KR20120042144A - 레이저 열전사용 마스크, 이를 포함하는 레이저 조사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 레이저 열전사용 마스크, 이를 구비한 레이저 조사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법을 개시한다.
본 발명은 화소 영역에 대응하는 개구부 외에 화소 영역 주변에 대응하는 개구부를 추가로 구비한 레이저 열전사용 마스크를 이용하여 상기 화소 영역에 발광층을 포함하는 유기막층을 형성한다. 본 발명의 마스크에 의해 화소 영역의 에지에 유기막층의 미전사를 방지할 수 있다.
본 발명은 화소 영역에 대응하는 개구부 외에 화소 영역 주변에 대응하는 개구부를 추가로 구비한 레이저 열전사용 마스크를 이용하여 상기 화소 영역에 발광층을 포함하는 유기막층을 형성한다. 본 발명의 마스크에 의해 화소 영역의 에지에 유기막층의 미전사를 방지할 수 있다.
Description
본 발명은 유기 발광 소자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 레이저에 열전사법을 이용하여 유기 발광 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
평판 표시 소자인 유기 발광 소자는 애노드 전극과 캐소드 전극, 및 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 개재된 적어도 유기 발광층을 구비한 중간층을 포함하는 소자로서, 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어서 차세대 표시 소자로 주목받고 있다. 이와 같은 유기 발광 소자는 발광층이 고분자 유기 재료로 이루어지는지, 또는 저분자 유기 재료로 이루어지는지에 따라, 유기 발광층 이외 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 및 전자주입층 가운데 적어도 하나 이상의 유기막층을 더 포함할 수 있다.
이러한 유기 발광 소자에 있어 풀 컬러를 구현하기 위해서는 유기막층을 패터닝해야 한다. 패터닝 방법으로는 저분자 유기 발광 소자의 경우 섀도우 마스크(shadow mask)를 사용하는 방법이 있고, 고분자 유기 발광 소자의 경우 잉크 젯 프린팅(ink-jet printing) 또는 레이저에 의한 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging: LITI) 등이 사용될 수 있다.
레이저 열전사 방법(LITI)은 레이저에서 나온 빛을 열에너지로 변환하고, 변환된 열에너지에 의해 전사층을 유기 발광표시장치의 기판으로 전사시켜 R, G, B 유기막층을 형성한다. LITI는 유기막층을 미세하게 패터닝 할 수 있고, 대면적에 사용할 수 있으며, 고해상도를 실현하는 데 유리하다는 장점이 있다.
도 1a는 종래의 레이저 열전사 방법을 개략적으로 설명하는 단면도이다.
도 1a를 참조하면, 레이저 열전사 방법은 기판(41) 상부에 화소전극(43)과 화소정의막(45)이 형성된 억셉터 기판(40)을 준비한다.
이어서, 상기 억셉터 기판(40) 상부에 도너 필름(30)을 라이네이션한다. 상기 도너 필름(30)은 베이스 필름(31), 광-열 변환층(light to heat conversion layer: LTHC layer)(33) 및 전사층(35)으로 구성된다.
광원(10)에서 발생된 레이저빔은 패터닝된 마스크(20)를 통과하여 상기 억셉터 기판(40)에 조사된다. 상기 광원(10)에서 방출된 레이저빔은 도너 필름(30) 상의 광-열 변환층(33)에 흡수되어 열에너지로 변환되고, 마스크 형상에 따라, 도너 필름(30)은 팽창을 하게 된다. 이때, 도 1b에 도시된 바와 같이 사각형 모양의 개구부가 화소 영역에 대응하여 패터닝된 마스크(20)를 사용함으로써, 화소 에지로 조사되는 에너지가 중앙부에 조사되는 에너지에 비해 상대적으로 약하게 된다. 따라서, 도너 필름(30)에서의 열 전도도(thermal conduction)가 중앙부에서 가장 높고 억셉터 기판(40)과 접촉하고 있는 외곽으로 갈수록 급격히 쿨링(cooling)된다. 이러한 현상은 화소의 에지 부근에서 전사가 되지 않는 현상을 발생시켜, 소자의 성능을 악화시키는 요인이 된다.
본 발명은 LITI 공법에 의해 유기막층을 형성할 때 유기막층의 패턴 불량을 방지할 수 있는 마스크 구조 및 이를 포함하는 레이저 조사 장치 및 이를 이용하여 유기 발광 소자를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 발광 소자 제조 방법은, 제1전극 및 상기 제1전극을 노출시키며 화소 영역을 정의하는 화소정의막이 형성된 억셉터 기판을 제공하는 단계; 상기 억셉터 기판 상부에 도너 필름을 배치하는 단계; 상기 도너 필름 상부에 상기 화소 영역 및 상기 화소 영역 외곽의 화소정의막에 대응하는 개구부를 구비하는 마스크를 배치하는 단계; 및 상기 마스크에 레이저빔을 조사하여 상기 도너 필름의 전사물질을 상기 제1전극 상으로 전사하여 유기막층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
보다 바람직하게, 상기 마스크의 개구부는 상기 화소 영역에 대응하는 제1개구부 및 상기 화소 영역 외곽에 대응하고 상기 레이저빔의 스캔 방향을 따라 상기 제1개구부의 좌우에 형성된 제2개구부를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제2개구부는 다수의 슬릿으로 구성될 수 있다.
보다 바람직하게, 상기 제2개구부는 상기 제1개구부의 레이저빔의 스캔 방향의 길이보다 길게 형성될 수 있다.
보다 바람직하게, 상기 화소 영역 외곽에 조사되는 단위 면적당 에너지 조사량이 상기 화소 영역에 조사되는 단위 면적당 에너지 조사량보다 높다.
보다 바람직하게, 상기 억셉터 기판에 상기 도너 필름을 배치하는 단계는, 상기 도너 필름의 전사층을 상기 억셉터 기판에 라미네이션하는 단계;를 포함할 수 있다.
보다 바람직하게, 상기 도너 필름은 베이스 필름과, 상기 베이스 필름의 일면에 형성되고, 광을 흡수하여 열로 변환하는 광열 변환층과, 상기 전사물질로 상기 광열 변환층의 일면에 형성된 전사층을 포함하고, 상기 전사층은, 정공주입층, 정공수송층, 유기발광층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 하나 이상의 다층막일 수 있다.
보다 바람직하게, 상기 마스크 배치 단계는, 상기 마스크를 대향하는 상기 도너 필름과 직접 접촉 또는 이격되어 배치하는 단계;를 포함할 수 있다.
보다 바람직하게, 상기 유기막층 상부에 제2전극을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
보다 바람직하게, 상기 레이저빔은 선형 레이저빔일 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 레이저 열전사용 마스크는, 화소 영역 및 화소 영역 주변의 화소정의막에 대응하고, 레이저빔이 통과하는 개구부와, 상기 레이저빔을 반사 또는 차단하는 차폐부:를 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 레이저 조사 장치는, 타겟에 레이저빔을 조사하는 광원과, 상기 레이저빔을 선택적으로 차단 또는 반사하는 차폐부와 화소 영역 및 화소 영역 외곽의 화소정의막에 대응하여 형성되고 상기 레이저빔을 통과시키는 개구부를 구비하는 마스크를 포함할 수 있다.
본 발명은 화소 영역 주변에 대응하는 개구가 형성된 마스크를 이용하여 유기 발광 소자 기판 상부에 유기막층을 형성함으로써 화소 영역의 에지에 유기막층의 미전사를 방지할 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 종래의 레이저 열전사 방법을 개략적으로 설명하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 LITI를 이용하여 유기막층을 형성하는 방법을 개략적으로 설명하는 단면도이다.
도 3은 도 2의 억셉터 기판의 일 화소를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 LITI를 이용하여 유기막층을 형성하기 위한 다양한 패턴 모양을 갖는 마스크의 평면도이다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 LITI를 이용하여 유기 발광 소자를 제조하는 공정을 도시한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 LITI를 이용하여 유기막층을 형성하는 방법을 개략적으로 설명하는 단면도이다.
도 3은 도 2의 억셉터 기판의 일 화소를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 LITI를 이용하여 유기막층을 형성하기 위한 다양한 패턴 모양을 갖는 마스크의 평면도이다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 LITI를 이용하여 유기 발광 소자를 제조하는 공정을 도시한다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예가 첨부된 도면들을 참조하여 설명될 것이다. 도면상의 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한 본 발명의 실시예를 설명하는 도면에 있어서, 어떤 층이나 영역들은 명세서의 명확성을 위해 두께를 확대하여 나타내었다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 LITI를 이용하여 유기막층을 형성하는 방법을 개략적으로 설명하는 단면도이다. 도 3은 도 2의 억셉터 기판의 일 화소를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, LITI를 이용하여 유기막층을 형성하는 방법은, 광원(100), 마스크(200), 도너(donor) 필름(300), 및 유기 발광 소자 기판(이하, '억셉터(aceptor) 기판'이라 한다)(400)을 필요로 한다.
상기 광원(100)은 패터닝된 마스크(200)의 개구부를 통과하여 상기 억셉터 기판(400)의 소정 영역에 레이저빔을 조사한다. 레이저빔은 상기 마스크(200)의 개구부(230)보다 좁은 영역을 부분적으로 가열할 수 있다. 상기 광원(100)으로서, Ar 레이저, Kr 레이저, 엑시머 레이저 등의 기체 레이저, 단결정의 YAG, YVO4, 포스테라이트(Mg2SiO4), YAlO3, GdVO4, 또는 다결정(세라믹스)의 YAG, Y2O3, YVO4, YAlO3, GdVO4에 도펀트로서 Nd, Yb, Cr, Ti, Ho, Er, Tm, Ta 중 1종 또는 다수 종 첨가한 것을 매질로 하는 레이저, 유리 레이저, 루비 레이저, 알렉산드라이트 레이저, Ti:사파이어 레이저, 구리 증기 레이저 또는 금 증기 레이저 중 1종 또는 다수 종으로부터 발진되는 것을 사용할 수 있다. 레이저빔은 일괄하여 기판 전면(全面)을 조사하는 넓은 면적의 면 형상 빔보다 집광하기 쉬운 직사각형 형상, 또는 선 형상 빔으로 하는 것이 바람직하다.
상기 마스크(200)는 상기 광원(100)과 상기 도너 필름(300) 사이에 배치되고, 상기 광원(100)으로부터 조사되는 레이저빔을 선택적으로 차단 또는 반사하는 광제어 수단이다. 상기 마스크(200)는 레이저빔을 통과시키는 개구부와 레이저빔을 차단 또는 반사시키는 차폐부를 포함한다.
상기 마스크(200)는 개구부에 증착 재료를 통과시키는 것이 아니기 때문에 증착 마스크와 달리 두껍게 형성할 수 있으며, 상기 마스크(200)를 두껍게 형성함으로써 열의 영향을 쉽게 받지 않고 레이저빔의 회절 발생을 방지할 수 있게 된다.
상기 마스크(200)는 레이저 광의 조사를 견딜 수 있는 재료로 형성될 수 있고, 텅스텐, 탄탈, 크롬, 니켈, 또는 몰리브덴 등의 고융점 금속 또는 이들 원소를 함유하는 합금, 스테인리스 강, 인코넬(inconel), 하스텔로이(hastelloy) 등의 열에 의하여 쉽게 변형되지 않는 저열팽창률의 금속 재료로 형성될 수 있다. 상기 마스크(200)는 도너 필름(300)에 사용하는 재료와 같은 열팽창 계수를 가지는 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 이는 레이저빔을 조사할 때, 마스크(200)가 가열되더라도 마스크(200)와 도너 필름(300)의 팽창을 동일하게 하여 마스크(200)와 도너 필름(300)의 위치 어긋남이 쉽게 발생하지 않도록 하기 위함이다.
상기 마스크(200)는 화소 및 상기 화소 외곽의 화소정의막에 대응하는 개구부를 구비할 수 있다. 상기 마스크(200)는 상기 화소에 대응하는 제1개구부와, 레이저빔의 스캔 방향을 따라 상기 제1개구부로부터 좌우에 소정 간격 이격되어 형성되고, 상기 화소 외곽의 화소정의막에 대응하는 제2개구부를 구비할 수 있다. 상기 개구부의 구조에 의해 화소 외곽에 레이저빔의 추가 조사가 가능하게 함으로써 도너 필름(300)의 팽창 영역을 넓게 유도할 수 있고, 이로 인해 화소 에지의 미전사가 방지될 수 있다. 상기 마스크(200)에 대한 상세한 설명은 후술하겠다.
상기 도너 필름(300)은 베이스 필름(310), 광-열 변환층(light to heat conversion layer: LTHC layer)(330) 및 전사층(350)으로 구성된다. 상기 도너 필름(300)은 상기 억셉터 기판(400) 상에 라미네이션된다. 상기 광원(100)에서 방출된 레이저빔은 도너 필름(300) 상의 광-열 변환층(330)에 흡수되어 열에너지로 변환되고, 변환된 열에너지는 광-열 변환층(330), 전사층(350) 및 억셉터 기판(400) 사이의 접착력(adhesion force)의 변화를 가져와, 도너 필름(300) 상에 형성된 전사층(350)을 이루는 물질이 억셉터 기판(400) 상으로 전사되면서, 억셉터 기판(400) 상에 유기막층이 패터닝된다. 즉, 억셉터 기판(400)에 밀착된 전사층(350)의 결합이 끊어지면서 전사층(350)은 억셉터 기판(400) 상으로 전사되어 유기막층 패턴(미도시)을 형성한다.
상기 억셉터 기판(400)은 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(410) 상부에 패터닝된 제1전극(430)과, 상기 제1전극(430) 상부에 화소(또는 액티브 영역)를 정의하고 유기 발광층 사이의 절연을 위한 절연성 물질로 화소정의막(PDL: 450)이 형성되어 있다. 상기 제1전극(430) 상부에는 RGB 유기 발광층을 포함하는 유기막층이 상기 도너 필름(300)에 의해 형성된다. 상기 기판(410) 상부에는 상기 제1전극(430)과 전기적으로 연결되는 구동 소자로서 박막트랜지스터(TFT)가 형성될 수 있다. 상기 TFT는 소스/드레인 영역 및 채널 영역을 구비하는 반도체층과 상기 소스/드레인 영역과 연결되는 소스/드레인 전극 및 상기 채널 영역에 대응하는 게이트 전극을 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)는 반도체층이 기판 상에 형성되고, 상기 반도체층 상부에 게이트 전극이 형성되는 탑 게이트 구조(Top gate structure)일 수 있고, 이와는 반대로 기판 상에 게이트 전극이 형성되고, 상기 게이트 전극 상부에 반도체층이 형성되는 바텀 게이트 구조(Bottom gate structure)일 수도 있다. 상기 도 3은 탑 게이트 구조의 TFT를 일예로 도시하고 있다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 LITI를 이용하여 유기막층을 형성하기 위한 다양한 패턴 모양을 갖는 마스크의 평면도이다.
도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 마스크(200)는 개구부(230) 및 차폐부(250)를 포함하고, 개구부(230)는 제1개구부(210)와 제2개구부(220)를 포함한다.
제1개구부(210)는 마스크(200)와 억셉터 기판(400) 간의 거리에 따라 달라질 수 있으며, 대략 하나의 화소 사이즈와 같거나 작은 사이즈로 형성됨으로써, 인접하는 화소들 간의 혼색을 방지할 수 있도록 한다. 제1개구부(210)는 두 개의 마주보는 짧은 변과 레이저빔의 스캔 방향으로 두 개의 마주보는 긴 변으로 된 직사각형 형상일 수 있다.
제2개구부(220)는 레이저빔의 스캔 방향(화살표 방향)을 따라 상기 제1개구부(210) 좌우 측에 형성된다. 제2개구부(220)는 화소 에지 외곽의 화소정의막 상에 대응한다. 제2개구부(220)의 길이(레이저빔의 스캔 방향)는 도 4a에 도시된 바와 같이 제1개구부(210)의 길이와 동일하게 형성할 수 있고, 도 4b 및 도 4c에 도시된 바와 같이, 상하 측 중 적어도 일측이 길게 패터닝됨으로써 제1개구부(210)의 길이보다 길게 형성할 수도 있다. 제2개구부(220)의 폭(레이저빔의 스캔 방향과 수직 방향)은 상기 제2개구부(220)를 통과한 레이저빔의 조사에 의해 전사층(350)의 일부가 잔존하여 인접 화소에 영향을 주지 않는 범위로 설정할 수 있으며, 선 형상의 레이저빔이 조사되어 제2개구부(220)에 대응하는 영역의 도너 필름(300)이 열을 흡수할 수 있는 정도이면 충분하다.
도 4d 및 도 4f를 참조하면, 마스크(200)는 제1개구부(210)와 슬릿 형상의 제2개구부(220)를 포함하는 개구부(230), 및 차폐부(250)를 포함한다.
제1개구부(210)는 마스크(200)와 억셉터 기판(400) 간의 거리에 따라 달라질 수 있으며, 대략 하나의 화소 사이즈와 같거나 작은 사이즈로 형성됨으로써, 인접하는 화소들 간의 혼색을 방지할 수 있도록 한다. 제1개구부(210)는 두 개의 마주보는 짧은 변과 레이저빔의 스캔 방향으로 두 개의 마주보는 긴 변으로 된 직사각형 형상일 수 있다.
제2개구부(220)는 레이저빔의 스캔 방향(화살표 방향)을 따라 상기 제1개구부(210) 좌우측에 다수의 슬릿으로 형성된다. 제2개구부(220)는 화소 에지 외곽의 화소정의막 상에 대응한다. 제2개구부(220)를 슬릿으로 형성함으로써 전사층(350)의 전사 및 유기막층의 성막이 용이해질 수 있다. 제2개구부(220)의 길이(레이저빔의 스캔 방향)는 도 4d에 도시된 바와 같이 제1개구부(210)의 길이와 동일하게 형성할 수 있고, 도 4e 및 도 4f에 도시된 바와 같이, 상하 측 중 적어도 일측에 슬릿이 추가로 패터닝됨으로써 제1개구부(210)의 길이보다 길게 형성할 수도 있다. 제2개구부(220)의 폭(레이저빔의 스캔 방향과 수직 방향)은 상기 제2개구부(220)를 통과한 레이저빔의 조사에 의해 전사층(350)의 일부가 잔존하여 인접 화소에 영향을 주지 않는 범위로 설정할 수 있으며, 선 형상의 레이저빔이 조사되어 제2개구부(220)에 대응하는 영역의 도너 필름(300)이 열을 흡수할 수 있는 정도이면 충분하다.
화소 사이즈보다 작은 사이즈의 마스크를 사용하여 레이저빔을 조사하게 되면 화소 외곽에 조사되는 에너지의 세기가 중앙부에 비해 상대적으로 약해지므로, 도너 필름의 열팽창시 레이저에 의한 열 전도도가 화소 중앙부에서 가장 높고, 도너 필름과 화소정의막이 접촉하고 있는 화소 외곽에서는 급격히 낮아진다. 그리고, 화소 에지에서의 단차 구조(geometry)에 의해 도너 필름을 대응시키기 어려워진다. 이로 인해 화소에 대응하는 도너 필름(300)의 중앙부와 좌우 단부의 팽창 정도가 상이해지면서 화소의 에지가 미전사되는 경우가 발생한다. 또한, 작은 사이즈의 마스크에 레이저 조사 에너지의 세기를 높게 할 경우 화소 중앙부의 조사 에너지의 세기가 화소 외곽에 비해 상대적으로 커지면서 전사하고자 하는 유기물의 열화 우려가 있다.
따라서, 본 발명은 도 4a 내지 도 4f에 도시된 바와 같이 화소 외곽의 화소정의막 상부에 개구가 형성된 마스크를 사용함으로써, 화소 외곽의 도너 필름(300)이 열을 흡수하게 되고, 도너 필름(300)의 팽창을 보다 넓게 유도할 수 있어 화소 에지의 전사를 확실히 하여 화소 에지의 미전사를 방지할 수 있다.
상기 광원(100)과 상기 마스크(200)는 레이저 조사 장치(미도시)에 일체로 구비될 수 있다. 이때, 상기 레이저 조사 장치는 상기 광원(100)과 마스크(200) 사이 및/또는 마스크(200)와 도너 필름(300) 사이에 렌즈를 추가로 구비할 수 있다.
상기 억셉터 기판(400)으로의 전사 공정에 의해 유기막층 패턴이 형성된 후, 상기 유기막층 패턴 상에 제2전극을 형성하여 유기 발광 소자를 완성한다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 LITI를 이용하여 유기 발광 소자를 제조하는 공정을 도시한다.
도 5를 참조하면, 먼저 억셉터 기판(400)을 준비한다. 기판(410)의 상부에 제1전극(430)을 형성하고, 제1전극(430)을 노출하는 개구부(460)를 포함하는 화소정의막(450)을 형성한다.
상기 억셉터 기판(400)은 수동매트릭스형 유기 발광 표시 장치와 능동매트릭스형 유기 발광 표시 장치를 포함할 수 있다. 본 실시예에서는 억셉터 기판(400)이 능동매트릭스형 유기 발광 표시 장치인 것을 일례로 설명한다.
억셉터 기판(400)이 능동매트릭스형인 경우, 제1전극(430)의 하부에 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
기판(410)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 기판(410)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재 또는 금속 재 등, 다양한 재질의 기판을 이용할 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)를 형성하기 전에 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하기 위한 베리어층 및/또는 버퍼층의 역할을 하는 절연층(미도시)이 기판(410) 상부에 추가로 증착될 수 있다. 상기 절연층은 SiO2 및/또는 SiNx 등을 사용하여, PECVD(plasma enhanced chemical vapor deosition)법, APCVD(atmospheric pressure CVD)법, LPCVD(low pressure CVD)법 등 다양한 증착 방법에 의해 증착될 수 있다.
기판(410) 상부에 TFT의 활성층(421)이 형성된다. TFT의 활성층(421)은 상기 기판(410) 상부에 비정질 실리콘을 먼저 증착한 후 이를 결정화함으로써 다결정 실리콘층(미도시)을 형성하고, 상기 다결정 실리콘층을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 상기 TFT의 활성층(421)은 n형 또는 p형의 불순물 도핑에 의해 게이트 전극(423)의 양측에 대응하는 활성층(421)의 가장자리에 형성된 소스/드레인 영역과 이들 사이의 채널 영역을 구비한다.
상기 TFT의 활성층(421) 상에 게이트 절연막(422)이 형성된다. 게이트 절연막(422)은 SiNx 또는 SiOx 등과 같은 무기 절연막을 PECVD법, APCVD법, LPCVD법 등의 방법으로 증착할 수 있다.
상기 게이트 절연막(422) 상에는 게이트 전극(423)이 구비되고, 이를 덮도록 층간 절연막(424)이 형성된다.
게이트 전극(423)은 다양한 도전성 재료로 형성될 수 있다. 게이트 전극(423)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으며, 이에 한정되지 않는다. 물론 박막 트랜지스터의 활성층 외에 다른 구성요소까지도 광이 통과할 필요성이 있을 경우에는, 게이트 전극(423)이 ITO 또는 IZO 등과 같은 다양한 투명한 도전성 재료로 형성될 수 있다.
상기 층간 절연막(424) 상에는 소스/드레인 전극(425/427)이 콘택홀을 통해 활성층(421)과 연결된다. 소스/드레인 전극(425/427)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
상기 소스/드레인 전극(425/427)을 덮도록 평탄화막(429)이 형성된다. 상기 평탄화막(429)은 무기 절연막 및/또는 유기 절연막을 사용할 수 있는데, 무기 절연막으로는 SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 등이 포함되도록 할 수 있고, 유기 절연막으로는 일반 범용고분자(PMMA, PS), phenol그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등이 포함되도록 할 수 있다. 또한 평탄화막(429)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로도 형성될 수 있다.
상술한 바와 같은 TFT의 적층 구조는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 구조의 TFT가 모두 적용 가능하다. 또한 본 실시예에서는 TFT의 일 예로서 탑 게이트(top gate) 방식의 TFT를 도시하고 있으나, 이와 달리 다른 구조의 TFT가 구비될 수 있음은 물론이다. 또한 산화물 반도체를 활성층으로 사용하는 산화물 TFT일 수 있다.
상기 평탄화막(429) 상부에는 유기 발광 소자(OLED)의 화소 전극인 제1전극(430)이 형성되고, 비어홀(H)을 통하여 소스/드레인 전극(425/427)과 전기적으로 연결된다. 비어홀(H)은 평탄화막(429)을 식각하여 소스/드레인 전극(425/427)을 노출시킴으로써 형성된다.
상기 제1전극(430)은 화소별로 다양한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 디스플레이 장치가 기판(410)의 방향으로 화상이 구현되는 배면 발광형(bottom emission type)일 경우, 상기 제1전극(430)은 투명 전극이 되고, 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등으로 형성될 수 있다. 디스플레이 장치가 기판(410)의 반대 방향으로 화상을 구현하는 전면 발광형(top emission type)일 경우, 상기 제1전극(430)은 반사 전극으로 구비될 수 있고, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 형성하여 이루어질 수 있다. 상기 제1전극(430)은 애노드 또는 캐소드일 수 있다.
이어서, 상기 제1전극(430) 및 기판(410) 전면에 절연물질을 증착하고, 패터닝하여 제1전극(430)의 중앙부가 노출되도록 개구부(460)를 형성함으로써 화소정의막(450)을 형성한다. 상기 절연물질은 유기물질 또는 무기물질로 형성할 수 있다. 상기 유기물질로서 BCB(benzocyclobutene), 아크릴계 포토레지스트, 페놀계 포토레지스트 및 폴리이미드계 포토레지스트 등 감광성 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나로 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 무기물질로서 SiO2, SiNx, Al2O3, CuOx, Tb4O7, Y2O3, Nb2O5, Pr2O3 등에서 선택된 하나 이상의 무기 절연 물질을 스퍼터법, 화학진공증착(CVD:chemical vapor deposition)법, 증착법 등에 의해 형성될 수 있다. 상기 화소정의막(450)은 막의 균일도 및 레이저 열 전사 에너지의 효율과 효과적인 발광층의 전사를 고려하여 두께가 결정될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 억셉터 기판(400)에 대응하는 도너 필름(300)을 정렬시킨다.
도너 필름(300)은 베이스 필름(310), 광-열 변환층(330) 및 전사층(350)을 포함하며, 전사층(350)의 일면이 억셉터 기판(400)의 상부에 배치된다. 상기 억셉터 기판(400)의 화소 영역과 상기 도너 필름(300)의 전사층(350)이 서로 대향하도록 서로 이격시켜 배치한 후, 균일하게 라미네이션(lamination)한다. 상기 라미네이션은 롤러, 기체 가압 또는 크라운 프레스를 사용하여 가압함으로써 이루어진다. 상기 라미네이션은 중앙에서 외곽으로 나가는 방향으로 진행할 수 있다. 또한, 상기 라미네이션은 단방향으로 진행할 수 있다.
베이스 필름(310) 상에 광-열 변환층(330) 및 전사층(350)을 형성할 때는 스퍼터링 방법을 이용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
베이스 필름(310)으로 조사된 레이저빔은 상기 광-열 변환층(330)으로 전달되므로 베이스 필름(310)은 일반적으로 투명성의 물질로 형성되며, 지지필름으로서의 광학적 성질과 충분한 기계적 안정성을 가져야 한다. 예를 들어, 폴리에틸렌테테프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리스틸렌으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 고분자 물질이거나 유리기판으로 형성될 수 있다.
광-열 변환층(330)은 빛을 흡수하기 위한 광흡수성 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 광-열 변환층(330)은 Al, Ag 및 이들의 산화물 및 황화물로 이루어진 금속막이거나 카본 블랙, 흑연 또는 적외선 염료를 포함하는 고분자로 이루어진 유기막으로 이루어질 수 있다. 그리고 상기 금속막은 진공 증착법, 전자빔 증착법 또는 스퍼터링을 이용하여 형성할 수 있으며, 상기 유기막은 통상적인 필림 코팅 방법으로서, 롤 코팅, 그라비아, 압출, 스핀 코팅 및 나이프 코팅 방법 중에 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.
전사층(350)은 저분자 또는 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. 전사층(350)은 정공주입층, 정공수송층, 유기발광층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 하나 이상의 다층막으로 이루어질 수 있다. 상기 전자주입층, 전자수송층, 발광층, 정공수송층 및 정공주입층 등은 일반적으로 사용되는 재료이면 모두 가능하다. 상기 전사층(350)은 일반적인 코팅 방법인 압출, 스핀, 나이프 코팅 방법, 진공 증착법, CVD 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 광-열 변환층(330)과 전사층(350) 사이에 전사 특성을 향상시키고 전사층의 오염을 방지하기 위해 아크릴 수지(acrylic resin) 또는 알키드 수지(alkyd resin)로 형성된 중간층(미도시)을 더 포함할 수 있다.
상기 도너 필름(300)은 상기한 층들뿐만 아니라 다양한 용도를 갖는 층들을 더욱 포함할 수 있으며, 그 용도에 따라서 적층 구조를 변경하여 사용할 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 도너 필름(300) 상에 마스크(200)를 위치시키고, 마스크(200)에 레이저빔을 조사한다.
상기 마스크(200)는 상기 억셉터 기판(400) 상의 상기 제1전극(430)을 노출하는 개구부(460)와 상기 마스크(200)의 개구부가 상호 대응하도록 배열한다. 이때, 상기 억셉터 기판(400) 상에 배열된 상기 마스크(200)와 상기 도너 필름(300)은 상호 완전히 접촉하거나, 수 ㎛ ~ 수 mm 이상 이격되도록 배열될 수 있다.
마스크(200)는 개구부(230)와 차폐부(250)로 구성된다.
개구부(230)는 도 4a 내지 도 4c에 도시된 바와 같이 제1전극(430)을 노출하는 개구부(460)의 크기와 대응하거나 작은 제1개구부(210)와 레이저빔의 스캔 방향을 따라 제1개구부(210) 좌우 측에 형성된 제2개구부(220)를 포함한다. 상기 제2개구부(220)는 도 4d 내지 도 4f에 도시된 바와 같이 다수의 슬릿 형태일 수 있다. 이때, 제2개구부(220)의 길이는 제1개구부(210)의 길이와 동일하거나 보다 길게 패터닝될 수 있다.
제2개구부(220)를 통과한 단위 면적당 레이저 조사량(dose)은 제1개구부(210)를 통과한 단위 면적당 레이저 조사량보다 높다. 제2개구부(220)의 길이를 제1개구부(210)의 길이보다 길게 형성하면 화소 외곽의 단위 면적당 레이저 조사량을 더 높일 수 있게 된다.
차폐부(250)는 레이저빔에 대해 비투과성 및 비흡수성을 가진 재료를 사용함으로써 레이저빔이 조사되면 레이저빔을 차단 또는 반사하도록 한다.
광원(100)으로부터의 레이저 빔을 마스크(200)에 조사하면, 마스크(200)의 개구부(230)를 통과한 레이저 빔은 도너 필름(300)의 상부에 주사된다. 레이저빔이 조사된 영역의 광-열 변환층(330)이 발열 및 팽창함에 따라 전사층(350)이 팽창하면서 도너 필름(300)으로부터 분리되고, 전사층(350)이 억셉터 기판(400)의 제1전극(430) 상부로 전사되면서 유기막층(500)이 형성된다.
이때, 레이저빔은 합착된 억셉터 기판(400)과 도너 필름(300) 전체를 화소의 장변 방향으로 라인별(컬러별)로 스캔하여 레이저를 조사하는 선형 빔(Line Beam)을 이용할 수 있다. 레이저빔은 1회 또는 그 이상 수회 조사될 수 있다. 레이저빔의 조사는, 광원(100)을 고정시키고 억셉터 기판(400)을 이동시키거나, 또는 억셉터 기판(400)을 고정시키고 광원(100)을 이동시키면서 수행될 수 있다. 레이저빔은 억셉터 기판(400)의 평면에 대하여 수직 또는 비스듬한 방향으로 조사될 수 있다.
전사에 의한 유기막층 형성 공정은 N2 분위기에서 이루어질 수 있다. 일반 대기중에는 산소 성분이 존재하므로 전사되는 유기막층이 산화될 우려가 있기 때문에 산소 성분을 없앤 질소 분위기에서 상기 전사 공정을 수행할 수 있다. 또한, 상기 전사에 의한 유기막층 형성 공정은 진공 분위기에서 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 도너 필름(300)을 상기 억셉터 기판(400) 전면에 라미네이션할 때 상기 도너 필름(300)과 상기 억셉터 기판(400) 사이의 기포 발생을 억제할 수 있다.
도 8을 참조하면, 억셉터 기판(400) 상에 유기막층(500)을 형성한다. 레이저빔의 조사에 의해 상기 도너 필름(300)의 전사층(350)이 제1전극(430) 상으로 전사하여 유기막층(500)을 형성한다.
조사된 레이저는 도너 필름(300)의 광-열 변환층(330)에 흡수되어 열을 발생시키고, 발생된 열은 전사층(350)과 광-열 변환층(330)의 접착력을 감소시켜, 전사층(350)을 억셉터 기판(400) 상으로 전사한다. 그 결과 억셉터 기판(400)의 제1전극(430) 상에 유기막층(500)이 형성된다.
도너 필름(300)을 이용하여 형성되는 유기막층(500)은 적어도 유기발광층을 포함하며, 이 외에 전자주입층, 전자수송층, 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층 중 적어도 하나의 층이 포함되어 형성될 수 있다.
정공주입층은 상기 제1전극(430)으로부터 발광층으로 정공의 주입을 용이하게 하는 역할을 할 수 있으며, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
정공수송층은 정공의 수송을 용이하게 하는 역할을 하며, 증착조건 및 코팅조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다. 정공수송층은 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
발광층은 적색, 녹색, 청색 및 백색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다.
발광층이 적색인 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
발광층이 녹색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
발광층이 청색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있다.
이와는 달리, 발광층은 spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
전자수송층은 전자 수송을 용이하게 하여 효율적인 전자 수송을 제공할 수 있도록 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
전자수송층은 제1전극(430)으로부터 주입된 정공이 발광층을 통과하여 제2전극으로 이동하는 것을 방지하는 정공저지층의 역할을 하여 발광층에서 정공과 전자의 결합을 효율적이게 하는 역할을 할 수도 있다. 또한, 발광층과 전자수송층 사이에 정공 저지용 물질을 사용하여 정공 저지층을 별도로 추가 형성할 수 있다. 이때 사용되는 정공 저지층 형성용 물질은 특별히 제한되지는 않으나, 전자 수송 능력을 가지면서 발광 화합물보다 높은 이온화 퍼텐셜을 가져야 하며 대표적으로 Balq, BCP, TPBI 등이 사용될 수 있다.
전자주입층은 전자의 주입을 용이하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 유기막층 상부에는 제2전극(미도시)을 형성하여 유기 발광 소자를 완성한다. 이때, 상기 제2전극은 캐소드 또는 애노드 전극일 수 있다. 디스플레이 장치가 기판(410)의 방향으로 화상이 구현되는 배면 발광형의 경우, 제2전극은 반사 전극이 된다. 이때 반사 전극은 일함수가 적은 금속, 예를 들자면, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, 또는 이들의 화합물을 얇게 증착하여 형성할 수 있다. 디스플레이 장치가 기판(410)의 반대 방향으로 화상이 구현되는 전면 발광형일 경우 제2전극은 투명전극으로 형성한다.
전술된 실시예에서는 중앙 개구부와 좌우에 추가 형성된 개구부를 구비한 마스크를 참고로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 화소 영역과 화소 외곽의 화소정의막의 일부에 레이저빔을 조사할 수 있는 구조의 마스크를 포함할 수 있음은 물론이다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 광원 200: 마스크
230: 개구부 250: 차폐부
300: 도너 필름 310: 베이스 필름
330: 광-열 변환층 350: 전사층
400: 억셉터 기판 410: 기판
430: 제1전극 500: 유기막층
230: 개구부 250: 차폐부
300: 도너 필름 310: 베이스 필름
330: 광-열 변환층 350: 전사층
400: 억셉터 기판 410: 기판
430: 제1전극 500: 유기막층
Claims (20)
- 제1전극 및 상기 제1전극을 노출시키며 화소 영역을 정의하는 화소정의막이 형성된 억셉터 기판을 제공하는 단계;
상기 억셉터 기판 상부에 도너 필름을 배치하는 단계;
상기 도너 필름 상부에 상기 화소 영역 및 화소 영역 외곽의 화소정의막에 대응하는 개구부를 구비하는 마스크를 배치하는 단계; 및
상기 마스크에 레이저빔을 조사하여 상기 도너 필름의 전사물질을 상기 제1전극 상으로 전사하여 유기막층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 마스크의 개구부는, 상기 화소 영역에 대응하는 제1개구부 및 상기 화소 영역 외곽에 대응하고 상기 레이저빔의 스캔 방향을 따라 상기 제1개구부의 좌우에 형성된 제2개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자 제조 방법. - 제2항에 있어서,
상기 제2개구부는 다수의 슬릿으로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자 제조 방법. - 제2항에 있어서,
상기 제2개구부는, 상기 제1개구부의 레이저빔의 스캔 방향의 길이보다 길게 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 화소 영역 외곽에 조사되는 단위 면적당 에너지 조사량이 상기 화소 영역에 조사되는 단위 면적당 에너지 조사량보다 높은 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자 제조 방법. - 제1항에 있어서, 상기 억셉터 기판에 상기 도너 필름을 배치하는 단계는,
상기 도너 필름을 상기 억셉터 기판에 라미네이션하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자 제조 방법. - 제1항에 있어서, 상기 도너 필름은,
베이스 필름;
상기 베이스 필름의 일면에 형성되고, 광을 흡수하여 열로 변환하는 광열 변환층; 및
상기 전사물질로 상기 광열 변환층의 일면에 형성된 전사층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자 제조 방법. - 제7항에 있어서,
상기 전사층은, 정공주입층, 정공수송층, 유기발광층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 하나 이상의 다층막인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자 제조 방법. - 제1항에 있어서, 상기 마스크 배치 단계는,
상기 마스크를 대향하는 상기 도너 필름과 직접 접촉 또는 이격되어 배치하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 유기막층 상부에 제2전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 레이저빔은 선형 레이저빔인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자 제조 방법. - 화소 영역에 유기막층을 형성하기 위한 마스크에 있어서,
상기 화소 영역 및 화소 영역 외곽의 화소정의막에 대응하고, 레이저빔이 통과하는 개구부; 및
상기 레이저빔을 반사 또는 차단하는 차폐부:를 포함하는 레이저 열전사용 마스크. - 제12항에 있어서,
상기 개구부는, 상기 화소 영역에 대응하는 제1개구부 및 상기 화소 영역 외곽에 대응하고 상기 레이저빔의 스캔 방향을 따라 상기 제1개구부의 좌우에 형성된 제2개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사용 마스크. - 제13항에 있어서,
상기 제2개구부는 다수의 슬릿으로 구성되는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사용 마스크. - 제13항에 있어서,
상기 제2개구부는 상기 제1개구부의 레이저빔의 스캔 방향의 길이보다 길게 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 열전사용 마스크. - 제12항에 있어서,
상기 마스크는 상기 마스크 하부에 배치된 도너 필름과 직접 접촉 또는 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사용 마스크. - 타겟에 레이저빔을 조사하는 광원; 및
상기 레이저빔을 선택적으로 차단 또는 반사하는 차폐부와, 화소 영역 및 화소 영역 외곽의 화소정의막에 대응하여 형성되고 상기 레이저빔을 통과시키는 개구부를 구비하는 마스크;를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치. - 제17항에 있어서,
상기 개구부는, 상기 화소 영역에 대응하는 제1개구부 및 상기 화소 외곽에 대응하고 상기 레이저빔의 스캔 방향을 따라 상기 제1개구부의 좌우에 형성된 제2개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치. - 제18항에 있어서,
상기 제2개구부는 다수의 슬릿으로 구성되는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치. - 제18항에 있어서,
상기 제2개구부는 상기 제1개구부의 레이저빔의 스캔 방향의 길이보다 길게 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치.
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