JPS63153265A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS63153265A JPS63153265A JP30251686A JP30251686A JPS63153265A JP S63153265 A JPS63153265 A JP S63153265A JP 30251686 A JP30251686 A JP 30251686A JP 30251686 A JP30251686 A JP 30251686A JP S63153265 A JPS63153265 A JP S63153265A
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- JP
- Japan
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- substrate
- holder
- sputtered film
- oscillation
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
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- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスパッタ装置、特に基板支持治具に関する。
表面に微細な段差がある半導体基板等においては、一様
に平坦なスパッタ膜を形成するため、種々の対策が講じ
られている。例えば、基板温度を高くしてスパッタ粒子
の運動エネルギーを上げる、アルゴンガス圧を上げて基
板に対する入射角をひろげる、または基板にバイアス電
圧をかけて逆スパツタするなどして、段差を核種してい
る。
に平坦なスパッタ膜を形成するため、種々の対策が講じ
られている。例えば、基板温度を高くしてスパッタ粒子
の運動エネルギーを上げる、アルゴンガス圧を上げて基
板に対する入射角をひろげる、または基板にバイアス電
圧をかけて逆スパツタするなどして、段差を核種してい
る。
従来の方法において、基板温度を高くしてスパッタ粒子
の運動エネルギーを上げることは、基板の耐熱性によシ
温度上昇に限度がある。またアルゴンガス圧を上げて、
基板に対する入射角をひろげることは、アルゴンガス圧
を上げすぎると放電しにくくなる。基板にバイアス電圧
を加えて逆スパツタすることは、基板がプラズマ中のイ
オン、電子の衝撃をうける。このようにすべての方法に
欠点があった。
の運動エネルギーを上げることは、基板の耐熱性によシ
温度上昇に限度がある。またアルゴンガス圧を上げて、
基板に対する入射角をひろげることは、アルゴンガス圧
を上げすぎると放電しにくくなる。基板にバイアス電圧
を加えて逆スパツタすることは、基板がプラズマ中のイ
オン、電子の衝撃をうける。このようにすべての方法に
欠点があった。
本発明の目的は、上記欠点を除去した新規なスパッタ装
置を提供することにある。
置を提供することにある。
本発明のスパッタ装置は、基板支持治具に、該治具に支
持された基板を振動させる超音波振動子を設けるように
したものである。
持された基板を振動させる超音波振動子を設けるように
したものである。
スパッタ膜形成中に、超音波振動子によって基板を振動
すると、相対的にスパッタ粒子の運動エネルギーが増加
し、入射角が広がる。これによって段差被接性を向上す
ることができる。
すると、相対的にスパッタ粒子の運動エネルギーが増加
し、入射角が広がる。これによって段差被接性を向上す
ることができる。
以下、図面を参照して本発明の実施例につき説明する。
第１図は第１実施例の側面断面図である。この実施例は
超音波振動源が基板の中央部にあるように超音波振動子
を配置したものである。この例ではマグネトロンスパッ
タリングを行なうため、ターゲットガンは、シールドカ
バー１１．ターゲット１２．マグネット１３で構成され
、負電位とする。対向する基板ホルダ１５の先端面に、
基板１８力ζ密着した振動子ホルダ１４を介して、スプ
リング１６により押圧され、保持されている。振動子ホ
ルダ１４はその中央部に超音波振動子１７を配設してい
る。
超音波振動源が基板の中央部にあるように超音波振動子
を配置したものである。この例ではマグネトロンスパッ
タリングを行なうため、ターゲットガンは、シールドカ
バー１１．ターゲット１２．マグネット１３で構成され
、負電位とする。対向する基板ホルダ１５の先端面に、
基板１８力ζ密着した振動子ホルダ１４を介して、スプ
リング１６により押圧され、保持されている。振動子ホ
ルダ１４はその中央部に超音波振動子１７を配設してい
る。
超音波振動子１７を駆動嘔せると、振動子ホルダ１４に
密着している基板１８の中央部に、垂直方向に振動を与
える。基板１８は周辺を固定されているので彎曲振動を
する。したがってターゲット１２から放出嘔れたスパッ
タ粒子は、基板１８に対してあらゆる角度で入射し、ま
た運動エネルギーも相対的に大きくなり、段差被接性が
向上する。
密着している基板１８の中央部に、垂直方向に振動を与
える。基板１８は周辺を固定されているので彎曲振動を
する。したがってターゲット１２から放出嘔れたスパッ
タ粒子は、基板１８に対してあらゆる角度で入射し、ま
た運動エネルギーも相対的に大きくなり、段差被接性が
向上する。
次に第２実施例につき、第２図を参照して説明する。第
２図は基板支持治具側面断面図を示すもので、超音波振
動子ｎで基板あを両側面から挾持し、振動を与えるよう
にしている。超音波振動子ごは、振動子ホルダ々で支え
られ、それをスプリングにで基板ホルダ５に収容してい
る。上下の超音波振動子ｎの位相を合わせて振動嘔せる
と基板囚は上下に振動し、スパッタ粒子はあらゆる角度
で入射し、また運動エネルギーも相対的に大きくなる。
２図は基板支持治具側面断面図を示すもので、超音波振
動子ｎで基板あを両側面から挾持し、振動を与えるよう
にしている。超音波振動子ごは、振動子ホルダ々で支え
られ、それをスプリングにで基板ホルダ５に収容してい
る。上下の超音波振動子ｎの位相を合わせて振動嘔せる
と基板囚は上下に振動し、スパッタ粒子はあらゆる角度
で入射し、また運動エネルギーも相対的に大きくなる。
この第２図の基板支持治具では基板列の裏面から加熱で
きる利点もある。
きる利点もある。
なお、実施例では、ターゲットに磁界を与えるようにし
ているが、磁界を与えず単に直流電圧を与えるものでも
よいことはいうまでもない。
ているが、磁界を与えず単に直流電圧を与えるものでも
よいことはいうまでもない。
以上、説明したように、本発明のスパッタ装置では、基
板支持治具に設けた超音波振動子を、スパッタ膜を作成
中に動作させ、基板を振動する。これによってスパッタ
粒子は、基板に対してあらゆる入射角をもち、また運動
エネルギーが増加するので、スパッタ膜は基板に微細な
段差があっても平坦に形成され、段差核種性が一段と向
上する。
板支持治具に設けた超音波振動子を、スパッタ膜を作成
中に動作させ、基板を振動する。これによってスパッタ
粒子は、基板に対してあらゆる入射角をもち、また運動
エネルギーが増加するので、スパッタ膜は基板に微細な
段差があっても平坦に形成され、段差核種性が一段と向
上する。
第１図は本発明の一実施例の側面断面図、第２図は別の
実施例の基板支持治具の断面図である。 １２・・・ターゲット、１３・・・マグネット、１４
、２４・・・振動子ホルダ、１５．２５・・・基板ホル
ダ、１６ 、２６・・・スプリング、１７．２７・・・
超音波振動子、１８ 、２８・・・基板。
実施例の基板支持治具の断面図である。 １２・・・ターゲット、１３・・・マグネット、１４
、２４・・・振動子ホルダ、１５．２５・・・基板ホル
ダ、１６ 、２６・・・スプリング、１７．２７・・・
超音波振動子、１８ 、２８・・・基板。
Claims (1)
- 基板支持治具に、該治具に支持された基板を振動させる
超音波振動子を設けていることを特徴とするスパッタ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30251686A JPS63153265A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30251686A JPS63153265A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63153265A true JPS63153265A (ja) | 1988-06-25 |
Family
ID=17909905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30251686A Pending JPS63153265A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63153265A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0219463A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-23 | Teijin Ltd | 薄膜形成装置 |
| US5277740A (en) * | 1990-08-31 | 1994-01-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for forming a fine pattern |
| WO1995000676A1 (en) * | 1993-06-17 | 1995-01-05 | Materials Research Corporation | Ultrasonic enhancement of aluminum step coverage and apparatus |
| US6766813B1 (en) * | 2000-08-01 | 2004-07-27 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Apparatus and method for cleaning a wafer |
| WO2004082016A1 (en) * | 2003-03-06 | 2004-09-23 | Intel Corporation | Application of sonic energy during sputtering of metal to fill opening |
-
1986
- 1986-12-17 JP JP30251686A patent/JPS63153265A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0219463A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-23 | Teijin Ltd | 薄膜形成装置 |
| US5277740A (en) * | 1990-08-31 | 1994-01-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for forming a fine pattern |
| WO1995000676A1 (en) * | 1993-06-17 | 1995-01-05 | Materials Research Corporation | Ultrasonic enhancement of aluminum step coverage and apparatus |
| US5520784A (en) * | 1993-06-17 | 1996-05-28 | Sony Corporation | Ultrasonic enhancement of aluminum step coverage and apparatus |
| US6766813B1 (en) * | 2000-08-01 | 2004-07-27 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Apparatus and method for cleaning a wafer |
| WO2004082016A1 (en) * | 2003-03-06 | 2004-09-23 | Intel Corporation | Application of sonic energy during sputtering of metal to fill opening |
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