JP4804830B2 - 多層膜の成膜方法および成膜装置 - Google Patents
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Description
特許文献1は、少なくとも1層の薄膜を成膜する工程中に成膜方法および成膜条件の少なくとも一方を変えることで、各薄膜の内部応力をその膜厚方向に圧縮応力から引張応力またはこの逆に変化させ、光学薄膜の内部応力を各薄膜内で相殺して低減し、基板の曲がりや膜剥れを防ぐものである。
ところが、特許文献1に開示されるように成膜方法や成膜条件を意図的に変化させて光学薄膜を成膜すると、光学膜厚の制御が困難になるという課題がある。これは、同一の成膜材料を用いても成膜方法や成膜条件により成膜後の屈折率が異なるためであり、屈折率が変化すると、これに応じた各層の膜厚や膜総数等、膜設計の変更が強いられるためである。特許文献1開示の光学薄膜の製造方法は、1層の薄膜を成膜する工程中に成膜方法および成膜条件の少なくとも一方を変えるため、各成膜方法あるいは成膜条件における膜厚に多少の誤差があるだけで層の屈折率が変化してしまう。即ち、従来同様の光学的仕様を得るために従来よりも膜厚制御精度を向上させなくてはならないという問題が発生してしまう。光学薄膜は積層される各層の屈折率にその特性が依存するため、屈折率の再現性が確保されないと、所望の光学的仕様を満足する素子の作製が非常に困難となる。
また、本発明の第4の側面は、基板及び基板上に形成された上記第3の側面の多層膜からなる光学部品である。
また、本発明の第5の側面は、受光部を有する光学製品であって、受光部に上記第3の側面の多層膜を形成した光学製品である。
図1は、高屈折率材料で成膜された高屈折率層1と低屈折率材料で成膜された低屈折率層2とを交互に積層してなる光学薄膜3を基板4に形成し、層界面からの多重反射を利用して所望のフィルタリング特性を得る光学素子を示す。実施例は光学フィルタを作製するものとするが、本発明により作製可能な多層膜は光学薄膜に限定されるものではない。
なお、最外層をプラズマを用いた蒸着により形成するのは、成膜後の水分吸着等によって環境試験後にクラックが発生するのを防止するためである。
尚、プラズマを用いた蒸着を利用した低屈折率層2は多層膜の空気側に近い1層のみとしたが、膜応力によるクラックが発生しない範囲で層数を増やすことで、環境試験後にクラックが発生しにくくなるようにしてもよい。あるいは、基板側に位置する低屈折率層2をIAD法により成膜することで、基板と膜との密着性を高め膜割れを防止するようにしてもよい。例えば、n層の多層光学薄膜を、第1層を含み基板側に位置する初期層、最外層を含み基板とは離反して位置する外層、および、初期層と外層との間に位置する中間層とに区分けし、プラズマを用いた蒸着により初期層および外層の一方または双方を形成し、プラズマを用いた蒸着と通常蒸着とにより中間層を形成してもよい。初期層および外層の層数は適宜選択すればよい。
2 低屈折率層
3 光学薄膜
4 基板
10 成膜室
11 基板
12 蒸発源
13 基板ドーム
14 排気手段
15 ガス導入手段
16 制御装置
17 イオンソ−ス
18 成膜材料
19 シャッタ
20電子銃
Claims (5)
- TiO 2 からなる高屈折率層とSiO 2 からなる低屈折率層とを交互に積層してなる多層膜の成膜方法であって、
基板上にn(n≧3)層の該多層膜を積層する場合に、
第1層から第n−1層として、
プラズマを用いない通常蒸着により該低屈折率層を形成するステップ、及び、
プラズマを用いた蒸着により該高屈折率層を形成するステップ
を備え、さらに、
該基板からみて最外層となる第n層として、該プラズマを用いた蒸着により該低屈折率層を形成するステップ
を含むことを特徴とする成膜方法。
- 請求項1記載の成膜方法であって、さらに、
該基板に接する第1層を、該プラズマを用いた蒸着により形成するステップを含むことを特徴とする成膜方法。
- 基板及び該基板上に請求項1又は2記載の成膜方法によって形成された多層膜からなる光学部品。
- 受光部(基板)を有する光学製品であって、該受光部に請求項1又は2記載の成膜方法によって多層膜が形成されたことを特徴とする光学製品。
- 多層膜の成膜装置であって、
プラズマを用いない通常蒸着を行う第1の成膜手段、プラズマを用いた蒸着を行う第2の成膜手段、および、予め入力された成膜プログラムに基づいて通常蒸着による成膜とプラズマを用いた蒸着による成膜とを切り換える制御装置を備え、
基板上にSiO 2 からなる低屈折率層とTiO 2 からなる高屈折率層とが交互に積層されてn(n≧3)層の該多層膜が積層される場合に、
第1層から第n−1層として、
該低屈折率層が該第1の成膜手段によって形成され、
該高屈折率層が該第2の成膜手段によって形成され、
該基板からみて最外層となる第n層として、該低屈折率層が該第2の成膜手段により形成されること特徴とする成膜装置。
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