JPH10241858A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および製造装置 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および製造装置

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JPH10241858A
JPH10241858A JP9056855A JP5685597A JPH10241858A JP H10241858 A JPH10241858 A JP H10241858A JP 9056855 A JP9056855 A JP 9056855A JP 5685597 A JP5685597 A JP 5685597A JP H10241858 A JPH10241858 A JP H10241858A
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laminated structure
organic
shield member
inert gas
organic electroluminescent
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JP9056855A
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Osamu Onizuka
理 鬼塚
Hiroshi Yamamoto
洋 山本
Michio Arai
三千男 荒井
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TDK Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 工程数が少なく容易に製造できるにもかかわ
らず、寿命が長い有機エレクトロルミネッセンス表示装
置の製造方法および製造装置を提供する。 【解決手段】 本発明の有機エレクトロルミネッセンス
表示装置の製造においては、積層構造体成膜工程で形成
された有機エレクトロルミネッセンス積層構造体を大気
に曝すことなく、真空または有機エレクトロルミネッセ
ンス表示装置の気密空間に充填する不活性ガスであって
水分含有量が100ppm以下の不活性ガスを搬送雰囲
気として次のシールド部材組み付け工程に搬送する搬送
工程を備えていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、有機エレクトロルミネ
ッセンス表示装置の製造方法および製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス表示装置
(以下、単にデバイスと称することがある)は、有機エ
レクトロルミネッセンス(EL)発光素子をマトリック
ス状等に配置して、発光させる素子を適宜選択して文字
等を構成し、これにより情報等を表示するものである。
上記有機EL発光素子は、錫ドープ酸化インジウム(I
TO)などの透明電極(陽電極)上にテトラフェニルジ
アミン(TPD)などのホール輸送材料を蒸着等により
薄膜とし、さらにアルミキノリノール錯体(Alq3
などの蛍光物質を発光層として積層し、さらにMgなど
の仕事関数の小さな金属電極(陰電極)を形成した基本
構成を有する素子で、10V 前後の電圧で数100〜1
000cd/cm2ときわめて高い輝度が得られることで注目
されている。
【0003】ところで、有機EL素子は、水分に極めて
弱いという問題がある。たとえば、水分の影響により、
発光層と電極層の間で剥離が生じたり、構成材料が変質
してしまったりして、ダークスポットが生じたり、発光
が維持できなっくなってしまうといった問題が生じてい
る。
【0004】この問題を解決するための一方法として、
封入口を有し、有機EL積層構造体部分を被う気密ケー
スを基板上に密着固定し、その内部を不活性ガス雰囲気
とする技術がある(特開平5−89959号等)。
【0005】この技術においては、基板上に気密ケース
を密着固定した後、上記封入口を介して気密ケース内部
を真空引きして、気密ケース内部の残留水分を除去し、
不活性ガスを注入したのち、上記封入口を封止して、気
密ケース内を水分量の少ない不活性ガス雰囲気とし、有
機EL積層構造体部分を保護している。実際には、気密
ケース内の水分量を目的量とするため、上記の真空引き
と不活性ガスの注入を数回繰り返えしている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記の気密ケースを用
いる方法によれば、有機EL積層構造体部分を水分から
ある程度有効に保護できるが、通常従来の有機エレクト
ロルミネッセンス表示装置においては、有機EL積層構
造体部分の成膜装置と、上記有機EL積層構造体部分に
組み付けた気密ケース内に不活性ガスを封入する装置
(以下、単に封入装置と称することがある)とが分断さ
れ、各々別個に作業が行なわれるため、有機EL積層構
造体部分が途中で大気に触れる場合があり、このとき、
水分が付着し、この水分が後に有機EL積層構造体部分
に悪影響を及ぼすことがあった。
【0007】また、従来の封入装置においては、デバイ
スの作製のたびに、デバイス毎に真空引きと不活性ガス
の注入を数回繰り返さなければならないことや、封入口
を封止する工程が必要なことで、工程数が多く、製造に
極めて時間がかかるという問題がある。
【0008】そこで、本発明の目的は、工程数が少なく
容易に製造できるにもかかわらず、寿命が長い有機エレ
クトロルミネッセンス表示装置の製造方法および製造装
置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(8)の本発明により達成される。 (1) 有機エレクトロルミネッセンス積層構造体が、
その基板とシールド部材とによって形成された気密空間
内に配置され、かつこの気密空間内に、不活性ガス導入
用の封入口を必要とせずに、実質的に不活性ガスのみが
充填されている有機エレクトロルミネッセンス表示装置
の製造方法において、有機エレクトロルミネッセンス積
層構造体を成膜方法別に個別の真空チャンバーで真空雰
囲気を維持したまま連続で成膜する積層構造体成膜工
程、この積層構造体成膜工程で形成された有機エレクト
ロルミネッセンス積層構造体を大気に曝すことなく、真
空または有機エレクトロルミネッセンス表示装置の気密
空間に充填する不活性ガスであって水分含有量が100
ppm以下の不活性ガスを搬送雰囲気として次の工程に
搬送する搬送工程、および前記搬送工程により、搬送さ
れてきた有機エレクトロルミネッセンス積層構造体を大
気に曝すことなくこれを受け、この有機エレクトロルミ
ネッセンス積層構造体に対しシールド部材を組み付ける
シールド部材組み付け工程を有し、このシールド部材組
み付け工程で用いられる作業空間が、有機エレクトロル
ミネッセンス表示装置の気密空間に充填する不活性ガス
であって水分含有量が100ppm以下の不活性ガス雰
囲気とされており、この不活性ガス雰囲気内で、基板と
シールド部材とを接着剤で貼り合わせることにより、前
記気密空間内に前記不活性ガスを閉じ込めて、シールド
部材に不活性ガス導入用の封入口を必要としない有機エ
レクトロルミネッセンス表示装置を得る有機エレクトロ
ルミネッセンス表示装置の製造方法。 (2) 前記搬送工程を、内部が、真空とされている
か、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の気密空間
に充填する不活性ガスであって水分含有量が100pp
m以下の不活性ガスが封入された搬送ボックス内に、前
記有機エレクトロルミネッセンス積層構造体を収容した
状態で、前記搬送工程を行なう上記(1)の有機エレク
トロルミネッセンス表示装置の製造方法。 (3) 前記積層構造体成膜工程搬送工程およびシール
ド部材組み付け工程の各作業室を気密に連結した上記
(1)の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造
方法。 (4) 基板とシールド部材を貼り合わせる接着剤とし
て、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接
着剤を用いる上記(1)〜(3)のいずれかの有機エレ
クトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 (5) 有機エレクトロルミネッセンス積層構造体を成
膜方法別に個別の真空チャンバーで真空雰囲気を維持し
たまま連続で成膜可能な積層構造体成膜部、およびこの
積層構造体成膜部に対し、気密に連通し、前記有機EL
積層構造体に対しシールド部材を組み付けるシールド部
材組み付け部を有し、このシールド部材組み付け部が、
該シールド部材組み付け部と前記積層構造体成膜部とを
接続する気密前室、およびシールド部材および/または
有機エレクトロルミネッセンス積層構造体の基板に接着
剤を施し、これらを貼り合わせる主作業室を有し、少な
くとも前記主作業室には、バキューム手段と不活性ガス
供給手段が接続され、主作業室の雰囲気を水分含有量1
00ppm以下の不活性ガス雰囲気とした状態で、上記
有機エレクトロルミネッセンス積層構造体とシールド部
材の貼り合わせを行なうことを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス表示装置の製造装置。 (6) シールド部材と有機エレクトロルミネッセンス
積層構造体の基板とを貼り合わせる前記接着剤を硬化す
る気密後室を更に備える上記(5)の有機エレクトロル
ミネッセンス表示装置の製造装置。 (7) 前記積層構造体成膜部が、内部に保持搬送手段
を有する真空槽を有し、前記個別の真空チャンバーがこ
の真空槽の周囲に配置されている上記(5)または
(6)の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造
装置。 (8) 基板とシールド部材を貼り合わせる接着剤とし
て、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接
着剤を用いる上記(5)〜(7)のいずれかの有機エレ
クトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的構成につい
て詳細に説明する。本発明の製造装置により製造される
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構成例を図1
に示す。この図に示される有機エレクトロルミネッセン
ス表示装置は、基板D1、この基板D1上に設けられた
有機EL積層構造体部分D10、および基板D1上に設
けられた有機EL積層構造体部分D10を密閉する箱形
のシールド部材D20を有している。
【0011】上記シールド部材D20は、ガラス、金
属、セラミックス、低透湿性高分子材料等で形成された
ものであることが好ましい。このシールド部材D20
は、全体が一体で、封入口等が無い連続部材で構成さ
れ、例えば矩形等である上面部材D21、およびこの上
面部材D21の全周囲から下方に延びる垂直部材D22
を備えた箱形である。垂直部材D22の下部は、接着剤
D30により基板D1に密閉接着され、内部に気密空間
40を構成している。用いる接着剤としては、紫外線硬
化型、熱硬化型のいずれであってもよいが、有機EL積
層構造体部分が、各有機EL構成材料のガラス転移温度
(80〜100℃)以上になると、材料の軟化により劣
化してしまうので、紫外線硬化型のものを用いることが
好ましい。
【0012】接着剤としては、特に、カチオン硬化タイ
プの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を用いることが好
ましい。有機エレクトロルミネッセンス積層構造体部分
の各層構成材料のガラス転移温度が130℃以下、特に
80〜100℃程度であるため、通常の熱硬化型の接着
剤を用いると、その硬化温度が130〜180℃程度で
あるので、その硬化の際に有機エレクトロルミネッセン
ス積層構造体部分が軟化してしまい、特性の劣化が生じ
てしまうという問題がある。一方、紫外線硬化型接着剤
の場合は、このような有機エレクトロルミネッセンス積
層構造体部分の軟化というような問題は生じないが、現
在一般に用いられている紫外線硬化型接着剤はアクリル
系であるため、その硬化の際にその成分中のアクリルモ
ノマーが揮発し、それが上記有機エレクトロルミネッセ
ンス積層構造体部分の各構成材料に悪影響を及ぼし、そ
の特性を劣化させるという問題を知見した。そこで、以
上のような問題のない、あるいは極めて少ない接着剤を
鋭意検討し、上記のカチオン硬化タイプの紫外線硬化型
エポキシ樹脂接着剤を用いることが好ましいと判断し
た。
【0013】なお、紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤と
して市販されているものの中には、紫外線加熱硬化併用
型のエポキシ樹脂接着剤が含まれる場合があるが、この
場合には、ラジカル硬化タイプのアクリル系樹脂と加熱
硬化タイプのエポキシ樹脂が混合あるいは変性してある
場合が多く、前記のアクリル系樹脂のアクリルモノマー
の揮発の問題や熱硬化型エポキシ樹脂の硬化温度の問題
が解決しておらず、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス表示装置に用いる接着剤としてはあまり好ましくな
い。
【0014】カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキ
シ樹脂接着剤とは、主たる硬化剤として紫外線等の光照
射による光分解でルイス酸触媒を放出するルイス酸塩型
硬化剤を含み、光照射により発生されたルイス酸が触媒
となって主成分であるエポキシ樹脂がカチオン重合型の
反応機構により重合し、硬化するタイプの接着剤であ
る。
【0015】上記接着剤の主成分たるエポキシ樹脂とし
ては、エポキシ化オレフィン樹脂、脂環式エポキシ樹
脂、ノボラックエポキシ樹脂等が挙げられる。また、上
記硬化剤としては、芳香族ジアゾニウムのルイス酸塩、
ジアリルヨードニウムのルイス酸塩、トリアリルスルホ
ニウムのルイス酸塩、トリアリルセレニウムのルイス酸
塩等が挙げられる。
【0016】上記気密空間D40内には、He、N2
Ar等の不活性ガスが充填されている。また、この気密
空間D40内の不活性ガスの水分含有量は、100pp
m以下、好ましくは10ppm以下、特に好ましくは、
1ppm以下であることが望ましい。この水分含有量に
特に下限値はないが、通常0.1ppm程度である。
【0017】上記した例においては、シールド部材とし
て箱形のものを説明したが、このシールド部材は、図2
に示したように、平板状のシールド部材D50であって
もよい。このように、平板状のシールド部材D50を用
いる場合には、基板D1の上に接着剤を例えばディスペ
ンサによりパターン状に配し、この接着剤を硬化させ
て、有機EL積層構造体部分D10の高さより僅かに高
いスペーサ部D60を形成しておき、この上にシールド
部材D50を接着剤D30を用いて接着して内部に気密
空間D40を形成することが好ましい。このとき、有機
EL積層構造体部分D10全体の高さが通常300〜5
00nm程度であるので、スペーサ部D60の高さは1
〜500μm程度に設定することが好ましい。この気密
空間D40の内部も上記の例と同様の水分含有量の低い
不活性ガスが充填されている。
【0018】また、接着剤D30中にある程度以上の剛
性のある微小粒子を分散させておき、接着剤D30で形
成される層そのもので、上記のスペーサ部D60の作用
も行なわさせ、これによってこのスペーサ部D60を省
略することもできる。この微小粒子の直径は、1〜50
0μm、特に5〜100μm程度が好ましい。また、こ
の微小粒子の材質としては、ジビニルベンゼン、ベンゾ
グアナミン、スチレン等の高分子材料、もしくはシリ
カ、グラスファイバー、ガラスビーズ等の無機材料を用
いることが好ましい。
【0019】なお、接着剤と微小粒子の総量のうち、微
小粒子は、0.1〜30wt%、特に1〜10wt%とする
ことが好ましい。上記の量未満のときには、分散された
微小粒子の単位面積当たりの数量が少なくなるためにス
ぺーサとして十分に機能しなくなり、一方、上記の量を
超えると、微小粒子の凝集が発生しやすくなり、微小粒
子の直径に相当するスペースが得られなくなるばかりで
なく、粘度の上昇によりディスペンサ塗布作業が困難に
なったり、十分な接着強度が得られなくなる場合がある
からである。
【0020】なお、有機エレクトロルミネッセンス表示
装置のいずれの構造例においても、図示したように、シ
ールド部材と基板を接着するための接着剤は有機エレク
トロルミネッセンス積層構造体部分から離して設けるこ
とが好ましい。これは、接着剤が、有機エレクトロルミ
ネッセンス積層構造体部分の層間に侵入し、剥離等を生
じさせて劣化させるおそれがあるからである。
【0021】次に、図1および図2における有機EL積
層構造体部分D10の層構成の一例について図3を参照
しつつ以下説明する。
【0022】同有機EL積層構造体部分D10は、基板
D1上に、陽電極D11、正孔注入・輸送層D12、発
光層D13、電子注入輸送層D14、および陰電極D1
5を順次有する。
【0023】本発明で用いることのできる有機EL積層
構造体部分の構造は、図示例に限らず、種々の構成とす
ることができ、例えば発光層と、電子注入輸送層と混合
したり、また必要に応じ、この発光層を正孔注入輸送層
と混合してもよい。
【0024】上記基板は、基板側から発光した光を取り
出す構成の場合、ガラスや石英、樹脂等の透明ないし半
透明材料を用いて形成する。また、基板に色フィルター
膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜
を用いて発光色をコントロールしてもよい。
【0025】本発明において、陽電極として用いられる
透明電極は、好ましくは発光した光の透過率が80%以
上となるように陽電極の材料および厚さを決定すること
が好ましい。具体的には、例えば、錫ドープ酸化インジ
ウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム(IZ
O)、SnO2 、ドーパントをドープしたポリピロール
などを陽電極に用いることが好ましい。また、陽電極の
厚さは10〜500nm程度とすることが好ましい。ま
た、素子の信頼性を向上させるために駆動電圧が低いこ
とが必要である。
【0026】本発明において使用される陰電極の構成材
料としては、電子注入を効果的に行うために、低仕事関
数の物質として、例えば、K、Li、Na、Mg、L
a、Ce、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、S
n、Zn、Zr等の金属元素単体、または安定性を向上
させるためにそれらを含む2成分、3成分の合金系を用
いることが好ましい。合金系としては、例えばAg・M
g(Ag:1〜20at%)、In・Mg(Mg:50〜
80at%)、Al・Ca(Ca:5〜20at%)等が好
ましい。したがって、ターゲットとしては、通常このよ
うな陰電極構成金属、合金を用いる。
【0027】また、陰電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすればよく、50nm以上、好
ましくは100nm以上とすればよい。また、その上限値
には特に制限はないが、通常膜厚は100〜500nm程
度とすればよい。
【0028】次に、本発明のEL素子に設けられる有機
物層について述べる。
【0029】発光層は、正孔(ホール)および電子の注
入機能、それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により
励起子を生成させる機能を有する。発光層には比較的電
子的にニュートラルな化合物を用いることが好ましい。
【0030】電荷輸送層は、陽電極からの正孔の注入を
容易にする機能、正孔を輸送する機能および電子を妨げ
る機能を有し、正孔注入輸送層とも称される。
【0031】電子注入輸送層は、陰電極からの電子の注
入を容易にする機能、電子を輸送する機能および正孔を
妨げる機能を有する。この電子注入輸送層は、発光層に
用いる化合物の電子注入輸送機能がさほど高くないとき
などに設けて特に望ましい。
【0032】正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、
発光層へ注入される正孔や電子を増大・閉じ込めさせ、
再結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。
【0033】なお、正孔注入輸送層および電子注入輸送
層は、それぞれにおいて、注入機能を持つ層と輸送機能
を持つ層とに別個に設けてもよい。
【0034】発光層の厚さ、正孔注入輸送層の厚さおよ
び電子注入輸送層の厚さは特に限定されず、形成方法に
よっても異なるが、通常、5〜100nm程度、特に10
〜100nmとすることが好ましい。
【0035】正孔注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送
層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光層
の厚さと同程度もしくは1/10〜10倍程度とすれば
よい。電子もしくは正孔の、各々の注入層と輸送層を分
ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層は20nm以上と
するのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの
上限は、通常、注入層で100nm程度、輸送層で100
nm程度である。このような膜厚については注入輸送層を
2層設けるときも同じである。
【0036】また、組み合わせる発光層や電子注入輸送
層や正孔注入輸送層のキャリア移動度やキャリア密度
(イオン化ポテンシャル・電子親和力により決まる)を
考慮しながら、膜厚をコントロールすることで、再結合
領域・発光領域を自由に設計することが可能であり、発
光色の設計や、両電極の干渉効果による発光輝度・発光
スペクトルの制御や、発光の空間分布の制御を可能にで
きる。
【0037】上記発光層には発光機能を有する化合物で
ある蛍光性物質を含有させる。この蛍光性物質として
は、例えば、特開昭63−264692号公報等に開示
されているようなトリス(8−キノリノラト)アルミニ
ウム等の金属錯体色素が挙げられる。この他、これに加
え、あるいは単体で、キナクリドン、クマリン、ルブレ
ン、スチリル系色素、その他テトラフェニルブタジエ
ン、アントラセン、ペリレン、コロネン、12−フタロ
ペリノン誘導体等を用いることもできる。発光層は電子
注入輸送層を兼ねたものであってもよく、このような場
合はトリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用
することが好ましい。これらの蛍光性物質を蒸着等すれ
ばよい。
【0038】また、電子注入輸送層には、トリス(8−
キノリノラト)アルミニウム等の有機金属錯体、オキサ
ジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、
ピリミジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導
体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘
導体等を用いることができる。上述のように、電子注入
輸送層は発光層を兼ねたものであってもよく、このよう
な場合はトリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を
使用することが好ましい。電子注入輸送層の形成も発光
層と同様に蒸着等によればよい。
【0039】なお、電子注入輸送層を電子注入層と電子
輸送層とに分けて設層する場合は、電子注入輸送層用の
化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いること
ができる。このとき、陰電極側から電子親和力の値の大
きい化合物の層の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については電子注入輸送層を2層以上設ける
ときも同様である。
【0040】また、正孔注入輸送層には、例えば、特開
昭63−295695号公報、特開平2−191694
号公報、特開平3−792号公報、特開平5−2346
81号公報、特開平5−239455号公報、特開平5
−299174号公報、特開平7−126225号公
報、特開平7−126226号公報、特開平8−100
172号公報、EP0650955A1等に記載されて
いる各種有機化合物を用いることができる。例えば、テ
トラアリールベンジシン化合物(テトラアリールジアミ
ンないしテトラフェニルジアミン:TPD)、芳香族三
級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、ト
リアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有
するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等であ
る。これらの化合物は2種以上を併用してもよく、併用
するときは別層にして積層したり、混合したりすればよ
い。
【0041】正孔注入輸送層を正孔注入層と正孔輸送層
とに分けて設層する場合は、正孔注入輸送層用の化合物
のなかから好ましい組合せを選択して用いることができ
る。このとき、陽電極(ITO等)側からイオン化ポテ
ンシャルの小さい化合物の層の順に積層することが好ま
しい。また陽電極表面には薄膜性の良好な化合物を用い
ることが好ましい。このような積層順については、正孔
注入輸送層を2層以上設けるときも同様である。このよ
うな積層順とすることによって、駆動電圧が低下し、電
流リークの発生やダークスポットの発生・成長を防ぐこ
とができる。また、素子化する場合、蒸着を用いている
ので1〜10nm程度の薄い膜も、均一かつピンホールフ
リーとすることができるため、正孔注入層にイオン化ポ
テンシャルが小さく、可視部に吸収をもつような化合物
を用いても、発光色の色調変化や再吸収による効率の低
下を防ぐことができる。
【0042】正孔注入輸送層は、発光層等と同様に上記
の化合物を蒸着すればよい。
【0043】本発明の有機EL積層構造体部分は、通状
の方法により形成すればよい。たとえば、発光層等の有
機物層は真空蒸着等により、陽電極および陰電極は蒸着
やスパッタ等により、それぞれ成膜することができる
が、これらの膜のそれぞれは、必要に応じてマスク蒸着
または膜形成後にエッチングなどの方法によってパター
ニングでき、これによって、所望の発光パターンを得る
ことができる。さらには、基板が薄膜トランジスタ(T
FT)であって、そのパターンに応じて各膜を形成する
ことでそのまま表示および駆動パターンとすることもで
きる。最後に、SiOX 等の無機材料、テフロン等の有
機材料からなる保護層を形成してもよい。
【0044】本発明の有機EL素子は、通常、直流駆動
型のEL素子として用いられるが、交流駆動またはパル
ス駆動とすることもできる。印加電圧は、通常、2〜2
0V程度とされる。
【0045】次に、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス表示装置の製造装置(以下、単に本製造装置と称す
ることがある)の好ましい例について説明する。
【0046】本製造装置は、有機EL積層構造体の成膜
部LPと、この有機EL積層構造体にシールド部材を組
み付ける組付部MPとを備え、これらの成膜部LPと組
付部MPは気密に連結されている。
【0047】成膜部LPは、図4に示すように、中空軸
状の真空槽1、ロボット2、保持部3、有機ELウェー
ハ4、基板挿入部10、作業用真空室11〜15、有機
EL積層構造体移送部16、およびゲートバルブ20を
備えている。
【0048】真空槽1にはロボット2が設置され、また
真空槽1の周壁には作業用真空室11〜15が、クラス
タ状に配置され、ゲートバルブ20を介して連通されて
いる。また真空槽1には密封できる基板挿入部10が形
成されている。ガラス基板D1に透明電極D11を形成
した有機ELウェーハ4が、ロボット2により、基板挿
入部10を経て真空室1に挿入され、作業用真空室11
〜15にその順に、または任意に定められた順序で挿入
され、順に正孔注入輸送層D12、発光層D13、電子
注入輸送層D14、陰電極D15、図示していないA1
層等を連続的に形成することにより有機EL素子が製造
される。
【0049】ロボット2は、有機ELウェーハ4を順次
作業用真空室11〜15に挿入し、取出すものであり、
例えば3本のアーム2−1、2−2、2−3を有する。
これらのアーム2−1〜2−3は、そのアーム2−3の
先端に形成された保持部3が上下左右の360°の全方
向に移動回転可能に構成されている。
【0050】保持部3は、有機ELウェーハ4が保持さ
れた保持板5を載置するものであり、その先端には、後
述する支持基部6のスロット6−1、6−2に進入され
る突出部3−1、3−2が形成されている(図7参
照)。
【0051】作業用真空室11は、例えば正孔注入輸送
層32を蒸着する蒸着工程用の真空室であり、図5はそ
のA−A線断面図である。この断面図に示されるように
作業用真空室11には支持基部6、加熱部7、蒸着源1
7が具備されている。作業用真空室11では正孔注入輸
送層D12が蒸着される。
【0052】支持基部6は、有機ELウェーハ4が保持
された保持板5が載置されるものであり、図7に示す如
く、スロット6−1、6−2が形成されている。図7の
状態において、ロボット2の先端部3が右方向に移動
し、その突出部3−1、3−2がスロット6−1、6−
2に進入する。このとき、突出部3−1、3−2の上面
が支持基部6の上面よりもわずかに高い状態で進入する
ので、保持板5はそのまま支持基部6上に移動する。そ
して所定の位置に進入したとき、先端部3が下降するの
で、保持板5は支持基部6上の所定の位置に載置され
る。
【0053】この状態で、ゲートバルブ20を閉じ、加
熱部7に通電すれば、蒸着源17が有機ELウェーハ4
上に蒸着される。そして蒸着終了後、再びゲートバルブ
20を開き、ロボット2の先端部3の上面が支持基部6
の上面よりも低い状態で突出部3−1、3−2がスロッ
ト6−1、6−2に進入させ、所定の位置に進入したと
き、先端部3を若干上昇させる。これにより蒸着処理さ
れた有機ELウェーハ4が先端部3に再び載置される。
これを作業用真空室11の外に移動し、次の作業用真空
室12内の支持基部6上に同様に載置する。このように
して順次作業用真空室における成膜処理を行うことがで
きる。なお図7に示す如く、マスク9を設け、マスク蒸
着することもできる。
【0054】作業用真空室12は発光層D13を蒸着す
るものであり、作業用真空室13は電子注入輸送層D1
4を蒸着するものであり、作業用真空室14は陰電極D
15を蒸着するものであるので、これらの各室は、前記
作業用真空室11と同様に構成されている。
【0055】作業用真空室15は例えばA1層をスパッ
タリングにより形成するスパッタリング工程用の真空室
であり、図6はそのB−B断面図である。この断面図に
示されるように、スパッタリング用の作業用真空室15
でも、蒸着用の作業用真空室と同様に支持基部6が設け
られている。そしてその上方に電極18が設置され、そ
の前面にターゲット19が配置されている。電極18に
は高周波源8により高周波電圧が印加され、室内に発生
した高周波放電によりターゲットがスパッタリングさ
れ、支持基部6上に載置された有機ELウェーハ4上に
A1層が形成される。このとき室内にArガスが導入さ
れスパッタを行う。
【0056】なお、前記作業用真空室11〜14および
作業用真空室15は、真空槽1の周辺に設置され、これ
らはいわゆるクラスター状に設置されている。
【0057】最初にガラス基板D1に透明電極D11を
形成した有機ELウェーハ4を保持板5に保持させ、こ
れを基板挿入部10の窓部より入れてロボット2の先端
部3上に載置する。それから各作業用真空室11〜15
のゲートバルブ20を開き、真空槽1を図示省略した真
空ポンプにて排気する。
【0058】そして所定の気圧に減圧されたとき、ロボ
ット2の先端部3を作業用真空室11に挿入し、その支
持基部6上に有機ELウェーハ4を保持した保持板5を
前記の如く載置したあと、そのゲートバルブ20を閉め
る。そして加熱部7を加熱し、蒸着源17から正孔注入
輸送層D12を蒸着させる。
【0059】このようにして正孔注入輸送層D12が形
成された後、作業用真空室11では、ゲートバルブ20
を開き、ロボット2の先端部3を駆動して、それに正孔
注入輸送層D12が形成された有機ELウェーハ4が保
持されている保持板5を、次に作業用真空室12内の支
持基部6上に載置し、そのゲートバルブ20を閉める。
そして加熱部7を加熱し、蒸着源17から発光層D13
を蒸着させる。
【0060】発光層D13が形成された後、作業用真空
室12ではゲートバルブ20を開き、ロボット2の先端
部3を駆動して、それに発光層D13が形成された有機
ELウェーハ4が保持されている保持板5を、次の作業
用真空室13内の支持基部6上に載置し、そのゲートバ
ルブ20を閉める。そして加熱部7を加熱し、蒸着源1
7から電子注入輸送層D14を蒸着させる。
【0061】このように電子注入輸送層D14が形成さ
れた後、作業用真空室13ではゲートバルブ20を開
き、ロボット2の先端部3を駆動して、それに電子注入
輸送層D14が形成された有機ELウェーハ4が保持さ
れている保持板5を、次の作業用真空室14内に支持基
部6上に載置し、そのゲートバルブ20を閉める。そし
て、加熱部7を加熱し、蒸着源17から陰電極D15を
蒸着させる。
【0062】陰電極D15が形成された後、作業用真空
室14ではゲートバルブ20を開き、ロボット2の先端
部3を駆動して、それに陰極35が形成された有機EL
ウェーハ4が保持されている保持板5を、次の作業用真
空室15内の支持基部6上に載置し、そのゲートバルブ
20を閉める。そして電極18に高周波源8より高周波
を印加し、高周波放電を発生させ、ターゲット19をス
パッタして有機ELウェーハ4上にA1層が形成され
る。
【0063】このようにA1層が形成された後、作業用
真空室15ではゲートバルブ20を開き、ロボット2の
先端部3を駆動して、有機EL積層構造体を保持してい
る保持板5を真空に保たれた有機EL積層構造体移送部
16に移送する。
【0064】なお、前記説明では、支持基部6を各作業
用真空室の下に位置した例について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、図8に蒸着用の作業
用真空室11’として代表的に示す如く、蒸着用の加熱
部7、蒸着源17を下方におき、支持基部6を上方にお
いてもよい。この場合には基板4の縁部を保持するため
の複数の爪21を設ける。なお点線22で示した部分は
突出部3−1、3−2が進入する部分である。
【0065】同様に図9に示す如く、スパッタリング用
の作業用真空室15’としては、電極18やターゲット
19を下方におき支持基部6を上方においてもよい。
【0066】このとき、当然のことながら有機ELウェ
ーハ4は蒸着源17あるいはターゲット19側に面して
いる。そして支持基部6には、この有機ELウェーハ4
の載置部分の下方に穴部が形成されている。
【0067】また作業用真空室の配置は、その作業順に
従って左廻りに配置した例について説明したが、作業用
真空室の配置は作業順に限定されるものではなく、任意
に配置できる。この場合、ロボット2の有機ELウェー
ハの駆動先が作業順に従って行われることになる。勿論
作業順は右廻りでもよい。
【0068】作業用真空室の数も、図4に示すものに限
定されるものではなく、例えば層数の増加などにより工
程数が増加すればこれに応じて増加することができる。
【0069】また、以上の例においては、各作業用真空
室が真空槽の周囲に配置されたいわゆるクラスタータイ
プのものについて説明したが、各作業用真空室が真空を
破らずに直線状に配置されたいわゆるインラインタイプ
のものであってもよい。
【0070】上記組付部MPは、図4に示したように、
上記有機EL積層構造体移送部16と気密に連結された
主作業室110を備え、必要に応じて、気密後室130
を備えている。なお、以下の説明においては、上記した
積層構造体移送部16を、組付部MPの気密前室120
として説明する。
【0071】上記主作業室110と、気密前室120お
よび気密後室130の間には、開閉可能な第1および第
2気密シャッター121および131が設けられて、上
記主作業室110内を気密に保っている。また、気密前
室120の大気側には、この気密前室120内に有機エ
レクトロルミネッセンス表示装置の構成部材の搬入口が
形成され、ここに第3気密シャッター122(ゲートバ
ルブ20)が設けられている。気密前室120は、この
第3気密シャッター122と上記第1気密シャッター1
21により、その内部が気密に保たれるようになってい
る。一方、気密後室130の大気側には、この気密後室
130から製造済みの有機エレクトロルミネッセンス表
示装置の取り出し口が形成され、ここに第4気密シャッ
ター132が設けられている。気密後室130は、この
第4気密シャッター132と上記第2気密シャッター1
31により、その内部が気密に保たれるようになってい
る。
【0072】上記主作業室110、気密前室120およ
び気密後室130は、第1、第2および第3開閉バルブ
140、141および142を介して不活性ガス供給装
置150に接続されている。この不活性ガス供給装置1
50は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の気密
空間40内に充填する不活性ガスと同じ不活性ガスを、
上記主作業室110、気密前室120および気密後室1
30に供給するためのものである。
【0073】上記主作業室110、気密前室120およ
び気密後室130には、また、それぞれ第1、第2およ
び第3バキュームポンプ160、161および162が
それぞれ接続され、それぞれの室内の真空引きを行な
う。主作業室110に接続された第1バキュームポンプ
160を、第2および第3バキュームポンプ161およ
び162にも接続して、当初全室をこの第1バキューム
ポンプ160で真空引きしてもよい。このため、第1バ
キュームポンプ160を大型とすることが好ましい。
【0074】なお、上記気密前室120は、有機EL積
層構造体部分の成膜装置と連続して形成されることが好
ましい。
【0075】一方、上記気密後室130には、有機EL
積層構造体部分10が積層された基板1とシールド部材
20とを接着するための接着剤を硬化するための接着剤
硬化装置133が設けられている。この接着剤硬化装置
133は、用いる接着剤が熱硬化型の場合は、ヒーター
とし、用いる接着剤が紫外線硬化型の場合は紫外線発生
装置を用いる。上記したように、通常、有機EL積層構
造体部分が、各有機EL構成材料のガラス転移温度(8
0〜100℃)以上になると、材料の軟化により劣化し
てしまうので、接着剤としては、紫外線硬化型のものを
用いることが好ましく、従って、この接着剤硬化装置1
33も紫外線発生装置を用いることが好ましい。適当な
照射時間、例えば数秒〜数10分で十分に接着剤を硬化
するために、50〜1000mW/cm2 の照度が得ら
れる紫外線発生装置を用いることが好ましい。
【0076】次に、以上の組付部MPを用いての有機エ
レクトロルミネッセンス表示装置の製造方法について説
明する。なお、基板1上での有機EL積層構造体部分
は、上記成膜部LPで成膜されたものとする。なお、以
下の説明においては、基板も含めて有機EL積層構造体
部分と称する。
【0077】まず、気密前室120の真空引きを行う。
このときの真空度は、10-4〜10 -6Pa程度とするこ
とが好ましい。
【0078】一方、気密作業室100の主作業室11
0、および気密後室130においては、真空引きを行
い、これらの室内に不活性ガスを注入する。この真空引
きと不活性ガスの注入は、数回繰り返して行い、これら
の室内の不活性ガスの純度を90〜99.9%、好まし
くは99.0〜99.9%とし、また、水分含有率を1
00ppm、以下、好ましくは10ppm以下、特に好
ましくは1ppmとする。この水分含有率は低ければ低
いほどよいが、現在のところ、達成できる水分含有率は
0.1ppm程度である。以上により、主作業室110
および気密後室130の内部雰囲気は、水分含有率が1
00ppm以下の不活性ガス雰囲気となる。なお、この
ように主作業室110および気密後室130の内部雰囲
気を100ppmの水分含有率の不活性ガス雰囲気とす
るためには、主作業室110および気密後室130を経
由する不活性ガス循環経路を形成しておき、この不活性
ガス循環経路の一部に、不活性ガスのための乾燥装置を
設けておき、不活性ガスを循環させながら、上記各室内
の水分を徐々に除去し、これによって、各室内の雰囲気
を上記のような条件の不活性ガス雰囲気としてもよい。
【0079】次いで、第3シャッターを開き、上記気密
前室120に、複数の有機EL積層構造体部分10とシ
ールド部材20または50を搬入し、この搬入の後、第
3シャッターを閉じる。シールド部材は、有機ELウェ
ーハと同時にロボット2により、あらかじめ真空槽1内
の所定の位置に配置しておくことが望ましい。または、
気密前室120または主作業室110に気密に連続され
たシールド部材材室からロボット等により供給するよう
にしてもよい。
【0080】次いで、気密前室120に主作業室110
の不活性ガスと同じ不活性ガスを導入した後、上記第1
シャッターを開いて、有機EL積層構造体部分とシール
ド部材を主作業室110内に搬送し、ここで有機EL積
層構造体部分の基板および/またはシールド部材の接着
面に接着剤を塗布する。ついで、有機EL積層構造体部
分の基板とシールド部材の接着面同士が合わされる(こ
れを組み立て済み部材と称す)。
【0081】この後、第2シャッターを開いて、この組
み立て済み部材を気密後室130に搬入し、接着剤硬化
装置133を作動させて、上記接着剤を硬化させ、上記
の図1または2の有機エレクトロルミネッセンス表示装
置を完成する。
【0082】最後に、第4シャッターを開いて完成した
有機エレクトロルミネッセンス表示装置を取り出す。
【0083】以上により、気密空間30内に不活性ガス
が充填された有機エレクトロルミネッセンス表示装置を
封入口無しに製造することができる。
【0084】以上の説明では、積層構造体成膜部とシー
ルド部材組み付け部とが、気密に連結されている場合に
ついて説明したが、これらの積層構造体成膜部とシール
ド部材組み付け部とは、必ずしも気密に連結されている
必要はない。この場合は、搬送ボックス付きのコンベア
を用いることが望ましい。上記搬送ボックスは、アルミ
ニューム、ステンレススチール等の金属材料、もしくは
透湿性、吸湿性の低い高分子材料等で形成されており、
気密ボックスとなっている。この搬送ボックスの内部雰
囲気は、真空とされているか、あるいは水分含有率が1
00ppm以下の不活性ガス雰囲気とされる。不活性ガ
スとしては、窒素ガス、アルゴンガス等が好ましい。こ
の雰囲気は、シールド部材組み付け部の雰囲気にならっ
て設定されることが好ましい。そして、その内部に有機
エレクトロルミネッセンス積層構造体を収容した状態
で、積層構造体成膜部からシールド部材組み付け部への
搬送を行なう。搬送自体は、チェーンコンベア、台車等
を用いることが望ましい。有機EL積層構造体の積層構
造体成膜部から搬送ボックス内への移動、搬送ボックス
からシールド部材組み付け部への移動も真空室や不活性
ガス雰囲気室において行い、有機EL積層構造体が大気
に曝されないようにする。なお、本発明においては、こ
のように気密ボックスである搬送ボックスを用いる場合
も、積層構造体成膜部とシールド部材組み付け部は、気
密に連通されているものとする。
【0085】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。 <実施例1>この実施例では、図4に示した製造装置を
用いた。厚さ1.1mmのガラス基板上にITOを厚さ
200nmにスパッタ法にて透明電極としてパターニング
し、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗
浄し、次いで煮沸エタノール中から引き上げて乾燥し
た。この透明電極表面をUV/O3 洗浄した後、真空蒸
着装置の基板ホルダーに固定して、槽内を1×10-4Pa
以下まで減圧した。
【0086】次いで減圧状態を保ったまま、4,4’,
4”トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)フェ
ニルアミン(MTDATA)を蒸着速度0.2nm/secで
40nmの厚さに蒸着し、正孔注入層とした。そして、こ
の上に、減圧状態を保ったまま、N,N,N’,N’テ
トラキス(3−ビフェニル)−4,4’−ジアミノ−
1,1’−ビフェニル(TPD)を蒸着速度0.2nm/s
ecで35nmの厚さに蒸着し、正孔輸送層とした。
【0087】さらに、減圧を保ったまま、Alq3 :ト
リス(8−キノリノラト)アルミニウムを蒸着速度0.
2nm/secで50nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・発
光層とした。
【0088】次いで、真空蒸着装置からスパッタ装置に
移し、DCスパッタ法にてAg・Mg合金(Mg:5at
%)をターゲットとして、陰電極をレート15nm/min
で200nmの厚さに成膜した。このときのスパッタガス
にはArを用い、ガス圧は0.5Paとした。また、投入
電力は500W、グリッド電圧は6V であった。なお、
ターゲットの大きさは4インチ径、スパッタ装置の基板
−ターゲット間の距離は15cm、ターゲット−グリッド
間の距離は5cm、グリッドのメッシュ(穴)は15mm角
とした。得られた陰電極薄膜の表面の均一性を走査電子
顕微鏡で確認したところ、100nm±20%であった。
【0089】最後にAlを200nmの厚さにスパッタし
て保護層および配線層として、有機EL積層構造体部分
を得た。
【0090】一方、気密作業室100の条件を次のよう
にして準備した。気密作業室100の主作業室110、
および気密後室130の真空引きを行い、室110、1
30には不活性ガスであるArガスを注入した。この真
空引きと不活性ガスの注入は、3回繰り返して行った。
これらの室内の不活性ガスの純度は99.9%、水分含
有率は10ppmであった。
【0091】次いで、第3シャッターを開き、上記気密
前室120に、複数の有機EL積層構造体部分10とシ
ールド部材20を搬入し、この搬入の後、第3シャッタ
ーを閉じた。
【0092】次いで、上記気密前室120にArガスを
導入した後、上記第1シャッターを開いて、有機EL積
層構造体部分とガラス製シールド部材を主作業室110
内に搬送し、ここで有機EL積層構造体の基板および/
またはシールド部材の接着面に接着剤を塗布した。接着
剤としては、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキ
シ樹脂接着剤(スリーボンド社製30Y184G)を用
いた。ついで、有機EL積層構造体部分の基板とシール
ド部材の接着面同士を合わせた(これを組み立て済み部
材と称す)。
【0093】この後、第2シャッターを開いて、この組
み立て済み部材を気密後室130に搬入し、接着剤硬化
装置133を作動させて、上記接着剤を硬化させ、上記
の図1の構造の有機エレクトロルミネッセンス表示装置
を完成した。紫外線の照度は100mW/cm2 、照射
時間は60秒であった。
【0094】最後に、第4シャッターを開いて完成した
有機エレクトロルミネッセンス表示装置を取り出した。
【0095】<実施例2>積層構造体成膜部とシールド
部材組み付け部とが分離されており、形成された有機E
L積層構造体を、内部雰囲気が水分含有率10ppmの
窒素ガスの搬送ボックス内に収容し、この状態でシール
ド部材組み付け部に搬送したこと以外は上記実施例1と
同様にして有機エレクトロルミネッセンス表示装置を作
製した。
【0096】<実施例3>接着剤の硬化を大気中で行な
ったほかは、実施例1と同様にして第3実施例の有機エ
レクトロルミネッセンス表示装置を作製した。
【0097】<比較例>図1の構造の有機エレクトロル
ミネッセンス表示装置で、シールド部材(実施例1と同
じもの)に予め封入口を設けておき、有機EL積層構造
体部分とシールド部材を大気中で接着の後、封入口を介
して、気密空間の真空引き、不活性ガス(不活性ガスと
しては、実施例と同じものを用いた)の注入を行ない、
これを3回繰り返した。
【0098】この後、上記封入口を封止して、比較例の
有機エレクトロルミネッセンス表示装置を作製した。
【0099】以上作製した実施例1、2および3の有機
エレクトロルミネッセンス表示装置、および比較例の有
機エレクトロルミネッセンス表示装置に大気中で直流電
圧を印加し、10mA/cm2の一定電流密度で連続駆動させ
た。発光色はいずれも緑色であり、発光極大波長λmax
=520nmであった。発光初期の輝度、および輝度の
四半減時間を測定した。また、ダークスポットの発生状
態を評価した。その結果を表1に示した。なお、この表
1において、ダークスポットの発生状態の評価は次のよ
うにして行なった。
【0100】
【表1】
【0101】 ◎:3000時間経過しても直径100μm以上のダー
クスポットは発生しなかった。 ○:2000時間経過しても直径100μm以上のダー
クスポットは発生しなかった。 △:1000時間経過しても直径100μm以上のダー
クスポットは発生しなかった。 ×:100時間で直径100μm以上のダークスポット
が発生してしまった。
【0102】
【発明の効果】以上本発明によれば、長寿命の有機エレ
クトロルミネッセンス表示装置を容易に作製することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装
置の構成例を示す垂直断面図である。
【図2】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装
置の他の構成例を示す垂直断面図である。
【図3】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装
置の有機EL積層構造体部分の層構成の例を示す垂直断
面図である。
【図4】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装
置の製造に用いられる製造装置の構成例を説明するため
の説明図である。
【図5】図1の装置のA−A断面図であり、作業用真空
室が蒸着室である場合を示す。
【図6】図1の装置のB−B断面図であり、作業用真空
室がスパッター室である場合を示す。
【図7】作業用真空室内部に使用する支持基板とロボッ
トアームの関係を示す斜視図である。
【図8】本発明の作業用真空室の他の実施例の、図1の
装置のA−A断面図に相当する断面図であり、作業用真
空室が蒸着室である場合を示す。
【図9】本発明の作業用真空室の他の実施例の、図1の
装置のB−B断面図に相当する断面図であり、作業用真
空室がスパッター室である場合を示す。
【符号の説明】
D1 基板 D10 有機EL積層構造体部分 D20 シールド部材 D30 接着剤 D40 気密空間 LP 成膜部 MP 組付部 1 真空槽 2 ロボット 4 有機ELウェーハ 11、12、13、14、15 作業用真空室 100 気密作業室 110 主作業室 120 気密前室 130 気密後室 123 ヒーター 133 接着剤硬化装置

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 有機エレクトロルミネッセンス積層構造
    体が、その基板とシールド部材とによって形成された気
    密空間内に配置され、かつこの気密空間内に、不活性ガ
    ス導入用の封入口を必要とせずに、実質的に不活性ガス
    のみが充填されている有機エレクトロルミネッセンス表
    示装置の製造方法において、 有機エレクトロルミネッセンス積層構造体を成膜方法別
    に個別の真空チャンバーで真空雰囲気を維持したまま連
    続で成膜する積層構造体成膜工程、この積層構造体成膜
    工程で形成された有機エレクトロルミネッセンス積層構
    造体を大気に曝すことなく、真空または有機エレクトロ
    ルミネッセンス表示装置の気密空間に充填する不活性ガ
    スであって水分含有量が100ppm以下の不活性ガス
    を搬送雰囲気として次の工程に搬送する搬送工程、およ
    び前記搬送工程により、搬送されてきた有機エレクトロ
    ルミネッセンス積層構造体を大気に曝すことなくこれを
    受け、この有機エレクトロルミネッセンス積層構造体に
    対しシールド部材を組み付けるシールド部材組み付け工
    程を有し、 このシールド部材組み付け工程で用いられる作業空間
    が、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の気密空間
    に充填する不活性ガスであって水分含有量が100pp
    m以下の不活性ガス雰囲気とされており、この不活性ガ
    ス雰囲気内で、基板とシールド部材とを接着剤で貼り合
    わせることにより、前記気密空間内に前記不活性ガスを
    閉じ込めて、シールド部材に不活性ガス導入用の封入口
    を必要としない有機エレクトロルミネッセンス表示装置
    を得る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方
    法。
  2. 【請求項2】 前記搬送工程を、内部が、真空とされて
    いるか、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の気密
    空間に充填する不活性ガスであって水分含有量が100
    ppm以下の不活性ガスが封入された搬送ボックス内
    に、前記有機エレクトロルミネッセンス積層構造体を収
    容した状態で、前記搬送工程を行なう請求項1の有機エ
    レクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記積層構造体成膜工程搬送工程および
    シールド部材組み付け工程の各作業室を気密に連結した
    請求項1の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製
    造方法。
  4. 【請求項4】 基板とシールド部材を貼り合わせる接着
    剤として、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ
    樹脂接着剤を用いる請求項1〜3のいずれかの有機エレ
    クトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
  5. 【請求項5】 有機エレクトロルミネッセンス積層構造
    体を成膜方法別に個別の真空チャンバーで真空雰囲気を
    維持したまま連続で成膜可能な積層構造体成膜部、およ
    びこの積層構造体成膜部に対し、気密に連通し、前記有
    機EL積層構造体に対しシールド部材を組み付けるシー
    ルド部材組み付け部を有し、 このシールド部材組み付け部が、該シールド部材組み付
    け部と前記積層構造体成膜部とを接続する気密前室、お
    よびシールド部材および/または有機エレクトロルミネ
    ッセンス積層構造体の基板に接着剤を施し、これらを貼
    り合わせる主作業室を有し、 少なくとも前記主作業室には、バキューム手段と不活性
    ガス供給手段が接続され、主作業室の雰囲気を水分含有
    量100ppm以下の不活性ガス雰囲気とした状態で、
    上記有機エレクトロルミネッセンス積層構造体とシール
    ド部材の貼り合わせを行なうことを特徴とする有機エレ
    クトロルミネッセンス表示装置の製造装置。
  6. 【請求項6】 シールド部材と有機エレクトロルミネッ
    センス積層構造体の基板とを貼り合わせる前記接着剤を
    硬化する気密後室を更に備える請求項5の有機エレクト
    ロルミネッセンス表示装置の製造装置。
  7. 【請求項7】 前記積層構造体成膜部が、内部に保持搬
    送手段を有する真空槽を有し、前記個別の真空チャンバ
    ーがこの真空槽の周囲に配置されている請求項5または
    6の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造装
    置。
  8. 【請求項8】 基板とシールド部材を貼り合わせる接着
    剤として、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ
    樹脂接着剤を用いる請求項5〜7のいずれかの有機エレ
    クトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
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