JPS61288064A - イオンビ−ムアシスト成膜装置 - Google Patents
イオンビ−ムアシスト成膜装置Info
- Publication number
- JPS61288064A JPS61288064A JP60129971A JP12997185A JPS61288064A JP S61288064 A JPS61288064 A JP S61288064A JP 60129971 A JP60129971 A JP 60129971A JP 12997185 A JP12997185 A JP 12997185A JP S61288064 A JPS61288064 A JP S61288064A
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- Japan
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- ion beam
- dome
- chamber
- film
- film formation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、カメラおよび複写機の光学系の反射防止膜も
しくは反射増加膜をイオンビームアシスト成膜する場合
に、イオンビーム束の照射域のみを成膜可能にする遮蔽
体を備えた成膜装置に関する。
しくは反射増加膜をイオンビームアシスト成膜する場合
に、イオンビーム束の照射域のみを成膜可能にする遮蔽
体を備えた成膜装置に関する。
［従来の技術］
従来より、カメラ等の光学系で使用するためにガラス基
板に反射防止膜又は反射増加膜を蒸着させる際に、イオ
ン照射の介添を必要とするものがある。
板に反射防止膜又は反射増加膜を蒸着させる際に、イオ
ン照射の介添を必要とするものがある。
第５図は、従来のイオンビームアシスト成膜装置の１例
を示す縦断面図で、成膜室５１内に架設されたトレイ５
２上に成膜対象の基板５３を載置し、イオンビーム５４
を照射装置５５から照射しつつ成膜を行うものである。
を示す縦断面図で、成膜室５１内に架設されたトレイ５
２上に成膜対象の基板５３を載置し、イオンビーム５４
を照射装置５５から照射しつつ成膜を行うものである。
イオンビーム５４の照射方向は垂直から偏向していて、
トレイ５２の一部が重点的に一照射され、トレイ５２は
モータ５６により展望台式に回動しながらイオン照射を
浴びるようになっている。
トレイ５２の一部が重点的に一照射され、トレイ５２は
モータ５６により展望台式に回動しながらイオン照射を
浴びるようになっている。
［発明が解決しようとする問題点」
本発明は、上記の如き従来の成膜装置では、量産のため
にトレイ上に多数の基板を並置した場合に、イオンビー
ムの照射位置が自ら決定され、そのためイオンビーム照
射域以外に成膜されるため、成膜の密着性や耐環境性を
低下させ、かつ製品にバラツキを生じてしまうという欠
点があることを、解決すべき問題点とするものである。
にトレイ上に多数の基板を並置した場合に、イオンビー
ムの照射位置が自ら決定され、そのためイオンビーム照
射域以外に成膜されるため、成膜の密着性や耐環境性を
低下させ、かつ製品にバラツキを生じてしまうという欠
点があることを、解決すべき問題点とするものである。
本発明において、上記の問題点を解決するために講じら
れた手段は、円筒状の成膜室内の天頂部に架設されたド
ームの上面に成膜対象の基板を複数個載置し、該成膜室
の床面に配設された照射装置からイオンビームを照射し
つつ前記基板へ成膜を行うイオンビームアシスト成膜装
置であって、ドームの下方で所要領域外への蒸着物質を
遮蔽する遮蔽体を配設したことを特徴とするイオンビー
ムアシスト成膜装置である。
れた手段は、円筒状の成膜室内の天頂部に架設されたド
ームの上面に成膜対象の基板を複数個載置し、該成膜室
の床面に配設された照射装置からイオンビームを照射し
つつ前記基板へ成膜を行うイオンビームアシスト成膜装
置であって、ドームの下方で所要領域外への蒸着物質を
遮蔽する遮蔽体を配設したことを特徴とするイオンビー
ムアシスト成膜装置である。
遮蔽体は、半円板形状のものが好ましく、更には半円板
形状の遮蔽体が、円周に添う複数の帯状部に分割され、
かつ各帯状部が二重層を摺動させることにより遮蔽面積
を拡大・縮小可能な二重構造を有するのが好ましい。
形状の遮蔽体が、円周に添う複数の帯状部に分割され、
かつ各帯状部が二重層を摺動させることにより遮蔽面積
を拡大・縮小可能な二重構造を有するのが好ましい。
上記遮蔽体の取付高度は特に限定されないが、事情が許
す限りドームに近接した下方である方が遮蔽効果を高め
ることは言うまでもない。
す限りドームに近接した下方である方が遮蔽効果を高め
ることは言うまでもない。
［作 用］
イオンビームのエネルギーは、ビームの照射領域内で必
ずしも均一ではない、第４図（ａ）は、イオンビームの
エネルギー分布を示すグラフであって、縦軸にエネルギ
ーを電流密度（ＩＬＡ／Ｃ１１２）で示し、横軸にドー
ム中心からの距離（Ｃ■）を示している。イオンビーム
の照射中心がドーム中心から２０ｃ＋ｓ離れた位置であ
ったとすると、照射装置５にかけられたイオンエネルギ
ーがそれぞれ１．５にマ 。
ずしも均一ではない、第４図（ａ）は、イオンビームの
エネルギー分布を示すグラフであって、縦軸にエネルギ
ーを電流密度（ＩＬＡ／Ｃ１１２）で示し、横軸にドー
ム中心からの距離（Ｃ■）を示している。イオンビーム
の照射中心がドーム中心から２０ｃ＋ｓ離れた位置であ
ったとすると、照射装置５にかけられたイオンエネルギ
ーがそれぞれ１．５にマ 。
１．０にマ 、 ０．８ＫＶの場合のドーム上における
エネルギー分布は、実験結果によれば、第４図の曲線（
イ）、（ロ）および（ハ）のとおりである。
エネルギー分布は、実験結果によれば、第４図の曲線（
イ）、（ロ）および（ハ）のとおりである。
従って、第４図（ｂ）に示されるように、利用されるべ
きイオンビーム照射領域４′は、ドーム２の全面積に対
して約４分の１ということになる。
きイオンビーム照射領域４′は、ドーム２の全面積に対
して約４分の１ということになる。
本発明による成膜装置は、上記に対応できるものが好ま
しく、遮蔽体は円周に沿って例えば外周部、間両部、内
周部のような帯状部で構成され、各帯状部が伸縮自在で
あれば、遮蔽面積および遮蔽形状を変えることができ、
イオンビームのエネルギー分布に対応して、手動又は自
動的に遮蔽部分をコントロールすることができる。
しく、遮蔽体は円周に沿って例えば外周部、間両部、内
周部のような帯状部で構成され、各帯状部が伸縮自在で
あれば、遮蔽面積および遮蔽形状を変えることができ、
イオンビームのエネルギー分布に対応して、手動又は自
動的に遮蔽部分をコントロールすることができる。
［実施例］
以下、本発明を、実施例とその図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は、遮蔽体を備えたイオンビームアシスト成膜装
置の１例を示す縦断面図である。第１図において、成膜
機構は、円筒状の成膜室ｌ内の天頂部にドーム２を配置
し、このドーム２の上面に成膜対象のガラス基板３を載
置し、このガラス基板３ヘイオンビーム４を照射する照
射装置５と、抵抗加熱源６ａおよび６ｂと、ＥＢガン蒸
着源７とを成膜室１の床面に配設して概略構成されてい
る。照射装置５は、電源５ａに駆動されると共に、イオ
ンビーム室内にＡｒガスを導入する配管が接続され、ガ
ス導入弁８が付設されている。イオンビームの照射装置
５は、必ずしも成膜室ｌの中央に位置せず、室内の一方
の周縁位置から斜めにドーム２の半円を照射するように
なっていて、ドーム２はその周縁に架設されたレールハ
に支持されつつ回動して全基板にイオンビーム４を照射
させるが、イオンビーム４の照射されない側のドーム２
の半円下方に、本発明による遮蔽体８が配設されている
。
置の１例を示す縦断面図である。第１図において、成膜
機構は、円筒状の成膜室ｌ内の天頂部にドーム２を配置
し、このドーム２の上面に成膜対象のガラス基板３を載
置し、このガラス基板３ヘイオンビーム４を照射する照
射装置５と、抵抗加熱源６ａおよび６ｂと、ＥＢガン蒸
着源７とを成膜室１の床面に配設して概略構成されてい
る。照射装置５は、電源５ａに駆動されると共に、イオ
ンビーム室内にＡｒガスを導入する配管が接続され、ガ
ス導入弁８が付設されている。イオンビームの照射装置
５は、必ずしも成膜室ｌの中央に位置せず、室内の一方
の周縁位置から斜めにドーム２の半円を照射するように
なっていて、ドーム２はその周縁に架設されたレールハ
に支持されつつ回動して全基板にイオンビーム４を照射
させるが、イオンビーム４の照射されない側のドーム２
の半円下方に、本発明による遮蔽体８が配設されている
。
第２図は、本発明による遮蔽体の１例を示す平面図で、
遮蔽体８は、中心部から周縁部へ軽度の傾斜を有する山
笠状の半円を外周部３ａ、間両部３ｂ、内周部９ｃの３
部分に分割され、かつそれらの各部分が上下二重構造に
なっていて、その二重構造が摺動することにより、部分
毎に拡大もしくは縮小することができる。
遮蔽体８は、中心部から周縁部へ軽度の傾斜を有する山
笠状の半円を外周部３ａ、間両部３ｂ、内周部９ｃの３
部分に分割され、かつそれらの各部分が上下二重構造に
なっていて、その二重構造が摺動することにより、部分
毎に拡大もしくは縮小することができる。
実施例１
まず、成膜室１の真空度をＩ Ｘ １０′５Ｔｏｒｒに
し、一方で、ガス導入弁８を開放して、約３〜５ＳＣＣ
ＭのＡｒガスをイオンビーム室に導入し、電源５ａをオ
ンにして照射装置５からイオンビーム４をドーム２に搭
載された複数個の基板３に５分間照射して、基板３をイ
オン洗浄する。このときのイオンエネルギーは！、２
Ｋｅマとする。洗浄後、基板３の表面に抵抗加熱源６ａ
により、第３図（ａ）に示されるように、機械的膜厚８
５０〜７５０人のアルミ（Ａ文）第１層３ａを形成させ
る。続いて、この第１層の上に、別な抵抗加熱源８ｂに
より、光学的膜厚入／４（入＝４５０ｎｍ）の弗化マグ
ネシウム（ＭｇＦ２）膜の第２層３ｂを形成させる。そ
のときの真空度は３Ｘ １Ｏ−５Ｔａｒｔで、イオンエ
ネルギーはＩＫｅマである。
し、一方で、ガス導入弁８を開放して、約３〜５ＳＣＣ
ＭのＡｒガスをイオンビーム室に導入し、電源５ａをオ
ンにして照射装置５からイオンビーム４をドーム２に搭
載された複数個の基板３に５分間照射して、基板３をイ
オン洗浄する。このときのイオンエネルギーは！、２
Ｋｅマとする。洗浄後、基板３の表面に抵抗加熱源６ａ
により、第３図（ａ）に示されるように、機械的膜厚８
５０〜７５０人のアルミ（Ａ文）第１層３ａを形成させ
る。続いて、この第１層の上に、別な抵抗加熱源８ｂに
より、光学的膜厚入／４（入＝４５０ｎｍ）の弗化マグ
ネシウム（ＭｇＦ２）膜の第２層３ｂを形成させる。そ
のときの真空度は３Ｘ １Ｏ−５Ｔａｒｔで、イオンエ
ネルギーはＩＫｅマである。
第２層の上に、今度はＥＢガン蒸着源７により、光学的
膜厚４／入（λ−４５０ｎ層）の酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒ０２ ）膜、又は二酸化チタン（Ｔｉ０２ ）膜の第
３層３Ｃを形成させる。このときの真空度およびイオン
エネルギーは、第２層における条件と同じである。
膜厚４／入（λ−４５０ｎ層）の酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒ０２ ）膜、又は二酸化チタン（Ｔｉ０２ ）膜の第
３層３Ｃを形成させる。このときの真空度およびイオン
エネルギーは、第２層における条件と同じである。
このようにして得られたアルミ（Ａｉ）反射増加膜につ
いて、本発明の遮蔽体を設置した場合と設置しない場合
との品質の比較を行い、第１表の結果を得た。
いて、本発明の遮蔽体を設置した場合と設置しない場合
との品質の比較を行い、第１表の結果を得た。
実施例２
まず、成膜室ｌの真空度を１×ｌＯ″′１１丁ｏｒｒに
し、一方で、ガス導入弁８を開放して、約３〜５ＳＣＣ
ＭのＡｒガスをイオンビーム室に導入し、電源５ａをオ
ンにして照射装置５からイオンビーム４をドーム２に搭
載された複数個の基板３に５分間照射して、基板３をイ
オン洗浄する。このときのイオンエネルギーはｌ 、
２Ｋｅマである。洗浄後、基板３の表面に抵抗加熱［８
ａ又はＥＢガン蒸着源７により、第３図（ｂ）に示され
るように、機械的膜厚８５０〜７５０ Ａの銅（Ｃｕ）
膜第１層３ａ’を形成させる。続いて、この第１層の上
に、別な抵抗加熱源６ｂにより、光学的膜厚入／４（入
−４５０１１１１）の弗化マグネシウム（ＭｇＦｚ ）
膜の第２層３ｂ’を形成させる。そのときの真空度は３
Ｘ １０′５Ｔｏｒｒで、イオンエネルギーはＩＫｅ
マである。さらに、第２層の上に、ＥＢガン蒸着源７に
より、光学的膜厚λ／４（λ−４５０ｎｍ）の酸化ジル
コニウム（Ｚｒ０２ ）膜の第３層３ｃ’を形成させる
。このときの真空度は、３ Ｘ １０’ Ｔｏｒｒで、
イオンエネルギーは０．８Ｋｅマである。
し、一方で、ガス導入弁８を開放して、約３〜５ＳＣＣ
ＭのＡｒガスをイオンビーム室に導入し、電源５ａをオ
ンにして照射装置５からイオンビーム４をドーム２に搭
載された複数個の基板３に５分間照射して、基板３をイ
オン洗浄する。このときのイオンエネルギーはｌ 、
２Ｋｅマである。洗浄後、基板３の表面に抵抗加熱［８
ａ又はＥＢガン蒸着源７により、第３図（ｂ）に示され
るように、機械的膜厚８５０〜７５０ Ａの銅（Ｃｕ）
膜第１層３ａ’を形成させる。続いて、この第１層の上
に、別な抵抗加熱源６ｂにより、光学的膜厚入／４（入
−４５０１１１１）の弗化マグネシウム（ＭｇＦｚ ）
膜の第２層３ｂ’を形成させる。そのときの真空度は３
Ｘ １０′５Ｔｏｒｒで、イオンエネルギーはＩＫｅ
マである。さらに、第２層の上に、ＥＢガン蒸着源７に
より、光学的膜厚λ／４（λ−４５０ｎｍ）の酸化ジル
コニウム（Ｚｒ０２ ）膜の第３層３ｃ’を形成させる
。このときの真空度は、３ Ｘ １０’ Ｔｏｒｒで、
イオンエネルギーは０．８Ｋｅマである。
このようにして得られた銅（Ｃｕ））反射増加膜につい
て、本発明の遮蔽体を設置した場合と設置しない場合と
の品質の比較を行い、第２表の結果を得た。
て、本発明の遮蔽体を設置した場合と設置しない場合と
の品質の比較を行い、第２表の結果を得た。
［発明の効果］
以上、説明したとおり、本発明によれば、ガラス基板に
対する密着性、耐溶剤性および耐環境性に優れた反射増
加膜等を得ることの可能なイオンビームアシスト成膜装
置を提供することができる。
対する密着性、耐溶剤性および耐環境性に優れた反射増
加膜等を得ることの可能なイオンビームアシスト成膜装
置を提供することができる。
第１図は本発明の成膜装置の一実施例を示す縦断面図、
第２図は本発明による遮蔽体の一例の平面図、第３図は
反射増加膜の部分拡大断面図、第４図はイオンビーム照
射領域の説明図、第５図は従来例の縦断面図である。 １．５１・・・・・・成膜室、２・・・・・・ドーム、
３．５３・・・基板、 ４，５４・・・・・・イオ
ンビーム、５．５５・・・・・・照射装置、 Ｂ・・・
・・・抵抗加熱源、７・・・・・・ＥＢガン蒸着源、
８・・・・・・ガス導入弁、９・・・・・・遮蔽体。
第２図は本発明による遮蔽体の一例の平面図、第３図は
反射増加膜の部分拡大断面図、第４図はイオンビーム照
射領域の説明図、第５図は従来例の縦断面図である。 １．５１・・・・・・成膜室、２・・・・・・ドーム、
３．５３・・・基板、 ４，５４・・・・・・イオ
ンビーム、５．５５・・・・・・照射装置、 Ｂ・・・
・・・抵抗加熱源、７・・・・・・ＥＢガン蒸着源、
８・・・・・・ガス導入弁、９・・・・・・遮蔽体。
Claims (3)
- （１）円筒状の成膜室内の天頂部に架設されたドームの
上面に成膜対象の基板を複数個載置し、該成膜室の床面
に配設された照射装置からイオンビームを照射しつつ前
記基板へ成膜を行うイオンビームアシスト成膜装置であ
って、ドームの下方で所要領域外への蒸着物質を遮蔽す
る遮蔽体を配設したことを特徴とするイオンビームアシ
スト成膜装置。 - （２）遮蔽体が半円板形状を有する特許請求範囲の範囲
第１項記載のイオンビームアシスト成膜装置。 - （３）半円板形状の遮蔽体が、円周に沿う複数の帯状部
に分割され、かつ各帯状部が二重層を摺動させることに
より遮蔽面積を拡大・縮小可能な二重構造を有すること
を特徴とする特許請求の範囲第２項に記載のイオンビー
ムアシスト成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60129971A JPS61288064A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | イオンビ−ムアシスト成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60129971A JPS61288064A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | イオンビ−ムアシスト成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61288064A true JPS61288064A (ja) | 1986-12-18 |
Family
ID=15022960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60129971A Pending JPS61288064A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | イオンビ−ムアシスト成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61288064A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01244403A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Nissin Electric Co Ltd | 光学膜の作製方法 |
| JPH05281401A (ja) * | 1992-04-02 | 1993-10-29 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 反射防止膜の製造方法 |
| WO2013047605A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 株式会社シンクロン | 成膜方法及び成膜装置 |
| JP5638147B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2014-12-10 | 株式会社シンクロン | 成膜方法及び成膜装置 |
| JP2015034348A (ja) * | 2011-09-30 | 2015-02-19 | 株式会社シンクロン | 成膜方法及び成膜装置 |
-
1985
- 1985-06-17 JP JP60129971A patent/JPS61288064A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01244403A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Nissin Electric Co Ltd | 光学膜の作製方法 |
| JPH05281401A (ja) * | 1992-04-02 | 1993-10-29 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 反射防止膜の製造方法 |
| WO2013047605A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 株式会社シンクロン | 成膜方法及び成膜装置 |
| CN103154299A (zh) * | 2011-09-30 | 2013-06-12 | 株式会社新柯隆 | 成膜方法和成膜装置 |
| JP5638147B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2014-12-10 | 株式会社シンクロン | 成膜方法及び成膜装置 |
| JP2015034348A (ja) * | 2011-09-30 | 2015-02-19 | 株式会社シンクロン | 成膜方法及び成膜装置 |
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