JPH0419302B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0419302B2 JPH0419302B2 JP62088813A JP8881387A JPH0419302B2 JP H0419302 B2 JPH0419302 B2 JP H0419302B2 JP 62088813 A JP62088813 A JP 62088813A JP 8881387 A JP8881387 A JP 8881387A JP H0419302 B2 JPH0419302 B2 JP H0419302B2
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- Japan
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- substrate
- partition plate
- film thickness
- evaporation source
- evaporation sources
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は成膜装置に係り、特にスパツタリング
装置や蒸着装置等の成膜装置において特に基板を
回転させて均一性の向上を図るものに好適な成膜
装置に関するものである。
装置や蒸着装置等の成膜装置において特に基板を
回転させて均一性の向上を図るものに好適な成膜
装置に関するものである。
従来の装置は、Electro Tech社カタログに記
載してあるように、マグネトロンターゲツトと基
板との間にターゲツトを遮蔽する補正板を設けて
均一化を図つたものがある。
載してあるように、マグネトロンターゲツトと基
板との間にターゲツトを遮蔽する補正板を設けて
均一化を図つたものがある。
また特開昭59−123768号に記載のようにターゲ
ツト間のプラズマを遮蔽する板を設け、放電の安
定化を図つたものがある。
ツト間のプラズマを遮蔽する板を設け、放電の安
定化を図つたものがある。
上記従来技術において、前者は基板よりも蒸発
源に近い距離で膜厚補正のための蒸発源に直面す
る面を有しているため、この面につく膜厚が比較
的急速に大きくなり、はがれ易く、異物が発生し
易いという問題がある。また蒸発源との間を積極
的に仕切つていないため、お互いの蒸発物が回り
込み、蒸発源の純度を低下させるクロスコンタミ
ネーシヨンが発生するという問題がある。
源に近い距離で膜厚補正のための蒸発源に直面す
る面を有しているため、この面につく膜厚が比較
的急速に大きくなり、はがれ易く、異物が発生し
易いという問題がある。また蒸発源との間を積極
的に仕切つていないため、お互いの蒸発物が回り
込み、蒸発源の純度を低下させるクロスコンタミ
ネーシヨンが発生するという問題がある。
また後者においては、基板を回転させない状態
で複数の蒸発源であるターゲツトに放電電力を独
立に供給し、電力を制御して合金の多層膜を得る
ようになつており、互いのターゲツトのクロスコ
ンタミネーシヨンの防止およびプラズマの安定化
のために遮蔽板を設けていたが、膜厚の均一性の
点については配慮されていなかつた。
で複数の蒸発源であるターゲツトに放電電力を独
立に供給し、電力を制御して合金の多層膜を得る
ようになつており、互いのターゲツトのクロスコ
ンタミネーシヨンの防止およびプラズマの安定化
のために遮蔽板を設けていたが、膜厚の均一性の
点については配慮されていなかつた。
本発明の目的は、蒸発源間の相互汚染を防止す
るとともに、膜厚の均一化を図ることのできる成
膜装置を提供することにある。
るとともに、膜厚の均一化を図ることのできる成
膜装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、蒸発源と、蒸発源に対向する基板
ホルダと、基板ホルダを回転させる回転手段とを
有し、複数の蒸発源を基板ホルダの回転軸中心か
ら離し、基板の中心部の方が膜厚が厚くなるよう
に配置して、複数の蒸発源間に基板の成膜面に対
し垂直な面を有し成膜厚みを調節する仕切板を設
けることにより、達成される。
ホルダと、基板ホルダを回転させる回転手段とを
有し、複数の蒸発源を基板ホルダの回転軸中心か
ら離し、基板の中心部の方が膜厚が厚くなるよう
に配置して、複数の蒸発源間に基板の成膜面に対
し垂直な面を有し成膜厚みを調節する仕切板を設
けることにより、達成される。
上記仕切板を設けることにより、基板の回転軸
を中心に蒸発源がそれぞれの空間に仕切られる。
仕切板の表面は蒸発源から比較的離れており、か
つ蒸発源と対面していないので、表面に付着する
量を小さくすることができる。また蒸発源間が仕
切られるので、クロスコンタミネーシヨンも軽微
となる。
を中心に蒸発源がそれぞれの空間に仕切られる。
仕切板の表面は蒸発源から比較的離れており、か
つ蒸発源と対面していないので、表面に付着する
量を小さくすることができる。また蒸発源間が仕
切られるので、クロスコンタミネーシヨンも軽微
となる。
このとき、蒸発源の基板回転軸からの偏心量
は、仕切板がない状態において膜厚が基板の周辺
部に薄く、また中心部に厚くなるように比較的小
さめにしておく。仕切板の端部と基板表面との距
離が小さく、すなわち、仕切板の長さが長くなる
ほど自転する基板の中心部の方が周辺部の方より
蒸発物の入射角度がより制限されるため、中心部
の膜厚の低下の度合が大きくなる。よつて、仕切
板の高さを適正化することにより基板の径方向の
膜厚の均一化を図ることが可能となる。
は、仕切板がない状態において膜厚が基板の周辺
部に薄く、また中心部に厚くなるように比較的小
さめにしておく。仕切板の端部と基板表面との距
離が小さく、すなわち、仕切板の長さが長くなる
ほど自転する基板の中心部の方が周辺部の方より
蒸発物の入射角度がより制限されるため、中心部
の膜厚の低下の度合が大きくなる。よつて、仕切
板の高さを適正化することにより基板の径方向の
膜厚の均一化を図ることが可能となる。
以下、本発明の一実施例を第１図および第２図
により説明する。第１図はプレーナマグネトロン
スパツタ装置の概略を示す図である。１はホル
ダ、２は基板、３は本発明の仕切板、４は蒸発源
である。基板２はホルダ１に装着されており、ホ
ルダ１は回転可能である。蒸発源４の中心はホル
ダ１の回転軸よりＬの大きさの偏心量で複数個、
この場合は４個円周状に配置されている。蒸発源
４どうしの間に基板の回転軸から放射状に高さＨ
の基板表面と垂直な面を有する仕切板３を設け
る。
により説明する。第１図はプレーナマグネトロン
スパツタ装置の概略を示す図である。１はホル
ダ、２は基板、３は本発明の仕切板、４は蒸発源
である。基板２はホルダ１に装着されており、ホ
ルダ１は回転可能である。蒸発源４の中心はホル
ダ１の回転軸よりＬの大きさの偏心量で複数個、
この場合は４個円周状に配置されている。蒸発源
４どうしの間に基板の回転軸から放射状に高さＨ
の基板表面と垂直な面を有する仕切板３を設け
る。
上記構成の装置により、成膜を行い膜厚の均一
化を測定したときのグラフを第２図に示す。な
お、本実験は蒸発源であるターゲツトを３個、基
板との距離150mmにて実施した。Ar圧力は1Pa、
偏心量Ｌは125mm基板回転数100rpm、プラズマリ
ング径は100mmとした。本図より明らかなように、
仕切板３を設けない場合には基板中心側の膜厚が
厚くなるようにしておいても、仕切板３を設ける
ことによつて、基板中心側は膜厚があまり厚くな
らないのに対し、外周側の膜厚が増えて、仕切板
を設けない場合に比較し、高さ100mmの仕切板を
設けた場合の方が、基板の径方向の均一性が向上
することが分かる。
化を測定したときのグラフを第２図に示す。な
お、本実験は蒸発源であるターゲツトを３個、基
板との距離150mmにて実施した。Ar圧力は1Pa、
偏心量Ｌは125mm基板回転数100rpm、プラズマリ
ング径は100mmとした。本図より明らかなように、
仕切板３を設けない場合には基板中心側の膜厚が
厚くなるようにしておいても、仕切板３を設ける
ことによつて、基板中心側は膜厚があまり厚くな
らないのに対し、外周側の膜厚が増えて、仕切板
を設けない場合に比較し、高さ100mmの仕切板を
設けた場合の方が、基板の径方向の均一性が向上
することが分かる。
また第３図は他の実施例であり、仕切板３ａの
高さを基板の径方向の位置に応じて変化させた例
であり、微小な分布形状を補正し均一化を図る上
でより効果がある。
高さを基板の径方向の位置に応じて変化させた例
であり、微小な分布形状を補正し均一化を図る上
でより効果がある。
さらに第４図は防着板５と膜厚補正板６を仕切
板３ｂに設けた例である。基板がレコード盤状を
している場合には基板の中心部には成膜する必要
がなく、その相当部に防着板５を設け、また微少
な分布形状を補正するため扇状の膜厚補正板６を
設けた。これにより、径方向の膜厚分布の均一化
を図ることが可能となる。
板３ｂに設けた例である。基板がレコード盤状を
している場合には基板の中心部には成膜する必要
がなく、その相当部に防着板５を設け、また微少
な分布形状を補正するため扇状の膜厚補正板６を
設けた。これにより、径方向の膜厚分布の均一化
を図ることが可能となる。
なお、本実施例ではプレーナマグネトロンスパ
ツタリング装置について述べたが、本発明では蒸
発源が抵抗加熱による蒸発源等であつても、基本
的に何ら変わることはない。
ツタリング装置について述べたが、本発明では蒸
発源が抵抗加熱による蒸発源等であつても、基本
的に何ら変わることはない。
本発明によれば、蒸発源間の相互汚染を防止で
きるとともに、膜厚の均一化を図ることができる
という効果がある。
きるとともに、膜厚の均一化を図ることができる
という効果がある。
第１図は本発明の一実施例である成膜装置用膜
厚補正装置を示す斜視図、第２図は成膜の実験結
果を示すグラフ、第３図および第４図は仕切板の
他の実施例を示す図である。 １……ホルダ、２……基板、３……仕切板、４
……蒸発源、５……防着板、６……補正板。
厚補正装置を示す斜視図、第２図は成膜の実験結
果を示すグラフ、第３図および第４図は仕切板の
他の実施例を示す図である。 １……ホルダ、２……基板、３……仕切板、４
……蒸発源、５……防着板、６……補正板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数の蒸発源と、該蒸発源に対向する位置に
基板を支持する基板ホルダと、該基板ホルダを回
転させる回転手段とを有する成膜装置において、 前記基板の中央部の方が膜厚が厚くなるように
前記複数の蒸発源を基板ホルダの回転軸中心から
それぞれ離して設置すると共に、前記複数の蒸発
源間に前記基板の成膜面に対し垂直な面を有し成
膜厚みを調節する仕切板を具備したことを特徴と
する成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8881387A JPS63255368A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8881387A JPS63255368A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63255368A JPS63255368A (ja) | 1988-10-21 |
| JPH0419302B2 true JPH0419302B2 (ja) | 1992-03-30 |
Family
ID=13953339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8881387A Granted JPS63255368A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63255368A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0660391B2 (ja) * | 1987-06-11 | 1994-08-10 | 日電アネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
| US5527438A (en) * | 1994-12-16 | 1996-06-18 | Applied Materials, Inc. | Cylindrical sputtering shield |
| EP0837491A3 (en) * | 1996-10-21 | 2000-11-15 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Composite sputtering cathode assembly and sputtering apparatus with such composite sputtering cathode assembly |
| JP2000133453A (ja) * | 1998-10-22 | 2000-05-12 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP5026631B2 (ja) * | 1999-06-24 | 2012-09-12 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
| JP5662575B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2015-02-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置 |
| KR101596174B1 (ko) * | 2011-09-09 | 2016-02-19 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 성막 장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6182347A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-25 | Nec Home Electronics Ltd | 光記録媒体製造装置 |
-
1987
- 1987-04-13 JP JP8881387A patent/JPS63255368A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6182347A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-25 | Nec Home Electronics Ltd | 光記録媒体製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63255368A (ja) | 1988-10-21 |
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