CN114846362B - 带有防反射膜的光学透镜的制造方法 - Google Patents

带有防反射膜的光学透镜的制造方法 Download PDF

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Abstract

防反射膜(20)，使用离子辅助蒸镀装置(40)，而形成在由含有40质量％以上的氟化物的材料形成的透镜基板(10)上。防反射膜(20)的第1下层为氟化物层。形成防反射膜(20)的第1下层和第2下层的至少下半部分时到达第1下层和第2下层的至少下半部分的离子的第1能量和每第1单位时间内的量为相对较小。

Description

带有防反射膜的光学透镜的制造方法
技术领域
本申请发明涉及带有防反射膜的光学透镜的制造方法。
背景技术
日本特开平10-29896号公报(专利文献1)公开了：形成在氟化物类结晶性基板上的多层光学薄膜。具体而言，专利文献1中，从氟化物类结晶性基板侧起算，多层光学薄膜的第1层为包含氟化物类物质的层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10-29896号公报
发明内容
发明所解决的技术问题
作为形成防反射膜的透镜基板，有时采用氟化物含量较多的基板。基板中包含的氟化物的含量较多时，防反射膜有时会从透镜基板上剥离。此外，防反射膜的吸光率可能较高。本申请发明是鉴于这样的问题而完成的，其目的在于：提供一种在防止防反射膜从氟化物的含量较多的透镜基板上剥离的同时，具有降低了的吸光率的带有防反射膜的光学透镜的制造方法。
解决问题的技术手段
本申请发明的带有防反射膜的光学透镜的制造方法中，使用包含向透镜基板照射离子的离子源的离子辅助蒸镀装置。本申请发明的带有防反射膜的光学透镜的制造方法具备：在由含有40质量％以上的氟化物的材料形成的透镜基板上形成防反射膜的第1下层；在第1下层上形成防反射膜的第2下层。本申请发明的带有防反射膜的光学透镜的制造方法具备：在第2下层上形成防反射膜的至少一个层；在至少一个层上形成防反射膜的最上层。第1下层为氟化物层。形成第1下层和第2下层的至少下半部分时到达第1下层和第2下层的至少下半部分的离子的第1能量和每第1单位时间内的量分别低于形成至少一个层时到达至少一个层的离子的第2能量和每第2单位时间内的量。第2下层的下半部分是第2下层中比第2下层的厚度方向上的第2下层的中心更靠近第1下层侧的部分。
例如，形成第1下层和第2下层的至少下半部分时的离子源的第1离子加速电压和第1离子电流分别低于形成防反射膜的至少一个层时的离子源的第2离子加速电压和第2离子电流。
例如，第1离子加速电压为300V以下。第1离子电流为300mA以下。
例如，第2离子加速电压为500V以上。第2离子电流为500mA以上。
例如，离子辅助蒸镀装置进一步包含活动挡板。形成第1下层和第2下层的至少下半部分时，将活动挡板插入从离子源至透镜基板的离子的路径中。形成至少一个层时，将活动挡板从离子的路径中抽出。
例如，第1下层为MgF2层。
例如，550nm的设计基准波长λ0下的第1下层的1/4波长光学厚度为0.1以上。设计基准波长λ0下的第1下层的1/4波长光学厚度通过将第1下层的光学厚度除以设计基准波长的四分之一(λ0/4)而给出。第1下层的光学厚度通过设计基准波长λ0下的第1下层的折射率与第1下层的物理厚度(nm)的积而给出。
例如，最上层为氟化物层。形成最上层时到达最上层的离子的第3能量和每第3单位时间内的量分别低于第2能量和每第2单位时间内的量。
例如，最上层为MgF2层。
例如，形成第2下层的整体时到达第2下层的整体的离子具有第1能量和每第1单位时间内的量。
例如，形成第2下层中距透镜基板最远的部分时到达第2下层中距透镜基板最远的部分的离子的第4能量和每第4单位时间内的量分别大于第1能量和每第1单位时间内的量。
例如，第4能量和每第4单位时间内的量分别等于第2能量和每第2单位时间内的量。
发明的效果
通过本申请发明的带有防反射膜的光学透镜的制造方法，能够在防止防反射膜从透镜基板上剥离的同时，降低防反射膜的吸光率。
附图说明
[图1]实施方式的一个实例(实施例1、实施例2和实施例5)的带有防反射膜的光学透镜的部分扩大截面图。
[图2]实施方式的带有防反射膜的光学透镜的制造方法中使用的离子辅助蒸镀装置的概要图。
[图3]实施方式的带有防反射膜的光学透镜的制造方法中使用的离子辅助蒸镀装置的块状图。
[图4]表示实施方式的带有防反射膜的光学透镜的制造方法的流程图的图。
[图5]表示实施例1的防反射膜的反射光谱的模拟结果的图。
[图6]表示实施例2的防反射膜的反射光谱的模拟结果的图。
[图7]实施例3的带有防反射膜的光学透镜的部分扩大截面图。
[图8]表示实施例3的防反射膜的反射光谱的模拟结果的图。
[图9]实施例4的带有防反射膜的光学透镜的部分扩大截面图。
[图10]表示实施例4的防反射膜的反射光谱的模拟结果的图。
[图11]表示实施例5的防反射膜的反射光谱的模拟结果的图。
[图12]表示实施方式的投影透镜光学系统的构成的图。
具体实施方式
在参照附图的同时，对于实施方式的带有防反射膜的光学透镜、投影透镜和投影透镜光学系统进行说明。
本实施方式的带有防反射膜的光学透镜的制造方法中，使用包含向透镜基板照射离子的离子源的离子辅助蒸镀装置。本实施方式的带有防反射膜的光学透镜的制造方法具备：在由含有40质量％以上的氟化物的材料形成的透镜基板上形成防反射膜的第1下层；在第1下层上形成防反射膜的第2下层。本实施方式的带有防反射膜的光学透镜的制造方法具备：在第2下层上形成防反射膜的至少一个层；在至少一个层上形成防反射膜的最上层。第1下层为氟化物层。形成第1下层和第2下层的至少下半部分时到达第1下层和第2下层的至少下半部分的离子的第1能量和每第1单位时间内的量分别低于形成至少一个层时到达至少一个层的离子的第2能量和每第2单位时间内的量。第2下层的下半部分为第2下层中比第2下层的厚度方向上的第2下层的中心更靠近第1下层侧的部分。
与由含有40质量％以上的氟化物的材料形成的透镜基板相接的防反射膜的第1下层为氟化物层。因此，防止防反射膜从透镜基板上剥离。此外，形成第1下层和第2下层的至少下半部分时，到达为氟化物层的第1下层的离子的第1能量和每第1单位时间内的量分别低于形成防反射膜的至少一个层时到达至少一个层的离子的第2能量和每第2单位时间内的量。因此，抑制氟从第1下层中脱离。防反射膜的吸光率得到降低。
例如，形成第1下层和第2下层的至少下半部分时的离子源的第1离子加速电压和第1离子电流分别低于形成防反射膜的至少一个层时的离子源的第2离子加速电压和第2离子电流。因此，抑制氟从第1下层中脱离。防反射膜的吸光率得到降低。
例如，第1离子加速电压为300V以下。第1离子电流为300mA以下。因此，抑制氟从第1下层中脱离。防反射膜的吸光率得到降低。
例如，第2离子加速电压为500V以上。第2离子电流为500mA以上。因此，提高叠层于防反射膜的第2下层和最上层之间的防反射膜的至少一层的膜密度和平坦性。在抑制防反射膜中的颜色不均匀的产生的同时，改善防反射膜的反射特性的再现性。
例如，离子辅助蒸镀装置进一步包含活动挡板。形成第1下层和第2下层的至少下半部分时，将活动挡板插入从离子源至透镜基板的离子的路径中。形成至少一个层时，将活动挡板从离子的路径中抽出。因此，抑制氟从第1下层中脱离。防反射膜的吸光率得到降低。
例如，第1下层为MgF2层。因此，防止防反射膜从透镜基板上剥离。
例如，550nm的设计基准波长λ0下的第1下层的1/4波长光学厚度(QWO T)为0.1以上。设计基准波长λ0下的第1下层的1/4波长光学厚度(QWOT)通过将第1下层的光学厚度除以设计基准波长的四分之一(λ0/4)而给出。第1下层的光学厚度通过设计基准波长λ0下的第1下层的折射率与第1下层的物理厚度(nm)的积而给出。因此，第1下层具有用于防止防反射膜从透镜基板上剥离的充分的厚度。防止防反射膜从透镜基板上剥离。
例如，最上层为氟化物层。形成最上层时到达最上层的离子的第3能量和每第3单位时间内的量分别低于第2能量和每第2单位时间内的量。因此，抑制氟从最上层脱离。防反射膜的吸光率得到降低。
例如，最上层为MgF2层。MgF2在430nm以上670nm以下的波长区域中具有较高的光透射率和较低的折射率。因此，通过将防反射膜中最靠近空气侧的防反射膜的最上层设为MgF2层，而能够降低430nm以上670nm以下的波长域中防反射膜的吸光率和反射率。
例如，形成第2下层的整体时到达第2下层的整体的离子具有第1能量和每第1单位时间内的量。因此，进一步抑制氟从第1下层中脱离。防反射膜的吸光率得到降低。
例如，形成第2下层中距透镜基板最远的部分时到达第2下层中距透镜基板最远的部分的离子的第4能量和每第4单位时间内的量分别大于第1能量和每第1单位时间内的量。因此，提高防反射膜的第2下层的膜密度和平坦性。在抑制防反射膜中的颜色不均匀的产生的同时，改善防反射膜的反射特性的再现性。
例如，第4能量和每第4单位时间内的量分别等于第2能量和每第2单位时间内的量。因此，提高防反射膜的第2下层的膜密度和平坦性。在抑制防反射膜中的颜色不均匀的产生的同时，改善防反射膜的反射特性的再现性。
<本实施方式的带有防反射膜的光学透镜1的具体的构成>
参照图1，对于本实施方式的一个实例的带有防反射膜的光学透镜1进行说明。带有防反射膜的光学透镜1具备：透镜基板10和形成在透镜基板10上的防反射膜20。
透镜基板10由含有40质量％以上的氟化物的材料形成。透镜基板10，例如，由FCD100(HOYA制)或FCD1(HOYA制)这样的硝材而形成。FCD100(HOYA制)和FCD1(HOYA制)的化学成分如表1表示。
[表1]
化学成分 FCD 100 FCD 1
P2O5 1-10 20-30
BaO 1-10 10-20
Al2O3 - 1-10
AlF3 30-40 10-20
MgF2 1-10 1-10
CaF2 20-30 10-20
SrF2 20-30 20-30
BaF2 1-10 -
YF3 1-10 1-10
BaCl2 0-1 -
(单位：质量％)
防反射膜20由第1下层、第2下层、至少一个层、最上层构成。第1下层与透镜基板10相接。第1下层例如为MgF2层这样的氟化物层。第2下层在防反射膜20的厚度方向上叠层在第1下层上。第1下层在防反射膜20的厚度方向上位于透镜基板10和第2下层之间。
防反射膜20的至少一个层叠层在第2下层上。防反射膜20的至少一个层在防反射膜20的厚度方向上位于防反射膜20的第2下层和最上层之间。防反射膜20的至少一个层与第2下层和最上层相接。防反射膜20的至少一个层可以是多个层。在防反射膜20的至少一个层为多个层的情况下，防反射膜20的至少一个层是指位于第2下层和最上层之间的全部的多个层。可以是防反射膜20的至少一个层为至少7层，防反射膜20由至少10层构成。
最上层叠层在防反射膜20的至少一个层上。最上层为防反射膜20中最靠近空气侧的层。最上层为防反射膜20中距透镜基板10最远的层。最上层例如为MgF2层这样的氟化物层。
参照图1，从空气侧起算，防反射膜20的第1层21为防反射膜20的最上层。第1层21为氟化物层。第1层21例如为MgF2层。
从空气侧起算，防反射膜20的第2层22、第4层24、第6层26、第8层28和第10层30各自为对于设计基准波长λ0＝550nm的折射率为2.0以上2.3以下的高折射率层。例如，第2层22、第4层24、第6层26、第8层28和第10层30各自为Ta2O5层(折射率2.16)、ZrO2层(折射率2.05)、ZrTiO4与ZrO2的混合物形成得到的层(折射率2.08)、LaTiO3层(折射率2.1)、ZrO2与TiO2的混合物形成得到的层(折射率2.15)、Ta2O5与ZrO2的混合物形成得到的层(折射率2.22)、Ta2O5与TiO2的混合物形成得到的层(折射率2.24)、Nb2O5层(折射率2.3)或TiO2层(折射率2.3)。本实施方式的一个实例(参照图1)中，第10层30相当于防反射膜20的第2下层。
从空气侧起算，防反射膜20的第3层23、第5层25、第7层27和第9层29各自为对于设计基准波长λ0＝550nm的折射率为1.44以上1.50以下的低折射率层。例如，第3层23、第5层25、第7层27和第9层29各自为SiO2层。本实施方式的一个实例(参照图1)中，从第2层22至第9层29相当于防反射膜20的至少一个层。
本实施方式的一个实例(参照图1)中，从空气侧起算，防反射膜20的第11层31与透镜基板相接。第11层31为防反射膜20的最下层。第11层31相当于防反射膜20的第1下层。第11层31为氟化物层。第11层31例如为MgF2层。550nm的设计基准波长λ0下的第11层31的1/4波长光学厚度(QWO T)为0.1以上。设计基准波长λ0下的第11层31的1/4波长光学厚度(QWOT)通过将第11层31的光学厚度除以λ0/4而给出。第11层31的光学厚度通过设计基准波长λ0下的第11层31的折射率与第11层31的物理厚度(nm)的积而给出。
430nm以上670nm以下的波长域中的防反射膜20的最大反射率可以为0.2％以下。特别是，430nm以上670nm以下的波长域中的防反射膜20的最大反射率可以为0.1％以下。
<本实施方式的离子辅助蒸镀装置40>
参照图2和图3，对于本实施方式的带有防反射膜的光学透镜1的制造方法中使用的离子辅助蒸镀装置40进行说明。
参照图2，离子辅助蒸镀装置40包含：腔室41、排气泵42、气体供给部43、基板保持器44、第1马达45、加热器46、温度传感器47、蒸镀源48、电子枪49、膜厚计50、离子源51、活动挡板52、第2马达53、控制器55。
腔室41中设置有排气口41a和气体注入口41b。排气口41a与排气泵42连接。排气泵42排出腔室41内的气体。排气泵42排出腔室41内的气体而将腔室41内的氛围设为高真空。气体注入口41b与气体供给部43连接。气体供给部43将氧(O2)气或氩(Ar)气这样的气体供给至腔室41内。
基板保持器44配置在腔室41内。基板保持器44相对于腔室41可旋转地被腔室41支撑。基板保持器44保持多个透镜基板10。加热器46对基板保持器44进行加热。基板保持器44的温度使用温度传感器47进行测定。基板保持器44的温度可根据蒸镀材料和透镜基板10的材料等而进行调节。第1马达45使基板保持器44相对于腔室41进行旋转。在使基板保持器44相对于腔室41进行旋转的同时，在多个透镜基板10上形成防反射膜20。因此，分别形成在多个透镜基板10上的多个防反射膜20可均匀地形成。
蒸镀源48包含多个坩埚(未图示)。与构成防反射膜20的多个层(例如，图1表示的第1层～第11层)的材料对应的多个蒸镀材料分别填充在多个坩埚中。电子枪49对填充在蒸镀源48中的蒸镀材料放出电子49e。电子49e撞击了的蒸镀材料被加热，蒸发。蒸发了的蒸镀材料堆积在多个透镜基板10等被蒸镀面上。因此，形成构成防反射膜20的多个层。膜厚计50对构成防反射膜20的多个层的厚度进行测定。膜厚计50例如为水晶振动子膜厚计。
离子源51向透镜基板10照射离子。离子源51例如为离子枪。通过在对被蒸镀面照射离子的同时使蒸镀材料堆积在被蒸镀面上，能够使蒸镀材料在透镜基板10等被蒸镀面上进行离子辅助蒸镀。离子辅助蒸镀法可形成膜密度、平坦性和密合性得到提高的层。
活动挡板52相对于腔室41和离子源51可移动。活动挡板52能够阻挡离子到达透镜基板10等被蒸镀面。第2马达53使活动挡板52移动。将活动挡板52插入从离子源51至透镜基板10的离子的路径中时，活动挡板52阻挡离子从离子源51到达透镜基板10等被蒸镀面。此时，进行不带有离子辅助照射的通常的真空蒸镀。从离子源51至透镜基板10的离子的路径中抽出活动挡板52时，离子到达透镜基板10等被蒸镀面。此时，进行离子辅助蒸镀。
参照图3，控制器55例如为计算机或半导体处理器。控制器55以可通信的方式与排气泵42、气体供给部43、第1马达45、加热器46、温度传感器47、电子枪49、膜厚计50、离子源51、第2马达53连接。控制器55控制排气泵42和气体供给部43，调节腔室41内的氛围。控制器55控制第1马达45，使基板保持器44旋转。控制器55基于使用温度传感器47测定得到的基板保持器44的温度，对加热器46进行控制。控制器55基于通过膜厚计50测定得到的防反射膜20的厚度，对电子枪49进行控制。
控制器55根据蒸镀材料的种类和膜厚计50测定得到的防反射膜20的厚度等，对离子源51进行控制。具体而言，控制器55对离子源51的离子加速电压和离子电流进行控制。随着离子源51的离子加速电压增加，到达被蒸镀面的离子的能量也增加。随着离子源51的离子电流增加，到达被蒸镀面的每单位时间内的离子的量也增加。
离子加速电压例如为0V以上1kV以下。离子电流例如为0mA以上1000mA以下。可通过将离子加速电压设为0V，并且将离子电流设为0mA，而进行不带有离子辅助照射的通常的真空蒸镀。可通过使用活动挡板52隔断从离子源51至透镜基板10的离子的路径，而进行不带有离子辅助照射的通常的真空蒸镀。在进行离子辅助蒸镀的情况下，离子加速电压例如为100V以上，并且，离子电流例如为100mA以上。特别是，在进行离子辅助蒸镀的情况下，离子加速电压可以为200V以上，并且，离子电流可以为200mA以上。在进行离子辅助蒸镀的情况下，将活动挡板52从离子源51至透镜基板10的离子的路径中抽出。
<本实施方式的带有防反射膜的光学透镜1的制造方法>
参照图4，对于本实施方式的带有防反射膜的光学透镜1的制造方法进行说明。本实施方式的带有防反射膜的光学透镜1的制造方法中，使用离子辅助蒸镀装置40(参照图2和图3)。离子辅助蒸镀装置40包含向透镜基板10照射离子的离子源51。
如图4表示那样，本实施方式的带有防反射膜的光学透镜1的制造方法具备：将透镜基板10设置在配置于腔室41内的基板保持器44的步骤(S1)。透镜基板10由含有40质量％以上的氟化物的材料形成。透镜基板10，例如，由FCD100(HOYA制)或FCD1(HOYA制)这样的硝材形成。
如图4表示那样，本实施方式的带有防反射膜的光学透镜1的制造方法具备：在透镜基板10上形成防反射膜20的第1下层的步骤(S2)。第1下层与透镜基板10相接。第1下层为防反射膜20的最下层。第1下层例如为MgF2层这样的氟化物层。本实施方式的一个实例(参照图1)中，防反射膜20的第11层31相当于第1下层。
特别是，550nm的设计基准波长λ0下的第1下层的1/4波长光学厚度(QWOT)为0.1以上。设计基准波长λ0下的第1下层的1/4波长光学厚度(QWO T)通过将第1下层的光学厚度除以λ0/4而给出。第1下层的光学厚度通过设计基准波长λ0下的第1下层的折射率与第1下层的物理厚度(nm)的积而给出。
如图4表示那样，本实施方式的带有防反射膜的光学透镜1的制造方法具备：在第1下层上形成防反射膜20的第2下层的步骤(S3)。第2下层相对于第1下层在与透镜基板10侧相反的一侧与第1下层相接。本实施方式的一个实例(参照图1)中，防反射膜20的第10层30相当于第2下层。
如图4表示那样，本实施方式的带有防反射膜的光学透镜1的制造方法具备：在第2下层上形成防反射膜20的至少一个层的步骤(S4)。防反射膜20的至少一个层相对于第2下层在与透镜基板10侧相反的一侧与第2下层相接。特别是，防反射膜20的至少一个层为多个层。特别是，防反射膜20的至少一个层可以为至少7层，防反射膜20可以由至少10层构成。本实施方式的一个实例(参照图1)中，从防反射膜20的第2层22至第9层29相当于防反射膜20的至少一个层。
防反射膜20的第2层22、第4层24、第6层26、第8层28和第10层30各自为对于设计基准波长λ0＝550nm的折射率为2.0以上2.3以下的高折射率层。例如，第2层22、第4层24、第6层26、第8层28和第10层30各自为Ta2O5层(折射率2.16)、ZrO2层(折射率2.05)、ZrTiO4与ZrO2的混合物形成得到的层(折射率2.08)、LaTiO3层(折射率2.1)、ZrO2与TiO2的混合物形成得到的层(折射率2.15)、Ta2O5与ZrO2的混合物形成得到的层(折射率2.22)、Ta2O5与TiO2的混合物形成得到的层(折射率2.24)、Nb2O5层(折射率2.3)或Ti O2层(折射率2.3)。
防反射膜20的第3层23、第5层25、第7层27和第9层29各自为对于设计基准波长λ0＝550nm的折射率为1.44以上1.50以下的低折射率层。例如，防反射膜20的第3层23、第5层25、第7层27和第9层29各自为Si O2层。
如图4表示那样，本实施方式的带有防反射膜的光学透镜1的制造方法具备：在至少一个层上形成防反射膜20的最上层的步骤(S5)。最上层为防反射膜20中最靠近空气侧的层。最上层为防反射膜20中距透镜基板10最远的层。最上层例如为MgF2层这样的氟化物层。本实施方式的一个实例(参照图1)中，防反射膜20的第1层21相当于最上层。防反射膜20的至少一个层(图1的实例中，从第2层22至第9层29)在透镜基板10的厚度方向上，与防反射膜20的第2下层(图1的实例中第10层30)和最上层(图1的实例中第1层21)相接。
形成第1下层(图1的实例中第11层31)和第2下层(图1的实例中第10层30)的至少下半部分时到达第1下层和第2下层的至少下半部分的离子的第1能量和每第1单位时间内的量分别低于形成至少一个层(图1的实例中从第2层22至第9层29)时到达至少一个层的离子的第2能量和每第2单位时间内的量。第2下层的下半部分为第2下层中比第2下层的厚度方向上的第2下层的中心更靠近第1下层侧的部分。
本说明书中，在形成至少一个层时到达至少一个层的离子的能量发生变化的情况下，第2能量是指：形成至少一个层时到达至少一个层的离子的能量的最小值。形成至少一个层时到达至少一个层的离子的每单位时间内的量发生变化的情况下，每第2单位时间内的量是指：形成至少一个层时到达至少一个层的离子的每单位时间内的量的最小值。
本说明书中，在形成第1下层和第2下层的至少下半部分时到达第1下层和第2下层的至少下半部分的离子的能量发生变化的情况下，第1能量是指：形成第1下层和第2下层的至少下半部分时到达第1下层和第2下层的至少下半部分的离子的能量的最大值。在形成第1下层和第2下层的至少下半部分时到达第1下层和第2下层的至少下半部分的离子的每单位时间内的量发生变化的情况下，每第1单位时间内的量是指：形成第1下层和第2下层的至少下半部分时到达第1下层和第2下层的至少下半部分的离子的每单位时间内的量的最大值。
在形成第1下层和第2下层的至少下半部分时离子无法到达第1下层和第2下层的至少下半部分的情况下，将第1能量视为0，将每第1单位时间内的量视为0。
作为使得第1能量和每第1单位时间内的量分别低于第2能量和每第2单位时间内的量的方法，例如存在以下的二个方法。
第一个方法中，将形成第1下层(图1的实例中第11层31)和第2下层(图1的实例中第10层30)的至少下半部分时的离子源51的第1离子加速电压和第1离子电流设为分别低于形成防反射膜20的至少一个层(图1的实例中从第2层22至第9层29)时的离子源51的第2离子加速电压和第2离子电流。例如，第1离子加速电压为300V以下，第1离子电流为300mA以下。例如，第2离子加速电压为500V以上，第2离子电流为500mA以上。离子源51的离子加速电压降低时，到达被蒸镀面的离子的能量减少。离子源51的离子电流减少时，到达被蒸镀面的离子的每单位时间内的量减少。
第二个方法中，形成第1下层(图1的实例中第11层31)和第2下层(图1的实例中第10层30)的至少下半部分时，将活动挡板52插入从离子源51至透镜基板10的离子的路径中。活动挡板52遮挡离子到达透镜基板10等被蒸镀面。通过将活动挡板52插入从离子源51至透镜基板10的离子的路径中，使得离子不会到达被蒸镀面。将第1能量视为0，将每第1单位时间内的量视为0。形成防反射膜20的至少一个层(图1的实例中从第2层22至第9层29)时，将活动挡板52从离子的路径中抽出，使离子到达透镜基板10等被蒸镀面。
特别是，可以将形成第1下层(图1的实例中第11层31)和第2下层(图1的实例中第10层30)的整体时的离子源51的第1离子加速电压和第1离子电流设为分别低于形成防反射膜20的至少一个层(图1的实例中从第2层22至第9层29)时的离子源51的第2离子加速电压和第2离子电流。例如，形成第2下层的整体时到达第2下层的整体的离子可以具有第1能量和每第1单位时间内的量。
具体而言，作为一个实例，可以将形成第1下层和第2下层的整体时的离子源51的第1离子加速电压和第1离子电流设为分别低于形成防反射膜20的至少一个层时的离子源51的第2离子加速电压和第2离子电流。作为另一实例，可以当形成第1下层和第2下层的整体时，将活动挡板52插入从离子源51至透镜基板10的离子的路径中。可以当形成防反射膜20的至少一个层时，将活动挡板52从离子源51至透镜基板10的离子的路径中抽出。
特别是，形成第2下层(图1的实例中第10层30)中距透镜基板10最远的部分时到达第2下层中距透镜基板10最远的部分的离子的第4能量和每第4单位时间内的量分别高于第1能量和每第1单位时间内的量。例如，形成第2下层中距透镜基板10最远的部分时到达第2下层中距透镜基板10最远的部分的离子的第4能量和每第4单位时间内的量可以分别等于第2能量和每第2单位时间内的量。
具体而言，作为一个实例，形成第2下层中距透镜基板10最远的部分时的离子束具有第2离子加速电压和第2离子电流。作为另一实例，形成第2下层中距透镜基板10最远的部分时，将活动挡板52从离子源51至透镜基板10的离子的路径中抽出。
特别是，形成第2下层(图1的实例中第10层30)的上半部分时到达第2下层中距透镜基板10最远的部分的离子的第4能量和每第4单位时间内的量分别高于第1能量和每第1单位时间内的量。例如，形成第2下层的上半部分时到达第2下层中距透镜基板10最远的部分的离子的第4能量和每第4单位时间内的量可以分别等于第2能量和每第2单位时间内的量。第2下层的上半部分是第2下层中比第2下层的厚度方向上的第2下层的中心更靠近防反射膜20的至少一个层侧(与透镜基板10侧相反的一侧)的部分。
具体而言，作为一个实例，可以将形成第2下层的上半部分时的离子源51的第4离子加速电压和第4离子电流设为分别等于形成防反射膜20的至少一个层时的离子源51的第2离子加速电压和第2离子电流。作为另一实例，可以当形成第2下层的上半部分时，将活动挡板52从离子源51至透镜基板10的离子的路径中抽出。
最上层(图1的实例中第1层21)为MgF2层这样的氟化物层。形成最上层时到达最上层的离子的第3能量和每第3单位时间内的量分别低于第2能量和每第2单位时间内的量。特别是，可以将第3能量和每第3单位时间内的量设为分别等于第1能量和每第1单位时间内的量。
具体而言，作为一个实例，可以将形成最上层时的离子源51的第3离子加速电压和第3离子电流设为分别低于形成防反射膜20的至少一个层(图1的实例中从第2层22至第9层29)时的离子源51的第2离子加速电压和第2离子电流。特别是，可以将第3离子加速电压和第3离子电流设为分别等于第1离子加速电压和第1离子电流。作为另一实例，可以当形成最上层时，将活动挡板52插入从离子源51至透镜基板10的离子的路径中。
实施例
(实施例1)
参照图1，对于实施例1的带有防反射膜的光学透镜1进行说明。实施例1的带有防反射膜的光学透镜1的构成如表2表示。具体而言，作为透镜基板10使用的硝材为FCD1(HOYA制)。由FCD1形成的透镜基板10在587.56nm(d线)的波长下具有1.50的折射率ns。防反射膜20形成在透镜基板10上。防反射膜20由11层构成。从空气侧起算，防反射膜20的第1层21为MgF2层。从空气侧起算，防反射膜20的第2层22、第4层24、第6层26、第8层28和第10层30各自为Ta2O5层。防反射膜20的第3层23、第5层25、第7层27和第9层29各自为SiO2层。防反射膜20的第11层31为MgF2层。
[表2]
第1层21相当于防反射膜20的最上层。从第2层22至第9层29相当于防反射膜20的至少一个层。第10层30相当于防反射膜20的第2下层。第11层31相当于防反射膜20的第1下层。第11层31的1/4波长光学厚度(QWOT)为0.15。
图5表示本实施例的防反射膜20的反射光谱的模拟结果。430nm以上670nm以下的波长域中的本实施例的防反射膜20的最大反射率为0.2％以下。430nm以上670nm以下的波长域中的本实施例的防反射膜20的最大反射率为0.1％以下。
对于本实施例的带有防反射膜的光学透镜1的制造方法进行说明。在透镜基板10上，通过不带有离子辅助的真空蒸镀法而形成与第2下层对应的第10层30和与第1下层对应的第11层31。通过离子辅助蒸镀法而形成第11层31时，离子撞击至由氟化物层形成的第11层31。离子撞击至第11层31时，氟从第11层31中脱离，第11层31的吸光率变高。与之相对，本实施例中，通过不带有离子辅助的真空蒸镀法而形成第11层31。因此，形成第11层31时，抑制氟从第11层31中脱离。能够将第11层31的吸光率保持为较低。
通过离子辅助蒸镀法而形成与第11层31接触的第10层30时，有时离子撞击至由氟化物层形成的第11层31。离子撞击至第11层31时，氟从第11层31中脱离，第11层31的吸光率变高。与之相对，本实施例中，通过不带有离子辅助的真空蒸镀法而形成第10层30。因此，形成第10层30时，防止离子撞击至第11层31。形成第10层30时，抑制氟从第11层31中脱离。能够将第11层31的吸光率保持为较低。
在第10层30上，通过使用了离子辅助的真空蒸镀法而形成从第2层22至第9层29。形成从第2层22至第9层29的各层时的离子辅助条件的一个实例如下所述。在包含的成膜速率、900V的离子加速电压、900mA的离子电流、氧的辅助气体、60sccm的辅助气体的流量的离子辅助条件下形成第7层27和第9层29。在包含/>的成膜速率、900V的离子加速电压、900mA的离子电流、氧的辅助气体、60sccm的辅助气体的流量的离子辅助条件下形成第2层22、第4层24、第6层26和第8层28。在包含/>的成膜速率、900V的离子加速电压、900mA的离子电流、氧的辅助气体、60scc m的辅助气体的流量的离子辅助条件下形成第3层23和第5层25。
离子辅助蒸镀会降低因真空蒸镀法中的真空度的变动等而导致的防反射膜20的膜密度的变动和膜的表面粗糙。膜密度的变动会导致膜的折射率的变动。膜的表面粗糙会导致膜厚的变动。膜的折射率的变动和膜厚的变动，在导致防反射膜20中颜色不均匀的同时，会降低防反射膜20的反射特性的再现性。离子辅助蒸镀，在抑制防反射膜20中的颜色不均匀的产生的同时，改善防反射膜20的反射特性的再现性。当将离子辅助蒸镀用于防反射膜20的至少一个层(本实施例中从第2层22至第9层29)的形成时，对于防反射膜20的至少一个层(本实施例中从第2层22至第9层29)，可以使用以往难以使用的高折射率材料。
在第2层22上，通过不带有离子辅助的真空蒸镀法而形成第1层21。通过离子辅助蒸镀法形成第1层21时，离子撞击至由氟化物层形成的第1层21，使氟从第1层21中脱离。第1层21的吸光率变高。与之相对，本实施例中，通过不带有离子辅助的真空蒸镀法而形成第1层21。因此，能够将第1层21的吸光率保持为较低。
对于本实施例的带有防反射膜的光学透镜1，进行防反射膜20的剥离试验。剥离试验中，将粘合胶带粘接至带有防反射膜的光学透镜1的防反射膜20的表面，之后，将粘合胶带从带有防反射膜的光学透镜1上剥离。本实施例中，虽然作为透镜基板10的材料而使用了含有40质量％以上的氟化物的FCD1(HOYA制)，但即使将粘合胶带从带有防反射膜的光学透镜1上剥离，也防止了防反射膜20从透镜基板10上剥离。
(实施例2)
参照图1，对于实施例2的带有防反射膜的光学透镜1进行说明。本实施例的带有防反射膜的光学透镜1的构成如表3表示。具体而言，作为透镜基板10使用的硝材为FCD100(HOYA制)。由FCD100形成的透镜基板10在587.56nm(d线)的波长下具有1.44的折射率ns。防反射膜20形成在透镜基板10上。防反射膜20由11层构成。从空气侧起算，防反射膜20的第1层21为MgF2层。从空气侧起算，防反射膜20的第2层22、第4层24、第6层26、第8层28和第10层30各自为Ta2O5层。防反射膜20的第3层23、第5层25、第7层27和第9层29各自为SiO2层。防反射膜20的第11层31为MgF2层。
[表3]
第1层21相当于防反射膜20的最上层。从第2层22至第9层29相当于防反射膜20的至少一个层。第10层30相当于防反射膜20的第2下层。第11层31相当于防反射膜20的第1下层。第11层31的1/4波长光学厚度(QWOT)为0.10。
图6表示本实施例的防反射膜20的反射光谱的模拟结果。430nm以上670nm以下的波长域中的本实施例的防反射膜20的最大反射率为0.2％以下。430nm以上670nm以下的波长域中的本实施例的防反射膜20的最大反射率为0.1％以下。
对于本实施例的带有防反射膜的光学透镜1的制造方法进行说明。在透镜基板10上，通过不带有离子辅助的真空蒸镀法而形成与第2下层对应的第10层30和与第1下层对应的第11层31。因此，与实施例1同样地，防止第11层31的吸光率增加。
在第10层30上通过离子辅助蒸镀法形成从第2层22至第9层29。形成从第2层22至第9层29的各层时的离子辅助条件的一个实例如下所述。在包含的成膜速率、900V的离子加速电压、900mA的离子电流、氧的辅助气体、60sccm的辅助气体的流量的离子辅助条件下形成第3层23、第5层25和第9层29。在包含/>的成膜速率、900V的离子加速电压、900mA的离子电流、氧的辅助气体、60sccm的辅助气体的流量的离子辅助条件下形成第2层22、第4层24、第6层26和第8层28。在包含/>的成膜速率、900V的离子加速电压、900mA的离子电流、氧的辅助气体、60sccm的辅助气体的流量的离子辅助条件下形成第7层27。
通过与实施例1同样的方法，在第2层22上通过不带有离子辅助的真空蒸镀法而形成第1层21。因此，防止第1层21的吸光率增加。
对于本实施例的带有防反射膜的光学透镜1，进行实施例1记载的防反射膜20的剥离试验。本实施例中，即使作为透镜基板10的材料而采用了含有40质量％以上的氟化物的FCD100(HOYA制)，但即使在将粘合胶带从带有防反射膜的光学透镜1剥离的情况下，也防止了防反射膜20从透镜基板10上剥离。
(实施例3)
参照图7，对于实施例3的带有防反射膜的光学透镜1进行说明。本实施例的带有防反射膜的光学透镜1的构成如表4表示。具体而言，作为透镜基板10使用的硝材为FCD1(HOYA制)。防反射膜20形成在透镜基板10上。防反射膜20由12层构成。从空气侧起算，防反射膜20的第1层21为MgF2层。从空气侧起算，防反射膜20的第2层22、第4层24、第6层26、第8层28和第10层30各自为Ta2O5层。防反射膜20的第3层23、第5层25、第7层27、第9层29和第11层31各自为SiO2层。防反射膜20的第12层32为MgF2层。
[表4]
第1层21相当于防反射膜20的最上层。从第2层22至第10层30相当于防反射膜20的至少一个层。第11层31相当于防反射膜20的第2下层。第12层32相当于防反射膜20的第1下层。第12层32的1/4波长光学厚度(QWOT)为0.15。
图8表示本实施例的防反射膜20的反射光谱的模拟结果。430nm以上670nm以下的波长域中的本实施例的防反射膜20的最大反射率为0.2％以下。430nm以上670nm以下的波长域中的本实施例的防反射膜20的最大反射率为0.1％以下。
对于本实施例的带有防反射膜的光学透镜1的制造方法进行说明。在透镜基板10上，通过不带有离子辅助的真空蒸镀法而形成第11层31的下半部分和第12层32。因此，与实施例1同样地，防止第12层32的吸光率增加。
通过离子辅助蒸镀法形成从第2层22至第10层30和第11层31的上半部分。形成从第2层22至第10层30和第11层31的上半部分的各层时的离子辅助条件的一个实例如下所述。在包含的成膜速率、900V的离子加速电压、900mA的离子电流、氧的辅助气体、60sccm的辅助气体的流量的离子辅助条件下形成第3层23和第5层25和第11层31的上半部分。在包含/> 的成膜速率、900V的离子加速电压、900mA的离子电流、氧的辅助气体、60sccm的辅助气体的流量的离子辅助条件下形成第2层22、第4层24、第6层26、第8层28和第10层30。在包含/>的成膜速率、900V的离子加速电压、900mA的离子电流、氧的辅助气体、60sccm的辅助气体的流量的离子辅助条件下形成第7层27和第9层29。
通过与实施例1同样的方法，在第2层22上通过不带有离子辅助的真空蒸镀法而形成第1层21。因此，防止第1层21的吸光率增加。
对于本实施例的带有防反射膜的光学透镜1，进行实施例1记载的防反射膜20的剥离试验。本实施例中，即使作为透镜基板10的材料而采用了含有40质量％以上的氟化物的FCD1(HOYA制)，但即使在将粘合胶带从带有防反射膜的光学透镜1剥离的情况下，也防止了防反射膜20从透镜基板10上剥离。
(实施例4)
参照图9，对于实施例4的带有防反射膜的光学透镜1进行说明。本实施例的带有防反射膜的光学透镜1的构成如表5表示。具体而言，作为透镜基板10使用的硝材为FCD1(HOYA制)。防反射膜20形成在透镜基板10上。防反射膜20由13层构成。从空气侧起算，防反射膜20的第1层21为MgF2层。从空气侧起算，防反射膜20的第2层22、第4层24、第6层26、第8层28、第10层30和第12层32各自为Ta2O5层。防反射膜20的第3层23、第5层25、第7层27、第9层29和第11层31各自为SiO2层。防反射膜20的第13层33为MgF2层。
[表5]
第1层21相当于防反射膜20的最上层。从第2层22至第11层31相当于防反射膜20的至少一个层。第12层32相当于防反射膜20的第2下层。第13层33相当于防反射膜20的第1下层。第13层的1/4波长光学厚度(QWOT)为0.10。图10表示本实施例的防反射膜20的反射光谱的模拟结果。
对于本实施例的带有防反射膜的光学透镜1的制造方法进行说明。在透镜基板10上，通过不带有离子辅助的真空蒸镀法而形成第12层32和第13层33。因此，与实施例1同样地，防止第13层33的吸光率增加。
在第12层32上，通过离子辅助蒸镀法形成从第2层22至第11层31。形成从第2层22至第11层31的各层时的离子辅助条件的一个实例如下所述。在包含的成膜速率、900V的离子加速电压、900mA的离子电流、氧的辅助气体、60sccm的辅助气体的流量的离子辅助条件下形成第7层27、第9层29和第11层31。在包含/>的成膜速率、900V的离子加速电压、900mA的离子电流、氧的辅助气体、60sccm的辅助气体的流量的离子辅助条件下形成第2层22、第4层24、第6层26、第8层28和第10层30。在包含/> 的成膜速率、900V的离子加速电压、900mA的离子电流、氧的辅助气体、60sccm的辅助气体的流量的离子辅助条件下形成第3层23和第5层25。
通过与实施例1同样的方法，在第2层22上通过不带有离子辅助的真空蒸镀法而形成第1层21。因此，防止第1层21的吸光率增加。
对于本实施例的带有防反射膜的光学透镜1，进行实施例1记载的防反射膜20的剥离试验。本实施例中，即使作为透镜基板10的材料而采用了含有40质量％以上的氟化物的FCD1(HOYA制)，但即使在将粘合胶带从带有防反射膜的光学透镜1剥离的情况下，也防止了防反射膜20从透镜基板10上剥离。
(实施例5)
参照图1，对于实施例5的带有防反射膜的光学透镜1进行说明。本实施例的带有防反射膜的光学透镜1的构成与表1表示的实施例1的带有防反射膜的光学透镜1的构成相同。图11表示本实施例的防反射膜20的反射光谱的模拟结果。
对于本实施例的带有防反射膜的光学透镜1的制造方法进行说明。本实施例的带有防反射膜的光学透镜1的制造方法与实施例1的带有防反射膜的光学透镜1的制造方法同样，但是形成第10层30和第11层31时的离子辅助条件中存在不同。
本实施例中，在包含的成膜速率、200V的离子加速电压、200mA的离子电流、氧的辅助气体、60sccm的辅助气体的流量的离子辅助条件下形成第11层31。在包含/>的成膜速率、200V的离子加速电压、200mA的离子电流、氧的辅助气体、60sccm的辅助气体的流量的离子辅助条件下形成第10层30。
形成第11层31时的第1离子加速电压(例如，200V)低于形成从第2层22至第9层29的各层时的第2离子加速电压(例如，900V)。形成第11层31时的第1离子电流(例如，200mA)低于形成从第2层22至第9层29的各层时的第2离子电流(例如，900mA)。因此，形成第11层31时，抑制氟从第11层31中脱离。防止第11层31的吸光率增加。
此外，形成第10层30时的第1离子加速电压(例如，200V)低于形成从第2层22至第9层29的各层时的第2离子加速电压(例如，900V)。形成第10层30时的第1离子电流(例如，200mA)低于形成从第2层22至第9层29的各层时的第2离子电流(例如，900mA)。因此，形成第10层30时，防止离子撞击至第11层31。形成第10层30时，抑制氟从第11层31中脱离。进一步防止第11层31的吸光率增加。
<投影透镜和投影透镜光学系统LN>
参照图12，对于本实施方式的投影透镜和投影透镜光学系统LN进行说明。
投影透镜光学系统LN包含多个投影透镜。投影透镜光学系统LN，例如，由30片投影透镜构成。为了得到较广的视角和优异的投影性能，投影透镜光学系统LN使用了中继透镜。因此，构成投影透镜光学系统LN的投影透镜的片数较多。本实施方式的带有防反射膜的光学透镜1适用作多个投影透镜中的至少一者。
图12的右侧为投影透镜光学系统LN的缩小侧，图12的左侧为投影透镜光学系统LN的扩大侧。在投影透镜光学系统LN的缩小侧配置有：棱镜PR(例如，内部全反射(TIR)棱镜、分色合成棱镜等)、覆盖图像显示元件的图像显示面IM2的盖玻片CG。
投影透镜光学系统LN具备：第1光学系统LN1、第2光学系统LN2。第1光学系统LN1相对于中间像面IM1配置在扩大侧。第2光学系统LN2相对于中间像面IM1配置在缩小侧。第2光学系统LN2将图像显示元件的图像显示面IM2上显示的图像的中间像形成在中间像面IM1上。第1光学系统LN1将中间像进行扩大投影。孔径光阑ST配置在光轴AX方向上第2光学系统LN2的中央附近。
图12表示投影透镜光学系统LN中的、广角端(W)的透镜配置、望远端(T)的透镜配置。图12中的箭头m1、m2a、m2b、m2c、m2d表示：从广角端(W)向望远端(T)切换时的、第1透镜组Gr1和第2a-第2d透镜组Gr2a-Gr2d中的透镜的位置的变化。例如，第1透镜组Gr1和第2d透镜组Gr2d为固定组，第2a-第2c透镜组Gr2a-Gr2c为移动组。通过使第2a-第2c透镜组Gr2a-Gr2c分别沿光轴AX移动来进行变焦。
投影透镜光学系统LN包含多个本实施方式的带有防反射膜的光学透镜1。例如，投影透镜光学系统LN可包含：作为带有防反射膜的光学透镜1的第1投影透镜、作为带有防反射膜的光学透镜1的第2投影透镜、作为带有防反射膜的光学透镜1的第3投影透镜。第1投影透镜的透镜基板10的第1折射率、第2投影透镜的透镜基板10的第2折射率和第3投影透镜的透镜基板10的第3折射率分别满足第1式、第2式和第3式。第1式、第2式和第3式是选自下述式(1)～式(6)并且彼此不同的三个式子。
式(1) 1.35≤ns<1.45
式(2) 1.45≤ns<1.55
式(3) 1.55≤ns<1.65
式(4) 1.65≤ns<1.75
式(5) 1.75≤ns<1.85
式(6) 1.85≤ns<1.95
投影透镜光学系统LN中，在第1投影透镜～第3投影透镜之外，可进一步包含作为带有防反射膜的光学透镜1的第4投影透镜。第4投影透镜的透镜基板10的第4折射率满足第4式。第1式、第2式、第3式和第4式是选自所述式(1)～式(6)并且彼此不同的四个式子。
投影透镜光学系统LN中，在第1投影透镜～第4投影透镜之外，可以进一步包含作为带有防反射膜的光学透镜1的第5投影透镜。第5投影透镜的透镜基板10的第5折射率满足第5式。第1式、第2式、第3式、第4式和第5式是选自所述式(1)～式(6)并且彼此不同的五个式子。
投影透镜光学系统LN中，在第1投影透镜～第5投影透镜之外，可以进一步包含：作为带有防反射膜的光学透镜1的第6投影透镜。第6投影透镜的透镜基板10的第6折射率满足第6式。第1式、第2式、第3式、第4式、第5式和第6式是选自所述式(1)～式(6)并且彼此不同的六个式子。
这次公开的实施方式和实施例应被认为在所有方面都是示例性的而不是限制性的。本发明的范围由权利要求的范围表示，并且旨在包括与权利要求的范围等同的含义和范围内的所有修改。
符号说明
1带有防反射膜的光学透镜、10透镜基板、20防反射膜、21第1层、22第2层、23第3层、24第4层、25第5层、26第6层、27第7层、28第8层、29第9层、30第10层、31第11层、32第12层、33第13层、40离子辅助蒸镀装置、41腔室、41a排气口、41b气体注入口、42排气泵、43气体供给部、44基板保持器、45第1马达、46加热器、47温度传感器、48蒸镀源、49电子枪、49e电子、50膜厚计、51离子源、52活动挡板、53第2马达、55控制器、AX光轴、CG盖玻片、Gr1第1透镜组、Gr2a、Gr2d、Gr2c透镜组、IM1中间像面、LN投影透镜光学系统、LN1第1光学系统、LN2第2光学系统、PR棱镜。

Claims (12)

1.一种带有防反射膜的光学透镜的制造方法，其为使用离子辅助蒸镀装置的带有防反射膜的光学透镜的制造方法，所述离子辅助蒸镀装置包含向透镜基板照射离子的离子源，其中，所述方法具备下述步骤：
在由含有40质量％以上的氟化物的材料形成的所述透镜基板上，形成所述防反射膜的第1下层；
在所述第1下层上，形成所述防反射膜的第2下层；
在所述第2下层上，形成所述防反射膜的至少一个层；以及
在所述至少一个层上，形成所述防反射膜的最上层，
所述第1下层为氟化物层，
形成所述第1下层和所述第2下层的至少下半部分时到达所述第1下层和所述第2下层的所述至少下半部分的所述离子的第1能量和每第1单位时间内的量分别低于形成所述至少一个层时到达所述至少一个层的所述离子的第2能量和每第2单位时间内的量，
所述第2下层的所述下半部分是：所述第2下层中比所述第2下层的厚度方向上的所述第2下层的中心更靠近所述第1下层侧的部分。
2.根据权利要求1所述的带有防反射膜的光学透镜的制造方法，其中，
形成所述第1下层和所述第2下层的所述至少下半部分时的所述离子源的第1离子加速电压和第1离子电流分别低于形成所述至少一个层时的所述离子源的第2离子加速电压和第2离子电流。
3.根据权利要求2所述的带有防反射膜的光学透镜的制造方法，其中，
所述第1离子加速电压为300V以下，
所述第1离子电流为300mA以下。
4.根据权利要求2或权利要求3所述的带有防反射膜的光学透镜的制造方法，其中，
所述第2离子加速电压为500V以上，
所述第2离子电流为500mA以上。
5.根据权利要求1所述的带有防反射膜的光学透镜的制造方法，其中，
所述离子辅助蒸镀装置进一步包含活动挡板，
形成所述第1下层和所述第2下层的所述至少下半部分时，将所述活动挡板插入从所述离子源至所述透镜基板的所述离子的路径中，
形成所述至少一个层时，将所述活动挡板从所述离子的所述路径中抽出。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的带有防反射膜的光学透镜的制造方法，其中，
所述第1下层为MgF2层。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的带有防反射膜的光学透镜的制造方法，其中，
550nm的设计基准波长下的所述第1下层的1/4波长光学厚度为0.1以上，
所述设计基准波长下的所述第1下层的所述1/4波长光学厚度通过将所述第1下层的光学厚度除以所述设计基准波长的四分之一而给出，所述第1下层的所述光学厚度通过所述设计基准波长下的所述第1下层的折射率与所述第1下层的物理厚度(nm)的积而给出。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的带有防反射膜的光学透镜的制造方法，其中，
所述最上层为氟化物层，
形成所述最上层时到达所述最上层的所述离子的第3能量和每第3单位时间内的量分别低于所述第2能量和所述每第2单位时间内的量。
9.根据权利要求8所述的带有防反射膜的光学透镜的制造方法，其中，
所述最上层为MgF2层。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的带有防反射膜的光学透镜的制造方法，其中，
形成所述第2下层的整体时到达所述第2下层的所述整体的所述离子具有所述第1能量和所述每第1单位时间内的量。
11.根据权利要求1～9中任一项所述的带有防反射膜的光学透镜的制造方法，其中，
形成所述第2下层中距所述透镜基板最远的部分时到达所述第2下层中距所述透镜基板最远的所述部分的所述离子的第4能量和每第4单位时间内的量分别大于所述第1能量和所述每第1单位时间内的量。
12.根据权利要求11所述的带有防反射膜的光学透镜的制造方法，其中，
所述第4能量和所述每第4单位时间内的量分别等于所述第2能量和所述每第2单位时间内的量。
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