CN105409330B - 元件制造方法以及元件制造装置 - Google Patents

Abstract

提供元件制造方法，能够高效地覆盖基材中的被激光照射的部分。中间制品包含基材以及设于所述基材上的多个突起部。准备具有第1面的盖材，并使第1面朝向中间制品的突起部侧。在盖材按压工序中，在盖材的第1面形成有以朝向中间制品突出的方式弯曲的弯曲形状，并且，盖材中的形成有弯曲形状的部分紧贴在中间制品的一部分上。

Description

元件制造方法以及元件制造装置

技术领域

本发明涉以及用于制造有机半导体元件等元件的元件制造方法以及元件制造装置。

背景技术

为了防止杂质混入元件中，制造有机半导体元件或者无机半导体元件等元件的工序一般情况下在真空环境下实施。例如，作为用于在基材上形成阴极电极、阳极电极或者半导体层的方法，使用溅射法或者蒸镀法等在真空环境下实施的成膜技术。真空环境是通过使用真空泵等耗费规定的时间对元件制造装置的内部进行脱气而实现的。

但是在元件的制造工序中，除了成膜工序以外还实施各种工序。其中，以往也存在在大气压下实施的工序。另一方面，为了实现真空环境，如上所述需要规定的时间。因此，在元件的制造工序除了包含在真空环境下实施的成膜工序之外还包含在大气压下实施的工序的情况下，对元件制造装置的内部进行脱气、以及将元件制造装置的内部的环境置换为大气所需要的时间增加。因此，期望在比大气压低压的环境下实施元件的各制造工序。由此，能够降低得到1个元件所需要的时间以及成本。

作为成膜工序以外的工序，能够列举出例如专利文献1所述的那样的去除位于辅助电极上的有机半导体层的去除工序。辅助电极是在设于有机半导体层上的电极为薄膜状的共用电极的情况下，为了对产生于共用电极的电压下降根据位置而不同的情况进行抑制而设置的。即，通过使共用电极与辅助电极在各种位置连接，能够降低共用电极中的电压下降。另一方面，由于有机半导体层一般情况下遍以及基材的整个区域而设置，因此为了将共用电极与辅助电极连接，需要实施去除辅助电极上的有机半导体层的上述的去除工序。

作为去除辅助电极上的有机半导体层的方法，公知有对有机半导体层照射激光等光的方法。在这种情况下，由于构成有机半导体层的有机半导体材料因磨蚀而飞散，因此优选为了防止因飞散的有机半导体材料造成的污染而通过某些部件覆盖基材。例如在专利文献1中，提案如下方法：首先，在真空环境下将对置基材叠合到基材上来构成叠合基材，接下来，在维持对置基材与基材之间的空间为真空氛围的状态下将叠合基材取出到大气中，此后，对有机半导体层照射激光。在这种情况下，能够基于真空氛围与大气之间的压差使对置基材与基材牢固地紧贴，由此，能够可靠地防止因飞散的有机半导体材料造成的污染。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第4340982号公报

发明内容

但是，对有机半导体层照射激光的工序一般情况下是对基材上的多个辅助电极上的有机半导体层的各个依次实施的。例如，使朝向基材引导激光的光学系统或者基材的任意一方相对于另一方移动，并且对辅助电极上的有机半导体层依次照射激光。因此，不仅可以防止有机半导体材料飞散，而且不需要通过对置基材在整个区域内覆盖基材，只要至少通过对置基材覆盖基材中的被激光照射的部分即可。另一方面，在如专利文献1中记载的发明那样利用真空氛围与大气之间的压差的情况下，基材在整个区域内被对置基材覆盖。这导致装置结构变得过于复杂。此外，在专利文献1中记载的发明中，对元件制造装置的内部进行脱气以及将元件制造装置的内部的环境置换为大气所需要的时间增加。

本发明是考虑这一点而完成的，其目的在于提供能够高效地覆盖基材中的被激光照射的部分的元件制造方法以及元件制造装置。

本发明是一种元件制造方法，用于在基材上形成元件，其中，该元件制造方法包含：准备中间制品的工序，该中间制品包含所述基材以及设于所述基材上的多个突起部；准备具有第1面的盖材，并使所述第1面朝向所述中间制品的所述突起部侧的工序；以及盖材按压工序，使所述盖材的所述第1面的一部分紧贴在所述中间制品的一部分上，在所述盖材按压工序中，在所述盖材的所述第1面形成有以朝向所述中间制品突出的方式弯曲的弯曲形状，并且，所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分紧贴在所述中间制品的一部分上。

在本发明的元件制造方法中，可以是：所述盖材具有所述第1面以及位于所述第1面的相反侧的第2面。在这种情况下，可以是：在所述盖材按压工序中，使用盖材按压机构将所述盖材的所述第2面的一部分朝向所述中间制品按压，由此，所述盖材的所述第1面的一部分紧贴在所述中间制品的一部分上。

在本发明的元件制造方法中，可以是：所述盖材按压机构具有以旋转轴为中心而旋转的辊。在这种情况下，可以是：在所述盖材按压工序中，所述辊将所述盖材的所述第2面的一部分朝向所述中间制品按压，由此，在所述盖材的与所述第2面对应的所述第1面形成沿着所述辊的外周面的弯曲形状。

在本发明的元件制造方法中，可以是：所述盖材按压机构具有长条状的加压膜，该长条状的加压膜在以形成弯曲部分的方式被保持的状态下被输送，其中，该弯曲部分以朝向所述盖材突出的方式弯曲。在这种情况下，可以是：在所述盖材按压工序中，所述加压膜的所述弯曲部分将所述盖材的所述第2面的一部分朝向所述中间制品按压，由此，在所述盖材的与所述第2面对应的所述第1面形成沿着所述加压膜的所述弯曲部分的弯曲形状。

本发明的元件制造方法可以还包含照射工序，在该照射工序中，朝向所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分照射光。在这种情况下，可以是：在照射工序中，光透过所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分到达所述中间制品。此外，可以是：在照射工序中，从所述中间制品的所述基材侧朝向紧贴在所述中间制品上的所述盖材照射光。

本发明的元件制造方法可以还包含照射工序，在该照射工序中，朝向所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分照射光，在所述照射工序中，光被光学系统引导而透过所述盖材到达所述中间制品，其中，该光学系统相对于所述辊的旋转被固定。

在这种情况下，可以是：所述辊包含由使光透过的透光性材料构成的主体部，所述主体部构成所述辊的所述外周面，在所述照射工序中，光穿过形成于所述辊的内部的空间之后透过所述辊的所述主体部以及所述盖材到达所述中间制品。进而，可以是：在形成于所述辊的内部的空间中配置有具有多个开口部的掩模，在所述照射工序中，所述光通过所述掩模的所述开口部之后透过所述辊的所述主体部以及所述盖材到达所述中间制品。

此外，可以是：所述辊包含在内部形成有空间的主体部，所述主体部构成所述辊的所述外周面，在所述主体部上形成有从所述外周面直至内部的空间的多个贯通孔，在所述照射工序中，所述光通过所述主体部的所述贯通孔之后透过所述盖材到达所述中间制品。

在本发明的元件制造方法中，可以是：所述元件包含：所述基材；设于所述基材上的多个第1电极；设于所述第1电极之间的辅助电极以及所述突起部；设于所述第1电极上的有机半导体层；以及设于所述有机半导体层上以及所述辅助电极上的第2电极，所述中间制品包含：所述基材；设于所述基材上的多个所述第1电极；设于所述第1电极之间的所述辅助电极以及所述突起部；以及设于所述第1电极上以及所述辅助电极上的所述有机半导体层，在所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分紧贴在所述中间制品的一部分上的期间，将设于所述辅助电极上的所述有机半导体层去除。

本发明是一种元件制造装置，用于在基材上形成元件，其中，该元件制造装置包含：输送机构，其输送包含所述基材以及设于所述基材上的多个突起部的中间制品；盖材供给机构，其供给具有第1面的盖材，以使得所述第1面朝向所述中间制品的所述突起部侧；以及盖材按压机构，其使所述盖材的所述第1面的一部分紧贴在所述中间制品的一部分上，在被所述盖材按压机构按压的所述盖材的所述第1面形成有以朝向所述中间制品突出的方式弯曲的弯曲形状，并且，所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分紧贴在所述中间制品的一部分上。

在本发明的元件制造装置中，可以是：所述盖材具有所述第1面以及位于所述第1面的相反侧的第2面。在这种情况下，可以是：所述盖材按压机构将所述盖材的所述第2面的一部分朝向所述中间制品按压，由此，所述盖材的所述第1面的一部分紧贴在所述中间制品的一部分上。

在本发明的元件制造装置中，可以是：所述盖材按压机构具有以旋转轴为中心而旋转的辊。在这种情况下，可以是：在被所述辊按压的所述盖材的与所述第2面对应的所述第1面形成有沿着所述辊的外周面的弯曲形状。

在本发明的元件制造装置中，可以是：所述盖材按压机构具有长条状的加压膜，该长条状的加压膜在以形成弯曲部分的方式被保持的状态下被输送，其中，该弯曲部分以朝向所述盖材突出的方式弯曲。在这种情况下，可以是：所述加压膜的所述弯曲部分将所述盖材的所述第2面的一部分朝向所述中间制品按压，由此，在所述盖材的与所述第2面对应的所述第1面上形成沿着所述加压膜的所述弯曲部分的弯曲形状。

本发明的元件制造装置可以还包含照射机构，该照射机构朝向所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分照射光。在这种情况下，可以是：光透过所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分到达所述中间制品。此外，可以是：从所述中间制品的所述基材侧朝向紧贴在所述中间制品上的所述盖材照射光。

本发明的元件制造装置可以还包含照射机构，该照射机构朝向所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分照射光，所述照射机构具有光学系统，该光学系统引导光，使得该光透过所述盖材到达所述中间制品，所述光学系统相对于所述辊的旋转被固定。

在这种情况下，可以是：所述辊包含主体部，该主体部由使光透过的透光性材料构成并且在内部形成有空间，所述主体部构成所述辊的所述外周面，所述照射机构构成为：使得光穿过形成于所述主体部的内部的空间之后透过所述主体部以及所述盖材到达所述中间制品。进而，可以是：在形成于所述主体部的内部的空间中配置有具有多个开口部的掩模，所述照射机构构成为：使得光通过所述掩模的所述开口部之后透过所述主体部以及所述盖材到达所述中间制品。

此外，可以是：所述辊包含在内部形成有空间的主体部，所述主体部构成所述辊的所述外周面，在所述主体部上形成有从所述外周面直至内部的空间的多个贯通孔，所述照射机构构成为：使得光通过所述贯通孔之后透过所述盖材到达所述中间制品。

在本发明的元件制造装置中，可以是：所述辊包含在所述第2方向上隔开间隔排列的第1辊以及第2辊，所述盖材的所述第2面被所述第1辊以及所述第2辊按压，由此，所述盖材中的位于所述第1辊与所述第2辊之间的部分具有沿着所述第1辊的外周面以及所述第2辊的外周面的弯曲形状。

根据本发明，能够使用简单的结构的装置高效地覆盖基材。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式的有机半导体元件的纵剖视图。

图2A是示出图1所示的有机半导体元件的辅助电极、突起部以及有机半导体层的布局的一例的俯视图。

图2B是示出图1所示的有机半导体元件的辅助电极、突起部以及有机半导体层的布局的其他例子的俯视图。

图2C是示出辅助电极上的有机半导体层中被去除的部分的一例的俯视图。

图2D是示出辅助电极上的有机半导体层中被去除的部分的一例的俯视图。

图3是示出本发明的实施方式的元件制造装置的图。

图4的(a)～(g)是示出本发明的实施方式的元件制造方法的图。

图5是示出用于去除辅助电极上的有机半导体层的中间制品处理装置的图。

图6是示出通过使用图5所示的中间制品处理装置来去除辅助电极上的有机半导体层的情形的图。

图7的(a)～(g)是示出在本发明的实施方式的变形例中去除辅助电极上的有机半导体层的方法的图。

图8的(a)、(b)是示出为了将蒸镀用材料蒸镀到基材上而利用中间制品处理装置的例子的图。

图9是示出配置于辊的内部的空间的光学系统的一个变形例的图。

图10是示出辊的一个变形例的图。

图11是示出辊的一个变形例的图。

图12A是示出盖材按压机构具有加压膜的例子的图。

图12B是示出盖材被图12A所示的加压膜按压的情形的图。

图13A是示出辊的表面作为紧贴在中间制品的一部分上的盖材的第1面而发挥功能的例子的图。

图13B是示出图14A所示的辊的表面紧贴在中间制品的一部分上的情形的图。

图14的(a)、(b)是示出光从基材侧朝向有机半导体层照射的例子的图。

具体实施方式

以下，参照图1至图6对本发明的实施方式进行说明。另外，在本说明书中添加的附图中，为了便于图示以及理解的容易性，根据实物的比例尺以及纵横的尺寸比等适当变更并放大比例尺以及纵横的尺寸比等。

首先根据图1对本实施方式的有机半导体元件40的层结构进行说明。这里作为有机半导体元件40的一例，对顶部发光型的有机EL元件进行说明。

有机半导体元件

如图1所示，有机半导体元件40具备：基材41；多个第1电极42，它们设于基材41上；辅助电极43以及突起部44，它们设于第1电极42之间；有机半导体层45，其设于第1电极42上；以及第2电极46，其设于有机半导体层45上以及辅助电极43上。

有机半导体层45至少包含通过有机化合物中的电子与空穴的重新组合而发光的发光层。此外，有机半导体层45可以进一步包含空穴注入层、空穴输送层、电子输送层或者电子注入层等在有机EL元件中通常设置的各种层。作为有机半导体层的构成要素能够使用公知的构成要素，能够使用例如日本特开2011-9498号公报中记载的构成要素。

与各个有机半导体层45相对应地设置第1电极42。第1电极42还作为使产生在有机半导体层45上的光发生反射的反射电极而发挥功能。作为构成第1电极42的材料，能够列举出铝、铬、钛、铁、钴、镍、钼、铜、钽、钨、白金、金、银等金属元素的单质或者它们的合金。

第2电极46作为针对多个有机半导体层45的共用电极而发挥功能。此外，第2电极46构成为使产生在有机半导体层45上的光透过。作为构成第2电极46的材料，能够使用薄到能够使光透过的程度的金属膜或者ITO等氧化物导电性材料。

辅助电极43用于确保不产生由从未图示的电源至各个有机半导体层的距离的差引起的电压下降的偏差，由此抑制使用有机EL元件的显示装置的亮度的偏差。如图1所示，各辅助电极43与第2电极46连接。作为构成辅助电极43的材料，能够列举出与第1电极42相同的金属元素的单质或者合金。辅助电极43既可以包含与第1电极42相同的材料，或者，也可以包含与第1电极42不同的材料。

突起部44包含具有绝缘性的材料。在图1所示的例子中，突起部44设于第1电极42与辅助电极43之间。通过设置这样的突起部44，能够确保第1电极42与辅助电极43以及第2电极46之间的绝缘性。此外，能够适当确定设于突起部44之间的有机半导体层45的形状。作为构成突起部44的材料，能够使用聚酰亚胺等有机材料或者氧化硅等无机绝缘性材料。此外突起部44构成为沿基材41的法线方向延伸，因此突起部44还能够作为当使后述的盖材与基材41紧贴时用于在盖材与基材41之间确保空间的间隔件而发挥功能。

如图1所示，有机半导体层45以及第2电极46不仅可以在第1电极42上连续设置，也可以在突起部44上连续设置。另外，在有机半导体层45中，电流流过而发光的部分是被第1电极42与第2电极46上下夹持的部分，在位于突起部44上的有机半导体层45中不产生发光。在后述的图2A以及图2B中示出了有机半导体层45中的产生发光的部分，即设于第1电极42上的有机半导体层45。

接下来，对从基材41的法线方向观察的情况下的有机半导体元件40的结构进行说明。特别地对有机半导体元件40的辅助电极43、突起部44以及有机半导体层45的布局进行说明。图2A是示出辅助电极43、突起部44以及有机半导体层45的布局的一例的俯视图。如图2A所示，有机半导体层45是以矩阵状按顺序而配置的，可以包含分别具有矩形形状的红色有机半导体层45R、绿色有机半导体层45G以及蓝色有机半导体层45B。在这种情况下，红色有机半导体层45R、绿色有机半导体层45G以及蓝色有机半导体层45B的各个构成子像素。此外，相邻的有机半导体层45R、45G、45B的组合构成了1个像素。

如图2A所示，辅助电极43在配置为矩阵状的有机半导体层45之间延伸而配置为格子状。通过像这样配置辅助电极43，能够抑制在与各有机半导体层45连接的第2电极46的电压下降中产生根据位置的差。此外如图2A所示，突起部44设于有机半导体层45与辅助电极43之间，来从侧方包围设于第一电极42上的有机半导体层45。即，突起部44沿设于第一电极42上的有机半导体层45的四边连续设置。由此，在去除辅助电极43上的有机半导体层45的工序中，能够防止飞散的有机半导体材料到达第1电极42上的有机半导体层45。

另外只要能够适当降低电压下降，辅助电极43便不需要在其整个区域内与第2电极46连接。即，在后述的去除工序中，不需要去除辅助电极43上的有机半导体层45的全部。因此突起部44可以如图2B所示，沿有机半导体层45的四边中的任意的边非连续地设置。同样在图2B所示的例子中，在去除被突起部44夹着的位置处的辅助电极43上的有机半导体层45的工序中，能够防止飞散的有机半导体材料到达第1电极42上的有机半导体层45，其中，该第1电极42位于至少局部被突起部44夹着的区域内。此外，通过将被突起部44夹着的位置处的辅助电极43与第2电极46连接，能够适当地抑制电压下降。

此外，只要能够适当抑制第2电极46的电压下降，则辅助电极43的配置没有特别限定。例如也可以如图2C以及图2D所示，辅助电极43沿着由与多个子像素对应的有机半导体层45R、45G、45B、45W构成的各像素设置。即，也可以在作为子像素的有机半导体层45R、45G、45B、45W之间不形成辅助电极43，而在由有机半导体层45R、45G、45B、45W构成的1个像素与其他的同样的像素之间形成辅助电极43。另外在图2C以及图2D中示出了各像素除了包含红色有机半导体层45R、绿色有机半导体层45G以及蓝色有机半导体层45B之外还包含白色有机半导体层45W来作为子像素的例子。

此外，只要能够适当抑制第2电极46的电压下降，则连接辅助电极43以及第2电极46的位置的配置没有特别限定。在图2C以及图2D中，连接辅助电极43以及第2电极46的位置由带有标号43x的虚线表示。如图2C所示，辅助电极43以及第2电极46可以在多个位置离散地连接。即，辅助电极43上的有机半导体层45可以在多个位置被离散地去除。此外，如图2D所示，辅助电极43以及第2电极46可以沿着辅助电极43延伸的方向线状地连接。即，辅助电极43上的有机半导体层45可以沿着辅助电极43延伸的方向被线状地去除。在图2D中，作为一例，示出了辅助电极43上的有机半导体层45沿着后述的输送盖材21的方向D1被线状地去除的例子。

另外，在图2A至图2D中，作为有机半导体层45，示出了使用多个种类的有机半导体层45R、45G、45B、45W的例子，但是不限于此。例如，构成子像素的有机半导体层45也可以都构成为生成同样的白色光。在这种情况下，作为进行各子像素的颜色区分的单元，例如能够使用彩色滤光器等。

接下来，对基于本实施方式的用于在基材41上形成有机半导体元件40的元件制造装置10以及元件制造方法进行说明。只要能够充分地防止杂质混入有机半导体元件40，实施元件制造方法的环境没有特别限定，例如元件制造方法有一部分是在真空环境下实施的。另外只要是至少比大气压低压的环境，真空环境中的具体的压力没有特别的限定，例如元件制造装置10的内部的压力为1.0×10⁴Pa以下。

元件制造装置

图3是概略地示出元件制造装置10的图。如图3所示，元件制造装置10具备：第1电极形成装置11，其在基材41上形成多个第1电极42；辅助电极形成装置12，其在第1电极42之间形成辅助电极43；突起部形成装置13，其在第1电极42与辅助电极43之间形成突起部44；以及有机半导体层形成装置14，其在第1电极42、辅助电极43上以及突起部44上形成有机半导体层45。在以下的说明中，有时也将通过使用了各装置11、12、13、14的工序而得到的制品称为中间制品50。

元件制造装置10进一步具备在后述的盖材相对于中间制品50的一部分紧贴的期间内实施规定的处理的中间制品处理装置15。在本实施方式中，对中间制品处理装置15作为将设于辅助电极43上的有机半导体层45去除的去除装置而构成的例子进行说明。中间制品处理装置15具有平台18、盖材供给机构20、盖材按压机构30以及照射机构25。在下文叙述中间制品处理装置15的各构成要素。盖材21或者元件制造装置10进一步具备第2电极形装置16，该第2电极形装置16在辅助电极43上的有机半导体层45被去除之后在辅助电极43以及有机半导体层45上形成第2电极46。

如图3所示，元件制造装置10可以还具备输送装置17，该输送装置17为了在各装置11～16之间输送基材41以及中间制品50而与各装置11～16连接。

另外图3是从功能性角度来对各装置进行分类的，其物理形态不限于图3所示的例子。例如，图3所示的各装置11～16中的多个装置在物理上可以通过1个装置而构成。或者，图3所示的各装置11～16的任一装置在物理上可以通过多个装置而构成。例如存在像后述那样、在1个工序中同时形成第1电极42以及辅助电极43的情况。在这种情况下，第1电极形成装置11以及辅助电极形成装置12可以作为1个装置而构成。

元件制造方法

以下，参照图4的(a)～(g)对使用元件制造装置10来制造有机半导体元件40的方法进行说明。首先，通过例如溅射法，在基材41上形成构成第1电极42以及辅助电极43的金属材料的层，接下来，通过蚀刻对金属材料的层进行成形。由此，如图4中的(a)所示，能够在基材41上同时形成上述的第1电极42以及辅助电极43。另外，也可以分别实施形成第1电极42的工序以及形成辅助电极43的工序。

接下来，如图4中的(b)所示，例如通过光刻法，在第1电极42与辅助电极43之间形成多个突起部44，该多个突起部44沿基材41的法线方向延伸至比第1电极42以及辅助电极43靠上方的位置。此后，通过蒸镀法、CVD法、印刷法、喷墨法或者转印法等一般的成膜方法，如图4中的(c)所示，在第1电极42上、辅助电极43上以及突起部44上形成有机半导体层45。这样，能够得到中间制品50，该中间制品50包含：基材41；多个第1电极42，它们设于基材41上；辅助电极43以及突起部44，它们设于第1电极42之间；有机半导体层45，其设于第1电极42上、辅助电极43上以及突起部44上。另外在本实施方式中，如上所述，第1电极42以及辅助电极43先于突起部44形成于基材41上。因此，第1电极42以及辅助电极43被突起部44局部性地覆盖。

接下来，准备盖材21，此后，如图4中的(d)所示，将盖材21的第1面21a紧贴在中间制品50的一部分上。接下来，在盖材21紧贴到中间制品50上的期间，如图4中的(e)所示，对设于辅助电极43上的有机半导体层45照射激光等光L2。因此，光L2的能量被有机半导体层45吸收，其结果，构成辅助电极43上的有机半导体层45的有机半导体材料飞散。由此，能够去除辅助电极43上的有机半导体层45。例如如图4中的(e)所示，从辅助电极43上飞散的有机半导体材料附着于盖材21的第1面21a。图4中的(f)是示出去除了辅助电极43上的有机半导体层45的状态的图。

此后，如图4中的(g)所示，在第1电极42上的有机半导体层45上、以及辅助电极43上形成第2电极46。这样，能够得到具备与第2电极46连接的辅助电极43的有机半导体元件40。

(中间制品处理装置)

参照图5以及图6来对参照上述的图4中的(d)、(e)而说明的使盖材21紧贴到中间制品50的一部分上并且将辅助电极43上的有机半导体层45去除的方法进行更详细的说明。另外图4中的(d)、(e)所示的工序通过上述的中间制品处理装置15来实施。首先参照图5对中间制品处理装置15的结构进行详细的说明。在图5中，互相垂直的第1方向、第2方向以及第3方向分别由箭头D1、D2以及D3来表示。

如图5所示，中间制品处理装置15具备：平台18，其载置有中间制品50；盖材供给机构20，其供给长条状的盖材21；盖材按压机构30，其使盖材21的一部分紧贴在中间制品50的一部分上；以及照射机构25，其对中间制品50中的紧贴有盖材21的部分照射光。中间制品处理装置15的各构成要素配置于维持为真空氛围的腔室中。因此，能够在真空环境下实施去除辅助电极43上的有机半导体层45的工序。以下，对中间制品处理装置15的各构成要素进行说明。另外“长条状”是指盖材21被输送的方向上的盖材21的尺寸是与盖材21被输送的方向垂直的方向上的盖材21的尺寸的至少5倍以上。

(平台)

平台18具有用于支承中间制品50的载置面18a，该载置面18a在第1方向D1以及第2方向D2上平行地扩展。此外，平台18构成为能够在与第1方向D1平行的平台移动方向T1上移动。此外，中间制品50以使得上述的多个突起部44沿着第1方向D1在基材41上排列的方式载置于平台18。因此，如后述那样，通过重复使平台18沿平台移动方向T1移动以及通过照射机构25朝向中间制品50照射光，能够对中间制品50中的沿第1方向D1排列的多个突起部44或者其周边部分依次照射光。另外，载置于平台18的中间制品50的突起部44沿着与第1方向D1以及第2方向D2垂直的第3方向D3延伸。

(盖材供给机构以及盖材按压机构)

如图5所示盖材按压机构30具有以在与第1方向D1垂直的第2方向D2上延伸的旋转轴为中心在旋转方向R上旋转的辊31。另一方面，虽然未图示，但盖材供给机构20具有：送出部，其沿着送出方向T2将盖材21朝向该辊31与中间制品50之间送出；以及卷取部，其将穿过辊31与中间制品50之间之后的盖材21沿着卷取方向T3卷取。这样，在本实施方式中，用于覆盖中间制品50的一部分的盖材21通过卷对卷(roll-to-roll)方式供给。在以下的说明中，将盖材21的面中的朝向平台18侧的面称为第1面21a，将位于第1面21a的相反侧的面称为第2面21b。

作为构成盖材21的材料，使用PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯：polyethyleneterephthalate)、COP(环烯烃聚合物：Cycio Olefins Polymer)、PP(聚丙烯：Polypropylene)、PE(聚乙烯：polyethylene)、PC(聚碳酸酯：Polycarbonate)、玻璃膜等具有透光性的材料，以使激光等光能够透过。

盖材按压机构30的辊31构成为与平台18的移动同步地旋转。即辊31以使得平台18的移动速度与盖材21的输送速度一致的方式输送卷绕在辊31上的盖材21。该辊31包含圆筒状的主体部32以及用于在规定位置支承主体部32并使该主体部32旋转的驱动部。主体部32是构成辊31的外周面即与盖材21接触的面的部分。因此，辊31的外周面与主体部32的外周面是相同意思。

只要不妨碍用于朝向中间制品50照射光的路径，则用于使主体部32旋转的驱动部的具体的结构没有特别限定。

在本实施方式中，主体部32由使光透过的透光性材料例如玻璃等构成。此外，在主体部32的内部形成有空间32b。空间32b例如构成为使主体部32贯通辊31的轴向。通过设置这样的空间32b，能够如后述那样在辊31的内部配置照射机构25的光学系统27等。

(照射机构)

如图5所示，照射机构25具有：光源26，其生成激光等光并朝向辊31的主体部32的内部的空间32b放射；以及光学系统27，其配置于主体部32的内部的空间32b。光学系统27引导光，使得从光源26放射的光透过主体部32以及卷绕于主体部32的盖材21到达中间制品50。作为光学系统27，例如能够使用能够通过使光反射来改变光的行进方向的镜27a。在图5以及其他的图中，通过标号L1表示从光源26放射的光，通过标号L2表示行进方向被光学系统27改变的光。

光学系统27相对于平台18的移动以及辊31的旋转被固定。即，相对于平台18以及辊31独立地配置。例如，光学系统27构成为：即使平台18移动或者辊31旋转，由光学系统27生成的光L2的行进方向也不变化。另一方面，如上所述，平台18能够沿第1方向D1移动，此外，中间制品50的突起部44沿第1方向D1排列。因此，即使当光学系统27处于静止状态的情况下，也能够对多个突起部44或者其周边部分依次照射光。此外，由于不需要使光学系统27在第1方向D1上移动，因此，在工序之间，光学系统27的瞄准不会偏移。因此，相比于使光源26以及光学系统27移动并对中间制品50的多个部分照射光的情况，能够以高的位置精度照射光。

光学系统27的镜27a可以构成为如图5中虚线的箭头M所示的那样，能够在辊31的主体部32的内部的空间32b沿着辊31的旋转轴移动。由此，如后述那样，能够对中间制品50的任意的部分照射光。用于使光学系统27移动的具体的结构没有特别限定。例如虽然未图示，但光学系统27能够沿着配置于主体部32的内部的空间32b的轨道移动。此外，当光源26以及光学系统27构成为即使当光源26以及光学系统27处于静止状态的情况下也能够在第2方向的任意的位置选择性地取出光的情况下，能够在第2方向的任意的位置朝向中间制品50照射光。作为在第2方向的任意的位置选择性地取出光的方法，例如，考虑了选择性地遮蔽后述的图9所示的掩模28的开口部28a的方法。

当能够在第2方向的任意的位置朝向中间制品50照射光的情况下，中间制品50中的应该被光照射的部分也可以不沿着与第2方向垂直的第1方向。因此，虽然未图示，但是，中间制品50的突起部44也可以不沿着第1方向D1排列。

接下来参照图6对使用中间制品处理装置15去除辅助电极43上的有机半导体层45的方法进行说明。

首先，以使得第1面21a朝向中间制品50的突起部44侧的方式准备具有第1面21a的盖材21。例如，实施盖材供给工序，使用盖材供给机构20以使得盖材21的第1面21a朝向平台18侧的方式将盖材21向辊31的主体部32与中间制品50之间供给。接下来，实施盖材按压工序，使用盖材按压机构30的辊31将盖材21的一部分朝向平台18按压。由此，盖材21的第1面21a的一部分紧贴在中间制品50的一部分上。具体而言，如图6所示，盖材21的第1面21a的一部分紧贴在中间制品50中的设有突起部44的部分上。此时，在被辊31的主体部32按压的盖材21的与第2面21b对应的第1面21a上形成有沿着主体部32的外周面32a的弯曲形状。形成有弯曲形状的部分例如在中间制品50的突起部44之间的空间朝向平台18突出。因此，相比于盖材21的第1面21a平坦的情况，能够使盖材21的第1面21a无间隙地紧贴在中间制品50中的设有突起部44的部分上。另外，在以下的说明中，第1面21a中的形成有沿着主体部32的外周面32a的弯曲形状的部分也称为弯曲部分21c。此外，在本实施方式中，“被主体部32按压的盖材21的与第2面21b对应的第1面21a”是指位于被主体部32按压的第2面21b的相反侧的第1面21a。

此后，实施照射工序，经由盖材21对中间制品50中的与盖材21紧贴的部分照射光。另外“与盖材21紧贴的部分”不仅是指与盖材21的第1面21a直接接触的突起部44的部分，还包含由紧贴在盖材21的第1面21a上的突起部44的部分所包围的部分。另外，不需要对中间制品50中的与盖材21紧贴的部分的全部照射光。在本实施方式中，对中间制品50中的与盖材21紧贴的部分并且是设有应被去除的有机半导体层45的部分照射光。在图6中，示出了从光源26放射的并被光学系统27的镜27a反射的光L2透过主体部32以及盖材21的弯曲部分21c到达设于中间制品50的辅助电极43上的有机半导体层45的情形。有机半导体层45吸收光L2的能量，由此，如上所述，构成辅助电极43上的有机半导体层45的有机半导体材料飞散。另外，光学系统27可以还包含用于使被镜27a反射的光L2的焦点相对于有机半导体层45对焦的透镜等。

这里，根据本实施方式，如上所述，在盖材21的第1面21a上形成弯曲部分21c，利用该弯曲部分21c使盖材21紧贴在中间制品50上。因此，能够将盖材21的第1面21a无间隙地紧贴在中间制品50中的设有突起部44的部分上。由此，能够可靠地防止从辅助电极43上飞散的有机半导体材料污染第1电极42上的有机半导体层45或周围环境。

这样根据本实施方式，能够使用辊31这样的简单的构成要素通过盖材21高效地覆盖中间制品50的一部分。因此，能够以低成本制造具有高品质的有机半导体元件40。

如果去除了辅助电极43上的有机半导体层45，则来自照射机构25的光停止。即，对中间制品50的光的照射停止。

另外，在图6中，示出了在盖材21中的光L2不通过的部分中，在辊31的主体部32与盖材21的第2面21b之间局部形成间隙的例子。但是，只要能够通过辊31使盖材21的一部分紧贴在中间制品50上，则其他的部分中的盖材21与辊31的位置关系没有特别限定。例如，盖材21中的光L2不通过的部分可以是紧贴在辊31的主体部32上而不紧贴在中间制品50上的状态。

接下来，使平台18沿平台移动方向T1移动，此外，使盖材21沿辊31的主体部32的旋转方向R移动。此后，如果接下来应被去除的辅助电极43上的有机半导体层45到达从光学系统27朝向中间制品50的光L2的路径上，则照射机构25再次放射光。由此，来自照射机构25的光L2再次照射辅助电极43上的有机半导体层45，由此，有机半导体层45被去除。这样，能够依次去除沿着与平台移动方向T1平行的第1方向D1排列的多个辅助电极43上的有机半导体层45。另外，通常情况下，辅助电极43上的有机半导体层45在基材41上等间隔而排列。因此，可以按照考虑了辅助电极43之间的间隔以及平台18的移动速度的恒定的周期使照射机构25的光源26开启或关闭，由此，对辅助电极43上的有机半导体层45依次照射光。

这样，在平台18移动并且主体部32旋转时，如上所述，照射机构25的光学系统27保持静止。因此，根据本实施方式，能够以高的位置精度对中间制品50照射光，由此，能够准确地去除辅助电极43的有机半导体层45。

此外，根据本实施方式，能够使用以卷对卷(roll-to-roll)方式供给的盖材21覆盖移动的平台18上的中间制品50。因此，能够使用卷绕有盖材21的1个辊体对多个中间制品50实施去除辅助电极43上的有机半导体层45的上述的工序。因此，不需要用于针对每1个中间制品50切断盖材21的装置或工序，因此，能够使装置结构以及工序简单化。此外，能够防止由于产生由盖材21的切断而引起的残渣而导致中间制品50被污染。

此后，为了去除位于与通过上述的工序去除的有机半导体层45所在的第1方向D1的线不同的线上的多个辅助电极43上的有机半导体层45，可以使镜27a沿着辊31的旋转轴移动。在使镜27a移动后，通过使平台18移动并再次实施上述的工序，能够去除位于新的线上的多个辅助电极43上的有机半导体层45。

另外，能够对上述的实施方式进行各种变更。以下，参照附图并对变形例进行说明。在以下的说明以及以下的说明中使用的附图中，关于与上述的实施方式相同结构的部分，使用与上述的实施方式中的对应的部分所使用的标号相同的标号，而省略重复说明。此外，在明确在上述的实施方式中得到的作用效果在变形例中也能够得到的情况下，也可省略其说明。

(有机半导体元件的层结构的变形例)

在上述的本实施方式中，示出了第1电极42以及辅助电极43先于突起部44形成在基材41上的例子。但是，不限于此，也可以先于第1电极42以及辅助电极43在基材41上形成突起部44。即使在这种情况下，也能够利用基于上述的本实施方式的紧贴工序以及去除工序。以下，参照图7的(a)～(g)对这样的例子进行说明。

首先如图7中的(a)所示，在基材41上形成多个突起部44。接下来，如图7中的(b)所示，在突起部44之间形成第1电极42，并且在突起部44上形成辅助电极43。由此，能够得到借助突起部44而互相绝缘的多个第1电极42以及设于突起部44上的辅助电极43。另外，虽然未图示，但是，也可以首先在基材41上形成第1电极42，接下来，在第1电极42之间形成突起部44，此后，在突起部44上形成辅助电极43。

此后，如图7中的(c)所示，在第1电极42、辅助电极43以及突起部44上形成有机半导体层45。这样，能够得到中间制品50，该中间制品50包含：基材41；多个第1电极42，它们设于基材41上；辅助电极43以及突起部44，它们设于第1电极42之间；以及有机半导体层45，其设于第1电极42上以及辅助电极43上。另外在本变形例中，由于突起部44先于辅助电极43而形成，因此突起部44被辅助电极43覆盖。另外不需要使突起部44的上表面在整个区域内都被辅助电极43覆盖。即只要突起部44的上表面至少部分地被辅助电极43覆盖即可。此外在上述的本实施方式中，示出了在第1电极42之间设有2列突起部44并在突起部44之间设有辅助电极43的例子，但是在本变形例中，由于辅助电极43设于突起部44上，因此可以如图7中的(c)所示，设于第1电极42之间的突起部44只是1列。

接下来，如图7的(d)所示，使用盖材按压机构30的辊31将盖材21的一部分朝向平台18按压，由此，实施将盖材21的第1面21a的一部分紧贴在中间制品50的一部分的盖材紧贴工序。另外，在图7中的(d)以及后述的图7中的(e)中，省略了载置有中间制品50的平台18。

在如图7中的(d)所示的方式中，盖材21的第1面21a的一部分紧贴在中间制品50中的设有突起部44的部分上。此时，与上述的本实施方式的情况同样地，在被辊31的主体部32按压的盖材21的与第2面21b对应即位于相反侧的第1面21a上形成沿着主体部32的外周面32a的弯曲形状。因此，相比于盖材21的第1面21a平坦的情况，能够将盖材21的第1面21a无间隙地紧贴在中间制品50中的设有突起部44的部分上。

此后，对突起部44上的辅助电极43上的有机半导体层45照射光L2，由此，如图7中的(e)所示，使辅助电极43上的有机半导体层45附着于盖材21。图7中的(f)是示出突起部44上的辅助电极43上的有机半导体层45被去除的状态的图。另外，在本变形例中，盖材21紧贴在应被去除的有机半导体层45上。在这种情况下，通过对盖材21的第1面21a的表面能进行适当设定，即使不照射光L2，也能够使突起部44上的辅助电极43上的有机半导体层45转移至盖材21的第1面21a。即，使盖材21中的形成有弯曲形状的弯曲部分21c紧贴在中间制品50的一部分上的动作能够实现将设于辅助电极43上的有机半导体层45去除的效果。

此后，如图7中的(g)所示，在第1电极42上的有机半导体层45上以及突起部44上的辅助电极43上形成第2电极46。这样，能够得到具备与第2电极46连接的辅助电极43的有机半导体元件40。

(中间制品处理装置作为曝光装置而构成的例子)

此外在上述的本实施方式以及变形例中，示出了将中间制品处理装置15作为去除辅助电极43上的有机半导体层45的去除装置而使用的例子。但是，中间制品处理装置15的应用例没有特别限定。例如，虽然未图示，但中间制品处理装置15也可以作为实施曝光工序的曝光装置而被使用，在该曝光工序中，在盖材21紧贴在中间制品50上的期间对中间制品50中的被曝光层照射作为曝光光的光L2。

(中间制品处理装置作为蒸镀装置而构成的例子)

或者，中间制品处理装置15也可以如图8的(a)、(b)所示作为蒸镀装置而被使用，该蒸镀装置在盖材21紧贴到中间制品50上的期间对蒸镀用材料48照射光而将蒸镀用材料48蒸镀到基材41上。

在本变形例中，如图8中的(a)所示，蒸镀用材料48设于盖材21的第1面21a上。此外如图8中的(a)所示，中间制品50具有基材41、设于基材41上的多个突起部44以及设于突起部44之间的第1电极42。在这种情况下，如果使用中间制品处理装置15对蒸镀用材料48照射红外线等光L2，则蒸镀用材料48蒸发。更具体而言，如果如图8中的(a)所示，对蒸镀用材料48之中存在于与第1电极42对置的位置的蒸镀用材料48照射光L2，则蒸镀用材料48蒸发而附着于基材41上的第1电极42上。其结果，能够如图8中的(b)所示在第1电极42上形成蒸镀层49。此外基材41与盖材21之间的空间被突起部44适当划分。因此，能够防止蒸镀用材料48在基材41与盖材21之间的空间大范围飞散。

另外，对蒸镀用材料48进行加热而使其蒸发的方法不限于上述的方法。例如也可以在盖材21的第1面21a与有机半导体层45之间预先形成吸收红外光的金属薄膜，对金属薄膜照射光来加热金属薄膜，由此加热蒸镀用材料48。在这种情况下，虽然光几乎不直接照射到设于盖材21的第1面21a的蒸镀用材料48，但是，由于能够经由金属薄膜间接地加热蒸镀用材料48，因此，能够使蒸镀用材料48蒸发。对蒸镀用材料48直接照射光的情况以及经由金属薄膜间接加热蒸镀用材料48的情况在都是朝向盖材21中的形成有弯曲形状的部分照射光这一点是相同的。

另外，在金属薄膜由磁性材料构成的情况下，为了进一步提高盖材21相对于中间制品50的紧贴的程度，可以在盖材21的周围产生磁场或者在中间制品50中的与盖材21相反的一侧配置磁性体，并通过磁力将盖材21朝向中间制品50拉近。

(光学系统的变形例)

此外，在上述的本实施方式以及变形例中，示出了光学系统27的镜27a构成为能够在辊31的主体部32的内部的空间32b中沿辊31的旋转轴移动的例子。但是，用于对位于沿着第2方向D2排列的多条线上的多个部分照射光的光学系统27的具体的结构没有特别限定。例如如图9所示，光学系统27也可以包含配置于辊31的主体部32的空间32b的掩模28以及导光板29。掩模28具有沿第2方向D2排列的多个开口部28a。掩模28的各开口部28a配置为将穿过各开口部28a的光L2引导至中间制品50应被去除的有机半导体层45以及被曝光层或者蒸镀用材料48等。此外，导光板29构成为能够将从第2方向D2上的端面入射的光L1在沿着第2方向D2的各位置作为朝向平台18的光L2大致均等地取出并向掩模28引导。另外，只要能够将来自光源26的光L1大致均等地向掩模28引导，则作为配置于掩模28的上游侧的光学要素，除了导光板29以外也能够使用各种各样的光学要素。

被向掩模28引导的光L2在透过掩模28的各开口部28a之后透过上述的辊31的主体部32以及盖材21到达中间制品50。因此，能够对沿着第2方向D2排列的中间制品50的多个部分同时照射光L2。因此，无需像上述那样使镜27a移动，就能够同时对沿着第2方向D2排列的多个部分照射光。因此，能够缩短工序所需要的时间。此外，由于不存在由镜27a的移动而引起镜27a的瞄准偏移，因此，能够以更高的位置精度照射光。

(辊的变形例)

此外，在上述的本实施方式以及变形例中，示出了辊31的主体部32由使光透过的透光性材料构成的例子。但是，只要光L2能够透过盖材21的上述的弯曲部分21c到达中间制品50，则辊31的主体部32的结构没有特别限定。例如如图10所示，可以在主体部32上形成沿着辊31的旋转方向R以及辊31的旋转轴的方向排列并且从外周面32a直至内部的空间32b的多个贯通孔32c。贯通孔32c配置为将通过各贯通孔32c的光L2向中间制品50应被消除的有机半导体层45以及被曝光层或者蒸镀用材料48等引导。此外，照射机构25的光学系统27构成为使得光L2通过主体部32的贯通孔32c之后透过盖材21到达中间制品50。例如光学系统27包含能够通过使光反射来改变光的行进方向的镜以及用于使光L2的焦点对焦于有机半导体层45的透镜。在这种情况下，透镜构成为使得被透镜集中的光穿过贯通孔32c。

另外，如本变形例那样，当在辊31的主体部32上形成有贯通孔32c的情况下，作为构成主体部32的材料，不仅能够使用使光透过的透光性材料，也能够使用不使光透过的材料，例如金属材料。因此，根据本变形例，能够使构成主体部32的材料的选择变得容易。例如，能够考虑加工性以及获取性来选择主体部32的材料，由此，能够提高辊31的特性并降低辊31所需要的成本。

此外，在本变形例中，如图10中点划线所示那样，即使在光源26配置于辊31的外部的情况下，从光源26放射的光也能够在穿过辊31的贯通孔32c进入辊31的内部的空间32b之后再次穿过贯通孔32c朝向中间制品50。即，在本变形例中，能够在辊31的外部配置光源26以及光学系统27。因此，能够提高光源26以及光学系统27的配置的自由度。

(辊的其他的变形例)

此外，在上述的本实施方式以及变形例中，示出了盖材21在其宽度方向的整个区域内与辊31接触的例子。但是，只要能够将沿着辊31的主体部32的外周面32a的弯曲形状赋予给盖材21的第1面21a，则辊31的具体的形态没有特别限定。例如如图11所示，辊31可以包含在第2方向D2上隔开间隔排列的第1辊33以及第2辊34。另外盖材21的宽度方向与辊31的旋转轴的方向即第2方向D2一致。

在本变形例中，盖材21中的位于第1辊33与第2辊34之间的部分是与辊33、34的外周面不接触的部分。即使在这种情况下，在盖材21具有规定的刚性的情况下，在被辊33、34按压的盖材21的与第2面21b对应的第1面21a上形成有沿着辊33、34的外周面的弯曲形状。具体而言，在本变形例中，如图11所示，除了位于被辊33、34按压的第2面21b的相反侧的第1面21a之外，在位于第1辊33与第2辊34之间的盖材21的第1面21a上也形成有具有弯曲形状的部分即弯曲部分21c。因此，能够将盖材21的第1面21a无间隙地紧贴在中间制品50中的设有突起部44的部分上。另外，作为用于使盖材21具有规定的刚性的盖材21的具体的结构的一例，例如，列举出使用PET膜构成盖材21，并且，使盖材21的厚度在50μm～300μm的范围内。

此外，根据本变形例，能够在第1辊33与第2辊34之间的空间以及其周边的空间中配置用于将光经由盖材21的弯曲部分21c向中间制品50引导的光学系统27。因此，不需要在第1辊33以及第2辊34的内部形成用于配置光学系统27的空间。此外，相比于在辊的内部的空间中配置光学系统27的情况，光学系统27的配置的自由度变高。因此，能够更容易且高精度地将光向中间制品50引导。

(盖材按压机构的变形例)

此外，在上述的本实施方式以及变形例中，示出了用于将盖材21的第1面21a的一部分紧贴在中间制品50的一部分上的盖材按压机构30具有将盖材21的第2面21b的一部分朝向中间制品50按压的辊31的例子。但是，只要以朝向中间制品50突出的方式弯曲的弯曲形状至少局部地形成于盖材21的第1面21a，并且，盖材21中的形成有弯曲形状的部分紧贴在中间制品50的一部分上，则盖材按压机构30的具体的结构没有特别限定。

例如如图12A所示，盖材按压机构30可以具有长条状的加压膜35，该加压膜35在被保持为形成有弯曲部分35c的状态下被输送，其中，该弯曲部分35c以朝向的方式弯曲。在图12A中，示出了从卷出部35s卷出的加压膜35在被沿着一对引导辊35r输送之后被卷取部35t卷取的情形。在这种情况下，通过对卷出部35s、卷取部35t以及一对引导辊35r的配置以及加压膜35的弹性特性进行适当设定，能够在一对引导辊35r之间使加压膜35具有弯曲部分35c。

图12B是放大示出了在盖材按压机构30具有上述的加压膜35的情况下，盖材21通过被加压膜35按压而紧贴在中间制品50上的情形的图。在本变形例的盖材按压工序中，如图12A以及图12B所示，加压膜35的弯曲部分35c将盖材21的第2面21b的一部分朝向中间制品50按压，由此，在与盖材21的第2面21b对应的第1面21a上形成沿着加压膜35的弯曲部分35c的弯曲形状。因此，能够将盖材21的第1面21a无间隙地紧贴在中间制品50中的设有突起部44的部分上。由此，能够更可靠地防止从辅助电极43上飞散的有机半导体材料污染第1电极42上的有机半导体层45以及周围环境。

此外，在本实施方式中，通过使用被输送的加压膜35构成盖材按压机构30，能够与上述的本实施方式的情况同样地，使以同步的速度被输送的盖材21以及中间制品50互相紧贴，覆盖中间制品50。因此，能够对被输送的盖材21以及中间制品50实施上述的照射工序等各种各样的工序。因此，能够以低成本且高效地制造具有高品质的有机半导体元件40。

以能够适当构成上述的弯曲部分35c的方式选择构成加压膜35的材料、加压膜35的厚度以及层结构等。例如，作为构成加圧膜35的材料，使用具有比构成盖材21的材料高的弹性系数的材料。此外，也可以通过使加压膜35的厚度比盖材21的厚度大，从而在一对引导辊35r之间在加压膜35上适当地形成弯曲部分35c。此外，也可以通过将多个膜层叠来构成加圧膜35。例如，加圧膜35可以包含一对膜以及设于一对膜之间的干渉层。作为一对膜，例如能够使用分别具有100μm～500μm的范围内的厚度的一对PET膜等。此外，作为构成干渉层的材料，能够使用具有透光性的凝胶状的材料。例如，具有透光性的光学粘接材料，能够使用所谓的OCA。

另外，在本变形例中，在盖材21的第1面21a上附着有从中间制品50的辅助电极43上飞散的有机半导体材料。因此，为了制造具有高品质的有机半导体元件40，优选附着有有机半导体材料的盖材21在有机半导体元件40的制造工序中不被再利用而是被废弃。另一方面，在加圧膜35上不会附着有机半导体材料。此外，如图12A所示，按压盖材21之后的加压膜35从盖材21分离并被卷取部35t卷取。因此，能够在此后实施的有机半导体元件40的制造工序中再利用加压膜35。

(盖材的变形例)

此外，在上述的本实施方式以及变形例中，示出了具有第1面21a以及第2面21b的盖材21作为用于覆盖中间制品50的部件而被使用的例子。但是，只要能够利用弯曲形状适当地覆盖中间制品50，则盖材21的具体的结构没有特别限定。例如如图13A以及图13B所示，辊31的表面也可以作为盖材21的第1面21a而发挥功能，该盖材21的第1面21a紧贴在中间制品50的一部分上并且覆盖中间制品50。在这种情况下，通过朝向被辊31的表面的弯曲形状覆盖的中间制品50的辅助电极43上的有机半导体层45照射光L2，能够去除辅助电极43上的有机半导体层45。在这种情况下，从辅助电极43飞散的有机半导体材料附着于辊31的表面，形成有机半导体层45。

如图13A所示，可以设置用于清洗形成于辊31的表面的有机半导体层45的清洗机构36。清洗机构36例如包含剥取辊31的表面的有机半导体层45的粘接辊36a以及刮取粘接辊36a的表面的有机半导体层45的刀刃36b。通过设置这样的清洗机构36，能够通过具有清洁的表面的辊31连续地覆盖中间制品50。

另外，虽然未图示，但是在本变形例中，辊31也可以通过将膜卷取而构成。在这种情况下，即使在辊31的表面被有机半导体层45污染的情况下，也能够通过将附着有有机半导体层45的膜卷出而去除来使辊31的表面始终保持清洁。因此，能够不需要用于清洗辊31的表面的清洗机构36。

(光的照射方向的变形例)

此外，在上述的本实施方式以及变形例中，示出了从盖材21侧朝向设于辅助电极43上的有机半导体层45照射光L2的例子。但是，只要能够适当地加热有机半导体层45，则光L2的照射方向没有特别限定。例如如图14中的(a)所示，也可以从中间制品50的基材41侧朝向与中间制品50紧贴的盖材21照射光L2。这里，一般情况下，辅助电极43由金属元素的单质或者合金构成。因此，朝向与中间制品50紧贴的盖材21照射的光L2主要被辅助电极43遮蔽。在这种情况下，作为光L2，通过使用能够被辅助电极43吸收的波长的光，加热辅助电极43，由此，能够加热辅助电极43上的有机半导体层45。其结果，如图14中的(b)所示，能够使辅助电极43上的有机半导体层45蒸发，并使其附着于盖材21的第1面21a上。另外，在光L2被预先确定的情况下，作为构成辅助电极43的材料，可以使用能够吸收光L2的材料。

(其他的变形例)

此外，在上述的本实施方式以及各变形例中，示出了当使光L2依次照射在第1方向D1上排列的多个中间制品50的部分时，平台18在平台移动方向T1上移动，另一方面，照射机构25的光学系统27保持静止的例子。但是，不限于此，也可以是当使光L2依次照射在第1方向D1上排列的多个中间制品50的部分时，平台18保持静止，光学系统27沿第1方向D1移动。

此外，在上述的本实施方式以及各变形例中，示出了使用平台18来作为输送中间制品50的输送机构的例子。但是，不限于此，虽然未图示，但是中间制品50也可以以卷对卷的方式供给并被输送。即，中间制品50的基材41也可以呈长条状延伸，此外，中间制品50的第1电极42、辅助电极43、突起部44、有机半导体层45以及第2电极46等形成于呈长条状延伸的基材41上。在这种情况下，作为用于在上述的方向T1上输送中间制品50的机构，能够使用在卷对卷的方式中使用的一般的输送机构。

此外，在上述的本实施方式以及各变形例中，示出了有机半导体元件40是有机EL的例子。但是，通过上述的元件制造装置10以及元件制造方法而制造的有机半导体元件的类型没有特别限定。例如使用上述的元件制造装置10以及元件制造方法，能够制造有机晶体管器件以及有机太阳能电池器件等各种有机半导体元件。在有机晶体管器件中，作为有机半导体层以及其他的构成要素能够使用公知的要素，能够使用例如日本特开2009-87996号公报中记载的要素。同样地，在有机太阳能电池器件中，作为包含有机半导体层的光电转换层以及其他的构成要素，能够使用公知的要素，能够使用例如日本特开2011-151195号公报中记载的要素。此外，上述的元件制造装置10以及元件制造方法不仅适用于有机半导体元件的制造，也适用于无机半导体元件的制造。

此外，在上述的本实施方式以及各变形例中，示出了中间制品处理装置15的各构成要素配置于维持为真空氛围的腔室的中的例子。即，示出了在真空环境下实施使用中间制品处理装置15对中间制品50照射光的工序的例子。但是，不限于此，也可以在大气压环境下等、真空环境以外的环境下实施使用中间制品处理装置15对中间制品50照射光的工序。

另外，对针对上述实施方式的几种变形例进行了说明，但是当然可以对多个变形例进行适当组合而应用。

标号说明

10：元件制造装置；15：中间制品处理装置；18：平台；20：盖材供给机构；21：盖材；25：照射机构；26：光源；27：光学系；30：盖材按压机构；31：辊；35：加压膜；36：清洗机构；40：有机半导体元件；41：基材；42：第1电极；43：辅助电极；44：突起部；45：有机半导体层；46：第2电极；50：中间制品。

Claims (9)

1.一种元件制造方法，用于在基材上形成元件，其中，该元件制造方法包含：

准备中间制品的工序，该中间制品包含所述基材以及设于所述基材上的多个突起部；

准备具有第1面的盖材并使所述第1面朝向所述中间制品的所述突起部侧的工序；以及

盖材按压工序，使所述盖材的所述第1面的一部分紧贴在所述中间制品的一部分上，

在所述盖材按压工序中，在所述盖材的所述第1面形成有以朝向所述中间制品突出的方式弯曲的弯曲形状，并且，所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分紧贴在所述中间制品的一部分上，

所述元件制造方法还包含照射工序，在该照射工序中，朝向所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分照射光，

所述盖材具有所述第1面以及位于所述第1面的相反侧的第2面，

在所述盖材按压工序中，使用盖材按压机构将所述盖材的所述第2面的一部分朝向所述中间制品按压，从而所述盖材的所述第1面的一部分紧贴在所述中间制品的一部分上，

所述盖材按压机构具有：一对引导辊；以及长条状的加压膜，该加压膜以保持为在所述一对引导辊之间形成有弯曲部分的状态被输送，其中，该弯曲部分以朝向所述盖材突出的方式弯曲，

在所述盖材按压工序中，以保持为形成有弯曲部分的状态被输送的长条状的加压膜的所述弯曲部分将所述盖材的所述第2面的一部分朝向所述中间制品按压，从而在所述盖材的与所述第2面对应的所述第1面形成沿着所述加压膜的所述弯曲部分的弯曲形状，其中，该弯曲部分以朝向所述盖材突出的方式弯曲。

2.根据权利要求1所述的元件制造方法，其中，

在照射工序中，光透过所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分到达所述中间制品。

3.根据权利要求1所述的元件制造方法，其中，

在照射工序中，从所述中间制品的所述基材侧朝向紧贴在所述中间制品上的所述盖材照射光。

4.一种元件制造方法，用于在基材上形成元件，其中，该元件制造方法包含：

准备中间制品的工序，该中间制品包含所述基材以及设于所述基材上的多个突起部；

准备具有第1面的盖材并使所述第1面朝向所述中间制品的所述突起部侧的工序；以及

盖材按压工序，使所述盖材的所述第1面的一部分紧贴在所述中间制品的一部分上，

在所述盖材按压工序中，在所述盖材的所述第1面形成有以朝向所述中间制品突出的方式弯曲的弯曲形状，并且，所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分紧贴在所述中间制品的一部分上，

所述盖材具有所述第1面以及位于所述第1面的相反侧的第2面，

在所述盖材按压工序中，使用盖材按压机构将所述盖材的所述第2面的一部分朝向所述中间制品按压，从而所述盖材的所述第1面的一部分紧贴在所述中间制品的一部分上，

所述盖材按压机构具有以旋转轴为中心而旋转的辊，

在所述盖材按压工序中，所述辊将所述盖材的所述第2面的一部分朝向所述中间制品按压，从而在所述盖材的与所述第2面对应的所述第1面形成沿着所述辊的外周面的弯曲形状，

所述元件制造方法还包含照射工序，在该照射工序中，朝向所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分照射光，

在所述照射工序中，光被光学系统引导而透过所述盖材到达所述中间制品，其中，该光学系统相对于所述辊的旋转被固定，

所述辊包含在其旋转轴的方向上隔开间隔排列的第1辊以及第2辊，所述盖材的所述第2面被所述第1辊以及所述第2辊按压，从而所述盖材中的位于所述第1辊与所述第2辊之间的部分具有沿着所述第1辊的外周面以及所述第2辊的外周面的弯曲形状。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的元件制造方法，其中，

所述元件包含：所述基材；设于所述基材上的多个第1电极；设于所述第1电极之间的辅助电极以及所述突起部；设于所述第1电极上的有机半导体层；以及设于所述有机半导体层上和所述辅助电极上的第2电极，

所述中间制品包含：所述基材；设于所述基材上的多个所述第1电极；设于所述第1电极之间的所述辅助电极以及所述突起部；以及设于所述第1电极上和所述辅助电极上的所述有机半导体层，

在所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分紧贴在所述中间制品的一部分上的期间，将设于所述辅助电极上的所述有机半导体层去除。

6.一种元件制造装置，用于在基材上形成元件，其中，该元件制造装置包含：

输送机构，其输送中间制品，该中间制品包含所述基材以及设于所述基材上的多个突起部；

盖材供给机构，其供给具有第1面的盖材，并使所述第1面朝向所述中间制品的所述突起部侧；以及

盖材按压机构，其使所述盖材的所述第1面的一部分紧贴在所述中间制品的一部分上，

在被所述盖材按压机构按压的所述盖材的所述第1面形成有以朝向所述中间制品突出的方式弯曲的弯曲形状，并且，所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分紧贴在所述中间制品的一部分上，

所述元件制造装置还包含照射机构，该照射机构朝向所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分照射光，

所述盖材具有所述第1面以及位于所述第1面的相反侧的第2面，

所述盖材按压机构具有：一对引导辊；以及长条状的加压膜，该加压膜以保持为在所述一对引导辊之间形成有弯曲部分的状态被输送，其中，该弯曲部分以朝向所述盖材突出的方式弯曲，

所述加压膜具有比所述盖材高的弹性系数，并且具有比所述盖材的厚度大的厚度，

所述加压膜的所述弯曲部分将所述盖材的所述第2面的一部分朝向所述中间制品按压，从而在所述盖材的与所述第2面对应的所述第1面上形成沿着所述加压膜的所述弯曲部分的弯曲形状。

7.根据权利要求6所述的元件制造装置，其中，

光透过所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分到达所述中间制品。

8.根据权利要求6所述的元件制造装置，其中，

从所述中间制品的所述基材侧朝向紧贴在所述中间制品上的所述盖材照射光。

9.一种元件制造装置，用于在基材上形成元件，其中，该元件制造装置包含：

输送机构，其输送中间制品，该中间制品包含所述基材以及设于所述基材上的多个突起部；

盖材供给机构，其供给具有第1面的盖材，并使所述第1面朝向所述中间制品的所述突起部侧；以及

盖材按压机构，其使所述盖材的所述第1面的一部分紧贴在所述中间制品的一部分上，

在被所述盖材按压机构按压的所述盖材的所述第1面形成有以朝向所述中间制品突出的方式弯曲的弯曲形状，并且，所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分紧贴在所述中间制品的一部分上，

所述盖材具有所述第1面以及位于所述第1面的相反侧的第2面，

所述盖材按压机构将所述盖材的所述第2面的一部分朝向所述中间制品按压，从而所述盖材的所述第1面的一部分紧贴在所述中间制品的一部分上，

所述盖材按压机构具有以旋转轴为中心而旋转的辊，

在被所述辊按压的所述盖材的与所述第2面对应的所述第1面上，形成有沿着所述辊的外周面的弯曲形状，

所述元件制造装置还包含照射机构，该照射机构朝向所述盖材中的形成有所述弯曲形状的部分照射光，

所述照射机构具有光学系统，该光学系统以使光透过所述盖材到达所述中间制品的方式引导光，

所述光学系统相对于所述辊的旋转被固定，

所述辊包含在其旋转轴的方向上隔开间隔排列的第1辊以及第2辊，所述盖材的所述第2面被所述第1辊以及所述第2辊按压，从而所述盖材中的位于所述第1辊与所述第2辊之间的部分具有沿着所述第1辊的外周面以及所述第2辊的外周面的弯曲形状。