JPH03255401A - プラスチック基板へのMgF↓2膜成膜方法 - Google Patents
プラスチック基板へのMgF↓2膜成膜方法Info
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- JPH03255401A JPH03255401A JP2054358A JP5435890A JPH03255401A JP H03255401 A JPH03255401 A JP H03255401A JP 2054358 A JP2054358 A JP 2054358A JP 5435890 A JP5435890 A JP 5435890A JP H03255401 A JPH03255401 A JP H03255401A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 title claims abstract description 23
- 239000004033 plastic Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 8
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 63
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラスチック基板へのMgF、膜成膜方法に
関する。
関する。
近年、レンズ、ミラー、プリズム等の光学部品の素材と
して、無機ガラスに代えてプラスチックが多く用いられ
るようになってきている。その主な理由は、軽量かつ低
コストにて製作でき、しかも形状の自由度が大きいとい
う利点があるからである。また、かかる利点を有するこ
とから、最近では光学部品以外の各種部品にも幅広く利
用されつつある。
して、無機ガラスに代えてプラスチックが多く用いられ
るようになってきている。その主な理由は、軽量かつ低
コストにて製作でき、しかも形状の自由度が大きいとい
う利点があるからである。また、かかる利点を有するこ
とから、最近では光学部品以外の各種部品にも幅広く利
用されつつある。
ところが、これらプラスチック素材にて構成した部品は
、ガラス素材や金属素材に比して耐摩耗性および耐擦傷
性が劣るために、何らかの表面処理を施さなければ実用
上問題が多い、特にプラスチックを光学部品の素材とし
て使用する場合には、光学ガラスの場合と同様に光学薄
膜を形成する必要がある。
、ガラス素材や金属素材に比して耐摩耗性および耐擦傷
性が劣るために、何らかの表面処理を施さなければ実用
上問題が多い、特にプラスチックを光学部品の素材とし
て使用する場合には、光学ガラスの場合と同様に光学薄
膜を形成する必要がある。
ここに、光学ガラスの場合には、光学ガラスを加熱して
蒸着(ハード・コート)させることができるので、光学
ガラスと光学薄膜との密着性、耐擦傷性が良好となる。
蒸着(ハード・コート)させることができるので、光学
ガラスと光学薄膜との密着性、耐擦傷性が良好となる。
しかし、プラスチックの場合には、常温で蒸着させなけ
ればならず、そのためにプラスチック基板に対する薄膜
の密着性、耐擦傷性が悪くなり、耐久性が劣るという問
題点があった。
ればならず、そのためにプラスチック基板に対する薄膜
の密着性、耐擦傷性が悪くなり、耐久性が劣るという問
題点があった。
そこで、従来、上記問題点を解決するために、次のよう
な手段が提案されている。まず、蒸着材料の点からの解
決手段としては、プラスチック基板と接する層にSiO
を用いる構成が特公昭53−306号公報において開示
されている。また、反射防止機能を持たせるためにはS
iO単層では不十分であり、その上に数層の蒸着物質を
積層して、所望の特性を得ている。また、蒸着方法の点
からは、イオンプレーティングによってプラスチック基
板に成膜し、密着性を向上させる方法が、特開昭50−
100173号公報において開示されている。その他、
硬くかつ密着性に優れたフッ化物被膜を低温下に形成す
る方法として、基板表面にイオンビームを照射する方法
が、特開昭61117503号公報において開示されて
いる。
な手段が提案されている。まず、蒸着材料の点からの解
決手段としては、プラスチック基板と接する層にSiO
を用いる構成が特公昭53−306号公報において開示
されている。また、反射防止機能を持たせるためにはS
iO単層では不十分であり、その上に数層の蒸着物質を
積層して、所望の特性を得ている。また、蒸着方法の点
からは、イオンプレーティングによってプラスチック基
板に成膜し、密着性を向上させる方法が、特開昭50−
100173号公報において開示されている。その他、
硬くかつ密着性に優れたフッ化物被膜を低温下に形成す
る方法として、基板表面にイオンビームを照射する方法
が、特開昭61117503号公報において開示されて
いる。
上記従来のプラスチック基板への成膜方法では、基板と
接する層にSiOをもってくると、通常反射防止膜とし
て使用する場合SiOの屈折率がプラスチック基板より
高く、SiO単層では、反射防止機能を有しない、その
ため、さらにその上に色々な物質を蒸着しなければなら
ず、コスト面でも不利になる上、暦数が増えるにしたが
って耐久性も落ちるという問題点があった。また、Si
O自体が非常に不安定な材料であり、屈折率が経時変化
したり、蒸着時の再現性が得られにくい等、光学薄膜に
とって好ましくない点が多かった。
接する層にSiOをもってくると、通常反射防止膜とし
て使用する場合SiOの屈折率がプラスチック基板より
高く、SiO単層では、反射防止機能を有しない、その
ため、さらにその上に色々な物質を蒸着しなければなら
ず、コスト面でも不利になる上、暦数が増えるにしたが
って耐久性も落ちるという問題点があった。また、Si
O自体が非常に不安定な材料であり、屈折率が経時変化
したり、蒸着時の再現性が得られにくい等、光学薄膜に
とって好ましくない点が多かった。
一方、イオンプレーティングやイオンビームアシスト蒸
着によってプラスチック基板に成膜する方法においては
、様々な膜を緻密に硬く成膜できるものの、加速された
イオン粒子によりプラスチック基板表面にダメージを与
えてしまうため、密着性は逆に劣化してしまうという問
題点があった。
着によってプラスチック基板に成膜する方法においては
、様々な膜を緻密に硬く成膜できるものの、加速された
イオン粒子によりプラスチック基板表面にダメージを与
えてしまうため、密着性は逆に劣化してしまうという問
題点があった。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、プラスチック基板に対して良好な密着性および耐久性
を有し、ガラス基板に対するMgFtハードコートに近
い性能を有するM g F x膜をプラスチック基板へ
成膜する方法を提供することを目的とする。
、プラスチック基板に対して良好な密着性および耐久性
を有し、ガラス基板に対するMgFtハードコートに近
い性能を有するM g F x膜をプラスチック基板へ
成膜する方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、プラスチック基
板へ物理的蒸着法により単層のMgF。
板へ物理的蒸着法により単層のMgF。
膜を成膜するにあたり、成膜の初期段階では真空蒸着に
より、成膜の途中段階からはイオンプレーティングによ
り所望の膜厚まで成膜することとした。
より、成膜の途中段階からはイオンプレーティングによ
り所望の膜厚まで成膜することとした。
上記構成の成膜方法によれば、イオンプレーティングに
より成膜する時点で、すでに膜が基板表面に形成されて
いるため、イオンプレーティングを行う際発生する加速
イオンによって基板表面がダメージを受けることながな
いので、密着性を劣化させることなく、イオンプレーテ
ィングによる緻密で硬く、耐擦傷性に優れたMgFオ膜
を形成することができる。
より成膜する時点で、すでに膜が基板表面に形成されて
いるため、イオンプレーティングを行う際発生する加速
イオンによって基板表面がダメージを受けることながな
いので、密着性を劣化させることなく、イオンプレーテ
ィングによる緻密で硬く、耐擦傷性に優れたMgFオ膜
を形成することができる。
また、M g F z膜は、通常の真空蒸着では引張応
力を、イオンプレーティングでは圧縮応力を示すことが
知られており、本発明の成膜方法によれば、応力の相殺
ができるので、内部応力がなく、それにより密着性も優
れたM g F z膜を形成することができる。
力を、イオンプレーティングでは圧縮応力を示すことが
知られており、本発明の成膜方法によれば、応力の相殺
ができるので、内部応力がなく、それにより密着性も優
れたM g F z膜を形成することができる。
従って、プラスチック基板表面にダメージを与えずに、
内部応力のない緻密で硬いMgF2膜を形成することが
できるので、結果的にハードコートした膜と同等な耐擦
傷性を有した膜を密着性良く成膜することが可能となる
。
内部応力のない緻密で硬いMgF2膜を形成することが
できるので、結果的にハードコートした膜と同等な耐擦
傷性を有した膜を密着性良く成膜することが可能となる
。
(第1実施例)
径15閣のPMMA製プラスチンク基板をチャンバ径5
60閣の高周波イオンプレーティング装置に500個セ
ットして排気を開始した。真空チャンバ内の真空度がI
X 10−5Torr以下になった時点で、通常の電
子ビーム蒸着法にてMgF、膜の蒸着を行った。この際
、蒸着速度は2人/see以下、膜厚は光学的膜厚で2
0nm程度の蒸着を行った。
60閣の高周波イオンプレーティング装置に500個セ
ットして排気を開始した。真空チャンバ内の真空度がI
X 10−5Torr以下になった時点で、通常の電
子ビーム蒸着法にてMgF、膜の蒸着を行った。この際
、蒸着速度は2人/see以下、膜厚は光学的膜厚で2
0nm程度の蒸着を行った。
しかるのちに、チャンバ内にArガスを5X10−’T
orr以下の圧力で導入し、高周波を電力250W以下
で供給して放電を開始した。加速電圧を200v以下に
設定し、再び電子ビーム加熱でM g F zを飛ばし
て、高周波イオンプレーティングを行った。このときの
M g F zの蒸着速度は5人/sec以下、膜厚は
光学的膜厚で11On−とした。
orr以下の圧力で導入し、高周波を電力250W以下
で供給して放電を開始した。加速電圧を200v以下に
設定し、再び電子ビーム加熱でM g F zを飛ばし
て、高周波イオンプレーティングを行った。このときの
M g F zの蒸着速度は5人/sec以下、膜厚は
光学的膜厚で11On−とした。
(第2実施例)
本実施例においては、第1実施例と同様の条件で、成膜
の初期段階は真空蒸着により光学的膜厚にして60n−
のM g F zを、ひき続いて高周波イオンプレーテ
ィングにより光学的膜厚にして70nmのMgF、をそ
れぞれ成膜してMgF、膜を形成した。
の初期段階は真空蒸着により光学的膜厚にして60n−
のM g F zを、ひき続いて高周波イオンプレーテ
ィングにより光学的膜厚にして70nmのMgF、をそ
れぞれ成膜してMgF、膜を形成した。
(第3実施例)
本実施例においては、第1実施例と同様の条件で、成膜
の初期段階は、真空蒸着により光学的膜厚にして110
0nのMgF、を、ひき続いて高周波イオンプレーティ
ングにより光学的膜厚にして30nmのMgF、をそれ
ぞれ成膜してMgF、膜を形成した。
の初期段階は、真空蒸着により光学的膜厚にして110
0nのMgF、を、ひき続いて高周波イオンプレーティ
ングにより光学的膜厚にして30nmのMgF、をそれ
ぞれ成膜してMgF、膜を形成した。
(比較例1)
本発明の効果を比較するために、本比較例においては、
第1実施例と同様の条件で、真空蒸着のみにより光学的
膜厚にして13OnmのMgF、膜の蒸着を行った。
第1実施例と同様の条件で、真空蒸着のみにより光学的
膜厚にして13OnmのMgF、膜の蒸着を行った。
(比較例2)
本比較例においては、第1実施例と同様の条件で、成膜
の初期段階から高周波イオンプレーティングにより、光
学的膜厚にして13OnmのM g F を膜を形成し
た。
の初期段階から高周波イオンプレーティングにより、光
学的膜厚にして13OnmのM g F を膜を形成し
た。
(比較例3)
本比較例においては、径15閣、BKT製のガラス基板
を用いて、基板を300°C以上に加熱しつつ、通常の
真空蒸着によりMgF、膜を光学的膜厚にして13On
m成膜した。なお、蒸着開始真空度は、2 X 10−
5Torr以下、M g F zの蒸着速度は5人/s
ec以下とした。
を用いて、基板を300°C以上に加熱しつつ、通常の
真空蒸着によりMgF、膜を光学的膜厚にして13On
m成膜した。なお、蒸着開始真空度は、2 X 10−
5Torr以下、M g F zの蒸着速度は5人/s
ec以下とした。
上記各実施例および比較例1〜3に示したMgF2膜の
性能を調べるために、以下の方法により、膜の耐擦傷性
、密着性、耐久性および内部応力の各項目について評価
した。
性能を調べるために、以下の方法により、膜の耐擦傷性
、密着性、耐久性および内部応力の各項目について評価
した。
膜の耐擦傷性;成膜した基板上に径1/8インチのアル
ミナ・ボール圧子を25gおよび50gの加圧で50回
往復運動させ、スポットライトを当てながら目視により
次の基準で評価した。
ミナ・ボール圧子を25gおよび50gの加圧で50回
往復運動させ、スポットライトを当てながら目視により
次の基準で評価した。
Q ・・・・・・ 50gの加圧でも傷が生じない△
・・・・・・ 50gの加圧では傷が生じたが25gの
加圧では傷が生じない × ・・・・・・ 25gの加圧でも傷が生じた膜の密
着性;成膜した基板上にセロテープを密着させて、テー
プを基板表面から垂直に一気に弓き剥がし、膜の剥離状
態を目視により次の基準で評価した。
・・・・・・ 50gの加圧では傷が生じたが25gの
加圧では傷が生じない × ・・・・・・ 25gの加圧でも傷が生じた膜の密
着性;成膜した基板上にセロテープを密着させて、テー
プを基板表面から垂直に一気に弓き剥がし、膜の剥離状
態を目視により次の基準で評価した。
O・・・・・・ 全く剥離しない
△ ・・・・・・ 一部に剥離が発生する× ・・・・
・・ 全体が剥離する 膜の耐久性;室温〜−30°C〜室温〜70°C〜室温
をそれぞれ1時間放置するサイクルを10サイクル繰り
返した後と室温45°C2湿度95%環境下に300時
間放置した後に膜の密着性、耐擦傷性が劣化するか否か
を評価した。
・・ 全体が剥離する 膜の耐久性;室温〜−30°C〜室温〜70°C〜室温
をそれぞれ1時間放置するサイクルを10サイクル繰り
返した後と室温45°C2湿度95%環境下に300時
間放置した後に膜の密着性、耐擦傷性が劣化するか否か
を評価した。
O・・・・・・ 全く劣化が見られない△ ・・・・・
・ 一部の物に劣化が見られる× ・・・・・・ 全数
劣化する 膜の内部応力;厚さ300μ−1径30■の薄ガラス基
板上に被測定物と同等の膜を形成させ、膜を形成させる
前後におけるガラス基板の曲がり量から、応力の方向と
おおよその大きさを評価した。
・ 一部の物に劣化が見られる× ・・・・・・ 全数
劣化する 膜の内部応力;厚さ300μ−1径30■の薄ガラス基
板上に被測定物と同等の膜を形成させ、膜を形成させる
前後におけるガラス基板の曲がり量から、応力の方向と
おおよその大きさを評価した。
以上の試験結果は、次表に示すとおりである。
表
上記表の結果から明らかなように、各実施例のM g
F !膜は、従来の真空蒸着やイオンプレーティングの
みによって成膜されたM g F z膜に比べて、耐擦
傷性、密着性および耐久性の点において優れており、加
熱したガラス基板に成膜されたM g F t !II
に近い性能を有している。
F !膜は、従来の真空蒸着やイオンプレーティングの
みによって成膜されたM g F z膜に比べて、耐擦
傷性、密着性および耐久性の点において優れており、加
熱したガラス基板に成膜されたM g F t !II
に近い性能を有している。
かかる結果が生ずるのは、先ず真空蒸着によってプラス
チック基板側にf!着性の優れたM g F z膜を形
成し、次いでその上に基板に直接ダメージを与えること
なく、イオンプレーティングによって緻密で硬く耐擦傷
性に優れたMgF、膜を形成しているからである。さら
に、イオンプレーティングによって形成された緻密なM
gF、膜は、耐久性試験における湿度の影響を少なくす
る役割を果たしている。また、内部応力についても、真
空蒸着によって形成されたMgF、膜の引張応力とイオ
ンプレーティングによって形成されたMgF工膜の圧縮
応力とが互いに相殺され、内部応力の少ない良質な膜と
なっており、密着性向上に役立っている。
チック基板側にf!着性の優れたM g F z膜を形
成し、次いでその上に基板に直接ダメージを与えること
なく、イオンプレーティングによって緻密で硬く耐擦傷
性に優れたMgF、膜を形成しているからである。さら
に、イオンプレーティングによって形成された緻密なM
gF、膜は、耐久性試験における湿度の影響を少なくす
る役割を果たしている。また、内部応力についても、真
空蒸着によって形成されたMgF、膜の引張応力とイオ
ンプレーティングによって形成されたMgF工膜の圧縮
応力とが互いに相殺され、内部応力の少ない良質な膜と
なっており、密着性向上に役立っている。
従って、上記各実施例の成膜方法によれば、ハードコー
トしたM g F !膜と同等な耐擦傷性を有したMg
F工膜を密着性良く成膜できるものである。
トしたM g F !膜と同等な耐擦傷性を有したMg
F工膜を密着性良く成膜できるものである。
以上のように、本発明のMgF、膜成膜方法によれば、
これまでプラスチック基板では膜の密着性、耐擦傷性に
問題があり、実用化が困難とされていたプラスチック基
板へのMgFア膜の成膜が可能となる。
これまでプラスチック基板では膜の密着性、耐擦傷性に
問題があり、実用化が困難とされていたプラスチック基
板へのMgFア膜の成膜が可能となる。
特に、耐擦傷性に関しては、ガラス基板へのハードコー
ト並みの性能を有しており、このMgF。
ト並みの性能を有しており、このMgF。
膜は屈折率が低く、安定でかつ低コストにて反射防止膜
を形成できる利点がある。
を形成できる利点がある。
Claims (1)
- (1)プラスチック基板へ物理的蒸着法により単層のM
gF_2膜を成膜するにあたり、成膜の初期段階では真
空蒸着により、成膜の途中段階からはイオンプレーティ
ングにより所望の膜厚まで成膜することを特徴とするプ
ラスチック基板へのMgF_2膜成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2054358A JPH03255401A (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | プラスチック基板へのMgF↓2膜成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2054358A JPH03255401A (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | プラスチック基板へのMgF↓2膜成膜方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03255401A true JPH03255401A (ja) | 1991-11-14 |
Family
ID=12968413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2054358A Pending JPH03255401A (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | プラスチック基板へのMgF↓2膜成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03255401A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020039976A1 (ja) * | 2018-08-20 | 2020-02-27 | 株式会社タムロン | 反射防止膜、光学素子及び反射防止膜の成膜方法 |
JP2020144208A (ja) * | 2019-03-06 | 2020-09-10 | 株式会社タムロン | 反射防止膜、光学素子及び反射防止膜の成膜方法 |
WO2021131316A1 (ja) * | 2019-12-25 | 2021-07-01 | コニカミノルタ株式会社 | 反射防止膜付き光学レンズの製造方法 |
-
1990
- 1990-03-06 JP JP2054358A patent/JPH03255401A/ja active Pending
Cited By (9)
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