JP2021523412A - 曲面フイルムおよびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

約0.5から約1.0のR/#により与えられる峻度を有する曲面を画成する光学的に透明なレンズを含む光学素子が開示されている。その曲面上にフイルムが配置されている。そのフイルムは屈折率層を含む。その屈折率層よりも大きい屈折率を有する複合層が、曲面上に配置されている。その複合層は、HfOおよびAlを含む。その複合層は、モル分率XのHfOを有し、ここで、Xは約0.05から約0.95であり、その複合層中のAlのモル分率は、1−Xである。

Description

関連出願の説明
本出願は、その内容が依拠され、ここに全て引用される、2018年5月11日に出願された米国仮特許出願第62/670187号に優先権の恩恵を主張するものである。
本開示は、広く、光学素子に関し、より詳しくは、フイルムを備えた湾曲光学素子に関する。
光学系のための開口数(NA)の高いレンズは、多くの素子を必要とすることがあり、その内のいくつかは、非常に急勾配の表面曲率を有し得る。曲面にフイルムを施用すると、不均一な厚さのフイルムなどが生じることがあるので、急勾配の表面は、幅広い角度範囲および/または広いスペクトル帯域幅に亘る高性能コーティングにとっての難題を作り出す。レンズ上の従来のフイルムは、視程(line-of-sight)堆積過程である物理的気相成長法(PVD)により生成されることがある。PVD法による被覆材料は、レンズ表面に対して非常に大きい角度で到達するので、そのコーティングは、レンズ表面の中心と比べて、エッジに向かって実質的に異なることのある厚さおよび機械的性質を示すであろう。コーティングの均一性が低いと、高いスペクトル反射およびレンズのエッジでの偏光分離がもたらされる。この課題に対処するために、ティルティングおよびマスキングなどのいくつかの技術的アプローチが研究されてきた。ティルティングおよびマスキング・アプローチの両方とも、急勾配表面上のいくらかのコーティング均一性を改善することができるが、中心に向かってコーティングの充填密度を減少させ、中心での散乱損失の増加をもたらす。
したがって、新たな光学フイルムおよびその製造方法が都合よいであろう。
本開示の少なくとも1つの特徴によれば、光学素子は、約0.5から約1.0のR/#により与えられる峻度を有する曲面を画成する光学的に透明なレンズを含む。その曲面上にフイルムが配置されている。そのフイルムは屈折率層を含む。その屈折率層よりも大きい屈折率を有する複合層が、曲面上に配置されている。その複合層は、HfOおよびAlを含む。その複合層は、モル分率XのHfOを有し、ここで、Xは約0.05から約0.95であり、その複合層中のAlのモル分率は、1−Xである。
本開示の別の特徴によれば、光学素子は、曲面を画成するレンズを備える。その曲面上にフイルムが配置されている。そのフイルムは、曲面上に配置された積層層を含む。その積層層は、HfOを含む複数の第1の層およびAlを含む複数の第2の層を有する。屈折率層はSiOを含む。前記フイルムは、反射スペクトル顕微鏡法により測定して、0の開口値と0.96の開口値との間で、レンズに亘り測定して約220nmから約500nmの波長帯に亘り、約0%から約4%の反射率のばらつきを有する。
本開示の別の特徴によれば、光学素子のフイルムを形成する方法は、反応室内で実質的に透明なレンズを位置決めする工程であって、このレンズが曲面を画成する工程;そのレンズの曲面上に、AlおよびHfの少なくとも一方を含む第1の前駆体が堆積されるように、レンズを第1の前駆体に暴露する工程;そのレンズの曲面上に存在する第1の前駆体が第1の酸化剤と反応して、フイルムの高屈折率層を形成するように、曲面上の第1の前駆体を第1の酸化剤に暴露する工程;第2の前駆体が高屈折率層上に堆積されるように、高屈折率層を第2の前駆体に暴露する工程;およびその高屈折率層上に存在する第2の前駆体が第2の酸化剤と反応して、フイルムの低屈折率層を形成するように、高屈折率層上の第2の前駆体を第2の酸化剤に暴露する工程を有してなる。
本開示のこれらと他の特徴、利点、および目的が、以下の明細書、特許請求の範囲、および添付図面を参照することによって、当業者にさらに理解され、認識されるであろう。
以下は、添付図面における図面の説明である。図面は、必ずしも一定の縮尺で描かれておらず、図面の特定の特徴および特定の視野は、明瞭さおよび簡潔さのために、規模または図式で誇張されて示されることがある。
少なくとも1つの例による光学素子の概略図 少なくとも1つの例による、図1の部分IIAでとられた拡大図 少なくとも1つの例による、図1の部分IIBでとられた拡大図 少なくとも1つの例による、光学素子を形成する例示の方法の流れ図 Alの原子層堆積コーティングおよびAlの物理蒸着コーティングの屈折率および吸光係数のプロット 波長に対する反射率と透過率の測定値と計算値のプロット レンズの頂点でのレンズ上のフイルムコーティングの顕微鏡写真 レンズのエッジでのレンズ上のフイルムコーティングの顕微鏡写真 コーティングを有する光学レンズ上の様々な地点の波長に対する反射率(%)を示すプロット コーティングを有する光学レンズ上の様々な地点の波長に対する反射率(%)を示すプロット コーティングを有する光学レンズ上の様々な地点でとられた測定反射スペクトル分布 ある組成を有するコーティングに関する入射角に対するS偏光およびP偏光反射率(%)のプロット 異なる組成を有するコーティングに関する入射角に対するS偏光およびP偏光反射率(%)のプロット 異なる組成を有するコーティングに関する入射角に対するS偏光およびP偏光反射率(%)のプロット 異なる組成を有するコーティングに関する入射角に対するS偏光およびP偏光反射率(%)のプロット 異なる組成を有するコーティングに関する入射角に対するS偏光およびP偏光反射率(%)のプロット 異なる組成を有するコーティングに関する入射角に対するS偏光およびP偏光反射率(%)のプロット 異なる組成を有するコーティングに関する入射角に対するS偏光およびP偏光反射率(%)のプロット
本発明の追加の特徴と利点が、以下の詳細な説明に述べられており、その説明から当業者に明白となるか、または特許請求の範囲および添付図面と共に、以下の記載に記載されたように発明を実施することによって、認識されるであろう。
ここに用いられているように、「および/または」という用語は、2つ以上の項目のリストに用いられる場合、列挙された項目のいずれか1つをそれ自体で用いられる、または列挙された項目の2つ以上のいずれかの組合せを用いられることを意味する。例えば、組成物が、成分A、B、および/またはCを含有すると記載されている場合、その組成物は、Aのみ、Bのみ、Cのみ、AとBの組合せ、AとCの組合せ、BとCの組合せ、またはAとBとCの組合せを含有し得る。
この文書において、第1と第2、上部と底部などの関係性を示す用語は、ある実体または作用を別の実体または作用から区別するためだけに用いられ、そのような実体または作用の間のどのような実際のそのような関係または順序も必ずしも必要としない、または暗示しない。
記載された開示の構造、および他の構成要素は、どの特定の材料にも限定されないことが、当業者に理解されるであろう。ここに開示された開示の他の例示の実施の形態は、特に明記のない限り、多種多様な材料から形成されることがある。
この開示の目的のために、「結合された」(その形態の全てで:結合する、結合している、結合されたなど)という用語は、広く、互いに対する直接的または間接的な2つの構成要素(電気的または機械的)の連結を意味する。そのような連結は、事実上静止していても、事実上可動性であってもよい。そのような連結は、2つの構成要素(電気的または機械的)と、互いとの1つの単一体として一体に形成された任意の追加の中間部材とにより、またはその2つの構成要素により、達成されてもよい。そのような連結は、特に明記のない限り、事実上永久的であっても、事実上取り外し可能または解放可能であってもよい。
ここに用いられているように、「約」という用語は、量、サイズ、配合、パラメータ、および他の数量と特徴が、正確ではなく、正確である必要はないが、必要に応じて、許容差、変換係数、丸め、測定誤差など、並びに当業者に公知の他の要因を反映して、近似および/またはそれより大きいか小さいことがあることを意味する。範囲の値または端点を記載する上で「約」という用語が使用される場合、その開示は、言及されている特定の値または端点を含むと理解すべきである。明細書における範囲の数値または端点に「約」が付いていようとなかろうと、範囲の数値または端点は、2つの実施の形態:「約」により修飾されているもの、および「約」により修飾されていないものを含む意図がある。範囲の各々の端点は、他の端点に関してと、他の端点と関係なくの両方で有意であることがさらに理解されよう。
ここに用いられているような「実質的」、「実質的に」という用語、およびその変種は、記載された特徴が、ある値または記載と等しいまたはほぼ等しいことを留意する意図がある。例えば、「実質的に平らな」表面は、平らである、またはほぼ平らである表面を意味する意図がある。さらに、「実質的に」は、2つの値が等しいまたはほぼ等しいことを意味する意図がある。いくつかの実施の形態において、「実質的に」は、互いの約10%以内にある値を意味することがある。
例示の実施の形態に示されているような、本開示の要素の構造および配置は、説明のためだけであることを留意することも重要である。本発明のいくつかの実施の形態しか、本開示において詳しく記載されていないが、列挙された主題の新規の教示および利点から実質的に逸脱せずに、多くの改変(例えば、様々な要素のサイズ、寸法、構造、形状および比率、パラメータの値、取り付け配置、材料の使用、色、向きなどの変更)が可能であることが、本開示を検討した当業者に容易に認識されるであろう。例えば、一体に形成されていると示された要素が、多数の部品から構成されてもよく、または多数の部品として示された要素が一体に形成されてもよく、接合部分の操作が逆になっても、または他に変えられてもよく、構造、および/または系の部材、またはコネクタ、または他の要素の長さまたは幅が変えられてもよく、要素の間に設けられた調節位置の性質または数が変えられてもよい。その系の要素および/またはアセンブリが、幅広い色、テクスチャ、および組合せのいずれで、十分な強度または耐久性を与える幅広い材料のいずれから構成されてもよいことを留意すべきである。したがって、そのような改変の全ては、本発明の範囲内に含まれる意図がある。本発明の精神から逸脱せずに、所望のおよび他の例示の実施の形態の設計、操作条件、および配置に、他の置換、改変、変更、および省略が行われてもよい。
ここで図1を参照すると、光学素子10は、レンズ14およびフイルム18を備える。下記に詳しく説明されるように、フイルム18は、機械的性質(例えば、耐引掻性)および/または光学的性質(例えば、反射防止および色の中性)などの1つ以上の性質をレンズ14に与えることのある多層構造であることがある。
レンズ14は、ガラス、ガラスセラミック、セラミック材料および/またはその組合せを含むことがある。レンズ14の例示のガラス系の例は、ソーダ石灰ガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、アルカリ含有ホウケイ酸ガラスおよび/またはアルカリアルミノホウケイ酸塩ガラスを含むことがある。本開示の目的に関して、「ガラス系」という用語は、ガラス、ガラスセラミックおよび/またはセラミック材料を意味することがある。様々な例によれば、レンズ14はガラス系基板であることがある。レンズ14のガラス系の例において、レンズ14は、強化されている(例えば、アルカリ交換されている)または強力である(例えば、欠陥を除去するために研磨されている)ことがある。レンズ14は、実質的に透き通っている、透明である、および/または光散乱がないことがある。例えば、レンズ14は、約180nmから約700nmの波長範囲に亘り、1つ以上の波長または波長帯で、約50%から約100%の透過率を有することがある。レンズ14のガラス系の例において、レンズ14は、約266nmの波長で約1.45から約1.55の範囲の屈折率を有することがある。さらに、光学素子10のレンズ14は、サファイアおよび/または高分子材料を含むことがある。適切な高分子の例としては、制限なく、ポリスチレン(PS)(スチレン共重合体およびブレンドを含む)、ポリカーボネート(PC)(共重合体およびブレンドを含む)、ポリエステル(ポリエチレンテレフタレートおよびポリエチレンテレフタレート共重合体を含む、共重合体およびブレンドを含む)、ポリオレフィン(PO)および環状ポリオレフィン(環状−PO)、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)を含むアクリルポリマー(共重合体およびブレンドを含む)、熱可塑性ウレタン(TPU)、ポリエーテルイミド(PEI)、および互いとのこれらの高分子のブレンドが挙げられる。他の例示の高分子としては、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、およびシリコーン樹脂が挙げられる。
レンズ14は、1つ以上の曲面22を画成することがある。曲面22は、略湾曲形状を有するようにレンズ14を画成するのに役立つ。曲面22は、略両凸、平凸、正メニスカス、負メニスカス、平凹、両凹、および/またはその組合せを有するようにレンズ14を形成する。曲面22は、R/#値として表される峻度、または「速度」を有することがある。このR/#値は、レンズ14の開口で割られた曲率半径(R)として計算することができる。本開示の目的について、曲率半径は、レンズ14の頂点と曲率の中心との間の距離として定義されることがある。本開示の目的について、開口は、光が通過することのできるレンズ14の直径またはサイズとして定義される。開口は、開口の中心(例えば、0.0ca)から開口のエッジ(1.0ca)までの距離を示す分数または小数としてここに表されることがある。例えば、開口の中心と開口のエッジとの間の半分は、0.5caである。
曲面22のR/#は、約0.5から約1.0、または約0.6から約1.0、または約0.7から約1.0、または約0.8から約1.0、または約0.9から約1.0であることがある。例えば、R/#値は、約0.5、約0.55、約0.6、約0.65、約0.7、約0.75、約0.8、約0.85、約0.9、約0.95、約0.99、またはそれらの間の任意と全ての値および範囲であることがある。様々な例によれば、曲面22は、約0.5以上のR/#値を有することがある。レンズ14の曲面22の1つ以上は、ここに与えられた教示から逸脱せずに、1より大きい(例えば、2以上、5以上、10以上、または100以上)のR/#値を有することがあると考えられることが理解されよう。
さらに図1を参照すると、フイルム18が、レンズ14の曲面22上に直接位置付けられているのが示されているが、フイルム18とレンズ14との間に、1つ以上の層、コーティングおよび/またはフイルムが位置付けられてもよいことが理解されよう。例えば、亀裂軽減層、接着層、導電層、電気絶縁層、光学層、反射防止層、保護層、耐引掻性層、高硬度層、他のタイプの層および/またはその組合せが、フイルム18とレンズ14との間に位置付けられてもよい。さらに、フイルム18は、レンズ14の複数の表面上に位置付けられることがある。例えば、フイルム18は、ここに与えられた教示から逸脱せずに、多数の曲面22に亘り位置付けられることがある、および/またはレンズ14の平面に延在することがある。
フイルム18および/または光学素子10に組み込まれる他のフイルムに適用されるような「フイルム」という用語は、不連続堆積法または連続堆積法を含む、当該技術分野で公知のいずれかの方法により形成された1つ以上の層を含む。そのような層は、互いに直接接触していることがある。それらの層は、同じ材料または複数の異なる材料から形成されることがある。1つ以上の代わりの例において、そのような層は、それらの間に配置された異なる材料の介在層を有することがある。1つ以上の例において、フイルム18は、1つ以上の隣接した連続層および/または1つ以上の不連続の断続層(すなわち、互いに隣接して形成された異なる材料を有する層)を含むことがある。
フイルム18は、真空蒸着技術、例えば、化学気相成長法(例えば、プラズマ化学気相成長法、低圧化学気相成長法、大気圧化学気相成長法、およびプラズマ大気圧化学気相成長法)、物理的気相成長法(例えば、反応性または非反応性スパッタリングまたはレーザアブレーション)、熱または電子線蒸発および/または原子層堆積などの様々な堆積方法を使用して形成されることがある。光学フイルム18の1つ以上の層は、特定の屈折率範囲または値を与えるために、ナノ細孔または混合材料を含むことがある。
フイルム18の厚さは、約0.005μmから約0.5μm、または約0.01μmから約20μmの範囲にあることがある。他の例によれば、フイルム18は、約0.01μmから約10μm、約0.05μmから約0.5μm、約0.01μmから約0.15μm、または約0.015μmから約0.2μmの範囲の厚さを有することがある。さらに他の例において、フイルム18は、約100nmから約200nmの厚さを有することがある。上述した値の間の任意と全ての値および範囲が考えられることが理解されよう。
様々な例によれば、フイルム18、または下記により詳しく記載されるようなその任意の層の厚さは、高い均一性を有することがある。例えば、フイルム18および/またはその任意の層の厚さは、フイルム18および/または層に沿った任意の2つの地点の間で測定して、約±0nmから約±100nmの厚さのばらつきを有することがある。例えば、フイルム18および/またはその任意の層は、約±100nm以下、約±90nm以下、約±80nm以下、約±70nm以下、約±60nm以下、約±50nm以下、約±40nm以下、約±30nm以下、約±20nm以下、約±10nm以下、約±9nm以下、約±8nm以下、約±7nm以下、約±6nm以下、約±5nm以下、約±4nm以下、約±3nm以下、約±2nm以下、約±1nm以下、約±0.5nm以下、約±0.1nm以下、またはそれらの間の任意と全ての値および範囲の厚さのばらつきを有することがある。下記により詳しく説明されるように、フイルム18の高い均一性は、様々な開口位置に亘り光学素子10の一貫した光学的性質を確実にする上で都合よいであろう。
様々な例によれば、フイルム18は、低い炭素含有量を有することがある。例えば、フイルム18は、約0.01%から約0.5%、または約0.02%から約0.4%、または約0.03%から約0.3%、または約0.04%から約0.2%、または約0.05%から約0.5%の炭素の体積、質量および/またはモルパーセントを有することがある。例えば、フイルム18の炭素含有量は、約0.5%以下、約0.45%以下、約0.4%以下、約0.35%以下、約0.3%以下、約0.25%以下、約0.2%以下、約0.15%以下、約0.1%以下、約0.09%以下、約0.08%以下、約0.07%以下、約0.06%以下、約0.05%以下、約0.04%以下、約0.03%以下、約0.02%以下、約0.01%以下、またはそれらの間の任意と全ての値および範囲であることがある。
ここで図1、2Aおよび2Bを参照すると、フイルム18は、1つ以上の屈折率層30および1つ以上の複合層34を含むことがある。下記により詳しく説明されるように、複合層34は、2つ以上の層を含むことがある。そのような例において、複合層34は、積層層と称されることがある。図示された例において、フイルム18は、3つの屈折率層30および3つの複合層34を含むが、フイルム18は、1つ以上、2つ以上、4つ以上、5つ以上、または6つ以上の屈折率層30および/または複合層34を含んでもよいことが理解されよう。様々な例によれば、屈折率層30および複合層34は、交互の様式で位置付けられている。言い換えると、フイルム18は、屈折率層30および複合層34の交互の層からなることがある。フイルム18の他の向きが考えられることが理解されよう。例えば、ここに与えられた教示から逸脱せずに、2つ以上の屈折率層30または2つ以上の複合層34が互いの上に積み重ねられることがある。さらに、複合層34が曲面22上に位置付けられていると示されているが、ここに与えられた教示から逸脱せずに、屈折率層30が曲面22上に配置された層であってもよいことが理解されよう。
屈折率層30は、SiO、GeO、SiO、AlO、AlN、SiN、Si、SiO、SiAl、Ta、Nb、TiO、ZrO、AlドープSiO、TiN、MgO、MgF、BaF、CaF、SnO、Y、MoO、DyF、YbF、YF、CeF、Sc、および/またはその組合せの内の少なくとも1つからなることがある。様々な例によれば、屈折率層30は、少なくともSiOを含むことがある。純粋なSiOは、フイルム18の低反射率が望ましいいくつかの例において、屈折率層30に使用されることがある。
屈折率層30の1つ以上は、約1nmから約100mm、または約1nmから約90mm、または約1nmから約80mm、または約1nmから約70mm、または約1nmから約60mm、または約1nmから約50mm、または約1nmから約40mm、または約1nmから約30mm、または約1nmから約20mm、または約1nmから約10mmの厚さを有することがある。例えば、屈折率層30の1つ以上が、約1nm以上、約5nm以上、約10nm以上、約20nm以上、約30nm以上、約40nm以上、約50nm以上、約60nm以上、約70nm以上、約80nm以上、約90nm以上、または約100nm以上の厚さを有することがある。例えば、屈折率層30の少なくとも1つは、約50nm以上の厚さを有することがある。存在する屈折率層30の各々が、他の屈折率層30の1つ以上と異なる厚さを有してもよいことが理解されよう。屈折率層30の全厚(例えば、一緒に加えられた全ての層について)は、約5nm以上、約10nm以上、約20nm以上、約30nm以上、約40nm以上、約50nm以上、約60nm以上、約70nm以上、約80nm以上、約90nm以上、または約100nm以上であることがある。様々な例によれば、屈折率層30の各々は、約1nm以上の厚さを有する。様々な例によれば、屈折率層30は、フイルム18の厚さの約5%以上、約10%以上、約20%以上、約30%以上、約40%以上、約50%以上、約60%以上、または約70%以上を占める。様々な例によれば、屈折率層30の内の1つは、フイルム18の屈折率層30の残りより実質的に厚いことがある。
様々な例によれば、屈折率層30は、複合層34より低い屈折率を有することがある。例えば、屈折率層30の1つ以上は、約266nmの波長で、約1.2以上、約1.25以上、約1.3以上、約1.35以上、約1.4以上、約1.45以上、約1.5以上、約1.55以上、約1.6以上、約1.65以上、約1.7以上、約1.75以上、約1.8以上の屈折率を有することがある。様々な例によれば、屈折率層30の各々は、266nmの波長で約1.2以上の屈折率を有する。様々な例によれば、屈折率層30および複合層34の屈折率は、フイルム18が反射防止フイルムとして機能できるように、互いに異なることがある。屈折率層30および複合層34の屈折率の差は、約0.01以上、約0.05以上、約0.1以上、約0.2以上、約0.3以上、約0.4以上、約0.5以上、約0.6以上、約0.7以上、約0.8以上、約0.9以上、または約1.0以上であることがある。
先に説明したように、フイルム18は1つ以上の複合層34も含む。複合層34の各々は、約1nmから約100mm、または約20nmから約90mm、または約30nmから約80mm、または約40nmから約70mm、または約50nmから約60mmの厚さを有することがある。例えば、複合層34は、約1nm以上、約5nm以上、約10nm以上、約20nm以上、約30nm以上、約40nm以上、約50nm以上、約60nm以上、約70nm以上、約80nm以上、約90nm以上、または約100nm以上の厚さを有することがある。例えば、複合層34の少なくとも1つは、約50nm以上の厚さを有する。存在する複合層34の各々が、他の複合層34の1つ以上と異なる厚さを有してもよいことが理解されよう。複合層34の全厚(例えば、一緒に加えられた全ての複合層34について)は、約5nm以上、約10nm以上、約20nm以上、約30nm以上、約40nm以上、約50nm以上、約60nm以上、約70nm以上、約80nm以上、約90nm以上、または約100nm以上であることがある。様々な例によれば、複合層34は、フイルム18の全厚の約5%以上、約10%以上、約20%以上、約30%以上、約40%以上、約50%以上、約60%以上、または約70%以上を占める。様々な例によれば、複合層34の内の1つは、フイルム18の複合層34の残りより実質的に厚いことがある。
様々な例によれば、複合層34は、屈折率層30に対して、高い屈折率を有することがある。複合層34は、266nmの波長で、約1.7以上、約1.75以上、約1.8以上、約1.85以上、約1.9以上、約1.95以上、約2.0以上、約2.05以上、約2.1以上、約2.15以上、約2.2以上、約2.25以上、約2.3以上、約2.35以上、約2.4以上、約2.45以上、約2.5以上、または約2.6以上の屈折率を有することがある。様々な例によれば、複合層34の各々は、266nmの波長で、約2.0以上の屈折率を有する。複合層34の各々の屈折率は、他の複合層34と異なってもよいことが理解されよう。
ここで図2Aを参照すると、複合層34の構成要素が区別されていない、または最小にしか区別されていない、複合層34の例が示されている。1つの態様において、複合層34は非晶質である。別の態様において、複合層34の構成要素は、固溶体または均質組成物を形成する。複合層34の構成要素としては、SiO、Al、GeO、SiO、AlO、AlN、SiN、Si、SiO、SiAl、Ta、HfO、Nb、TiO、ZrO、TiN、MgO、MgF、BaF、CaF、SnO、Y、MoO、DyF、YbF、YF、CeF、および/またはその組合せが挙げられるであろう。複合層34は、約2.1、約2.15、約2.2、約2.25、約2.3、約2.35、約2.4、またはそれらの間の任意と全ての値および範囲の屈折率を有することがある。様々な例によれば、複合層34は、AlおよびHfOからなることがある。そのような例において、HfOのモル分率Xは、約0.001から約1、または約0.05から約0.95、または約0.10から約0.90、または約0.60から約0.90、または約0.70から約0.90、または約0.75から約0.85、または約0.55から約0.65に及ぶことがある。例えば、複合層34のHfOのモル分率は、約0.001以上、約0.005以上、約0.01以上、約0.05以上、約0.10以上、約0.015以上、約0.20以上、約0.25以上、約0.30以上、約0.35以上、約0.40以上、約0.45以上、約0.50以上、約0.55以上、約0.60以上、約0.65以上、約0.70以上、約0.75以上、約0.80以上、約0.85以上、約0.90以上、約0.95以上、約0.99以上、またはそれらの間の任意と全ての値および範囲であることがある。Alのモル分率は、1から差し引かれたHfOのモル分率Xにより与えられることがある。言い換えると、Alのモル分率は、1−Xにより与えられる。それゆえ、複合層34中のAlのモル分率は、約0.001から約1、または約0.05から約0.95、または約0.10から約0.90に及ぶことがある。例えば、複合層34のAlのモル分率は、約0.001以上、約0.005以上、約0.01以上、約0.05以上、約0.10以上、約0.015以上、約0.20以上、約0.25以上、約0.30以上、約0.35以上、約0.40以上、約0.45以上、約0.50以上、約0.55以上、約0.60以上、約0.65以上、約0.70以上、約0.75以上、約0.80以上、約0.85以上、約0.90以上、約0.95以上、約0.99以上、またはそれらの間の任意と全ての値および範囲であることがある。様々な例によれば、複合層34の1つ以上は非晶質である。HfOおよびAlからなる複合層34の組成は、XHfO・(1−X)Alまたは(HfO(Al1−Xと表すことができる。1つの態様において、HfOおよびAlからなる複合層34は、非晶質である。
ここで図2Bを参照すると、複合層34の積層例が示されている。そのような例において、複合層34の各々は、第1の複数の層38および第2の複数の層42を含む。複合層34の図2Aおよび2Bの例の両方を使用したフイルム18の例が考えられることが理解されよう。例えば、複合層34の1つ以上が積層体であることがあり、一方で、他の複合層は均質であるまたは区別されていなことがある。様々な例によれば、複合層34の複数の第1と第2の層38、42は、交互の順序で積み重ねられている。図示された例において、複合層34は、3つの第1の層38および3つの第2の層42を含むが、複合層34は、1つ以上、2つ以上、4つ以上、5つ以上、または6つ以上の第1の層38および/または第2の層42を含んでもよいことが理解されよう。複数の第1の層38の各々は、約1nmから約10nm、または約2nmから約9nm、または約3nmから約8nm、または約4nmから約7nm、または約5nmから約6nmの厚さを有することがある。例えば、複数の第1の層38の各々は、約1nm、約2nm、約3nm、約4nm、約5nm、約6nm、約7nm、約8nm、約9nm、約10nm、またはそれらの間の任意と全ての値および範囲の厚さを有することがある。様々な例によれば、複数の第1の層38の各々は、約6nmの厚さを有する。複数の第1の層38は均一な厚さを有しても、または1つ以上の第1の層38が、他の第1の層38と異なる厚さを有してもよいことが理解されよう。様々な例によれば、第1の複数の層38は、第2の複数の層42と交互になっている。様々な例によれば、前記積層層は非晶質である。
複数の第1の層38は、SiO、Al、GeO、SiO、AlO、AlN、SiN、Si、SiO、SiAl、Ta、HfO、Nb、TiO、ZrO、TiN、MgO、MgF、BaF、CaF、SnO、Y、MoO、DyF、YbF、YF、CeF、Sc、および/またはその組合せの少なくとも1つからなることがある。1つの態様において、第1の層38は非晶質である。様々な例によれば、第1の複数の層38は、HfOを含むことがある。様々な例によれば、第1の複数の層38は、266nmの波長で、約2.1以上、約2.15以上、約2.2以上、約2.25以上、約2.3以上、約2.35以上、約2.4以上、約2.45以上、約2.5以上、約2.55以上、約2.6以上、約2.65以上、約2.7以上の屈折率を有することがある。様々な例によれば、第1の層38の各々は、266nmの波長で、約2.3の屈折率を有する。様々な例によれば、第1と第2の層38、42の屈折率の差は、約0.01以上、約0.05以上、約0.1以上、約0.2以上、約0.3以上、約0.4以上、約0.5以上、約0.6以上、約0.7以上、約0.8以上、約0.9以上、または約1.0以上であることがある。
複数の第2の層42の各々は、約1nmから約10nm、または約2nmから約9nm、または約3nmから約8nm、または約4nmから約7nm、または約5nmから約6nmの厚さを有することがある。例えば、複数の第2の層42の各々は、約1nm、約2nm、約3nm、約4nm、約5nm、約6nm、約7nm、約8nm、約9nm、約10nm、またはそれらの間の任意と全ての値および範囲の厚さを有することがある。様々な例によれば、複数の第2の層42の各々は、約4nmの厚さを有する。複数の第2の層42は均一な厚さを有しても、または1つ以上の第2の層42が、他の第2の層42と異なる厚さを有してもよいことが理解されよう。
複数の第2の層42は、SiO、Al、GeO、SiO、AlO、AlN、SiN、Si、SiO、SiAl、Ta、HfO、Nb、TiO、ZrO、TiN、MgO、MgF、BaF、CaF、SnO、Y、MoO、DyF、YbF、YF、CeF、および/またはその組合せの少なくとも1つからなることがある。1つの態様において、第2の層42は非晶質である。様々な例によれば、第2の複数の層42は、Alを含むことがある。様々な例によれば、第2の複数の層42は、266nmの波長で、約1.5以上、約1.55以上、約1.6以上、約1.65以上、約1.7以上、約1.75以上、約1.8以上、約1.85以上、約1.9以上、約1.95以上、約2.0以上、約2.05以上、または約2.1以上の屈折率を有することがある。様々な例によれば、第2の層42の各々は、266nmの波長で、約1.7の屈折率を有する。
第1の複数の層38は、複合層34の厚さの約0.1%から約99%、または約10%から約90%、または約20%から約80%、または約30%から約75%、または約50%から約70%、または約52%から約68%、または約54%から約66%、または約56%から約64%、または約58%から約62%であることがある。例えば、第1の複数の層38は、複合層34の厚さの約50%、または約51%、または約52%、または約53%、または約54%、または約55%、または約56%、または約57%、または約58%、または約59%、または約60%、または約61%、または約62%、または約63%、または約64%、または約65%、または約66%、または約67%、または約68%、または約69%、または約70%を占めることがある。第2の複数の層42は、複合層34の厚さの約30%から約50%、または約32%から約48%、または約34%から約46%、または約36%から約44%、または約38%から約42%であることがある。例えば、第2の複数の層42は、複合層34の厚さの約30%、または約31%、または約32%、または約33%、または約34%、または約35%、または約36%、または約37%、または約38%、または約39%、または約40%、または約41%、または約42%、または約43%、または約44%、または約45%、または約46%、または約47%、または約48%、または約49%、または約50%を占めることがある。
第1と第2の複数の層38、42を使用することは、複合層34およびフイルム18全体の粗さを減少させる上で都合よいことがある。そのような特徴は、フイルム18の光学的性質を高める上で都合よいことがある。例えば、第1の層38のHfOを含有する例が生成されるときに、HfOの晶子または粒子が成長することがある、または第1の層38が形成されるときに、サイズが増加することがある。晶子のそのような成長は、全体として、複合層34およびフイルム18の粗さを増加させる粒子の粗大化をもたらす。それゆえ、第1の層38と異なる微細構造(例えば、非晶質)を有する、第2の層42を導入することによって、大型結晶の成長が、妨げられる、中断される、または元に戻されることがある。第1の層38の成長点が妨げられる、または元に戻されると、第1の層38の粒径が、再び微粒子から始まることができる。第2の層42を使用すると、第2の層42の上に形成された第1の層38が、第2の層42を持たずに成長した第1の層の平均微細構造結晶サイズより小さい平均微細構造結晶サイズを有することがある。様々な例によれば、第1の複数の層38の各層は非晶質であり、第2の複数の層42の各層は非晶質である。
「粗さ」、「平均表面粗さ(Ra)」または同様の用語は、微視的レベル以下で、二乗平均平方根(RMS)粗さ(Rq)などの不均一または不規則な表面状態を称する。Raは、表面の測定された微視的山・谷の粗さ平均として計算される。Rqは、表面の測定された微視的山・谷の粗さRMSとして計算される。Rqに関して記載された場合、フイルム18、複合層34および/または屈折率層30の粗さは、約20ナノメートル以下、約19nm以下、約18nm以下、約17nm以下、約16nm以下、約15nm以下、約14nm以下、約13nm以下、約12nm以下、約11nm以下、約10nm以下、約9nm以下、約8nm以下、約7nm以下、約6nm以下、約5nm以下、約4nm以下、約3nm以下、約2nm以下、または約1nm以下であることがある。Raに関して記載された場合、粗さは、約20nm以下、約19nm以下、約18nm以下、約17nm以下、約16nm以下、約15nm以下、約14nm以下、約13nm以下、約12nm以下、約11nm以下、約10nm以下、約9nm以下、約8nm以下、約7nm以下、約6nm以下、約5nm以下、約4nm以下、約3nm以下、約2nm以下、または約1nm以下であることがある。
様々な例によれば、第1と第2の複数の層38、42の個々の層厚さは、それらの構成要素の四分の一波長厚さよりもずっと小さいことがある。例えば、HfO(例えば、第1の層38)の四分の一波長厚さは、266nmの波長で約29.7nmであることがあり、Al(例えば、第2の層42)の四分の一波長厚さは、266nmの波長で約38.4nmであることがある。それゆえ、複合層34は、その構成要素の個別の層化にかかわらず、光学的に均質であると考えられるであろう。したがって、複合層34の屈折率および/または四分の一波長厚さは、第1と第2の層38、42の相対的比率に基づいて、第1と第2の層38、42の屈折率と四分の一波長厚さの組合せであることがある。
様々な例によれば、レンズ14およびフイルム18(すなわち、複合層34の区別されていない例および積層例のいずれかの)を備えた光学素子10は、266nmでの約0°から約45°の、または垂直入射角での分光偏光解析法で測定して、266nmでの約0°から約58°の、入射角に亘る約0%から約1%のS偏光とP偏光との間の反射率のばらつきを示す。例えば、S偏光とP偏光との間の反射率のばらつきは、垂直入射角での分光偏光解析法で測定して、266nmでの約0°から約45°の入射角に亘る、約0.9%、約0.8%、約0.7%、約0.6%、約0.5%、約0.4%、約0.3%、約0.2%、または約0.1%であることがある。特別な例によれば、S偏光とP偏光との間の反射率のばらつきは、266nmでの約0°から約45°の、または垂直入射角での分光偏光解析法で測定して、266nmでの約0°から約58°の、入射角に亘る約0%から約0.4%または約0%から約0.2%であることがある。
フイルム18は、反射スペクトル顕微鏡を使用して、連覇14の約0.0ca開口値と0.96ca開口値との間で測定して、約220nmから約500nmの波長域に亘り屈折率の小さいばらつきを示すことがある。様々な例によれば、反射率のばらつきは、約0%から約10%、または約0%から約9%、または約0%から約8%、または約0%から約7%、または約0%から約6%、または約0%から約5%、または約0%から約4%、または約0%から約3%、または約0%から約2%、または約0%から約1%、または約0%から約0.1%であることがある。例えば、反射率のばらつきは、約0%、約0.1%、約0.5%、約1%、約1.5%、約2%、約2.5%、約3%、約3.5%、約4%、約4.5%、約5%、約5.5%、約6%、約6.5%、約7%、約7.5%、約8%、約8.5%、約9%、約9.5%、約10%、またはそれらの間の任意と全ての値および範囲であることがある。
ここで図3を参照すると、光学素子10を形成する例示の方法50が示されている。方法50は、実質的に透明なレンズ14を反応室内に位置付ける工程54で始まることがあり、このレンズ14は曲面22を画成する。様々な例によれば、レンズ14は、約0.5から約1.0のR/#値により与えられる峻度を有することがある。様々な例によれば、その反応器は、原子層堆積反応器であることがある。そのような例において、レンズ14は、その反応器に入る1種類以上の前駆体および/または酸化剤が曲面22と接触するように、反応器内に位置付けられることがある。原子層堆積は、基板の自己制御表面半反応への順次暴露に基づく薄膜成長技術である。
次に、AlおよびHfの少なくとも一方を含む第1の前駆体がレンズ14の曲面22上に堆積されるように、レンズ14をその第1の前駆体に暴露する工程58が行われる。AlおよびHfが具体的に挙げられているが、第1の前駆体は、ここに与えられた教示から逸脱せずに、複合層34に関して先に述べられた化合物のいずれを含んでもよいことが理解されよう。第1の前駆体は、約0.1秒から約0.6秒、または約0.1秒から約0.5秒、または約0.1秒から約0.4秒、または約0.1秒から約0.3秒、または約0.1秒から約0.2秒に及ぶ期間に亘り、曲面22に暴露されることがある。例えば、第1の前駆体は、約0.1秒、約0.2秒、約0.3秒、約0.4秒、約0.5秒、約0.6秒、およびそれらの間の任意と全ての値および範囲に亘りレンズ14の曲面22に暴露されることがある。第1の前駆体は、AlおよびHfの有機化合物および/またはハロゲン化物を含むことがある、Alおよび/またはHfを含有する化合物からなることがある。例えば、第1の前駆体は、トリメチルアルミニウム、アルミニウムアセチルアセトネート、ジメチルアルミニウムi−プロポキシド、テトラキス(ジエチルアミノ)ハフニウム、テトラキス(エチルメチルアミノ)ハフニウム、HfCl、HfI、HfCl1−x、HfCl1−x、HfBr、他のAlおよび/またはHf含有化合物および/またはその組合せの内の少なくとも1つを含むことがある。第1の前駆体が所定の期間に亘り曲面22に一旦暴露されたら、反応器は、約0.5秒、約1秒、約1.5秒、約2秒、約2.5秒、約3秒、約3.5秒、約4秒、または約5秒以上に亘りパージされることがある。複合層34の区別されていない例および積層例の両方を形成するために、第1の前駆体が使用されてもよいことが理解されよう。例えば、第1の前駆体は、区別されていない複合層34を形成するために、AlおよびHf含有化合物の両方を含むことがある。別の例において、第1の前駆体は、第1または第2の複数の層38、42のいずれかを形成するために、AlまたはHfの一方のみを含むことがある。様々な例によれば、第1の前駆体はHfおよびハロゲン化物を含む。
次に、レンズの曲面22上に存在する第1の前駆体が第1の酸化剤と反応して、フイルム18の高屈折率層を形成するように、曲面22上にある第1の前駆体を第1の酸化剤に暴露する工程62において、反応器に第1の酸化剤が導入されることがある。様々な例によれば、その高屈折率層は、第1または第2の複数の層38、42、もしくは区別されていない複合層34のいずれであってもよい。第1の酸化剤は、水蒸気、オゾン、第1の前駆体を酸化させることのある他の材料、および/またはその組合せを含むことがある。第1の酸化剤は、約0.1秒から約0.6秒、または約0.1秒から約0.5秒、または約0.1秒から約0.4秒、または約0.1秒から約0.3秒、または約0.1秒から約0.2秒に及ぶ期間に亘り、第1の前駆体に暴露されることがある。例えば、第1の酸化剤は、約0.1秒、約0.2秒、約0.3秒、約0.4秒、約0.5秒、約0.6秒、およびそれらの間の任意と全ての値および範囲に亘り第1の前駆体に暴露されることがある。所望の厚さ(例えば、複合層34、第1の層38および/または第2の層42の)に到達するまで、工程58および62を繰り返してよいことが理解されよう。
次に、第2の前駆体が高屈折率層上に堆積されるように、高屈折率層を第2の前駆体に暴露する工程66が行われる。第2の前駆体は、約0.1秒から約0.6秒、または約0.1秒から約0.5秒、または約0.1秒から約0.4秒、または約0.1秒から約0.3秒、または約0.1秒から約0.2秒に及ぶ期間に亘り、高屈折率層に暴露されることがある。例えば、第2の前駆体は、約0.1秒、約0.2秒、約0.3秒、約0.4秒、約0.5秒、約0.6秒、およびそれらの間の任意と全ての値および範囲に亘り高屈折率層に暴露されることがある。第2の前駆体は、トリス(ジメチルアミノ)シラン、ビス(ジエチルアミノ)シラン、N−(ジエチルアミノシリル)−N−エチルエタンアミン、他のケイ素含有化合物、低屈折率材料の他の前駆体および/またはその組合せを含むことがある。第2の前駆体が所定の期間に亘り高屈折率層に一旦暴露されたら、反応器は、約0.5秒、約1秒、約1.5秒、約2秒、約2.5秒、約3秒、約3.5秒、約4秒、または約5秒以上に亘りパージされることがある。
次に、高屈折率層上に存在する第2の前駆体が第2の酸化剤と反応して、フイルム18の低屈折率層を形成するように、高屈折率層上にある第2の前駆体を第2の酸化剤に暴露する工程70が行われる。様々な例によれば、低屈折率層は、屈折率層30であることがある。第2の酸化剤は、水蒸気、オゾン、第2の前駆体を酸化させることのある他の材料、および/またはその組合せを含むことがある。第2の酸化剤は、約0.1秒から約0.6秒、または約0.1秒から約0.5秒、または約0.1秒から約0.4秒、または約0.1秒から約0.3秒、または約0.1秒から約0.2秒に及ぶ期間に亘り、第2の前駆体に暴露されることがある。例えば、第2の酸化剤は、約0.1秒、約0.2秒、約0.3秒、約0.4秒、約0.5秒、約0.6秒、およびそれらの間の任意と全ての値および範囲に亘り第2の前駆体に暴露されることがある。
様々な例によれば、工程54〜70は、高温で行われることがある。例えば、工程54〜70は、約20℃から約400℃、または約100℃から約400℃、または約200℃から約300℃の温度で行われることがある。例えば、工程54〜70は、約20℃、約30℃、約40℃、約50℃、約60℃、約70℃、約80℃、約90℃、約100℃、約150℃、約200℃、約250℃、約300℃、約350℃、約400℃、またはそれらの間の任意と全ての値および範囲の温度で行われることがある。先に開示された全ての値と範囲は、レンズ14、およびレンズ14上に形成された層の温度、および/または第1および/または第2の前駆体および/または酸化剤が反応器に導入される温度であってよいことが理解されよう。例えば、方法50は、実質的に透明なレンズ14を約50℃から約350℃の温度に加熱する工程を含むことがある。
方法50の工程は、特定の順序で記載されたが、ここに与えられた教示から逸脱せずに、方法50は、追加の工程を含んでも、工程を省いても、繰り返されても、適用できるどの順序で行ってもよいことが理解されよう。
本開示の使用は、様々な利点を提示するであろう。第一に、複合層34は第1の複数の層38および第2の複数の層42を含むので、フイルム18全体の粗さが減少するであろう。先に説明したように、第1と第2の層38、42を積み重ねることによって、フイルム18の粗さを減少させることのある晶子成長が減少するであろう。フイルム18の粗さは、フイルム18に入射する光の散乱を増加させるであろうから、フイルム18の粗さの減少は、フイルム18および光学素子10の光学的性質(例えば、散乱損失、反射、偏光制御など)を改善するであろう。第二に、フイルム18を製造するための原子層堆積の使用は、様々な利点を提示するであろう。例えば、原子層堆積の使用は、フイルム18の様々な層の正確な厚さ制御を可能にする自己制御皮膜成長技術、並びにレンズ14の多数の表面を同時にする機会、並びに多数のレンズ14を同時に被覆する能力を与える。第三に、原子層堆積の使用は、従来のマスキング過程を最小にまたはなくしつつ、曲面22などの高い、または急な曲率の表面を均一に被覆することを可能にする。第四に、原子層堆積法は、反応器内にレンズ14を固定するために使用される工具固定具を簡単にするであろうから、従来の物理的気相成長法と比べて、レンズ14への機械的損傷の虞を減少させられるであろう。第五に、フイルム18は、比較的低い炭素不純物含有量で形成されるであろうから、フイルム18は、様々な有益な光学的性質を有するであろう。
本開示の多数の非限定例が下記に与えられている。
ここで図4を参照すると、原子層堆積により形成されたAlの層(例えば、第2の複数の層42の一例)および物理的気相成長法により形成されたAlの層の偏光解析法データのプロットが与えられている。図4に示されるように、Alの原子層堆積は、物理的気相成長法の例と比べて、より短い波長(例えば、約175nmから約450nm)で屈折率(n)および吸光係数(k)の増加をもたらす。コーティング(例えば、フイルム18)内にAlの層を形成するための原子層堆積の使用により達成されたそのような光学的性質は、コーティングの層間の屈折率差を増加させるのに都合よいであろうし、このことは、反射防止コーティングにとって都合よいであろう。
ここで図5を参照すると、原子層堆積によって、基板の両面に同時に施されたSiOの層およびAlの層を有する反射防止コーティングを有する1インチ(約2.5cm)×1mmのSiO基板上の反射率(Rx)および透過率(Tx)の測定および計算スペクトルのプロットが与えられている。Alコーティングの厚さは40.5nmであり、SiOコーティングは48.3nmの厚さを有した。Alは、約200℃から約300℃で、金属前駆体としてトリメチルアルミニウム(TMA)を、酸化剤として水を使用して堆積させた。完全な成長周期は、0.2秒のTMA、その後の、3秒のパージ、0.3秒のHO、3秒のパージであった。成長速度は、1Å/周期であった。SiOは、約100℃から約300℃で、前駆体としてトリス[ジメチルアミノ]シランを、酸化剤としてオゾンを使用して堆積させた。反射率および透過率の測定値と計算値は、基板およびコーティングへの光の5°の入射角に関する。図5から分かるように、コーティングを形成する原子層堆積法は、光学モデルにほぼ完全に一致する、AlおよびSiO層の形成を可能にする。それゆえ、コーティングを形成するために原子層堆積法を使用することによって、本開示にしたがって形成された光学レンズは、予測モデルのものに緊密に一致するであろう。
ここで図6Aおよび6Bを参照すると、成形面(例えば、曲面22)上に配置されたコーティング(例えば、フイルム18)を有する光学レンズ(例えば、レンズ14)を示す、本開示の第1の実施例(実施例1)の顕微鏡写真が与えられている。この成形面は、半球レンズを表す、約0.5のR/#値を有した。この光学レンズは、約4mmの直径、および2mmの曲率半径を有した。実施例1において、Alは、反応器内において約200℃から約300℃で、金属前駆体としてトリメチルアルミニウムを、酸化剤として水を使用して、原子層堆積法中に光学レンズ上に堆積させた。このコーティングの成長は、約0.2秒間に亘りトリメチルアルミニウムを反応器に供給し、約3秒間に亘り反応器からトリメチルアルミニウムをパージし、約0.3秒間に亘り水蒸気を供給し、約3秒間に亘り水蒸気をパージすることによって行った。このコーティングの成長速度は、1周期当たり約1Åであった。Alコーティングの厚さは約36nmであった。図6Aは、約0caの開口値での光学レンズの上部のピーク、または頂点の顕微鏡写真であり、図6Bは、約0.9caの開口値での光学レンズのエッジの顕微鏡写真である。図6Aおよび6Bから分かるように、0caの値と0.9caの値との間の光学レンズに亘るコーティングの厚さのばらつきは、半球形状の表面の高曲率にもかかわらず、2%未満(36.33nm対36.70nm)である。図6Aおよび6Bの顕微鏡写真は、より良好な光学的品質に加え、原子層堆積法を使用すると、急な曲面(すなわち、従来のマスキング工程を行わない)に亘り高度に均一なコーティングが達成されることがあり、これは、コーティングに亘り一貫した光学的性質を確実にする上で都合良いであろうことを示している。
ここで図7Aおよび7Bを参照すると、光学レンズに沿った様々な地点の開口(ca)での第2の実施例(すなわち、実施例2)の反射率データが与えられている。その光学レンズは、曲率半径が2mmのSiOの半球レンズであった。その光学レンズは、109nm厚のAlコーティングを備えていた。Alは、約200℃から約300℃で、金属前駆体としてトリメチルアルミニウム(TMA)を、酸化剤として水を使用して、堆積させた。完全な成長周期は、0.2秒のTMA、その後の、3秒のパージ、0.3秒のHO、3秒のパージであった。成長速度は、1Å/周期であった。図7Aおよび7Bのプロットは、中心からエッジに放射される光学レンズに沿った地点(図7A)に関する、および0.96caの一定の開口値での、90°の極増分(例えば、r0は北であり、r90は東であり、r180は南であり、r270は西である)に沿って回転した地点(図7B)に関する、波長に対する反射率パーセントを与えている。図7Aは、フイルムの様々な開口値の間で反射率に約2%以下のばらつきがあることを示す。図7Bは、約0.96caの開口値で光学レンズの周りの90°離れた地点の間の反射率に非対称が実質的にないことを示す。反射は機能コーティングの均一性であり、光学レンズの様々な地点に亘る反射率は、実質的に均一(例えば、約2%以下のばらつきを有する)であるので、Alコーティングの原子層堆積は、光学レンズの開口値に関してだけでなく、光学レンズの周りで回転的に(方位角的に)、均一なコーティングを与える。
ここで図8を参照すると、本開示の第3の実施例(すなわち、実施例3)の測定反射率スペクトル分布のプロットが与えられている。実施例3は、曲率半径が2mmである直径4mmのSiO半球レンズ上に反射防止コーティングを形成するためにSiO層およびAl層を有するコーティングを含む。Alコーティングの厚さは40.5nmであり、SiOコーティングは48.3nmの厚さを有した。Alは、約200℃から約300℃で、金属前駆体としてトリメチルアルミニウム(TMA)を、酸化剤として水を使用して堆積させた。完全な成長周期は、0.2秒のTMA、その後の、3秒のパージ、0.3秒のHO、3秒のパージであった。成長速度は、1Å/周期であった。SiOは、約100℃から約300℃で、前駆体としてトリス[ジメチルアミノ]シランを、酸化剤としてオゾンを使用して堆積させた。図8は、0.61の開口(0.61ca)値および0.96の開口(0.96ca)値で、また実施例3の周りの様々な極座標(例えば、r0は北であり、r90は東であり、r180は南であり、r270は西である)で測定した実施例3の反射率を与える。反射は機能コーティングの均一性であり、コーティングの様々な地点に亘る反射率は、285nm当たりでほぼ同じ最小反射率を有するので、このデータは、レンズの周囲近くで測定した場合、半球レンズの亘り、均一で対称の反射防止コーティングを示す。
ここで図9A〜9Gを参照すると、本開示の光学素子10と一致する6つの異なる実施例に関する光学データの計算プロットが示されている。成分の相対的比率(例えば、モルパーセント)により示されている、実施例の各々は、混合層(例えば、複合層34の区別された実施例)のナノ積層実施例を有する。先に説明したように、層の組成物の四分の一波長厚さよりずっと薄い厚さを有する複数の層(例えば、第1と第2の層38、42)を持つ混合層は、混合層の光学的性質が混合層内の層の相対的比率に基づく単一層として光学的に扱うことができる。さらに、その成分が均質であり、区別されていない混合層の実施例も、混合層内の成分の相対的比率に基づく光学的性質を示すことがある。それゆえ、図9A〜9Gに与えられた光学的性質は、光学素子10の全ての実施例と一致している。図9A〜9Gのプロットは、分光偏光解析法で測定して、266nmで、約0°から約45°の入射角に亘る反射率パーセントとして与えられている。図9A〜9Gのプロットから分かるように、S偏光とP偏光との間のばらつきは小さく、小さい光学的遅れを示す。光学的遅れは、一般に、コーティング中の応力、コーティングの不均一性、光学レンズの曲率および他の有害な要因により生じるので、偏光の小さいばらつきは、均一で低応力のコーティングを示す。
ここで図9Aを参照すると、第4の実施例(すなわち、実施例4)による、266nmでのSiO製の曲率半径が2mmの半球レンズ上に配置された6層の反射防止コーティングのS偏光とP偏光の反射率が示されている。図9Aの反射防止コーティングは、レンズの外部から、5.27nmのHfO、11.9nmのSiO、70.28nmのHfO、10.96nmのSiO、33.46nmのHfO、および52.28nmのSiOの層状構造を有する。
ここで図9Bを参照すると、第5の実施例(すなわち、実施例5)による、266nmでのSiO製の曲率半径が2mmの半球レンズ上に配置された6層の反射防止コーティングのS偏光とP偏光の反射率が示されている。図9Bの反射防止コーティングは、レンズの外部から、厚さで与えられて、5.33nmのHfO/Al、9.07nmのSiO、70.17nmのHfO/Al、12.48nmのSiO、36.94nmのHfO/Al、および51.32nmのSiOの層状構造を有する。図9Bに関するHfO対Alの相対的モル比率は、90%のHfOおよび10%のAlである。
ここで図9Cを参照すると、第6の実施例(すなわち、実施例6)による、266nmでのSiO製の曲率半径が2mmの半球レンズ上に配置された6層の反射防止コーティングのS偏光とP偏光の反射率が示されている。図9Cの反射防止コーティングは、レンズの外部から、厚さで与えられて、6.33nmのHfO/Al、9.07nmのSiO、70.17nmのHfO/Al、12.48nmのSiO、37.94nmのHfO/Al、および51.32nmのSiOの層状構造を有する。図9Cに関するHfO対Alの相対的モル比率は、80%のHfOおよび20%のAlである。
ここで図9Dを参照すると、第7の実施例(すなわち、実施例7)による、266nmでのSiO製の曲率半径が2mmの半球レンズ上に配置された6層の反射防止コーティングのS偏光とP偏光の反射率が示されている。図9Dの反射防止コーティングは、レンズの外部から、厚さで与えられて、6.8nmのHfO/Al、4.71nmのSiO、69.9nmのHfO/Al、16.41nmのSiO、40.24nmのHfO/Al、および50.54nmのSiOの層状構造を有する。図9Dに関するHfO対Alの相対的モル比率は、70%のHfOおよび30%のAlである。
ここで図9Eを参照すると、第8の実施例(すなわち、実施例8)による、266nmでのSiO製の曲率半径が2mmの半球レンズ上に配置された6層の反射防止コーティングのS偏光とP偏光の反射率が示されている。図9Eの反射防止コーティングは、レンズの外部から、厚さで与えられて、7.65nmのHfO/Al、1.36nmのSiO、69.76nmのHfO/Al、20.6nmのSiO、42.03nmのHfO/Al、および49.61nmのSiOの層状構造を有する。図9Eに関するHfO対Alの相対的モル比率は、60%のHfOおよび40%のAlである。
ここで図9Fを参照すると、第9の実施例(すなわち、実施例9)による、266nmでのSiO製の曲率半径が2mmの半球レンズ上に配置された6層の反射防止コーティングのS偏光とP偏光の反射率が示されている。図9Fの反射防止コーティングは、レンズの外部から、厚さで与えられて、6.49nmのHfO/Al、1.16nmのSiO、71.98nmのHfO/Al、23.02nmのSiO、42.36nmのHfO/Al、および49.67nmのSiOの層状構造を有する。図9Fに関するHfO対Alの相対的モル比率は、50%のHfOおよび50%のAlである。
ここで図9Gを参照すると、第10の実施例(すなわち、実施例10)による、266nmでのSiO製の曲率半径が2mmの半球レンズ上に配置された6層の反射防止コーティングのS偏光とP偏光の反射率が示されている。図9Gの反射防止コーティングは、レンズの外部から、厚さで与えられて、5.67nmのHfO、1.73nmのSiO、68.66nmのHfO/Al、21.28nmのSiO、42.44nmのHfO/Al、および49.44nmのSiOの層状構造を有する。図9Gに関するHfO対Alの相対的モル比率は、40%のHfOおよび60%のAlである。
表1には、266nmでの図9A〜9Fの実施例の平均反射率が与えられている。図9A〜9Gおよび表1から分かるように、HfOおよびAlの積層層を使用すると、表面粗さの減少に加え、平均反射率が減少した反射偏光分離の制御が可能になる。
Figure 2021523412
本記載の条項1は、
光学素子において、
約0.5から約1.0のR/#により与えられる峻度を有する曲面を画成する光学的に透明なレンズ、および
その曲面上に配置されたフイルムであって、
屈折率層と、
その屈折率層よりも大きい屈折率を有する、曲面上に配置された複合層であって、この複合層はHfOおよびAlを含み、その複合層は、モル分率XのHfOを有し、ここで、Xは約0.05から約0.95であり、その複合層中のAlのモル分率は、1−Xである、複合層と、
を含むフイルム、
を備えた光学素子を開示している。
本記載の条項2は、
HfOのモル分率Xが約0.55から約0.65である、条項1の光学素子を開示している。
本記載の条項3は、
HfOが第1の複数の層中に隔離され、Alが第2の複数の層中に隔離され、その第1の複数の層がその第2の複数の層と交互になっている、条項1または2の光学素子を開示している。
本記載の条項4は、
第1の複数の層の各層が非晶質であり、第2の複数の層の各層が非晶質である、条項3の光学素子を開示している。
本記載の条項5は、
複合層が厚さを有し、その厚さは、約60%の第1の複数の層および約40%の第2の複数の層からなる、条項3または4の光学素子を開示している。
本記載の条項6は、
屈折率層がSiOから作られている、条項1〜5のいずれかの光学素子を開示している。
本記載の条項7は、
複合層が約30nmから約80nmの厚さを有する、条項1〜6のいずれかの光学素子を開示している。
本記載の条項8は、
複合層が約40nmから約70nmの厚さを有する、条項7の光学素子を開示している。
本記載の条項9は、
屈折率層が約1nmから約60nmの厚さを有する、条項1〜8のいずれかの光学素子を開示している。
本記載の条項10は、
屈折率層が約1nmから約30nmの厚さを有する、条項9の光学素子を開示している。
本記載の条項11は、
光学素子が、分光偏光解析法で測定して、266nmでの約0°から約45°の入射角に亘る約0%から約0.4%のS偏光とP偏光との間の反射率のばらつきを示す、条項1〜10のいずれかの光学素子を開示している。
本記載の条項12は、
光学素子が、分光偏光解析法で測定して、266nmでの約0°から約45°の入射角に亘る約0%から約0.2%のS偏光とP偏光との間の反射率のばらつきを示す、条項11の光学素子を開示している。
本記載の条項13は、
複合層が非晶質である、条項1〜12のいずれかの光学素子を開示している。
本記載の条項14は、
光学素子において、
曲面を画成するレンズ、および
その曲面上に配置されたフイルムであって、
曲面上に配置された積層層であって、HfOを含む複数の第1の層およびAlを含む複数の第2の層を有する積層層と、
SiOを含む屈折率層と、
を含み、反射スペクトル顕微鏡法により測定して、0の開口値と0.96の開口値との間で、レンズに亘り測定して約220nmから約500nmの波長帯に亘り、約0%から約4%の反射率のばらつきを有するフイルム、
を備えた光学素子を開示している。
本記載の条項15は、
フイルムが、反射スペクトル顕微鏡法により測定して、0の開口値と0.96の開口値との間で、レンズに亘り測定して約220nmから約500nmの波長帯に亘り、約0%から約2%の反射率のばらつきを有する、条項14の光学素子を開示している。
本記載の条項16は、
複数の第1の層が、266nmで約2.3の屈折率を有する、条項14または15の光学素子を開示している。
本記載の条項17は、
複数の第2の層が、266nmで約1.7の屈折率を有する、条項14〜16のいずれかの光学素子を開示している。
本記載の条項18は、
積層層の複数の第1と第2の層が、交互の順序で積み重ねられている、条項14〜17のいずれかの光学素子を開示している。
本記載の条項19は、
複数の第1の層が、積層層の厚さの約60%を構成し、複数の第2の層が、積層層の厚さの約40%を構成する、条項14〜18のいずれかの光学素子を開示している。
本記載の条項20は、
積層層が非晶質である、条項14〜19のいずれかの光学素子を開示している。
本記載の条項21は、
光学素子のフイルムを形成する方法において、
反応室内で実質的に透明なレンズを位置決めする工程であって、このレンズが曲面を画成する工程、
そのレンズの曲面上に、AlおよびHfの少なくとも一方を含む第1の前駆体が堆積されるように、レンズを第1の前駆体に暴露する工程、
そのレンズの曲面上に存在する第1の前駆体が第1の酸化剤と反応して、フイルムの高屈折率層を形成するように、曲面上の第1の前駆体を第1の酸化剤に暴露する工程、
第2の前駆体が高屈折率層上に堆積されるように、高屈折率層を第2の前駆体に暴露する工程、および
その高屈折率層上に存在する第2の前駆体が第2の酸化剤と反応して、フイルムの低屈折率層を形成するように、高屈折率層上の第2の前駆体を第2の酸化剤に暴露する工程、を有してなる方法を開示している。
本記載の条項22は、
実質的に透明なレンズを約50℃から約350℃の温度に加熱する工程、
をさらに含む、条項21の方法を開示している。
本記載の条項23は、
曲面上の第1の前駆体を第1の酸化剤に暴露する工程が、
曲面上の第1の前駆体を水蒸気に暴露する工程、
をさらに含む、条項21または22の方法を開示している。
本記載の条項24は、
反応室内で実質的に透明なレンズを位置決めする工程が、反応室内で、約0.5から約1.0のR/#により与えられる峻度を有する実質的に透明なレンズを位置決めする工程をさらに含む、条項21〜23のいずれかの方法を開示している。
本記載の条項25は、
第1の前駆体がHfおよびハロゲン化物を含む、条項21〜24のいずれかの方法を開示している。
本開示の改変が、当業者および本開示を行うまたは使用するものに想起されるであろう。したがって、図面に示され、先に記載された実施の形態は、説明目的のために過ぎず、本開示の範囲を限定する意図はなく、その範囲は、均等論を含む特許法の原則にしたがって解釈されるような、以下の特許請求の範囲によって定義されることが理解されよう。
記載された開示の構造、および他の構成要素は、どの特定物質にも限定されないことが、当業者により理解されるであろう。ここに開示された本開示の他の例示の実施の形態は、特に明記のない限り、多種多様な材料から形成されてもよい。
どの記載された過程、または記載された過程ないの工程を、本開示の範囲内の構造を形成するために、他の開示された過程または工程と組み合わされてもよいことが理解されよう。ここに開示された例示の構造および過程は、説明目的のためであり、限定と解釈すべきではない。
本開示の概念から逸脱せずに、上述した構造および方法に変更および改変を行えることも理解すべきであり、さらに、そのような概念は、以下の請求項が、言語で、他に明白に述べていない限り、その請求項により含まれる意図があることも理解すべきである。
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
実施形態1
光学素子において、
約0.5から約1.0のR/#により与えられる峻度を有する曲面を画成する光学的に透明なレンズ、および
前記曲面上に配置されたフイルムであって、
屈折率層と、
該屈折率層よりも大きい屈折率を有する、前記曲面上に配置された複合層であって、該複合層はHfOおよびAlを含み、該複合層は、モル分率XのHfOを有し、ここで、Xは約0.05から約0.95であり、該複合層中のAlのモル分率は、1−Xである、複合層と、
を含むフイルム、
を備えた光学素子。
実施形態2
HfOのモル分率Xが約0.75から約0.85である、実施形態1に記載の光学素子。
実施形態3
HfOが第1の複数の層中に隔離され、Alが第2の複数の層中に隔離され、該第1の複数の層が該第2の複数の層と交互になっている、実施形態1または2に記載の光学素子。
実施形態4
前記第1の複数の層の各層が非晶質であり、前記第2の複数の層の各層が非晶質である、実施形態3に記載の光学素子。
実施形態5
前記複合層が厚さを有し、該厚さは、約60%の前記第1の複数の層および約40%の前記第2の複数の層からなる、実施形態3または4に記載の光学素子。
実施形態6
前記屈折率層がSiOから作られている、実施形態1から5のいずれかに記載の光学素子。
実施形態7
前記複合層が約30nmから約80nmの厚さを有する、実施形態1から6のいずれかに記載の光学素子。
実施形態8
前記複合層が約40nmから約70nmの厚さを有する、実施形態7に記載の光学素子。
実施形態9
前記屈折率層が約1nmから約60nmの厚さを有する、実施形態1から8のいずれかに記載の光学素子。
実施形態10
前記屈折率層が約1nmから約30nmの厚さを有する、実施形態9に記載の光学素子。
実施形態11
前記光学素子が、分光偏光解析法で測定して、266nmでの約0°から約58°の入射角に亘る約0%から約0.4%のS偏光とP偏光との間の反射率のばらつきを示す、実施形態1から10のいずれかに記載の光学素子。
実施形態12
前記光学素子が、分光偏光解析法で測定して、266nmでの約0°から約58°の入射角に亘る約0%から約0.2%のS偏光とP偏光との間の反射率のばらつきを示す、実施形態11に記載の光学素子。
実施形態13
前記複合層が非晶質である、実施形態1から12のいずれかに記載の光学素子。
実施形態14
光学素子において、
曲面を画成するレンズ、および
前記曲面上に配置されたフイルムであって、
前記曲面上に配置された積層層であって、HfOを含む複数の第1の層およびAlを含む複数の第2の層を有する積層層と、
SiOを含む屈折率層と、
を含み、反射スペクトル顕微鏡法により測定して、0の開口値と0.96の開口値との間で、前記レンズに亘り測定して約220nmから約500nmの波長帯に亘り、約0%から約4%の反射率のばらつきを有するフイルム、
を備えた光学素子。
実施形態15
前記フイルムが、反射スペクトル顕微鏡法により測定して、0の開口値と0.96の開口値との間で、前記レンズに亘り測定して約220nmから約500nmの波長帯に亘り、約0%から約2%の反射率のばらつきを有する、実施形態14に記載の光学素子。
実施形態16
前記複数の第1の層が、266nmで約2.3の屈折率を有する、実施形態14または15に記載の光学素子。
実施形態17
前記複数の第2の層が、266nmで約1.7の屈折率を有する、実施形態14から16のいずれかに記載の光学素子。
実施形態18
前記積層層の前記複数の第1と第2の層が、交互の順序で積み重ねられている、実施形態14から17のいずれかに記載の光学素子。
実施形態19
前記複数の第1の層が、前記積層層の厚さの約60%を構成し、前記複数の第2の層が、該積層層の厚さの約40%を構成する、実施形態14から18のいずれかに記載の光学素子。
実施形態20
前記積層層が非晶質である、実施形態14から19のいずれかに記載の光学素子。
実施形態21
光学素子のフイルムを形成する方法において、
反応室内で実質的に透明なレンズを位置決めする工程であって、該レンズが曲面を画成する工程、
前記レンズの曲面上に、AlおよびHfの少なくとも一方を含む第1の前駆体が堆積されるように、該レンズを該第1の前駆体に暴露する工程、
前記レンズの曲面上に存在する前記第1の前駆体が第1の酸化剤と反応して、前記フイルムの高屈折率層を形成するように、該曲面上の該第1の前駆体を該第1の酸化剤に暴露する工程、
第2の前駆体が前記高屈折率層上に堆積されるように、該高屈折率層を該第2の前駆体に暴露する工程、および
前記高屈折率層上に存在する前記第2の前駆体が第2の酸化剤と反応して、前記フイルムの低屈折率層を形成するように、該高屈折率層上の該第2の前駆体を該第2の酸化剤に暴露する工程、
を有してなる方法。
実施形態22
前記実質的に透明なレンズを約50℃から約350℃の温度に加熱する工程、
をさらに含む、実施形態21に記載の方法。
実施形態23
前記曲面上の第1の前駆体を第1の酸化剤に暴露する工程が、
該曲面上の該第1の前駆体を水蒸気に暴露する工程、
をさらに含む、実施形態21または22に記載の方法。
実施形態24
前記反応室内で実質的に透明なレンズを位置決めする工程が、該反応室内で、約0.5から約1.0のR/#により与えられる峻度を有する前記実質的に透明なレンズを位置決めする工程をさらに含む、実施形態21から23のいずれかに記載の方法。
実施形態25
前記第1の前駆体がHfおよびハロゲン化物を含む、実施形態21から24のいずれかに記載の方法。
10 光学素子
14 レンズ
18 フイルム
22 曲面
30 屈折率層
34 複合造
38 第1の複数の層
42 第2の複数の層

Claims (10)

  1. 光学素子において、
    約0.5から約1.0のR/#により与えられる峻度を有する曲面を画成する光学的に透明なレンズ、および
    前記曲面上に配置されたフイルムであって、
    屈折率層と、
    該屈折率層よりも大きい屈折率を有する、前記曲面上に配置された複合層であって、該複合層はHfOおよびAlを含み、該複合層は、モル分率XのHfOを有し、ここで、Xは約0.05から約0.95であり、該複合層中のAlのモル分率は、1−Xである、複合層と、
    を含むフイルム、
    を備えた光学素子。
  2. HfOのモル分率Xが約0.55から約0.65である、請求項1記載の光学素子。
  3. 前記屈折率層がSiOから作られている、請求項1または2記載の光学素子。
  4. 前記光学素子が、分光偏光解析法で測定して、266nmでの約0°から約45°の入射角に亘る約0%から約0.4%のS偏光とP偏光との間の反射率のばらつきを示す、請求項1から3いずれか1項記載の光学素子。
  5. 前記複合層が非晶質である、請求項1から4いずれか1項記載の光学素子。
  6. 光学素子において、
    曲面を画成するレンズ、および
    前記曲面上に配置されたフイルムであって、
    前記曲面上に配置された積層層であって、HfOを含む複数の第1の層およびAlを含む複数の第2の層を有する積層層と、
    SiOを含む屈折率層と、
    を含み、反射スペクトル顕微鏡法により測定して、0の開口値と0.96の開口値との間で、前記レンズに亘り測定して約220nmから約500nmの波長帯に亘り、約0%から約4%の反射率のばらつきを有するフイルム、
    を備えた光学素子。
  7. 前記フイルムが、反射スペクトル顕微鏡法により測定して、0の開口値と0.96の開口値との間で、前記レンズに亘り測定して約220nmから約500nmの波長帯に亘り、約0%から約2%の反射率のばらつきを有する、請求項6記載の光学素子。
  8. 前記複数の第1の層が、266nmで約2.3の屈折率を有する、請求項6または7記載の光学素子。
  9. 前記複数の第2の層が、266nmで約1.7の屈折率を有する、請求項6から8いずれか1項記載の光学素子。
  10. 光学素子のフイルムを形成する方法において、
    反応室内で実質的に透明なレンズを位置決めする工程であって、該レンズが曲面を画成する工程、
    前記レンズの曲面上に、AlおよびHfの少なくとも一方を含む第1の前駆体が堆積されるように、該レンズを該第1の前駆体に暴露する工程、
    前記レンズの曲面上に存在する前記第1の前駆体が第1の酸化剤と反応して、前記フイルムの高屈折率層を形成するように、該曲面上の該第1の前駆体を該第1の酸化剤に暴露する工程、
    第2の前駆体が前記高屈折率層上に堆積されるように、該高屈折率層を該第2の前駆体に暴露する工程、および
    前記高屈折率層上に存在する前記第2の前駆体が第2の酸化剤と反応して、前記フイルムの低屈折率層を形成するように、該高屈折率層上の該第2の前駆体を該第2の酸化剤に暴露する工程、
    を有してなる方法。
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