JPH01208455A - レーザ真空蒸着装置 - Google Patents
レーザ真空蒸着装置Info
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- JPH01208455A JPH01208455A JP3322888A JP3322888A JPH01208455A JP H01208455 A JPH01208455 A JP H01208455A JP 3322888 A JP3322888 A JP 3322888A JP 3322888 A JP3322888 A JP 3322888A JP H01208455 A JPH01208455 A JP H01208455A
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- ceramic
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Links
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
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- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、レーザビームを用いてセラミックを蒸発さ
せ、これによって発生するセラミック蒸気を基板に付着
させてセラミック膜を形成するレーザ真空蒸着装置に関
するものである。
せ、これによって発生するセラミック蒸気を基板に付着
させてセラミック膜を形成するレーザ真空蒸着装置に関
するものである。
レーザビームは集光すると104〜108罵−程度の高
密度エネルギーになることから、セラミック等の高沸点
材料でも瞬時に沸点に達し蒸発物が飛散する・そこで真
空チャンバの中でこの現象を利用することによって真空
蒸着が行なわれるこ′とは周知である。第4図は例えば
特開昭59−116373号公報に開示されたレーザビ
ームを用いた真空蒸着装置の一例を示すもので、図にお
いて、1は図示しないレーザ発振器から放射されたレー
ザビーム、2はレーザビームの光路変更を行なう第1の
ペンドミラー、3はレーザビームt−a光すル集光レン
ズ、4はウィンドウレンズ、5は真空ポンク等に工って
1×10−4ト一ル程度に真空引きされた真空チャンバ
、6はレーザビーム1の光路変更を行なう第2のペンド
ミラーである。7はリング状の回−転するセラミック部
材、8はセラミック膜が形成される基板、9は基板8へ
の蒸発物の付着を遮蔽する可動シャッタ、10はセラミ
ック部材7がレーザビームの照射による急激な温度上昇
に起因する割れやクラックの発生を防止するヒータであ
る。
密度エネルギーになることから、セラミック等の高沸点
材料でも瞬時に沸点に達し蒸発物が飛散する・そこで真
空チャンバの中でこの現象を利用することによって真空
蒸着が行なわれるこ′とは周知である。第4図は例えば
特開昭59−116373号公報に開示されたレーザビ
ームを用いた真空蒸着装置の一例を示すもので、図にお
いて、1は図示しないレーザ発振器から放射されたレー
ザビーム、2はレーザビームの光路変更を行なう第1の
ペンドミラー、3はレーザビームt−a光すル集光レン
ズ、4はウィンドウレンズ、5は真空ポンク等に工って
1×10−4ト一ル程度に真空引きされた真空チャンバ
、6はレーザビーム1の光路変更を行なう第2のペンド
ミラーである。7はリング状の回−転するセラミック部
材、8はセラミック膜が形成される基板、9は基板8へ
の蒸発物の付着を遮蔽する可動シャッタ、10はセラミ
ック部材7がレーザビームの照射による急激な温度上昇
に起因する割れやクラックの発生を防止するヒータであ
る。
上記のように構成したレーザ真空蒸着装置は、第1のペ
ンドミラー2、集光レンズ3お工び第2のベンドミラー
6を経て回転しているリング状のセラミック部材フにレ
ーザビームが照射すると、瞬時に蒸発物が飛散して基板
8の表面に付着し、セラミック膜が形成される。このセ
ラミック膜は基板8との密着性がよく緻密な膜質のもの
が得られる。
ンドミラー2、集光レンズ3お工び第2のベンドミラー
6を経て回転しているリング状のセラミック部材フにレ
ーザビームが照射すると、瞬時に蒸発物が飛散して基板
8の表面に付着し、セラミック膜が形成される。このセ
ラミック膜は基板8との密着性がよく緻密な膜質のもの
が得られる。
従来のレーザ真空蒸着装置は以上のように構成されてい
るので、被照射材としてのセラミック材の材質を変更し
た場合、被照射材に対するレーザビームの吸収率の関係
からセラミックによっては大出力のレーザ発振器が必要
となり実用的な蒸着装置ではなかった。また、蒸着膜の
膜厚制御は一般的に蒸着時間で制御するが、レーザビー
ムの出力は常に一定ではなく、おる範囲で変動している
こと、セラミックのレーザビーム照射面の状態も変化し
ていることから、基板へのセラミック膜厚にバラツキが
生じて膜形成品の品質に支障をきたしていた。上記のよ
うに従来のレーザビーム蒸着装置においては、セラミッ
ク材の変更や膜厚制御に対しレーザ出力の制御で対応し
ていた。
るので、被照射材としてのセラミック材の材質を変更し
た場合、被照射材に対するレーザビームの吸収率の関係
からセラミックによっては大出力のレーザ発振器が必要
となり実用的な蒸着装置ではなかった。また、蒸着膜の
膜厚制御は一般的に蒸着時間で制御するが、レーザビー
ムの出力は常に一定ではなく、おる範囲で変動している
こと、セラミックのレーザビーム照射面の状態も変化し
ていることから、基板へのセラミック膜厚にバラツキが
生じて膜形成品の品質に支障をきたしていた。上記のよ
うに従来のレーザビーム蒸着装置においては、セラミッ
ク材の変更や膜厚制御に対しレーザ出力の制御で対応し
ていた。
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、セラミックの材種や所望の膜厚に応じた条件設
定が自在に制御でき、しかもレーザ出力の調整もなくか
つ、小出力のレーザで適用することのできるレーザ真空
蒸着装置を得ることを目的とする。
もので、セラミックの材種や所望の膜厚に応じた条件設
定が自在に制御でき、しかもレーザ出力の調整もなくか
つ、小出力のレーザで適用することのできるレーザ真空
蒸着装置を得ることを目的とする。
この発明に係るレーザ真空蒸着装置は、板状または棒状
のセラミック部材をX−Y軸駆動機構によって移動可能
にしたものである。
のセラミック部材をX−Y軸駆動機構によって移動可能
にしたものである。
この発明においては、板状セラミック部材をX−Y軸駆
動機構によって縦横に移動さぜる工うにしたので、セラ
ミックに対するレーザビームの熱的作用時間の制御によ
る蒸発量の調整を自在に行なうことができる。
動機構によって縦横に移動さぜる工うにしたので、セラ
ミックに対するレーザビームの熱的作用時間の制御によ
る蒸発量の調整を自在に行なうことができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明によるレーザビーム真空蒸着装置の構成図
で、11は真空チャンバであって、12はチャンバ11
内に配設した板状のセラミック部材で、レーザビームl
が集光レンズ3およびウインドクレンズ4を経て真空チ
ャンバ11内のセラミック部材12に照射される。13
はセラミック部材12奢縦横に移動させるためのX−Y
軸駆動機構であって、第2図にこの駆動機構12の平面
図を示す。14はX−Y軸駆動機構12のベースで、こ
のペース14上をX@(横方向)移動板15がシリンダ
16に工って移動する。17はX軸移動板15上をシリ
ンダ18に工って移動するY軸(縦方向)移動板で、こ
の移動板17の上にセラミック部材12が保持されてい
る。19はセラミック部材12の割れやクラックを防止
するヒータでおる。一方、20はセラミック膜が蒸着さ
れる基板、21はこの基板20を保持する保持具、22
は基板20を加熱するためのヒータ、23は真空チャン
バ11内をI X IQ−’ トール程度に真空引きす
る九めの真空排気口である。
図はこの発明によるレーザビーム真空蒸着装置の構成図
で、11は真空チャンバであって、12はチャンバ11
内に配設した板状のセラミック部材で、レーザビームl
が集光レンズ3およびウインドクレンズ4を経て真空チ
ャンバ11内のセラミック部材12に照射される。13
はセラミック部材12奢縦横に移動させるためのX−Y
軸駆動機構であって、第2図にこの駆動機構12の平面
図を示す。14はX−Y軸駆動機構12のベースで、こ
のペース14上をX@(横方向)移動板15がシリンダ
16に工って移動する。17はX軸移動板15上をシリ
ンダ18に工って移動するY軸(縦方向)移動板で、こ
の移動板17の上にセラミック部材12が保持されてい
る。19はセラミック部材12の割れやクラックを防止
するヒータでおる。一方、20はセラミック膜が蒸着さ
れる基板、21はこの基板20を保持する保持具、22
は基板20を加熱するためのヒータ、23は真空チャン
バ11内をI X IQ−’ トール程度に真空引きす
る九めの真空排気口である。
次に動作について説明する。集光レンズ3によって集光
されたレーザビーム1をセラミック部材12に照射する
と、蒸発したセラミック蒸気1aが基板20の表面に付
着し、セラミック膜1bが形成される。すなわち、レー
ザビーム1の照射に対してセラミック部材12をX−Y
軸駆動機構13を用いて第3図に示すように移動させて
セラミック部材12に対するレーザビーム1の熱的作用
時間の制御による蒸発量調節を行なうことができる。
されたレーザビーム1をセラミック部材12に照射する
と、蒸発したセラミック蒸気1aが基板20の表面に付
着し、セラミック膜1bが形成される。すなわち、レー
ザビーム1の照射に対してセラミック部材12をX−Y
軸駆動機構13を用いて第3図に示すように移動させて
セラミック部材12に対するレーザビーム1の熱的作用
時間の制御による蒸発量調節を行なうことができる。
これに工って、例えばSi3N+のように蒸発しにくい
セラミックの場合はセラミックの移動速度を遅くして熱
的作用時間を長くし、また、A40.のように蒸発しや
すいセラミックの場合は移動速度を早くすることによっ
て蒸発量を調節することができ、しかも、セラミックの
材種が変ってもレーザ出力の変更はなく、かつ小出力の
レーザ発振器で使用できる。・また、セラミックの蒸発
点は第3図の(a)に示す位置から移動できるので、常
にセラミックの新しい面から蒸発させることができ、安
定し次蒸発量を得ることができる。
セラミックの場合はセラミックの移動速度を遅くして熱
的作用時間を長くし、また、A40.のように蒸発しや
すいセラミックの場合は移動速度を早くすることによっ
て蒸発量を調節することができ、しかも、セラミックの
材種が変ってもレーザ出力の変更はなく、かつ小出力の
レーザ発振器で使用できる。・また、セラミックの蒸発
点は第3図の(a)に示す位置から移動できるので、常
にセラミックの新しい面から蒸発させることができ、安
定し次蒸発量を得ることができる。
なお、実施例ではセラミックをSi、N、やAl!*0
゜について説明したが、これに限定するものではない。
゜について説明したが、これに限定するものではない。
また、セラミックは板状のもの以外棒状であってもよく
、この場合は一軸(X軸)の移動速度を回転速度で制御
し、他の一軸(Y軸)を軸方向の移動速度で制御すれば
よい。
、この場合は一軸(X軸)の移動速度を回転速度で制御
し、他の一軸(Y軸)を軸方向の移動速度で制御すれば
よい。
以上説明したようにこの発明によれば、真空チャンバ内
のセラミック部材にレーザビームを照射し、蒸発するセ
ラミック蒸気を基板に付着させる装置において、セラミ
ック部材を板状または棒状とし、これをX−Y軸駆動機
構によって移動させるようにしたので、セラミックの彷
徨変更や膜堆積速度の変更による精密な膜厚制御ができ
、多品種、多条性のセラミック膜の形成が可能となると
共に、品質のよいセラミック膜が得られる。また、レー
ザビームの出力は変更することもなく、しかも比較的小
出力の発振器でよいので小型化が図れ、かつ安価となる
。
のセラミック部材にレーザビームを照射し、蒸発するセ
ラミック蒸気を基板に付着させる装置において、セラミ
ック部材を板状または棒状とし、これをX−Y軸駆動機
構によって移動させるようにしたので、セラミックの彷
徨変更や膜堆積速度の変更による精密な膜厚制御ができ
、多品種、多条性のセラミック膜の形成が可能となると
共に、品質のよいセラミック膜が得られる。また、レー
ザビームの出力は変更することもなく、しかも比較的小
出力の発振器でよいので小型化が図れ、かつ安価となる
。
第1図はこの発明の一実施例によるレーザ真空蒸着装置
の構成図、第2図はX−Y軸駆動機構の平面図、第3図
はレーザビームに対するセラミック部材の移動を示す図
、第4図は従来のレーザ真空蒸着装置の構成図である。 1・・・レーザビーム、1b・・・セラミック膜、11
・・・真空チャンバ、12・・・セラミック部材、13
・・・X−Y軸駆動機構、15・・・移動板、16・・
・シリンダ、17・・・移動板、18・・・シリンダ、
2o・・・基板。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
の構成図、第2図はX−Y軸駆動機構の平面図、第3図
はレーザビームに対するセラミック部材の移動を示す図
、第4図は従来のレーザ真空蒸着装置の構成図である。 1・・・レーザビーム、1b・・・セラミック膜、11
・・・真空チャンバ、12・・・セラミック部材、13
・・・X−Y軸駆動機構、15・・・移動板、16・・
・シリンダ、17・・・移動板、18・・・シリンダ、
2o・・・基板。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 真空チャンバ内に配設されたセラミック部材にレーザビ
ームを照射し、蒸発するセラミック蒸気を基板に付着さ
せてセラミック膜を形成するレーザ真空蒸着装置におい
て、セラミック部材は板状または棒状とし、このセラミ
ック部材を縦横に移動可能のX−Y軸駆動装置に支持す
るようにしたことを特徴とするレーザ真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3322888A JPH01208455A (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | レーザ真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3322888A JPH01208455A (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | レーザ真空蒸着装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01208455A true JPH01208455A (ja) | 1989-08-22 |
Family
ID=12380601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3322888A Pending JPH01208455A (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | レーザ真空蒸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01208455A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5622567A (en) * | 1992-11-30 | 1997-04-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film forming apparatus using laser |
JP2003105530A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Vacuum Products Kk | レーザアブレーション装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6164875A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-03 | Ulvac Corp | 合金薄膜形成方法 |
JPS62224669A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザセラミツクスコ−テイング方法 |
-
1988
- 1988-02-15 JP JP3322888A patent/JPH01208455A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6164875A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-03 | Ulvac Corp | 合金薄膜形成方法 |
JPS62224669A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザセラミツクスコ−テイング方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5622567A (en) * | 1992-11-30 | 1997-04-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film forming apparatus using laser |
JP2003105530A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Vacuum Products Kk | レーザアブレーション装置 |
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