JPH09211204A - プラスティックフィルムへの反射防止膜の成膜方法 - Google Patents
プラスティックフィルムへの反射防止膜の成膜方法Info
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- JPH09211204A JPH09211204A JP8045351A JP4535196A JPH09211204A JP H09211204 A JPH09211204 A JP H09211204A JP 8045351 A JP8045351 A JP 8045351A JP 4535196 A JP4535196 A JP 4535196A JP H09211204 A JPH09211204 A JP H09211204A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明の目的は、連続に走行するフィルムに、
イオンアシスト法活用によるＥＢ蒸着方式によって、多
層反射防止膜の各層の成膜を連続的に行うにあたり、イ
オンアシスト法の効果を再現性よく最大限に発現できる
方法を提供せんとするものである。 【解決手段】真空中で、イオン銃によるイオンアシスト
活性化方式を併用する電子ビ−ム加熱方式による蒸着法
を用いて、連続走行するプラスティックフィルムの少な
くとも片面に、屈折率の異なる蒸着物質を組み合わせ
て、屈折率の異なる少なくとも２層以上の累積成膜加工
を行うプラスティックフィルムへの反射防止膜の成膜方
法において、各層の成膜の工程の間で、真空度が１０-2
Tollより低い雰囲気にさらさないことを特徴とするプラ
スティックフィルムへの反射防止膜の成膜方法。
イオンアシスト法活用によるＥＢ蒸着方式によって、多
層反射防止膜の各層の成膜を連続的に行うにあたり、イ
オンアシスト法の効果を再現性よく最大限に発現できる
方法を提供せんとするものである。 【解決手段】真空中で、イオン銃によるイオンアシスト
活性化方式を併用する電子ビ−ム加熱方式による蒸着法
を用いて、連続走行するプラスティックフィルムの少な
くとも片面に、屈折率の異なる蒸着物質を組み合わせ
て、屈折率の異なる少なくとも２層以上の累積成膜加工
を行うプラスティックフィルムへの反射防止膜の成膜方
法において、各層の成膜の工程の間で、真空度が１０-2
Tollより低い雰囲気にさらさないことを特徴とするプラ
スティックフィルムへの反射防止膜の成膜方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロンビ−
ム方式（以下、ＥＢ方式と略す）によって、走行するプ
ラスティックフィルムに連続的に、屈折率の異なる蒸着
物質を組み合わせて、屈折率の異なる少なくとも２層以
上の累積成膜加工を行うのに当たって、各層の間の密着
性が良好な反射防止膜を成膜するプラスティックフィル
ムへの反射防止膜の成膜方法に関する。
ム方式（以下、ＥＢ方式と略す）によって、走行するプ
ラスティックフィルムに連続的に、屈折率の異なる蒸着
物質を組み合わせて、屈折率の異なる少なくとも２層以
上の累積成膜加工を行うのに当たって、各層の間の密着
性が良好な反射防止膜を成膜するプラスティックフィル
ムへの反射防止膜の成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラスティックフィルムに金属酸化物な
ど屈折率の異なる多層の膜を成膜し、反射防止膜を形成
することは多数提案され、実施されている。多層の膜を
成膜するときに大きな課題は、各層の間の密着性を確保
することであり、密着性が不良であると、使用中に種々
の物品や皮膚などとの接触あるいは温度、湿度など環境
変化を受けて、はがれやひび割れの現象が起こり、長期
の使用に不都合を生ずる。この問題の解決のために、多
層の成膜の方法に関していくつかの技術提案がなされて
いる。
ど屈折率の異なる多層の膜を成膜し、反射防止膜を形成
することは多数提案され、実施されている。多層の膜を
成膜するときに大きな課題は、各層の間の密着性を確保
することであり、密着性が不良であると、使用中に種々
の物品や皮膚などとの接触あるいは温度、湿度など環境
変化を受けて、はがれやひび割れの現象が起こり、長期
の使用に不都合を生ずる。この問題の解決のために、多
層の成膜の方法に関していくつかの技術提案がなされて
いる。
【０００３】特開昭５５−１１０１２７には、イオンボ
ンバ−ド処理、高周波イオンプレ−ティング、真空蒸着
などを組み合わせて反射防止膜を作る技術が示されてい
る。しかしこれらの技術も多層膜の使用耐久性や反射防
止膜の品質安定性において充分とはいえない。
ンバ−ド処理、高周波イオンプレ−ティング、真空蒸着
などを組み合わせて反射防止膜を作る技術が示されてい
る。しかしこれらの技術も多層膜の使用耐久性や反射防
止膜の品質安定性において充分とはいえない。
【０００４】特開昭６１−２５０６０１には、プラステ
ィック基材の上に耐擦過性を有するハ−ドコ−ト層を設
け、その表層に複数層からなる反射防止膜を設け、かつ
該反射防止膜は最外層がＳｉＯ2 層であり、該最外層は
界面のみがイオンビ−ムにより変成されてなる反射防止
性を有する光学材料が提案されている。この場合、反射
防止膜を設けるフィルム基材としては、連続に走行する
フィルムは想定されておらず、言わば、バッチ方式にお
いて、蒸着領域にセットされたフィルム基材に対し、界
面部分の蒸着を行う時間のみイオンビ−ム処理を施すこ
とによってこのことが可能と考えられる。本発明の目的
は、連続走行するフィルム基材に、各層の膜を連続的に
成膜することであり、この方法は適応できない。
ィック基材の上に耐擦過性を有するハ−ドコ−ト層を設
け、その表層に複数層からなる反射防止膜を設け、かつ
該反射防止膜は最外層がＳｉＯ2 層であり、該最外層は
界面のみがイオンビ−ムにより変成されてなる反射防止
性を有する光学材料が提案されている。この場合、反射
防止膜を設けるフィルム基材としては、連続に走行する
フィルムは想定されておらず、言わば、バッチ方式にお
いて、蒸着領域にセットされたフィルム基材に対し、界
面部分の蒸着を行う時間のみイオンビ−ム処理を施すこ
とによってこのことが可能と考えられる。本発明の目的
は、連続走行するフィルム基材に、各層の膜を連続的に
成膜することであり、この方法は適応できない。
【０００５】特開平３−１２９３０１には、硝子または
プラスティックからなる透明基板に高、低屈折率の膜を
交互に４層成膜してなる多層反射防止膜において、すべ
ての層の成膜がイオアシスト法による蒸着で形成された
ものが提案されている。この場合、蒸着膜物質として
は、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 などが
挙げられており、イオアシスト法は膜の硬度など膜物性
の向上が目的とされている。しかしこの場合も、基板と
しては光学レンズが想定されているので、特開昭６１−
２５０６０１の場合と同様、反射防止膜を設けるフィル
ム基材としては、連続に走行するフィルムは想定されて
いない。
プラスティックからなる透明基板に高、低屈折率の膜を
交互に４層成膜してなる多層反射防止膜において、すべ
ての層の成膜がイオアシスト法による蒸着で形成された
ものが提案されている。この場合、蒸着膜物質として
は、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 などが
挙げられており、イオアシスト法は膜の硬度など膜物性
の向上が目的とされている。しかしこの場合も、基板と
しては光学レンズが想定されているので、特開昭６１−
２５０６０１の場合と同様、反射防止膜を設けるフィル
ム基材としては、連続に走行するフィルムは想定されて
いない。
【０００６】本発明者らは、連続に走行するフィルム
に、イオンアシスト法活用によるＥＢ蒸着方式によっ
て、多層反射防止膜の各層の成膜を連続的に行おうとし
たとき、一つの問題点を発見した。すなわち、各層の成
膜の間のいずれかで、中間の工程品を取り出して常圧に
さらしたり、あるいは真空度が１０-2より低い雰囲気に
さらしたりすると、イオンアシスト法活用の効果が充分
に発現できず、層間の密着性の不十分なものしか得られ
なかった。
に、イオンアシスト法活用によるＥＢ蒸着方式によっ
て、多層反射防止膜の各層の成膜を連続的に行おうとし
たとき、一つの問題点を発見した。すなわち、各層の成
膜の間のいずれかで、中間の工程品を取り出して常圧に
さらしたり、あるいは真空度が１０-2より低い雰囲気に
さらしたりすると、イオンアシスト法活用の効果が充分
に発現できず、層間の密着性の不十分なものしか得られ
なかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、連続
に走行するフィルムに、イオンアシスト法活用によるＥ
Ｂ蒸着方式によって、多層反射防止膜の各層の成膜を連
続的に行うにあたり、イオンアシスト法の効果を再現性
よく最大限に発現できる方法を提供せんとするものであ
る。
に走行するフィルムに、イオンアシスト法活用によるＥ
Ｂ蒸着方式によって、多層反射防止膜の各層の成膜を連
続的に行うにあたり、イオンアシスト法の効果を再現性
よく最大限に発現できる方法を提供せんとするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らが、種々検討
の結果、ＥＢ蒸着方式において、イオンアシスト法活用
の効果を無くしたり、低下させる原因として、イオンア
シスト処理を伴って蒸着された層が常圧ないし低真空状
態にさらされたあと次の層が成膜されると、イオンアシ
スト法活用の効果が減少するだけでなく、場合によって
はイオンアシスト処理を行わない場合よりも密着度が低
いことがわかった。この傾向は、連続走行するフィルム
に、連続的に成膜する場合に顕著であることも分かっ
た。また、膜の物質が、ＳｉＯ2 である場合、そのなか
で特にＩＴＯ膜（ＩＴＯは、酸化インジュウムと酸化錫
の混合物である。）と隣接する場合、その２層の境界層
において、上記の現象が顕著であった。
の結果、ＥＢ蒸着方式において、イオンアシスト法活用
の効果を無くしたり、低下させる原因として、イオンア
シスト処理を伴って蒸着された層が常圧ないし低真空状
態にさらされたあと次の層が成膜されると、イオンアシ
スト法活用の効果が減少するだけでなく、場合によって
はイオンアシスト処理を行わない場合よりも密着度が低
いことがわかった。この傾向は、連続走行するフィルム
に、連続的に成膜する場合に顕著であることも分かっ
た。また、膜の物質が、ＳｉＯ2 である場合、そのなか
で特にＩＴＯ膜（ＩＴＯは、酸化インジュウムと酸化錫
の混合物である。）と隣接する場合、その２層の境界層
において、上記の現象が顕著であった。
【０００９】本発明者らの検討によれば、各層の成膜の
間のいずれかで、中間の工程品を取り出して常圧にさら
したり、あるいは真空度が１０-2より低い雰囲気にさら
したりすると、イオンアシスト法活用の効果が充分に発
現できず、層間の密着性の不十分なものしか得られない
ことが判明した。
間のいずれかで、中間の工程品を取り出して常圧にさら
したり、あるいは真空度が１０-2より低い雰囲気にさら
したりすると、イオンアシスト法活用の効果が充分に発
現できず、層間の密着性の不十分なものしか得られない
ことが判明した。
【００１０】すなわち、本発明の上記目的は、下記する
本発明によって工業的に有利に達成された。 （１）真空中で、イオン銃によるイオンアシスト活性化
方式を併用する電子ビ−ム加熱方式による蒸着法を用い
て、連続走行するプラスティックフィルムの少なくとも
片面に、屈折率の異なる蒸着物質を組み合わせて、屈折
率の異なる少なくとも２層以上の累積膜を形成するプラ
スティックフィルムへの反射防止膜の成膜方法におい
て、各層の成膜の工程の間で、真空度が１０-2Tollより
低い雰囲気にさらさないことを特徴とするプラスティッ
クフィルムへの反射防止膜の成膜方法。 （２）屈折率の異なる２層以上の累積膜の少なくとも一
つが二酸化硅素の膜である、上記（１）項のプラスティ
ックフィルムへの反射防止膜の成膜方法。 （３）屈折率の異なる２層以上の累積膜の構成におい
て、二酸化硅素からなる膜とＩＴＯからなる膜が隣接し
て累積成膜されている２層を含む、上記（１）項のプラ
スティックフィルムへの反射防止膜の成膜方法。
本発明によって工業的に有利に達成された。 （１）真空中で、イオン銃によるイオンアシスト活性化
方式を併用する電子ビ−ム加熱方式による蒸着法を用い
て、連続走行するプラスティックフィルムの少なくとも
片面に、屈折率の異なる蒸着物質を組み合わせて、屈折
率の異なる少なくとも２層以上の累積膜を形成するプラ
スティックフィルムへの反射防止膜の成膜方法におい
て、各層の成膜の工程の間で、真空度が１０-2Tollより
低い雰囲気にさらさないことを特徴とするプラスティッ
クフィルムへの反射防止膜の成膜方法。 （２）屈折率の異なる２層以上の累積膜の少なくとも一
つが二酸化硅素の膜である、上記（１）項のプラスティ
ックフィルムへの反射防止膜の成膜方法。 （３）屈折率の異なる２層以上の累積膜の構成におい
て、二酸化硅素からなる膜とＩＴＯからなる膜が隣接し
て累積成膜されている２層を含む、上記（１）項のプラ
スティックフィルムへの反射防止膜の成膜方法。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の内容を詳しく説明
する。
する。
【００１２】本発明においてプラスティック製フィルム
基材としては、本発明による反射防止の機能が設けられ
た製品を各種ディスプレイに貼りつけて使用するのに相
応しい透明性、形態保持性、耐久性などがあるものが望
ましく、ポリオレフィン系樹脂、ポリメタクリル酸系樹
脂、ポリエステル系樹脂、ポリカ−ボネ−ト系樹脂、ト
リアセテ−ト系樹脂からなるフィルムなどが挙げられ
る。また場合によっては、その表面にハ−ドコ−ト層を
形成したものが好ましく使用される。
基材としては、本発明による反射防止の機能が設けられ
た製品を各種ディスプレイに貼りつけて使用するのに相
応しい透明性、形態保持性、耐久性などがあるものが望
ましく、ポリオレフィン系樹脂、ポリメタクリル酸系樹
脂、ポリエステル系樹脂、ポリカ−ボネ−ト系樹脂、ト
リアセテ−ト系樹脂からなるフィルムなどが挙げられ
る。また場合によっては、その表面にハ−ドコ−ト層を
形成したものが好ましく使用される。
【００１３】本発明が目的とするところは、長尺のフィ
ルムに連続的に二酸化硅素など金属酸化物薄膜を多層
に、密着性に関して安定した蒸着成膜を達成することで
あるが、具体的には、幅２００ｍｍ以上、長さ数十ｍ、
望ましくは数百ｍ以上の長さのフィルムが好ましく用い
られる。
ルムに連続的に二酸化硅素など金属酸化物薄膜を多層
に、密着性に関して安定した蒸着成膜を達成することで
あるが、具体的には、幅２００ｍｍ以上、長さ数十ｍ、
望ましくは数百ｍ以上の長さのフィルムが好ましく用い
られる。
【００１４】また本発明方法により得られる反射防止膜
をディスプレイなどに装着する場合、一般的には片面に
反射防止膜などの目的の機能を有する層を形成し、他の
面とディスプレイを密着させて使用するために、その結
合面の接着性をよくするために何等かの化学的、物理的
表面処理（コ−ティング、コロナ放電処理など）を施す
ことも望ましい。
をディスプレイなどに装着する場合、一般的には片面に
反射防止膜などの目的の機能を有する層を形成し、他の
面とディスプレイを密着させて使用するために、その結
合面の接着性をよくするために何等かの化学的、物理的
表面処理（コ−ティング、コロナ放電処理など）を施す
ことも望ましい。
【００１５】本発明では、イオン銃によるイオンアシス
ト活性化方式を活用する電子ビ−ム加熱方式による蒸着
法を用いる。蒸着は一般の蒸着で行われるように、１０
-4〜１０-6の真空中で行い、かつ各層間の密着性を高め
るためにイオンアシスト活性化方式を取る。電子ビ−ム
加熱方式による蒸着におけるイオンアシストの具体的方
法、原理およびその応用については種々の文献に詳しい
が、例えば、逢坂哲弥著「最新 機能成膜プロセス技
術」（（株）広信社、１９８７年）、６７０頁に記載さ
れている。本発明のイオンアシストは、通常、酸素また
はアルゴンなどの不活性元素気体雰囲気下、高周波の振
動電場１３．５６ＭＨＺ、１００〜５００Ｗの条件で、
２００〜１０００Ｖに上記の気体イオンを加速して行わ
れる。
ト活性化方式を活用する電子ビ−ム加熱方式による蒸着
法を用いる。蒸着は一般の蒸着で行われるように、１０
-4〜１０-6の真空中で行い、かつ各層間の密着性を高め
るためにイオンアシスト活性化方式を取る。電子ビ−ム
加熱方式による蒸着におけるイオンアシストの具体的方
法、原理およびその応用については種々の文献に詳しい
が、例えば、逢坂哲弥著「最新 機能成膜プロセス技
術」（（株）広信社、１９８７年）、６７０頁に記載さ
れている。本発明のイオンアシストは、通常、酸素また
はアルゴンなどの不活性元素気体雰囲気下、高周波の振
動電場１３．５６ＭＨＺ、１００〜５００Ｗの条件で、
２００〜１０００Ｖに上記の気体イオンを加速して行わ
れる。
【００１６】蒸着対象とする蒸着物質としては、二酸化
硅素、酸化ジルコニウム、酸化チタン、ＩＴＯなど各種
の金属酸化物あるいは弗化マグネシウムなどの弗化物が
使われるが、その構成と膜厚みの設計は、目的とする反
射防止膜についての要求特性に基づいて各蒸着物の屈折
率から精密計算、設定される。
硅素、酸化ジルコニウム、酸化チタン、ＩＴＯなど各種
の金属酸化物あるいは弗化マグネシウムなどの弗化物が
使われるが、その構成と膜厚みの設計は、目的とする反
射防止膜についての要求特性に基づいて各蒸着物の屈折
率から精密計算、設定される。
【００１７】本発明は、これら各種蒸着膜の成膜におい
て、各層の成膜と成膜の間で、空気中常圧ないし低減圧
度の雰囲気にさらさないことを特徴とする。具体的に
は、１０-2Toll以下の低真空にさらさないことが重要で
ある。１０-2Toll以下の低真空にさらすのが好ましくな
いことの理由は明らかではないが、イオンアシストの作
用原理と密接に関係があり、イオンアシストの処理条件
によっては、成膜の層間で低真空雰囲気にさらすことに
よって、著しく密着強度が低下したり、また層自体の構
造も劣化することがわかった。またこの現象は、フィル
ム基板を走行させてイオンアシストによる蒸着を行うと
きに特に顕著であることもわかった。これは、フィルム
基板が走行しながらイオンアシストを行う場合は、その
走行位置によってイオンの流速分布が異なるため、イオ
ン流速の影響を直接に受ける部分が生ずるためと推定さ
れる。すなわち、本発明は、連続走行するフィルムにイ
オンアシスト活性化方式を活用する電子ビ−ム加熱方式
による蒸着によって多層蒸着膜の成膜を行うときに、極
めて大きな効果があることが分かる。
て、各層の成膜と成膜の間で、空気中常圧ないし低減圧
度の雰囲気にさらさないことを特徴とする。具体的に
は、１０-2Toll以下の低真空にさらさないことが重要で
ある。１０-2Toll以下の低真空にさらすのが好ましくな
いことの理由は明らかではないが、イオンアシストの作
用原理と密接に関係があり、イオンアシストの処理条件
によっては、成膜の層間で低真空雰囲気にさらすことに
よって、著しく密着強度が低下したり、また層自体の構
造も劣化することがわかった。またこの現象は、フィル
ム基板を走行させてイオンアシストによる蒸着を行うと
きに特に顕著であることもわかった。これは、フィルム
基板が走行しながらイオンアシストを行う場合は、その
走行位置によってイオンの流速分布が異なるため、イオ
ン流速の影響を直接に受ける部分が生ずるためと推定さ
れる。すなわち、本発明は、連続走行するフィルムにイ
オンアシスト活性化方式を活用する電子ビ−ム加熱方式
による蒸着によって多層蒸着膜の成膜を行うときに、極
めて大きな効果があることが分かる。
【００１８】多層の蒸着膜の成膜においては、各層の成
膜ごとに蒸着物質を交換する必要があるため、真空系を
一旦破ってこれら条件の変更を行うことが特に容易であ
り、また通常であるが、本発明ではこれが許されないの
で、真空系に、各層の蒸着膜に対応する蒸着物質の数に
応じて、複数の移動可能なハ−ス（蒸着材料を装填する
容器）や電子銃配置を準備する必要がある。
膜ごとに蒸着物質を交換する必要があるため、真空系を
一旦破ってこれら条件の変更を行うことが特に容易であ
り、また通常であるが、本発明ではこれが許されないの
で、真空系に、各層の蒸着膜に対応する蒸着物質の数に
応じて、複数の移動可能なハ−ス（蒸着材料を装填する
容器）や電子銃配置を準備する必要がある。
【００１９】また本発明は、二酸化硅素の蒸着において
効果が大きく、さらには二酸化硅素の蒸着膜とＩＴＯの
蒸着膜とを隣接して成膜するときに大きな効果が発現さ
れる。二酸化硅素は、屈折率が１．４５付近の低屈折率
物質として、多層反射防止膜の構成にはしばしば使用さ
れる。また、ＩＴＯは普通の目的の多層反射防止膜の構
成としては使われることはないが、ＩＴＯが透明導電性
であるために、多層反射防止膜の１構成膜として使用す
るば、導電性（帯電防止性、電磁波シ−ルド性）も付与
できるので、大きな付加価値を持った反射防止膜が達成
できるので、本発明では重要な要件となっている。
効果が大きく、さらには二酸化硅素の蒸着膜とＩＴＯの
蒸着膜とを隣接して成膜するときに大きな効果が発現さ
れる。二酸化硅素は、屈折率が１．４５付近の低屈折率
物質として、多層反射防止膜の構成にはしばしば使用さ
れる。また、ＩＴＯは普通の目的の多層反射防止膜の構
成としては使われることはないが、ＩＴＯが透明導電性
であるために、多層反射防止膜の１構成膜として使用す
るば、導電性（帯電防止性、電磁波シ−ルド性）も付与
できるので、大きな付加価値を持った反射防止膜が達成
できるので、本発明では重要な要件となっている。
【００２０】
【実施例】以下に本発明の態様を実施例をもって説明す
るが、これによって限定されるものではない。 ［実施例１］厚み１５０μｍ、はば５００ｍｍ，長さ３
５０ｍのポリエチレンテレフタレ−トフィルムの片面
に、紫外線硬化型の多官能アクリル樹脂を主体とする厚
み４μｍのハ−ドコ−トを施した。このフィルムの片面
に、第１層がＩＴＯ（厚み：２６．５ｎｍ）、第２層と
第４層が二酸化硅素（厚み：それぞれ２５．５ｎｍ、９
６．６ｎｍ）、第３層が酸化チタン（厚み：５８．３ｎ
ｍ）からなる反射防止膜を電子ビ−ム方式で蒸着形成し
た。各層の厚みは、それぞれの物質の屈折率をもとにし
て光学的に計算された厚みである。この４層膜の各層の
成膜において、酸素雰囲気下、高周波の振動電場１３．
５６ＭＨＺ、１５０Ｗの条件でイオンアシストを行っ
た。また、４層の成膜工程中およびその各層の成膜の間
で、１０-4Ｔｏｌｌ以上の真空度を保持した。
るが、これによって限定されるものではない。 ［実施例１］厚み１５０μｍ、はば５００ｍｍ，長さ３
５０ｍのポリエチレンテレフタレ−トフィルムの片面
に、紫外線硬化型の多官能アクリル樹脂を主体とする厚
み４μｍのハ−ドコ−トを施した。このフィルムの片面
に、第１層がＩＴＯ（厚み：２６．５ｎｍ）、第２層と
第４層が二酸化硅素（厚み：それぞれ２５．５ｎｍ、９
６．６ｎｍ）、第３層が酸化チタン（厚み：５８．３ｎ
ｍ）からなる反射防止膜を電子ビ−ム方式で蒸着形成し
た。各層の厚みは、それぞれの物質の屈折率をもとにし
て光学的に計算された厚みである。この４層膜の各層の
成膜において、酸素雰囲気下、高周波の振動電場１３．
５６ＭＨＺ、１５０Ｗの条件でイオンアシストを行っ
た。また、４層の成膜工程中およびその各層の成膜の間
で、１０-4Ｔｏｌｌ以上の真空度を保持した。
【００２１】得られた反射防止膜は、アルコ−ルまたは
水など種々の液体で湿らした布で２ｋｇ／ｃｍ2 の圧力
で数十回こすっても、層間の剥離などまったく損傷は観
察されなかった。 ［比較実施例１］実施例１と同様の膜構成と蒸着条件
で、４層からなる反射防止膜を成膜した。ただし、第１
層のＩＴＯ層と第２層の二酸化硅素の層の成膜の間で、
および第２層の二酸化硅素の層と第３層の酸化チタン、
第３層の酸化チタンと第４層の二酸化硅素の成膜が各成
膜間で、一旦、常圧空気雰囲気に約１時間ずつさらし
た。得られた反射防止膜の光学特性は実施例とほとんど
変わらないが、アルコ−ルで湿らした布で２ｋｇ／ｃｍ
2 の圧力で十回こすったところ、層間の剥離が観察され
た。組成分析したところ、この層間の剥離はほとんどの
場合、第１層のＩＴＯ層と第２層の二酸化硅素の層の間
で起こっていることが分かった。一部他の層間でも剥離
が認められた。 ［実施例２］及び［比較実施例２］実施例１と同じ膜構
成（物質および厚み）で４層からなる反射防止膜の製膜
において、第１層と第２層の成膜の工程の間で、空気を
導入することによって、一旦真空度をいくつかの程度に
落として１時間放置した後、２層目以降を成膜して、反
射防止膜を形成させた。得られた反射防止膜を、実施例
と同じ測定法で層間剥離性の差を観測した結果を表１に
しめす。
水など種々の液体で湿らした布で２ｋｇ／ｃｍ2 の圧力
で数十回こすっても、層間の剥離などまったく損傷は観
察されなかった。 ［比較実施例１］実施例１と同様の膜構成と蒸着条件
で、４層からなる反射防止膜を成膜した。ただし、第１
層のＩＴＯ層と第２層の二酸化硅素の層の成膜の間で、
および第２層の二酸化硅素の層と第３層の酸化チタン、
第３層の酸化チタンと第４層の二酸化硅素の成膜が各成
膜間で、一旦、常圧空気雰囲気に約１時間ずつさらし
た。得られた反射防止膜の光学特性は実施例とほとんど
変わらないが、アルコ−ルで湿らした布で２ｋｇ／ｃｍ
2 の圧力で十回こすったところ、層間の剥離が観察され
た。組成分析したところ、この層間の剥離はほとんどの
場合、第１層のＩＴＯ層と第２層の二酸化硅素の層の間
で起こっていることが分かった。一部他の層間でも剥離
が認められた。 ［実施例２］及び［比較実施例２］実施例１と同じ膜構
成（物質および厚み）で４層からなる反射防止膜の製膜
において、第１層と第２層の成膜の工程の間で、空気を
導入することによって、一旦真空度をいくつかの程度に
落として１時間放置した後、２層目以降を成膜して、反
射防止膜を形成させた。得られた反射防止膜を、実施例
と同じ測定法で層間剥離性の差を観測した結果を表１に
しめす。
【００２２】 表１ 低下真空度 層間剥離観察状況 実施例 ０．９×１０-2Ｔｏｌｌ 剥離、損傷認められず 比較例 １．５×１０-2Ｔｏｌｌ わずかに剥離（１層と２層の間） 比較例 ５．０×１０-2Ｔｏｌｌ 明らかな剥離、明らかな膜損傷
【００２３】
【発明の効果】本発明によって、連続長尺のフィルム
に、ＥＢ蒸着方式で、層間密着性の高い多層反射防止膜
が成膜できる。
に、ＥＢ蒸着方式で、層間密着性の高い多層反射防止膜
が成膜できる。
Claims (3)
- 【請求項１】真空中で、イオン銃によるイオンアシスト
活性化方式を併用する電子ビ−ム加熱方式による蒸着法
を用いて、連続走行するプラスティックフィルムの少な
くとも片面に、屈折率の異なる蒸着物質を組み合わせ
て、屈折率の異なる少なくとも２層以上の累積膜を形成
するプラスティックフィルムへの反射防止膜の成膜方法
において、各層の成膜の工程の間で、真空度が１０-2To
llより低い雰囲気にさらさないことを特徴とするプラス
ティックフィルムへの反射防止膜の成膜方法。 - 【請求項２】屈折率の異なる２層以上の累積膜の少なく
とも一つが二酸化硅素の膜である、請求項１記載のプラ
スティックフィルムへの反射防止膜の成膜方法。 - 【請求項３】屈折率の異なる２層以上の累積膜の構成に
おいて、二酸化硅素からなる膜とＩＴＯからなる膜が隣
接して累積成膜されている２層を含む、請求項１記載の
プラスティックフィルムへの反射防止膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8045351A JPH09211204A (ja) | 1996-02-07 | 1996-02-07 | プラスティックフィルムへの反射防止膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8045351A JPH09211204A (ja) | 1996-02-07 | 1996-02-07 | プラスティックフィルムへの反射防止膜の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09211204A true JPH09211204A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=12716865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8045351A Pending JPH09211204A (ja) | 1996-02-07 | 1996-02-07 | プラスティックフィルムへの反射防止膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09211204A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001073865A3 (en) * | 2000-03-24 | 2002-07-25 | Cymbet Corp | Continuous processing of thin-film batteries and like devices |
| US9853325B2 (en) | 2011-06-29 | 2017-12-26 | Space Charge, LLC | Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices |
| US10601074B2 (en) | 2011-06-29 | 2020-03-24 | Space Charge, LLC | Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices |
| US10658705B2 (en) | 2018-03-07 | 2020-05-19 | Space Charge, LLC | Thin-film solid-state energy storage devices |
| US11527774B2 (en) | 2011-06-29 | 2022-12-13 | Space Charge, LLC | Electrochemical energy storage devices |
-
1996
- 1996-02-07 JP JP8045351A patent/JPH09211204A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001073865A3 (en) * | 2000-03-24 | 2002-07-25 | Cymbet Corp | Continuous processing of thin-film batteries and like devices |
| US9853325B2 (en) | 2011-06-29 | 2017-12-26 | Space Charge, LLC | Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices |
| US10199682B2 (en) | 2011-06-29 | 2019-02-05 | Space Charge, LLC | Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices |
| US10601074B2 (en) | 2011-06-29 | 2020-03-24 | Space Charge, LLC | Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices |
| US11527774B2 (en) | 2011-06-29 | 2022-12-13 | Space Charge, LLC | Electrochemical energy storage devices |
| US10658705B2 (en) | 2018-03-07 | 2020-05-19 | Space Charge, LLC | Thin-film solid-state energy storage devices |
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