JP2002332564A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
- Publication number
- JP2002332564A JP2002332564A JP2001139694A JP2001139694A JP2002332564A JP 2002332564 A JP2002332564 A JP 2002332564A JP 2001139694 A JP2001139694 A JP 2001139694A JP 2001139694 A JP2001139694 A JP 2001139694A JP 2002332564 A JP2002332564 A JP 2002332564A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- mask
- vapor deposition
- vacuum
- evaporation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 微細なマスクパターンの形成されたマスクを
用いて真空蒸着をできるようにした真空蒸着装置を提供
する。 【解決手段】 蒸着材料3を加熱蒸発することにより発
生する蒸着流を開口(開口部)2Aaから放出する蒸着
源2Aと、前記蒸着源2Aの前記開口(開口部)2Aa
から放出する前記蒸着流の下流位置にある基板ホルダー
4Aとを備え、前記基板ホルダー4A上に、被蒸着用の
基板5と、前記基板5の一面上を被覆するための所定パ
ターンの開口部16cを有するマスク16とを順次積層
することにより、前記マスク16の前記所定パターンの
前記開口部16cに対応する前記基板5位置に、前記蒸
着材料3を真空蒸着することとした。
用いて真空蒸着をできるようにした真空蒸着装置を提供
する。 【解決手段】 蒸着材料3を加熱蒸発することにより発
生する蒸着流を開口(開口部)2Aaから放出する蒸着
源2Aと、前記蒸着源2Aの前記開口(開口部)2Aa
から放出する前記蒸着流の下流位置にある基板ホルダー
4Aとを備え、前記基板ホルダー4A上に、被蒸着用の
基板5と、前記基板5の一面上を被覆するための所定パ
ターンの開口部16cを有するマスク16とを順次積層
することにより、前記マスク16の前記所定パターンの
前記開口部16cに対応する前記基板5位置に、前記蒸
着材料3を真空蒸着することとした。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空蒸着装置に係
わり、特に、微細なマスクパターンを有するマスクを用
いて、真空蒸着により基板上に選択的に薄膜を形成する
のに好適な真空蒸着装置に関するものである。
わり、特に、微細なマスクパターンを有するマスクを用
いて、真空蒸着により基板上に選択的に薄膜を形成する
のに好適な真空蒸着装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、基板上に所定の材料からなる薄膜
を形成する方法の一つとして、真空蒸着方法は良く知ら
れている。とりわけ、蒸着物の直進性が比較的良好であ
るので、所定のマスクパターンを有するマスクを用い
て、これを基板に密着させて蒸着することにより、基板
上のマスクのない部分に、選択的に所定形状の薄膜を形
成することができる。
を形成する方法の一つとして、真空蒸着方法は良く知ら
れている。とりわけ、蒸着物の直進性が比較的良好であ
るので、所定のマスクパターンを有するマスクを用い
て、これを基板に密着させて蒸着することにより、基板
上のマスクのない部分に、選択的に所定形状の薄膜を形
成することができる。
【0003】特に、薄膜を所定のパターンにする際に一
般的となっているフォトリソグラフ法を適用することが
できない材料、例えば、有機材料やMg等のイオン化傾
向の低い金属を用いて、所定パターンを有する薄膜を形
成する場合には、マスクを用いる真空蒸着方法が有効で
ある。
般的となっているフォトリソグラフ法を適用することが
できない材料、例えば、有機材料やMg等のイオン化傾
向の低い金属を用いて、所定パターンを有する薄膜を形
成する場合には、マスクを用いる真空蒸着方法が有効で
ある。
【0004】以下、真空蒸着に用いる真空蒸着装置を説
明する。図6は従来例の真空蒸着装置を示す概略断面構
成図である。真空蒸着装置10においては、ベース9上
に内部を外気と遮断して密閉できる真空槽1が取り付け
られていて、ベース9には、図示しない真空弁を介し
て、図示しない真空ポンプが取り付けられており、真空
槽1内を所定の真空度にし、その真空を保持できるよう
になっている。
明する。図6は従来例の真空蒸着装置を示す概略断面構
成図である。真空蒸着装置10においては、ベース9上
に内部を外気と遮断して密閉できる真空槽1が取り付け
られていて、ベース9には、図示しない真空弁を介し
て、図示しない真空ポンプが取り付けられており、真空
槽1内を所定の真空度にし、その真空を保持できるよう
になっている。
【0005】真空槽1内のベース1上には、例えば上方
が開口部2aとなっている船形部2bを有する高融点の
導電性の材料から形成されるボート2が配置されてお
り、このボート2の内部すなわち船形部2bには、粉末
状又はバルク状の蒸着材料3が充填される。ボート2の
両端は、図示しない電流源に接続してあり、ボート2に
所定の電流を通電して、ジュール発熱により、ボード2
の船形部2bを十分高温にできるようになっている。ボ
ート2の開口部2aは上方に向って開かれている。
が開口部2aとなっている船形部2bを有する高融点の
導電性の材料から形成されるボート2が配置されてお
り、このボート2の内部すなわち船形部2bには、粉末
状又はバルク状の蒸着材料3が充填される。ボート2の
両端は、図示しない電流源に接続してあり、ボート2に
所定の電流を通電して、ジュール発熱により、ボード2
の船形部2bを十分高温にできるようになっている。ボ
ート2の開口部2aは上方に向って開かれている。
【0006】ボート2の上方には、支持柱12によって
所定距離離れて、中央に開口部11aを有する支持台1
1が配置されている。基板セット20は、基板ホルダー
4、基板5及びマスク6より構成される。基板ホルダー
4には、薄膜の形成されるべき基板5と、所定のマスク
パターンを有するマスク6が重ねて取り付けてある。マ
スク6は外周部6bと中央のマスク部6aと開口部6c
とからなり、開口部6cの形状は、基板5上に形成すべ
き薄膜の形状をしている。支持台11上に、マスク6側
を下に向けて、基板セット20が配置されている。
所定距離離れて、中央に開口部11aを有する支持台1
1が配置されている。基板セット20は、基板ホルダー
4、基板5及びマスク6より構成される。基板ホルダー
4には、薄膜の形成されるべき基板5と、所定のマスク
パターンを有するマスク6が重ねて取り付けてある。マ
スク6は外周部6bと中央のマスク部6aと開口部6c
とからなり、開口部6cの形状は、基板5上に形成すべ
き薄膜の形状をしている。支持台11上に、マスク6側
を下に向けて、基板セット20が配置されている。
【0007】この真空蒸着装置10を用いる真空蒸着方
法は、以下のとおりである。大気圧とした真空槽1にお
いて、蒸着材料3が所定量充填されたボード2を所定の
位置に配置し、マスク6の取り付けられた基板5を基板
ホルダー4にセットした基板セット20を支持台11に
マスク6側を下方に向けて配置する。しかる後、真空槽
1内を所定の真空度に真空排気する。
法は、以下のとおりである。大気圧とした真空槽1にお
いて、蒸着材料3が所定量充填されたボード2を所定の
位置に配置し、マスク6の取り付けられた基板5を基板
ホルダー4にセットした基板セット20を支持台11に
マスク6側を下方に向けて配置する。しかる後、真空槽
1内を所定の真空度に真空排気する。
【0008】所定の真空度に達したら、真空槽1をこの
真空度に保持し、ボート2に通電開始し、ジュール発熱
によりボート2が高温になると共に蒸着材料3が加熱さ
れ、温度上昇と共に蒸着材料3の蒸発量は増大し、蒸着
材料3は上方(矢印eの方向)の基板5に向って蒸発
し、蒸着流となる。蒸着流のうち、マスク6の開口部6
cを通過したものが基板5に達し堆積される。堆積する
膜が所定の厚さに達したら、蒸発を遮断する。その後、
ボート2への通電を停止し、冷却のために所定の時間経
過後、真空槽1を大気圧にして、基板5を取り出して、
所定パターン形状をした蒸着材料3の薄膜の形成された
基板5を得る。以上が一般的な、マスクを用いた抵抗加
熱型真空蒸着方法である。
真空度に保持し、ボート2に通電開始し、ジュール発熱
によりボート2が高温になると共に蒸着材料3が加熱さ
れ、温度上昇と共に蒸着材料3の蒸発量は増大し、蒸着
材料3は上方(矢印eの方向)の基板5に向って蒸発
し、蒸着流となる。蒸着流のうち、マスク6の開口部6
cを通過したものが基板5に達し堆積される。堆積する
膜が所定の厚さに達したら、蒸発を遮断する。その後、
ボート2への通電を停止し、冷却のために所定の時間経
過後、真空槽1を大気圧にして、基板5を取り出して、
所定パターン形状をした蒸着材料3の薄膜の形成された
基板5を得る。以上が一般的な、マスクを用いた抵抗加
熱型真空蒸着方法である。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、蒸着薄膜パ
ターン形成用のマスク6は、一般的に、レーザー加工な
どで希望のパターンを形成したステンレスなどの金属板
からなる。蒸着時に、マスク6が変形して蒸発物が回り
こみを起さないようにするには、マスク6の平面サイズ
を例えば2インチ×2インチ程度とすると、マスク6の
厚さとしては100μm程度必要である。したがって、
パターンの開口部6cの幅(パターン寸法ともいう)は
マスク6の厚さと同程度であるので、このマスク6の場
合は、パターン寸法は100μm程度で限界となる。
ターン形成用のマスク6は、一般的に、レーザー加工な
どで希望のパターンを形成したステンレスなどの金属板
からなる。蒸着時に、マスク6が変形して蒸発物が回り
こみを起さないようにするには、マスク6の平面サイズ
を例えば2インチ×2インチ程度とすると、マスク6の
厚さとしては100μm程度必要である。したがって、
パターンの開口部6cの幅(パターン寸法ともいう)は
マスク6の厚さと同程度であるので、このマスク6の場
合は、パターン寸法は100μm程度で限界となる。
【0010】パターン寸法をより小さくするには、これ
に対応してマスク6の厚さを薄くする必要がある。しか
し、厚さの薄いマスク6を用いると、マスク6が変形す
る。図7は従来例の真空蒸着装置において、マスクの蒸
着時の状態を説明するための図である。
に対応してマスク6の厚さを薄くする必要がある。しか
し、厚さの薄いマスク6を用いると、マスク6が変形す
る。図7は従来例の真空蒸着装置において、マスクの蒸
着時の状態を説明するための図である。
【0011】すなわち、マスク6の厚さが薄いと、強度
が不足し、マスク6を基板5と共に基板ホルダー4に装
着した基板セット20を、マスク6を下側にして、支持
台11にセットすると、その状態で、マスク6が基板5
に対して垂れ下がってしまう。この状態で蒸着を行う
と、基板5とマスク部6aの間隙に蒸着物が飛来し、マ
スクされるべき個所に薄膜が形成され、所望のパターン
を有する薄膜を基板5上に形成することができない。
が不足し、マスク6を基板5と共に基板ホルダー4に装
着した基板セット20を、マスク6を下側にして、支持
台11にセットすると、その状態で、マスク6が基板5
に対して垂れ下がってしまう。この状態で蒸着を行う
と、基板5とマスク部6aの間隙に蒸着物が飛来し、マ
スクされるべき個所に薄膜が形成され、所望のパターン
を有する薄膜を基板5上に形成することができない。
【0012】特に、マスク6の開口部6cの形状がスト
ライプ状であり、その幅がマスク部6aの幅と同程度で
あり、それが多数配列しているパターンの場合は、垂れ
下がりがひどく使用に耐えない。したがって、微細パタ
ーンを有する薄膜を形成することは困難であるという課
題があった。
ライプ状であり、その幅がマスク部6aの幅と同程度で
あり、それが多数配列しているパターンの場合は、垂れ
下がりがひどく使用に耐えない。したがって、微細パタ
ーンを有する薄膜を形成することは困難であるという課
題があった。
【0013】そこで本発明は、上記課題を解決し、真空
蒸着装置において、微細なマスクパターンの形成された
マスクを用いて真空蒸着をできるようにした真空蒸着装
置を提供することを目的とするものである。
蒸着装置において、微細なマスクパターンの形成された
マスクを用いて真空蒸着をできるようにした真空蒸着装
置を提供することを目的とするものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段として、本発明は、蒸着材料3を加熱蒸発するこ
とにより発生する蒸着流を開口(開口部)2Aa,2B
a,2Caから放出する蒸着源2A,2B,2Cと、前
記蒸着源2A,2B,2Cの前記開口(開口部)2A
a,2Ba,2Caから放出する前記蒸着流の下流位置
にある基板ホルダー4A,4B,4Cとを備え、前記基
板ホルダー4A,4B,4C上に、被蒸着用の基板5
と、前記基板5の一面上を被覆するための所定パターン
の開口部16cを有するマスク16とを順次積層するこ
とにより、前記マスク16の前記所定パターンの前記開
口部16cに対応する前記基板5位置に、前記蒸着材料
3を真空蒸着することを特徴とする真空蒸着装置10
A,10B,10cである。
の手段として、本発明は、蒸着材料3を加熱蒸発するこ
とにより発生する蒸着流を開口(開口部)2Aa,2B
a,2Caから放出する蒸着源2A,2B,2Cと、前
記蒸着源2A,2B,2Cの前記開口(開口部)2A
a,2Ba,2Caから放出する前記蒸着流の下流位置
にある基板ホルダー4A,4B,4Cとを備え、前記基
板ホルダー4A,4B,4C上に、被蒸着用の基板5
と、前記基板5の一面上を被覆するための所定パターン
の開口部16cを有するマスク16とを順次積層するこ
とにより、前記マスク16の前記所定パターンの前記開
口部16cに対応する前記基板5位置に、前記蒸着材料
3を真空蒸着することを特徴とする真空蒸着装置10
A,10B,10cである。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、好ましい実施例により、図面を参照して説明する。
なお、参照符号に関しては、説明の簡便のため、従来例
における構成と同一の構成については、同一の参照符号
を付し、その説明を省略する。
き、好ましい実施例により、図面を参照して説明する。
なお、参照符号に関しては、説明の簡便のため、従来例
における構成と同一の構成については、同一の参照符号
を付し、その説明を省略する。
【0016】<第1実施例>図1は本発明の真空蒸着装
置の第1実施例を示す概略断面構成図である。図2は基
板ホルダーにマスク及び基板を配置した基板セットを示
す構成図である。図3は本発明に係わる真空蒸着装置に
おいて使用するマスクを示す平面図である。本発明の第
1実施例の真空蒸着装置10Aにおいては、ベース9上
に内部を外気と遮断して密閉できる真空槽1が取り付け
られていて、ベース9には、図示しない真空弁を介し
て、図示しない真空ポンプが取り付けられており、真空
槽1内を所定の真空度に到達、保持できるようになって
いる。
置の第1実施例を示す概略断面構成図である。図2は基
板ホルダーにマスク及び基板を配置した基板セットを示
す構成図である。図3は本発明に係わる真空蒸着装置に
おいて使用するマスクを示す平面図である。本発明の第
1実施例の真空蒸着装置10Aにおいては、ベース9上
に内部を外気と遮断して密閉できる真空槽1が取り付け
られていて、ベース9には、図示しない真空弁を介し
て、図示しない真空ポンプが取り付けられており、真空
槽1内を所定の真空度に到達、保持できるようになって
いる。
【0017】真空槽1内のベース9上の中央には、基板
セット30Aが配置されている。基板セット30Aに
は、必要に応じて、図示しない基板加熱装置により、所
定温度に加熱保持できるようになっている。図2に示す
ように、基板セット30Aは、例えばステンレス材料か
らなる基板ホルダー4A上に、基板5及びマスク16が
所定の位置に重ねられて配置されたものより構成されて
いるが、必要によりずれ防止のために真空グリース8を
基板ホルダー4A上に塗布した上で基板5を載せても良
い。マスク16及び基板5は必要に応じて所定個所をボ
ルト7により固定される。
セット30Aが配置されている。基板セット30Aに
は、必要に応じて、図示しない基板加熱装置により、所
定温度に加熱保持できるようになっている。図2に示す
ように、基板セット30Aは、例えばステンレス材料か
らなる基板ホルダー4A上に、基板5及びマスク16が
所定の位置に重ねられて配置されたものより構成されて
いるが、必要によりずれ防止のために真空グリース8を
基板ホルダー4A上に塗布した上で基板5を載せても良
い。マスク16及び基板5は必要に応じて所定個所をボ
ルト7により固定される。
【0018】図3に示すように、マスク16は、例えば
厚さ10μm、縦横それぞれ25mmの大きさであり、
マスク部16a以外は、幅W1が10μm、長さLが2
0mmである開口部16cが20μmの間隔W2で約6
00本形成されているものを用いる。真空槽内の例えば
400mm上方には、例えば、タングステン又はモリブ
デン等の高融点導電材料から形成されるボート2Aが、
図示しない電極部に取り付け保持配置されており、電極
部は図示しない電流源に接続されており、これにより、
ボート2Aに所定の電流を通電することができる。
厚さ10μm、縦横それぞれ25mmの大きさであり、
マスク部16a以外は、幅W1が10μm、長さLが2
0mmである開口部16cが20μmの間隔W2で約6
00本形成されているものを用いる。真空槽内の例えば
400mm上方には、例えば、タングステン又はモリブ
デン等の高融点導電材料から形成されるボート2Aが、
図示しない電極部に取り付け保持配置されており、電極
部は図示しない電流源に接続されており、これにより、
ボート2Aに所定の電流を通電することができる。
【0019】ボート2Aの内部には、粉末状又はバルク
状の所定の蒸着材料3が容易に充填できるようになって
おり、蒸着材料3が充填される。ボート2Aは例えば割
型構造をしており、蒸着材料が溶融しても保持すること
のできる下側に凹んだ材料保持部2Abと、蒸着材料3
が蒸発して出てくる開口部2Aaとから構成されてい
る。ボート2Aの開口部2Aaは下方に向って開かれて
おり、開口部2Aaから蒸発する蒸発材料3は、下方矢
印aの方向に蒸発し、基板5に達するように構成されて
いる。開口部2Aaの形状は、概ね円状になっている。
状の所定の蒸着材料3が容易に充填できるようになって
おり、蒸着材料3が充填される。ボート2Aは例えば割
型構造をしており、蒸着材料が溶融しても保持すること
のできる下側に凹んだ材料保持部2Abと、蒸着材料3
が蒸発して出てくる開口部2Aaとから構成されてい
る。ボート2Aの開口部2Aaは下方に向って開かれて
おり、開口部2Aaから蒸発する蒸発材料3は、下方矢
印aの方向に蒸発し、基板5に達するように構成されて
いる。開口部2Aaの形状は、概ね円状になっている。
【0020】この真空蒸着装置10Aを用いる真空蒸着
方法は、以下のとおりである。大気中の真空槽1におい
て、蒸着材料3が所定量充填されたボード2Aを真空槽
1内上方の所定の位置に配置し、マスク16と基板5が
配置された基板ホルダー4Aからなる基板セット30A
をベース9上にセットする。マスク16は基板5上に配
置されているので、開口部16cが微細パターンから形
成されていても、自重による変形を生じることなくマス
ク16は基板5に密着している。しかる後、真空槽1内
を所定の真空度に真空排気する。
方法は、以下のとおりである。大気中の真空槽1におい
て、蒸着材料3が所定量充填されたボード2Aを真空槽
1内上方の所定の位置に配置し、マスク16と基板5が
配置された基板ホルダー4Aからなる基板セット30A
をベース9上にセットする。マスク16は基板5上に配
置されているので、開口部16cが微細パターンから形
成されていても、自重による変形を生じることなくマス
ク16は基板5に密着している。しかる後、真空槽1内
を所定の真空度に真空排気する。
【0021】所定の真空度に達したら、真空槽1をこの
真空度に保持し、ボート2Aに通電を開始し、ジュール
発熱によりボート2Aが高温になると共に蒸着材料3が
加熱され、蒸着材料3は下方(矢印aの方向)の基板5
に向って蒸発し、蒸着流となる。なお、矢印bは重力の
方向である。蒸着流(蒸発した蒸着材料3)のうち、マ
スク16の開口部16cを通過したものが基板5に達し
堆積される。堆積する膜が所定の厚さに達したら、ボー
ト2Aへの通電を停止し、冷却のために所定の時間経過
後、真空槽1を大気圧にして、基板セット30Aを取り
出して、所定パターン形状をした蒸着材料の薄膜の形成
された基板5を得る。
真空度に保持し、ボート2Aに通電を開始し、ジュール
発熱によりボート2Aが高温になると共に蒸着材料3が
加熱され、蒸着材料3は下方(矢印aの方向)の基板5
に向って蒸発し、蒸着流となる。なお、矢印bは重力の
方向である。蒸着流(蒸発した蒸着材料3)のうち、マ
スク16の開口部16cを通過したものが基板5に達し
堆積される。堆積する膜が所定の厚さに達したら、ボー
ト2Aへの通電を停止し、冷却のために所定の時間経過
後、真空槽1を大気圧にして、基板セット30Aを取り
出して、所定パターン形状をした蒸着材料の薄膜の形成
された基板5を得る。
【0022】基板5上に形成する薄膜パターン形成用の
マスク16は重力により、直下の基板5の方向に力を受
けているので、パターン形成用のマスク16は厚さが如
何に薄くても、基板5上に密着しており、蒸着時におけ
る蒸着物の回りこみを防止できて、微細なパターンの薄
膜を形成することができる。
マスク16は重力により、直下の基板5の方向に力を受
けているので、パターン形成用のマスク16は厚さが如
何に薄くても、基板5上に密着しており、蒸着時におけ
る蒸着物の回りこみを防止できて、微細なパターンの薄
膜を形成することができる。
【0023】<第2実施例>図4は本発明の真空蒸着装
置の第2実施例を示す概略断面構成図である。第2実施
例の真空蒸着装置10Bは、第1実施例の真空蒸着装置
10Aにおいて、基板セット30Aに代えて基板セット
30Bとし、ボート2Aに代えてボート2Bとした以外
は、第1実施例の真空蒸着装置10Aと同様である。基
板セット30Bは、基板ホルダー4Bと、基板ホルダー
4B上に重ねて配置された基板5及びマスク16より構
成される。基板セット30Bは、マスク16の面がベー
ス9に所定の角度で傾斜するように、図示しない支持具
でベース9に配置されている。
置の第2実施例を示す概略断面構成図である。第2実施
例の真空蒸着装置10Bは、第1実施例の真空蒸着装置
10Aにおいて、基板セット30Aに代えて基板セット
30Bとし、ボート2Aに代えてボート2Bとした以外
は、第1実施例の真空蒸着装置10Aと同様である。基
板セット30Bは、基板ホルダー4Bと、基板ホルダー
4B上に重ねて配置された基板5及びマスク16より構
成される。基板セット30Bは、マスク16の面がベー
ス9に所定の角度で傾斜するように、図示しない支持具
でベース9に配置されている。
【0024】ボート2Bは、真空槽1の上方の中心より
ずれた位置に開口部2Baがくるように、かつ、開口部
2Baから、蒸着材料が斜め下方(矢印cの方向)に蒸
発して、基板5にマスク16を通して垂直に入射するよ
うに配置されている。なお、矢印bは重力の方向であ
る。タングステン又はモリブデン等の高融点導電材料か
ら形成されるボート2Bが、図示しない電極部に取り付
け保持配置されており、電極部は図示しない電流源に接
続されており、これにより、ボート2Bに所定の電流を
通電することができる。
ずれた位置に開口部2Baがくるように、かつ、開口部
2Baから、蒸着材料が斜め下方(矢印cの方向)に蒸
発して、基板5にマスク16を通して垂直に入射するよ
うに配置されている。なお、矢印bは重力の方向であ
る。タングステン又はモリブデン等の高融点導電材料か
ら形成されるボート2Bが、図示しない電極部に取り付
け保持配置されており、電極部は図示しない電流源に接
続されており、これにより、ボート2Bに所定の電流を
通電することができる。
【0025】ボート2Bの内部には、粉末状又はバルク
状の所定の蒸着材料3が容易に充填できるようになって
おり、蒸着材料3が充填される。ボート2Bは例えば割
型構造をしており、蒸着材料が溶融しても保持すること
のできる下側に凹んだ材料保持部2Bbと蒸着材料3が
蒸発して蒸着流となって出てくる開口部2Baとから構
成されている。
状の所定の蒸着材料3が容易に充填できるようになって
おり、蒸着材料3が充填される。ボート2Bは例えば割
型構造をしており、蒸着材料が溶融しても保持すること
のできる下側に凹んだ材料保持部2Bbと蒸着材料3が
蒸発して蒸着流となって出てくる開口部2Baとから構
成されている。
【0026】第2実施例の真空蒸着装置10Bにおいて
は、パターン形成用のマスク16は重力により、直下の
基板5の方向に力を受けて、パターン形成用のマスク1
6がどんなに薄くても基板5上に密着しているので、第
1実施例と同様の手順で蒸着する場合に、マスク16に
おける蒸着物の回りこみを防止できて、微細パターンの
薄膜を第1実施例と同様に形成できる。
は、パターン形成用のマスク16は重力により、直下の
基板5の方向に力を受けて、パターン形成用のマスク1
6がどんなに薄くても基板5上に密着しているので、第
1実施例と同様の手順で蒸着する場合に、マスク16に
おける蒸着物の回りこみを防止できて、微細パターンの
薄膜を第1実施例と同様に形成できる。
【0027】<第3実施例>図5は本発明の真空蒸着装
置の第3実施例を示す概略断面構成図である。第3実施
例の真空蒸着装置10Cは、第1実施例の真空蒸着装置
10Aにおいて、基板セット30Aに代えて基板セット
30Cとし、ボート2Aに代えてボート2Cとした以外
は、第1実施例の真空蒸着装置10Aと同様である。基
板セット30Cは、基板ホルダー4Cと、基板ホルダー
4C上に重ねて配置された基板5及びマスク16より構
成される。基板セット30Cは、マスク16の面がベー
ス9に対し直交するように、真空槽1の側面に図示しな
い支持具でベース9に配置されている。
置の第3実施例を示す概略断面構成図である。第3実施
例の真空蒸着装置10Cは、第1実施例の真空蒸着装置
10Aにおいて、基板セット30Aに代えて基板セット
30Cとし、ボート2Aに代えてボート2Cとした以外
は、第1実施例の真空蒸着装置10Aと同様である。基
板セット30Cは、基板ホルダー4Cと、基板ホルダー
4C上に重ねて配置された基板5及びマスク16より構
成される。基板セット30Cは、マスク16の面がベー
ス9に対し直交するように、真空槽1の側面に図示しな
い支持具でベース9に配置されている。
【0028】ボート2Cは、真空槽1の側面に、基板セ
ット30Cに対向して配置されている。開口部2Caは
基板セット30Cに向って開かれており、かつ、開口部
2Caから、蒸着材料が水平(矢印d方向)に蒸発し
て、基板5にマスク16を通して垂直に入射するように
配置されている。なお、矢印bは重力の方向である。タ
ングステン又はモリブデン等の高融点導電材料から形成
されるボート2Cが、図示しない電極部に取り付け保持
配置されており、電極部は図示しない電流源に接続され
ており、これにより、ボート2Cに所定の電流を通電す
ることができる。
ット30Cに対向して配置されている。開口部2Caは
基板セット30Cに向って開かれており、かつ、開口部
2Caから、蒸着材料が水平(矢印d方向)に蒸発し
て、基板5にマスク16を通して垂直に入射するように
配置されている。なお、矢印bは重力の方向である。タ
ングステン又はモリブデン等の高融点導電材料から形成
されるボート2Cが、図示しない電極部に取り付け保持
配置されており、電極部は図示しない電流源に接続され
ており、これにより、ボート2Cに所定の電流を通電す
ることができる。
【0029】ボート2Cの内部には、粉末状又はバルク
状の所定の蒸着材料3が容易に充填できるようになって
おり、蒸着材料3が充填される。ボート2Cは例えば割
型構造をしており、蒸着材料が溶融しても保持すること
のできる下側に凹んだ材料保持部2Cbと蒸着材料3が
蒸発して蒸着流となって出てくる開口部2Caとから構
成されている。
状の所定の蒸着材料3が容易に充填できるようになって
おり、蒸着材料3が充填される。ボート2Cは例えば割
型構造をしており、蒸着材料が溶融しても保持すること
のできる下側に凹んだ材料保持部2Cbと蒸着材料3が
蒸発して蒸着流となって出てくる開口部2Caとから構
成されている。
【0030】第3実施例の真空蒸着装置10Cにおいて
は、パターン形成用のマスク16は、直下の基板5の方
向には全く力を受けないから、パターン形成用のマスク
16がどんなに薄くても基板5上に密着しているので、
第1実施例と同様の手順で蒸着する場合に、マスク16
における蒸着物の回りこみを防止できて、微細パターン
の薄膜を第1実施例と同様に形成できる。
は、パターン形成用のマスク16は、直下の基板5の方
向には全く力を受けないから、パターン形成用のマスク
16がどんなに薄くても基板5上に密着しているので、
第1実施例と同様の手順で蒸着する場合に、マスク16
における蒸着物の回りこみを防止できて、微細パターン
の薄膜を第1実施例と同様に形成できる。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の真空蒸着
装置は、蒸着材料を加熱蒸発することにより発生する蒸
着流を開口から放出する蒸着源と、前記蒸着源の前記開
口から放出する前記蒸着流の下流位置にある基板ホルダ
ーとを備え、前記基板ホルダー上に、被蒸着用の基板
と、前記基板の一面上を被覆するための所定パターンの
開口部を有するマスクとを順次積層することにより、前
記マスクの前記所定パターンの前記開口部に対応する前
記基板位置に、前記蒸着材料を真空蒸着することによ
り、微細なマスクパターンの形成されたマスクを用いて
真空蒸着をできるようにした真空蒸着装置を提供するこ
とができるという効果がある。
装置は、蒸着材料を加熱蒸発することにより発生する蒸
着流を開口から放出する蒸着源と、前記蒸着源の前記開
口から放出する前記蒸着流の下流位置にある基板ホルダ
ーとを備え、前記基板ホルダー上に、被蒸着用の基板
と、前記基板の一面上を被覆するための所定パターンの
開口部を有するマスクとを順次積層することにより、前
記マスクの前記所定パターンの前記開口部に対応する前
記基板位置に、前記蒸着材料を真空蒸着することによ
り、微細なマスクパターンの形成されたマスクを用いて
真空蒸着をできるようにした真空蒸着装置を提供するこ
とができるという効果がある。
【図1】本発明の真空蒸着装置の第1実施例を示す概略
断面構成図である。
断面構成図である。
【図2】基板ホルダーにマスク及び基板を配置した基板
セットを示す構成図である。
セットを示す構成図である。
【図3】本発明に係わる真空蒸着装置において使用する
マスクを示す平面図である。
マスクを示す平面図である。
【図4】本発明の真空蒸着装置の第2実施例を示す概略
断面構成図である。
断面構成図である。
【図5】本発明の真空蒸着装置の第3実施例を示す概略
断面構成図である。
断面構成図である。
【図6】従来例の真空蒸着装置を示す概略断面構成図で
ある。
ある。
【図7】従来例の真空蒸着装置において、マスクの蒸着
時の状態を説明するための図である。
時の状態を説明するための図である。
1…真空槽、2,2A,2B,2C…ボート、2a,2
Aa,2Ba,2Ca…開口部、2b…船形部、2A
b,2Bb,2Cb…材料保持部、3…蒸着材料、4,
4A,4B,4C…基板ホルダー、5…基板、6…蒸着
用マスク、6a…マスク部、6b…外周部、6c…開口
部、7…ボルト、8…真空グリース、9…ベース、1
0,10A,10B,10C…真空蒸着装置、11…支
持台、11a…開口部、12…支持柱、16…マスク、
16a…マスク部、16b…外周部、16c…開口部、
20…基板セット、30A,30B,30C…基板セッ
ト。
Aa,2Ba,2Ca…開口部、2b…船形部、2A
b,2Bb,2Cb…材料保持部、3…蒸着材料、4,
4A,4B,4C…基板ホルダー、5…基板、6…蒸着
用マスク、6a…マスク部、6b…外周部、6c…開口
部、7…ボルト、8…真空グリース、9…ベース、1
0,10A,10B,10C…真空蒸着装置、11…支
持台、11a…開口部、12…支持柱、16…マスク、
16a…マスク部、16b…外周部、16c…開口部、
20…基板セット、30A,30B,30C…基板セッ
ト。
Claims (1)
- 【請求項1】蒸着材料を加熱蒸発することにより発生す
る蒸着流を開口から放出する蒸着源と、 前記蒸着源の前記開口から放出する前記蒸着流の下流位
置にある基板ホルダとを備え、 前記基板ホルダー上に、被蒸着用の基板と、前記基板の
一面上を被覆するための所定パターンの開口部を有する
マスクとを順次積層することにより、前記マスクの前記
所定パターンの前記開口部に対応する前記基板位置に、
前記蒸着材料を真空蒸着することを特徴とする真空蒸着
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001139694A JP2002332564A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001139694A JP2002332564A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 真空蒸着装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002332564A true JP2002332564A (ja) | 2002-11-22 |
Family
ID=18986428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001139694A Pending JP2002332564A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002332564A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002343563A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-29 | Sony Corp | 真空成膜方法および真空成膜装置 |
KR20020092296A (ko) * | 2002-11-07 | 2002-12-11 | 정세영 | 유기물 증착 장치 |
CN106231807A (zh) * | 2016-08-06 | 2016-12-14 | 深圳市博敏电子有限公司 | 一种基于磁控溅射技术的印制线路板线路图形制作方法 |
-
2001
- 2001-05-10 JP JP2001139694A patent/JP2002332564A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002343563A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-29 | Sony Corp | 真空成膜方法および真空成膜装置 |
KR20020092296A (ko) * | 2002-11-07 | 2002-12-11 | 정세영 | 유기물 증착 장치 |
CN106231807A (zh) * | 2016-08-06 | 2016-12-14 | 深圳市博敏电子有限公司 | 一种基于磁控溅射技术的印制线路板线路图形制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006152441A (ja) | 蒸着ソースおよびそれを備えた蒸着装置 | |
KR20040009349A (ko) | 가열용기와 이를 이용한 증착장치 | |
JP2004107764A (ja) | 薄膜形成装置 | |
CN101484966B (zh) | 电子束蒸发装置 | |
JP2006200040A (ja) | 加熱容器支持台及びそれを備えた蒸着装置 | |
KR100592304B1 (ko) | 가열 용기와 이를 구비한 증착 장치 | |
JP2002332564A (ja) | 真空蒸着装置 | |
CN111455322B (zh) | 坩埚装置、蒸镀装置 | |
US20040000379A1 (en) | Evaporation container and evaporation source | |
KR101087685B1 (ko) | 진공증착장치 | |
TWI386499B (zh) | 蒸鍍裝置 | |
JPH09272976A (ja) | 真空蒸着装置 | |
JPH09209126A (ja) | 真空蒸着装置 | |
JPH04231458A (ja) | 電子ビーム蒸発源 | |
JPS62247065A (ja) | るつぼ型蒸着源 | |
JPH0570931A (ja) | 真空蒸着装置および防着板 | |
JP2005029839A (ja) | 蒸発容器、蒸発源および真空蒸着方法 | |
TWI816883B (zh) | 蒸鍍裝置 | |
KR100592238B1 (ko) | 박막 증착 방법 및 그 장치 | |
JP2000114201A (ja) | 蒸着装置 | |
JPH0336262A (ja) | 真空成膜装置 | |
JPH1088325A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH0343228Y2 (ja) | ||
JPH02310993A (ja) | 回路板のスルーホール形成方法 | |
JP2006219755A (ja) | 蒸着装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070629 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090915 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100126 |