JPS6179766A - レ−ザ蒸着装置 - Google Patents

レ−ザ蒸着装置

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Publication number
JPS6179766A
JPS6179766A JP20336984A JP20336984A JPS6179766A JP S6179766 A JPS6179766 A JP S6179766A JP 20336984 A JP20336984 A JP 20336984A JP 20336984 A JP20336984 A JP 20336984A JP S6179766 A JPS6179766 A JP S6179766A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor deposition
laser beam
laser
substrate
metal substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20336984A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiko Odohira
尾土平 俊彦
Yasuyuki Yoshida
康之 吉田
Tsunetaka Hiromi
広実 常登
Ichiro Yamashita
一郎 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Heavy Industries Ltd filed Critical Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority to JP20336984A priority Critical patent/JPS6179766A/ja
Publication of JPS6179766A publication Critical patent/JPS6179766A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野〕 本発明は、金属基板の表面にセラミック等の蒸着膜を形
成するためのレーザ蒸着装置に関する。
〔従来技術〕
従来、レーザ蒸着装置は、通常第2図に示すように構成
されている。即ち、装置本体である真空容器10内には
、セラミック等の蒸着材料11及び被蒸着体である金属
基板12が設置される。真空容器10Klri、レーザ
ビーム13を通過させるための光学窓14′が設けられ
ている。
レーザビーム13は、凸レンズ15により集光された後
、光学窓14を通過して蒸着材料110表面に照射する
ように入射される。これKより、蒸着材料11が蒸気状
態となり、金属基板12の表面に蒸着されることKなる
。このとき、金属基板12は1図示しないヒータにより
加熱されている。このようにして、金属基板120表面
には、セラミック等の蒸着膜が形成されることになる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、上記のようにレーザビーム13の集光、照射
により、蒸気材料11の蒸気16が発生する。この蒸気
16は、金属基板12の表14はレーザビーム13に対
するエネルギー吸収率が急激に増大して、熱歪を生じた
り、破壊されることがある。また、レーザビーム130
通過量が減少し、蒸着材料11に対して十分なエネルギ
ーが与えられないことになる。このため、金属基板12
に対する蒸着が困難となる。
したがって、従来では、光学窓14を比較的4頻繁に交
換する必要があるため、装置の運転コストが増大する問
題があった。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので。
確実に蒸着処理を行なうことができ、しかも運転コスト
を減少することができるレーザ蒸着装置を提供すること
Kある。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明は、真
空容器内に入射されるレーザビームを被蒸着体である金
属基板で反射させ、その反射レーザが蒸着材料に集光照
射するように構成する。この場合、レーザビームの入射
用の光学窓は、レーザビームの蒸着材料に対する照射点
より立体角にして2πより後方の位置に設置される。
このような構成により、蒸着材料の蒸気が光学窓に付着
することを確実に防止できるものである。
〔実施例〕
以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。第1図は一実施例に係わるレーザ蒸着装置の構成を示
す図である。第1図において、被蒸着体である金属基板
12は、真空容器10中に水平方向に移動可能な手段(
図示せず)により設置される。蒸着材料(セラミック等
)11は、板状または円板状で、蒸着中は回転されたり
、移動されるようになっている。
真空容器10外から供給されるレーザビーム13は、凸
レンズ15によって集光されながら、光学窓14を通過
して、金属基板12に直接入射されるようになっている
。光学窓14は、レーザビーム13が金属基板12から
反射して蒸着材料11に照射される位置関係において、
蒸着材料1ノのレーザ照射点から立体角にして、2πよ
りも後方に位置している。
このような構造のレーザ蒸着装#において。
一実施例に係わる作用効果を説明する。先ず、レーザビ
ーム発生源(例えばIKWCO,レーザ発生源)からレ
ーザビーム13が発生されると、レーザビーム13は凸
レンズ15により集光されながら、光学窓14を通過し
て真空容器10内に入射される。入射されたレーザビー
ム13は、例えはアルミニニウムまたは銅の金属基板1
2により反射された後、セラミック等の蒸着材料11に
照射することになる。これにより、蒸着材料1ノは蒸発
する。このとき、蒸着材料11は、例えば円板状で、6
00℃以上に加熱されながら、回転している。この蒸発
材料11の表面(レーザビーム13が照射される面)の
法線方向に分布しながら、立体角にして2π方向に拡が
り、金属基板12の表面に蒸着される。
このとき、金属基板12は、第1図の矢印の方向に除々
に移動する(例えば1備/分の速度)ことKより、表面
全体に蒸着がなされ、例えば数μmの蒸着膜が形成され
る。ここで、金属基板12の後端には、例えばアルミニ
ニウムまたは銅等の金属板17が接着剤またはデルト締
め等により設けられる。この金属板12は、金属基板1
2が移動するに伴って、レーザビーム13を蒸着材料1
1に反射させることにより、金属基板12の後端面まで
確実に蒸着させるものである。
このようにして、金属板12の表面に蒸着膜を形成する
ことができる。このとき、レーザビーム13の照射によ
り発生する蒸気16は、#1とんど立体角にして2π方
向に拡散される。光学窓14は、上記角度より後方に位
置しているため、蒸気16が付着することはない。
〔発明の効果〕
以上詳述したように本発明によれば、レーザビームの入
射用の光学窓に対して蒸着材料の蒸気が付着するのを確
実に防止することができる。
したがって、光学窓が破損するなどの事態を防止できる
ため、レーザビームの入射による蒸着処理を確実に行な
うことができる。また、メインテナンスのだめ光学窓を
交換する回数も減少できるため、蒸着装置の運転コスト
を低下させることができる効果も得ることができるもの
である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係わるレーザ蒸着装置の構
成を示す図、第2図は従来のレーザ蒸着装置の構成を示
す図である。 10・・・真空容器、11・・・蒸着材料、12・・・
金属基板、14・・・光学窓。 出願人復代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 1フ 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. レーザビームを装置本体内に照射させるように通過させ
    る光学窓と、この光学窓を通過したレーザビームを被蒸
    着体である金属基板に所定の角度で照射させるように上
    記金属基板の位置を設定する設定手段と、上記金属基板
    に照射されたレーザビームの反射光を照射されて金属基
    板の表面に蒸着する蒸着材とを具備し、上記光学窓が上
    記レーザビームの上記蒸着材に対する照射点より立体角
    にして2πより後方の位置に設置されたことを特徴とす
    るレーザ蒸着装置。
JP20336984A 1984-09-28 1984-09-28 レ−ザ蒸着装置 Pending JPS6179766A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20336984A JPS6179766A (ja) 1984-09-28 1984-09-28 レ−ザ蒸着装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20336984A JPS6179766A (ja) 1984-09-28 1984-09-28 レ−ザ蒸着装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6179766A true JPS6179766A (ja) 1986-04-23

Family

ID=16472885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20336984A Pending JPS6179766A (ja) 1984-09-28 1984-09-28 レ−ザ蒸着装置

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JP (1) JPS6179766A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5097793A (en) * 1989-05-11 1992-03-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Thin film vacuum evaporation device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5097793A (en) * 1989-05-11 1992-03-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Thin film vacuum evaporation device

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