JP2002343563A - 真空成膜方法および真空成膜装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の大きさに関わらず、撓みを生ずること
なく、膜厚を均一に成膜することができる真空成膜方法
および真空成膜装置を提供する。 【解決手段】 基板１５はその裏面の全体が基板保持具
１６により水平に保持される。蒸着源２０は真空室１１
内の上部位置に配置されている。蒸着源２０は、真空室
１１の天井面に設置された加熱ランプ２１と、加熱ラン
プ２１の下部位置に配設された蒸着坩堝２２とにより構
成される。蒸着源２０からは蒸着材料が下方に飛び出
し、蒸着源２０の下方に位置する基板１５の表面に堆積
される。基板１５の両端だけでなく底面全体を基板支持
具１６により接触状態で保持できるため、基板１５が大
型化しても撓むことがなく、均一に成膜することができ
る。基板１５を鉛直に保持し、横方向から蒸着させるよ
うにしてもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ（Electr
oluminescence)などの大型のディスプレイに用いられる
大口径の基板に対して真空蒸着法により成膜を行う真空
成膜方法および真空成膜装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】真空蒸着法は、真空雰囲気中において、
蒸着材料を加熱蒸発させ、基板上に金属等の薄膜を堆積
させる方法である。

【０００３】従来、この真空蒸着法を用いた真空成膜装
置２００は、図１０に示したように、真空室２０１内を
真空弁２０３を介して接続された真空ポンプ２０４によ
り真空に保持すると共に、真空室２０１内の底部に配設
した蒸着源２０５の開口部２０５Ａから蒸着材料２０８
を加熱蒸発させ、上方において図に矢印で示す水平方向
に搬送される基板２０６に対してマスク２０７のパター
ンに応じた成膜を行うようになっている。なお、基板２
０６は基板出入口２０２を通じて真空室２０１内に搬入
される。

【０００４】ところで、このような真空成膜装置２００
では、下面に対して成膜が行われることから、基板２０
６は図１１に取り出して示したように基板保持具２０９
により両端のみが保持されており、その状態で搬送され
成膜が行われる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
有機ＥＬ、液晶等の各種ディスプレイでは大型化が進ん
でおり、それに伴って基板も大口径化している。そのた
め、基板２０６の両端を保持する従来の方式では、図１
１に示したように基板２０６に撓みが生じてしまう。そ
のため、マスク２０７と基板２０６との間の距離を一定
に保つことが困難であり、また基板２０６を水平に保持
し搬送することが難しいため、基板２０６上に堆積され
た膜の膜厚が不均一になるという問題があった。

【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、基板が大口径化しても、基板を撓み
なく保持し、均一な膜厚の成膜を行うことができる真空
成膜方法および真空成膜装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明による第１の真空
成膜方法は、真空雰囲気中において、表面が蒸着面とな
る基板の裏面側の略全面を基板保持部材により接触状態
で保持すると共に、蒸着源から基板の蒸着面に向けて蒸
着粒子を飛び出させることにより成膜を行うものであ
る。具体的には、基板を基板保持部材により水平に保持
すると共に、蒸着源を基板の上部位置に配置し、上方か
ら基板に成膜を行う、あるいは、基板を基板保持部材に
より鉛直に保持すると共に、蒸着源を基板の側部位置に
配置し、側方から基板に成膜を行うものである。

【０００８】本発明による第２の真空成膜方法は、透光
性基板の表面に、陽極と、１または複数の有機物質層か
らなる発光層と、陰極とを有する有機ＥＬ素子の製造に
用いられる方法であって、真空雰囲気中において、透光
性基板の裏面側の略全面を基板保持部材により接触状態
で保持すると共に、蒸着源から透光性基板の表面に向け
て蒸着粒子を飛び出させることにより、陽極および発光
層の少なくとも一方の成膜を行うものである。

【０００９】本発明による第１の真空成膜装置は、真空
室と、この真空室内において、表面が蒸着面となる基板
の裏面側の略全面を接触状態で保持する基板保持部材
と、この基板保持部材により保持された基板の蒸着面に
向けて蒸着粒子を飛び出させて成膜を行う１または２以
上の蒸着源とを備えた構成を有している。具体的には、
基板保持部材は真空室内の底部において基板を水平に保
持し、かつ、蒸着源は基板保持部材に保持された基板の
上方から基板に対して成膜を行うように構成してもよ
く、あるいは、基板保持部材は真空室内の側部において
基板を鉛直に保持し、かつ、蒸着源は基板保持部材に保
持された基板の側方から基板に対して成膜を行うように
構成してもよい。

【００１０】本発明による第２の真空成膜装置は、透光
性基板の表面に、陽極と、１または複数の有機物質層か
らなる発光層と、陰極とを有する有機ＥＬ素子の製造に
用いられる装置であって、真空室と、この真空室内にお
いて、透光性基板の裏面側の略全面を接触状態で保持す
る基板保持部材と、この基板保持部材により保持された
透光性基板の蒸着面に向けて蒸着粒子を飛び出させて成
膜を行う１または２以上の蒸着源とを備えた構成を有し
ている。

【００１１】本発明による第１の真空成膜方法または真
空成膜装置では、蒸着源から、裏面側の略全面が基板保
持部材により接触状態で、従って撓みなく保持された基
板の蒸着面に向けて（すなわち、下方あるいは側方に向
けて）蒸着粒子が飛び出して成膜が行われる。

【００１２】本発明による第２の真空成膜方法または他
の真空成膜装置では、蒸着源から、裏面側の略全面が基
板保持部材により接触状態で、従って撓みなく保持され
た透光性基板の表面に向けて（すなわち、下方あるいは
側方に向けて）蒸着粒子が飛び出すことにより、陽極あ
るいは発光層の成膜が行われる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。

【００１４】〔第１の実施の形態〕図１は本発明の第１
の実施の形態に係る真空成膜装置の内部構造を表すもの
である。この真空成膜装置１０Ａは真空室１１を備えて
いる。この真空室１１の側面の下部位置には基板出入口
１２が設けられている。真空室１１には、また、真空弁
１３を介して真空排気を行う真空ポンプ１４が接続され
ている。なお、図示しないが、真空室１１には大気を内
部に導入するための大気導入弁が設けられている。

【００１５】本実施の形態では、成膜対象となる基板１
５がその裏面の全体を基板保持具１６により接触状態で
水平に保持されている。基板１５は、その保持面と反対
側の表面が蒸着面となっており、その表面にはマスク１
７が設置されている。基板保持具１６は図示しない搬送
機構により搬送レール１８に沿って紙面に対して垂直方
向に移動可能となっている。基板１５は、基板出入口１
２を通じて出し入れできるようになっている。一方、こ
の基板１５に対して成膜を行う蒸着源２０は真空室１１
内の上部位置に配設されている。

【００１６】この蒸着源２０は、真空室１１の天井面に
設置された複数例えば３個の加熱ランプ２１と、各々加
熱ランプ２１の下部位置に配設された３個の蒸着坩堝２
２とにより構成されている。蒸着坩堝２２は支持部材２
３により真空室１１の天井面に固定されている。

【００１７】蒸着坩堝２２は、図２に取り出して示した
ように、上面に開口を有する坩堝本体２２Ａと、この坩
堝本体２２Ａの開口を覆い閉鎖空間を形成するための蓋
体２２Ｂとを備えている。坩堝本体２２Ａおよび蓋体２
２Ｂは、例えば石英等の透明ガラスにより形成されてい
る。坩堝本体２２Ａの底部中央部には加熱ランプ２１に
より加熱された蒸着材料２４を飛び出させるための案内
孔２２ａが設けられている。この案内孔２２ａの周囲に
は円筒状の案内部２２ｂが設けられている。蒸着材料２
４はこの案内部２２ｂと坩堝本体２２Ａの側壁との間に
収容されるようになっている。また、支持部材２３の蒸
着坩堝２２の案内孔２２ａに対向する位置には下方に向
けて広がるロート状の孔２３ｃが設けられている。

【００１８】次に、この真空成膜装置１０Ａの作用につ
いて説明する。

【００１９】まず、真空室１１内が真空弁１３を介して
真空ポンプ１４に接続され真空排気された状態にあると
する。そして、基板１５を真空室１１内に設置するため
に真空弁１３を閉じて真空室１１の真空排気を止め、大
気導入弁により窒素もしくは空気などを真空室１１の内
部に導入し、真空室１１内を真空状態から大気圧にす
る。次に、基板出入口１２より基板１５を真空室１１の
内部に設置してある基板保持具１６に取り付ける。基板
１５を取り付けた後には、マスク１７を基板１５の上面
に設置する。基板１５とマスク１７の位置合わせは、基
板１５とマスク１７に予め形成したアライメントマーク
を合わせる等の方法で行う。なお、基板保持具１６に取
り付ける前に真空室１１の外部で予めマスク１７の位置
合わせを行ってもよい。なお、基板１５にフォトレジス
ト（感光性樹脂）を用いてマスキングパターンが既に形
成されている場合にはマスク１７を用いる必要はない。

【００２０】基板保持具１６に基板１５およびマスク１
７を取り付けた後、基板出入口１２および大気導入弁を
閉じ、真空弁１３を開けて真空ポンプ１４により真空室
１１を真空排気する。真空室１１内が所定の真空圧に達
したならば、基板保持具１６に取り付けられた基板１５
が搬送レール１８に沿って（ここでは紙面に垂直方向に
沿って）搬送され、この基板１５上に蒸着源２０による
成膜が行われる。

【００２１】蒸着源２０では、坩堝本体２２Ａに収容さ
れた蒸着材料２４が、加熱ランプ２１によって加熱され
粒子状になり上方向に流れようとするが、坩堝本体２２
Ａおよび蓋体２２Ｂによって構成された閉鎖空間内を案
内部２２ｂに沿って矢印のように流れ、坩堝本体２２Ａ
の底面に設けられた案内孔２２ａ、更に支持部材２３に
設けられた孔２２ｃを通って飛び出し、蒸着源２０の下
方にある基板１５の表面に堆積される。その結果、基板
１５の上にはマスク１７の形状でパターンが形成され
る。

【００２２】本実施の形態では、加熱された蒸着材料２
４が蒸着源２０から下方へ向かって飛び出すようにし、
蒸着源２０の下方に位置する基板１５の上に成膜される
ようにしたので、基板１５およびマスク１７を両端だけ
でなく底面全体を基板支持具１６により接触状態で支持
することが可能となる。従って、基板１５が大型化して
も、基板１５およびマスク１７が撓むことがないので、
基板１５を安定して保持し、搬送させることができ、そ
のため基板１５上に成膜された膜の膜厚が均一になる。

【００２３】このように本実施の形態の真空蒸着装置１
０Ａは、均一に成膜できることから、各種薄膜デバイス
の製造に好適に用いることができる。例えば、図３に示
したような透明ガラス等により形成された透光性基板１
０１の表面に、例えばＩＴＯ（Indium-Tin Oxide: イン
ジウムと錫の酸化物混合膜）により形成される陽極１０
２と、１または複数の有機物質層からなる発光層１０３
と、例えばＭｇ（マンガン）により形成される陰極１０
４とを有する有機ＥＬ素子１００の、特に陽極１０２あ
るいは発光層１０３のパターニングに好適に用いること
ができる。勿論、陰極１０４の形成に用いることも可能
である。これにより膜厚の均一すなわち特性の安定した
素子を得ることができ、大型の有機ＥＬディスプレイを
容易に実現することができる。

【００２４】〔変形例〕上記第１の実施の形態では、蒸
着源２０の加熱手段として加熱ランプ２１を用いたが、
例えば図４に示したように抵抗加熱を用いるようにして
もよい。この蒸着源３０は、例えば２組の電極棒３１
Ａ，３１Ｂと、これら２組の電極棒３１Ａ，３１Ｂの先
端部間に接続された２つの蒸着ボート３２とにより構成
されている。電極棒３１Ａ，３１Ｂはそれぞれ真空室１
１の天井面に固定された電流導入端子３２Ａ，３２Ｂに
連結されている。

【００２５】蒸着ボート３２は、図５に取り出して示し
たように、上面に開口を有するボート本体３３Ａと、こ
のボート本体３３Ａの開口を覆う蓋体３３Ｂとを備えて
いる。ボート本体３３Ａおよび蓋体３３Ｂは例えばＴａ
（タンタル）により形成されている。ボート本体３３Ａ
と蓋体３３Ｂとの間には例えばＴａ（タンタル）により
形成された抵抗体３２Ｃが介在している。抵抗体３２Ｃ
の両端部はそれぞれ電極棒３１Ａ，３１Ｂに電気的に接
続されている。この抵抗体３２Ｃの中央部には孔３２
ａ、また、孔３２ａの周囲にはリング状の溝３２ｂが形
成されている。一方、ボート本体３３Ａの底部中央部に
は加熱された蒸着材料２４を飛び出させるための案内孔
３２ｃが形成され、この案内孔３２ｃの周囲には円筒状
の案内部３２ｄが設けられている。蒸着材料２４はこの
案内部３２ｄとボート本体３３Ａの側壁との間に収容さ
れるようになっている。

【００２６】すなわち、この蒸着源３０では、電流導入
端子３２Ａ，３２Ｂ間に電流を流すことにより蒸着ボー
ト３２内の抵抗体３２Ｃが発熱し、蒸着材料２４が加熱
される。そして、蒸発した蒸着材料２４は、図５に矢印
で示した方向に流れ、抵抗体３２Ｃの溝３２ｂを通過し
た後、蓋体３３Ｂにより下方向に反転された後、抵抗体
３２Ｃの孔３２ａを通過し、更にボート本体３３Ａに設
けられた案内孔３２ｃを通って下方に飛び出す。その他
の作用効果は上記実施の形態と同様であるので、その説
明は省略する。

【００２７】上記第１の実施の形態では、蒸着源２０，
３０から蒸着材料２４を下方に飛び出させるようにした
が、以下の第２の実施の形態のように、蒸着材料２４を
側方に飛び出させるようにしてもよい。

【００２８】〔第２の実施の形態〕図６は本発明の第２
の実施の形態に係る真空成膜装置１０Ｂの内部構造を表
すものである。なお、第１の実施の形態と実質的に同一
構成部分については、同一符号を付してその説明は省略
する。

【００２９】この真空成膜装置１０Ｂでは、成膜対象と
なる基板１５がその裏面の全体を基板保持具１６により
鉛直に保持されている。基板１５は保持面と反対側の表
面が蒸着面となっており、その表面にはマスク１７が設
置されている。基板保持具１６は図示しない搬送機構に
より搬送レール１８に沿って紙面に対して垂直方向に移
動可能となっている。この基板１５に対して成膜を行う
蒸着源４０は真空室１１内の側壁に沿って配設されてい
る。

【００３０】蒸着源４０は、真空室１１の側壁近傍の天
井面および底面にそれぞれ設置された複数例えば２個の
加熱ランプ４１と、各々加熱ランプ４１の対向位置に配
設された２個の蒸着坩堝４２とにより構成されている。
蒸着坩堝４２は支持部材４３を介して真空室１１の側壁
に支持されている。

【００３１】蒸着坩堝４２は、図７に取り出して示した
ように、上面に開口を有する坩堝本体４２Ａと、この坩
堝本体４２Ａの開口を覆い閉鎖空間を構成する蓋体４２
Ｂとを備えている。坩堝本体４２Ａおよび蓋体４２Ｂは
第１の実施の形態と同様に例えば石英等の透明ガラスに
より形成されている。坩堝本体４２Ａの側壁には加熱ラ
ンプ４１により加熱された蒸着材料２４を飛び出させる
ための案内孔４２ａが設けられている。蒸着材料２４は
坩堝本体４２Ａの底部に収容されるようになっている。

【００３２】この真空成膜装置１０Ｂでは、真空室１１
内が所定の真空圧に達したならば、基板保持具１６に鉛
直に保持された基板１５が搬送レール１８に沿って（こ
こでは紙面に垂直方向に）搬送され、この基板１５上に
蒸着源４０による成膜が行われる。

【００３３】本実施の形態の蒸着源４０では、蒸着坩堝
４２に収容された蒸着材料２４が、加熱ランプ４１によ
って加熱され粒子状になり上方向に流れようとするが、
坩堝本体４２Ａおよび蓋体４２Ｂによって構成された閉
鎖空間内を矢印のように方向転換して、坩堝本体４２Ａ
の側面に設けられた案内孔４２ａを通って横方向に飛び
出し、基板１５の表面に堆積される。その結果、基板１
５の上にはマスク１７の形状でパターンが形成される。

【００３４】本実施の形態では、加熱された蒸着材料２
４が蒸着源４０から側方へ向かって飛び出すようにし、
蒸着源４０の側方に配置した基板１５の上に成膜される
ようにしたので、第１の実施の形態と同様に、基板１５
およびマスク１７を端部だけでなく底面全体を基板支持
具１６により接触状態で保持することが可能となる。従
って、基板１５が大型化しても、基板１５およびマスク
１７が撓むことがないので、基板１５を安定して保持し
搬送させることができ、そのため基板１５上に成膜され
た膜の膜厚が均一になる。また、本実施の形態では、特
に、基板１５を鉛直に保持するようにしたので、基板１
５の搬送が容易となる共に、装置全体の小型化を図るこ
とも可能になる。

【００３５】〔変形例〕本実施の形態においても、蒸着
源の加熱手段として例えば図８に示したように抵抗加熱
を用いるようにしてもよい。この蒸着源５０は例えば２
組の電極棒５１Ａ，５１Ｂと、これら２組の電極棒５１
Ａ，５１Ｂの先端部間に接続された２つの蒸着ボート５
２とにより構成されている。電極棒５１Ａ，５１Ｂはそ
れぞれ真空室１１の側壁に固定された電流導入端子５２
Ａ，５２Ｂに接続されている。

【００３６】蒸着ボート５２は鉛直に配設されており、
図９に取り出して示したように、偏平形状のボート本体
５３Ａを備えている。このボート本体５３Ａは例えばＴ
ａ（タンタル）により形成されている。ボート本体５３
Ａの中間位置には仕切部５３Ｂが設けられ、この仕切部
５３Ｂには孔５２ａが設けられている。蒸着材料２４
は、ボート本体５３Ａの仕切部５３Ｂよりも下の部分に
収容されるようになっている。また、ボート本体５３Ａ
の仕切部５３Ｂよりも上の部分の側壁には加熱された蒸
着材料２４を横方向に飛び出させるための案内孔５２ｂ
が設けられている。ボート本体５３Ａの両端部はそれぞ
れ電極棒５１Ａ，５１Ｂに電気的に接続されている。

【００３７】すなわち、この蒸着源５０では、電流導入
端子５２Ａ，５２Ｂ間に電流を流すことにより蒸着ボー
ト５２自体が抵抗体として発熱し、蒸着材料２４が加熱
される。そして、蒸発した蒸着材料２４は、図８に矢印
方向で示したように、仕切部５３Ｂの孔５２ａを通過し
た後、ボート本体５３Ａの側壁の案内孔５２ｂを通って
横方向に飛び出す。その他の作用効果は上記実施の形態
と同様であるので、その説明は省略する。

【００３８】以上実施の形態を挙げて本発明を説明した
が、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形可能である。例えば、上記の実施の形態で
は基板１５を搬送させつつ成膜を行うようにしたが、蒸
着源の数を適宜設定して基板１５の位置を固定した状態
で成膜するようにしてもよい。また、蒸着材料の加熱手
段としては、ランプ加熱や抵抗加熱以外の例えば高周波
加熱等を適用することもできる。

【００３９】また、上記実施の形態では、基板１５を水
平または鉛直に支持し、蒸着材料の蒸着源から飛び出す
方向を下方向または横方向とする例について説明した
が、基板１５を傾斜して保持し、この状態で成膜するよ
うにしてもよい。要は、基板１５の裏面の略全体を接触
状態で保持する構造とし、その基板の表面に成膜できる
方向から蒸着材料が飛散するような構成とすればよい。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように本発明の真空成膜方
法または真空成膜装置によれば、表面が蒸着面となる基
板の裏面側の略全面を基板保持部材により接触状態で保
持すると共に、蒸着源から基板の表面に向けて蒸着粒子
を飛び出させて成膜を行うようにしたので、基板が大型
化しても撓むことがなくなり、基板を安定して保持し、
搬送させることができると共に、基板上に膜厚の均一な
薄膜を形成することができる。よって、有機ＥＬディス
プレイ等の各種大型のディスプレイの製造に好適に用い
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る真空成膜装置
の構造を表す断面図である。

【図２】図１の真空成膜装置における蒸着坩堝の構成を
説明するための断面図である。

【図３】図１の真空成膜装置により製造する有機ＥＬ素
子の断面図である。

【図４】第１の実施の形態の変形例に係る真空成膜装置
の構造を表す断面図である。

【図５】図４の真空成膜装置における蒸着ボートの構成
を説明するための断面図である。

【図６】本発明の第２の実施の形態に係る真空成膜装置
の構造を表す断面図である。

【図７】図６の真空成膜装置における蒸着坩堝の構成を
説明するための断面図である。

【図８】第２の実施の形態の変形例に係る真空成膜装置
の構造を表す断面図である。

【図９】図８の真空成膜装置における蒸着ボートの構成
を説明するための断面図である。

【図１０】従来の真空成膜装置の構成を表す断面図であ
る。

【図１１】従来の真空成膜装置における問題点を説明す
るための図である。

【符号の説明】

１０Ａ，１０Ｂ…真空成膜装置、１１…真空室、１２・・
・ 基板出入口、１３・・・ 真空弁、１４・・・ 真空ポンプ、
１５…基板、１６…基盤保持具、１７…マスク、１８・・
・ 搬送レール、２０，３０，４０，５０…蒸着源、２
１，４１…加熱ランプ、２２，４２…蒸着坩堝、２２
Ａ，４２Ａ・・・ 坩堝本体、２２Ｂ，３３Ｂ，４２Ｂ・・・
蓋体、２２ａ，３２ｃ，４２ａ，５２ｂ・・・ 案内孔、２
２ｂ，３２ｄ・・・ 案内部、２２ｃ，２３ｃ，３２ａ，５
２ａ・・・ 孔、２３，４３・・・ 支持部材、２４…蒸着材
料、３１Ａ，３１Ｂ，５１Ａ，５１Ｂ・・・ 電極棒、３
２，５２…蒸着ボート、３２Ａ，３２Ｂ，５２Ａ，５２
Ｂ・・・ 電流導入端子、３３Ａ，５３Ａ・・・ ボート本体、
３２ｂ・・・ 溝、３２Ｃ・・・ 抵抗体、５３Ｂ・・・ 仕切部、
１００…有機ＥＬ素子、１０１…透光性基板、１０２…
陽極、１０３…発光層、１０４…陰極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河嶋 利孝 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 柿沼 正康 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB18 DA00 DB03 EB00 FA00 FA01 FA03

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空雰囲気中において、表面が蒸着面と
   なる基板の裏面側の略全面を基板保持部材により接触状
   態で保持すると共に、蒸着源から前記基板の蒸着面に向
   けて蒸着粒子を飛び出させることにより成膜を行うこと
   を特徴とする真空成膜方法。
2. 【請求項２】 前記基板を前記基板保持部材により水平
   に保持すると共に、前記蒸着源を前記基板の上部位置に
   配置し、上方から前記基板に成膜を行うことを特徴とす
   る請求項１記載の真空成膜方法。
3. 【請求項３】 前記基板を前記基板保持部材により鉛直
   に保持すると共に、前記蒸着源を前記基板の側部位置に
   配置し、側方から前記基板に成膜を行うことを特徴とす
   る請求項１記載の真空成膜方法。
4. 【請求項４】 透光性基板の表面に、陽極と、１または
   複数の有機物質層からなる発光層と、陰極とを有する有
   機ＥＬ素子の製造に用いられる方法であって、 真空雰囲気中において、前記透光性基板の裏面側の略全
   面を基板保持部材により接触状態で保持する共に、蒸着
   源から前記透光性基板の表面に向けて蒸着粒子を飛び出
   させることにより、前記陽極および前記発光層の少なく
   とも一方の成膜を行うことを特徴とする真空成膜方法。
5. 【請求項５】 真空室と、 この真空室内において、表面が蒸着面となる基板の裏面
   側の略全面を接触状態で保持する基板保持部材と、 この基板保持部材により保持された基板の蒸着面に向け
   て蒸着粒子を飛び出させて成膜を行う１または２以上の
   蒸着源とを備えたことを特徴とする真空成膜装置。
6. 【請求項６】 前記蒸着源は、閉鎖空間内に蒸着材料を
   収容する蒸着坩堝と、この蒸着坩堝内の蒸着材料を加熱
   する加熱手段とを備え、前記蒸着坩堝に蒸発した蒸着材
   料を蒸発方向とは異なる方向から飛び出させるための案
   内孔を有することを特徴とする請求項５記載の真空成膜
   装置。
7. 【請求項７】 前記蒸着源は、閉鎖空間内に蒸着材料を
   収容する蒸着ボートと、この蒸着ボート内の蒸着材料を
   加熱する加熱手段とを備え、前記蒸着ボートに蒸発した
   蒸着材料を蒸発方向とは異なる方向から飛び出させるた
   めの案内孔を有することを特徴とする請求項５記載の真
   空成膜装置。
8. 【請求項８】 前記基板保持部材は前記真空室内の底部
   において基板を水平に保持し、かつ、前記蒸着源は前記
   基板保持部材に保持された基板の上方から前記基板の表
   面に対して成膜を行うことを特徴とする請求項５記載の
   真空成膜装置。
9. 【請求項９】 前記基板保持部材は前記真空室内の側部
   において基板を鉛直に保持し、かつ、前記蒸着源は前記
   基板保持部材に保持された基板の側方から前記基板に対
   して成膜を行うことを特徴とする請求項５記載の真空成
   膜装置。
10. 【請求項１０】 透光性基板の表面に、陽極と、１また
    は複数の有機物質層からなる発光層と、陰極とを有する
    有機ＥＬ素子の製造に用いられる装置であって、 真空室と、 この真空室内において、前記透光性基板の裏面側の略全
    面を接触状態で保持する基板保持部材と、 この基板保持部材により保持された前記透光性基板の蒸
    着面に向けて蒸着粒子を飛び出させて成膜を行う１また
    は２以上の蒸着源とを備えたことを特徴とする真空成膜
    装置。