JPH10282304A - 光学薄膜 - Google Patents
光学薄膜Info
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- JPH10282304A JPH10282304A JP10141790A JP14179098A JPH10282304A JP H10282304 A JPH10282304 A JP H10282304A JP 10141790 A JP10141790 A JP 10141790A JP 14179098 A JP14179098 A JP 14179098A JP H10282304 A JPH10282304 A JP H10282304A
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- Japan
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- optical thin
- film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 容易に光学薄膜を成膜する。
【解決手段】 本発明の光学薄膜は、プラスチック基材
上に該基材を加熱することなくスパッタリングにより形
成されたことを特徴とするフッ化酸化マグネシウム系光
学薄膜である。
上に該基材を加熱することなくスパッタリングにより形
成されたことを特徴とするフッ化酸化マグネシウム系光
学薄膜である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反射防止膜等として用
いられる光学薄膜に関し、特にプラスチックレンズ上へ
の形成に好適な光学薄膜に関するものである。
いられる光学薄膜に関し、特にプラスチックレンズ上へ
の形成に好適な光学薄膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光学部品の反射防止膜としては、
屈折率が低く、可視域での吸収が少ないＭｇＦ2膜が汎
用されている。このＭｇＦ2膜は、ガラスからなる光学
部品用の反射防止膜として真空蒸着法により実用化さ
れ、今日までに至っている。しかし、真空蒸着法により
ＭｇＦ2膜を形成する場合、蒸着時及び蒸着後に高温
（２００〜４００℃）で加熱しなければ、光学的及び機
械的性能を十分に満足させることはできない。従って、
光学部品がプラスチックからなる場合、熱変形等の理由
から、ＭｇＦ2膜を形成することは非常に困難である。
このため、現在のところＭｇＦ2膜はプラスチックレン
ズ等には実用化されていないのが実情である。
屈折率が低く、可視域での吸収が少ないＭｇＦ2膜が汎
用されている。このＭｇＦ2膜は、ガラスからなる光学
部品用の反射防止膜として真空蒸着法により実用化さ
れ、今日までに至っている。しかし、真空蒸着法により
ＭｇＦ2膜を形成する場合、蒸着時及び蒸着後に高温
（２００〜４００℃）で加熱しなければ、光学的及び機
械的性能を十分に満足させることはできない。従って、
光学部品がプラスチックからなる場合、熱変形等の理由
から、ＭｇＦ2膜を形成することは非常に困難である。
このため、現在のところＭｇＦ2膜はプラスチックレン
ズ等には実用化されていないのが実情である。
【０００３】光学薄膜を常温で形成する試みとしては、
Ｈｏｌｌａｎｄらが、”Ｌ Ｍａｒｔｉｎｕ，Ｈ Ｂｉ
ｅｄｅｒｍａｎ ａｎｄ Ｌ Ｈｏｌｌａｎｄ，Ｖａｃ
ｕｕｍ／ｖｏｌ．３５／ｎｕｍｂｅｒ １２／ｐ５３１
〜５３５／１９８５”（文献１）の中でスパッタリング
による方法について記載している。Ｈｏｌｌａｎｄら
は、この文献の中で、「１）スパッタリングガスとして
Ａｒガスを使って作成した膜ではＭｇＦ2蒸着膜と同等
の低い屈折率（ｎ＝１．３８〜１．４２）が得られる。
２）スパッタリングで形成したＭｇＦ2膜で可視域での
吸収が生じるのは、プラズマ中のＦ-イオンが基板ホル
ダ側に励起される負のプラズマポテンシャルにより反発
するため、薄膜内に取り込まれるＦ重量が不足すること
と、プラズマ中での水の解離により励起されたＯ- イオ
ンとＭｇ+ イオンとの酸化反応により形成されるＭｇＯ
による。」と述べている。
Ｈｏｌｌａｎｄらが、”Ｌ Ｍａｒｔｉｎｕ，Ｈ Ｂｉ
ｅｄｅｒｍａｎ ａｎｄ Ｌ Ｈｏｌｌａｎｄ，Ｖａｃ
ｕｕｍ／ｖｏｌ．３５／ｎｕｍｂｅｒ １２／ｐ５３１
〜５３５／１９８５”（文献１）の中でスパッタリング
による方法について記載している。Ｈｏｌｌａｎｄら
は、この文献の中で、「１）スパッタリングガスとして
Ａｒガスを使って作成した膜ではＭｇＦ2蒸着膜と同等
の低い屈折率（ｎ＝１．３８〜１．４２）が得られる。
２）スパッタリングで形成したＭｇＦ2膜で可視域での
吸収が生じるのは、プラズマ中のＦ-イオンが基板ホル
ダ側に励起される負のプラズマポテンシャルにより反発
するため、薄膜内に取り込まれるＦ重量が不足すること
と、プラズマ中での水の解離により励起されたＯ- イオ
ンとＭｇ+ イオンとの酸化反応により形成されるＭｇＯ
による。」と述べている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、本発明者らが
上記のＨｏｌｌａｎｄらの文献に基づいて、スパッタリ
ングによってＭｇＦ2膜を作成したところ、後述の比較
例でデータを示すように、Ａｒガスを用いても低屈折率
の薄膜は得られなかった。また、基板ホルダ側にＲＦの
バイアスをかけてＭｇＦ2膜を作成し、光学特性を検討
したが、基板側のプラズマポテンシャルが負電位である
か否かとということと、薄膜の光学特性の間にＨｏｌｌ
ａｎｄらが述べているような関係は認められなかった。
上記のＨｏｌｌａｎｄらの文献に基づいて、スパッタリ
ングによってＭｇＦ2膜を作成したところ、後述の比較
例でデータを示すように、Ａｒガスを用いても低屈折率
の薄膜は得られなかった。また、基板ホルダ側にＲＦの
バイアスをかけてＭｇＦ2膜を作成し、光学特性を検討
したが、基板側のプラズマポテンシャルが負電位である
か否かとということと、薄膜の光学特性の間にＨｏｌｌ
ａｎｄらが述べているような関係は認められなかった。
【０００５】この他、ＭｇＦ2膜を高温処理せずに作成
する方法としては、ＩＡＤ法（Ｉｏｎ ａｓｓｉｓｔｅ
ｄ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）が考えられる。しかし、こ
のＩＡＤ法は、分子容を大きくする（イオン半径の大き
いイオンを導入して配位数を高め、充填率を高くする）
方法であるため、得られたＭｇＦ2膜の屈折率は蒸着膜
に比べて高くなってしまう。
する方法としては、ＩＡＤ法（Ｉｏｎ ａｓｓｉｓｔｅ
ｄ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）が考えられる。しかし、こ
のＩＡＤ法は、分子容を大きくする（イオン半径の大き
いイオンを導入して配位数を高め、充填率を高くする）
方法であるため、得られたＭｇＦ2膜の屈折率は蒸着膜
に比べて高くなってしまう。
【０００６】更に、ＩＡＤ法でＭｇＦ2膜を作成する場
合、機械的性能を上げるためには、かなり高いイオン電
流密度を必要とするため、イオン損傷による膜の内部応
力の変化に対する影響が大きく、光学特性の経時的安定
性に問題点がある。また、プラスチックレンズ用の低屈
折率膜としては、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）が用いられ
ることがあるが、ＳｉＯ2の屈折率はｎ＝１．４７程度
と高く、反射率が高くなってしまう。
合、機械的性能を上げるためには、かなり高いイオン電
流密度を必要とするため、イオン損傷による膜の内部応
力の変化に対する影響が大きく、光学特性の経時的安定
性に問題点がある。また、プラスチックレンズ用の低屈
折率膜としては、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）が用いられ
ることがあるが、ＳｉＯ2の屈折率はｎ＝１．４７程度
と高く、反射率が高くなってしまう。
【０００７】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、蒸着法によるＭｇＦ2膜と同等以上の光学特性
及び機械特性を有し、かつ、高温処理が不要で、プラス
チックレンズ等にも支障なく用いることのできる新規な
光学薄膜（新規物質）を提供することを目的とする。
であり、蒸着法によるＭｇＦ2膜と同等以上の光学特性
及び機械特性を有し、かつ、高温処理が不要で、プラス
チックレンズ等にも支障なく用いることのできる新規な
光学薄膜（新規物質）を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は「プラスチック
基材上に該基材を加熱することなくスパッタリングによ
り形成されたことを特徴とするフッ化酸化マグネシウム
系光学薄膜プラスチック基材上に該基材を加熱すること
なくスパッタリングにより形成されたことを特徴とする
フッ化マグネシウム系光学薄膜」を提供する。このよう
な複合無機化合物で構成することによって、上記の課題
を達成している。
基材上に該基材を加熱することなくスパッタリングによ
り形成されたことを特徴とするフッ化酸化マグネシウム
系光学薄膜プラスチック基材上に該基材を加熱すること
なくスパッタリングにより形成されたことを特徴とする
フッ化マグネシウム系光学薄膜」を提供する。このよう
な複合無機化合物で構成することによって、上記の課題
を達成している。
【０００９】また、本発明の光学薄膜の光学特性の経時
安定性を向上させるためには、無機化合物中のＳｉ濃度
を３〜１０ｗｔ％とすると良い。この際の各元素の好ま
しい原子比の範囲は次のようである。 Ｆ／Ｍｇ＝（１．３／１）〜（１．６／１） Ｏ／Ｍｇ＝（０．４／１）〜（０．７／１） Ｓｉ／Ｍｇ＝（０．１／１）〜（０．３／１） Ｓｉを添加する場合、ＭｇＦ2とＳｉをプラズマ中で反
応させる方法、具体的にはスパッタリング等によって作
成することができる。スパッタリングの条件は、求める
光学的特性等に応じて適宜設定されるものであるが、例
えば、ＭｇＦ2とＳｉをターゲットとし、スパッタリン
グガスとしてＡｒとＯ2を用いて、バックグランド圧力
を１．１×１０-3Ｐａ程度、スパッタリンガス圧６×１
０-1Ｐａ程度とすると良い。
安定性を向上させるためには、無機化合物中のＳｉ濃度
を３〜１０ｗｔ％とすると良い。この際の各元素の好ま
しい原子比の範囲は次のようである。 Ｆ／Ｍｇ＝（１．３／１）〜（１．６／１） Ｏ／Ｍｇ＝（０．４／１）〜（０．７／１） Ｓｉ／Ｍｇ＝（０．１／１）〜（０．３／１） Ｓｉを添加する場合、ＭｇＦ2とＳｉをプラズマ中で反
応させる方法、具体的にはスパッタリング等によって作
成することができる。スパッタリングの条件は、求める
光学的特性等に応じて適宜設定されるものであるが、例
えば、ＭｇＦ2とＳｉをターゲットとし、スパッタリン
グガスとしてＡｒとＯ2を用いて、バックグランド圧力
を１．１×１０-3Ｐａ程度、スパッタリンガス圧６×１
０-1Ｐａ程度とすると良い。
【００１０】
【作用】本発明の光学薄膜の屈折率は低く、低くなる理
由としては、薄膜を構成する無機化合物の分子屈折の変
化が考えられる。本発明では、屈折率が低く、低くなる
方法として、分子屈折を変化させるため（結合角を小さ
くする）、スパッタリング中の酸素イオンによる分子容
の変化を抑制でき、ＩＡＤ法による膜のように屈折率が
高くならず（酸素イオンが取り込まれて分子容が大きく
なると屈折率が高くなる）、ＭｇＦ2蒸着膜と同等の屈
折率を得ることができる。
由としては、薄膜を構成する無機化合物の分子屈折の変
化が考えられる。本発明では、屈折率が低く、低くなる
方法として、分子屈折を変化させるため（結合角を小さ
くする）、スパッタリング中の酸素イオンによる分子容
の変化を抑制でき、ＩＡＤ法による膜のように屈折率が
高くならず（酸素イオンが取り込まれて分子容が大きく
なると屈折率が高くなる）、ＭｇＦ2蒸着膜と同等の屈
折率を得ることができる。
【００１１】次に、本発明の光学薄膜の光学特性の経時
安定性について述べる。光学薄膜を反射防止膜等として
用いるにあたって、屈折率を低い一定の値に保つ必要が
ある場合、薄膜中のＳｉ濃度を調整することで屈折率の
経時変化を抑えることができる。本発明者らの検討結果
によれば、薄膜中のＳｉ濃度が低い場合、Ｓｉ濃度が高
すぎる場合に比べてＳｉＯX の割合が低下してＳｉ−Ｆ
2結合の割合が高くなる。従って、屈折率の経時安定性
を向上させたい場合には、Ｓｉ濃度を３〜１０ｗｔ％程
度とすることが好ましい。この理由は、Ｓｉ濃度が低い
場合、より結合エネルギーの高いＳｉ−Ｆの結合が促進
されることにより、Ｓｉのダングリングボンドの不動態
化が行なわれるものと推測される。
安定性について述べる。光学薄膜を反射防止膜等として
用いるにあたって、屈折率を低い一定の値に保つ必要が
ある場合、薄膜中のＳｉ濃度を調整することで屈折率の
経時変化を抑えることができる。本発明者らの検討結果
によれば、薄膜中のＳｉ濃度が低い場合、Ｓｉ濃度が高
すぎる場合に比べてＳｉＯX の割合が低下してＳｉ−Ｆ
2結合の割合が高くなる。従って、屈折率の経時安定性
を向上させたい場合には、Ｓｉ濃度を３〜１０ｗｔ％程
度とすることが好ましい。この理由は、Ｓｉ濃度が低い
場合、より結合エネルギーの高いＳｉ−Ｆの結合が促進
されることにより、Ｓｉのダングリングボンドの不動態
化が行なわれるものと推測される。
【００１２】
［実施例１］図１は、本実施例で用いたスパッタ装置
（日電アネルバ株式会社製ＳＰＦ−５３０Ｈ）の構成を
示す概略図である。本実施例では、ＭｇＦ2ターゲット
（６ｉｎｃｈ）１上にＳｉウエハ（３ｉｎｃｈ）２を１
枚設置し、真空室３にアルゴン４及び酸素５を４０ＳＣ
ＣＭと２０ＳＣＣＭそれぞれ導入し真空室内の圧力を６
×１０-1Ｐａになるようバリアブルオリフィス６にてク
ライオンポンプ７の排気速度を調整した。またガス導入
前のバックグランドの圧力は、１．１×１０-3Ｐａとし
た。ＭｇＦ2 ターゲット１にはパワー５００ＷのＲＦ
（高周波）をかけ、基板８にフッ化マグネシウム系薄膜
を付着させた。スパッタリング中は基板８の加熱は行わ
なかった。
（日電アネルバ株式会社製ＳＰＦ−５３０Ｈ）の構成を
示す概略図である。本実施例では、ＭｇＦ2ターゲット
（６ｉｎｃｈ）１上にＳｉウエハ（３ｉｎｃｈ）２を１
枚設置し、真空室３にアルゴン４及び酸素５を４０ＳＣ
ＣＭと２０ＳＣＣＭそれぞれ導入し真空室内の圧力を６
×１０-1Ｐａになるようバリアブルオリフィス６にてク
ライオンポンプ７の排気速度を調整した。またガス導入
前のバックグランドの圧力は、１．１×１０-3Ｐａとし
た。ＭｇＦ2 ターゲット１にはパワー５００ＷのＲＦ
（高周波）をかけ、基板８にフッ化マグネシウム系薄膜
を付着させた。スパッタリング中は基板８の加熱は行わ
なかった。
【００１３】上記のようにして、得られたフッ化酸化マ
グネシウム系膜の屈折率はｎ＝１．４０〜１．４１，吸
収係数はα＝２〜３×１０5（ｍ-1）（波長λ＝４００
ｎｍ）であり、光学薄膜として十分な光学特性を有する
ものであった。 ［実施例２］図２は実施例１の応用例を示すスパッタ装
置の概略図である。本実施例では、ＭｇＦ2 ターゲット
１とＳｉターゲット２を別々のホルダーに載置し、Ｍｇ
Ｆ2ターゲット１にはＲＦ電源を接続し、Ｓｉターゲッ
ト２にはＤＣ電源を接続した。図２のようなスパッタ装
置を用い、ＭｇＦ2ターゲット１とＳｉターゲット２に
それぞれＲＦ，ＤＣ電圧を印加して、実施例１と同様の
条件でフッ化酸化マグネシウム系光学薄膜を作成した。
グネシウム系膜の屈折率はｎ＝１．４０〜１．４１，吸
収係数はα＝２〜３×１０5（ｍ-1）（波長λ＝４００
ｎｍ）であり、光学薄膜として十分な光学特性を有する
ものであった。 ［実施例２］図２は実施例１の応用例を示すスパッタ装
置の概略図である。本実施例では、ＭｇＦ2 ターゲット
１とＳｉターゲット２を別々のホルダーに載置し、Ｍｇ
Ｆ2ターゲット１にはＲＦ電源を接続し、Ｓｉターゲッ
ト２にはＤＣ電源を接続した。図２のようなスパッタ装
置を用い、ＭｇＦ2ターゲット１とＳｉターゲット２に
それぞれＲＦ，ＤＣ電圧を印加して、実施例１と同様の
条件でフッ化酸化マグネシウム系光学薄膜を作成した。
【００１４】このようにして得られたフッ化酸化マグネ
シウム系膜の屈折率はｎ＝１．４０〜１．４１，吸収係
数はα＝２〜３×１０5 （ｍ-1）（波長λ＝４００ｎ
ｍ）であり、光学薄膜として十分な光学特性を有するも
のであった。 ［試験例］各種光学薄膜の機械的性能を検討した結果を
以下に示す。試料としては、基板は全て青板ガラスを用
い、基板を２７０℃にして蒸着法でＭｇＦ2 膜を形成し
たもの、常温でＭｇＦ2蒸着膜を形成したもの、スパッ
タリングにより本発明の光学薄膜を形成したものを用意
した。密着性については、４〜５ｋｇ／ｃｍ2でのセロ
ハンテープテストによる引き剥がしテストを行ない、耐
溶剤性については、薄膜表面をシルボン紙にアセトンを
しみこませて十数回強く拭いた。また、耐擦傷性につい
ては、＃００００のスチールウールを使って荷重８００
ｇをかけ、往復５０回／３０秒こすることを行なった。
これらの試験の結果は次のようになった。
シウム系膜の屈折率はｎ＝１．４０〜１．４１，吸収係
数はα＝２〜３×１０5 （ｍ-1）（波長λ＝４００ｎ
ｍ）であり、光学薄膜として十分な光学特性を有するも
のであった。 ［試験例］各種光学薄膜の機械的性能を検討した結果を
以下に示す。試料としては、基板は全て青板ガラスを用
い、基板を２７０℃にして蒸着法でＭｇＦ2 膜を形成し
たもの、常温でＭｇＦ2蒸着膜を形成したもの、スパッ
タリングにより本発明の光学薄膜を形成したものを用意
した。密着性については、４〜５ｋｇ／ｃｍ2でのセロ
ハンテープテストによる引き剥がしテストを行ない、耐
溶剤性については、薄膜表面をシルボン紙にアセトンを
しみこませて十数回強く拭いた。また、耐擦傷性につい
ては、＃００００のスチールウールを使って荷重８００
ｇをかけ、往復５０回／３０秒こすることを行なった。
これらの試験の結果は次のようになった。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１から分かるように、基板（青板ガラ
ス）を２７０℃に加熱し、この加熱された基板上に蒸着
によりフッ化マグネシウム系光学薄膜を形成した従来の
ものは、テープテスト、耐溶剤性、耐擦傷性の試験の結
果、各性能で優れた性能を有している。しかし、基板を
加熱することなく常温での蒸着により成膜したＭｇＦ2
薄膜は、基板を加熱して蒸着を行うことにより成膜され
た従来のＭｇＦ2薄膜に比べて各性能とも劣ったもので
あり、基板を加熱せずに蒸着する方法では、優れた性能
を有するフッ化酸化マグネシウム系光学薄膜は得られな
いことが分かる。従って、従来では基板上に優れた性能
を有するフッ化酸化マグネシウム系光学薄膜を成膜する
ためには、基板を加熱しなければ成膜できなかったこと
が分かる。よって、加熱されることにより変形などを生
じる恐れの有る基板には、従来、フッ化酸化マグネシウ
ム系光学薄膜を形成するはできなかった。
ス）を２７０℃に加熱し、この加熱された基板上に蒸着
によりフッ化マグネシウム系光学薄膜を形成した従来の
ものは、テープテスト、耐溶剤性、耐擦傷性の試験の結
果、各性能で優れた性能を有している。しかし、基板を
加熱することなく常温での蒸着により成膜したＭｇＦ2
薄膜は、基板を加熱して蒸着を行うことにより成膜され
た従来のＭｇＦ2薄膜に比べて各性能とも劣ったもので
あり、基板を加熱せずに蒸着する方法では、優れた性能
を有するフッ化酸化マグネシウム系光学薄膜は得られな
いことが分かる。従って、従来では基板上に優れた性能
を有するフッ化酸化マグネシウム系光学薄膜を成膜する
ためには、基板を加熱しなければ成膜できなかったこと
が分かる。よって、加熱されることにより変形などを生
じる恐れの有る基板には、従来、フッ化酸化マグネシウ
ム系光学薄膜を形成するはできなかった。
【００１７】これに比べて、基板を加熱することなくス
パッタリング法により形成した本発明のフッ化酸化マグ
ネシウム系光学薄膜は、基板を加熱して形成する従来の
方法で形成された光学薄膜と同等の性能を有する光学薄
膜が基板を加熱することなく成膜できた。
パッタリング法により形成した本発明のフッ化酸化マグ
ネシウム系光学薄膜は、基板を加熱して形成する従来の
方法で形成された光学薄膜と同等の性能を有する光学薄
膜が基板を加熱することなく成膜できた。
【００１８】
【発明の効果】従来、熱に弱い基材上にフッ化酸化マグ
ネシウム系光学薄膜を形成することは困難であったが、
本発明のフッ化酸化マグネシウム系光学薄膜は、基板を
加熱することなく成膜可能なので、熱に弱い基材上にも
成膜可能である。特に熱に弱いプラスチック基材を用い
る場合に有効である。そして、フッ化酸化マグネシウム
系光学薄膜を有する熱変形の生じていない光学物品を製
造することができるようになった。
ネシウム系光学薄膜を形成することは困難であったが、
本発明のフッ化酸化マグネシウム系光学薄膜は、基板を
加熱することなく成膜可能なので、熱に弱い基材上にも
成膜可能である。特に熱に弱いプラスチック基材を用い
る場合に有効である。そして、フッ化酸化マグネシウム
系光学薄膜を有する熱変形の生じていない光学物品を製
造することができるようになった。
【００１９】また、フッ化酸化マグネシウム系光学薄膜
を有する光学物品を製造する場合に基材の制限が少なく
なり、効率よくフッ化酸化マグネシウム系光学薄膜を成
膜することができる。また本発明によるフッ化酸化マグ
ネシウム系光学薄膜は、ＭｇＦ2蒸着膜と同等の低屈折
率で、可視域での吸収がほとんどなく、かつ、常温で作
成できるため、プラスチックレンズ等耐熱性の低い光学
部品の反射防止膜や保護膜等として好適に用いることが
できる。
を有する光学物品を製造する場合に基材の制限が少なく
なり、効率よくフッ化酸化マグネシウム系光学薄膜を成
膜することができる。また本発明によるフッ化酸化マグ
ネシウム系光学薄膜は、ＭｇＦ2蒸着膜と同等の低屈折
率で、可視域での吸収がほとんどなく、かつ、常温で作
成できるため、プラスチックレンズ等耐熱性の低い光学
部品の反射防止膜や保護膜等として好適に用いることが
できる。
【図１】は、本発明の実施例で使用したスパッタリング
装置の概略図である。
装置の概略図である。
【図２】は、本発明の実施例で使用したスパッタリング
装置の変形例を示す概略図である。
装置の変形例を示す概略図である。
１・・・ＭｇＦ2ターゲット ２・・・Ｓｉウエハ ３・・・真空室 ４・・・アルゴンガス ５・・・酸素ガス ６・・・バリアブルオリフィス ７・・・クライオンポンプ ８・・・基板 ９・・・マスフローコントロール
Claims (1)
- 【請求項１】 プラスチック基材上に該基材を加熱する
ことなくスパッタリングにより形成されたことを特徴と
するフッ化酸化マグネシウム系光学薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10141790A JPH10282304A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 光学薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10141790A JPH10282304A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 光学薄膜 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02414523A Division JP3079580B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 光学部品用薄膜及びこれを有する光学部品及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10282304A true JPH10282304A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=15300221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10141790A Pending JPH10282304A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 光学薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10282304A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015501001A (ja) * | 2011-05-31 | 2015-01-08 | コーニング インコーポレイテッド | 赤外光反射防止膜用耐久ＭｇＯ−ＭｇＦ２複合膜 |
-
1998
- 1998-05-22 JP JP10141790A patent/JPH10282304A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015501001A (ja) * | 2011-05-31 | 2015-01-08 | コーニング インコーポレイテッド | 赤外光反射防止膜用耐久ＭｇＯ−ＭｇＦ２複合膜 |
| US9963773B2 (en) | 2011-05-31 | 2018-05-08 | Corning Incorporated | Durable MgO—MgF2 composite film for infrared anti-reflection coatings |
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