JPH0336262A - 真空成膜装置 - Google Patents
真空成膜装置Info
- Publication number
- JPH0336262A JPH0336262A JP16802489A JP16802489A JPH0336262A JP H0336262 A JPH0336262 A JP H0336262A JP 16802489 A JP16802489 A JP 16802489A JP 16802489 A JP16802489 A JP 16802489A JP H0336262 A JPH0336262 A JP H0336262A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- heater
- film forming
- opening
- evaporation material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 30
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 30
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、るつぼ内の蒸発材料を蒸発させ、基板の表
面に薄膜を形成する真空成膜装置に関するものである。
面に薄膜を形成する真空成膜装置に関するものである。
（従来の技術）
従来の真空成膜装置は、第４図に示されるように真空槽
１内には下方に１つあるいは複数の蒸発源２が配設され
、これら蒸発源２の上方に基板３が配設されている。蒸
発源２の詳細は第５図に示され、同図によれば、蒸発源
２は上向きに開口したるつぼ４の内部に蒸発材料５を入
れ、るつぼ４の外周に加熱ヒータ６を配設し、更に加熱
ヒータ６の外周に反射板７を配設し、その反射板７の下
端を真空フランジ８に固定したものである。
１内には下方に１つあるいは複数の蒸発源２が配設され
、これら蒸発源２の上方に基板３が配設されている。蒸
発源２の詳細は第５図に示され、同図によれば、蒸発源
２は上向きに開口したるつぼ４の内部に蒸発材料５を入
れ、るつぼ４の外周に加熱ヒータ６を配設し、更に加熱
ヒータ６の外周に反射板７を配設し、その反射板７の下
端を真空フランジ８に固定したものである。
したがって、上記装置において、加熱ヒータ６に通電す
ると、加熱ヒータ６からの直接熱、および加熱ヒータ６
の熱を反射板７で反射した反射熱によってるつぼ４が加
熱される。るつぼ４の加熱により、蒸発材料５も加熱さ
れて蒸発する。蒸発材料５の蒸発した粒子はるつぼ４の
開口より飛び出させて、基板３の表面に付着し、そこに
薄膜を形成するようになる。
ると、加熱ヒータ６からの直接熱、および加熱ヒータ６
の熱を反射板７で反射した反射熱によってるつぼ４が加
熱される。るつぼ４の加熱により、蒸発材料５も加熱さ
れて蒸発する。蒸発材料５の蒸発した粒子はるつぼ４の
開口より飛び出させて、基板３の表面に付着し、そこに
薄膜を形成するようになる。
（発明が解決しようとする課題）
従来の真空成膜装置は、上記のように蒸発源２が上向き
に開口したるつぼ４の内部に蒸発材料５を入れる構成を
しているので、蒸発源２の上方に基板３を配設しなけれ
ばならず、装置の構造が制限される等の問題をもってい
た。
に開口したるつぼ４の内部に蒸発材料５を入れる構成を
しているので、蒸発源２の上方に基板３を配設しなけれ
ばならず、装置の構造が制限される等の問題をもってい
た。
この発明の目的は、るつぼの開口を下向きにすることに
より、装置の構造上の自由度を増加させることを可能と
した真空成膜装置を提供することにある。
より、装置の構造上の自由度を増加させることを可能と
した真空成膜装置を提供することにある。
（発明を解決するための手段）
上記目的を達成するために、この発明は、蒸発材料を内
部に入れたるつぼを加熱して、るつぼ内の蒸発材料を蒸
発させ、蒸発した蒸発材料の粒子をるつぼの開口より飛
び出させて、それを基板の表面に付着し、そこに薄膜を
形成する真空成膜装置において、上記るつぼの開口を下
向きにし、上記るつぼ内に落下防止治具を固定し、この
落下防止治具によって落下の防止される上記蒸発材料を
昇華性のバルクにし、上記るつぼの下方に上記基板を位
置せしめたことを特徴とするものである。
部に入れたるつぼを加熱して、るつぼ内の蒸発材料を蒸
発させ、蒸発した蒸発材料の粒子をるつぼの開口より飛
び出させて、それを基板の表面に付着し、そこに薄膜を
形成する真空成膜装置において、上記るつぼの開口を下
向きにし、上記るつぼ内に落下防止治具を固定し、この
落下防止治具によって落下の防止される上記蒸発材料を
昇華性のバルクにし、上記るつぼの下方に上記基板を位
置せしめたことを特徴とするものである。
（作用）
この発明においては、るつぼを加熱すると、蒸発材料は
落下防止治具によって落下が防止された状態で昇華し、
蒸発材料の粒子が下向きになったるつぼの開口より飛び
出して、基板の表面に付着し、そこに薄膜を形成するよ
うになる。
落下防止治具によって落下が防止された状態で昇華し、
蒸発材料の粒子が下向きになったるつぼの開口より飛び
出して、基板の表面に付着し、そこに薄膜を形成するよ
うになる。
（実施例）
以下、この発明の実施例について図面を参照ｊ７ながら
説明する。
説明する。
第１図はこの発明の実施例を示しており、同図において
、真空槽１内には上方に２つの蒸発源２とイオン源９と
が配設され、２．っの蒸発源２のるつぼ４とイオン源９
との下方に基板３が配設されている。蒸発源２の詳細は
第２図に示され、同図によれば、蒸発源２は、るっぽ４
の開口が下向きになっており、そのるつぼ４の内部に昇
華性の蒸発材料５のバルクが入れられている。この昇華
性の蒸発材料５のバルクは、るっぽ４内に固定された落
下防止治具１０によって、落下が防止されている。るつ
ぼ４の外周には加熱ヒータ６が配設され、更に加熱ヒー
タ６の外周には反射板７が配設されている。反射板７の
上端には真空フランジ８が固定されている。
、真空槽１内には上方に２つの蒸発源２とイオン源９と
が配設され、２．っの蒸発源２のるつぼ４とイオン源９
との下方に基板３が配設されている。蒸発源２の詳細は
第２図に示され、同図によれば、蒸発源２は、るっぽ４
の開口が下向きになっており、そのるつぼ４の内部に昇
華性の蒸発材料５のバルクが入れられている。この昇華
性の蒸発材料５のバルクは、るっぽ４内に固定された落
下防止治具１０によって、落下が防止されている。るつ
ぼ４の外周には加熱ヒータ６が配設され、更に加熱ヒー
タ６の外周には反射板７が配設されている。反射板７の
上端には真空フランジ８が固定されている。
したがって、上記実施例において、加熱ヒータ６に通電
すると、加熱ヒータ６からの直接熱、および加熱ヒータ
６の熱を反射板７で反射した反射熱によってるつぼ４が
加熱される。るつぼ４が加熱されると、蒸発材料５は落
下防止治具１０によって落下が防止された状態で昇華し
、蒸発材料５の粒子が下向きになったるつぼ４の開口よ
り飛び出して、基板３の表面に付着し、そこに薄膜を形
成するようになる。
すると、加熱ヒータ６からの直接熱、および加熱ヒータ
６の熱を反射板７で反射した反射熱によってるつぼ４が
加熱される。るつぼ４が加熱されると、蒸発材料５は落
下防止治具１０によって落下が防止された状態で昇華し
、蒸発材料５の粒子が下向きになったるつぼ４の開口よ
り飛び出して、基板３の表面に付着し、そこに薄膜を形
成するようになる。
なお、上記実施例の蒸発源２の代りに、第３図に示され
るような液体の蒸発材料１１を使用した蒸発源１２を用
いてもよい。また、上記実施例のイオン源９の代りに、
電子ビーム等を使用してもよい。
るような液体の蒸発材料１１を使用した蒸発源１２を用
いてもよい。また、上記実施例のイオン源９の代りに、
電子ビーム等を使用してもよい。
（発明の効果）
この発明は、るつぼ内に落下防止治具を固定し、落下防
止治具によって落下の防止される蒸発材料を昇華性のバ
ルクにしているので、るつぼの開口を下向きにすること
が可能となり、しかもるつぼの下方に基板を配設するこ
とを可能にしているので、装置の構造は従来に比べて自
由度が増加するようになる。
止治具によって落下の防止される蒸発材料を昇華性のバ
ルクにしているので、るつぼの開口を下向きにすること
が可能となり、しかもるつぼの下方に基板を配設するこ
とを可能にしているので、装置の構造は従来に比べて自
由度が増加するようになる。
第１図はこの発明の実施例の全体を示す説明図、第２図
はこの発明の実施例に使用される蒸発源の詳細を示す説
明図、第３図はこの発明の実施例に使用される蒸発源の
変形図である。第４図は従来の真空成膜装置を示す説明
図、第５図は従来の真空成膜装置に使用される蒸発源の
詳細を示す説明図である。 図中、 ３・・・・・基板 ４・・・・・るつぼ ５・・・・・蒸発材料 ６・・・・・加熱ヒータ （０・・・・・落下防止治具 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示している
。
はこの発明の実施例に使用される蒸発源の詳細を示す説
明図、第３図はこの発明の実施例に使用される蒸発源の
変形図である。第４図は従来の真空成膜装置を示す説明
図、第５図は従来の真空成膜装置に使用される蒸発源の
詳細を示す説明図である。 図中、 ３・・・・・基板 ４・・・・・るつぼ ５・・・・・蒸発材料 ６・・・・・加熱ヒータ （０・・・・・落下防止治具 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示している
。
Claims (1)
- １．蒸発材料を内部に入れたるつぼを加熱して、るつぼ
内の蒸発材料を蒸発させ、蒸発した蒸発材料の粒子をる
つぼの開口より飛び出させて、それを基板の表面に付着
し、そこに薄膜を形成する真空成膜装置において、上記
るつぼの開口を下向きにし、上記るつぼ内に落下防止治
具を固定し、この落下防止治具によって落下の防止され
る上記蒸発材料を昇華性のバルクにし、上記るつぼの下
方に上記基板を位置せしめたことを特徴とする真空成膜
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16802489A JPH0336262A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 真空成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16802489A JPH0336262A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 真空成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0336262A true JPH0336262A (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=15860402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16802489A Pending JPH0336262A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 真空成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0336262A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005240067A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Ulvac Japan Ltd | Ｍｇ蒸着方法 |
| JP2010270370A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Seiko Epson Corp | 加熱装置および蒸着方法 |
| JP2015124440A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 国立大学法人岩手大学 | 分析用小型真空蒸着装置および、蒸着膜の成膜時分析方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5317624A (en) * | 1976-07-31 | 1978-02-17 | Matsushita Electric Works Ltd | Production of inorganic hardend body |
| JPS5836673A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-03-03 | ザ・パ−キン−エルマ−・コ−ポレイション | 強力プラズマスプレ−ガン |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP16802489A patent/JPH0336262A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5317624A (en) * | 1976-07-31 | 1978-02-17 | Matsushita Electric Works Ltd | Production of inorganic hardend body |
| JPS5836673A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-03-03 | ザ・パ−キン−エルマ−・コ−ポレイション | 強力プラズマスプレ−ガン |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005240067A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-08 | Ulvac Japan Ltd | Ｍｇ蒸着方法 |
| JP4557568B2 (ja) * | 2004-02-24 | 2010-10-06 | 株式会社アルバック | Ｍｇ蒸着方法 |
| JP2010270370A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Seiko Epson Corp | 加熱装置および蒸着方法 |
| JP2015124440A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 国立大学法人岩手大学 | 分析用小型真空蒸着装置および、蒸着膜の成膜時分析方法 |
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