CN105144844A - 元件制造方法以及元件制造装置 - Google Patents

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Abstract

提供元件制造方法以及元件制造装置，高效率地制造元件。首先，形成包含基材(41)以及沿基材(41)的法线方向延伸的突起部(44)的中间制品(50)。接下来，使用盖材(21c)的第1面(21d)从突起部(44)侧覆盖中间制品(50)。此后，通过对形成于位于第1面(21d)的相反侧的盖材(21c)的第2面(21e)侧的密闭空间(28)注入气体来提高密闭空间(28)的压力，从而使盖材(21c)的第1面(21d)紧贴到中间制品(50)上。

Description

元件制造方法以及元件制造装置
技术领域
本发明涉及用于制造有机半导体元件等元件的元件制造方法以及元件制造装置。
背景技术
为了防止杂质混入元件中，制造有机半导体元件或者无机半导体元件等元件的工序一般情况下在真空环境下实施。例如，作为用于在基材上形成阴极电极、阳极电极或者半导体层的方法，使用溅射法或者蒸镀法等在真空环境下实施的成膜技术。真空环境是通过使用真空泵等耗费规定的时间对元件制造装置的内部进行脱气而实现的。
但是在元件的制造工序中，除了成膜工序以外还实施各种工序。其中，以往也存在在大气压下实施的工序。另一方面，为了实现真空环境，如上所述需要规定的时间。因此，在元件的制造工序除了包含在真空环境下实施的成膜工序之外还包含在大气压下实施的工序的情况下，对元件制造装置的内部进行脱气、以及将元件制造装置的内部的环境置换为大气所需要的时间增加。因此，期望在比大气压低压的环境下实施元件的各制造工序。由此，能够降低得到1个元件所需要的时间及成本。
作为成膜工序以外的工序，能够列举出例如专利文献1所述的那样的去除位于辅助电极上的有机半导体层的去除工序。辅助电极是在设于有机半导体层上的电极为薄膜状的共用电极的情况下，为了对产生于共用电极的电压下降根据位置而不同的情况进行抑制而设置的。即，通过使共用电极与辅助电极在各种位置连接，能够降低共用电极中的电压下降。另一方面，由于有机半导体层一般情况下遍及基材的整个区域而设置，因此为了将共用电极与辅助电极连接，需要实施去除辅助电极上的有机半导体层的上述的去除工序。
作为去除辅助电极上的有机半导体层的方法，公知有对有机半导体层照射激光等光的方法。这种情况下，由于构成有机半导体层的有机半导体材料因磨蚀而飞散，因此优选为了防止因飞散的有机半导体材料造成的污染而通过某些部件覆盖基材。例如在专利文献1中，提案如下方法：首先，在真空环境下将对置基材叠合到基材上来构成叠合基材，接下来，在维持对置基材与基材之间的空间为真空氛围的状态下将叠合基材取出到大气中，此后，对有机半导体层照射激光。这种情况下，能够基于真空氛围与大气之间的压差使对置基材牢固地紧贴到基材上，由此，能够可靠地防止因飞散的有机半导体材料造成的污染。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第4340982号公报
发明内容
发明要解决的课题
在如专利文献1所述那样、在大气中实施元件的制造工序的一部分的情况下，如上所述，对元件制造装置的内部进行脱气、以及将元件制造装置的内部的环境置换为大气所需要的时间增加。如果考虑这一点，则优选在元件制造装置的内部的真空环境下实施利用压差覆盖基材的工序。但是，在以往，没有提出在真空环境下利用压差来覆盖基材的方法。
本发明是考虑这一点而完成的，其目的在于提供元件制造方法以及元件制造装置，通过在真空环境下利用压差来覆盖基材而能够高效率地制造有机半导体元件等元件。
用于解决课题的手段
本发明提供元件制造方法，用于在基材上形成元件，该元件制造方法具备如下工序：准备包含所述基材以及沿所述基材的法线方向延伸的突起部的中间制品的工序；使用盖材的第1面从所述突起部侧覆盖所述中间制品的工序；以及紧贴工序，对形成于所述盖材的位于所述第1面的相反侧的第2面侧的、从周围密闭的密闭空间注入气体，使所述密闭空间的压力比所述盖材与所述中间制品之间的空间的压力高，从而使所述盖材的所述第1面紧贴到所述中间制品上。
所述元件制造方法还可以具备如下的工序：在所述紧贴工序之前，在与所述盖材的所述第2面相接的空间内形成从周围密闭的所述密闭空间。这种情况下，所述密闭空间可以形成于由所述盖材的所述第2面以及配置于所述盖材的所述第2面侧的第1封闭治具所包围的空间内。具体而言，通过以所述盖材与所述第1封闭治具接触的方式使所述盖材向所述第1封闭治具移动，来形成所述密闭空间。
对于所述元件制造方法，所述密闭空间可以形成于由设置为与所述盖材的所述第2面对置的膜以及固定有所述膜的第1封闭治具所包围的空间内。这种情况下，所述密闭空间形成于所述膜的与所述盖材对置的一侧的相反侧，在所述紧贴工序中，可以通过对所述密闭空间注入气体，使所述密闭空间的压力比所述盖材与所述中间制品之间的空间的压力高，从而所述密闭空间膨胀而所述膜向所述盖材侧移位，使所述膜推压所述盖材，由此所述盖材的所述第1面紧贴到所述中间制品上。
所述元件制造方法可以进一步具备光照射工序，在通过所述紧贴工序使盖材的所述第1面紧贴到所述中间制品上的期间，使用配置于所述第1封闭治具的外部的光照射部，经所述第1封闭治具以及所述盖材朝向所述中间制品照射光，所述第1封闭治具可以具有光透过区域，该光透过区域由具有透光性的材料构成。这种情况下，在进行所述紧贴工序时，在与所述第1封闭治具的所述光透过区域相接的、所述第1封闭治具的外部的空间内，形成有相对于大气遮蔽的外侧密闭空间，并且，所述光照射部配置于所述外侧密闭空间的外部，在进行所述光照射工序时，与所述第1封闭治具的所述光透过区域相接的、所述第1封闭治具的外部的空间与所述光照射部的周围的空间连通。
基于本发明的元件制造方法可以在真空环境下实施。
在基于本发明的元件制造方法中，所述元件可以包含：所述基材；多个第1电极，它们设于所述基材上；辅助电极以及所述突起部，它们设于所述第1电极之间；有机半导体层，其设于所述第1电极上；以及第2电极，其设于所述有机半导体层上以及所述辅助电极上，所述中间制品可以包含：所述基材；多个所述第1电极，它们设于所述基材上；所述辅助电极以及所述突起部，它们设于所述第1电极之间；所述有机半导体层，其设于所述第1电极上以及所述辅助电极上。这种情况下，所述元件制造方法可以具备如下的去除工序：在所述紧贴工序之后，将设于所述辅助电极上的所述有机半导体层去除。
在基于本发明的元件制造方法中，所述辅助电极被所述突起部部分覆盖，所述去除工序可以包含对与所述突起部相邻配置的所述辅助电极上的所述有机半导体层照射光的工序。
在基于本发明的元件制造方法中，所述突起部至少部分性地被所述辅助电极覆盖，在所述去除工序中，可以去除位于所述突起部上的所述辅助电极上的所述有机半导体层。
在基于本发明的元件制造方法中，所述中间制品可以包含：所述基材；以及设于所述基材上的所述突起部和被曝光层，所述元件制造方法可以具备曝光工序，在所述紧贴工序之后对所述被曝光层照射曝光光。
在基于本发明的元件制造方法中，可以在所述盖材的所述第1面上设有蒸镀用材料，所述元件制造方法具备在所述紧贴工序之后朝向所述蒸镀用材料照射光而使所述蒸镀用材料蒸镀到所述基材上的工序。
在基于本发明的元件制造方法中，所述盖材可以由卷对卷方式供给。
在基于本发明的元件制造方法中，所述密闭空间可以形成为，在沿所述中间制品的所述基材的法线方向观察的情况下，所述密闭空间包含所述中间制品。
在基于本发明的元件制造方法中，在所述盖材的第2面侧可以配置第1封闭治具，该第1封闭治具具有主面以及从所述主面朝向所述盖材的侧面。这种情况下，在进行所述紧贴工序时，在沿所述中间制品的所述基材的法线方向观察所述密闭空间的情况下，所述密闭空间的轮廓被所述第1封闭治具的所述侧面划定。此外所述元件制造方法还具备光照射工序，在通过所述紧贴工序使盖材的所述第1面紧贴到所述中间制品上的期间，使用配置于所述第1封闭治具的外部的光照射部经所述第1封闭治具的所述主面以及所述盖材朝向所述中间制品照射光。
在基于本发明的元件制造方法中，所述第1封闭治具的所述主面之中供来自所述光照射部的光通过的部分可以是由具有透光性的材料构成的光透过区域。这种情况下，在进行所述紧贴工序时，在与所述第1封闭治具的所述光透过区域相接的所述第1封闭治具的外部的空间内，形成有相对于大气遮蔽的外侧密闭空间，并且，所述光照射部配置于所述外侧密闭空间的外部。另一方面，在进行所述光照射工序时，与所述第1封闭治具的所述光透过区域相接的所述第1封闭治具的外部的空间与所述光照射部的周围的空间连通。
在基于本发明的元件制造方法中，所述第1封闭治具的所述主面之中供来自所述光照射部的光通过的部分可以由自由开闭的开闭窗构成，所述光照射部可以配置于构成为在所述第1封闭治具的所述开闭窗开放时能够与所述第1封闭治具的内部的空间连通的辅助腔室内。这种情况下，所述第1封闭治具通过在控制为第1压力的环境下并且在将所述第1封闭治具的所述开闭窗关闭的状态下与所述盖材的所述第2面接触，而在所述盖材的所述第2面侧形成密闭空间。另一方面，在进行所述光照射工序时，将所述第1封闭治具的所述开闭窗开放，并且，将所述第1封闭治具的内部的空间以及所述辅助腔室的内部的空间的压力控制为比所述第1压力高的第2压力。
本发明提供元件制造装置，用于在基材上形成元件，其特征在于，该元件制造装置具备封闭机构，该封闭机构使盖材相对于包含所述基材以及沿所述基材的法线方向延伸的突起部的中间制品从所述突起部侧紧贴，所述封闭机构具有：盖材供给部，其供给盖材；以及加压部，其通过对形成于所述盖材的位于所述第1面的相反侧的第2面侧的、从周围密闭的密闭空间注入气体，使所述密闭空间的压力比所述盖材与所述中间制品之间的空间的压力高，从而使所述盖材的所述第1面紧贴到所述中间制品上。
在基于本发明的元件制造装置中，所述密闭空间可以形成于由所述盖材的所述第2面以及配置于所述盖材的所述第2面侧的第1封闭治具包围的空间内。这种情况下，可以通过以所述盖材与所述第1封闭治具接触的方式使所述盖材相对于所述第1封闭治具相对地移动，来形成所述密闭空间。
在基于本发明的元件制造装置中，所述密闭空间可以形成于由设置为与所述盖材的所述第2面对置的膜以及固定有所述膜的第1封闭治具所包围的空间内。这种情况下，所述密闭空间形成于所述膜的与所述盖材对置的一侧的相反侧，所述加压部可以构成为：通过对所述密闭空间注入气体，使所述密闭空间的压力比所述盖材与所述中间制品之间的空间的压力高，从而所述密闭空间膨胀而所述膜向所述盖材侧移位，使所述膜推压所述盖材，由此所述盖材的所述第1面紧贴到所述中间制品上。
基于本发明的元件制造装置还可以具备光照射部，其配置于所述第1封闭治具的外部，所述光照射部在所述盖材的所述第1面紧贴到所述中间制品上的期间经所述第1封闭治具以及所述盖材朝向所述中间制品照射光，所述第1封闭治具可以具有光透过区域，该光透过区域由具有透光性的材料构成。这种情况下，所述封闭机构进一步具有第3封闭治具，该第3封闭治具与所述第1封闭治具的所述光透过区域相邻配置，并且具备自由开闭的开闭窗，当所述第1封闭治具的内部的空间的压力比所述第2压力低时，在所述第3封闭治具的内部的空间内形成有相对于大气遮蔽并且与所述第1封闭治具的所述光透过区域相接的外侧密闭空间，并且，所述光照射部配置于所述外侧密闭空间的外部，当所述光照射部朝向所述中间制品照射光时，所述第3封闭治具的所述开闭窗开放。
基于本发明的元件制造装置可以是在真空环境下在基材上形成元件的元件制造装置。
在基于本发明的元件制造装置中，所述加压部可以具有：基板，其包含光透过区域以及气体通过区域；以及密封垫，其以至少包围所述气体通过区域的方式设于所述基板上。这种情况下，由所述盖材、所述基板以及所述密封垫包围的空间成为所述密闭空间。此外所述加压部可以进一步具有气体注入部，该气体注入部与所述气体通过区域连接，对所述密闭空间注入气体。
在基于本发明的元件制造装置中，所述元件包含：所述基材；多个第1电极，它们设于所述基材上；辅助电极以及所述突起部，它们设于所述第1电极之间；有机半导体层，其设于所述第1电极上；以及第2电极，其设于所述有机半导体层上以及所述辅助电极上，所述中间制品可以包含：所述基材；多个所述第1电极，它们设于所述基材上；所述辅助电极以及所述突起部，它们设于所述第1电极之间；以及所述有机半导体层，其设于所述第1电极上以及所述辅助电极上。这种情况下，所述元件制造装置可以具备去除机构，在所述盖材紧贴到所述中间制品上的期间去除设于所述辅助电极上的所述有机半导体层。
在基于本发明的元件制造装置中，所述辅助电极被所述突起部部分性地覆盖，所述去除机构可以具有光照射部，该光照射部对与所述突起部相邻配置的所述辅助电极上的所述有机半导体层照射光。
在基于本发明的元件制造装置中，所述突起部被所述辅助电极至少部分性地覆盖，所述去除机构可以构成为去除位于所述突起部上的所述辅助电极上的所述有机半导体层。
在基于本发明的元件制造装置中，所述中间制品包含：所述基材；以及设于所述基材上的所述突起部和被曝光层，所述元件制造装置可以具备曝光机构，该曝光机构在所述盖材紧贴到所述中间制品上的期间对所述被曝光层照射曝光光。
在基于本发明的元件制造装置中，在所述盖材的所述第1面上设有蒸镀用材料，所述元件制造装置可以具备蒸镀机构，在所述盖材紧贴到所述中间制品上的期间朝向所述蒸镀用材料照射光而将所述蒸镀用材料蒸镀到所述基材上。
在基于本发明的元件制造装置中，盖材供给部可以构成为通过卷对卷方式供给所述盖材。
在基于本发明的元件制造装置中，所述密闭空间可以形成为：在沿所述中间制品的所述基材的法线方向观察的情况下所述密闭空间包含所述中间制品。
在基于本发明的元件制造装置中，所述封闭机构可以具有第1封闭治具，该第1封闭治具配置于所述盖材的第2面侧且具有主面以及从所述主面朝向所述盖材的侧面。这种情况下，在沿所述中间制品的所述基材的法线方向观察所述密闭空间的情况下，所述密闭空间的轮廓被所述第1封闭治具的所述侧面划定。
在基于本发明的元件制造装置中，所述封闭机构可以进一步具有第2封闭治具，该第2封闭治具配置于所述盖材的所述第1面侧，并且在形成所述密闭空间时在与所述第1封闭治具的所述侧面之间夹入所述盖材。
基于本发明的元件制造装置可以进一步具备配置于所述第1封闭治具的外部的光照射部。这种情况下，所述光照射部在所述盖材的所述第1面紧贴到所述中间制品上的期间，经所述第1封闭治具的所述主面以及所述盖材对所述中间制品照射光。
在基于本发明的元件制造装置中，所述第1封闭治具的所述主面之中供来自所述光照射部的光通过的部分是光透过区域，该光透过区域由具有透光性的材料构成，所述封闭机构可以进一步具备第3封闭治具，该第3封闭治具与所述第1封闭治具的所述光透过区域相邻配置并且具备自由开闭的开闭窗。这种情况下，当所述第1封闭治具的内部的空间的压力比所述第2压力低时，在所述第3封闭治具的内部的空间形成了相对于大气遮蔽并且与所述第1封闭治具的所述光透过区域相接的外侧密闭空间，并且，所述光照射部配置于所述外侧密闭空间的外部。另一方面，当所述光照射部对所述中间制品照射光时，所述第3封闭治具的所述开闭窗是开放的。
在基于本发明的元件制造装置中，所述第1封闭治具的所述主面之中供来自所述光照射部的光通过的部分由自由开闭的开闭窗构成，所述封闭机构进一步具有辅助腔室，该辅助腔室构成为在所述第1封闭治具的所述开闭窗开放时与所述第1封闭治具的内部的空间能够连通，光照射部可以配置于所述辅助腔室内。这种情况下，在所述第1封闭治具与所述盖材不接触时，所述第1封闭治具的所述开闭窗是关闭的。另一方面，在光照射部对所述中间制品照射光时，所述第1封闭治具的所述开闭窗是开放的，并且，所述第1封闭治具的内部的空间以及所述辅助腔室的内部的空间被控制为比所述第1压力高的第2压力。
发明效果
根据本发明，通过利用压差借助盖材覆盖基材，能够高效率地制造有机半导体元件等元件。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式的有机半导体元件的纵剖视图。
图2A是示出图1所示的有机半导体元件的辅助电极、突起部以及有机半导体层的布局的一例的俯视图。
图2B是示出图1所示的有机半导体元件的辅助电极、突起部以及有机半导体层的布局的其他例子的俯视图。
图3是示出本发明的实施方式的元件制造装置的图。
图4中的(a)～(g)是示出本发明的实施方式的元件制造方法的图。
图5中的(a)～(d)是示出在本发明的实施方式中去除辅助电极上的有机半导体层的方法的图。
图6中的(a)、(b)是示出在比较例中去除辅助电极上的有机半导体层的方法的图。
图7中的(a)～(g)是示出在本发明的实施方式的变形例中去除辅助电极上的有机半导体层的方法的图。
图8是示出包含封闭机构的中间制品处理装置是作为使被曝光层曝光的曝光装置而构成的例子的图。
图9是示出由图8所示的曝光装置实施的曝光工序的图。
图10是示出包含封闭机构的中间制品处理装置是作为使蒸镀用材料蒸镀到基材上的蒸镀装置而构成的例子的图。
图11是示出由图10所示的蒸镀装置实施的蒸镀工序的图。
图12是示出中间制品处理装置的变形例的立体图。
图13A是示出将图12所示的中间制品处理装置沿第2方向截断的情况的剖视图。
图13B是示出将图12所示的中间制品处理装置沿第1方向截断的情况的剖视图。
图14中的(a)～(f)是示出使用图12所示的中间制品处理装置来去除辅助电极上的有机半导体层的方法的图。
图15中的(a)～(f)是示出使用基于进一步的变形例的中间制品处理装置来去除辅助电极上的有机半导体层的方法的图。
图16中的(a)～(f)是示出使用基于进一步的变形例的中间制品处理装置来去除辅助电极上的有机半导体层的方法的图。
图17是示出元件制造装置的变形例的图。
图18中的(a)～(h)是示出使用基于进一步的变形例的中间制品处理装置来去除辅助电极上的有机半导体层的方法的图。
图19中的(a)～(h)是示出使用基于进一步的变形例的中间制品处理装置来去除辅助电极上的有机半导体层的方法的图。
图20是示出中间制品处理装置的进一步的变形例的图。
图21是示出中间制品处理装置的进一步的变形例的图。
具体实施方式
以下，参照图1至图5中的(a)～(d)对本发明的实施方式进行说明。首先根据图1对本实施方式的有机半导体元件40的层结构进行说明。这里作为有机半导体元件40的一例，对顶部发光型的有机EL元件进行说明。
有机半导体元件
如图1所示，有机半导体元件40具备：基材41；多个第1电极42，它们设于基材41上；辅助电极43以及突起部44，它们设于第1电极42之间；有机半导体层45，其设于第1电极42上；以及第2电极46，其设于有机半导体层45上以及辅助电极43上。
有机半导体层45至少包含通过有机化合物中的电子与空穴的重新组合而发光的发光层。此外，有机半导体层45可以进一步包含空穴注入层、空穴输送层、电子输送层或者电子注入层等在有机EL元件中通常设置的各种层。作为有机半导体层的构成要素能够使用公知的构成要素，能够使用例如日本特开2011-9498号公报中记载的构成要素。
与各个有机半导体层45相对应地设置第1电极42。第1电极42还作为使产生在有机半导体层45上的光发生反射的反射电极而发挥功能。作为构成第1电极42的材料，能够列举出铝、铬、钛、铁、钴、镍、钼、铜、钽、钨、白金、金、银等金属元素的单质或者它们的合金。另外，在第1电极42中，可以在上述的金属上形成铟锡氧化物即所谓的ITO、或者铟锌氧化物即所谓的IZO等无机氧化物的层。
第2电极46作为针对多个有机半导体层45的共用电极而发挥功能。此外，第2电极46构成为使产生在有机半导体层45上的光透过。作为构成第2电极46的材料，能够使用薄到能够使光透过的程度的金属膜或者ITO等氧化物导电性材料。
辅助电极43用于确保不产生由从电源(未图示)至各个有机半导体层的距离的差引起的电压下降的偏差，由此抑制使用有机EL元件的显示装置的亮度的偏差。如图1所示，各辅助电极43与第2电极46连接。作为构成辅助电极43的材料，能够列举出与第1电极42相同的金属元素的单质或者合金。辅助电极43既可以由与第1电极42相同的材料构成，或者，也可以由与第1电极42不同的材料构成。
突起部44由具有绝缘性的材料构成。在图1所示的例子中，突起部44设于第1电极42与辅助电极43之间。通过设置这样的突起部44，能够确保第1电极42与辅助电极43以及第2电极46之间的绝缘性。此外，能够适当确定设于突起部44之间的有机半导体层45的形状。作为构成突起部44的材料，能够使用聚酰亚胺等有机材料或者氧化硅等无机绝缘性材料。此外突起部44构成为沿基材41的法线方向延伸，因此突起部44还能够作为当使后述的盖材与基材41紧贴时用于在盖材与基材41之间确保空间的间隔件而发挥功能。
如图1所示，有机半导体层45以及第2电极46不仅可以在第1电极42上连续设置，也可以在突起部44上连续设置。另外，在有机半导体层45中，电流流过而发光的部分是被第1电极42与第2电极46上下夹持的部分，在位于突起部44上的有机半导体层45中不产生发光。在后述的图2A以及图2B中，只示出了有机半导体层45中产生发光的部分。
接下来，对从基材41的法线方向观察的情况下的有机半导体元件40的结构进行说明。特别地对有机半导体元件40的辅助电极43、突起部44以及有机半导体层45的布局进行说明。图2A是示出辅助电极43、突起部44以及有机半导体层45的布局的一例的俯视图。如图2A所示，有机半导体层45是以矩阵状按顺序而配置的，可以包含分别具有矩形形状的红色有机半导体层45R、绿色有机半导体层45G以及蓝色有机半导体层45B。这种情况下，相邻的有机半导体层45R、45G、45B的组合构成了1个像素。
如图2A所示，辅助电极43在配置为矩阵状的有机半导体层45之间延伸而配置为格子状。通过像这样配置辅助电极43，能够抑制在与各有机半导体层45连接的第2电极46的电压下降中产生根据位置的差。此外如图2A所示，突起部44设于有机半导体层45与辅助电极43之间，来从侧方包围有机半导体层45。即，突起部44沿有机半导体层45的四边连续设置。因此，在去除辅助电极43上的有机半导体层45的工序中，能够防止飞散的有机半导体材料到达第1电极42上的有机半导体层45。
另外只要能够适当降低电压下降，辅助电极43便不需要在其整个区域内与第2电极46连接。即，在后述的去除工序中，不需要去除辅助电极43上的有机半导体层45的全部。因此突起部44可以如图2B所示，沿有机半导体层45的四边中的任意的边非连续地设置。同样在图2B所示的例子中，在去除被突起部44夹着的位置处的辅助电极43上的有机半导体层45的工序中，能够防止飞散的有机半导体材料到达第1电极42上的有机半导体层45。此外，通过将被突起部44夹着的位置处的辅助电极43与第2电极46连接，能够适当地抑制电压下降。
接下来，对基于本实施方式的用于在基材41上形成有机半导体元件40的元件制造装置10以及元件制造方法进行说明。只要能够充分地防止杂质混入有机半导体元件40，实施元件制造方法的环境没有特别限定，例如元件制造方法有一部分是在真空环境下实施的。另外只要是至少比大气压低压的环境，真空环境中的具体的压力没有特别的限定，例如元件制造装置10的内部的压力为1.0×104Pa以下。
元件制造装置
图3是概略地示出元件制造装置10的图。如图3所示，元件制造装置10具备：第1电极形成装置11，其在基材41上形成多个第1电极42；辅助电极形成装置12，其在第1电极42之间形成辅助电极43；突起部形成装置13，其在第1电极42与辅助电极43之间形成突起部44；以及有机半导体层形成装置14，其在第1电极42、辅助电极43上以及突起部44上形成有机半导体层45。在以下的说明中，将通过使用了各装置11、12、13、14的工序而得到的制品称为中间制品50。经过第1电极形成装置11之后的中间制品50包含基材41以及形成于基材41上的多个第1电极42。经过辅助电极形成装置12之后的中间制品50进一步包含形成于第1电极42之间的辅助电极43。经过突起部形成装置13之后的中间制品50进一步包含形成于第1电极42与辅助电极43之间的突起部44。经过有机半导体层形成装置14之后的中间制品50进一步包含形成于辅助电极43上以及突起部44上的有机半导体层45。此外，在经过后述的中间制品处理装置15之后的中间制品50上，设于辅助电极43上的有机半导体层45被去除。
元件制造装置10进一步具备在后述的盖材21c相对于基材41紧贴的期间内实施规定的处理的中间制品处理装置15。在本实施方式中，对中间制品处理装置15作为将设于辅助电极43上的有机半导体层45去除的去除装置而构成的例子进行说明。具体而言，在本实施方式中，中间制品处理装置15具有：封闭机构20，其将后述的盖材21c从突起部44侧紧贴到包含基材41以及突起部44的中间制品50上；去除机构30，其将设于辅助电极43上的有机半导体层45去除。此外元件制造装置10进一步具备第2电极形装置16，该第2电极形装置16在辅助电极43上的有机半导体层45被去除之后在辅助电极43以及有机半导体层45上形成第2电极46。
如图3所示，元件制造装置10可以进一步具备输送装置17，该输送装置17为了在各装置11～16之间输送基材41或者中间制品50而与各装置11～16连接。
另外图3是从功能性角度来对各装置进行分类的，其物理形态不限于图3所示的例子。例如，图3所示的各装置11～16中的多个装置在物理上可以通过1个装置而构成。或者，图3所示的各装置11～16的任一装置在物理上可以通过多个装置而构成。例如存在像后述那样、在1个工序中同时形成第1电极42以及辅助电极43的情况。这种情况下，第1电极形成装置11以及辅助电极形成装置12可以作为1个装置而构成。
元件制造方法
以下，参照图4中的(a)～(g)对使用元件制造装置10来制造有机半导体元件40的方法进行说明。首先，通过例如溅射法，在基材41上形成构成第1电极42以及辅助电极43的金属材料的层，接下来，通过蚀刻对金属材料的层进行成形。由此，如图4中的(a)所示，能够在基材41上同时形成上述的第1电极42以及辅助电极43。另外，也可以分别实施形成第1电极42的工序以及形成辅助电极43的工序。
接下来，如图4中的(b)所示，例如通过光刻法，在第1电极42与辅助电极43之间形成多个突起部44，该多个突起部44沿基材41的法线方向延伸至比第1电极42以及辅助电极43靠近上方的位置。此后，通过蒸镀法、CVD法、印刷法、喷墨法或者转印法等一般的成膜方法，如图4中的(c)所示，在第1电极42上、辅助电极43上以及突起部44上形成有机半导体层45。这样，能够得到中间制品50，该中间制品50包含：基材41；多个第1电极42，它们设于基材41上；辅助电极43以及突起部44，它们设于第1电极42之间；有机半导体层45，其设于第1电极42上、辅助电极43上以及突起部44上。另外在本实施方式中，如上所述，第1电极42以及辅助电极43先于突起部44而形成于基材41上。因此，第1电极42以及辅助电极43被突起部44部分性地覆盖。
接下来，准备盖材21c，此后，如图4中的(d)所示，实施紧贴工序，使用封闭机构20来使盖材21c的第1面21d紧贴到中间制品50上。接下来，在盖材21c紧贴到中间制品50上的期间，如图4中的(e)所示，使用去除机构30，对设于辅助电极43上的有机半导体层45照射激光等光L1。因此，光L1的能量被有机半导体层45吸收，其结果，构成辅助电极43上的有机半导体层45的有机半导体材料飞散。这样，能够实施去除工序，去除辅助电极43上的有机半导体层45。例如如图4中的(e)所示，从辅助电极43上飞散的有机半导体材料附着于盖材21c的第1面21d。此后，如后述那样，在第1电极42上的有机半导体层45上以及辅助电极43上形成第2电极46。
以下，参照图5中的(a)～(d)来对参照上述的图4中的(d)、(e)而说明的使盖材21c紧贴到中间制品50上并且将辅助电极43上的有机半导体层45去除的方法进行更详细的说明。
(封闭机构)
首先对封闭机构20进行说明。封闭机构20如图5中的(a)所示具有：盖材供给部21，其供给盖材21c；以及加压部23，其对盖材21c施加压力，以使得盖材21c的第1面21d紧贴到中间制品50上。盖材21c用于从突起部44侧覆盖中间制品50。通过使用这样的盖材21c，能够防止例如在上述的去除工序中，从辅助电极43上飞散的有机半导体材料污染第1电极42上的有机半导体层45或者周围环境。作为构成盖材21c的材料，使用玻璃或者塑料等具有透光性的材料。
盖材供给部21可以构成为通过卷对卷(roll-to-roll)方式来供给盖材21c。例如盖材供给部21可以包含：卷出部21a，其将盖材21c卷出；以及卷取部21b，其将盖材21c卷取。这种情况下，盖材21c的材料或者厚度设定为具有能够被卷取为辊状的程度的柔软性。
如图5中的(a)所示，加压部23具有：基板24，其包含光透过区域24a以及气体通过区域24b；以及密封垫25，其设于基板24上且至少包围气体通过区域24b。密封垫25设于基板24中与盖材21c对置的一侧。此外加压部23进一步具有气体注入部26，其与气体通过区域24b连接并且向基板24与盖材21c之间的空间供给惰性气体等气体。基板24由具有透光性的材料构成，例如由石英等玻璃构成。密封垫25由能够与盖材21c的第2面21e紧贴而能够提高基板24与盖材21c之间的空间的气密性的材料构成，例如由橡胶构成。
(去除机构)
接下来对去除机构30进行说明。去除机构30使激光等光L1通过基板24以及盖材21c而照射到辅助电极43上的有机半导体层45上，由此去除辅助电极43上的有机半导体层45。如图5中的(a)所示，去除机构30具有例如产生激光的光照射部31。另外作为构成盖材21c的材料，使用PET、COP、PP、PE、PC、玻璃膜等具有透光性的材料，以使激光等光L1能够透过。
另外盖材21c优选具备规定的气体阻隔性，来防止气体从盖材21c流入而使中间制品50与盖材21c之间的空间的机密性下降、或者中间制品50的构成要素因氧化等而劣化。例如，盖材21c的氧气透过率优选为100cc/m2·天以下，更优选为30cc/m2·天以下，进一步优选为15cc/m2·天以下。
以下，对中间制品处理装置15的作用进行说明。
首先，如图5中的(a)所示，将中间制品50搬入设有封闭机构20以及去除机构30并且维持了真空氛围的腔室15a内。接下来，如图5中的(b)所示，将盖材21c从卷出部21a向卷取部21b卷出，通过盖材21c的第1面21d从突起部44侧覆盖中间制品50。此后，使中间制品50相对于盖材21c相对接近，并且，使中间制品50与盖材21c抵接。由此，如图5中的(c)所示，能够在与盖材21c的位于第1面21d的相反侧的第2面21e相接的空间内，具体而言在由盖材21c、基板24以及密封垫25包围的空间内，形成从周围密闭的密闭空间28。另外使中间制品50相对于盖材21c相对接近的方法没有特别的限定。例如可以如图5中的(c)所示，在借助包含伸缩自如的多个气缸22a的支承部22支承中间制品50的情况下，通过使气缸22a伸出而使中间制品50与盖材21c接触。
此后，使用气体注入部26向密闭空间28注入气体来增大密闭空间28的压力。其结果，密闭空间28的压力比盖材21c与中间制品50之间的空间的压力高。因此，在紧贴工序中，能够使盖材21c的第1面21d牢固地紧贴到中间制品50上。另外如图5中的(c)所示，在气体注入部26上可以设有挡板26b，该挡板26b用于控制从气体注入部26的注入口26a向密闭空间28的气体注入。
接下来，在上述盖材紧贴到中间制品上的期间内，如图5中的(d)以及图4中的(e)所示，使用去除机构30的光照射部31将光L1照射到设于辅助电极43上的有机半导体层45上。由此，能够在真空环境下去除辅助电极43上的有机半导体层45。图4中的(f)是示出去除了辅助电极43上的有机半导体层45的状态的图。
此后，如图4中的(g)所示，在第1电极42上的有机半导体层45上以及辅助电极43上形成第2电极46。这样，能够得到具备与第2电极46连接的辅助电极43的有机半导体元件40。
根据本实施方式，在元件制造装置10的内部形成密闭空间28，其中，所述元件制造装置10在比大气压低压的环境下实施多个工序，所述密闭空间28具有比元件制造装置10的内部的压力大的压力，由此能够利用压差使盖材21c牢固地紧贴到中间制品50上。因此，能够在盖材21c牢固地紧贴到中间制品50上的状态下实施上述的去除工序等针对中间制品50的各种处理。因此，能够抑制已经形成的有机半导体层45或者中间制品50的周围的环境受到污染。
比较例
接下来，与比较例进行比较而对本实施方式的效果进行说明。图6中的(a)、(b)是示出在比较例中去除辅助电极43上的有机半导体层45的方法的图。
在图6中的(a)、(b)所示的比较例中，使盖材21c紧贴到中间制品50上来构成叠合基材之后，在使盖材21c与中间制品50之间的空间维持真空氛围的状态下将叠合基材取出到大气中，并且，在大气中对辅助电极43上的有机半导体层45照射光。在图6中的(a)、(b)所示的比较例中，对与图1至图5中的(a)～(d)所示的本实施方式中的相同部分赋予相同标号而省略详细的说明。
在比较例中，将叠合基材取出到大气中以及再次搬入时，元件制造装置的内部氛围的置换及脱气要花费时间。因此，认为制造有机半导体元件所需要的时间及成本增加。此外，由于叠合基材被暂时取出到大气中，因此需要在形成叠合基材之后截断盖材21c。因此，难以卷取使用后的盖材21c即通过卷对卷方式回收盖材21c。因此，盖材21c的回收方法受限。
与此相对，根据本实施方式，能够在元件制造装置的内部的比大气压低压的环境下实施去除辅助电极43上的有机半导体层45的工序。因此，能够高效率地制造有机半导体元件40等元件。此外，能够通过卷对卷方式供给盖材21c。因此根据本实施方式，作为盖材21c的供给方法，能够采用卷对卷或者单片等各种方法。
另外，能够对上述的实施方式进行各种变更。以下，参照附图并对变形例进行说明。在以下的说明以及以下的说明中使用的附图中，关于与上述的实施方式相同结构的部分，使用与上述的实施方式中的对应的部分所使用的标号相同的标号，而省略重复说明。此外，在明确在上述的实施方式中得到的作用效果在变形例中也能够得到的情况下，也可省略其说明。
(有机半导体元件的层结构的变形例)
在上述的本实施方式中，示出了第1电极42以及辅助电极43先于突起部44形成在基材41上的例子。但是，不限于此，也可以先于第1电极42以及辅助电极43在基材41上形成突起部44。即使在这种情况下，也能够利用基于上述的本实施方式的紧贴工序及去除工序。以下，参照图7中的(a)～(g)对这样的例子进行说明。
首先如图7中的(a)所示，在基材41上形成多个突起部44。接下来，如图7中的(b)所示，在突起部44之间形成第1电极42，并且在突起部44上形成辅助电极43。此后，如图7中的(c)所示，在第1电极42、辅助电极43以及突起部44上形成有机半导体层45。这样，能够得到中间制品50，该中间制品50包含：基材41；多个第1电极42，它们设于基材41上；辅助电极43以及突起部44，它们设于第1电极42之间；以及有机半导体层45，其设于第1电极42上以及辅助电极43上。另外在本变形例中，由于突起部44先于第1电极42以及辅助电极43而形成，因此突起部44被辅助电极43覆盖。另外不需要使突起部44的上表面整个区域都被辅助电极43覆盖。即只要突起部44的上表面至少部分性地被辅助电极43覆盖即可。此外在上述的本实施方式中，示出了在第1电极42之间设有2列突起部44并在突起部44之间设有辅助电极43的例子，但是在本变形例中，由于辅助电极43设于突起部44上，因此可以如图7中的(c)所示，设于第1电极42之间的突起部44只是1列。
接下来，实施紧贴工序，使盖材21c的第1面21d紧贴到中间制品50上。具体而言，如图7中的(d)所示，盖材21c的第1面21d与突起部44上的辅助电极43上的有机半导体层45抵接。此时，与上述的本实施方式情况相同地，通过利用压差而将盖材21c牢固地紧贴到中间制品50上。这种情况下，通过对盖材21c的第1面21d的表面能进行适当设定，而能够如图7中的(e)所示、使突起部44上的辅助电极43上的有机半导体层45转移至盖材21c的第1面21d。即在本变形例中，能够利用转移来实施将突起部44上的辅助电极43上的有机半导体层45去除的去除工序。图7中的(f)是示出突起部44上的辅助电极43上的有机半导体层45被去除的状态的图。另外在本变形例中，为了促进转移，可以与上述的本实施方式的情况同样地，对突起部44上的辅助电极43上的有机半导体层45照射光。
此后，如图7中的(g)所示，在第1电极42上的有机半导体层45上以及突起部44上的辅助电极43上形成第2电极46。这样，能够得到具备与第2电极46连接的辅助电极43的有机半导体元件40。
另外在上述的本实施方式以及本变形例中，示出了被去除的有机半导体层45与辅助电极43接触的例子，但是不限于此，在被去除的有机半导体层45与辅助电极43之间可以夹有未图示的其他的层、例如具有导电性的层。即在本申请中，“去除设于辅助电极上的有机半导体层”的意思是将在沿基材的法线方向观察的情况下与辅助电极重叠的有机半导体层去除。
(中间制品处理装置作为曝光装置而构成的例子)
此外在上述的本实施方式以及变形例中，示出了具有封闭机构20的中间制品处理装置15作为去除辅助电极43上的有机半导体层45的去除装置而构成的例子。但是，上述的封闭机构20的应用例没有特别限定。例如中间制品处理装置15可以如图8以及图9所示具有：封闭机构20；以及曝光机构33，其实施曝光工序，在盖材21c紧贴到中间制品50上的期间，对被曝光层47照射曝光光L2。即，也可以将利用了元件制造装置10的内部的压差的上述的紧贴方法适用于曝光工序。
(中间制品处理装置作为蒸镀装置而构成的例子)
或者，中间制品处理装置15也可以如图10以及图11中的(a)、(b)所示具有：封闭机构20；以及蒸镀机构35，其在盖材21c紧贴到中间制品50上的期间对蒸镀用材料48照射光而将蒸镀用材料48蒸镀到基材41上。即，也可以将利用了元件制造装置10的内部的压差的上述的紧贴方法适用于蒸镀工序。另外，通过在盖材21c那样的具有柔软性的部件之上设置规定的材料并对该材料进行加热使其蒸发从而使材料附着于其他的部件上的方法是在印刷领域被称为“升华转印”的方法。因此，本变形例中的“蒸发”以及“蒸镀”这样的用语也能够解读为“升华”以及“升华转印”。
在本变形例中，如图11中的(a)所示，蒸镀用材料48设于盖材21c的第1面21d上。此外如图11中的(a)所示，中间制品50具有基材41、设于基材41上的多个突起部44以及设于突起部44之间的第1电极42。这种情况下，如果使用蒸镀机构35对蒸镀用材料48照射红外线等光L3，则蒸镀用材料48蒸发。更具体而言，如果如图11中的(a)所示，对蒸镀用材料48之中存在于与第1电极42对置的位置的蒸镀用材料48照射光L3，则蒸镀用材料48蒸发而附着于基材41上的第1电极42上。其结果，能够如图11中的(b)所示在第1电极42上形成蒸镀层49。此外基材41与盖材21c之间的空间被突起部44适当划分。因此，能够防止蒸镀用材料48在基材41与盖材21c之间的空间大范围飞散。另外对蒸镀用材料48进行加热的方法不限于上述的方法。例如也可以通过事先在蒸镀用材料48的下部形成吸收红外光的金属薄膜，并对金属薄膜进行加热来使蒸镀用材料48蒸镀。即在本变形例中，“对蒸镀用材料48照射光L3”的工序，不仅包含直接对蒸镀用材料48照射光的工序，还包含为使光能够到达与蒸镀用材料48相邻的部件而朝向蒸镀用材料48照射光的工序。
(其他的变形例)
在上述的本实施方式以及各变形例中，示出了以单片方式供给基材41的例子。但是，不限于此，也可以通过卷对卷方式来供给基材41。这种情况下，通过使用可动平台等来使通过卷对卷方式供给的基材41相对于盖材21c接近，从而能够与上述的本实施方式以及各变形例的情况同样地使基材41部分性地被盖材21c覆盖。
此外在上述的本实施方式以及各变形例中，示出了有机半导体元件40是有机EL的例子。但是，通过上述的元件制造装置10以及元件制造方法而制造的有机半导体元件的类型没有特别限定。例如使用上述的元件制造装置10以及元件制造方法，能够制造有机晶体管器件或者有机太阳能电池器件等各种有机半导体元件。在有机晶体管器件中，作为有机半导体层以及其他的构成要素能够使用公知的要素，能够使用例如日本特开2009-87996号公报中记载的要素。同样地，在有机太阳能电池器件中，作为由有机半导体层构成的光电转换层以及其他的构成要素，能够使用公知的要素，能够使用例如日本特开2011-151195号公报中记载的要素。此外，上述的元件制造装置10以及元件制造方法不仅适用于有机半导体元件的制造，也适用于无机半导体元件的制造。
(中间制品处理装置的变形例)
以下，对中间制品处理装置15的其他的变形例进行说明。首先参照图12，对基于本变形例的中间制品处理装置15的概略进行说明。图12是示出中间制品处理装置15的主要的构成要素的立体图。
在图12中，中间制品50的与盖材21c的第1面21d对置的第1面用标号50a来表示，位于第1面50a的相反侧的第2面用标号50b来表示。在基于本变形例的中间制品处理装置15的腔室15a内，中间制品50被基材保持件71保持在比盖材21c靠近上方的位置。作为基材保持件71，使用与中间制品50的第2面50b接触而能够保持中间制品50的基材保持件，使用例如静电卡盘。另外为了防止附图变得复杂，腔室15a以及为了将中间制品50搬入腔室15a而形成于腔室15a上的基材取出窗15b用点划线来表示。此外，后述的第1封闭治具61之中隐藏在盖材21c的下方的部分用虚线来表示。
如图12所示，在本变形例中，中间制品处理装置15的封闭机构20的加压部23具有配置于盖材21c的第2面21e侧的第1封闭治具(日文原文“治具”，平假名“じぐ”)61。第1封闭治具61用于在盖材21c的第2面21e侧形成从周围密闭的上述的密闭空间28。第1封闭治具61例如具有与盖材21c平行地延伸的主面61a以及从主面61a朝向盖材21c的侧面。这种情况下，密闭空间28至少形成于第1封闭治具61的侧面的内侧的空间。即，从中间制品50的基材41的法线方向观察的情况下的密闭空间28的轮廓被第1封闭治具61的侧面划定。第1封闭治具61的侧面例如包含：沿第1方向D1延伸的一对第1侧面61b以及沿与第1方向D1垂直的第2方向D2延伸的一对第2侧面61c。这里第1方向D1是指通过盖材供给部21输送盖材21c的方向。另外“第1侧面61b沿第1方向D1延伸”是指形成在第1侧面61b与第1方向D1之间的角度比形成在第1侧面61b与第2方向D2之间的角度小。优选形成在第1侧面61b与第1方向D1之间的角度在-10度～+10度的范围内。同样地，“第2侧面61c沿第2方向D2延伸”是指形成在第2侧面61c与第2方向D2之间的角度比形成在第2侧面61c与第1方向D1之间的角度小。优选形成在第2侧面61c与第2方向D2之间的角度在-10度～+10度的范围内。另外在图12中，与第1方向D1以及第2方向D2的双方垂直的第3方向用标号D3来表示。
如图12所示，第1封闭治具61的第1侧面61b以及第2侧面61c都配置于在从中间制品50的基材41的法线方向观察的情况下不与中间制品50重叠的位置。因此，形成于第1封闭治具61的侧面的内侧的空间内的密闭空间28形成为：在沿中间制品50的基材41的法线方向观察的情况下密闭空间28包含中间制品50。
接下来参照图13A以及图13B对基于本变形例的中间制品处理装置15进行更详细的说明。图13A是示出沿第2方向D2将图12所示的中间制品处理装置15截断的情况的剖视图，图13B是示出沿第1方向D1将图12所示的中间制品处理装置15截断的情况的剖视图。
如图13A以及图13B所示，光照射部31配置于第1封闭治具61的外部。此外，第1封闭治具61的主面61a之中供来自光照射部31的光通过的部分是光透过区域61d，该光透过区域61d由具有透光性的材料构成。作为具有透光性的材料，与上述的基板24同样地使用例如石英。
封闭机构20的加压部23可以进一步具有第2封闭治具，该第2封闭治具配置于盖材21c的第1面21d侧，且在形成密闭空间28时在该第2封闭治具与第1封闭治具61的侧面之间夹入盖材21c。由此，能够从周围进一步牢固地密闭密闭空间28。第2封闭治具62例如作为包含第1侧面62b和第2侧面62c的框状的部件而构成，其中，第1侧面62b在与第1封闭治具61的第1侧面61b之间夹入盖材21c，第2侧面62c在与第1封闭治具61的第2侧面61c之间夹入盖材21c。
此外如上述那样，在本变形例中，密闭空间28形成为包含中间制品50。因此如图13A以及图13B所示，在使盖材21c与中间制品50紧贴时，将中间制品50向形成密闭空间28的第1封闭治具61的主面61a侧推入，由此，能够在使盖材21c向第1封闭治具61的主面61a侧挠曲的状态下，使盖材21c紧贴到中间制品50上。此时，由于通过由第1封闭治具61以及第2封闭治具62实现的夹入，盖材21c被牢固地保持，因此在盖材21c上，产生了朝向中间制品50的相对于挠曲的反作用力。因此根据本变形例，能够使盖材21c更牢固地紧贴到中间制品50上。由此，能够更可靠地抑制已经形成的有机半导体层45或者中间制品50的周围的环境被污染。
此外根据本变形例，对第1封闭治具61的侧面61b、61c进行配置，以使在从中间制品50的基材41的法线方向观察的情况下，第1封闭治具61的侧面61b、61c与中间制品50不重叠。因此，在使盖材21c紧贴到中间制品50上时，第1封闭治具61的侧面61b、61c不会经由盖材21c局部性地推压中间制品50的第1面50a。这意味着中间制品50的第1面50a侧的构成要素不会因来自第1封闭治具61的侧面61b、61c的局部性的推压而破损。因此，能够以高自由度来设定中间制品50的第1面50a侧的构成要素的布局。
接下来参照图14中的(a)～(f)对使用基于本变形例的中间制品处理装置15来去除辅助电极43上的有机半导体层45的方法进行说明。另外在图14中的(a)～(f)中示出了沿第1方向D1被截断的情况下的中间制品处理装置15。
首先如图14中的(a)所示，在腔室15a内准备中间制品50，并且，通过沿第1方向D1将盖材21c从卷出部21a向卷取部21b输送，来实施使中间制品50与盖材21c的第1面21d对置的准备工序。此时，将腔室15a内的压力控制为第1压力P1。为了抑制杂质混入中间制品50，第1压力P1优选设定为1×102Pa以下，更优选设定为1×10-1Pa以下。
接下来如图14中的(b)所示，实施密闭空间形成工序，通过在被控制为第1压力P1的环境下使第1封闭治具61接触盖材21c的第2面21e，而在盖材21c的第2面21e侧形成密闭空间28。具体而言，通过使第2封闭治具62向第1封闭治具61移动，从而借助第1封闭治具61的侧面与第2封闭治具62的侧面夹住盖材21c。此时，密闭空间28的压力是第1压力。
此后，如图14中的(c)所示，通过使用基材保持件71使中间制品50向盖材21c移动而使中间制品50与盖材21c的第1面21d接触。此外，将密闭空间28的压力升高至比上述的第1压力P1高的第2压力P2。此时，中间制品50与盖材21c的第1面21d之间的空间的压力为第1压力P1。因此，基于第1压力P1与第2压力P2的差，能够使盖材21c的第1面21d牢固地紧贴到中间制品50上。在进行该紧贴工序时，第1压力P1与第2压力P2的差优选设定为1×101Pa以上，更优选设定为1×102Pa以上。另外虽然未图示，但是第1封闭治具61上连接有向密闭空间28注入气体的气体注入部。此外第1封闭治具61上也可以进一步连接有将密闭空间28内的气体排出的排气部。
接下来如图14中的(d)所示，实施光照射工序，在盖材21c紧贴到中间制品50上的期间，使用配置于第1封闭治具61的外部的光照射部31使光L1通过第1封闭治具61的主面61a以及盖材21c照射于中间制品50。由此，能够去除辅助电极43上的有机半导体层45。光照射部31可以配置于大气环境下。
此后，如图14中的(e)所示，排出密闭空间28内的气体，使密闭空间28的压力降低。例如，使密闭空间28内的压力下降至第1压力P1。此后，如图14中的(f)所示，实施剥离工序，使盖材21c从中间制品50剥离。此时，在如图14中的(e)所示将密闭空间28内的气体排出的情况下，能够抑制在进行剥离工序时，腔室15a内的压力升高。
(中间制品处理装置的其他的变形例)
在图12至图14中的(a)～(f)所示的中间制品处理装置15的变形例中，示出了光照射部31配置于第1封闭治具61的外部、例如配置于大气环境下的例子。但是在图12至图14中的(a)～(f)所示的例子中，在光照射部31配置于大气环境下的情况下，在上述的准备工序以及密闭空间形成工序之间，对第1封闭治具61的光透过区域61d施加有上述的第1压力P1与大气压的压差。这意味着存在对光透过区域61d施加有最大为大约1个大气压的压差的可能性。因此，光透过区域61d需要构成为能够耐受最大为大约1个大气压的压差。在光透过区域61d由例如石英构成的情况下，为了耐受大约1个大气压的压差，要使用几cm左右的较厚的石英。
但是，光照射部31通常除了包含生成激光等光的光源之外，还包含用于将光缩小投影在中间制品50上的成像光学系统或者对激光进行聚光的聚光光学系统等光学系统。另一方面，在光照射部31与中间制品50之间存在光透过区域61d的情况下，无法使从光学系统的出射面至中间制品50的距离即所谓的工作距离比光透过区域61d的厚度短。因此，在光透过区域61d的厚度较大的情况下，工作距离变长，其结果是光学系统的设计的自由度下降。此外光透过区域61d的厚度较大会导致第1封闭治具61的成本的增大。
考虑这样的课题，在图15中的(a)～(f)所示的本变形例中，提案如下：通过自由开闭的开闭窗61e来构成第1封闭治具61的主面61a之中供来自光照射部31的光通过的部分。这种情况下，由于能够使光照射部31的光学系统配置于当使用光照射部31对中间制品50照射光时通过开放开闭窗61e而形成的开口部，因此能够缩短工作距离。由此，能够容易地得到期望的光学系统。
在本变形例中，如图15中的(a)所示，封闭机构20的加压部23进一步具有辅助腔室72，该辅助腔室72构成为在第1封闭治具61的开闭窗61e开放时能够与第1封闭治具61的内部的空间连通。并且光照射部31配置于该辅助腔室72内。如后述那样，在第1封闭治具61不与盖材21c接触时，第1封闭治具61的开闭窗61e关闭。另一方面，在光照射部31对中间制品50照射光时，第1封闭治具61的开闭窗61e开放，并且，第1封闭治具61的内部的空间以及辅助腔室72的内部的空间被控制为比第1压力P1高的第2压力P2。
以下，参照图15中的(a)～(f)对使用基于本变形例的中间制品处理装置15去除辅助电极43上的有机半导体层45的方法进行说明。
首先如图15中的(a)所示，实施上述的准备工序，使中间制品50与盖材21c的第1面21d对置。此时，第1封闭治具61的开闭窗61e关闭。此外辅助腔室72的内部的空间的压力被控制为第2压力P2。第2压力P2设定为光照射部31能够动作，例如设定为1个大气压。优选辅助腔室72的内部的环境为不包含氧气以及氢气的环境。例如在辅助腔室72内填充氮气等惰性气体。由此，能够防止在如后述那样开闭窗61e开放、填充在辅助腔室72内的气体与盖材21c接触的情况下，氧气或者氢气透过盖材21c到达中间制品50。
接下来如图15中的(b)所示，在控制为第1压力P1的环境下，并且在第1封闭治具61的开闭窗61e关闭的状态下，实施密闭空间形成工序，使第1封闭治具61与盖材21c的第2面21e接触。由于开闭窗61e保持关闭，因此形成于第1封闭治具61与盖材21c之间的密闭空间28的压力成为第1压力。
此后，如图15中的(c)所示，使中间制品50与盖材21c的第1面21d接触。此外，将第1封闭治具61的开闭窗61e开放。因此，第1封闭治具61的内部的空间以及辅助腔室72的内部的空间成为被控制为比第1压力大的第2压力的密闭空间28。因此，能够使盖材21c的第1面21d牢固地紧贴到中间制品50上。
接下来如图15中的(d)所示，实施光照射工序，在使光照射部31的光学系统配置于通过使开闭窗61e开放而形成的开口部的状态下，对中间制品50照射光L1。此后，如图15中的(e)所示，将第1封闭治具61的开闭窗61e关闭。在将开闭窗61e关闭之后，可以将第1封闭治具61的内部的密闭空间28内的气体排出，使密闭空间28的压力降低至例如第1压力P1。此后，如图15中的(f)所示，实施剥离工序，使盖材21c从中间制品50剥离。
(中间制品处理装置的其他的变形例)
在图15中的(a)～(f)所示的中间制品处理装置15的变形例中，在第1封闭治具61的开闭窗61e开放的期间，光照射部31的周围的空间的压力会施加于盖材21c的第2面21e上。但是，施加于21c的第2面21e上的压力是能够使盖材21c紧贴到中间制品50上的程度的压力因而是充分的。另一方面，一般情况下，光照射部31的周围的空间的压力根据光照射部31的特性或者规格而决定，例如设定为1个大气压。因此，如图15中的(a)～(f)所示的变形例那样，在盖材21c的第2面21e侧的空间与光照射部31的周围的空间连通的情况下，施加于盖材21c的第2面21e上的压力成为过剩压力，该过剩压力超过了为了使盖材21c紧贴到中间制品50上所需的压力。
考虑这样的课题，在图16中的(a)～(f)所示的本变形例中，提案如下结构：能够与光照射部31的周围的空间的压力相独立地对盖材21c的第2面21e侧的空间的压力进行调整，同时能够减小第1封闭治具61的主面61a的厚度。
在本变形例中，第1封闭治具61的主面61a之中供来自光照射部31的光通过的部分是光透过区域61d，该光透过区域61d由石英等具有透光性的材料构成。此外封闭机构20的加压部23进一步具有第3封闭治具63，该第3封闭治具63与第1封闭治具61的光透过区域61d相邻配置并且具备自由开闭的开闭窗63e。如后述那样，当第1封闭治具61的内部的空间的压力比第2压力P2低时，在第3封闭治具63的内部的空间中形成外侧密闭空间64，该外侧密闭空间64被关闭的开闭窗63e相对于大气遮蔽，并且与第1封闭治具61的光透过区域61d接触。并且，光照射部31配置于外侧密闭空间64的外部。另一方面，当光照射部31对中间制品50照射光时，第3封闭治具63的开闭窗63e开放。
以下，参照图16中的(a)～(f)，对使用基于本变形例的中间制品处理装置15去除辅助电极43上的有机半导体层45的方法进行说明。
首先如图16中的(a)所示，实施上述的准备工序，使中间制品50与盖材21c的第1面21d对置。此时，第3封闭治具63的开闭窗63e关闭。因此，在第3封闭治具63的内部形成了相对于大气遮蔽的外侧密闭空间64。只要施加于光透过区域61d的压差较小、因此能够减小光透过区域61d的厚度，对外侧密闭空间64的压力没有特别限定。例如虽然未图示，能够使用设有开闭阀的连通管将第1封闭治具61与第3封闭治具63连接，并且通过将连通管的开闭阀开放，而使外侧密闭空间64的压力成为与第1封闭治具61的内部的空间的压力相同的第1压力P1。
接下来如图16中的(b)所示，实施密闭空间形成工序，在第3封闭治具63的开闭窗63e关闭的状态下，使第1封闭治具61与盖材21c的第2面21e接触。此后，将形成于第1封闭治具61与盖材21c之间的密闭空间28的压力提高至比上述的第1压力P1高的第2压力P2。此外，使中间制品50与盖材21c的第1面21d接触。由此，能够使盖材21c的第1面21d牢固地紧贴到中间制品50上。这里，如上述那样，在第1封闭治具61的内部的空间与外侧密闭空间64的内部的空间通过连通管而连通的情况下，外侧密闭空间64的压力与密闭空间28同样地成为第2压力P2。
此后，将连接第1封闭治具61与外侧密闭空间64的上述的连通管的开闭阀关闭。此外如图16中的(c)所示，将第3封闭治具63的开闭窗63e开放。因此，第3封闭治具63的内部的空间的压力成为与光照射部31的周围的压力同样的第3压力P3，例如成为大气压。此时，如上述那样，密闭空间28的压力是比第1压力P1高的第2压力P2。
接下来如图16中的(d)所示，实施光照射工序，在盖材21c紧贴到中间制品50上的期间，使光L1通过第1封闭治具61的主面61a以及盖材21c照射于中间制品50。此后，如图16中的(e)所示，将第3封闭治具63的开闭窗63e关闭。将开闭窗63e关闭之后，可以将密闭空间28内的气体排出，使密闭空间28的压力降低为例如第1压力P1。同样地，也可以将外侧密闭空间64内的气体排出，使外侧密闭空间64的压力降低为例如第1压力P1。此时，可以通过将连接第1封闭治具61与外侧密闭空间64的上述的连通管的开闭阀开放，而同时进行外侧密闭空间64内的气体的排出以及第1封闭治具61内的气体的排出。此后，如图16中的(f)所示，实施剥离工序，使盖材21c从中间制品50剥离。
根据本变形例，通过与第1封闭治具61的光透过区域61d相邻地设置具备开闭窗63e的第3封闭治具63，由此在进行上述的准备工序、密闭空间形成工序或者紧贴工序时，能够在与第1封闭治具61的光透过区域61d相接的、光透过区域61d的外部的空间内形成相对于大气遮蔽的外侧密闭空间64。因此，当密闭空间28的压力成为第1压力P1时，能够将从外部施加于光透过区域61d的压力限制为大气压以下的压力。例如在如上述那样、设有连接第1封闭治具61与外侧密闭空间64的连通管的情况下，能够在进行准备工序、密闭空间形成工序或者紧贴工序时，使施加于光透过区域61d的压差大致为零。因此，施加于光透过区域61d的压差最大的时候是第3封闭治具63的开闭窗63e开放、从外部对光透过区域61d施加大气压的时候。这里在如本变形例那样、在将密闭空间28的压力提高至第2压力P2之后将第3封闭治具63的开闭窗63e开放的情况下，施加于光透过区域61d的压差的最大值为大气压与第2压力P2的差。因此根据本变形例，通过对第2压力P2进行适当调整，能够抑制施加于光透过区域61d的压差变得过大。因此，能够使用厚度小的石英等来构成光透过区域61d。因此，能够确保与光学系统的设计相关的高自由度，此外，能够抑制第1封闭治具61的成本增加。
此外，由于盖材21c的第2面21e侧的空间与光照射部31的周围的空间不连通，因此能够防止用于使盖材21c紧贴到中间制品50上的第2压力P2变得过高。
另外在图12至图16中的(a)～(f)所示的上述各变形例中，示出了从下侧使盖材21c与中间制品50紧贴的例子。但是，使盖材21c与中间制品50紧贴的方向没有特别限定。例如即使在图12至图16中的(a)～(f)所示的上述各变形例中，也可以与图1至图5中的(a)～(d)所示的上述的本实施方式的情况同样地，从上侧使盖材21c与中间制品50紧贴。或者虽然未图示，但是也可以从横向使盖材21c与中间制品50紧贴。
从上侧使盖材21c与中间制品50紧贴意味着能够将基材保持件71配置于中间制品50的下方并且通过基材保持件71从下方支承中间制品50。这种情况下，能够防止中间制品50的基材41由于重力而挠曲。如果考虑到容易产生盖材21c与基材保持件71的位置干扰，则能够在不存在盖材21c的一侧从下方稳定地支承基材41是非常有效的。并且，通过防止基材41的挠曲，能够提高在盖材21c紧贴到中间制品50上的期间实施的处理的精度。例如，在盖材21c紧贴到中间制品50的期间朝向中间制品50照射光L1、由此去除辅助电极43上的有机半导体层45的情况下，能够以高位置精度去除有机半导体层45。
但是，在上述的第1电极42、辅助电极43、有机半导体层45或者第2电极46使用蒸镀法或者溅射法等使作为原料的粒子或者分子向基材41飞来的成膜法的情况下，为了防止第1电极42等被杂质污染，优选在进行成膜处理时，基材41的面之中供第1电极42等形成的面朝下。这是由于，通过使基材41的面之中供第1电极42等形成的面朝下，能够防止由于重力而落下的杂质混入第1电极42等。在以下的说明中，也将基材41的面之中供第1电极42等形成的面称为元件形成面41a。
为了提高在盖材21c紧贴到中间制品50上的期间实施的处理的精度，如上述那样，优选元件形成面41a朝上。另一方面，为了防止杂质混入第1电极42等，如上所述，优选元件形成面41a朝下。下面参照图17对能够满足所有这些要求的元件制造装置10进行说明。
(元件制造装置的变形例)
图17是概略地示出本变形例中的元件制造装置10的图。在本变形例中，元件制造装置10具备：第1成膜室18a，其在基材41的元件形成面41a上形成第1电极42以及辅助电极43；第2成膜室18b，其在基材41的元件形成面41a上形成有机半导体层45；反转室18c；处理室18d，其在使盖材21c紧贴于基材41的元件形成面41a的状态下实施规定的处理；以及第3成膜室18e，其在基材41的元件形成面41a上形成第2电极46。可以说第1成膜室18a作为上述的第1电极形成装置11以及辅助电极形成装置12而发挥功能，第2成膜室18b作为上述的有机半导体层形成装置14而发挥功能，处理室18d作为上述的中间制品处理装置15而发挥功能，第3成膜室18e作为上述的第2电极形成装置16而发挥功能。
各室18a～18e被维持为真空环境。例如各室18a～18e的压力为1.0×104Pa以下，优选为1×102Pa以下，更优选为1×10-1Pa以下。此外，各室18a～18e之间的基材41的交接也是在真空环境下实施的。例如，虽然未图示，但是在各室18a～18e之间，设有维持为真空环境的交接室，通过设于这些交接室的机械手来进行基材41的交接作业。由此，能够消除或降低每当在各室18a～18e之间交接基材41时在基材41的周围实施供气或者排气的必要性，由此，能够提高有机半导体元件40的制造效率。此外，能够抑制在有机半导体元件40的制造中混入杂质，由此，能够提高得到的有机半导体元件40的品质及可靠性。
以下，对使用图17所示的元件制造装置10制造有机半导体元件40的方法进行说明。
在第1成膜室18a中，在基材41的元件形成面41a朝下的状态下，在元件形成面41a上形成第1电极42以及辅助电极43。在元件形成面41a朝下的状态下保持基材41的方法没有特别限定，能够使用各种方法。在例如如图17所示、在第1成膜室18a中实施使用掩模19a的蒸镀处理的情况下，将基材41载置于用于张挂掩模19a的掩模框架19b上，由此能够在元件形成面41a朝下的状态下保持基材41。
在第2成膜室18b中，也与第1成膜室18a的情况同样地，在基材41的元件形成面41a朝下的状态下，在元件形成面41a上形成有机半导体层45。在第2成膜室18b中使用的掩模19a以及掩模框架19b既可以与第1成膜室18a中使用的掩模以及掩模框架相同，也可以不同。
在元件形成面41a上设置有机半导体层45之后，在元件形成面41a朝下的状态下将基材41搬入反转室18c。接下来，在反转室18c中使基材41的上下反转之后，在元件形成面41a朝上的状态下将基材41搬入处理室18d。在处理室18d中，从上方将盖材21c紧贴到元件形成面41a朝上的状态的基材41上。此后，实施照射光而去除突起部44上的有机半导体层45的处理等上述的各种处理。处理后的基材41在元件形成面41a朝上的状态下被再次搬入反转室18c。接下来，在反转室18c中使基材41的上下再次反转之后，在元件形成面41a朝下的状态下将基材41搬入第3成膜室18e。
在第3成膜室18e中，与第1成膜室18a或者第2成膜室18b的情况同样地，在基材41的元件形成面41a朝下的状态下，在元件形成面41a上形成第2电极46。在第3成膜室18e中使用的掩模19a以及掩模框架19b既可以与第1成膜室18a或者第2成膜室18b中使用的掩模以及掩模框架相同，也可以不同。
根据本变形例，能够在维持为真空环境的一系列的室18a～18e中实施通过上述的第1电极形成装置11、辅助电极形成装置12、有机半导体层形成装置14、中间制品处理装置15以及第2电极形成装置16实施的工序。因此，能够提高有机半导体元件40的制造效率，此外，能够提高得到的有机半导体元件40的品质及可靠性。此外，能够在基材41的元件形成面41a朝下的状态下实施通过第1电极形成装置11、辅助电极形成装置12、有机半导体层形成装置1以及第2电极形成装置16实施的成膜处理。因此，能够抑制杂质混入形成的电极或者层中。此外，能够在基材41的元件形成面41a朝上的状态下实施通过中间制品处理装置15实施的处理。因此，能够防止中间制品50的基材41由于重力而挠曲，因此，能够提高在盖材21c紧贴到中间制品50上的期间实施的处理的精度。
另外虽然未图示，但是实施上述的突起部形成装置13中的处理即在基材41的元件形成面41a上形成突起部44的工序的时刻、位置没有特别限定。例如，可以在搬入第1成膜室18a中的基材41上预先形成突起部44。或者，也可以在元件形成面41a上形成第1电极42以及辅助电极43之后，且在元件形成面41a上形成有机半导体层45之前，在元件形成面41a上形成突起部44。
此外在本变形例中，在中间制品处理装置15作为去除有机半导体层45的去除装置而构成的情况下，示出了在元件制造装置10中导入反转室18c的例子，但是不限于此。如上所述，即使在中间制品处理装置15作为曝光装置或者蒸镀装置而构成的情况下，也可以在元件制造装置10中导入反转室18c。
(中间制品处理装置的其他的变形例)
作为中间制品处理装置15的进一步的变形例，参照图18中的(a)～(h)对与图16中的(a)～(f)所示的变形例的情况同样地设置第3封闭治具63、并且与图17所示的变形例的情况同样地从上方将盖材21c紧贴到元件形成面41a朝上的状态的基材41上的例子进行说明。在本变形例中，对与图16中的(a)～(f)所示的变形例相同的部分赋予相同标号而省略详细的说明。
在本变形例中，如图18中的(a)所示，中间制品50的基材41在使元件形成面41a朝上的状态下被基材保持件71从下方支承。此外，盖材21c、第1封闭治具61以及第3封闭治具63位于比中间制品50靠近上方的位置上。
如图18中的(a)所示，基材保持件71可以在中间制品50的侧方具有朝向第1封闭治具61突出的侧部71a。在形成密闭空间28时能够在该侧部71a与第1封闭治具61的第1侧面61b之间夹入盖材21c。即在本变形例中，可以说上述的图14、15、16中的第2封闭治具62与基材保持件71构成为一体。在第2封闭治具62与基材保持件71构成为一体的情况下，即使假设密闭空间28内的气体透过盖材21c而到达盖材21c的第1面21d侧，那样的气体也被限制在由盖材21c的第1面21d与基材保持件71包围的空间内。因此，能够防止腔室15a的内部的空间的真空度下降。另外在上述的图14、15、16所示的例子中，基材保持件71与第2封闭治具62也可以构成为一体。
优选侧部71a的高度与被基材保持件71保持的中间制品50的高度大致相同。这种情况下，与侧部71a的上表面接触的盖材21c的第1面21d也同样地与中间制品50的上表面大致接触。由此，在后述的紧贴工序中，能够使盖材21c的第1面21d容易地紧贴到中间制品50上。
此外可以如图18中的(a)所示，在第3封闭治具63的开闭窗63e上形成光透过部分63f，该光透过部分63f由具有透光性的材料构成。如后述那样，能够将该光透过部分63f利用于从第3封闭治具63的外部识别中间制品50并调整中间制品50的位置。另外在上述的图16所示的例子中，也可以在第3封闭治具63的开闭窗63e上形成光透过部分63f。
以下，参照图18中的(a)～(h)，对使用基于本变形例的中间制品处理装置15去除辅助电极43上的有机半导体层45的方法进行说明。
首先如图18中的(a)所示，在基材41的元件形成面41a朝上的状态下将中间制品50搬入中间制品处理装置15的腔室15a内。中间制品50经由在图18中的(a)中通过点划线表示的基材取出窗15b而被搬入。虽然未图示，但是基材保持件71也可以具有构成为在上下方向上自由进退的、用于接收中间制品50的接收销。
优选基材取出窗15b沿盖材21c被输送的第1方向D1延伸。此外，中间制品50经由基材取出窗15b而被搬入时的中间制品50的移动方向是与盖材21c被输送的第1方向D1交叉的方向，例如是与其垂直的方向。另外在上述的本实施方式以及各变形例中，盖材21c被输送的方向也可以与中间制品50被搬入时的中间制品50的移动方向交叉，更具体而言可以与其垂直。
此外如图18中的(a)所示，实施上述的准备工序，使中间制品50与盖材21c的第1面21d对置。由此，中间制品50至少一部分被盖材21c的第1面21d覆盖。另外在本申请中，“覆盖”是指在沿中间制品50的基材41的法线方向观察的情况下，盖材21c至少部分性地与中间制品50重叠，与盖材21c与中间制品50是否相互抵接无关。
接下来如图18中的(b)所示，使盖材21c朝向第1封闭治具61即向上方移动，使盖材21c的第2面21e与第1封闭治具61接触。另外在图16中的(b)中，示出了使卷出部21a以及卷取部21b与盖材21c一起向上方移动的例子，但是不限于此，虽然未图示，但是也可以通过使从第1面21d侧与盖材21c接触的导辊等向上方移动而使盖材21c的与中间制品50对置的部分向上方移动。另外，在上述的本实施方式以及各变形例中也可以设置用于使盖材21c移动的这样的机构。
接下来如图18中的(c)所示，使基材保持件71向上方移动，由此在基材保持件71的侧部71a与第1封闭治具61的第2侧面61c之间夹入盖材21c。因此，在由盖材21c的第2面21e与第1封闭治具61包围的空间内，形成了从周围密闭的密闭空间28。此时，密闭空间28的压力与腔室15a内的压力同样地成为第1压力P1。
另外，也可以在通过第1封闭治具61与基材保持件71夹入盖材21c之前，通过使用配置于第3封闭治具63的外部的照相机并经由第3封闭治具63的光透过部分63f观察中间制品50，来调整中间制品50的位置。例如，可以实施中间制品50相对于光照射部31的对位，在朝向中间制品50照射光时使用该光照射部31。为了能够更精密地实施这样的位置的调整，基材保持件71可以构成为在第1方向D1或者第2方向D2上能够移动。此外基材保持件71也可以构成为能够在与第1方向D1以及第2方向D2平行的面内旋转。另外在上述的图14、15、16所示的例子中，也可以设置这样的基材保持件71的驱动机构。
此后，与上述的图16中的(b)所示的变形例的情况同样地，将密闭空间28的压力提高至比上述的第1压力P1高的第2压力P2。因此，能够使盖材21c的第1面21d牢固地紧贴到中间制品50上。此时作为导入密闭空间28的气体，使用不包含水分的惰性气体，尤其优选氮气。由此，能够缩短当此后对密闭空间28内进行排气而使密闭空间28的压力下降时进行排气所需要的时间。
此外与上述的图16中的(b)所示的变形例的情况同样地，将形成在第1封闭治具61的外部的空间之中与第1封闭治具61的光透过区域61d相接的空间内的外侧密闭空间64的压力同样地提高至第2压力P2。这样，如图18中的(d)所示，实现了密闭空间28的压力以及外侧密闭空间64的压力都是第2压力P2的状态。
另外，连接于密闭空间28的进排气单元与连接于外侧密闭空间64的进排气单元既可以是同一个，也可以不同。在使用同一进排气单元的情况下，由于抑制了在密闭空间28与外侧密闭空间64之间产生压力梯度，因此能够抑制产生由压力梯度引起的气体的泄露。此外，在使用不同的机构的情况下，密闭空间28与外侧密闭空间64不连通，因此能够防止在进行进排气时外侧密闭空间64内的气体流入密闭空间28内，因此，能够防止密闭空间28的压力变为意外值。
优选为了进行密闭空间28以及外侧密闭空间64的进排气而设于第1封闭治具61或者第3封闭治具63上的进排气口沿盖材21c被输送的第1方向D1延伸。由此，能够不与盖材21c相干扰地容易地配置连接于进排气口的进排气单元。在分别独立地设置密闭空间28用的进排气单元与外侧密闭空间64用的进排气单元的情况下，优选将密闭空间28用的进排气单元配置于与外侧密闭空间64用的进排气单元所配置的一侧相反的一侧。
接下来，如图18中的(e)所示，将第3封闭治具63的开闭窗63e开放。由此，第3封闭治具63的内部的空间的压力成为与光照射部31的周围的压力相同的第3压力P3，例如成为大气压。另外开闭窗63e可以如图18中的(e)所示构成为单开而非双开。
接下来如图18中的(f)所示实施光照射工序，在盖材21c紧贴到中间制品50上的期间，使光L1通过第1封闭治具61的光透过区域61d以及盖材21c照射于中间制品50。此后，如图18中的(g)所示，将第3封闭治具63的开闭窗63e关闭。将开闭窗63e关闭之后，可以将密闭空间28内的气体排出，使密闭空间28的压力降低为例如第1压力P1。同样地，可以将外侧密闭空间64的气体排出，使外侧密闭空间64的压力降低为例如第1压力P1。另外在密闭空间28以及外侧密闭空间64中实现的真空度可以相互不同。例如，可以实施排气而使密闭空间28的压力比外侧密闭空间64的压力低。由于外侧密闭空间64是当开闭窗63e开放时成为大气压的空间，因此认为为了在外侧密闭空间64实现与密闭空间28中所实现的真空度同等的真空度所需要时间会非常长。因此，通过将外侧密闭空间64所实现的真空度设定为比密闭空间28中的真空度低，能够降低排气工序整体所需要的时间。
此后，如图18中的(h)所示，实施剥离工序，使盖材21c从中间制品50剥离。此外，实施使盖材21c从第1封闭治具61盖材脱离的工序。并且，将盖材21c中的至少与中间制品50的长度相对应的部分向卷取部21b送出。由此，能够使新的盖材21c相对于接下来搬入腔室15a的中间制品50紧贴。
根据本变形例，由于基材41被基材保持件71从下方支承，因此能够防止基材41由于重力而挠曲。因此，能够提高在盖材21c紧贴在中间制品50上的期间实施的处理的精度。
(中间制品处理装置的其他的变形例)
但是，在上述的本实施方式或者各变形例中，为了在与盖材21c的第2面21e相接的空间中形成从周围密闭的密闭空间28，需要以某种程度的力将上述的密封垫25或者第1封闭治具61推抵于盖材21c的第2面21e。这种情况下，例如，由于需要用于在与第1封闭治具61之间夹入盖材21c的第2封闭治具62或者基材保持件71的侧部71a，因此中间制品50的周围的部件的个数增加、部件的配置变得复杂。此外，还考虑到会在中间制品50上产生由用于将上述的密封垫25或者第1封闭治具61推抵于盖材21c的力而引起的某些损坏。如果考虑这样的点，则优选密闭空间28的密闭不是通过将密封垫25或者第1封闭治具61推抵于盖材21c而实现的，而是通过焊接、使用粘合剂的粘合、使用治具的固定等稳定的密闭方法而预先实现的。
另一方面，如果通过焊接等不可逆的方法将盖材21c固定，则难以对每个中间制品50使用新的盖材21c，其结果，认为杂质等会蓄积在盖材21c上。由于盖材21c紧贴到中间制品50上，因此如果盖材21c被污染，则认为得到的有机半导体元件40的品质及可靠性下降。
考虑这样的课题，在图19中的(a)～(h)所示的本变形例中，提案如下：分别独立地准备用于形成密闭空间28的部件和紧贴到中间制品50上的部件。
在本变形例中，如图19中的(a)所示，密闭空间28形成于由设置为与盖材21c的第2面21e对置的膜27以及固定有膜27的第1封闭治具61所包围的空间。此外密闭空间28形成于膜27的与盖材21c对置的一侧的相反侧。作为膜27，与盖材21c同样地，使用玻璃或者塑料等具有透光性的材料。此外膜27构成为具有能够使密闭空间28膨胀的程度的柔软性。此外从气密性的观点考虑，膜27优选具备规定的气体阻隔性。例如，膜27的氧气透过率优选为100cc/m2·天以下，更优选为30cc/m2·天以下，进一步优选为15cc/m2·天以下。另外，在膜27具备这样的气体阻隔性的情况下，盖材21c也可以不具备气体阻隔性。例如，在膜27的氧气透过率为100cc/m2·天以下的情况下，盖材21c的氧气透过率也可以超过100cc/m2·天。
以下，参照图19中的(a)～(h)对使用基于本变形例的中间制品处理装置15去除辅助电极43上的有机半导体层45的方法进行说明。另外，对与图18中的(a)～(h)所示的变形例相同的部分赋予相同标号而省略详细的说明。
首先如图19中的(a)所示，在基材41的元件形成面41a朝上的状态下，将中间制品50搬入中间制品处理装置15的腔室15a内。此外，使用盖材21c的第1面21d从中间制品50的突起部44侧、即从元件形成面41a的一侧覆盖中间制品50。
接下来如图19中的(b)所示，使盖材21c朝向第1封闭治具61即向上方移动，使盖材21c的第2面21e与膜27接近或者接触。此后，如图19中的(c)所示，使基材保持件71向上方移动，由此使盖材21c的第1面21d与中间制品50接近或者接触。
此后，如图19中的(d)所示，向密闭空间28注入气体，使密闭空间28的压力成为比盖材21c与中间制品50之间的空间的第1压力P1高的第2压力P2。因此，密闭空间28膨胀、膜27向盖材21c侧移位，膜27推压盖材21c。因此，盖材21c的第1面21d牢固地紧贴到中间制品50上。此外，将外侧密闭空间64的压力提高至第2压力P2。
接下来，如图19中的(e)所示，将第3封闭治具63的开闭窗63e开放，并且如图19中的(f)所示，使用光照射部31对中间制品50照射光L1。此后，如图19中的(g)所示，将第3封闭治具63的开闭窗63e关闭。接下来，如图19中的(h)所示，使盖材21c从中间制品50剥离。此外，使盖材21c从第1封闭治具61脱离。并且，将盖材21c之中至少与中间制品50的长度相对应的部分向卷取部21b送出。因此，能够使新的盖材21c相对于接下来搬入腔室15a的中间制品50紧贴。
根据本变形例，密闭空间28是通过利用固定于第1封闭治具61上的膜27而预先形成的。因此，不需要为了形成密闭空间28而将某些部件推抵于盖材21c。因此，能够防止中间制品50的周围的部件的个数增加、或者部件的配置变得复杂。此外，能够防止在中间制品50上产生由用于将部件推抵于盖材21c的力而引起的某些损坏。
此外在本变形例中，由于不需要将盖材21c的第2面21e强力地推抵于第1封闭治具61的第1侧面61b等上，因此中间制品50的周围的部件的配置的自由度增加。例如考虑如图20所示、在基材保持件71上设置能够支承基材41的元件形成面41a的爪部71c的情况。在为了形成密闭空间28而需要在与第1侧面61b之间夹入盖材21c的情况下，设置这样的爪部71c是困难的。另一方面，在本变形例中，已经通过将膜27固定于第1封闭治具61的第1侧面61b上而形成了密闭空间28。因此，只要为了不与爪部71c干扰而将第1封闭治具61的第1侧面61b配置于比爪部71c靠近内侧的位置上，便能够设置爪部71c。因此，能够更稳定地通过基材保持件71来保持中间制品50。
此外在本变形例中，不是通过来自气体的压力推压盖材21c而盖材21c紧贴到中间制品50上，而是通过膜27推压盖材21c而盖材21c紧贴到中间制品50上。因此，即使是在如图21所示、将多个盖材21c紧贴到1个中间制品50上的情况下，也能够通过1个密闭空间28来实现2个盖材21c的紧贴。即，能够不改变第1封闭治具61、第3封闭治具63及膜27的基本的结构，而使盖材21c的个数增加。因此，在使基材41大型化的情况下，例如通过仅增加具有与以往相同的尺寸的盖材21c的个数，并且仅使第1封闭治具61、第3封闭治具63及膜27大型化，便能够应对基材41的大型化。另外在图21中，示出了沿与盖材21c被输送的第1方向D1垂直的第2方向D2排列2个盖材21c的例子，但是盖材21c的个数没有特别限定。
另外，对针对上述实施方式的几种变形例进行了说明，但是当然可以对多个变形例进行适当组合而应用。
标号说明
10：元件制造装置；15：中间制品处理装置；20：封闭机构；21：盖材供给部；21c：盖材；23：加压部；24：基板；25：密封垫；26：气体注入部；27：膜；28：密闭空间；30：去除机构；31：光照射部；40：有机半导体元件；41：基材；42：第1电极；43：辅助电极；44：突起部；45：有机半导体层；46：第2电极；50：中间制品；61：第1封闭治具；62：第2封闭治具；63：第3封闭治具；64：外侧密闭空间；71：基材保持件；72：辅助腔室。

Claims (19)

1.一种元件制造方法，用于在基材上形成元件，该元件制造方法具备如下工序：
准备包含所述基材以及沿所述基材的法线方向延伸的突起部的中间制品的工序；
使用盖材的第1面从所述突起部侧覆盖所述中间制品的工序；以及
紧贴工序，对形成于所述盖材的位于所述第1面的相反侧的第2面侧的、从周围密闭的密闭空间注入气体，使所述密闭空间的压力比所述盖材与所述中间制品之间的空间的压力高，从而使所述盖材的所述第1面紧贴到所述中间制品上。
2.根据权利要求1所述的元件制造方法，其中，
所述元件制造方法还具备如下的工序：在所述紧贴工序之前，在与所述盖材的所述第2面相接的空间内形成从周围密闭的所述密闭空间。
3.根据权利要求2所述的元件制造方法，其中，
所述密闭空间形成于由所述盖材的所述第2面以及配置于所述盖材的所述第2面侧的第1封闭治具所包围的空间内，
通过以所述盖材与所述第1封闭治具接触的方式使所述盖材向所述第1封闭治具移动，来形成所述密闭空间。
4.根据权利要求1所述的元件制造方法，其中，
所述密闭空间形成于由设置为与所述盖材的所述第2面对置的膜以及固定有所述膜的第1封闭治具所包围的空间内，
所述密闭空间形成于所述膜的与所述盖材对置的一侧的相反侧，
在所述紧贴工序中，通过对所述密闭空间注入气体，使所述密闭空间的压力比所述盖材与所述中间制品之间的空间的压力高，从而所述密闭空间膨胀而所述膜向所述盖材侧移位，使所述膜推压所述盖材，由此所述盖材的所述第1面紧贴到所述中间制品上。
5.根据权利要求3或者4所述的元件制造方法，其中，
所述元件制造方法还具备如下的光照射工序：在通过所述紧贴工序使盖材的所述第1面紧贴到所述中间制品上的期间，使用配置于所述第1封闭治具的外部的光照射部，经所述第1封闭治具以及所述盖材朝向所述中间制品照射光，
所述第1封闭治具具有光透过区域，该光透过区域由具有透光性的材料构成。
6.根据权利要求5所述的元件制造方法，其中，
在进行所述紧贴工序时，在与所述第1封闭治具的所述光透过区域相接的、所述第1封闭治具的外部的空间内，形成有相对于大气遮蔽的外侧密闭空间，并且，所述光照射部配置于所述外侧密闭空间的外部，
在进行所述光照射工序时，与所述第1封闭治具的所述光透过区域相接的、所述第1封闭治具的外部的空间与所述光照射部的周围的空间连通。
7.根据权利要求1至6的任意一项所述的元件制造方法，其特征在于，
所述元件制造方法在真空环境下实施。
8.根据权利要求1至7的任意一项所述的元件制造方法，其中，
所述元件包含：所述基材；多个第1电极，它们设于所述基材上；辅助电极以及所述突起部，它们设于所述第1电极之间；有机半导体层，其设于所述第1电极上；以及第2电极，其设于所述有机半导体层上以及所述辅助电极上，
所述中间制品包含：所述基材；所述多个第1电极，它们设于所述基材上；所述辅助电极以及所述突起部，它们设于所述第1电极之间；所述有机半导体层，其设于所述第1电极上以及所述辅助电极上，
所述元件制造方法具备如下的去除工序：在所述紧贴工序之后，将设于所述辅助电极上的所述有机半导体层去除。
9.根据权利要求1至7的任意一项所述的元件制造方法，其中，
在所述盖材的所述第1面上设有蒸镀用材料，
所述元件制造方法具备如下的工序：在所述紧贴工序之后，朝向所述蒸镀用材料照射光而使所述蒸镀用材料蒸镀到所述基材上。
10.根据权利要求1至9的任意一项所述的元件制造方法，其中，
通过卷对卷方式供给所述盖材。
11.一种元件制造装置，用于在基材上形成元件，其特征在于，
该元件制造装置具备封闭机构，该封闭机构使盖材相对于包含所述基材以及沿所述基材的法线方向延伸的突起部的中间制品从所述突起部侧紧贴，
所述封闭机构具有：盖材供给部，其供给盖材；以及加压部，其通过对形成于所述盖材的位于所述第1面的相反侧的第2面侧的、从周围密闭的密闭空间注入气体，使所述密闭空间的压力比所述盖材与所述中间制品之间的空间的压力高，从而使所述盖材的所述第1面紧贴到所述中间制品上。
12.根据权利要求11所述的元件制造装置，其中，
所述密闭空间形成于由所述盖材的所述第2面以及配置于所述盖材的所述第2面侧的第1封闭治具所包围的空间内，
通过以所述盖材与所述第1封闭治具接触的方式使所述盖材相对于所述第1封闭治具相对地移动，来形成所述密闭空间。
13.根据权利要求11所述的元件制造装置，其中，
所述密闭空间形成于由设置为与所述盖材的所述第2面对置的膜以及固定有所述膜的第1封闭治具所包围的空间内，
所述密闭空间形成于所述膜的与所述盖材对置的一侧的相反侧，
所述加压部构成为：通过对所述密闭空间注入气体，使所述密闭空间的压力比所述盖材与所述中间制品之间的空间的压力高，从而所述密闭空间膨胀而所述膜向所述盖材侧移位，使所述膜推压所述盖材，由此所述盖材的所述第1面紧贴到所述中间制品上。
14.根据权利要求12或者13所述的元件制造装置，其中，
所述元件制造装置还具备光照射部，该光照射部配置于所述第1封闭治具的外部，
所述光照射部在所述盖材的所述第1面紧贴到所述中间制品上的期间，经所述第1封闭治具以及所述盖材朝向所述中间制品照射光，
所述第1封闭治具具有光透过区域，该光透过区域由具有透光性的材料构成。
15.根据权利要求14所述的元件制造装置，其中，
所述封闭机构还具有第3封闭治具，该第3封闭治具与所述第1封闭治具的所述光透过区域相邻配置，并且具备自由开闭的开闭窗，
当所述第1封闭治具的内部的空间的压力比所述第2压力低时，在所述第3封闭治具的内部的空间内形成有相对于大气遮蔽并且与所述第1封闭治具的所述光透过区域相接的外侧密闭空间，并且，所述光照射部配置于所述外侧密闭空间的外部，
当所述光照射部朝向所述中间制品照射光时，所述第3封闭治具的所述开闭窗开放。
16.根据权利要求11至15的任意一项所述的元件制造装置，其特征在于，
该元件制造装置是在真空环境下在基材上形成元件的元件制造装置。
17.根据权利要求11至16的任意一项所述的元件制造装置，其中，
所述元件包含：所述基材；多个第1电极，它们设于所述基材上；辅助电极以及所述突起部，它们设于所述第1电极之间；有机半导体层，其设于所述第1电极上；以及第2电极，其设于所述有机半导体层上以及所述辅助电极上，
所述中间制品包含：所述基材；多个所述第1电极，它们设于所述基材上；所述辅助电极以及所述突起部，它们设于所述第1电极之间；以及所述有机半导体层，其设于所述第1电极上以及所述辅助电极上，
所述元件制造装置具备去除机构，在所述盖材紧贴到所述中间制品上的期间，该去除机构将设于所述辅助电极上的所述有机半导体层去除。
18.根据权利要求11至16的任意一项所述的元件制造装置，其中，
在所述盖材的所述第1面上设有蒸镀用材料，
所述元件制造装置具备蒸镀机构，该蒸镀机构在所述盖材紧贴到所述中间制品上的期间朝向所述蒸镀用材料照射光而将所述蒸镀用材料蒸镀到所述基材上。
19.根据权利要求11至18的任意一项所述的元件制造装置，其中，
盖材供给部构成为通过卷对卷方式供给所述盖材。
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