

【００９３】また、スイッチング用ＴＦＴ８０１のソー
スはソース配線８０５に接続され、ドレインはドレイン
配線８０６に接続される。また、ドレイン配線８０６は
電流制御用ＴＦＴ８０７のゲート電極８０８に電気的に
接続される。なお、電流制御用ＴＦＴ８０７は、ｐチャ
ネル型ＴＦＴを用いて形成される。なお、本実施例では
シングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造も
しくはトリプルゲート構造であっても良い。

【００９４】また、本実施例では、スイッチング用ＴＦ
Ｔ８０１はｎチャネル型ＴＦＴで形成され、電流制御用
ＴＦＴ８０７は、Ｐチャネル型ＴＦＴで形成されてい
る。しかし、スイッチング用ＴＦＴ８０１がｐチャネル
型ＴＦＴ、電流制御用ＴＦＴ８０７がｎチャネル型ＴＦ
Ｔで形成されても良いし、両方がｎチャネル型ＴＦＴも
しくはｐチャネル型ＴＦＴであっても良い。

【００９５】電流制御用ＴＦＴ８０７のソースは電流供
給線８０９に電気的に接続され、ドレインはドレイン配
線８１０に電気的に接続される。また、ドレイン配線８
１０は点線で示される電極（陽極）８１１に電気的に接
続される。なお、電極（陽極）８１１上に有機化合物層
及び電極（陰極）を形成することにより図８（Ｂ）に示
す発光素子８１５を形成することができる。

【００９６】また、８１２で示される領域には保持容量
（コンデンサ）が形成される。コンデンサ８１２は、電
流供給線８０９と電気的に接続された半導体膜８１３、
ゲート絶縁膜と同一層の絶縁膜（図示せず）及びゲート
電極８０８と電気的に接続された容量電極８１４との間
で形成される。また、容量電極８１４、層間絶縁膜と同
一の層（図示せず）及び電流供給線８０９で形成される
容量も保持容量として用いることが可能である。

【００９７】なお、本実施例において説明した画素部の
構成は、実施例１に示した画素部の代わりに組み合わせ
て実施することが可能である。

【００９８】〔実施例６〕本実施例では、スリットを設
けた陽極上に高分子材料および電子受容体からなる高分
子系の正孔発生層を形成した例について説明する。な
お、本実施例においては、正孔発生層を形成する材料及
びその成膜法以外については、本実施の形態と同様の方
法を用いるものとする。

【００９９】正孔発生層を形成する高分子材料として
は、共役系高分子であるポリアセチレン、ポリチオフェ
ン、ポリ（３−メチル）チオフェン、ポリ（３−エチ
ル）チオフェン、ポリ（３−ｎ−ブチル）チオフェン、
ポリ（３−ヘキシル）チオフェン、ポリ（３−オクチ
ル）チオフェン、ポリ（３−ドデシル）チオフェン、ポ
リ（３−オクタデシル）チオフェン、ポリ（３−アイコ
シル）チオフェンもしくはポリ（３−メチル−Ｃｏ−ブ
チル）チオフェン等を用いることができ、ＰＦ₆ ^-、臭素
もしくはヨウ素等のドーパントと共に溶媒中に溶解また
は分散させることにより成膜することができる。

【０１００】なお、ポリ（３−ヘキシル）チオフェン、
ポリ（３−オクチル）チオフェン、ポリ（３−ドデシ
ル）チオフェン、ポリ（３−オクタデシル）チオフェ
ン、ポリ（３−アイコシル）チオフェン及びポリ（３−
メチル−Ｃｏ−ブチル）チオフェンは可溶性である。溶
媒としては、クロロホルム、ベンゼンもしくはテトラリ
ンなどを用いることができる。

【０１０１】本実施例では、図１に示すスリットを設け
た陽極１２２上に正孔発生層１２４を３０〜５０ｎｍの
厚さに形成する。正孔発生層１２４を形成する材料とし
ては、可溶性のものを用い、印刷法もしくはインクジェ
ット法により成膜を行う。これによりスリットによる段
差を平滑化することが可能である。

【０１０２】その他、スピンコート法により正孔発生層
を形成することも可能であるが、この場合には、正孔発
生層が隣り合う電極（陽極）と共有する構造になるため
隣り合う電極間の距離を大きくすることにより、その抵
抗を充分に大きくして、電極（陽極）に対向して形成さ
れる電極（陰極）間の抵抗の１／１０以上になるように
設計する必要がある。

【０１０３】そして、正孔発生層１２４の上には正孔注
入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層を組み合わ
せて有機化合物層１２５を形成する。なお、本実施例に
おいて正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層
を形成する材料は公知の材料を用いることができる。

【０１０４】こうして有機化合物層１２５が形成された
ら、その上に陰極１２６としてリチウムを含有したアル
ミニウム膜を形成する。

【０１０５】以上のようにして、陽極１２２、正孔発生
層１２４を含む有機化合物層１２５および陰極１２６か
らなる発光素子１２７が形成される。

【０１０６】なお、本実施例の構成は、実施例１〜９の
いずれの構成とも組み合わせて実施することが可能であ
る。

【０１０７】〔実施例７〕発光素子を用いた発光装置は
自発光型であるため、液晶表示装置に比べ、明るい場所
での視認性に優れ、視野角が広い。従って、様々な電気
器具の表示部に用いることができる。

【０１０８】本発明により作製した発光装置を用いた電
気器具として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグ
ル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナ
ビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディ
オ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピ
ュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュ
ータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、
記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ：Di
gital Versatile Disc）等の記録媒体を再生し、その画
像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられ
る。特に、斜め方向から画面を見る機会が多い携帯情報
端末は、視野角の広さが重要視されるため、発光素子を
有する発光装置を用いることが好ましい。それら電気器
具の具体例を図９に示す。

【０１０９】図９（Ａ）は表示装置であり、筐体２００
１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部２
００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明によ
り作製した発光装置は、表示部２００３に用いることが
できる。発光素子を有する発光装置は自発光型であるた
めバックライトが必要なく、液晶表示装置よりも薄い表
示部とすることができる。なお、表示装置は、パソコン
用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示
用表示装置が含まれる。

【０１１０】図９（Ｂ）はデジタルスチルカメラであ
り、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、
操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッタ
ー２１０６等を含む。本発明により作製した発光装置は
表示部２１０２に用いることができる。

【０１１１】図９（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュ
ータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２
０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、
ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明により
作製した発光装置は表示部２２０３に用いることができ
る。

【０１１２】図９（Ｄ）はモバイルコンピュータであ
り、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０
３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含
む。本発明により作製した発光装置は表示部２３０２に
用いることができる。

【０１１３】図９（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画
像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体
２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ
２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、
操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表
示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ
２４０４は主として文字情報を表示するが、本発明によ
り作製した発光装置はこれら表示部Ａ、Ｂ２４０３、２
４０４に用いることができる。なお、記録媒体を備えた
画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。

【０１１４】図９（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイ（ヘ
ッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０１、表
示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明により
作製した発光装置は表示部２５０２に用いることができ
る。

【０１１５】図９（Ｇ）はビデオカメラであり、本体２
６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポー
ト２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０
６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キ
ー２６０９等を含む。本発明により作製した発光装置は
表示部２６０２に用いることができる。

【０１１６】ここで図９（Ｈ）は携帯電話であり、本体
２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部
２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外
部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。本
発明により作製した発光装置は、表示部２７０３に用い
ることができる。なお、表示部２７０３は黒色の背景に
白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑え
ることができる。

【０１１７】なお、将来的に有機材料の発光輝度が高く
なれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投
影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用
いることも可能となる。

【０１１８】また、上記電気器具はインターネットやＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。有機材料の応答速
度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ましい。

【０１１９】また、発光装置は発光している部分が電力
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが好ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする
表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景
として文字情報を発光部分で形成するように駆動するこ
とが好ましい。

【０１２０】以上の様に、本発明により作製された発光
装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気器具
に用いることが可能である。また、本実施例の電気器具
は実施例１〜実施例６において作製された発光装置をそ
の表示部に用いることができる。

【０１２１】

【発明の効果】このように発光素子の陽極にスリットを
設けることで、陽極材料に透明性を求める必要が無くな
るために陽極材料として用いる低抵抗な材料の選択の幅
が広がる。

【０１２２】また、陽極上に正孔発生層を形成すること
で、次に形成される正孔発生層以外の有機化合物層を均
一に形成することができるので発光素子の劣化を防ぐこ
とができ、さらに正孔発生層は半導電膜から形成されて
いるため有機化合物層にかかる電界を均一にすることが
できる。

【０１２３】さらに、正孔発生層において正孔が発生さ
れるために陽極から電圧を印加して正孔が注入された際
に流れる正孔の密度を高めることができるので、従来の
素子に比べて駆動電圧が低く、発光輝度の高い発光素子
を形成することができる。また、そのような発光素子を
有する発光装置を表示部として用いることにより高性能
な電気器具を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】発光装置の作製工程を示す図。

【図２】発光装置の作製工程を示す図。

【図３】発光装置の回路構成を示す図。

【図４】発光素子の素子構造を示す図。

【図５】発光素子の素子構造を示す図。

【図６】発光素子の素子構造を示す図。

【図７】発光装置の上面構造および断面構造を示す
図。

【図８】発光装置の回路構成を示す図。

【図９】電気器具の一例を示す図。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】スリットが形成された陽極と、陰極との間に有機化合物層を有する発光装置であって、前記有機化合物層が前記陽極と同一表面上、または前記
陽極と接して形成された正孔発生層を含むことを特徴と
する発光装置。
【請求項２】薄膜トランジスタと接続され、かつスリッ
トが形成された陽極と、陰極との間に有機化合物層を有する発光装置であって、前記有機化合物層が前記陽極と同一表面上、または前記
陽極と接して形成された正孔発生層を含むことを特徴と
する発光装置。
【請求項３】スリットが形成された陽極と、陰極との間に有機化合物層を有する発光装置であって、前記有機化合物層は、前記陽極と同一表面上、または前
記陽極と接して形成され、かつ成膜表面が平滑化された
正孔発生層を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項４】薄膜トランジスタと接続され、かつスリッ
トが形成された陽極と、陰極との間に有機化合物層を有する発光装置であって、前記有機化合物層は、前記陽極と同一表面上、または前
記陽極と接して形成され、かつ成膜表面が平滑化された
正孔発生層を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項５】スリットが形成された陽極と、陰極との間に有機化合物層を有する発光装置であって、前記陽極と接して形成された正孔発生層が前記陽極から
有機化合物層にかかる電界を均一にするものであること
を特徴とする発光装置。
【請求項６】薄膜トランジスタと接続され、かつスリッ
トが形成された陽極と、陰極との間に有機化合物層を有する発光装置であって、前記陽極と接して形成された正孔発生層が前記陽極から
有機化合物層にかかる電界を均一にするものであること
を特徴とする発光装置。
【請求項７】スリットが形成された陽極と、陰極との間に有機化合物層を有する発光装置であって、前記有機化合物層が前記陽極と接して形成された正孔発
生層、及び前記正孔発生層と接して形成された正孔注入
層を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項８】薄膜トランジスタと接続され、かつスリッ
トが形成された陽極と、陰極との間に有機化合物層を有する発光装置であって、前記有機化合物層が前記陽極と接して形成された正孔発
生層、及び前記正孔発生層と接して形成された正孔注入
層を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項９】請求項７または請求項８において、前記正
孔発生層及び前記正孔注入層が同一の材料からなること
を特徴とする発光装置。
【請求項１０】請求項１乃至請求項９のいずれか一にお
いて、前記正孔発生層が低分子材料及び電子受容体からなるこ
とを特徴とする発光装置。
【請求項１１】請求項１乃至請求項９のいずれか一にお
いて、前記正孔発生層が高分子材料及び電子受容体からなるこ
とを特徴とする発光装置。
【請求項１２】請求項１乃至請求項１１のいずれか一に
おいて、前記有機化合物層が正孔注入層、正孔輸送層、
発光層または電子輸送層を含むことを特徴とする発光装
置。
【請求項１３】請求項１乃至請求項１２のいずれか一に
おいて、前記スリットの間隔が０．５〜３μｍであることを特徴
とする発光装置。
【請求項１４】請求項１乃至請求項１３のいずれか一に
おいて、前記スリットの幅が前記スリットの間隔の５〜１５倍で
あることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】請求項１乃至請求項１４のいずれか一に
おいて、前記陽極の面積に対して前記スリットが形成される面積
の割合が７０〜９０％であることを特徴とする発光装
置。
【請求項１６】請求項１乃至請求項１５のいずれか一に
記載の発光装置を用いたことを特徴とする電気器具。
【請求項１７】スリットを有する陽極を形成し、前記陽極と接して成膜表面が平滑化された正孔発生層を
形成し、前記正孔発生層と接して正孔注入層、正孔輸送層、発光
層または電子輸送層を形成することを特徴とする発光装
置の作製方法。
【請求項１８】スリットを有する陽極を形成し、薄膜トランジスタと前記陽極を接続し、前記陽極と接して成膜表面が平滑化された正孔発生層を
形成し、前記正孔発生層と接して正孔注入層、正孔輸送層、発光
層または電子輸送層を形成することを特徴とする発光装
置の作製方法。