JPH05281401A - 反射防止膜の製造方法 - Google Patents
反射防止膜の製造方法Info
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- JPH05281401A JPH05281401A JP4080944A JP8094492A JPH05281401A JP H05281401 A JPH05281401 A JP H05281401A JP 4080944 A JP4080944 A JP 4080944A JP 8094492 A JP8094492 A JP 8094492A JP H05281401 A JPH05281401 A JP H05281401A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 イオンビームアシスト蒸着法においてアルゴ
ンイオンの加速電圧を200 ｅＶ以下とすることにより、
薄膜形成時の基材温度の上昇を押さえるとともに膜強度
が大きく、膜質に優れた反射防止膜を作製する。 【構成】 真空チャンバ内に配されたプラスチック基材
１上に硫化亜鉛（ＺｎＳ；屈折率2.37）からなる層３，
５とフッ化マグネシウム（ＭｇＦ2 ；屈折率1.37）から
なる層２，４，６を蒸着法を用いて交互に積層しつつ、
イオン銃を用い、イオン加速電圧200 ｅＶ以下、イオン
照射電流密度20μＡ／cm2 以下の条件でこの積層部分に
アルゴンイオンを照射する。
ンイオンの加速電圧を200 ｅＶ以下とすることにより、
薄膜形成時の基材温度の上昇を押さえるとともに膜強度
が大きく、膜質に優れた反射防止膜を作製する。 【構成】 真空チャンバ内に配されたプラスチック基材
１上に硫化亜鉛（ＺｎＳ；屈折率2.37）からなる層３，
５とフッ化マグネシウム（ＭｇＦ2 ；屈折率1.37）から
なる層２，４，６を蒸着法を用いて交互に積層しつつ、
イオン銃を用い、イオン加速電圧200 ｅＶ以下、イオン
照射電流密度20μＡ／cm2 以下の条件でこの積層部分に
アルゴンイオンを照射する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反射防止膜の製造方法
に関し、詳しくはプラスチック基材上に形成される多層
膜構成の反射防止膜を製造する方法に関するものであ
る。
に関し、詳しくはプラスチック基材上に形成される多層
膜構成の反射防止膜を製造する方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、光学素子材料としてはガラスが多
用されており、この表面に形成される光学薄膜は通常30
0 ℃程度の温度条件下において作製されていた。
用されており、この表面に形成される光学薄膜は通常30
0 ℃程度の温度条件下において作製されていた。
【０００３】一方、光学薄膜の形成材料としては種々の
ものが知られており、特に反射防止膜を作製する場合に
は、二酸化チタン，二酸化ジルコニウム，硫化亜鉛等の
高屈折率材料と、二酸化珪素，フッ化マグネシウム，氷
晶石等の低屈折率材料を用い、これらをガラス基材上に
交互に積層したものが知られている。
ものが知られており、特に反射防止膜を作製する場合に
は、二酸化チタン，二酸化ジルコニウム，硫化亜鉛等の
高屈折率材料と、二酸化珪素，フッ化マグネシウム，氷
晶石等の低屈折率材料を用い、これらをガラス基材上に
交互に積層したものが知られている。
【０００４】ところで、近年、光学素子材料としてプラ
スチックも多用されるようになってきており、この表面
に反射防止膜等の光学薄膜を形成することも多い。この
ようなプラスチックの基板に光学薄膜を形成する際には
プラスチック材料が熱に弱いことを考慮する必要があ
り、蒸着時のプラスチック基材温度を例えば室温（50°
以下）程度とする必要がある。
スチックも多用されるようになってきており、この表面
に反射防止膜等の光学薄膜を形成することも多い。この
ようなプラスチックの基板に光学薄膜を形成する際には
プラスチック材料が熱に弱いことを考慮する必要があ
り、蒸着時のプラスチック基材温度を例えば室温（50°
以下）程度とする必要がある。
【０００５】上述した種々の光学薄膜形成材料のうち蒸
着時の基材温度の上昇を低く押さえることができ、かつ
光学薄膜の応力を小さく押さえることができるものとし
て硫化亜鉛とフッ化マグネシウムの材料の組合わせが考
えられる。
着時の基材温度の上昇を低く押さえることができ、かつ
光学薄膜の応力を小さく押さえることができるものとし
て硫化亜鉛とフッ化マグネシウムの材料の組合わせが考
えられる。
【０００６】すなわち、プラスチック基材上に硫化亜鉛
とフッ化マグネシウムを蒸着法を用いて交互に積層して
光学薄膜を作製することにより、薄膜形成時の基材温度
をプラスチック基材が悪影響を受けない程度の温度とし
つつ膜応力の小さい薄膜を作製することが可能となる。
とフッ化マグネシウムを蒸着法を用いて交互に積層して
光学薄膜を作製することにより、薄膜形成時の基材温度
をプラスチック基材が悪影響を受けない程度の温度とし
つつ膜応力の小さい薄膜を作製することが可能となる。
【０００７】ところが、上記硫化亜鉛とフッ化マグネシ
ウムにより薄膜を形成する場合、蒸着時の基材温度を室
温付近の温度とすると基材の膜、および膜と膜との間の
結合が弱くなり膜強度が小さくなってしまう。
ウムにより薄膜を形成する場合、蒸着時の基材温度を室
温付近の温度とすると基材の膜、および膜と膜との間の
結合が弱くなり膜強度が小さくなってしまう。
【０００８】一方、蒸着により形成する薄膜の膜強度を
大きくするための技術としてイオンビームアシスト蒸着
法が知られている（特開昭62-100701 号、特開平1-1977
01号公報）。このイオンビームアシスト蒸着法は蒸着に
より薄膜を積層しながら、アルゴン等のイオンをこの積
層部分に照射する手法で、このイオン照射によりイオン
エネルギを基材および膜に付与し、基材と膜、および膜
と膜の間の結合を高めるようにしたものである。
大きくするための技術としてイオンビームアシスト蒸着
法が知られている（特開昭62-100701 号、特開平1-1977
01号公報）。このイオンビームアシスト蒸着法は蒸着に
より薄膜を積層しながら、アルゴン等のイオンをこの積
層部分に照射する手法で、このイオン照射によりイオン
エネルギを基材および膜に付与し、基材と膜、および膜
と膜の間の結合を高めるようにしたものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アルゴ
ン等のイオンを膜表面に高速で衝突させるとこの蒸着膜
の膜質が劣化してしまう。例えば膜の光吸収率が大きく
なったり屈折率が所望の値から変化したり、さらには応
力バランス不良、クラック発生等の問題が生じる。
ン等のイオンを膜表面に高速で衝突させるとこの蒸着膜
の膜質が劣化してしまう。例えば膜の光吸収率が大きく
なったり屈折率が所望の値から変化したり、さらには応
力バランス不良、クラック発生等の問題が生じる。
【００１０】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、薄膜形成時の基材温度の上昇を押さえ
ることができるとともに、膜強度が大きく、膜質に優れ
た反射防止膜を作製し得る反射防止膜の製造方法を提供
することを目的とするものである。
なされたもので、薄膜形成時の基材温度の上昇を押さえ
ることができるとともに、膜強度が大きく、膜質に優れ
た反射防止膜を作製し得る反射防止膜の製造方法を提供
することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の反射防止膜の製
造方法は、プラスチック基材上に硫化亜鉛ＺｎＳからな
る層とフッ化マグネシウムＭｇＦ2 からなる層を真空蒸
着により交互に積層するとともに、この積層期間中に上
記プラスチック基材の積層側に、200 ｅＶ以下の加速電
圧でアルゴンイオンを照射することを特徴とするもので
ある。
造方法は、プラスチック基材上に硫化亜鉛ＺｎＳからな
る層とフッ化マグネシウムＭｇＦ2 からなる層を真空蒸
着により交互に積層するとともに、この積層期間中に上
記プラスチック基材の積層側に、200 ｅＶ以下の加速電
圧でアルゴンイオンを照射することを特徴とするもので
ある。
【００１２】なお、上記「アルゴンイオンの照射」は積
層期間中に適宜なされればよく、必ずしも積層操作の全
期間に亘って照射することを意味しない。また、硫化亜
鉛層とフッ化マグネシウム層のうち、いずれか一方の層
の形成時のみ上記イオン照射を行なってもよい。
層期間中に適宜なされればよく、必ずしも積層操作の全
期間に亘って照射することを意味しない。また、硫化亜
鉛層とフッ化マグネシウム層のうち、いずれか一方の層
の形成時のみ上記イオン照射を行なってもよい。
【００１３】
【作用および発明の効果】上記構成によれば、いわゆる
イオンビームアシスト蒸着法を用いてフッ化マグネシウ
ム層と硫化亜鉛層を交互に積層しており、しかもアルゴ
ンイオンの加速電圧を200 ｅＶ以下という低い値に設定
している。
イオンビームアシスト蒸着法を用いてフッ化マグネシウ
ム層と硫化亜鉛層を交互に積層しており、しかもアルゴ
ンイオンの加速電圧を200 ｅＶ以下という低い値に設定
している。
【００１４】本発明者等は実験により、アルゴンイオン
の加速電圧を200 ｅＶ以下の低い値とすれば硫化亜鉛層
およびフッ化マグネシウム層に衝突するときのアルゴン
イオンの速度がそれ程大きくならず、したがって、この
イオン照射により薄層の表面はそれ程荒らされず、膜質
の劣化を防止できるという事実を見い出した。
の加速電圧を200 ｅＶ以下の低い値とすれば硫化亜鉛層
およびフッ化マグネシウム層に衝突するときのアルゴン
イオンの速度がそれ程大きくならず、したがって、この
イオン照射により薄層の表面はそれ程荒らされず、膜質
の劣化を防止できるという事実を見い出した。
【００１５】本発明方法はこのような事実に基づいてな
されたもので、これにより膜強度の強化というイオン照
射による利点を保有しつつ、膜質劣化を引き起こすとい
うイオン照射の欠点を防止することが可能となる。
されたもので、これにより膜強度の強化というイオン照
射による利点を保有しつつ、膜質劣化を引き起こすとい
うイオン照射の欠点を防止することが可能となる。
【００１６】また、薄膜形成材料として硫化亜鉛とフッ
化マグネシウムを用いているので、蒸着時の基材温度を
室温（50℃以下）程度とすることが可能となり熱に弱い
プラスチック基材上に反射防止膜を形成することが可能
となる。
化マグネシウムを用いているので、蒸着時の基材温度を
室温（50℃以下）程度とすることが可能となり熱に弱い
プラスチック基材上に反射防止膜を形成することが可能
となる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
【００１８】本発明の実施例である反射防止膜の製造方
法は、真空チャンバ内に配されたプラスチック基材上に
硫化亜鉛（ＺｎＳ；屈折率2.37）からなる層とフッ化マ
グネシウム（ＭｇＦ2 ；屈折率1.37）からなる層を蒸着
法を用いて交互に積層しつつ、イオン銃を用い、イオン
加速電圧200 ｅＶ以下、イオン照射電流密度20μＡ／cm
2 以下の条件でこの積層部分にアルゴンイオンを照射す
るものである。
法は、真空チャンバ内に配されたプラスチック基材上に
硫化亜鉛（ＺｎＳ；屈折率2.37）からなる層とフッ化マ
グネシウム（ＭｇＦ2 ；屈折率1.37）からなる層を蒸着
法を用いて交互に積層しつつ、イオン銃を用い、イオン
加速電圧200 ｅＶ以下、イオン照射電流密度20μＡ／cm
2 以下の条件でこの積層部分にアルゴンイオンを照射す
るものである。
【００１９】このように、積層部分にアルゴンイオンを
照射しながら膜形成のための蒸着を行なう手法を一般に
イオンビームアシスト蒸着法と称しており、このイオン
ビームのエネルギによって反射防止膜の材料密度を高
め、膜の密着強度を向上させ膜強度を強化することがで
きる。
照射しながら膜形成のための蒸着を行なう手法を一般に
イオンビームアシスト蒸着法と称しており、このイオン
ビームのエネルギによって反射防止膜の材料密度を高
め、膜の密着強度を向上させ膜強度を強化することがで
きる。
【００２０】上記プラスチック基材はポリメチルメタク
リレート（ＰＭＭＡ），ポリカーボネート（ＰＣ），ポ
リスチレン，不飽和ポリエステル等のプラスチック材料
よりなり、種々の成形方法、例えばキャスティング法、
射出圧縮法等によって形成されてなり、眼鏡レンズ，プ
リズム，フィルタ，光学板状体、光学フイルム等の部材
として使用されるものである。
リレート（ＰＭＭＡ），ポリカーボネート（ＰＣ），ポ
リスチレン，不飽和ポリエステル等のプラスチック材料
よりなり、種々の成形方法、例えばキャスティング法、
射出圧縮法等によって形成されてなり、眼鏡レンズ，プ
リズム，フィルタ，光学板状体、光学フイルム等の部材
として使用されるものである。
【００２１】また、上記イオン銃としては、カウフマン
型（フィラメント方式，ホローカソード方式）やエンド
ホール型等の種々のタイプがあり、真空チャンバ内でプ
ラズマにより生成されたアルゴンイオンを加速して上記
蒸着物質上に照射し得る状態に配設される。
型（フィラメント方式，ホローカソード方式）やエンド
ホール型等の種々のタイプがあり、真空チャンバ内でプ
ラズマにより生成されたアルゴンイオンを加速して上記
蒸着物質上に照射し得る状態に配設される。
【００２２】上記イオンビーム照射は反射防止膜の積層
期間の、その直前から終了するまでの間継続して行なう
ことが好ましい。
期間の、その直前から終了するまでの間継続して行なう
ことが好ましい。
【００２３】さらに、この積層期間の前にプラスチック
基材の表面にイオンビームを照射して基材表面のクリー
ニングを行なうのがより好ましく、このクリーニングに
よって基材の表面の反射防止膜の密着性がさらに向上す
る。
基材の表面にイオンビームを照射して基材表面のクリー
ニングを行なうのがより好ましく、このクリーニングに
よって基材の表面の反射防止膜の密着性がさらに向上す
る。
【００２４】次に具体例を用いてさらに詳しく説明す
る。なお、この具体例によって作製された反射防止膜の
層構成を図１に示す。
る。なお、この具体例によって作製された反射防止膜の
層構成を図１に示す。
【００２５】プラスチック基材１としてＰＭＭＡ（屈折
率1.49）を用い、この基材１上に厚さ208 ｎｍのフッ化
マグネシウムからなる第１層２、厚さ16ｎｍの硫化亜鉛
からなる第２層３、厚さ52ｎｍのフッ化マグネシウムか
らなる第３層４、厚さ260 ｎｍの硫化亜鉛からなる第４
層５、および厚さ130 ｎｍのフッ化マグネシウムからな
る第５層６をこの順に真空蒸着により積層した。
率1.49）を用い、この基材１上に厚さ208 ｎｍのフッ化
マグネシウムからなる第１層２、厚さ16ｎｍの硫化亜鉛
からなる第２層３、厚さ52ｎｍのフッ化マグネシウムか
らなる第３層４、厚さ260 ｎｍの硫化亜鉛からなる第４
層５、および厚さ130 ｎｍのフッ化マグネシウムからな
る第５層６をこの順に真空蒸着により積層した。
【００２６】また、この蒸着直前から蒸着終了にいたる
までの間、イオン加速電圧50ｅＶ、イオン照射電流密度
５μＡ／cm2 の条件でアルゴンイオンを基材１の積層側
に照射し続けた。
までの間、イオン加速電圧50ｅＶ、イオン照射電流密度
５μＡ／cm2 の条件でアルゴンイオンを基材１の積層側
に照射し続けた。
【００２７】上記具体例を用いて作製された反射防止膜
について、反射率特性、耐久性の各評価試験を行なっ
た。この結果を以下に示す。
について、反射率特性、耐久性の各評価試験を行なっ
た。この結果を以下に示す。
【００２８】反射率特性は図２に示す如きグラフで表わ
される。このグラフから明らかなように、この反射防止
膜は440 〜650 ｎｍの波長全域で反射率が0.5 ％以下
（視感反射率が0.4 ％以下）という優れた特性を有して
いる。
される。このグラフから明らかなように、この反射防止
膜は440 〜650 ｎｍの波長全域で反射率が0.5 ％以下
（視感反射率が0.4 ％以下）という優れた特性を有して
いる。
【００２９】また、耐久性の評価試験については下記３
つの項目について行ない、各々の結果を表１に示した。
なお比較のために、比較例の評価試験を下記３つの項目
ａ〜ｃについて行ない、各々の結果を表１に示した。こ
の比較例の反射防止膜は、アルゴンイオンを照射しない
こと以外は上記具体例と同様にして作製されたものであ
る。
つの項目について行ない、各々の結果を表１に示した。
なお比較のために、比較例の評価試験を下記３つの項目
ａ〜ｃについて行ない、各々の結果を表１に示した。こ
の比較例の反射防止膜は、アルゴンイオンを照射しない
こと以外は上記具体例と同様にして作製されたものであ
る。
【００３０】ａ 密着試験…膜にセロテープを密着さ
せ、強く引きはがす。これを３回繰り返す。 ｂ 摩滅試験…膜にチーズクロスを１ポンドの力で押し
付け25往復させる。 ｃ 耐湿試験…膜を温度50℃、湿度95％の条件下に48時
間放置する。
せ、強く引きはがす。これを３回繰り返す。 ｂ 摩滅試験…膜にチーズクロスを１ポンドの力で押し
付け25往復させる。 ｃ 耐湿試験…膜を温度50℃、湿度95％の条件下に48時
間放置する。
【００３１】
【表１】
【００３２】この表１から明らかなように、上記具体例
による反射防止膜は比較例による反射防止膜に比べて特
に密着試験および摩滅試験の結果において優れている。
による反射防止膜は比較例による反射防止膜に比べて特
に密着試験および摩滅試験の結果において優れている。
【００３３】次に、アルゴンイオンの加速電圧を変化さ
せたときの硫化亜鉛（ＺｎＳ）層およびフッ化マグネシ
ウム（ＭｇＦ2 ）層による光吸収率の変化について実験
を行なったのでその結果について下記表２に示す。な
お、いずれの層とも膜厚は500ｎｍ程度とし、入射光の
波長は450 ｎｍに設定した。
せたときの硫化亜鉛（ＺｎＳ）層およびフッ化マグネシ
ウム（ＭｇＦ2 ）層による光吸収率の変化について実験
を行なったのでその結果について下記表２に示す。な
お、いずれの層とも膜厚は500ｎｍ程度とし、入射光の
波長は450 ｎｍに設定した。
【００３４】
【表２】
【００３５】表２に示すように、アルゴンイオンの加速
電圧が200 ｅＶ以下では硫化亜鉛層の光吸収率が１／３
程度以下であるが、200 ｅＶを超えると硫化亜鉛層の光
吸収率が大きくなり過ぎる。したがって200 ｅＶ以下の
加速電圧によりアルゴンイオンを加速する本発明方法に
よって作製された反射防止膜は、光吸収率の点で優れて
いる。
電圧が200 ｅＶ以下では硫化亜鉛層の光吸収率が１／３
程度以下であるが、200 ｅＶを超えると硫化亜鉛層の光
吸収率が大きくなり過ぎる。したがって200 ｅＶ以下の
加速電圧によりアルゴンイオンを加速する本発明方法に
よって作製された反射防止膜は、光吸収率の点で優れて
いる。
【００３６】なお、上記具体例による反射防止膜は５層
構成となっているが、本発明方法により作製される反射
防止膜はこれに限られるものではなく、４層以下あるい
は６層以上の構成としてもよく、積層数を変えても、膜
強度が大きく、膜質に優れた反射防止膜を得ることがで
きるという効果を同様に奏することができる。また、各
層の厚みとしても適宜変更することが可能である。
構成となっているが、本発明方法により作製される反射
防止膜はこれに限られるものではなく、４層以下あるい
は６層以上の構成としてもよく、積層数を変えても、膜
強度が大きく、膜質に優れた反射防止膜を得ることがで
きるという効果を同様に奏することができる。また、各
層の厚みとしても適宜変更することが可能である。
【００３７】図３〜６は各々本発明の実施例方法により
作製された４層〜７層構成の反射防止膜の反射率特性を
示すグラフである。これら、各反射防止膜の各層の形成
材料および厚みを下記表３に示す。
作製された４層〜７層構成の反射防止膜の反射率特性を
示すグラフである。これら、各反射防止膜の各層の形成
材料および厚みを下記表３に示す。
【００３８】
【表３】
【００３９】図３〜６からも明らかなように、本発明の
実施例方法により作製された反射防止膜は積層数に拘ら
ず優れた反射率特性を有する。
実施例方法により作製された反射防止膜は積層数に拘ら
ず優れた反射率特性を有する。
【図１】本発明の実施例方法により作製された反射防止
膜の層構成を示す概略図
膜の層構成を示す概略図
【図２】図１に示す反射防止膜の反射率特性を示すグラ
フ
フ
【図３】本発明の実施例方法により作製された３層構成
の反射防止膜の反射率特性を示すグラフ
の反射防止膜の反射率特性を示すグラフ
【図４】本発明の実施例方法により作製された４層構成
の反射防止膜の反射率特性を示すグラフ
の反射防止膜の反射率特性を示すグラフ
【図５】本発明の実施例方法により作製された５層構成
の反射防止膜の反射率特性を示すグラフ
の反射防止膜の反射率特性を示すグラフ
【図６】本発明の実施例方法により作製された６層構成
の反射防止膜の反射率特性を示すグラフ
の反射防止膜の反射率特性を示すグラフ
１ プラスチック基材 ２ 第１層（ＭｇＦ2 ） ３ 第２層（ＺｎＳ） ４ 第３層（ＭｇＦ2 ） ５ 第４層（ＺｎＳ） ６ 第５層（ＭｇＦ2 ）
Claims (1)
- 【請求項１】 プラスチック基材上に硫化亜鉛ＺｎＳか
らなる層とフッ化マグネシウムＭｇＦ2 からなる層を真
空蒸着により交互に積層するとともに、 この積層期間中に、前記プラスチック基材の積層側に、
200 ｅＶ以下の加速電圧でアルゴンイオンを照射するこ
とを特徴とする反射防止膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4080944A JP2935769B2 (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 反射防止膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4080944A JP2935769B2 (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 反射防止膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05281401A true JPH05281401A (ja) | 1993-10-29 |
| JP2935769B2 JP2935769B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=13732607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4080944A Expired - Fee Related JP2935769B2 (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 反射防止膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2935769B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005221988A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Konica Minolta Opto Inc | 光学素子及び光ピックアップ装置 |
| JP2009242892A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Hoya Corp | レンズ製造方法、眼鏡用レンズ製造方法及び蒸着装置 |
| WO2021131316A1 (ja) * | 2019-12-25 | 2021-07-01 | コニカミノルタ株式会社 | 反射防止膜付き光学レンズの製造方法 |
| US11553120B2 (en) | 2017-10-12 | 2023-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element, optical system, and image pickup apparatus |
| WO2024116961A1 (ja) * | 2022-12-02 | 2024-06-06 | 株式会社ニコン・エシロール | 光学物品の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59146461A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-22 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS61288064A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Canon Inc | イオンビ−ムアシスト成膜装置 |
| JPS62100701A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-11 | Showa Denko Kk | 反射防止被膜を有するプラスチツク製光学部品の製造方法 |
| JPH01197701A (ja) * | 1988-02-02 | 1989-08-09 | Asahi Glass Co Ltd | プラスチツク製光学部材およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-04-02 JP JP4080944A patent/JP2935769B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59146461A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-22 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS61288064A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Canon Inc | イオンビ−ムアシスト成膜装置 |
| JPS62100701A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-11 | Showa Denko Kk | 反射防止被膜を有するプラスチツク製光学部品の製造方法 |
| JPH01197701A (ja) * | 1988-02-02 | 1989-08-09 | Asahi Glass Co Ltd | プラスチツク製光学部材およびその製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005221988A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Konica Minolta Opto Inc | 光学素子及び光ピックアップ装置 |
| JP2009242892A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Hoya Corp | レンズ製造方法、眼鏡用レンズ製造方法及び蒸着装置 |
| US11553120B2 (en) | 2017-10-12 | 2023-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element, optical system, and image pickup apparatus |
| WO2021131316A1 (ja) * | 2019-12-25 | 2021-07-01 | コニカミノルタ株式会社 | 反射防止膜付き光学レンズの製造方法 |
| CN114846362A (zh) * | 2019-12-25 | 2022-08-02 | 柯尼卡美能达株式会社 | 带有防反射膜的光学透镜的制造方法 |
| CN114846362B (zh) * | 2019-12-25 | 2023-12-29 | 柯尼卡美能达株式会社 | 带有防反射膜的光学透镜的制造方法 |
| WO2024116961A1 (ja) * | 2022-12-02 | 2024-06-06 | 株式会社ニコン・エシロール | 光学物品の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
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