JPS6179765A - レ−ザ蒸着装置 - Google Patents
レ−ザ蒸着装置Info
- Publication number
- JPS6179765A JPS6179765A JP20336884A JP20336884A JPS6179765A JP S6179765 A JPS6179765 A JP S6179765A JP 20336884 A JP20336884 A JP 20336884A JP 20336884 A JP20336884 A JP 20336884A JP S6179765 A JPS6179765 A JP S6179765A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- laser beam
- vapor
- deposition material
- evaporation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、金属基板の表面にセラミック等の蒸着膜を形
成するためのレーザ蒸着装置に関する。
成するためのレーザ蒸着装置に関する。
従来、レーザ蒸着装置は１通常第３図１＝示すように構
成されている。即ち、装置本体である真空容器１０内に
は１円板状または板状の蒸着材料（セラミック等）１１
及び被蒸着体である金属基板１２が設置される。
成されている。即ち、装置本体である真空容器１０内に
は１円板状または板状の蒸着材料（セラミック等）１１
及び被蒸着体である金属基板１２が設置される。
レーザビーム１３は、凸ビンズＪ４により集光されなが
ら、光学窓１５を通過して、蒸着材料１１に照射される
。これにより、蒸着材料１１は溶融、蒸発して蒸気１６
状態となり、金属基板１２の表面に蒸着する。このとき
、蒸着材料１１は１回転装置（図示せず）により回転さ
れている。このようにして、金属基ＶｊＬ１２の表面Ｃ
二は、セラミック等の蒸着膜が形成されることになる。
ら、光学窓１５を通過して、蒸着材料１１に照射される
。これにより、蒸着材料１１は溶融、蒸発して蒸気１６
状態となり、金属基板１２の表面に蒸着する。このとき
、蒸着材料１１は１回転装置（図示せず）により回転さ
れている。このようにして、金属基ＶｊＬ１２の表面Ｃ
二は、セラミック等の蒸着膜が形成されることになる。
ところで、上記のようにレーザビーム１３が蒸着材料１
１に照射されて、蒸着処理がなされるが、レーザビーム
１３は蒸着材料１１の極めて限定された部分にのみ照射
される。このため。
１に照射されて、蒸着処理がなされるが、レーザビーム
１３は蒸着材料１１の極めて限定された部分にのみ照射
される。このため。
蒸着材料１１は回転されているにもかかわらず。
消耗が激しく長時間の使用が不可能である。しだがって
、蒸着材料１１を頻繁に交換する必要があるため、運転
コストが増大する間匙がある。
、蒸着材料１１を頻繁に交換する必要があるため、運転
コストが増大する間匙がある。
場合、金属基板１２上に形成される蒸着膜は中央部はど
厚くなる。したがって、金属基板１２の表面には、均一
的な蒸着膜が形成されない問題がある。このような点を
解決するには、金属基板１２の表面積を大きくシ、基板
１２自体を複雑に移動させる必要がある。
厚くなる。したがって、金属基板１２の表面には、均一
的な蒸着膜が形成されない問題がある。このような点を
解決するには、金属基板１２の表面積を大きくシ、基板
１２自体を複雑に移動させる必要がある。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので。
その目的は、金属基板の表面株が小さい場合でも、蒸着
膜を均一に形成することができ、しかも蒸着材料を大幅
に節約できるレーザ蒸着装置を提供することにある。
膜を均一に形成することができ、しかも蒸着材料を大幅
に節約できるレーザ蒸着装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明は１回
転するａｈ材料に対して、その回転方向に対して垂直方
向にレーザビームを振動させる手段を設ける。これによ
り、蒸着材料のレーザビーム照射部が拡大し、蒸発源が
一様になる。
転するａｈ材料に対して、その回転方向に対して垂直方
向にレーザビームを振動させる手段を設ける。これによ
り、蒸着材料のレーザビーム照射部が拡大し、蒸発源が
一様になる。
したがって、蒸着材料の消耗度は大幅に一少でき、しか
も金属基板の表面に均一な蒸着膜を形成することができ
る・ 〔実施例〕 以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。第１図は一実施例に係わるレーザ蒸着装置の構成を示
す図である。
も金属基板の表面に均一な蒸着膜を形成することができ
る・ 〔実施例〕 以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。第１図は一実施例に係わるレーザ蒸着装置の構成を示
す図である。
第１図５＝おいて、凹面鏡１７は、真空容器１０内の所
定の位置に設置されて、レーザビーム１３をセラミック
等の蒸着材料１１上に集光させる。このとき、凹面鏡１
７は、図示しない振動ｔｌＩ構により、蒸着材料１１の
回転方向に対・亡 して垂直方向（＝レーザビーム１３を微動さ−るように
構成されている（第２図を参照）。
定の位置に設置されて、レーザビーム１３をセラミック
等の蒸着材料１１上に集光させる。このとき、凹面鏡１
７は、図示しない振動ｔｌＩ構により、蒸着材料１１の
回転方向に対・亡 して垂直方向（＝レーザビーム１３を微動さ−るように
構成されている（第２図を参照）。
次に、一実施例に係わる作用効果を説明する。
先ず、レーザビーム発生源（例えばｌ ＫｖＣＯル−プ
発生源）から、レーザビーム１３が発生されると、見学
窓１５を通過して真空容器１０内に入射される。真空容
器１０内は１例えば１０４〜１０ （Ｔｏｒｒ ）の
真空状態とする。レーザビーム１３は、真空容器１０内
の凹面鏡１７（例えば焦点距離１５０ｍｍの銅製凹面鏡
）により、蒸着材料ＸＺ（例えば直径５０ｏｖｎ、厚さ
１５ｍｍの円板状のセラミック）に集光される。
発生源）から、レーザビーム１３が発生されると、見学
窓１５を通過して真空容器１０内に入射される。真空容
器１０内は１例えば１０４〜１０ （Ｔｏｒｒ ）の
真空状態とする。レーザビーム１３は、真空容器１０内
の凹面鏡１７（例えば焦点距離１５０ｍｍの銅製凹面鏡
）により、蒸着材料ＸＺ（例えば直径５０ｏｖｎ、厚さ
１５ｍｍの円板状のセラミック）に集光される。
このとき、凹面鏡１７は１例えば周波数１００Ｈｚ で
振動し、レーザビーム１３を蒸着材料１１の照射点の振
幅が１５ｍｍ程度になるように振動させる。即ち、第２
図に示すように、蒸着材料１１の回転方向Ｃ二対して、
垂直方向にレーザビーム１３が振動する。
振動し、レーザビーム１３を蒸着材料１１の照射点の振
幅が１５ｍｍ程度になるように振動させる。即ち、第２
図に示すように、蒸着材料１１の回転方向Ｃ二対して、
垂直方向にレーザビーム１３が振動する。
これにより、蒸着材料１１の表面は、線状に溶融、蒸発
することになる。このため、蒸着材料１ノから発生する
蒸気１６が、金属基板１２の表面全体に蒸着される。こ
のとき、金属り板１２は、蒸着材料１１から例えば５０
ａｎｖ＋程度離して設置されており、第２図に示す矢印
１８の方向に徐々に移動されるようになっている。
することになる。このため、蒸着材料１ノから発生する
蒸気１６が、金属基板１２の表面全体に蒸着される。こ
のとき、金属り板１２は、蒸着材料１１から例えば５０
ａｎｖ＋程度離して設置されており、第２図に示す矢印
１８の方向に徐々に移動されるようになっている。
このようにして、蒸着材料１１の蒸発源が線状となるた
め、金属基板１２には水平方向に均一に蒸着される。金
属基板１２は、垂直方向（矢印１８）に移動されること
により、基板表面全体Ｃ二均−な蒸着膜が形成されるこ
とになる。
め、金属基板１２には水平方向に均一に蒸着される。金
属基板１２は、垂直方向（矢印１８）に移動されること
により、基板表面全体Ｃ二均−な蒸着膜が形成されるこ
とになる。
さらに１回転する蒸着材料１１は、蒸発源が線状となる
ため、レーザビーム１３の振動により一様Ｃ；消耗する
。したがって、蒸着材料１ノの厚さをレーザビームの振
幅とほぼ同一であれば。
ため、レーザビーム１３の振動により一様Ｃ；消耗する
。したがって、蒸着材料１ノの厚さをレーザビームの振
幅とほぼ同一であれば。
蒸着材料１ノを無駄なく有効に使用することができる。
以上詳述したように本発明Ｃ二よれば、蒸着材料のレー
ザビーム照射範囲を線状にすることにより、蒸発源を線
状にすることができる。したがって、金属基板の表面の
水平方向に一様に蒸着でき、その基板表面全体に均一な
蒸着膜を形成することができる。また、蒸着材料が一様
Ｃ；消耗されるため、有効に使用でき、蒸着材料を大幅
に節約できる。
ザビーム照射範囲を線状にすることにより、蒸発源を線
状にすることができる。したがって、金属基板の表面の
水平方向に一様に蒸着でき、その基板表面全体に均一な
蒸着膜を形成することができる。また、蒸着材料が一様
Ｃ；消耗されるため、有効に使用でき、蒸着材料を大幅
に節約できる。
これにより、結果的に運転コストを低下でき。
しかも蒸着処理を確実に行なうことができるものである
。
。
′＃＆１図は本発明の一実施例に係わるレーザ蒸着装置
の構成を示す側面図、第２図は同実施例の部分的斜視図
、第３図は従来のレーザ蒸着装置の構成を示す側面図で
ある。 １０・・・真空容器、１１・・・蒸着材料、１２・・・
金属、基板、１７・・・凹面鏡。 出−人復代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１ｒｙ！
Ｕ 第２図
の構成を示す側面図、第２図は同実施例の部分的斜視図
、第３図は従来のレーザ蒸着装置の構成を示す側面図で
ある。 １０・・・真空容器、１１・・・蒸着材料、１２・・・
金属、基板、１７・・・凹面鏡。 出−人復代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１ｒｙ！
Ｕ 第２図
Claims (1)
- 所定の厚さを有する円板状または板状の蒸着材料と、こ
の蒸着材料を回転させる回転手段と、被蒸着体である金
属基板の表面に対向する上記蒸着材料の表面上を蒸着材
料の回転方向に対して垂直方向にレーザビームを振動さ
せるように照射するレーザ照射手段とを具備したことを
特徴とするレーザ蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20336884A JPS6179765A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | レ−ザ蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20336884A JPS6179765A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | レ−ザ蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6179765A true JPS6179765A (ja) | 1986-04-23 |
Family
ID=16472868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20336884A Pending JPS6179765A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | レ−ザ蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6179765A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0265886A2 (en) * | 1986-10-27 | 1988-05-04 | Hitachi, Ltd. | Process for forming an ultrafine-particle film |
| JPS63176462A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-20 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザ蒸着装置 |
| US5097793A (en) * | 1989-05-11 | 1992-03-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film vacuum evaporation device |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP20336884A patent/JPS6179765A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0265886A2 (en) * | 1986-10-27 | 1988-05-04 | Hitachi, Ltd. | Process for forming an ultrafine-particle film |
| JPS63176462A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-20 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザ蒸着装置 |
| US5097793A (en) * | 1989-05-11 | 1992-03-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film vacuum evaporation device |
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