JPH11185956A - 有機el素子の製造方法および有機el素子 - Google Patents
有機el素子の製造方法および有機el素子Info
- Publication number
- JPH11185956A JPH11185956A JP9364540A JP36454097A JPH11185956A JP H11185956 A JPH11185956 A JP H11185956A JP 9364540 A JP9364540 A JP 9364540A JP 36454097 A JP36454097 A JP 36454097A JP H11185956 A JPH11185956 A JP H11185956A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- substrate
- adhesive layer
- sealing plate
- sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 177
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 112
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 109
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 54
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 23
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 81
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 55
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 55
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 40
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 29
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 20
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 13
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 13
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 7
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 4
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylanthracene Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12 BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFYQEBBUVNLYBR-UHFFFAOYSA-N 12-phthaloperinone Chemical class C1=CC(N2C(=O)C=3C(=CC=CC=3)C2=N2)=C3C2=CC=CC3=C1 XFYQEBBUVNLYBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910025794 LaB6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- PSYWRPCLOJXWEN-UHFFFAOYSA-K aluminum;2-phenylphenolate Chemical compound [Al+3].[O-]C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1.[O-]C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1.[O-]C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 PSYWRPCLOJXWEN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWNAZPAGBYQEID-UHFFFAOYSA-K bis[(2-hydroxy-5-methylbenzoyl)oxy]alumanyl 2-hydroxy-5-methylbenzoate Chemical compound Cc1ccc(O)c(c1)C(=O)O[Al](OC(=O)c1cc(C)ccc1O)OC(=O)c1cc(C)ccc1O DWNAZPAGBYQEID-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O diazynium Chemical compound [NH+]#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000990 laser dye Substances 0.000 description 1
- 239000011968 lewis acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000434 metal complex dye Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- QZXNDEONRUSYFB-UHFFFAOYSA-N n-[4-(4-aminophenyl)phenyl]-3-methylaniline Chemical group CC1=CC=CC(NC=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 QZXNDEONRUSYFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000012508 resin bead Substances 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007372 rollout process Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- PMJMHCXAGMRGBZ-UHFFFAOYSA-N subphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(=N3)N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C3=N1 PMJMHCXAGMRGBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
Abstract
い有機EL素子を提供する。 【解決手段】 有機EL構造体11が表面に形成された
基板1と、有機EL構造体11を包囲する接着剤層3
と、接着剤層3によって基板1に接着され、空隙をおい
て有機EL構造体11と対向する封止板2とを有し、有
機EL構造体11が、基板1、接着剤層3および封止板
2により形成される封止空間4内に存在する有機EL素
子を製造する方法であって、紫外線硬化型接着剤からな
る接着剤層3を介して封止板2と基板1とを密着させて
封止空間4を形成する予備加圧工程と、封止空間4内よ
りも圧力が高くなるように雰囲気圧力を上昇させること
により封止板2と基板1とが加圧状態で密着した状態と
し、この状態で接着剤層3に紫外線を照射する加圧・硬
化工程とを有する有機EL素子の製造方法。
Description
クトロ・ルミネッセンスを利用する有機EL素子の製造
方法に関し、さらに詳細には、基板上に設けられた有機
EL構造体を保護するための封止板を、基板に接着する
方法に関する。
いる。有機EL素子は、ホール注入電極と、発光層を含
む有機機能層と、電子注入電極とを積層して構成される
有機EL構造体を、基板上に設けた構造を基本とする。
有機機能層は、通常、トリフェニルジアミン(TPD)
などのホール輸送材料を含む薄膜と、アルミキノリノー
ル錯体(Alq3)などの蛍光物質を含む発光層とを含
み、電子注入電極は、Mgなどの仕事関数の小さな金属
から構成される。有機EL素子は、10V前後の電圧で
数百cd/m2から数万cd/m2程度のきわめて高い輝度が得ら
れることで注目されている。
弱いという問題がある。水分の影響により、例えば、有
機機能層と電極との間で剥離が生じたり、構成材料が変
質してしまったりし、これによりダークスポットと呼ば
れる非発光領域が生じたり、必要とされる品位の発光が
維持できなくなったりしてしまう。
例えば、特開平5−36475号公報、同5−8995
9号公報、同7−169567号公報等に記載されてい
るように、有機EL構造体部分を覆うように気密ケース
や封止層等を基板上に密着固定して、有機EL構造体を
外部から遮断する技術が知られている。
止層としては、製造コスト低減や量産性向上のために、
安価なガラスからなる封止板を用いることが一般的であ
る。そして、封止板と有機EL構造体との接触を避ける
ために、スペーサを介して封止板を基板に接着固定する
試みもなされている。
用されている液晶素子は、駆動用の配線を設けたガラス
基板同士を接着した後、両者の間隙に液晶を封入するこ
とにより製造される。液晶素子では、ガラス基板同士を
接着する際に液晶は存在しないため、硬化温度が140
〜180℃程度と高い熱硬化型接着剤を用いることが可
能である。しかし、同様に封止板を接着する必要のある
有機EL素子では、有機EL構造体を既に設けてある基
板に封止板を接着する必要があり、また、有機EL構造
体を構成する各層は、ガラス転移温度が140℃以下、
一般に80〜100℃程度の材料から構成されているの
で、熱硬化型接着剤を用いることはできない。このた
め、有機EL素子では、封止板と基板との接着に紫外線
硬化型接着剤を用いる必要がある。
合には、以下に説明するような問題が生じる。有機EL
素子では、封止空間内への外気の侵入を防ぐために、封
止板と基板とを片当たりが生じないように均一に圧着さ
せながら接着を行う必要がある。このため、基板上に接
着剤を介して封止板を配置し、一対の定盤で両者を挟ん
で圧着させた状態として、両者の間に存在する接着剤に
紫外線を照射する必要がある。接着剤をムラなく硬化さ
せるためには、基板と封止板との間に存在する接着剤に
紫外線をムラなく照射する必要があり、このためには、
少なくとも一方の定盤を透明なものとし、透明な定盤を
通して接着剤に紫外線を照射する方法が確実である。し
かし、定盤に用いることが可能な透明材料は、溶融石英
など極めて高価なものである。例えば試作段階では有機
EL素子を1個単位で作製するため、定盤の押圧面の面
積は小さくて済むが、量産段階では複数個の素子を同時
に作製するために大面積の基板を用いるので、透明定盤
も大型とする必要がある。このため、定盤が著しく高価
となってしまい、製造コストが高くなってしまう。
有機EL構造体パターンを形成した後、各素子に対応す
る小面積の封止板を複数個接着する方法を利用すること
もでき、この場合には小面積の透明定盤を用いて各封止
板ごとに圧着して紫外線照射を行うことができる。しか
し、この方法では、生産性が低くなるという問題のほ
か、大面積基板に圧力が不均一に加わることになるた
め、基板に反りや歪みが生じやすく、その結果、封止空
間の気密が破壊されたり、接着剤中に泡が生じて外観不
良となったりするという問題がある。また、この方法に
おいて、寸法の異なる複数個の有機EL素子を同時に形
成しようとすると、素子寸法に応じた複数の透明定盤を
用意しなければならず、コストアップを招くという問題
がある。
型接着剤を用いる必要があるにもかかわらず、紫外線硬
化型接着剤を用いると、製造コストが高くなったり、生
産性を高くすることが困難になったりするという問題が
ある。
が長く、しかも、安価で、生産効率が高い有機EL素子
を提供することである。
〜(6)のいずれかの構成により達成することができ
る。 (1) 有機EL構造体が表面に形成された基板と、有
機EL構造体を包囲する接着剤層と、この接着剤層によ
って基板に接着され、空隙をおいて有機EL構造体と対
向する封止板とを有し、有機EL構造体が、基板、接着
剤層および封止板により形成される封止空間内に存在す
る有機EL素子を製造する方法であって、紫外線硬化型
の接着剤からなる接着剤層を介して封止板を基板に密着
させることにより、封止空間を形成する予備加圧工程
と、封止空間内の圧力よりも高くなるように雰囲気圧力
を上昇させることにより、接着剤層を介して封止板と基
板とが加圧状態で密着した状態とし、この状態で接着剤
層に紫外線を照射して硬化する加圧・硬化工程とを有す
る有機EL素子の製造方法。 (2) 前記加圧・硬化工程において、接着面の単位面
積当たりの圧力が0.2〜4.0kgf/cm2となるように
雰囲気圧力を上昇させる上記(1)の有機EL素子の製
造方法。 (3) 前記加圧・硬化工程において、大気圧よりも
0.05kgf/cm2以上高くなるように雰囲気圧力を上昇
させる上記(1)または(2)の有機EL素子の製造方
法。 (4) 有機EL構造体が表面に形成された基板と、有
機EL構造体を包囲する接着剤層と、この接着剤層によ
って基板に接着され、空隙をおいて有機EL構造体と対
向する封止板とを有し、有機EL構造体が、基板、接着
剤層および封止板により形成される封止空間内に存在す
る有機EL素子であって、接着剤層が、均質な性状の連
続体である有機EL素子。 (5) 有機EL構造体が表面に形成された基板と、有
機EL構造体を包囲する接着剤層と、この接着剤層によ
って基板に接着され、空隙をおいて有機EL構造体と対
向する封止板とを有し、有機EL構造体が、基板、接着
剤層および封止板により形成される封止空間内に存在す
る有機EL素子であって、封止板が均質である有機EL
素子。 (6) 上記(1)〜(3)のいずれかの方法により製
造されたものである上記(4)または(5)の有機EL
素子。
に、基板1表面に有機EL構造体11を形成しておき、
一方、封止板2には、紫外線硬化型接着剤を含む接着剤
層3を形成しておく。次いで、図2に示すように、接着
剤層3を介して基板1と封止板2とを軽く押圧して両者
を密着させ、封止空間4を形成する。次いで、両者が密
着した状態で加圧雰囲気中に置く。このとき、雰囲気圧
力と封止空間内の圧力とに差が生じるので、図3に示す
ように、気体の圧力により封止板2が基板1側に押しつ
けられた状態となり、両者は接着剤層3を介して強固に
圧着された状態となる。加圧雰囲気中では、静水圧によ
る加圧と同様な偏りのない圧力が加わるため、基板1と
封止板2との間に存在する接着剤層3はムラなく均一に
加圧される。
や基板のほぼ全面にわたって均等に圧力を加えるので、
加圧時には、封止板の少なくとも一部または基板の少な
くとも一部だけ、あるいは封止板と基板との積層体の端
部付近だけを支持すればよい。したがって、定盤等の加
圧手段により封止板や基板が覆われることがなく、基板
1と封止板2とに挟まれた接着剤層3に、透明な基板お
よび/または透明な封止板を介して、紫外線をムラなく
照射することができる。
れ、また、接着剤層3の厚さが均一となり気孔や泡の発
生も抑えられる。したがって、封止不良による寿命低下
や、外観不良を防ぐことができる。
図である。本発明により製造される有機EL素子は、図
3に示すように、有機EL構造体11が表面に形成され
た基板1と、有機EL構造体11を包囲する接着剤層3
と、封止板2とを有する。封止板2は、接着剤層3によ
って基板1に接着されており、空隙をおいて有機EL構
造体11と対向する。有機EL構造体11は、基板1、
接着剤層3および封止板2により形成される封止空間4
内に存在する。基板1、封止板2、および有機EL構造
体11の詳細については、後に説明する。接着剤層3
は、接着剤31中にスペーサー32が分散されたもので
ある。本発明では、接着剤31として紫外線硬化型接着
剤を用いる。接着剤およびスペーサーの詳細について
は、後に説明する。
は基板表面に形成する。接着剤層は、通常、各種塗布法
を用いて、大気中、または、後述する封止ガス雰囲気中
で形成すればよい。形成時の雰囲気温度は、通常、室温
付近とすることが好ましい。接着剤層の形成パターン
は、有機EL構造体を包囲し、かつ、素子としたときに
有機EL構造体と接触しないものとする。接着剤の塗布
量は、硬化後に所望の厚さや幅を有する接着剤層が得ら
れるように、スペーサーの寸法なども考慮して適宜決定
すればよいが、通常、0.1〜100mg/cm2、好ましく
は0.1〜10mg/cm2程度とする。
は、接着剤層を形成した封止板を真空中に保持すること
により水を除去し、次いで、封止ガス雰囲気に晒すこと
が好ましい。真空中で保持する際の封止板および接着剤
層の温度は室温付近であってもよいが、好ましくは40
〜100℃程度まで加熱する。また、有機EL構造体を
形成した基板も、封止ガス雰囲気に晒すことが好まし
い。
を有機EL構造体に向かって相対的に押圧する工程があ
り、また、取り扱いの際に封止板に偶発的に圧力が加わ
ることもある。そして、このような圧力により封止板が
有機EL構造体に接触して、有機EL構造体にダメージ
を与えることがある。これを防ぐためには、素子化した
後、すなわち接着剤を硬化した後における封止板と有機
EL構造体との距離が、好ましくは40μm以上、より
好ましくは100μm以上となるように、接着剤層の厚
さを設定したり、後述するように封止板に凹部を設けた
りすることが望ましい。
一定に保つために、有機EL構造体の各画素間にフォト
レジストなどを用いて支柱状のスペーサーを設けて、封
止板を支える構成としてもよい。このような構成とする
場合には、有機EL構造体と封止板との距離をより短く
することも可能である。
接着剤層3を介して封止板2を基板1に対向して配置す
る。図示例では、接着剤層3を封止板2の表面に形成し
てある。また、基板1は、下定盤51の上に載置してあ
る。封止ガスとしては、Ar、He、N2 等の不活性ガ
スが好ましい。封止ガス中の水分含有量は、好ましくは
100ppm以下、より好ましくは10ppm以下、さらに好
ましくは1ppm以下である。なお、封止ガス中の水分含
有量は、通常、0.1ppm程度以上である。
では、封止ガス雰囲気中において作業を行う。
により封止板2に圧力を加えて封止板2と基板1とを密
着させ、気密化された封止空間4を形成する。本明細書
では、この工程を予備加圧工程という。予備加圧工程に
おける加圧力は、接着面の単位面積当たりの圧力に換算
して、好ましくは0.1〜4.0kgf/cm2、より好まし
くは0.5〜2.0kgf/cm2である。加圧力が低すぎる
と、接着剤層3による封止効果が不十分となって封止空
間4の気密が保てなくなるので、封止空間内外での気圧
差を維持することが困難となる。一方、加圧力が高すぎ
ると、予備加圧後に圧力を解放したときスプリングバッ
クが発生して接着不良が生じたり、また、接着剤層がス
ペーサーを含む場合にはスペーサーが破損したりするこ
とがある。このため、最終的に所望の厚さの接着剤層を
形成できないおそれがあり、また、接着剤層の厚さにム
ラが生じやすくなる。
要に応じて加熱しながら行ってもよい。加熱する場合、
有機EL構造体への影響を少なくするために、封止板2
側から加熱することが好ましい。
積層した状態で、下定盤51と上定盤52とで挟んで加
圧しているが、他の加圧手段、例えば加圧ローラなどを
用いてもよい。接着剤層を硬化させる際の加圧に定盤を
用いる従来の方法では、接着剤層の不均一な加圧を防ぐ
ために、下定盤の表面と上定盤の表面とを厳密に平行と
する必要があるが、本発明における予備加圧工程では、
封止空間内を気密にできればよく、加圧の均一性はそれ
ほど要求されない。したがって、取り扱いが容易で生産
性も高くできる加圧ローラなど、定盤以外の加圧手段を
用いることができる。
加圧を解除しても封止板2と基板1とはそれぞれ接着剤
層3に密着しているので、封止空間4内の気密は保たれ
る。
板1とを圧着させ、この状態で接着剤層3に紫外線を照
射して、接着剤31を硬化させる。本明細書では、この
工程を加圧・硬化工程という。
よりも高くなるように雰囲気圧力を上昇させる。これに
より、封止板2は上側から均一に加圧され、その結果、
接着剤層3はスペーサー32の径とほぼ同じ厚さまで圧
縮されて、封止板2と基板1とが、それぞれ接着剤層3
と強固に密着した状態となる。次に、雰囲気圧力を保持
したまま、封止板2を通して紫外線を照射し、接着剤層
3を硬化させる。
線照射を行うまでの加圧時間は特に限定されず、接着剤
層が封止材として十分な働きを示すように、すなわち、
接着剤層の厚さ、幅、密度等にムラが生じないように、
接着剤層の面積に対する封止板の面積の比率などに応じ
て適宜決定すればよい。例えば、図示例のようにスペー
サー32を用いる場合、接着剤層の厚さがスペーサー径
と同等になるまで加圧し、この状態で紫外線を照射すれ
ばよい。具体的には、接着面の単位面積当たりの圧力に
換算して、好ましくは0.2〜4.0kgf/cm2となるよ
うに、より好ましくは0.5〜3.0kgf/cm2となるよ
うに、雰囲気圧力を設定する。接着剤層にこのような圧
力を加えるために必要な雰囲気圧力は、接着面の面積に
対する封止板の面積の比率や、封止空間内の圧力などに
よっても異なるが、通常、大気圧よりも0.05kgf/cm
2程度以上高くなるように設定すればよい。接着剤層に
加える圧力が低すぎると、接着剤層3の厚さを所定の値
(図示例ではスペーサー32の径と同等)とすることが
できず、接着剤層3による十分な封止効果が得られにく
くなる。一方、圧力が高すぎると、接着剤層がスペーサ
ーを含まない場合には接着剤層が薄くなりすぎたり切れ
たりしてしまい、また、接着剤層がスペーサーを含む場
合にはスペーサーの破損が生じたりして、封止効果や接
着強度が不十分となることがある。なお、紫外線照射ま
での加圧時間は、通常、30秒間以上とすれば十分であ
る。
いが、必要に応じて加熱しながら行ってもよい。加熱す
る場合、有機EL構造体への影響を少なくするために、
封止板2側から加熱することが好ましい。また、紫外線
照射による温度上昇が有機機能層に悪影響を与えること
があるため、加圧・硬化時には必要に応じ冷却を行って
もよい。
を下定盤51で支持する構成としてあるが、基板1の端
部付近またはこれと封止板2の端部付近とを支持する構
成としてもよい。また、紫外線照射時には基板と封止板
とを密着させる圧力が働いているので、吸引等により封
止板2を支持し、基板1を機械的に支持しない構成とす
ることも可能である。また、これらの各構成において、
基板と封止板との位置関係を逆転させることも可能であ
る。また、基板側に光を妨げる支持部材等が存在しない
場合には、基板を通して紫外線を照射することが可能で
ある。
用があるので、遮光層(電子注入電極など)が存在しな
い側から紫外線を照射する場合には、有機機能層形成領
域をマスクして紫外線照射を行うことが好ましい。
テンプレート6を示す。このテンプレート6は、小面積
の封止板を大面積基板に複数接着する際に、封止板を支
持すると共にその位置決めを容易にするために用いる治
具である。図示するテンプレート6は、ガラス製の支持
板61の表面に、金属からなるパターン膜62を形成し
たものである。パターン膜62には、封止板の位置を固
定できるように、封止板の大きさに合わせた貫通孔が設
けられている。これらの貫通孔に封止板をはめ込み、そ
の上に基板を載せた状態で、予備加圧と加圧・硬化とを
続けて行う。紫外線は、テンプレートの下側から支持板
61を通して照射することができる。
は、接着剤層が均質な性状の連続体ととなる。すなわ
ち、スペーサーを含まない場合には、接着剤層は均質な
接着剤から構成されることになり、スペーサーを含む場
合には、接着剤層は接着剤中にスペーサーが均等に分散
したものとなる。一方、従来は、接着剤層や封止板にガ
ス封入孔を設けておき、封止板と基板とを接着した後、
前記ガス封入孔から封止空間内に封止ガスを充填し、そ
の後に接着剤などでガス封入孔を塞ぐ方法が利用されて
いる。このような方法により製造された有機EL素子で
は、接着剤層が均質な性状とならなかったり、封止板が
均質とならなかったりする。また、このような方法は、
工数が多くなるほか、接着剤層や封止板が均質ではない
ために封止空間の気密性が不十分となりやすく、また、
気密性に経時的な変動も生じやすい。これに対し本発明
では、封止板と基板とを接着する際に封止ガスを封入す
るので、工数が少なくなるほか、接着剤層および封止板
を均質にできるので、封止空間の気密性およびその安定
性が良好となる。
いて封止空間が気密状態となっていればよく、接着剤層
を均質な性状とすることは必須ではない。例えば、必要
に応じ、接着剤層中にスペーサーを偏在させたり、2種
以上の接着剤を用いたりするなどしてもよい。
す。
造体を形成する成膜室に通じるガス交換室101と、予
備加圧室102と、加圧・硬化室103とがこの順で設
けられ、各室間にそれぞれバルブ110が設けられたも
のである。
した封止板2と、有機EL構造体11を形成した基板1
とをガス交換室101に入れ、真空引きにより脱水およ
び脱気を行う。次いで、封止ガス雰囲気とした予備加圧
室102において、基板と封止板とを密着させる。次い
で、加圧・硬化室において、気体による加圧と紫外線硬
化とを行い、有機EL素子を得る。
を通して取り出す構成とすることも可能であり、また、
基板と反対側から取り出す構成とすることも可能であ
る。光を基板側から取り出す構成とする場合には、基板
にはガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明な材料を
用いる。基板には、安価なソーダガラスを用いることが
できるが、この場合、基板全面をシリカコートすること
が好ましい。シリカコートは、酸やアルカリに弱いソー
ダガラスを保護する役割を持ち、また、基板の平坦性を
よくする効果も示す。
石英、樹脂等の透明ないし半透明なものを用いればよ
く、これらのうちではガラスが特に好ましが、封止板を
通して紫外線を照射する場合には、紫外線に対し透明な
材料を用いる必要がある。
例えば、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホウケ
イ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等を
用いることができる。ガラス製封止板の製造には、ロー
ルアウト法、ダウンロード法、フュージョン法、フロー
ト法等を好ましく利用できる。これらの方法により製造
されたガラス板には、必要に応じて表面処理を施しても
よい。表面処理法としては、研磨加工処理、SiO2バ
リヤーコート処理等が好ましい。ただし、コスト低減の
点からは、フロート法によりソーダ石灰ガラスを製板
し、これを表面処理なしで用いることが好ましい。
が、例えば図6に示すように、有機EL構造体と対向す
る面に凹部を設けたものであってもよい。図示例におけ
る封止板2には、有機EL構造体11よりもやや大きい
面積の凹部が設けてある。前記した方法により製造した
ガラス製の封止板、特に研磨加工を施していないものに
は、比較的大きな凹凸やうねり、反りなどが存在するた
め、基板に封止板を接着する際に有機EL構造体と封止
板とが接触して、有機EL構造体が損傷するおそれがあ
る。しかし、封止板2に図示するような凹部を設けれ
ば、封止板2の接触による有機EL構造体11の損傷を
防ぐことができる。また、封止空間4の気密性を保つた
めには接着剤層3が薄いほど好ましいが、封止板2に上
記凹部を設ければ、封止板2と有機EL構造体11との
接触を心配することなく接着剤層3を薄くすることが可
能となる。また、接着剤層3は、封止板2を接着する際
に加圧されて有機EL構造体11に向かって延びるた
め、有機EL構造体11に接触する可能性がある。しか
し、封止板2に上記凹部を設ければ、接着剤層3は図示
するように凹部内に侵入するため、接着剤層3が有機E
L構造体11に到達することはない。
ず、封止板と有機EL構造体との距離が所望の値となる
ように適宜決定すればよいが、通常、50〜200μm
、好ましくは80〜150μm とする。ただし、封止
板の機械的強度を確保するためには、凹部の深さが封止
板の厚さ(最大値)の30%を超えないことが好まし
い。なお、封止板の厚さ(最大値)は、通常、0.5〜
1.1mm程度とする。
れず、ガラスや石英、樹脂等の加工に用いられる公知の
各種手段から適宜選択すればよい。例えば封止板をガラ
スから構成する場合には、サンドブラスト、エッチン
グ、研削、超音波加工等が好ましく、これらのうちでは
サンドブラストおよび研削が好ましく、コストが低いこ
とからサンドブラストが特に好ましい。
要に応じてスペーサーを含んでいてもよい。
体と封止板との間に所定の空隙を確保できるように決定
すればよく、封止板に前記した凹部を設けるかどうかに
よっても異なるので特に限定されるものではないが、通
常、1〜100μm、好ましくは1〜40μm、より好ま
しくは1〜10μmとする。接着剤層が薄すぎると、接
着剤層の厚さが不均一になったり、接着剤層に切れが発
生したりし、封止効果が不十分になりやすい。一方、接
着剤層が厚すぎると、水分が侵入しやすくなり、また、
紫外線照射の際に均一な硬化が難しくなる。
間内への水分等の侵入を十分に防げるように適宜決定す
ればよく、特に限定されるものではないが、通常、0.
5〜5.0mm、好ましくは1.0〜3.0mmとする。
が接着時の加熱によって軟化することを防ぐために、熱
硬化型接着剤と異なり加熱の必要のない紫外線硬化型接
着剤を用いる。接着剤の具体的組成は特に限定されず、
安定した接着強度が保て、気密性が良好なものであれば
よいが、好ましくはカチオン硬化タイプの紫外線硬化型
エポキシ樹脂接着剤を用いる。現在一般に用いられてい
る紫外線硬化型接着剤は、アクリル系であるため、硬化
の際に成分中のアクリルモノマーが揮発し、それが有機
EL構造体の構成材料に悪影響を及ぼし、その特性を劣
化させてしまう。これに対し、カチオン硬化タイプの紫
外線硬化型エポキシ樹脂接着剤は、有機EL構造体構成
材料を全くあるいはほとんど劣化させない。
して市販されているものの中には、紫外線加熱硬化併用
型のエポキシ樹脂接着剤が含まれる場合がある。このよ
うな接着剤は、ラジカル硬化タイプのアクリル系樹脂と
加熱硬化タイプのエポキシ樹脂とが混合されていたり、
変性してあるものが多い。したがって、このような接着
剤を用いても、前記したアクリル系樹脂のアクリルモノ
マーの揮発の問題や熱硬化型接着剤における硬化温度の
問題が解決しないので、封止用の接着剤としては不適で
ある。
シ樹脂接着剤とは、エポキシ樹脂を主成分とし、紫外線
等の光照射による光分解でルイス酸触媒を放出するルイ
ス酸塩型硬化剤を主な硬化剤として含み、光照射により
発生したルイス酸が触媒となってエポキシ樹脂がカチオ
ン重合型の反応機構により重合し、硬化するタイプの接
着剤である。
キシ化オレフィン樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ノボラッ
クエポキシ樹脂等が挙げられる。また、硬化剤として
は、芳香族ジアゾニウムのルイス酸塩、ジアリルヨード
ニウムのルイス酸塩、トリアリルスルホニウムのルイス
酸塩、トリアリルセレニウムのルイス酸塩等が挙げられ
る。
ないが、厚さの制御が容易であること、安価であること
などから、スペーサーを用いることが好ましい。スペー
サーの材料としては、樹脂ビーズ、シリカビーズ、ガラ
スビーズ、ガラスファイバー等が挙げられ、特にガラス
ビーズが好ましい。スペーサーは、通常、粒径の揃った
粒状物であるが、その形状は特に限定されるものではな
く、スペーサーとしての機能に支障のないものであれば
種々の形状であってよい。スペーサーの寸法は特に限定
されず、所望の厚さの接着剤層が得られるように適宜選
択すればよいが、通常、円換算の直径または断面径(ス
ペーサーがファイバー状である場合)は、好ましくは1
〜40μm、より好ましくは1〜10μm、さらに好まし
くは2〜8μmとする。スペーサーがファイバー状であ
る場合、その長さは、通常、1〜100μm程度である
ことが好ましい。
しておいても接着時に混入してもよい。接着剤層中にお
けるスペーサーの含有量は、スペーサーの種類によって
も異なるが、通常、0.01〜30wt%、好ましくは
0.1〜5wt%である。
を設けてある場合には、スペーサーは使用しなくてもよ
い。また、接着剤自体がスペーサーを兼ねる構成として
もよく、スペーサーを封止板と一体的に形成してもよ
い。
は有機EL構造体の構成に依存しない。したがって、有
機EL構造体は通常のものであってよく、その構成は特
に限定されないが、好ましくは以下に説明する構成とす
る。
L構造体は、ホール注入電極と有機機能層と電子注入電
極とをこの順で有する。この有機EL構造体は、通常、
ホール注入電極が最下層となるように、すなわち基板側
となるように、配置される。また、必要に応じ、最上層
として保護電極や保護膜が設けられる。以下、有機EL
構造体各部の構成について説明する。
を基板を通して取り出すため、その経路に存在するホー
ル注入電極は、実用的に十分な透明性を有する必要があ
る。この場合に用いる導電材料としては、例えば、IT
O(錫ドープ酸化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸
化インジウム)、ZnO、SnO2、In2O3等が好ま
しく、これらのうちではITO、IZOが特に好まし
い。ITOを用いる場合、In2O3 に対するSnO2の
混合比を好ましくは1〜20wt%とし、より好ましくは
5〜12wt%とする。IZOを用いる場合、In2O3に
対するZnOの混合比を好ましくは1〜20wt%とし、
より好ましくは5〜12wt%とする。なお、IZOに
は、Sn、Ti、Pb等が酸化物の形で含まれていても
よいが、この場合の含有率は、酸化物換算で1wt%以下
であることが好ましい。
成できるが、スパッタ法により形成することが好まし
い。ITO、IZO電極の形成にスパッタ法を用いる場
合、In2O3にSnO2またはZnOをドープしたター
ゲットを用いることが好ましい。スパッタ法により形成
されたITO透明電極は、蒸着法により形成したものよ
りも発光輝度の経時変化が少ない。スパッタ法としては
DCスパッタが好ましく、その投入電力は好ましくは
0.1〜10W/cm2、より好ましくは0.2〜5W/cm2で
ある。また、成膜レートは、好ましくは2〜100nm/m
in、より好ましくは5〜50nm/minである。
e、Ne、Kr、Xe等の不活性ガス、あるいはこれら
の混合ガスを用いればよい。スパッタガスのスパッタ時
における圧力は、通常、0.1〜20Pa程度とすればよ
い。
分に行えるように適宜設定すればよいが、通常、5〜5
00nm、好ましくは10〜300nmである。
に、ホール注入輸送層や電子注入輸送層、あるいはこれ
らを注入層と輸送層とに分離したものを必要に応じて含
む。
入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合によ
り励起子を生成させる機能を有する。発光層には、電子
的に比較的ニュートラルな化合物を用いることが好まし
い。
のホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送
する機能および電子を妨げる機能を有するものであり、
電子注入輸送層は、陰電極からの電子の注入を容易にす
る機能、電子を安定に輸送する機能およびホールを妨げ
る機能を有するものである。これらの層は、発光層に注
入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再結合領
域を最適化させ、発光効率を改善する。
よび電子注入輸送層の厚さは特に限定されず、形成方法
に応じて最適なものとすればよいが、通常、5〜500
nm程度、特に10〜300nmとすることが好ましい。
送層の厚さは、再結合・発光領域の設計にもよるが、発
光層の厚さと同程度または1/10〜10倍程度とすれ
ばよい。ホールまたは電子の各々の注入層と輸送層とを
分ける場合には、注入層は1nm以上、輸送層は1nm以上
とすることが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚
さの上限は、通常、注入層、輸送層共に500nm程度で
ある。
る蛍光性物質を含有させる。発光層に用いる蛍光性物質
としては、例えば、特開昭63−264692号公報に
開示されているような化合物、例えばキナクリドン、ル
ブレン、スチリル系色素等の化合物から選択される少な
くとも1種などが挙げられる。また、トリス(8−キノ
リノラト)アルミニウム等の8−キノリノールまたはそ
の誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノリン誘
導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリ
レン、コロネン、12−フタロペリノン誘導体等も挙げ
られる。また、特願平6−110569号に開示された
フェニルアントラセン誘導体、特願平6−114456
号に開示されたテトラアリールエテン誘導体等を用いる
こともできる。また、特開平3−255190号公報、
特開平5−70733号公報、特開平5−258859
号公報、特開平6−215874号公報等に開示されて
いるものを用いてもよい。
ス(8−キノリノラト)アルミニウム、ビス(8−キノ
リノラト)マグネシウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キ
ノリノラト)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラ
ト)アルミニウムオキシド、トリス(8−キノリノラ
ト)インジウム、トリス(5−メチル−8−キノリノラ
ト)アルミニウム、8−キノリノラトリチウム、トリス
(5−クロロ−8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5
−クロロ−8−キノリノラト)カルシウム、5,7−ジ
クロル−8−キノリノラトアルミニウム、トリス(5,
7−ジブロモ−8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニ
ウム、ポリ[亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−
キノリニル)メタン]等がある。
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム(II
I)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(オルト−
クレゾラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(メタークレゾラト)アルミニウム
(III)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ
−クレゾラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル
−8−キノリノラト)(オルト−フェニルフェノラト)
アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリノ
ラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(II
I)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−フ
ェニルフェノラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メ
チル−8−キノリノラト)(2,3−ジメチルフェノラ
ト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノ
リノラト)(2,6−ジメチルフェノラト)アルミニウ
ム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(3,4−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III)、
ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(3,5−ジメ
チルフェノラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2,6−ジフェニルフェノラト)ア
ルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリノラ
ト)(2,4,6−トリフェニルフェノラト)アルミニ
ウム(III)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(2,3,6−トリメチルフェノラト)アルミニウム(I
II)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,
3,5,6−テトラメチルフェノラト)アルミニウム(I
II)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(1−ナ
フトラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(II
I)、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(オ
ルト−フェニルフェノラト)アルミニウム(III)、ビス
(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(パラ−フェ
ニルフェノラト)アルミニウム(III)、ビス(2,4−
ジメチル−8−キノリノラト)(メタ−フェニルフェノ
ラト)アルミニウム(III)、ビス(2,4−ジメチル−
8−キノリノラト)(3,5−ジメチルフェノラト)ア
ルミニウム(III)、ビス(2,4−ジメチル−8−キノ
リノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラト)ア
ルミニウム(III)、ビス(2−メチル−4−エチル−8
−キノリノラト)(パラ−クレゾラト)アルミニウム(I
II)、ビス(2−メチル−4−メトキシ−8−キノリノ
ラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウム(II
I)、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラ
ト)(オルト−クレゾラト)アルミニウム(III)、ビス
(2−メチル−6−トリフルオロメチル−8−キノリノ
ラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(III)等が挙げ
られる。
ノラト)アルミニウム(III)−μ−オキソ−ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)、ビス
(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム
(III)−μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キ
ノリノラト)アルミニウム(III)、ビス(4−エチル−
2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)−
μ−オキソ−ビス(4−エチル−2−メチル−8−キノ
リノラト)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−4
−メトキシキノリノラト)アルミニウム(III)−μ−オ
キソ−ビス(2−メチル−4−メトキシキノリノラト)
アルミニウム(III)、ビス(5−シアノ−2−メチル−
8−キノリノラト)アルミニウム(III)−μ−オキソ−
ビス(5−シアノ−2−メチル−8−キノリノラト)ア
ルミニウム(III)、ビス(2−メチル−5−トリフルオ
ロメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III)−μ
−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル
−8−キノリノラト)アルミニウム(III)等であっても
よい。
じてドーパントを添加してもよい。適当なドーパントを
添加することにより、ホスト物質(蛍光性物質)の発光
波長特性を変化させることができ、長波長側に移行した
発光が可能になるとともに、素子の発光効率や安定性が
向上する。発光層におけるドーパントの含有量は、好ま
しくは0.01〜10wt%、より好ましくは0.1〜5
wt%である。
ってもよく、この場合には、トリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム等の電子注入輸送性の化合物を使用す
ることが好ましい。
のホール注入輸送性化合物と少なくとも1種の電子注入
輸送性化合物とを含む混合層とすることも好ましく、さ
らに、この混合層中に適当なドーパントを含有させるこ
とが好ましい。このような混合層におけるドーパントの
含有量は、好ましくは0.01〜20wt%、より好まし
くは0.1〜15wt%である。
スができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入が起こりにくくなるた
め、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点がある。また、適当なドーパントを
混合層に含有させることにより、混合層自体のもつ発光
波長特性を変化させることができ、発光波長を長波長に
移行させることができるとともに、発光強度を高め、素
子の安定性を向上させることもできる。
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述するホー
ル注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合
物の中から選択すればよい。例えば、ホール注入輸送性
化合物としては、強い蛍光をもったアミン誘導体、例え
ばトリフェニルジアミン誘導体、スチリルアミン誘導
体、芳香族縮合環をもつアミン誘導体が好ましい。ま
た、電子注入輸送層性化合物としては、キノリン誘導
体、例えば8−キノリノールないしその誘導体を配位子
とする金属錯体、特にトリス(8−キノリノラト)アル
ミニウムが好ましい。また、上記したフェニルアントラ
セン誘導体、テトラアリールエテン誘導体を用いること
も好ましい。
と電子注入輸送性化合物との混合比は、それぞれのキャ
リア移動度およびキャリア濃度に応じて適宜決定すれば
よい。ただし、一般的には、ホール注入輸送性化合物/
電子注入輸送性化合物が、重量比で好ましくは1/99
〜99/1、より好ましくは10/90〜90/10、
さらに好ましくは20/80〜80/20程度となるよ
うに、混合する。
さ以上とすればよいが、好ましくは1〜85nm、より好
ましくは5〜60nm、さらに好ましくは5〜50nmであ
る。
3−295695号公報、特開平2−191694号公
報、特開平3−792号公報、特開平5−234681
号公報、特開平5−239455号公報、特開平5−2
99174号公報、特開平7−126225号公報、特
開平7−126226号公報、特開平8−100172
号公報、EP0650955A1等に記載されている各
種有機化合物を用いることができる。例えば、テトラア
リールベンジシン化合物(トリアリールジアミンないし
トリフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級アミン、
ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール
誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサ
ジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。これらの
化合物は2種以上を併用してもよく、併用するときは別
層にして積層したり、混合したりすればよい。
輸送層とに分けて形成する場合、ホール注入輸送層用の
化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いること
ができる。このとき、ホール注入電極側からイオン化ポ
テンシャルの小さい化合物の層の順に積層することが好
ましい。また、ホール注入電極と接する表面には、薄膜
性の良好な化合物を用いることが好ましい。このような
積層順については、ホール注入輸送層を2層以上設ける
ときも同様である。このような積層順とすることによっ
て、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポ
ットの発生・成長を防ぐことができる。
ノラト)アルミニウム等の8−キノリノールまたはその
誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導
体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジ
ン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジ
フェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等
を用いることができる。
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については、電子注入輸送層を2層以上設け
るときも同様である。
輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、
真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用い
た場合、アモルファス状態の薄膜または結晶粒径が0.
1μm以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が0.1
μmを超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動
電圧を高くしなければならなくなり、電荷の注入効率も
著しく低下する。
0-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm/s
程度とすることが好ましい。また、真空中で連続して各
層を形成することが好ましい。真空中で連続して形成す
れば、各層の界面に不純物が吸着することを防げるた
め、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低くし
たり、ダークスポットの成長・発生を抑えたりすること
ができる。
より形成する場合、それぞれの化合物を入れた各ボート
を個別に温度制御して共蒸着することが好ましいが、蒸
気圧(蒸発温度)が同程度あるいは非常に近い場合に
は、蒸着ボート内であらかじめ混合しておいてもよい。
複数の化合物を含有する層では、通常、複数の化合物が
均一に混合していることが好ましいが、場合によって
は、少なくとも1種の化合物が島状に存在していてもよ
い。
ダー中に分散させてコーティングすることによっても形
成可能である。
例えば、K、Li、Na、Mg、La、Ce、Ca、S
r、Ba、Al、Ag、In、Sn、Zn、Zr、C
s、Er、Eu、Ga、Hf、Nd、Rb、Sc、S
m、Ta、Y、Yb等の金属元素単体、あるいは、Ba
O、BaS、CaO、HfC、LaB6、MgO、Mo
C、NbC、PbS、SrO、TaC、ThC、ThO
2、ThS、TiC、TiN、UC、UN、UO2、W2
C、Y2O3、ZrC、ZrN、ZrO 2等の化合物が好
ましい。また、電子注入電極の安定性を向上させるため
には、金属元素を含む2成分、3成分の合金系材料を用
いることが好ましい。合金系としては、例えばAl・C
a(Ca:5〜20at%)、Al・In(In:1〜1
0at%)、Al・Li[Li:0.1〜20(20を含
まず)at%]、Al・R[RはY、Scを含む希土類元
素を表す]等のアルミニウム系合金やIn・Mg(M
g:50〜80at%)などが好ましい。これらの中で
も、特にAl単体や、Al・Li[Li:0.4〜6.
5(6.5を含まず)at%またはLi:6.5〜14at
%]、Al・R(R:0.1〜25at%、特に0.5〜
20at%)等のアルミニウム系合金が、圧縮応力が発生
しにくい点で好ましい。これらの仕事関数は4.5eV以
下であり、電子注入電極に好適であるが、これらのうち
でも仕事関数4.0eV以下の金属、合金が特に好まし
い。
いることが好ましい。スパッタ法では、蒸着法に比べ、
有機機能層表面に到達する原子や原子団が比較的高い運
動エネルギーをもつことになるため、表面マイグレーシ
ョン効果が働き、有機機能層との間の密着性が向上す
る。また、プレスパッタにより真空中で表面酸化物層を
除去したり、有機機能層表面に吸着した水分や酸素を逆
スパッタにより除去できるので、クリーンな電極−有機
機能層界面や電極を形成でき、その結果、高品位で安定
した有機EL素子が得られる。スパッタ法におけるター
ゲットには、前記した合金や金属単体を用いればよく、
必要に応じ、さらに添加成分のターゲットを用いてもよ
い。スパッタ法では、蒸気圧の大きく異なる材料の混合
物をターゲットとして用いても、形成される膜とターゲ
ットとの組成のズレは少なく、蒸着法のように蒸気圧等
による使用材料の制限もない。また、蒸着法と比較し
て、材料を長時間供給する必要がなく、膜厚や膜質の均
一性に優れ、生産性の点で有利である。また、スパッタ
法により形成された電子注入電極は緻密な膜なので、粗
な蒸着膜と比較して、膜中への水分の侵入が非常に少な
く、化学的安定性が高い。したがって、長寿命の有機E
L素子が得られる。
1〜5Paの範囲が好ましく、この範囲内でスパッタガス
の圧力を調節することにより、Al・Li合金のLi濃
度を前記範囲内とすることが容易にできる。また、成膜
中にスパッタガスの圧力を前記範囲内で変化させること
により、Li濃度勾配を有する電子注入電極を容易に得
ることができる。なお、スパッタガス圧力と基板−ター
ゲット間距離との積は、20〜65Pa・cmであることが
好ましい。
使用される不活性ガスを用いればよく、反応性スパッタ
では、これに加えてN2、H2、O2、C2H4、NH3等の
反応性ガスを用いればよい。
を用いてもよいが、成膜レートの制御が容易であり、有
機EL構造体へのダメージが少ないことから、DCスパ
ッタ法を用いることが好ましい。DCスパッタ装置の電
力は、好ましくは0.1〜10W/cm2、より好ましくは
0.5〜7W/cm2である。また、成膜レートは、好まし
くは5〜100nm/min、より好ましくは10〜50nm/m
inである。
行えるように適宜設定すればよいが、好ましくは1nm以
上、より好ましくは3nm以上とし、また、通常、500
nm程度以下とする。
機機能層とは反対側に必要に応じて設けられる保護電極
は、電子注入電極を外気や水分等から保護して劣化を防
止する働きを示す。保護電極を設けることにより、電子
注入効率が安定し、素子寿命が飛躍的に向上する。ま
た、保護電極は、電子注入電極の抵抗が高い場合には配
線電極としての機能ももつ。保護電極は、Al、Alお
よび遷移金属(ただしTiを除く)、Tiまたは窒化チ
タン(TiN)のいずれか1種または2種以上を含有
し、これらを単独で用いた場合、それぞれ保護電極中に
少なくとも、Al:90〜100at%、Ti:90〜1
00at%、TiN:90〜100mol%程度含有されて
いることが好ましい。また、2種以上用いるときの混合
比は任意であるが、AlとTiの混合では、Tiの含有
量は10at%以下が好ましい。また、これらを単独で含
有する層を積層してもよい。特にAl、Alおよび遷移
金属は、配線電極として用いた場合、良好な効果が得ら
れ、TiNは耐腐食性が高く、封止膜としての効果が大
きい。TiNは、その化学量論組成から10%程度偏倚
していてもよい。Alと遷移金属との合金において用い
る遷移金属は、Sc、Nb、Zr、Hf、Nd、Ta、
Cu、Si、Cr、Mo、Mn、Ni、Pd、Pt、W
等が好ましい。そして、遷移金属の総含有量は、好まし
くは10at%以下、より好ましくは5at%以下、さらに
好ましくは2at%以下である。遷移金属の含有量が少な
いほど、配線材として機能させた場合の薄膜抵抗が下げ
られる。
き、また、水分や酸素、有機溶媒の侵入を防止できるよ
うに適宜設定すればよいが、好ましくは50nm以上、よ
り好ましくは100nm以上、さらに好ましくは100〜
1000nmとする。保護電極が薄すぎると、保護電極を
設けたことによる効果が不十分となり、また、保護電極
の段差被覆性が低くなってしまい、端子電極との接続が
十分ではなくなる。一方、保護電極が厚すぎると、保護
電極の応力が大きくなるため、ダークスポットの成長速
度が速くなってしまう。なお、電子注入電極が薄いため
膜抵抗が高い場合には、電子注入電極の配線電極として
の機能の一部を、保護電極により補うことができる。こ
の場合の保護電極の厚さは、通常、100〜500nm程
度とする。また、保護電極をその他の配線電極として機
能させる場合には、保護電極の厚さを100〜300nm
程度とすることが好ましい。
厚さは特に限定されないが、通常、100〜1000nm
程度とすればよい。
い。保護膜は、SiO x等の無機材料、テフロン、塩素
を含むフッ化炭素重合体等の有機材料などから構成すれ
ばよい。保護膜は透明であっても不透明であってもよ
い。保護膜の厚さは、50〜1200nm程度とすること
が好ましい。保護膜は、スパッタ法、蒸着法、PECV
D法等により形成すればよい。
膜、蛍光材料を含む色変換膜、誘電体多層膜等を基板に
設けてもよい。
で用いられているカラーフィルターを用いればよいが、
有機EL素子の発光する光に合わせてカラーフィルター
の特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化するこ
とが好ましい。また、有機機能層や蛍光変換層が吸収す
るような短波長の外光をカットできる色フィルター膜を
用いれば、素子の耐光性や表示のコントラストを向上さ
せることができる。
L素子の発光光を吸収し、異なる波長の光を放出するこ
とで色変換を行うものである。このような色変換膜は、
蛍光材料に加え、通常、バインダーを含み、さらに、必
要に応じて光吸収材料を含む。
用いることが好ましく、また、EL素子の発光波長域に
吸収が強いものを用いることが好ましい。具体的には、
レーザー色素などが適しており、例えば、ローダミン系
化合物、ペリレン系化合物、シアニン系化合物、フタロ
シアニン系化合物(サブフタロシアニン等も含む)、ナ
フタロイミド系化合物、縮合環炭化水素系化合物、縮合
複素環系化合物、スチリル系化合物、クマリン系化合物
などを用いればよい。
フォトリソグラフィーや印刷等により微細なパターニン
グが可能であり、また、ホール注入電極の形成時にダメ
ージを受けない材料が好ましい。
である場合に用いる。光吸収材料には、蛍光を消光しな
い材料が好ましい。
ス駆動型等の各種有機EL素子に適用可能である。有機
EL素子の駆動電圧は、通常、2〜20V程度とされ
る。
明する。
TO膜を形成し、このITO膜を、64ドット×7ライ
ンの画素(一画素当たり280×280μm)を構成す
るようにパターニングして、ホール注入電極とした。次
いで、ホール注入電極を形成した基板を、中性洗剤、ア
セトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノ
ール中から引き上げて乾燥した。次いで、基板表面をU
V/O3洗浄した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固
定して、槽内を1×10-4Pa以下まで減圧した。そし
て、4,4’,4”−トリス(−N−(3−メチルフェ
ニル)−N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(m
−MTDATA)を蒸着速度0.2nm/sで40nmの厚さ
に蒸着し、ホール注入層とした。次に、減圧状態を保っ
たまま、N,N’−ジフェニル−N,N’−m−トリル
−4,4’−ジアミノ−1,1’−ビフェニルを蒸着速
度0.2nm/sで35nmの厚さに蒸着し、ホール輸送層と
した。次に、減圧を保ったまま、トリス(8−キノリノ
ラト)アルミニウムを蒸着速度0.2nm/sで50nmの厚
さに蒸着して、電子注入輸送・発光層とした。次に、減
圧を保ったまま、MgとAgとを共蒸着(2元蒸着)
し、厚さ200nmの電子注入電極を形成した。共蒸着の
際の蒸着速度比は、Mg:Ag=1:10とした。さら
に、減圧を保ったまま、基板をスパッタ装置内に移し、
Alターゲットを用いたDCスパッタ法により、厚さ2
00nmのAl保護電極を形成した。このとき、スパッタ
ガスにはArを用い、スパッタ圧力は0.3Pa、投入電
力は500W、ターゲットの大きさは4インチ径、基板
とターゲットとの距離は90mmとした。
基板に、以下の手順で封止板を接着した。
を用いた。接着剤には紫外線硬化型エポキシ樹脂(スリ
ーボンド製の30Y184G)を用い、スペーサーとし
て直径7μmのガラス繊維を分散した。スペーサーの分
散量は1wt%とした。まず、大気中において、スペーサ
ーを分散した接着剤10mgを未硬化の状態で封止板表面
に塗布し、接着剤層を形成した。次に、封止板をガス交
換室に移し、水分を除去するために真空排気を1時間行
った。次いで、Ar雰囲気とした予備加圧室に封止板を
移し、接着剤層塗布面を上にした状態で、下定盤の上に
載置した。
た基板を、封止板の接着剤層塗布面上に載置し、上定盤
により予備加圧して基板と封止板とを軽く圧着し、密閉
された封止空間を形成した。この予備加圧における圧力
は、接着面の単位面積当たりの圧力に換算して1.0kg
f/cm2とした。
硬化室内に移し、室内を、大気圧よりも0.5kgf/cm2
高くなるように加圧したAr雰囲気とすることにより、
基板を封止板に強く圧着した。このときの加圧力は、接
着面の単位面積当たりの圧力に換算して2.0kgf/cm2
であった。この加圧により、基板と封止板との間の接着
剤層の厚さは、スペーサーの直径と同等となった。この
状態で、基板の裏面側(上側)からメタルハライドラン
プにより紫外線を照射し、接着剤を硬化した。照射量
(積算光量)は、6000mJ/cm2とした。
断し、接着剤層の断面を走査型電子顕微鏡により調べた
ところ、厚さはスペーサーの直径と同等であり、かつ、
厚さのムラは認められず、内部に気泡も認められなかっ
た。また、この有機EL素子を、大気雰囲気中で直流電
圧を印加して10mA/cm2の定電流密度で駆動したとこ
ろ、初期状態ではダークスポットの発生は認められなか
った。次いで、温度60℃、湿度95%の加速条件下で
300時間保存した後、同一条件で駆動し、ダークスポ
ットの発生、駆動電圧の上昇を調べることにより、耐久
性を評価した。この結果、ダークスポット径は100μ
m以下、駆動電圧の上昇は0.5V以下と十分な信頼性が
得られ、封止が完全に行われていることが確認された。
とを圧着し、上定盤を通して紫外線を照射したほかは上
記実施例と同様にして、有機EL素子を作製した。定盤
による加圧力は、実施例における気体による加圧力と同
じとした。この有機EL素子について、実施例と同様な
評価を行ったところ、実施例と同等の耐久性を示した。
ただし、接着剤層の厚さは上記実施例に比べ均一ではな
く、ムラが認められた。
定盤を用いた場合と同等以上の耐久性が得られることが
わかる。
ほかは上記実施例と同様にして有機EL素子を作製した
ところ、封止空間内を気密とすることができないので、
加圧・硬化工程において気体加圧による封止板と基板と
の圧着が不可能であった。このため、予備加圧後の状
態、すなわち、圧力が解放された状態で接着剤層が硬化
することになり、その結果、接着剤層が30μm以上の
厚さとなり、しかも厚さムラおよび気泡の発生が認めら
れた。
配置した状態を示す断面図である。
配置して予備加圧を行った状態を示す断面図である。
紫外線照射とを行ったときの状態を示す断面図である。
斜視図である。
めの模式図である。
板を使用し、気体による加圧と紫外線照射とを行ったと
きの状態を示す断面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 有機EL構造体が表面に形成された基板
と、有機EL構造体を包囲する接着剤層と、この接着剤
層によって基板に接着され、空隙をおいて有機EL構造
体と対向する封止板とを有し、有機EL構造体が、基
板、接着剤層および封止板により形成される封止空間内
に存在する有機EL素子を製造する方法であって、 紫外線硬化型の接着剤からなる接着剤層を介して封止板
を基板に密着させることにより、封止空間を形成する予
備加圧工程と、 封止空間内の圧力よりも高くなるように雰囲気圧力を上
昇させることにより、接着剤層を介して封止板と基板と
が加圧状態で密着した状態とし、この状態で接着剤層に
紫外線を照射して硬化する加圧・硬化工程とを有する有
機EL素子の製造方法。 - 【請求項2】 前記加圧・硬化工程において、接着面の
単位面積当たりの圧力が0.2〜4.0kgf/cm2となる
ように雰囲気圧力を上昇させる請求項1の有機EL素子
の製造方法。 - 【請求項3】 前記加圧・硬化工程において、大気圧よ
りも0.05kgf/cm2以上高くなるように雰囲気圧力を
上昇させる請求項1または2の有機EL素子の製造方
法。 - 【請求項4】 有機EL構造体が表面に形成された基板
と、有機EL構造体を包囲する接着剤層と、この接着剤
層によって基板に接着され、空隙をおいて有機EL構造
体と対向する封止板とを有し、有機EL構造体が、基
板、接着剤層および封止板により形成される封止空間内
に存在する有機EL素子であって、 接着剤層が、均質な性状の連続体である有機EL素子。 - 【請求項5】 有機EL構造体が表面に形成された基板
と、有機EL構造体を包囲する接着剤層と、この接着剤
層によって基板に接着され、空隙をおいて有機EL構造
体と対向する封止板とを有し、有機EL構造体が、基
板、接着剤層および封止板により形成される封止空間内
に存在する有機EL素子であって、 封止板が均質である有機EL素子。 - 【請求項6】 請求項1〜3のいずれかの方法により製
造されたものである請求項4または5の有機EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36454097A JP4059968B2 (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 有機el素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36454097A JP4059968B2 (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 有機el素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11185956A true JPH11185956A (ja) | 1999-07-09 |
JP4059968B2 JP4059968B2 (ja) | 2008-03-12 |
Family
ID=18482064
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36454097A Expired - Lifetime JP4059968B2 (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 有機el素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4059968B2 (ja) |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001319776A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Elパネルの作製方法 |
WO2002047114A2 (en) | 2000-10-11 | 2002-06-13 | E.L. Specialists, Inc. | Membranous el system in uv-cured urethane envelope |
JP2003015538A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示用パネルの製造方法 |
JP2003017257A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
US6611098B2 (en) | 2000-02-04 | 2003-08-26 | Nec Corporation | Hermetic encapsulation package and method of fabrication thereof |
JP2004095245A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Nippon Seiki Co Ltd | 封止装置 |
JP2004103337A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
WO2004071134A1 (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 |
US7109655B2 (en) | 2002-12-26 | 2006-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
KR100720066B1 (ko) * | 1999-11-09 | 2007-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 제작방법 |
JP2007148378A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Au Optronics Corp | 両面有機elディスプレイ |
JP2007335200A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Tokki Corp | 封止膜形成装置及び封止膜形成方法 |
JP2009187941A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 |
JP2010140845A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Casio Computer Co Ltd | 発光パネル及びその製造方法 |
JP2010238678A (ja) * | 2010-07-28 | 2010-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法および発光装置 |
WO2011042944A1 (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-14 | パイオニア株式会社 | 有機elパネル及びその製造方法 |
US7999467B2 (en) | 2007-08-08 | 2011-08-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof for minimizing inflow of oxygen and moisture from the outside |
WO2012176595A1 (ja) * | 2011-06-20 | 2012-12-27 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 封止構造及び封止方法 |
WO2014157658A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 大日本印刷株式会社 | 素子製造方法および素子製造装置 |
JP2015505792A (ja) * | 2011-11-02 | 2015-02-26 | フエロ コーポレーション | 低融点ガラス系を用いた無機基材のマイクロ波シーリング |
JP2015156025A (ja) * | 2004-09-27 | 2015-08-27 | クゥアルコム・メムス・テクノロジーズ・インコーポレイテッドQUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | Memsデバイスを実装するための方法及びシステム |
-
1997
- 1997-12-18 JP JP36454097A patent/JP4059968B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100720066B1 (ko) * | 1999-11-09 | 2007-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 제작방법 |
US7977876B2 (en) | 1999-11-09 | 2011-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
KR100758000B1 (ko) * | 1999-11-09 | 2007-09-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 패시브 매트릭스형 표시장치 |
US6611098B2 (en) | 2000-02-04 | 2003-08-26 | Nec Corporation | Hermetic encapsulation package and method of fabrication thereof |
JP2001319776A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Elパネルの作製方法 |
WO2002047114A2 (en) | 2000-10-11 | 2002-06-13 | E.L. Specialists, Inc. | Membranous el system in uv-cured urethane envelope |
EP1338175A2 (en) * | 2000-10-11 | 2003-08-27 | E.L. Specialists, Inc. | Membranous el system in uv-cured urethane envelope |
EP1338175A4 (en) * | 2000-10-11 | 2008-07-02 | Oryontechnologies Llc | MEMBRANE ELECTROLUMINESCENT MEMBRANE SYSTEM IN UV-DRY URETHAN ENVELOPE |
JP4614588B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2011-01-19 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
JP2003015538A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示用パネルの製造方法 |
JP2003017257A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
JP2004095245A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Nippon Seiki Co Ltd | 封止装置 |
JP2004103337A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
US9577218B2 (en) | 2002-12-26 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
US8330363B2 (en) | 2002-12-26 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
US7948175B2 (en) | 2002-12-26 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
US10103355B2 (en) | 2002-12-26 | 2018-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
US7109655B2 (en) | 2002-12-26 | 2006-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
WO2004071134A1 (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 |
JP2015156025A (ja) * | 2004-09-27 | 2015-08-27 | クゥアルコム・メムス・テクノロジーズ・インコーポレイテッドQUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | Memsデバイスを実装するための方法及びシステム |
JP2007148378A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Au Optronics Corp | 両面有機elディスプレイ |
JP2007335200A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Tokki Corp | 封止膜形成装置及び封止膜形成方法 |
US7999467B2 (en) | 2007-08-08 | 2011-08-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof for minimizing inflow of oxygen and moisture from the outside |
JP2009187941A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 |
JP2010140845A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Casio Computer Co Ltd | 発光パネル及びその製造方法 |
JPWO2011042944A1 (ja) * | 2009-10-05 | 2013-02-28 | パイオニア株式会社 | 有機elパネル及びその製造方法 |
JP5265018B2 (ja) * | 2009-10-05 | 2013-08-14 | パイオニア株式会社 | 有機elパネル及びその製造方法 |
WO2011042944A1 (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-14 | パイオニア株式会社 | 有機elパネル及びその製造方法 |
JP2010238678A (ja) * | 2010-07-28 | 2010-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法および発光装置 |
WO2012176595A1 (ja) * | 2011-06-20 | 2012-12-27 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 封止構造及び封止方法 |
JP2015505792A (ja) * | 2011-11-02 | 2015-02-26 | フエロ コーポレーション | 低融点ガラス系を用いた無機基材のマイクロ波シーリング |
WO2014157658A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 大日本印刷株式会社 | 素子製造方法および素子製造装置 |
JP2015118903A (ja) * | 2013-03-29 | 2015-06-25 | 大日本印刷株式会社 | 素子製造方法および素子製造装置 |
CN105144844A (zh) * | 2013-03-29 | 2015-12-09 | 大日本印刷株式会社 | 元件制造方法以及元件制造装置 |
US9692019B2 (en) | 2013-03-29 | 2017-06-27 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Element manufacturing method and element manufacturing apparatus utilizing differential pressure for covering a substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4059968B2 (ja) | 2008-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4059968B2 (ja) | 有機el素子の製造方法 | |
US6259204B1 (en) | Organic electroluminescent device | |
JPH11195487A (ja) | 有機el素子 | |
CN1474637B (zh) | 电致发光元件以及采用它的发光器件 | |
US8912018B2 (en) | Manufacturing flexible organic electronic devices | |
US8405301B2 (en) | Organic electroluminescence element, display device and lighting device | |
JP2000003783A (ja) | 有機el表示装置 | |
JPH11307259A (ja) | 有機el素子 | |
JPWO2010143337A1 (ja) | 有機el表示装置およびその製造方法 | |
WO2011001573A1 (ja) | 有機el表示装置およびその製造方法 | |
JPH11260562A (ja) | 有機elカラーディスプレイ | |
JPH11297477A (ja) | 有機elカラーディスプレイ | |
JP2001057287A (ja) | 有機el素子 | |
JPH1126169A (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
JP3411864B2 (ja) | 有機el表示装置 | |
JP3288242B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 | |
JP2003249357A (ja) | 表示装置の製造方法および表示装置 | |
JP2000208251A (ja) | 有機el素子 | |
JP2000113976A (ja) | 有機el素子 | |
JPH11121170A (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
JPH11176571A (ja) | 有機el素子の製造方法 | |
JPH10241858A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および製造装置 | |
JPH11195484A (ja) | 有機el素子 | |
JPH1140352A (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
JPH11214152A (ja) | 有機el素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040601 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070620 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070626 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070918 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071219 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101228 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101228 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111228 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111228 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121228 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121228 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121228 Year of fee payment: 5 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121228 Year of fee payment: 5 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131228 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131228 Year of fee payment: 6 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131228 Year of fee payment: 6 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131228 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |