JP2595805Y2 - 真空蒸着装置 - Google Patents

真空蒸着装置

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JP2595805Y2
JP2595805Y2 JP1992064330U JP6433092U JP2595805Y2 JP 2595805 Y2 JP2595805 Y2 JP 2595805Y2 JP 1992064330 U JP1992064330 U JP 1992064330U JP 6433092 U JP6433092 U JP 6433092U JP 2595805 Y2 JP2595805 Y2 JP 2595805Y2
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JP
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substrate
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evaporation
vacuum
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JP1992064330U
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Inventor
均 中河原
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アネルバ株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この考案は、真空容器内に蒸発源
と基板ホルダを対向設置して構成された真空蒸着装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来の真空蒸着装置は、図5に示したよ
うに、真空容器1内に、蒸発源2と基板ホルダ3を対向
設置して構成されていた。蒸発源2は、蒸発試料4を加
熱により蒸発させるもので、抵抗加熱方式、電子ビーム
加熱方式、誘導加熱方式等があった。基板ホルダ3は、
蒸発源2側が基板支持面とされ、この面内に基板5を支
持するように構成されたもので、基板ホルダ3の中心に
立てた法線6が、前記蒸発源2を通るように配置されて
いた。基板ホルダ3は法線6の回りで回転するようにし
たものもあった。
【0003】
【考案により解決すべき課題】前記のような従来の真空
蒸着装置では、基板ホルダ3の中心(法線6と交わる位
置)から離れるに従って、基板5へ入射する蒸発粒子の
入射角度が大きくなり、基板5に形成される蒸着膜の性
質が変化するので、これを避ける為に蒸発源2と基板ホ
ルダ3の距離を大きくし、基板5に形成される蒸着膜が
基板5内で、できるだけ均一になるようにしていた。
【0004】この為、従来の真空蒸着装置は、真空容器
1が大きくなり、又、蒸着速度が小さくなるという問題
点があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】この考案は、前記のよう
な問題点に鑑みてなされたもので、装置の小形化が可能
で、かつ基板に入射する蒸発粒子の入射角度を垂直にで
きる真空蒸着装置を提供することを目的としている
【0006】の考案の真空蒸着装置は、真空容器内に
蒸発源と基板ホルダを対向設置してなる真空蒸着装置に
おいて、前記基板ホルダは、蒸発源を通る基板ホルダに
立てた法線から離れた位置を中心として基板支持面内で
自転可能としてあると共に、自転中心の一側蒸発源側
に、基板へほぼ垂直に入射する蒸着粒子のみに制限する
為の遮蔽板が設置してあることを特徴としている。
【0007】
【作用】の考案真空蒸着装置においては、蒸発源か
ら放出された蒸発粒子のうち、基板に対して大きな入射
角度で入射する蒸発粒子が遮蔽板で遮断され、基板に入
射するのを制限される。従って、基板上には略垂直に入
射する蒸発粒子だけが入射し、蒸着膜を形成することが
できる。
【0008】この結果、蒸発源と基板ホルダの距離を近
接させることが可能である。
【0009】
【実施例】以下この考案の実施例を図を参照して説明す
【0010】の考案の実施例の真空蒸着装置の一部を
示したものである。
【0011】図1の実施例は真空容器11内に蒸発源1
2と基板ホルダ13が対向設置して あり、前記基板ホル
ダ13の蒸発源12側に遮蔽板22が設置してある。前
基板ホルダ13は、法線14が蒸発源12を通るよう
にされ、かつ該法線14から一側に離れた位置を中心と
して、矢示23のように基板支持面13a内で自転可能
としてある。そして前記遮蔽板22は、自転の中心より
一側の位置に配置され、基板15の一側を覆うようにな
っている。
【0012】この実施例の場合、遮蔽板22が、蒸発粒
子のうち、基板15に対して大きな入射角度で入射する
蒸発粒子を遮蔽し、略垂直で入射する蒸発粒子だけを基
板15側へ通過させる。基板15を自転させる結果、基
板15の表面には、略垂直に入射する蒸発粒子による均
一な蒸着膜が形成される。
【0013】この結果、蒸発源12と基板ホルダ13を
近接させることが可能である。
【0014】
【考案の効果】以上に説明したように、この考案によれ
ば、基板に到達する蒸発粒子を、基板に対して略垂直に
入射する蒸発粒子に制限できるようにしたので、蒸発源
と基板ホルダを近接させて、これらを収容する真空容器
を小型化できる効果がある。
【0015】蒸発源と基板ホルダを近接させるので、遮
蔽板の設置による蒸着速度の低下を避けることができ
る。
【0016】又、基板に形成される蒸着膜は、略垂直に
入射する蒸発粒子で形成されるので、蒸着膜の諸特性を
蒸発源と基板ホルダの距離に律則されることなく、向上
できる効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この考案の実施例の要部構成図である。
【図2】従来の真空蒸着装置の構成図である。
【符号の説明】
11 真空容器 12 蒸発源 13 基板ホルダ 13a 基板支持面 14 法線 15 基板 19 蒸発試料 22 遮蔽板 23 矢示

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空容器内に、蒸発源と基板ホルダを対
    向設置してなる真空蒸着装置において、前記基板ホルダ
    は、蒸発源を通る基板ホルダに立てた法線から離れた位
    置を中心として基板支持面内で自転可能としてあると共
    に、自転中心の一側蒸発源側に、基板へほぼ垂直に入射
    する蒸着粒子のみに制限する為の遮蔽板が設置してある
    ことを特徴とした真空蒸着装置。
JP1992064330U 1992-08-21 1992-08-21 真空蒸着装置 Expired - Lifetime JP2595805Y2 (ja)

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JPH0622364U JPH0622364U (ja) 1994-03-22
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