CN113496924A - 制造显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

一种制造显示装置的方法包括：将显示基板置于腔室中的基座上，将基座保持在第一温度，将显示基板划分成多个部分基板，将多个部分基板置于基座上，并且将基座保持在第二温度。

Description

制造显示装置的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年4月7日在韩国知识产权局递交的第10-2020-0042404号韩国专利申请的优先权和权益，该专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及通过使用基座来制造显示装置的方法。
背景技术
近来，显示装置的使用已经被多样化。此外，随着显示装置的厚度和重量减小，显示装置的使用范围正在增加。
随着用于在显示装置中显示图像的显示区域的尺寸增加，与显示装置组合或相关联的各种功能已经被添加。作为增加面积的同时添加各种功能的方法，具有不仅显示图像而且具有各种附加功能的显示区域的显示装置已经被持续地研究。
这样的显示装置可以在基板上包括诸如包括薄膜晶体管的像素电路层、具有显示部件的显示层以及用于感测触摸输入的输入感测部分的各种层。可以通过在基板的整个表面上均匀地形成各种层来提高显示装置的可靠性。为了在基板的整个表面上均匀地形成各种层，在制造期间将显示装置保持在均匀的温度可能是重要的。为此，在制造过程期间，显示装置可以被置于基座上以保持均匀的温度，并且各种层可以被形成在基板上。
将理解，技术部分的该背景技术部分地旨在为理解技术提供有用的背景技术。然而，技术部分的该背景技术还可以包括在本文中公开的主题的相应的有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的概念、构思或认知。
发明内容
一个或多个实施例可以通过使用满足各种过程条件的基座来提供制造显示装置的方法。
附加的方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过本公开的所呈现的实施例的实践来习得。
根据一个实施例，一种制造显示装置的方法可以包括：将显示基板置于腔室中的基座上，将基座保持在第一温度，将显示基板划分成多个部分基板，将多个部分基板置于基座上，并且将基座保持在第二温度。
在一个实施例中，该方法可以进一步包括在腔室中布置第一掩模框架，第一掩模框架包括第一开口，其中，第一掩模框架可以与显示基板的边缘重叠，并且第一开口可以暴露显示基板的中心区域。
在一个实施例中，该方法可以进一步包括在显示基板上形成像素电路层。
在一个实施例中，基座可以包括将基座保持在第一温度的加热器。
在一个实施例中，该方法可以进一步包括在腔室中布置第二掩模框架，第二掩模框架包括多个第二开口，其中，第二掩模框架可以与多个部分基板的边缘重叠，并且多个第二开口可以分别暴露多个部分基板的中心区域。
在一个实施例中，将基座保持在第二温度可以包括：通过基座的冷却剂输入部分将冷却剂引入基座中，并且通过基座的冷却剂输出部分将冷却剂从基座排出。
在一个实施例中，该方法可以进一步包括在多个部分基板中的每一个上形成输入感测部分。
在一个实施例中，第一温度可以高于第二温度。
在一个实施例中，基座可以包括多个孔和支撑显示基板或多个部分基板的支撑板，基座的多个孔可以被形成在第一区中和由第一区围绕的第二区中，并且第一区可以是支撑板的边缘。
在一个实施例中，将多个部分基板置于基座上可以包括：将多个部分基板置于分别穿过多个孔的支撑销上，并且通过相对于支撑销和基座中的任一个移动支撑销和基座中的另一个来将多个部分基板置于支撑板上。
在一个实施例中，该方法可以进一步包括向上移动基座。
在一个实施例中，该方法可以进一步包括通过使用防变形部来防止基座的变形，其中，基座包括防变形部。
根据另一个实施例，一种制造显示装置的方法可以包括：将基板置于包括流路和加热器的基座上；操作加热器；使冷却剂流通通过流路；通过经由喷涂部分喷涂沉积材料来在基板上形成层；结合加热器的操作在基板上形成第一层；并且结合冷却剂通过流路的流通在基板上形成第二层。
在一个实施例中，第一层的形成可以包括结合加热器的操作在基板上形成像素电路层。
在一个实施例中，该方法可以进一步包括通过使用加热器来将基座保持在第一温度。
在一个实施例中，第二层的形成可以包括结合冷却剂的流通在基板上形成输入感测部分。
在一个实施例中，该方法可以进一步包括通过使冷却剂流通通过流路来将基座保持在第二温度。
在一个实施例中，基座可以包括支撑基板的支撑板，并且可以包括多个孔，并且多个孔可以被设置在第一区中和由第一区围绕的第二区中，其中，第一区可以是支撑板的边缘。
在一个实施例中，该方法可以进一步包括：在腔室中将包括至少一个开口的掩模框架布置成面向基座，向上移动基座，并且将掩模框架布置成与基板的边缘重叠。
在一个实施例中，基座可以包括主体部和防变形部，主体部围绕流路和加热器，并且防变形部可以防止主体部的变形。
附图说明
从以下结合附图的描述中，本公开的特定实施例的以上和其它方面、特征和优点将变得更明显，在附图中：
图1是根据实施例的用于制造显示装置的装置的示意性平面图；
图2是根据实施例的处理部分的示意性截面图；
图3是根据实施例的基座的示意性平面图；
图4是图3的基座的示意性后视图，示意性地图示了加热器和流路；
图5是显示基板和第一掩模框架的示意性平面图；
图6是显示基板和第二掩模框架的示意性平面图；
图7是由图1的用于制造显示装置的装置制造的显示装置的示意性截面图；
图8是图7的显示装置的一部分的示意性截面图；
图9、图10和图11是图示了根据实施例的制造显示装置的方法的一些操作的示意性截面图；
图12是像素电路层可以被形成在其上的显示基板的示意性截面图；
图13是通过向显示基板照射激光束而划分的显示基板的示意性截面图；
图14是在显示基板上形成的显示层和封装层的示意性截面图；
图15、图16和图17是图示了根据实施例的制造显示装置的方法的一些操作的示意性截面图；并且
图18是在显示基板上形成的输入感测部分的示意性截面图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例，实施例的示例被图示在附图中。在这点上，实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述实施例以解释描述的方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联的列出项中的一个或多个的任意和所有组合。例如，“A和/或B”可以被理解为意指“A、B或者A和B”。术语“和”和“或”可以以结合或分离的意义被使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。遍及本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a，仅b，仅c，a和b两者，a和c两者，b和c两者，a、b和c中的全部，或者其变型。
各种修改可以被应用于实施例，并且特定的实施例将在附图中被图示并且被描述。参考下面结合附图的详细描述，实施例的效果和特征以及实现该效果和特征的方法将更清楚。然而，实施例可以以各种形式实现，并且不限于下面所呈现的实施例。
下文中，将通过参考附图解释本公开的实施例来详细地描述本公开。附图中相同的附图标记表示相同的元件，并且多余的解释被省略。
在下面的实施例中，将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文中被用于描述各种部件，但是这些部件不应受这些术语限制。这些术语仅被用于区分一个部件与另一个部件。
在下面的实施例中，单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确指示。
在下面的实施例中，将进一步理解，诸如“包括”、“具有”和“包含”的术语表明所陈述的特征或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征或部件的存在或添加。
在下面的实施例中，将理解，在层、区或部件被称为被“形成在”另一个层、区或部件上时，它可以被直接地或间接地形成在另一个层、区或部件上。例如，可以存在中间层、区或部件。
为了便于解释，附图中的部件的尺寸可能被夸大。例如，由于附图中的部件的尺寸和厚度为了便于解释可以被任意地图示，因此以下实施例不限于此。
在特定实施例可以被不同地实现时，具体的过程顺序可以不同于所描述的顺序被执行。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时被执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序被执行。
在下面的实施例中，将理解，在层、区或部件被称为被“连接到”另一个层、区或部件时，它可以被直接地连接到另一个层、区或部件，或者经由中间层、区或部件被间接地连接到另一个层、区或部件。例如，在本说明书中，在层、区或部件被称为被“电连接到”另一个层、区或部件时，它可以被直接地电连接到另一个层、区或部件，或者经由中间层、区或部件被间接地电连接到另一个层、区或部件。
术语“重叠”可以包括层、堆叠、面对或面向、在其上延伸、在其下延伸、覆盖或部分地覆盖，或者本领域普通技术人员将认识和理解的任何其它合适的术语。
考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文中所使用的，“大约”或“近似”或“基本上”可以包括所陈述的值并且意指在由本领域普通技术人员所确定的针对特定值的偏差的可接受范围内。例如，“大约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或者例如在所陈述的值的±30％、±20％或±5％内。
图1是根据实施例的用于制造显示装置的装置1000的示意性平面图。图2是根据实施例的处理部分1300的示意性截面图。
参考图1，用于制造显示装置的装置1000可以包括装载部分1100、传送部分1200和处理部分1300。
装载部分1100可以被延伸到传送部分1200。装载部分1100用作用于制造显示装置的装置1000的入口，并且显示基板S可以从外部被装载在装载部分1100中。显示基板S可以经由装载部分1100被传送到传送部分1200。
装载部分1100中的压力可以被调节为与大气压力相同或相似。作为另一个示例，装载部分1100的内部压力可以被调节为与真空状态相同或相似。例如，在显示基板S从外部被装载的情况下，装载部分1100中的压力可以被调节为与大气压力相同或相似。此外，在显示基板S被传送到传送部分1200的情况下，装载部分1100中的压力可以被调节为与真空状态相同或相似。
传送部分1200可以被延伸到装载部分1100和处理部分1300。传送部分1200可以从处理部分1300或装载部分1100接收或接管显示基板S。在这种状态下，传送部分1200可以包括机械臂1400。机械臂1400可以将显示基板S从装载部分1100传送到传送部分1200。此外，机械臂1400可以将显示基板S从传送部分1200传送到处理部分1300，或者将已经经历制造过程的显示基板S从处理部分1300传送到传送部分1200。
处理部分1300可以被延伸到传送部分1200。在一个实施例中，处理部分1300可以包括多个处理部分1300。在这种状态下，处理部分1300各自可以被延伸到传送部分1200。尽管图1图示了五个处理部分1300各自被延伸到传送部分1200，但是处理部分1300的数量可以进行各种改变。
制造显示装置的过程可以在处理部分1300中被执行。例如，化学气相沉积(CVD)可以在处理部分1300中被执行。在另一个示例中，等离子体CVD或等离子体增强CVD(PECVD)可以在处理部分1300中被执行。在另一个示例中，原子层沉积(ALD)或等离子体增强ALD(PEALD)可以在处理部分1300中被执行。
显示基板S可以是被制造的显示装置。显示基板S可以包括玻璃或诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)、乙酸丙酸纤维素或者其组合的聚合物树脂。
在一个实施例中，显示基板S可以是母基板，母基板是一组单元区域。在这种状态下，单元区域中的每一个可以是被制造的显示装置的一部分。显示基板S可以通过切割过程被划分。在一个实施例中，显示基板S可以被划分成多个部分基板。例如，部分基板可以是显示基板S的等分基板。作为另一个示例，显示基板S可以根据单元区域被划分。在一些实施例中，整个显示基板S可以是经历了制造过程的显示装置的一部分。
在一个实施例中，显示基板S可以通过使用激光装置进行激光切割。在另一个实施例中，显示基板S可以通过使用刀被切割。
参考图2，处理部分1300可以包括腔室1310、打开/闭合部分1320、基座1330、喷涂部分1340、沉积材料供应部分1350、电力部分1360、压力调节部分1370、支撑销SP、支撑销调节部分AP、加热器控制部分HC和冷却剂控制部分RC。
腔室1310可以具有在其中形成的空间，并且具有一个开口侧，使得显示基板S可以通过开口侧被抽出或被接收。在一个实施例中，具有闸门阀的打开/闭合部分1320可以被设置在腔室1310的开口侧处，以便被选择性地打开/闭合。在打开/闭合部分1320打开的情况下，机械臂1400可以将显示基板S装载到腔室1310中。
在一个实施例中，腔室1310可以是用于CVD或PECVD的腔室。在另一个实施例中，腔室1310可以是用于ALD或PEALD的腔室。在另一个实施例中，腔室1310可以是在其中CVD(或PECVD)或者ALD(或PEALD)被选择性地执行的腔室。在以下描述中，腔室1310可以是用于PECVD的腔室的情况被详细地描述。
腔室1310可以包括第一部1311、第二部1312和第三部1313。第一部1311可以对应于腔室主体。第二部1312可以被设置在第一部1311上方。第二部1312可以对应于盖。第三部1313可以对应于盖板。第三部1313可以被设置为覆盖背衬板BP。在这种状态下，背衬板BP可以保护腔室1310的内部免受大气环境的影响，并且防止从喷涂部分1340喷涂的沉积材料的泄漏。在一个实施例中，背衬板BP可以被提供有多个冷却剂流路。
显示基板S可以被置于设置在腔室1310中的基座1330上。作为另一个示例，显示基板S可以通过被划分成多个部分基板而被置于基座1330上。显示基板S或部分基板可以通过支撑销SP和支撑销调节部分AP被置于基座1330上。
基座1330可以包括冷却剂流通通过的流路FP和加热器HT。因此，基座1330可以调节显示基板S的温度。例如，基座1330可以被保持在预设的第一温度T1。第一温度T1可以是大约150℃以上且大约400℃以下。在这种状态下，加热器HT可以将基座1330保持在预设的第一温度T1。加热器HT可以被电连接到加热器控制部分HC。
基座1330可以被保持在预设的第二温度T2。第二温度T2可以是大约150℃以下。因此，第一温度T1可以高于第二温度T2。在这种状态下，在冷却剂流通通过流路FP时，基座1330可以被保持在预设的第二温度T2。流路FP可以被延伸到冷却剂输入部分RI或冷却剂输出部分RO，并且冷却剂输入部分RI和冷却剂输出部分RO可以被延伸到冷却剂控制部分RC。
基座1330可以包括主体部1331、支撑板1333、防变形部1335和中心部CP。主体部1331可以围绕加热器HT和流路FP。换言之，加热器HT和流路FP可以被插入到主体部1331中。在一个实施例中，加热器HT可以被设置在流路FP上方。在另一个实施例中，加热器HT可以被设置在流路FP下方。在以下描述中，加热器HT可以被设置在流路FP上方的情况被详细地描述。
支撑板1333可以被设置在主体部1331上方。在这种状态下，显示基板S可以被置于支撑板1333上。在一个实施例中，支撑板1333可以与主体部1331一体地提供。支撑板1333可以是从主体部1331在z方向上突出的部分。
支撑板1333可以包括支撑销SP穿过的孔H。孔H可以包括多个孔H，并且支撑销SP可以包括多个支撑销SP。孔H可以沿着支撑板1333的边缘被设置，并且也可以被设置在支撑板1333的中心区域中。
主体部1331和/或支撑板1333可以包括铝(Al)、镁(Mg)、锌(Zn)、锰(Mn)、铜(Cu)和硅(Si)中的至少一种。例如，主体部1331和/或支撑板1333可以包括Al-Mg-Si合金。在另一个示例中，主体部1331和/或支撑板1333可以包括Al-Zn-Mg合金。
防变形部1335可以被设置在主体部1331下方。防变形部1335可以是支撑主体部1331的板。防变形部1335可以防止主体部1331的变形。例如，在主体部1331被加热器HT加热到第一温度T1的情况下，主体部1331可以热变形。在这种状态下，由于防变形部1335支撑主体部1331，因此可以防止主体部1331下垂和由于热而变形。防变形部1335可以包括陶瓷材料。例如，防变形部1335可以包括Si、Al、钛(Ti)和锆(Zr)中的至少一种。
主体部1331和防变形部1335各自可以包括与支撑板1333的孔H相对应的通孔。通孔可以包括多个被延伸到支撑板1333的孔H中的每一个的通孔。因此，支撑销SP可以穿透基座1330并且支撑显示基板S。
中心部CP可以被设置在主体部1331下方。中心部CP可以调节主体部1331的位置。因此，基座1330可以上升或下降。例如，中心部CP可以包括气缸。在另一个示例中，中心部CP可以包括线性马达。在另一个示例中，中心部CP可以包括齿条和小齿轮。中心部CP可以包括用于调节主体部1331的位置的所有装置和所有结构。
加热器HT的加热线可以穿过中心部CP的内部，并且可以被电连接到加热器控制部分HC。此外，延伸到流路FP的冷却剂输入部分RI和冷却剂输出部分RO可以穿过中心部CP的内部以延伸到冷却剂控制部分RC。
加热器控制部分HC可以被电连接到加热器HT以控制加热器HT的温度。例如，加热器控制部分HC可以控制加热器HT具有第一温度T1。在这种状态下，第一温度T1可以是大约150℃以上且大约400℃以下。在加热器控制部分HC控制加热器HT的温度的情况下，包括薄膜晶体管的像素电路层可以被形成在显示基板S上。
冷却剂控制部分RC可以被延伸到流路FP以控制冷却剂的温度。冷却剂控制部分RC可以通过冷却剂输入部分RI将冷却剂供应到流路FP。此外，冷却剂控制部分RC可以通过冷却剂输出部分RO接收已经流通通过流路FP的冷却剂。冷却剂控制部分RC可以控制流通通过流路FP的冷却剂具有第二温度T2。在这种状态下，第二温度T2可以是大约150℃以下。冷却剂可以包括全氟聚醚(PFPE)。例如，冷却剂可以是加尔登(Galden)流体。在冷却剂控制部分RC通过流路FP供应冷却剂的情况下，输入感测部分可以被形成在显示基板S上。
在该实施例中，基座1330可以包括加热器HT和冷却剂流通通过的流路FP。因此，基座1330可以满足各种过程条件。例如，显示装置中的包括薄膜晶体管的像素电路层可以在大约150℃以上且大约400℃以下的范围内被形成，并且输入感测部分可以在大约150℃以下的温度下被形成。与该实施例不同，第一基座可以包括加热器HT，并且第二基座可以包括冷却剂流通通过的流路FP。在显示基板S被置于第一基座上之后，像素电路层可以被形成。在显示基板S被置于第二基座上之后，输入感测部分可以被形成。换言之，第一基座需要用第二基座替换。由于该实施例的基座1330包括加热器HT和冷却剂流通通过的流路FP，因此各种过程条件可以被满足，并且用于制造显示装置的装置1000的效率可以被提高。
支撑销SP可以被设置为穿过支撑板1333的孔H。在一个实施例中，支撑销SP可以具有T形状。在另一个实施例中，支撑销SP可以具有在一个方向上延伸的形状。例如，支撑销SP可以具有在z方向上延伸的形状。在以下描述中，支撑销SP具有T形状的情况被详细地描述。
由机械臂1400传送的显示基板S可以被置于支撑销SP上，并且支撑销SP和基座1330中的一个相对于支撑销SP和基座1330中的另一个移动，使得显示基板S可以被置于基座1330上。在一个实施例中，支撑销SP可以被延伸到支撑销调节部分AP以便上升或下降。在另一个实施例中，支撑销SP可以被固定在腔室1310中。例如，支撑销SP可以被固定到第一部1311的内侧壁。在以下描述中，支撑销SP通过被延伸到支撑销调节部分AP而上升或下降的情况被详细地描述。
支撑销调节部分AP可以调节支撑销SP的位置。支撑销调节部分AP可以向上或向下移动支撑销SP。例如，支撑销调节部分AP可以包括气缸。在另一个示例中，支撑销调节部分AP可以包括线性马达。在另一个示例中，支撑销调节部分AP可以包括齿条和小齿轮。支撑销调节部分AP可以包括用于调节支撑销SP的位置的所有装置和所有结构。
喷涂部分1340可以将沉积材料供应到腔室1310的内部。喷涂部分1340可以包括多个喷嘴，并且沉积材料可以通过喷嘴朝向腔室1310的内部被喷涂。沉积材料可以是包含成为要在显示基板S上形成的层的原材料的成分的气体。在一个实施例中，喷涂部分1340可以用作用于与基座1330形成等离子体的两个电极中的一个。例如，喷涂部分1340可以被电连接到电力部分1360。基座1330可以接地。
沉积材料供应部分1350可以将沉积材料供应到喷涂部分1340。此外，沉积材料供应部分1350可以存储沉积材料。
电力部分1360可以被电连接到喷涂部分1340。在一个实施例中，电力部分1360可以向喷涂部分1340供应交流电(AC)电力。喷涂部分1340可以用作上电极，并且基座1330可以用作下电极。因此，等离子体可以被形成在喷涂部分1340与基座1330之间。
压力调节部分1370可以包括延伸到腔室1310的连接管1371和提供在连接管1371上的泵1373。在这种状态下，外部空气可以通过连接管1371被引入，或者腔室1310中的气体可以根据泵1373的操作通过连接管1371被排放到外部。
处理部分1300可以进一步包括掩模框架。在这种状态下，掩模框架可以被设置在基座1330与喷涂部分1340之间。在一个实施例中，掩模框架可以被固定在腔室1310的内部。掩模框架可以遮蔽显示基板S的边缘。因此，掩模框架可以防止从喷涂部分1340喷涂的沉积材料被沉积在显示基板S的边缘上。掩模框架可以包括第一掩模框架和第二掩模框架。
第一掩模框架可以遮蔽显示基板S的边缘。在显示基板S被划分成多个部分基板的情况下，第二掩模框架可以遮蔽部分基板的边缘。
图3是根据实施例的基座1330的示意性平面图。图4是图3的基座1330的示意性后视图，示意性地图示了加热器HT和流路FP。图5是显示基板S和第一掩模框架MF1的示意性平面图。图6是显示基板S和第二掩模框架MF2的示意性平面图。在图3至图6中，由于与图2中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此其多余的描述被省略。
参考图3，基座1330可以包括主体部1331和支撑板1333。主体部1331可以包括对准标记AM和接地部分GP。对准标记AM可以沿着支撑板1333的边缘被设置在主体部1331上。对准标记AM可以用于对准掩模框架，并且对准标记AM可以包括凹槽。在一个实施例中，掩模框架可以包括与对准标记AM相对应的突出部分。掩模框架的突出部分可以被插入在对准标记AM的凹槽中。
在一个实施例中，损坏防止部分(未示出)可以被设置在对准标记AM的凹槽中。损坏防止部分可以防止主体部1331和/或掩模框架由于主体部1331和掩模框架的接触而被损坏。损坏防止部分可以包括陶瓷材料。
基座1330可以通过接地部分GP接地。因此，基座1330可以用作下电极。主体部1331可以包括作为接地部分GP的多个接地部分GP，并且接地部分GP可以沿着主体部1331的边缘被设置。
显示基板S可以被置于支撑板1333的上表面1333US上。支撑板1333的上表面1333US可以包括第一表面US1和第二表面US2。在这种状态下，第一表面US1和第二表面US2可以是多个部分基板(例如，第一部分基板和第二部分基板)可以被设置在其上的表面。
支撑板1333可以包括第一区R1和由第一区R1围绕的第二区R2。第一区R1可以对应于支撑板1333的边缘。第二区R2可以对应于支撑板1333的中心区域。支撑板1333的孔H可以包括多个孔H，并且支撑板1333的孔H可以沿着支撑板1333的边缘被设置。换言之，支撑板1333的孔H可以沿着第一区R1被设置。此外，支撑板1333的孔H可以被设置在第二区R2中。因此，在支撑销SP支撑显示基板S的情况下，可以防止显示基板S的中心区域下垂。此外，支撑销SP可以稳定地支撑部分基板中的每一个。在一个实施例中，设置在第一表面US1中的孔H和设置在第二表面US2中的孔H可以相对于y方向被不对称地布置。在一些实施例中，设置在第一表面US1中的孔H和设置在第二表面US2中的孔H可以相对于y方向被对称地布置。
参考图4，基座1330可以包括主体部1331和支撑板1333，并且加热器HT和流路FP可以被提供在主体部1331中。支撑板1333可以包括支撑销SP穿过的孔H。
加热器HT可以将基座1330保持在第一温度T1。加热器HT可以通过中心部CP被电连接到加热器控制部分HC。在一个实施例中，加热器HT可以包括第一外加热线OHL1、第二外加热线OHL2、第一内加热线IHL1和第二内加热线IHL2。在这种状态下，第一外加热线OHL1和第二外加热线OHL2可以相对于y方向被对称地布置。第一内加热线IHL1和第二内加热线IHL2可以相对于y方向被对称地布置。由于第一外加热线OHL1和第二外加热线OHL2可以彼此相同或相似，因此第一外加热线OHL1被详细地描述，并且由于第一内加热线IHL1和第二内加热线IHL2可以彼此相同或相似，因此第一内加热线IHL1被详细地描述。
第一外加热线OHL1可以从中心部CP延伸以沿着主体部1331的边缘被设置。第一外加热线OHL1的至少一部分可以包括弯曲部。第一内加热线IHL1可以被设置在相对于第一外加热线OHL1的内侧处。换言之，第一外加热线OHL1可以围绕第一内加热线IHL1。第一内加热线IHL1可以以蛇形图案从中心部CP延伸。第一外加热线OHL1和第一内加热线IHL1都可以与支撑板1333的孔H分开设置。
冷却剂可以流通通过流路FP，并且因此基座1330可以被保持在第二温度T2。流路FP可以通过中心部CP被延伸到冷却剂控制部分RC。在这种状态下，在冷却剂被供应到冷却剂输入部分RI并且流通通过流路FP之后，冷却剂可以通过冷却剂输出部分RO被排出。在一个实施例中，流路FP可以包括管道，并且冷却剂可以流通通过该管道。
在一个实施例中，流路FP可以包括第一外流路线ORL1、第二外流路线ORL2、第一内流路线IRL1和第二内流路线IRL2。在这种状态下，第一外流路线ORL1和第二外流路线ORL2可以相对于x方向被对称地布置。第一内流路线IRL1和第二内流路线IRL2可以相对于x方向被对称地布置。由于第一外流路线ORL1和第二外流路线ORL2可以彼此相同或相似，因此第一外流路线ORL1被详细地描述。由于第一内流路线IRL1和第二内流路线IRL2可以彼此相同或相似，因此第一内流路线IRL1被详细地描述。
第一外流路线ORL1可以从中心部CP延伸以沿着主体部1331的边缘被布置。第一外流路线ORL1的至少一部分可以包括弯曲部。第一外流路线ORL1可以至少部分地与第一外加热线OHL1或第二外加热线OHL2重叠。第一内流路线IRL1可以被设置在相对于第一外流路线ORL1的内侧处。换言之，第一外流路线ORL1可以围绕第一内流路线IRL1。第一内流路线IRL1可以被设置为与第一内加热线IHL1或第二内加热线IHL2交叉。第一外流路线ORL1和第一内流路线IRL1都可以与支撑板1333的孔H分开设置。
参考图5，第一掩模框架MF1可以包括第一开口OP1。在这种状态下，显示基板S可以被设置为与第一开口OP1相对应。第一掩模框架MF1可以与显示基板S的边缘重叠。因此，沉积材料可以不被沉积在显示基板S的边缘上。第一开口OP1可以暴露显示基板S的中心区域。因此，沉积材料可以仅被沉积在显示基板S的中心区域中。
在一个实施例中，第一掩模框架MF1可以固定显示基板S。在沉积材料被沉积在显示基板S上的情况下，显示基板S可以被保持平坦。
此外，在显示基板S的边缘在PECVD过程期间被暴露的情况下，电弧放电可能被产生。沉积材料可能不被均匀地沉积在显示基板S上。在该实施例中，由于第一掩模框架MF1覆盖显示基板S的边缘，因此可以防止电弧放电的产生。因此，沉积材料可以被均匀地沉积在显示基板S上。
参考图6，显示基板S可以被划分成多个部分基板。在制造显示装置的过程中，显示基板S可以被划分成多个部分基板。在以下描述中，为了便于解释，显示基板S可以被划分成第一部分基板S1和第二部分基板S2的情况被详细地描述。
第二掩模框架MF2可以包括多个第二开口OP2。第二掩模框架MF2可以包括第一框架部MFa和第二框架部MFb。在一个实施例中，第一框架部MFa和第二框架部MFb可以被一体地提供。在另一个实施例中，第一框架部MFa和第二框架部MFb可以是独立的框架部。在以下描述中，第一框架部MFa和第二框架部MFb可以被一体地提供的情况被详细地描述。
第一框架部MFa可以包括开口OP。第一框架部MFa的形状可以与图5的第一掩模框架MF1相同。在这种状态下，第一部分基板S1和第二部分基板S2可以被设置为与第一框架部MFa的开口OP相对应。第一框架部MFa可以与第一部分基板S1的边缘和第二部分基板S2的边缘重叠。
在一个实施例中，第二掩模框架MF2可以固定第一部分基板S1和第二部分基板S2。由于第二掩模框架MF2覆盖第一部分基板S1的边缘和第二部分基板S2的边缘，因此可以防止电弧放电的产生。
第二框架部MFb可以在一个方向上延伸。例如，第二框架部MFb可以在图6中的y方向上延伸。第二框架部MFb可以被设置为与第一框架部MFa的开口OP交叉，并且第二框架部MFb可以将第一框架部MFa的开口OP划分成第二开口OP2。在一些实施例中，第二掩模框架MF2可以包括多个第二框架部MFb。第二掩模框架MF2可以包括两个或更多个第二开口OP2，并且第二框架部MFb可以以网格形状被设置在第一框架部MFa中。
多个部分基板可以被设置为与第二开口OP2相对应。例如，第一部分基板S1和第二部分基板S2可以被设置为与相应的第二开口OP2相对应。
由以上描述的用于制造显示装置的装置1000制造的显示装置被详细地描述。是用于显示图像的装置的显示装置可以包括诸如游戏设备、多媒体设备或超紧凑型PC的便携式移动设备。稍后将要描述的显示装置1可以包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机电致发光(EL)显示器、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、量子点显示器、等离子体显示器、阴极射线管显示器等。在以下描述中，尽管有机发光显示装置被描述为根据实施例的显示装置的示例，但是以上描述的各种类型的显示装置可以被用于一个或多个实施例中。
图7是由图1的用于制造显示装置的装置1000制造的显示装置1的示意性截面图。
参考图7，显示装置1可以包括基板100、基板100上的包括薄膜晶体管和绝缘层的像素电路层PCL、像素电路层PCL上的包括显示部件的显示层DL、覆盖显示部件的封装层300以及封装层300上的输入感测部分400。
基板100可以包括玻璃或诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、PC、TAC、乙酸丙酸纤维素或者其组合的聚合物树脂。
缓冲层(未示出)可以被进一步包括在像素电路层PCL与基板100之间。是用于防止异物侵入的层的缓冲层可以包括单层或多层，该单层或多层包含诸如氮化硅、氧化硅或者其组合的无机材料。
显示层DL可以包括显示部件，例如有机发光二极管(OLED)。像素电路层PCL可以包括电连接到OLED的像素电路和绝缘层。像素电路层PCL可以包括多个薄膜晶体管和存储电容器，以及设置在多个薄膜晶体管与存储电容器之间的绝缘层。
显示部件可以被封装层300覆盖。在一个实施例中，封装层300可以包括覆盖显示层DL的至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。无机封装层可以包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的一种或多种无机材料。有机封装层可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等或者其组合。在一个实施例中，有机封装层可以包括丙烯酸酯。
在另一个实施例中，封装层300可以具有这样的结构，其中基板100和可以是透明构件的上基板通过密封构件彼此联接，使得基板100与上基板之间的内空间可以被密封。吸收剂或填充剂可以位于内空间中。密封构件可以是密封剂，并且在另一个实施例中，密封构件可以包括通过激光被固化的材料。例如，密封构件可以包括玻璃料。详细地，密封构件可以包括诸如聚氨酯树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂或者其组合的有机密封剂，或者诸如硅等的无机密封剂。聚氨酯树脂可以包括例如聚氨酯丙烯酸酯等。丙烯酸树脂可以包括例如丙烯酸丁酯、丙烯酸异辛酯等或者其组合。密封构件可以包括被热固化的材料。
输入感测部分400可以包括触摸电极并且可以被设置在封装层300上。输入感测部分400可以根据触摸事件获得外部输入，例如坐标信息。输入感测部分400可以包括触摸电极和电连接到触摸电极的迹线。输入感测部分400可以以互电容方法或自电容方法感测外部输入。
尽管未图示，但是光学功能层可以被设置在输入感测部分400上。光学功能层可以减小从外部输入到显示装置1的光(外部光)的反射率，和/或可以提高从显示装置1发射的光的颜色纯度。在一个实施例中，光学功能层可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型或液晶涂层型，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂层型。膜型可以包括可拉伸的合成树脂膜，并且液晶涂层型可以包括以阵列排列的液晶。延迟器和偏振器可以进一步包括保护膜。
在另一个实施例中，光学功能层可以包括黑矩阵和滤色器。可以考虑从像素中的每一个发射的光的颜色来布置滤色器。滤色器中的每一个可以包括红色、绿色或蓝色的颜料或染料。作为另一个示例，除了以上描述的颜料或染料之外，滤色器中的每一个可以进一步包括量子点。作为另一个示例，滤色器中的一些可以不包括以上描述的颜料或染料，并且可以包括诸如氧化钛的散射颗粒。
在另一个实施例中，光学功能层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括可以被设置在不同层上的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消地干涉，并且因此外部光的反射率可以被减小。
图8是显示装置1的一部分的示意性截面图。在图8中，由于与图7中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此其多余的描述被省略。
参考图8，显示装置1可以包括基板100、缓冲层111、像素电路层PCL、显示层DL、封装层300和输入感测部分400。像素电路层PCL可以包括像素电路PC和设置在其间的绝缘层。显示层DL可以包括OLED。在该实施例中，像素电路层PCL可以在大约150℃以上且大约400℃以下的范围内被形成。输入感测部分400可以在大约150℃以下的温度下被形成。
在一个实施例中，基板100可以包括基层和阻挡层，基层包括聚合物树脂，阻挡层包括无机绝缘材料。例如，基板100可以包括可以被顺序地堆叠在彼此上的第一基层101、第一阻挡层102、第二基层103和第二阻挡层104。第一基层101和第二基层103可以包括诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、PC、TAC、乙酸丙酸纤维素等或者其组合的聚合物树脂。第一阻挡层102和第二阻挡层104可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和/或氮化硅的无机绝缘材料。
缓冲层111可以被设置在基板100上。缓冲层111可以减少或阻挡异物、湿气或外部空气从基板100下方侵入。缓冲层111可以包括无机材料、有机材料或者具有无机材料和有机材料的单层结构或多层结构的有机复合物/无机复合物。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可以被设置在缓冲层111上。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、与半导体层Act的沟道区重叠的栅电极GE以及分别电连接到半导体层Act的源区和漏区的源电极SE和漏电极DE。栅绝缘层112可以被提供在半导体层Act与栅电极GE之间，并且第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115可以被设置在栅电极GE与源电极SE之间，或者被设置在栅电极GE与漏电极DE之间。
存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT重叠。存储电容器Cst可以包括彼此重叠的第一电容板CE1和第二电容板CE2。在一些实施例中，薄膜晶体管TFT的栅电极GE可以包括存储电容器Cst的第一电容板CE1。第一层间绝缘层113可以被设置在第一电容板CE1与第二电容板CE2之间。
半导体层Act可以包括多晶硅。在一些实施例中，半导体层Act可以包括非晶硅。在一些实施例中，半导体层Act可以包括选自铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)的组中的至少一种的氧化物。半导体层Act可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。
栅绝缘层112可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括以上描述的材料的单层结构或多层结构。
栅电极GE或第一电容板CE1可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的具有低电阻的导电材料，并且可以具有包括以上描述的材料的单层结构或多层结构。
第一层间绝缘层113可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括以上描述的材料的单层结构或多层结构。
第二电容板CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、镍(Ni)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以具有包括以上描述的材料的单层结构或多层结构。
第二层间绝缘层115可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括以上描述的材料的单层结构或多层结构。
源电极SE或漏电极DE可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、镍(Ni)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以具有包括以上描述的材料的单层结构或多层结构。例如，源电极SE或漏电极DE可以具有钛层/铝层/钛层的三层结构。
平坦化层117可以包括与用于设置在其下方的至少一个无机绝缘层(例如栅绝缘层112、第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115)的材料不同的材料。平坦化层117可以包括有机绝缘材料。平坦化层117可以包括诸如丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)或者其组合的有机绝缘材料。根据实施例，平坦化层117的有机绝缘材料可以是光敏有机绝缘材料。
像素电极221可以被设置在平坦化层117上。像素电极221可以通过形成在平坦化层117中的接触孔被电连接到薄膜晶体管TFT。
像素电极221可以包括反射膜，反射膜包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或者其化合物。像素电极221可以包括包含以上描述的材料的反射膜，以及设置在反射膜上方或/和下方的透明导电膜。透明导电膜可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)、氧化铝锌(AZO)或者其组合。在一个实施例中，像素电极221可以具有可以被顺序地堆叠在彼此上的ITO层/Ag层/ITO层的三层结构。
像素限定层119可以被设置在像素电极221上。像素限定层119可以覆盖像素电极221的边缘，并且可以包括与像素电极221的中心部分重叠的开口。像素限定层119可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。开口可以限定从OLED发射的光的发射区域。
中间层222可以包括与像素电极221重叠的发射层222b。发射层222b可以包括有机材料。发射层222b可以包括发射彩色光的聚合物有机材料或低分子有机材料。
第一功能层222a和第二功能层222c可以被设置在发射层222b下方和/或上方。
第一功能层222a可以是单层或多层。例如，在第一功能层222a包括聚合物材料的情况下，作为是单层结构的空穴传输层(HTL)的第一功能层222a可以包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)、聚苯胺或者其组合。在第一功能层222a包括低分子材料的情况下，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。
第二功能层222c可以是可选的。例如，在第一功能层222a和发射层222b包括聚合物材料的情况下，第二功能层222c可以被形成。第二功能层222c可以是单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
对电极223可以包括具有相对低的功函数的导电材料。例如，对电极223可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或者其合金。作为另一个示例，对电极223可以进一步包括在包括以上描述的材料的(半)透明层上的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。在一个实施例中，对电极223可以包括银(Ag)和镁(Mg)。
可以被顺序地堆叠在彼此上的像素电极221、中间层222和对电极223的堆叠结构可以形成发光二极管，例如OLED。OLED可以被封装层300覆盖。
在一个实施例中，封装层300可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330各自可以包括一种或多种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅或/和氮氧化硅。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以通过CVD被形成。
有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等或者其组合。例如，有机封装层320可以包括丙烯酸树脂，例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等或者其组合。有机封装层320可以通过固化单体或涂覆聚合物被形成。
输入感测部分400可以被设置在第二无机封装层330上，并且可以包括至少一个无机膜和感测电极。
输入感测部分400可以包括可以被交替地堆叠在彼此上的绝缘层和导电层。在一个实施例中，输入感测部分400可以包括第一绝缘层401、第一导电层402、第二绝缘层403、第二导电层404和第三绝缘层405。第一导电层402和第二导电层404可以通过接触孔(未示出)彼此电连接。感测电极可以被包括在第一导电层402和第二导电层404中的至少一个中。
第一导电层402或第二导电层404可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼(Mo)、钔(Md)、银(Ag)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)或者其合金。透明导电层可以包括诸如ITO、IZO、ZnO、铟锡锌氧化物(ITZO)或者其组合的透明导电氧化物。透明导电层可以包括诸如PEDOT、金属纳米线、石墨烯等或者其组合的导电聚合物。
第一导电层402或第二导电层404可以是单层或多层。单层的第一导电层402或第二导电层404可以包括金属层或透明导电层，并且金属层和透明导电层的材料与以上描述的相同。第一导电层402和第二导电层404中的一个可以包括单一金属层。第一导电层402和第二导电层404中的一个可以包括金属多层。金属多层可以包括例如钛层/铝层/钛层的三层，或者钼层/钔层的双层。作为另一个示例，金属多层可以包括金属层和透明导电层。第一导电层402和第二导电层404可以具有不同的堆叠结构或相同的堆叠结构。例如，第一导电层402可以包括金属层，并且第二导电层404可以包括透明导电层。作为另一个示例，第一导电层402和第二导电层404可以包括相同的金属层。
可以考虑感测灵敏度来确定第一导电层402和第二导电层404的材料以及在第一导电层402和第二导电层404中提供的感测电极的布置。电阻-电容(RC)延迟可能影响感测灵敏度。由于包括金属层的感测电极与透明导电层相比具有相对更小的电阻，因此RC值可能降低。因此，在感测电极之间限定的电容器的充电时间可以被减少。与金属层相比，包括透明导电层的感测电极可以不被用户看到，并且可以具有增加的输入面积以便增加电容。
第一绝缘层401、第二绝缘层403和第三绝缘层405中的每一个可以包括无机绝缘材料或/和有机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，并且有机绝缘材料可以包括聚合物有机材料。在一些实施例中，第一绝缘层401可以被省略。
制造显示装置以形成像素电路层PCL和输入感测部分400的方法被详细地描述。
图9、图10和图11是图示了根据实施例的制造显示装置的方法的一些操作的示意性截面图。图12是像素电路层PCL可以被形成在其上的显示基板S的示意性截面图。图13是通过向显示基板S照射激光束而划分的显示基板S的示意性截面图。图14是在显示基板S上形成的显示层DL和封装层300的示意性截面图。图15、图16和图17是图示了根据实施例的制造显示装置的方法的一些操作的示意性截面图。图18是在显示基板S上形成的输入感测部分400的示意性截面图。
参考图9，显示基板S可以被传送部分1200的机械臂1400(参见图1)传送，并且可以穿过打开/闭合部分1320以被装载在处理部分1300中。支撑销SP可以穿过支撑板1333的孔H以被定位成高于基座1330的支撑板1333。因此，显示基板S可以被置于支撑销SP上。
显示基板S可以是母基板，母基板是一组单元区域。在这种状态下，单元区域中的每一个可以是被制造的显示装置的一部分。显示基板S可以包括基板100(参见图7或图8)。
第一掩模框架MF1可以被设置在腔室1310内部。第一掩模框架MF1可以被设置在基座1330上方。换言之，第一掩模框架MF1可以被设置为面向基座1330。
在一个实施例中，第一掩模框架MF1可以被固定在腔室1310中。例如，第一掩模框架MF1可以被固定到腔室1310的第一部1311的内侧壁。在另一个实施例中，第一掩模框架MF1可以被设置为可在腔室1310内部移动。例如，第一掩模框架MF1可以被延伸到气缸或线性马达，并且可以在z方向上上升或下降。在以下描述中，第一掩模框架MF1可以被固定在腔室1310中的情况被详细地描述。
参考图10，显示基板S可以被置于腔室1310中的基座1330上。换言之，显示基板S可以被置于支撑板1333上。在这种状态下，支撑销SP和基座1330中的一个相对于支撑销SP和基座1330中的另一个移动，使得显示基板S可以被置于支撑板1333上。例如，在延伸到支撑销SP的支撑销调节部分AP被操作时，支撑销SP可以下降，并且置于支撑销SP上的显示基板S可以被置于支撑板1333上。在另一个示例中，基座1330可以上升，并且置于支撑销SP上的显示基板S可以被置于支撑板1333上。
第一掩模框架MF1和显示基板S中的一个可以与第一掩模框架MF1和显示基板S中的另一个对准。详细地，第一掩模框架MF1和显示基板S可以相对于提供在主体部1331中的对准标记AM(参见图3)被对准。
基座1330可以被保持在预设的第一温度T1。在这种状态下，基座1330的加热器HT可以被操作，加热器HT可以将基座1330保持在第一温度T1。第一温度T1可以是大约150℃以上且大约400℃以下。加热器HT可以被加热器控制部分HC控制。因此，显示基板S可以被保持在大致均匀的温度。
参考图11，基座1330可以上升。在这种状态下，基座1330的中心部CP可以包括气缸或线性马达以向上移动基座1330。
在一个实施例中，第一掩模框架MF1可以包括与主体部1331的对准标记AM(参见图3)相对应的突出部分。第一掩模框架MF1的突出部分可以被插入在对准标记AM的凹槽中。
第一掩模框架MF1可以与显示基板S的边缘重叠。因此，在过程期间，第一掩模框架MF1可以遮蔽显示基板S的边缘。第一掩模框架MF1的第一开口OP1可以暴露显示基板S的中心区域。由于第一掩模框架MF1覆盖显示基板S的边缘，因此可以防止电弧放电的产生。
在一个实施例中，第一掩模框架MF1可以固定显示基板S。因此，在沉积材料被沉积在显示基板S上的情况下，显示基板S可以被保持平坦。
像素电路层PCL可以被形成在显示基板S上。详细地，沉积材料可以通过喷涂部分1340被喷涂，喷涂部分1340位于基座1330相对于第一掩模框架MF1的相对侧处。在该实施例中，在喷涂部分1340喷涂沉积材料时，加热器HT可以被操作。因此，基座1330可以被保持在第一温度T1。
在喷涂部分1340喷涂沉积材料的情况下，电力部分1360可以供应AC电力。喷涂部分1340可以用作上电极，并且基座1330可以接地以用作下电极。因此，等离子体可以被形成在喷涂部分1340与基座1330之间。显示基板S的边缘可以被第一掩模框架MF1保护。
在该实施例中，防变形部1335可以防止主体部1331的热变形。详细地，在主体部1331被保持在第一温度T1的情况下，热变形可能被产生。主体部1331可能相对于中心部CP下垂。在该实施例中，由于防变形部1335包括陶瓷材料并且支撑主体部1331，因此可以防止主体部1331的变形。
参考图12，像素电路层PCL可以被形成在显示基板S的基板100上。换言之，像素电路层PCL可以被形成在基板100上，同时在加热器HT被操作时基座1330保持第一温度T1。
显示基板S可以与基座1330分离并且从处理部分1300被传送到传送部分1200。在这种状态下，传送部分1200的机械臂1400可以将显示基板S传送到传送部分1200。
参考图13，显示基板S可以被划分成多个部分基板。例如，显示基板S可以被划分成第一部分基板S1和第二部分基板S2。在一个实施例中，显示基板S可以通过使用激光来划分。例如，激光照射部分LP朝向显示基板S照射激光，以将显示基板S划分成第一部分基板S1和第二部分基板S2。在另一个示例中，显示基板S可以通过使用刀来划分。
参考图14，显示层DL和封装层300可以被形成在显示基板S上。详细地，显示层DL和封装层300可以被形成在第一部分基板S1的像素电路层PCL和第二部分基板S2的像素电路层PCL上。
参考图15，第一部分基板S1和第二部分基板S2可以被传送部分1200的机械臂1400(参见图1)传送，并且通过穿过打开/闭合部分1320被装载在处理部分1300中。
第一部分基板S1和第二部分基板S2各自可以被置于支撑销SP上。由于支撑销SP穿过的孔H不仅可以被设置在支撑板1333的边缘中，而且可以被设置在支撑板1333的中心区域中，因此支撑销SP可以穿过孔H并且稳定地支撑第一部分基板S1和第二部分基板S2。由于被置于支撑销SP上的第一部分基板S1和第二部分基板S2可以类似于被置于支撑销SP上的显示基板S，因此其详细描述被省略。
在一个实施例中，图9的第一掩模框架MF1可以用图15的第二掩模框架MF2替换。第二掩模框架MF2可以被设置在腔室1310内部。第二掩模框架MF2可以被设置在基座1330上方。换言之，第二掩模框架MF2可以被设置为面向基座1330。
在一个实施例中，第二掩模框架MF2可以被固定在腔室1310内部。在另一个实施例中，第二掩模框架MF2可以被设置为可在腔室1310内部移动。在以下描述中，第二掩模框架MF2可以被固定在腔室1310内部的情况被详细地描述。
参考图16，第一部分基板S1和第二部分基板S2可以被置于腔室1310中的基座1330上。在这种状态下，在支撑销SP和基座1330中的一个相对于支撑销SP和基座1330中的另一个移动时，第一部分基板S1和第二部分基板S2可以被置于支撑板1333上。由于被置于基座1330上的第一部分基板S1和第二部分基板S2可以类似于被置于基座1330上的显示基板S，因此其详细描述被省略。
第二掩模框架MF2和第一部分基板S1中的一个可以与第二掩模框架MF2和第一部分基板S1中的另一个对准。此外，第二掩模框架MF2和第二部分基板S2中的一个可以与第二掩模框架MF2和第二部分基板S2中的另一个对准。
基座1330可以被保持在预设的第二温度T2。在这种状态下，冷却剂可以流通通过基座1330的流路FP。详细地，由冷却剂控制部分RC供应的冷却剂可以通过冷却剂输入部分RI被供应到流路FP。在冷却剂流通通过基座1330的流路FP之后，冷却剂可以通过冷却剂输出部分RO被排出。冷却剂控制部分RC可以控制流通通过流路FP的冷却剂处于第二温度T2。因此，第一部分基板S1和第二部分基板S2可以被保持在大致均匀的温度。第二温度T2可以是大约150℃以下，并且冷却剂可以包括PFPE。例如，冷却剂可以包括Galden流体。
参考图17，基座1330可以上升。在这种状态下，基座1330的中心部CP可以包括气缸或线性马达以向上移动基座1330。
在一个实施例中，第二掩模框架MF2可以包括与主体部1331的对准标记AM(参见图3)相对应的突出部分。第二掩模框架MF2的突出部分可以被插入在对准标记AM的凹槽中。
第二掩模框架MF2可以与第一部分基板S1的边缘和第二部分基板S2的边缘重叠。详细地，第一框架部MFa和第二框架部MFb可以与第一部分基板S1的边缘和第二部分基板S2的边缘重叠。第二框架部MFb可以与彼此面对的第一部分基板S1的边缘和第二部分基板S2的边缘重叠。
在过程期间，第二掩模框架MF2可以遮蔽第一部分基板S1的边缘和第二部分基板S2的边缘。第二掩模框架MF2的第二开口OP2各自可以暴露第一部分基板S1和第二部分基板S2中的每一个的中心区域。
输入感测部分400可以被形成在第一部分基板S1和第二部分基板S2中的每一个上。详细地，沉积材料可以通过喷涂部分1340被喷涂，喷涂部分1340位于基座1330相对于第二掩模框架MF2的相对侧处。在该实施例中，在喷涂部分1340喷涂沉积材料时，冷却剂可以流通通过基座1330的流路FP。因此，基座1330可以被保持在第二温度T2。
在喷涂部分1340喷涂沉积材料的情况下，电力部分1360可以供应AC电力。第一部分基板S1的边缘和第二部分基板S2的边缘可以被第二掩模框架MF2保护。由于第二掩模框架MF2覆盖第一部分基板S1的边缘和第二部分基板S2的边缘，因此可以防止电弧放电的产生。
参考图18，输入感测部分400可以被形成在第一部分基板S1和第二部分基板S2的基板100上。换言之，在冷却剂流通通过基座1330的流路FP使得基座1330被保持在第二温度T2时，输入感测部分400可以被形成在封装层300上。
第一部分基板S1和第二部分基板S2可以与基座1330分离并且从处理部分1300被传送到传送部分1200。在这种状态下，传送部分1200的机械臂1400可以将第一部分基板S1和第二部分基板S2传送到传送部分1200。
在该实施例中，在加热器HT的操作期间形成在基板100上的层可以不同于在冷却剂流通通过流路FP的情况下形成在基板100上的层。例如，参考图12，在加热器HT的操作期间，像素电路层PCL可以被形成在基板100上。参考图18，在冷却剂流通通过流路FP时，输入感测部分400可以被形成在基板100上。
在该实施例中，在加热器HT的操作期间，堆叠在基板100上的层可以不同于在冷却剂流通通过流路FP时形成在基板100上的层。例如，在加热器HT的操作期间，缓冲层(未示出)可以被堆叠在基板100上。参考图18，在冷却剂流通通过流路FP时，缓冲层、像素电路层PCL、显示层DL和封装层300可以被堆叠在基板100上。
在该实施例中，相同的基座1330可以被用在处理部分1300中。在像素电路层PCL将被形成的情况下，基座1330可以通过使用加热器HT被保持在第一温度T1，并且在输入感测部分400将被形成的情况下，基座1330可以通过使用冷却剂被保持在低于第一温度T1的第二温度T2。因此，在具有不同过程温度的层将被形成的情况下，基座1330可以不需要被替换，并且因此制造显示装置的方法的效率可以被提高。
根据以上描述的一个或多个实施例，制造显示装置的方法的效率可以通过使用满足各种过程条件的基座被提高。
详细地，基座可以在形成像素电路层的操作和形成输入感测部分的操作中被共同使用。
应理解，本文中描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在其中进行形式和细节上的各种改变而不脱离由所附权利要求及其等同物限定的精神和范围。

Claims (8)

1.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
将显示基板置于腔室中的基座上；
将所述基座保持在第一温度；
将所述显示基板划分成多个部分基板；
将所述多个部分基板置于所述基座上；并且
将所述基座保持在第二温度。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述腔室中布置第一掩模框架，所述第一掩模框架包括第一开口，其中，
所述第一掩模框架与所述显示基板的边缘重叠，并且
所述第一开口暴露所述显示基板的中心区域。
3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述显示基板上形成像素电路层，其中，
所述基座包括将所述基座保持在所述第一温度的加热器。
4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述腔室中布置第二掩模框架，所述第二掩模框架包括多个第二开口，其中，
所述第二掩模框架与所述多个部分基板的边缘重叠，并且
所述多个第二开口分别暴露所述多个部分基板的中心区域。
5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述多个部分基板中的每一个上形成输入感测部分，
其中，将所述基座保持在所述第二温度包括：
通过所述基座的冷却剂输入部分将冷却剂引入所述基座中；并且
通过所述基座的冷却剂输出部分将所述冷却剂从所述基座排出。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一温度高于所述第二温度。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述基座包括：多个孔；和支撑板，支撑所述显示基板或所述多个部分基板，
所述基座的所述多个孔被形成在第一区中和由所述第一区围绕的第二区中，
所述第一区是所述支撑板的边缘，并且
将所述多个部分基板置于所述基座上包括：
将所述多个部分基板置于分别穿过所述多个孔的支撑销上；并且
通过相对于所述支撑销和所述基座中的任一个移动所述支撑销和所述基座中的另一个来将所述多个部分基板置于所述支撑板上。
8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括通过使用防变形部来防止所述基座的变形，
其中，所述基座包括所述防变形部。
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