JPH06240446A - 多層光学薄膜の製造方法 - Google Patents
多層光学薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH06240446A JPH06240446A JP5053028A JP5302893A JPH06240446A JP H06240446 A JPH06240446 A JP H06240446A JP 5053028 A JP5053028 A JP 5053028A JP 5302893 A JP5302893 A JP 5302893A JP H06240446 A JPH06240446 A JP H06240446A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- thin film
- sample
- optical thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フッ化物からなる多層光学薄膜の密着力や充
填率を向上させ、波長シフトを抑制する。 【構成】 ３×１０-4Ｐａ以下の真空槽内において、直
径３０ｍｍ、厚さ１ｍｍのＢＫ７からなる基板１０１上
に、クラスターイオンビーム法により順次ＬａＦ3 膜１
０２、ＢｉＦ2 膜１０３、ＭｇＦ2 膜１０４を成膜し
た。各膜の成膜条件は次のとおりである。ＬａＦ3 膜１
０２は、加速電圧３５０Ｖ、イオン化電流３００ｍＡ，
蒸着速度１．２ｎｍ／ｓｅｃ、光学膜厚ｎｄ＝８５．９
ｎｍとし、ＢｉＦ2 膜１０３は、加速電圧４００Ｖ、イ
オン化電流２００ｍＡ、蒸着速度１．０ｎｍ／ｓｅｃ、
光学膜厚ｎｄ＝２１２．６とし、ＭｇＦ2 膜１０４は、
加速電圧２００Ｖ、イオン化電流３００ｍＡ、蒸着速度
１．５ｎｍ／ｓｅｃ、光学膜厚ｎｄ＝１２３．４ｎｍと
した。ただし、ｎはλ＝５００ｎｍである。
填率を向上させ、波長シフトを抑制する。 【構成】 ３×１０-4Ｐａ以下の真空槽内において、直
径３０ｍｍ、厚さ１ｍｍのＢＫ７からなる基板１０１上
に、クラスターイオンビーム法により順次ＬａＦ3 膜１
０２、ＢｉＦ2 膜１０３、ＭｇＦ2 膜１０４を成膜し
た。各膜の成膜条件は次のとおりである。ＬａＦ3 膜１
０２は、加速電圧３５０Ｖ、イオン化電流３００ｍＡ，
蒸着速度１．２ｎｍ／ｓｅｃ、光学膜厚ｎｄ＝８５．９
ｎｍとし、ＢｉＦ2 膜１０３は、加速電圧４００Ｖ、イ
オン化電流２００ｍＡ、蒸着速度１．０ｎｍ／ｓｅｃ、
光学膜厚ｎｄ＝２１２．６とし、ＭｇＦ2 膜１０４は、
加速電圧２００Ｖ、イオン化電流３００ｍＡ、蒸着速度
１．５ｎｍ／ｓｅｃ、光学膜厚ｎｄ＝１２３．４ｎｍと
した。ただし、ｎはλ＝５００ｎｍである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、紫外から赤外領域で使
用する光学素子の反射防止膜、偏光膜、反射膜等を作製
するための多層光学薄膜の製造方法に関するものであ
る。
用する光学素子の反射防止膜、偏光膜、反射膜等を作製
するための多層光学薄膜の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、フッ化物からなる光学薄膜を作製
する場合、フッ化物が低融点材料であるので、抵抗加熱
法により蒸着していた。しかし、抵抗加熱法による蒸着
では、フッ化物からなる光学薄膜の密着力や充填率が小
さい。
する場合、フッ化物が低融点材料であるので、抵抗加熱
法により蒸着していた。しかし、抵抗加熱法による蒸着
では、フッ化物からなる光学薄膜の密着力や充填率が小
さい。
【０００３】そこで、前記密着力や充填率を向上させる
ため、電子銃による電子線蒸着法により、基板を２００
〜３００℃程度に加熱して蒸着する方法が採用されるよ
うになった。
ため、電子銃による電子線蒸着法により、基板を２００
〜３００℃程度に加熱して蒸着する方法が採用されるよ
うになった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記従来の技術
では、密着力や充填率がある程度向上するものの、光学
薄膜内に水などの不純物が侵入し、波長シフトの問題や
耐久性の劣化が生じてしまうという問題点があった。
では、密着力や充填率がある程度向上するものの、光学
薄膜内に水などの不純物が侵入し、波長シフトの問題や
耐久性の劣化が生じてしまうという問題点があった。
【０００５】本発明は、上記従来の技術の有する問題点
に鑑みてなされたものであって、フッ化物からなる多層
光学薄膜の密着力や充填率が向上し、波長シフトを抑制
することができる多層光学薄膜の製造方法を実現するこ
とを目的とするものである。
に鑑みてなされたものであって、フッ化物からなる多層
光学薄膜の密着力や充填率が向上し、波長シフトを抑制
することができる多層光学薄膜の製造方法を実現するこ
とを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の多層光学薄膜の製造方法は、異種のフッ化
物からなる多層膜を基板に蒸着する多層光学薄膜の製造
方法であって、真空槽に設けられた複数のクラスターイ
オンビーム発生源より順次異種のフッ化物のクラスター
イオンビームを発生させて前記基板に蒸着することを特
徴とするものである。
に、本発明の多層光学薄膜の製造方法は、異種のフッ化
物からなる多層膜を基板に蒸着する多層光学薄膜の製造
方法であって、真空槽に設けられた複数のクラスターイ
オンビーム発生源より順次異種のフッ化物のクラスター
イオンビームを発生させて前記基板に蒸着することを特
徴とするものである。
【０００７】また、フッ化物が、ＭｇＦ2 ，ＬａＦ3 ，
ＬｉＦ，ＮｄＦ3 ，ＢａＦ2 ，ＳｒＦ2 ，ＮａＦ，Ａｌ
Ｆ3 ，ＢｉＦ2 ，ＣａＦ2 ，ＰｂＦ2 ，ＣｅＦ3 ，Ｇｄ
Ｆ3，ＨｏＦ3 ，Ｎａ3 ＡｌＦ6 の少なくとも二種から
なるものとすると効果的である。
ＬｉＦ，ＮｄＦ3 ，ＢａＦ2 ，ＳｒＦ2 ，ＮａＦ，Ａｌ
Ｆ3 ，ＢｉＦ2 ，ＣａＦ2 ，ＰｂＦ2 ，ＣｅＦ3 ，Ｇｄ
Ｆ3，ＨｏＦ3 ，Ｎａ3 ＡｌＦ6 の少なくとも二種から
なるものとすると効果的である。
【０００８】
【作用】各フッ化物をクラスターイオンビーム法で基板
に順次蒸着することにより、基板を加熱するしないにか
かわらず成膜された多層光学薄膜の密着力や充填率が向
上する。
に順次蒸着することにより、基板を加熱するしないにか
かわらず成膜された多層光学薄膜の密着力や充填率が向
上する。
【０００９】また、フッ化物としては、ＭｇＦ2 ，Ｌａ
Ｆ3 ，ＬｉＦ，ＮｄＦ3 ，ＢａＦ2，ＳｒＦ2 ，Ｎａ
Ｆ，ＡｌＦ3 ，ＢｉＦ2 ，ＣａＦ2 ，ＰｂＦ2 ，ＣｅＦ
3 ，ＧｄＦ3 ，ＨｏＦ3 ，Ｎａ3 ＡｌＦ6 のうちから少
なくとも二種以上を適宜選択し、基板上に順次蒸着する
ことにより、可視光域全域を対象とする反射防止膜、レ
ーザー用反射防止膜、レーザー用増反射膜等の多層光学
薄膜を作製することができる。
Ｆ3 ，ＬｉＦ，ＮｄＦ3 ，ＢａＦ2，ＳｒＦ2 ，Ｎａ
Ｆ，ＡｌＦ3 ，ＢｉＦ2 ，ＣａＦ2 ，ＰｂＦ2 ，ＣｅＦ
3 ，ＧｄＦ3 ，ＨｏＦ3 ，Ｎａ3 ＡｌＦ6 のうちから少
なくとも二種以上を適宜選択し、基板上に順次蒸着する
ことにより、可視光域全域を対象とする反射防止膜、レ
ーザー用反射防止膜、レーザー用増反射膜等の多層光学
薄膜を作製することができる。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を図面を参照しつつ説明す
る。
る。
【００１１】先ず、本発明の実施に用いるクラスターイ
オンビーム蒸着装置について説明する。
オンビーム蒸着装置について説明する。
【００１２】図１に示すように、真空槽４は、図示しな
い真空発生源に接続される排気口４Ａを有し、その上壁
側には、駆動部３により回転される基板ホルダ２が配設
されているとともに、基板ホルダ２と前記上壁間にはヒ
ータ１５が設けられており、基板ホルダ２に保持させた
基板１を回転させながらヒータ１５により基板１を所定
温度に加熱できるように構成されている。
い真空発生源に接続される排気口４Ａを有し、その上壁
側には、駆動部３により回転される基板ホルダ２が配設
されているとともに、基板ホルダ２と前記上壁間にはヒ
ータ１５が設けられており、基板ホルダ２に保持させた
基板１を回転させながらヒータ１５により基板１を所定
温度に加熱できるように構成されている。
【００１３】また、真空槽４の底壁側には、第１〜第４
のクラスターイオンビーム源（以下、「第１〜第４のＩ
ＣＢ源」という。）５，７，９，１１が配設されてお
り、各ＩＣＢ源５，７，９，１１はそれぞれ成膜時間を
調節するための第１〜第４のシャッタ６，８，１０，１
２が付設されており、各シャッタ６，８，１０，１２を
開閉することにより第１〜第４のＩＣＢ源５，７，９，
１１それぞれから発生されたフッ化物のクラスターイオ
ンビームを順次基板１に向けて照射するように構成され
ている。さらに、基板ホルダ２の近傍には蒸着速度を制
御するための水晶モニタ１４が配設されており、前記底
壁には膜厚を制御するための光モニタ１３が配設されて
いる。
のクラスターイオンビーム源（以下、「第１〜第４のＩ
ＣＢ源」という。）５，７，９，１１が配設されてお
り、各ＩＣＢ源５，７，９，１１はそれぞれ成膜時間を
調節するための第１〜第４のシャッタ６，８，１０，１
２が付設されており、各シャッタ６，８，１０，１２を
開閉することにより第１〜第４のＩＣＢ源５，７，９，
１１それぞれから発生されたフッ化物のクラスターイオ
ンビームを順次基板１に向けて照射するように構成され
ている。さらに、基板ホルダ２の近傍には蒸着速度を制
御するための水晶モニタ１４が配設されており、前記底
壁には膜厚を制御するための光モニタ１３が配設されて
いる。
【００１４】（第１実施例）図２は、第１実施例により
製造した可視光域全域を対象とする反射防止膜の模式断
面図であって、基板上に順次ＬａＦ3 膜１０２、ＢｉＦ
2 膜１０３、ＭｇＦ2 膜１０４をクラスターイオンビー
ム法によって成膜したものである。
製造した可視光域全域を対象とする反射防止膜の模式断
面図であって、基板上に順次ＬａＦ3 膜１０２、ＢｉＦ
2 膜１０３、ＭｇＦ2 膜１０４をクラスターイオンビー
ム法によって成膜したものである。
【００１５】図１に示す真空蒸着装置の基板ホルダ２に
直径３０ｍｍ、厚さ１ｍｍのＢＫ７からなる基板１０１
を保持させ、真空槽４を３×１０-4Ｐａ以下に排気し、
第１〜第４のＩＣＢ源５，７，９，１１の中から適宜選
択した３個のＩＣＢ源を用い、基板１０１上に順次Ｌａ
Ｆ3 膜１０２、ＢｉＦ2 膜１０３、ＭｇＦ2 膜１０４を
成膜した。
直径３０ｍｍ、厚さ１ｍｍのＢＫ７からなる基板１０１
を保持させ、真空槽４を３×１０-4Ｐａ以下に排気し、
第１〜第４のＩＣＢ源５，７，９，１１の中から適宜選
択した３個のＩＣＢ源を用い、基板１０１上に順次Ｌａ
Ｆ3 膜１０２、ＢｉＦ2 膜１０３、ＭｇＦ2 膜１０４を
成膜した。
【００１６】ＬａＦ3 膜１０２の成膜条件は、加速電圧
３５０Ｖ、イオン化電流は３００ｍＡ、蒸着速度１．２
ｎｍ／ｓｅｃ、光学膜厚ｎｄ＝８５．９ｎｍとし、Ｂｉ
Ｆ2膜１０３の成膜条件は、加速電圧４００Ｖ、イオン
化電流は２００ｍＡ、蒸着速度１．０ｎｍ／ｓｅｃ、光
学膜厚ｎｄ＝２１２．６ｎｍとし、ＭｇＦ2 膜１０４の
成膜条件は、加速電圧２００Ｖ、イオン化電流は３００
ｍＡ、蒸着速度１．５ｎｍ／ｓｅｃ、光学膜厚ｎｄ＝１
２３．４ｎｍとした。また、基板温度は、室温、１００
℃，３００℃の３段階に変化させた。ただし、ｎはλ＝
５００ｎｍの屈折率である。
３５０Ｖ、イオン化電流は３００ｍＡ、蒸着速度１．２
ｎｍ／ｓｅｃ、光学膜厚ｎｄ＝８５．９ｎｍとし、Ｂｉ
Ｆ2膜１０３の成膜条件は、加速電圧４００Ｖ、イオン
化電流は２００ｍＡ、蒸着速度１．０ｎｍ／ｓｅｃ、光
学膜厚ｎｄ＝２１２．６ｎｍとし、ＭｇＦ2 膜１０４の
成膜条件は、加速電圧２００Ｖ、イオン化電流は３００
ｍＡ、蒸着速度１．５ｎｍ／ｓｅｃ、光学膜厚ｎｄ＝１
２３．４ｎｍとした。また、基板温度は、室温、１００
℃，３００℃の３段階に変化させた。ただし、ｎはλ＝
５００ｎｍの屈折率である。
【００１７】本実施例によって製造した第１実施例のサ
ンプルである反射防止膜の分光反射率特性を図３に示
す。
ンプルである反射防止膜の分光反射率特性を図３に示
す。
【００１８】効果を確認するため、本実施例によって製
造した第１実施例のサンプルと電子銃による電子線蒸着
法によって成膜した比較例１のサンプルとについて、そ
れぞれ、ａｓ ｄｅｐｏ、高温高湿（７０℃−８５％）
の１００ｈ、５００ｈ耐久試験後、（１）テープによる
密着性、（２）シルボン紙による耐摩耗性、（３）有機
溶剤による耐溶剤性、（４）波長シフト、に関してそれ
ぞれ評価を行った。評価結果を表１〜表３に示す。
造した第１実施例のサンプルと電子銃による電子線蒸着
法によって成膜した比較例１のサンプルとについて、そ
れぞれ、ａｓ ｄｅｐｏ、高温高湿（７０℃−８５％）
の１００ｈ、５００ｈ耐久試験後、（１）テープによる
密着性、（２）シルボン紙による耐摩耗性、（３）有機
溶剤による耐溶剤性、（４）波長シフト、に関してそれ
ぞれ評価を行った。評価結果を表１〜表３に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【表２】
【００２１】
【表３】 表１〜表３の評価基準 ○：不良サンプル無し △：一部不良サンプル有り ×：全サンプル不良 表１〜表３から明らかなように、第１実施例のサンプル
である反射防止膜は、ａｓ ｄｅｐｏ、１００ｈ、５０
０ｈ高温高湿耐久後においても不良サンプルは見られ
ず、また、室温成膜でも充分な膜特性が得られているこ
とが解る。つまり、基板加熱工程をほとんど必要ないこ
とが確認できた。
である反射防止膜は、ａｓ ｄｅｐｏ、１００ｈ、５０
０ｈ高温高湿耐久後においても不良サンプルは見られ
ず、また、室温成膜でも充分な膜特性が得られているこ
とが解る。つまり、基板加熱工程をほとんど必要ないこ
とが確認できた。
【００２２】（第２実施例）図４は、第２実施例により
製造したレーザー波長３６６ｎｍを対象とする反射防止
膜の模式断面図であって、基板２０１上に順次ＬａＦ3
膜２０２、ＭｇＦ2膜２０３をクラスターイオンビーム
法によって成膜したものである。
製造したレーザー波長３６６ｎｍを対象とする反射防止
膜の模式断面図であって、基板２０１上に順次ＬａＦ3
膜２０２、ＭｇＦ2膜２０３をクラスターイオンビーム
法によって成膜したものである。
【００２３】図１に示す真空蒸着装置の基板ホルダ２
に、直径４０ｍｍ、厚さ３ｍｍの合成石英からなる基板
２０１を保持させ、真空槽４を３×１０-4Ｐａ以下に排
気し、第１〜第４のＩＣＢ源５，７，９，１１の中から
適宜選択した２個のＩＣＢ源を用い、基板２０１上に順
次ＬａＦ3 膜２０２、ＭｇＦ2 膜２０３を成膜した。
に、直径４０ｍｍ、厚さ３ｍｍの合成石英からなる基板
２０１を保持させ、真空槽４を３×１０-4Ｐａ以下に排
気し、第１〜第４のＩＣＢ源５，７，９，１１の中から
適宜選択した２個のＩＣＢ源を用い、基板２０１上に順
次ＬａＦ3 膜２０２、ＭｇＦ2 膜２０３を成膜した。
【００２４】ＬａＦ3 ２０２膜の成膜条件は、加速電圧
５００Ｖ、イオン化電流は２００ｍＡ、蒸着速度１．５
ｎｍ／ｓｅｃ、光学膜厚ｎｄ＝λ／４とし、ＭｇＦ2 膜
２０３の成膜条件は、加速電圧２００Ｖ、イオン化電流
は２００ｍＡ、蒸着速度１．０ｎｍ／ｓｅｃ、光学膜厚
ｎｄ＝λ／４とし、また、基板温度は１００℃である。
ただし、λ＝３５５ｎｍである。
５００Ｖ、イオン化電流は２００ｍＡ、蒸着速度１．５
ｎｍ／ｓｅｃ、光学膜厚ｎｄ＝λ／４とし、ＭｇＦ2 膜
２０３の成膜条件は、加速電圧２００Ｖ、イオン化電流
は２００ｍＡ、蒸着速度１．０ｎｍ／ｓｅｃ、光学膜厚
ｎｄ＝λ／４とし、また、基板温度は１００℃である。
ただし、λ＝３５５ｎｍである。
【００２５】第２実施例のサンプルであるレーザー用反
射防止膜の分光反射率特性を図５に示す。
射防止膜の分光反射率特性を図５に示す。
【００２６】効果を確認するため、本実施例によって製
造した第２実施例のサンプルと電子銃による電子線蒸着
法によって成膜した比較例２のサンプルについて、それ
ぞれＹＡＧレーザーの３倍の高調波（λ＝３５５ｎｍ、
パルス幅０．３ｎｓ）でレーザー損傷しきい値を測定し
た。その結果を表４に示す。
造した第２実施例のサンプルと電子銃による電子線蒸着
法によって成膜した比較例２のサンプルについて、それ
ぞれＹＡＧレーザーの３倍の高調波（λ＝３５５ｎｍ、
パルス幅０．３ｎｓ）でレーザー損傷しきい値を測定し
た。その結果を表４に示す。
【００２７】
【表４】 表４から明らかなように、第２実施例のサンプルは比較
例２のサンプルに比較してレーザー損傷しきい値が２割
程度向上していることが解る。
例２のサンプルに比較してレーザー損傷しきい値が２割
程度向上していることが解る。
【００２８】また、第２実施例および比較例２のサンプ
ルについて各膜の屈折率、表面粗さを測定したので、そ
の結果を表５に示す。
ルについて各膜の屈折率、表面粗さを測定したので、そ
の結果を表５に示す。
【００２９】
【表５】 表５から明らかなように、第２実施例のサンプルは、比
較例２に比較して屈折率が向上しているとともに表面粗
さの値から充填率が増加していることが解る。
較例２に比較して屈折率が向上しているとともに表面粗
さの値から充填率が増加していることが解る。
【００３０】また、引張り法による密着力は、第２実施
例のサンプルが４．１×１０7 Ｐａであって、比較例２
のサンプルの２．５×１０7 Ｐａに比べて１．６倍に向
上している。さらに、波長３５５ｎｍの吸収率を吸収に
よる温度上昇を測定する伝熱法によって測定したとこ
ろ、第２実施例のサンプルは０．２６％であり、比較例
２のサンプルの０．３２％に比べ僅かに減少している。
例のサンプルが４．１×１０7 Ｐａであって、比較例２
のサンプルの２．５×１０7 Ｐａに比べて１．６倍に向
上している。さらに、波長３５５ｎｍの吸収率を吸収に
よる温度上昇を測定する伝熱法によって測定したとこ
ろ、第２実施例のサンプルは０．２６％であり、比較例
２のサンプルの０．３２％に比べ僅かに減少している。
【００３１】以上のことから、本実施例によれば、レー
ザー用反射防止膜のレーザー耐力が向上することが解
る。
ザー用反射防止膜のレーザー耐力が向上することが解
る。
【００３２】（第３実施例）図６は、第３実施例によっ
て製造したレーザー波長２６６ｎｍを対象とする増反射
ミラーの模式断面図であって、基板３０１上に順次Ｍｇ
Ｆ2 膜３０２、ＮｄＦ3 膜３０３の３２層からなる繰返
し多層膜をクラスターイオンビーム法によって成膜した
ものである。
て製造したレーザー波長２６６ｎｍを対象とする増反射
ミラーの模式断面図であって、基板３０１上に順次Ｍｇ
Ｆ2 膜３０２、ＮｄＦ3 膜３０３の３２層からなる繰返
し多層膜をクラスターイオンビーム法によって成膜した
ものである。
【００３３】図１に示す真空蒸着装置の基板ホルダ２に
直径４０ｍｍ、厚さ３ｍｍのＢＫ７からなる基板３０１
を保持させ、真空槽４を３×１０-4Ｐａ以下に排気し、
基板温度は室温として、第１〜第４のＩＣＢ源５，７，
９，１１の中から適宜選択した２個または４個のＩＣＢ
源を用い基板３０１上に順次ＭｇＦ2 膜３０２、ＮｄＦ
3 ３０３を繰返し成膜し、３２層の多層光学薄膜を作成
した。
直径４０ｍｍ、厚さ３ｍｍのＢＫ７からなる基板３０１
を保持させ、真空槽４を３×１０-4Ｐａ以下に排気し、
基板温度は室温として、第１〜第４のＩＣＢ源５，７，
９，１１の中から適宜選択した２個または４個のＩＣＢ
源を用い基板３０１上に順次ＭｇＦ2 膜３０２、ＮｄＦ
3 ３０３を繰返し成膜し、３２層の多層光学薄膜を作成
した。
【００３４】奇数層目のＭｇＦ2 膜３０２の成膜条件
は、加速電圧２００Ｖ、イオン化電流は２００ｍＡ、蒸
着速度１．０ｎｍ／ｓｅｃ、光学膜厚ｎｄ＝λ／４と
し、偶数層目のＮｄＦ3 膜３０３の成膜条件は、加速電
圧３００Ｖ、イオン化電流は２００ｍＡ、蒸着速度０．
９ｎｍ／ｓｅｃ、光学膜厚ｎｄ＝λ／４とした。ただ
し、λ＝２６６ｎｍである。
は、加速電圧２００Ｖ、イオン化電流は２００ｍＡ、蒸
着速度１．０ｎｍ／ｓｅｃ、光学膜厚ｎｄ＝λ／４と
し、偶数層目のＮｄＦ3 膜３０３の成膜条件は、加速電
圧３００Ｖ、イオン化電流は２００ｍＡ、蒸着速度０．
９ｎｍ／ｓｅｃ、光学膜厚ｎｄ＝λ／４とした。ただ
し、λ＝２６６ｎｍである。
【００３５】第３実施例のサンプルの分光反射率特性を
図７に示す。ここで、図７の（Ａ）は反射率０〜１００
（％）の分光反射率特性のグラフ、図７の（Ｂ）は反射
率９０〜１００（％）の分光反射率の特性のグラフであ
る。
図７に示す。ここで、図７の（Ａ）は反射率０〜１００
（％）の分光反射率特性のグラフ、図７の（Ｂ）は反射
率９０〜１００（％）の分光反射率の特性のグラフであ
る。
【００３６】効果を確認するため、第３実施例のサンプ
ルと、基板温度３００℃で電子銃による電子線蒸着法に
よって成膜した比較例３のサンプルについて、それぞれ
ＹＡＧレーザーの４倍の高調波（λ＝２６６ｎｍ、パル
ス幅０．３ｎｓ）でレーザー損傷しきい値を測定すると
ともに、成膜後３０日経過後のレーザー損傷しきい値を
測定した。その結果を表６に示す。
ルと、基板温度３００℃で電子銃による電子線蒸着法に
よって成膜した比較例３のサンプルについて、それぞれ
ＹＡＧレーザーの４倍の高調波（λ＝２６６ｎｍ、パル
ス幅０．３ｎｓ）でレーザー損傷しきい値を測定すると
ともに、成膜後３０日経過後のレーザー損傷しきい値を
測定した。その結果を表６に示す。
【００３７】
【表６】 表６から明らかなように、ａｓ ｄｅｐｏでは第３実施
例のサンプルは、比較例３のサンプルに比べレーザー損
傷しきい値が１２％程度向上しており、また、３０日経
過後では、比較例３のサンプルはレーザー損傷しきい値
が低下しているのに対し、第３実施例のサンプルはほと
んど低下していない。これは、図８および図９に見られ
るように比較例３のサンプルでは、反射ミラーの中心波
長が長波長側へ７ｎｍシフトし、これによって薄膜内の
電界強度が増大したためと考えられる。
例のサンプルは、比較例３のサンプルに比べレーザー損
傷しきい値が１２％程度向上しており、また、３０日経
過後では、比較例３のサンプルはレーザー損傷しきい値
が低下しているのに対し、第３実施例のサンプルはほと
んど低下していない。これは、図８および図９に見られ
るように比較例３のサンプルでは、反射ミラーの中心波
長が長波長側へ７ｎｍシフトし、これによって薄膜内の
電界強度が増大したためと考えられる。
【００３８】図１０および図１１は、比較例３のサンプ
ルのａｓ ｄｅｐｏと３０日経過後の薄膜内の電界強度
をそれぞれ示したグラフである。
ルのａｓ ｄｅｐｏと３０日経過後の薄膜内の電界強度
をそれぞれ示したグラフである。
【００３９】以上のことから、第３実施例では、充填率
の高い繰返し多層膜を成膜でき、レーザー損傷しきい値
を向上させることが解る。
の高い繰返し多層膜を成膜でき、レーザー損傷しきい値
を向上させることが解る。
【００４０】
【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので、次に記載するような効果を奏する。
ので、次に記載するような効果を奏する。
【００４１】基板を加熱するかしないかにかかわらず、
成膜された異種のフッ化物からなる多層光学薄膜の密着
力や充填率が向上し、耐久性の高い多層光学薄膜を作製
することができる。
成膜された異種のフッ化物からなる多層光学薄膜の密着
力や充填率が向上し、耐久性の高い多層光学薄膜を作製
することができる。
【００４２】また、フッ化物の種類を適宜選択して順次
基板上に蒸着することにより、可視光域全域を対象とす
る反射防止膜、レーザー用反射防止膜、レーザー用増反
射膜等の各種の多層光学薄膜を作製することができる。
基板上に蒸着することにより、可視光域全域を対象とす
る反射防止膜、レーザー用反射防止膜、レーザー用増反
射膜等の各種の多層光学薄膜を作製することができる。
【図１】本発明の実施に用いる真空蒸着装置の一例を示
す説明図である。
す説明図である。
【図２】第１実施例により製造した反射防止膜の模式断
面図である。
面図である。
【図３】第１実施例のサンプルである反射防止膜の分光
反射率特性を示すグラフである。
反射率特性を示すグラフである。
【図４】第２実施例により製造したレーザー用反射防止
膜の模式断面図である。
膜の模式断面図である。
【図５】第２実施例のサンプルであるレーザー用反射防
止膜の分光反射率特性を示すグラフである。
止膜の分光反射率特性を示すグラフである。
【図６】第３実施例により製造したレーザー波長２６６
ｎｍを対象とする増反射ミラーの模式断面図である。
ｎｍを対象とする増反射ミラーの模式断面図である。
【図７】第３実施例のサンプルである増反射ミラーの分
光反射率特性を示し、（Ａ）は反射率０〜１００％の分
光反射率特性のグラフ、（Ｂ）は反射率９０〜１００％
の分光反射率特性のグラフである。
光反射率特性を示し、（Ａ）は反射率０〜１００％の分
光反射率特性のグラフ、（Ｂ）は反射率９０〜１００％
の分光反射率特性のグラフである。
【図８】比較例３のサンプルのａｓ ｄｅｐｏ分光反射
率特性を示し、（Ａ）は反射率０〜１００％の分光反射
率特性のグラフ、（Ｂ）は反射率９０〜１００％の分光
反射率特性のグラフである。
率特性を示し、（Ａ）は反射率０〜１００％の分光反射
率特性のグラフ、（Ｂ）は反射率９０〜１００％の分光
反射率特性のグラフである。
【図９】比較例３のサンプルの３０日経過後分光反射率
特性を示し、（Ａ）は反射率０〜１００％の分光反射率
特性のグラフ、（Ｂ）は反射率９０〜１００％の分光反
射率特性のグラフである。
特性を示し、（Ａ）は反射率０〜１００％の分光反射率
特性のグラフ、（Ｂ）は反射率９０〜１００％の分光反
射率特性のグラフである。
【図１０】比較例３のサンプルのａｓ ｄｅｐｏ電界強
度を示すグラフである。
度を示すグラフである。
【図１１】比較例３のサンプルの３０日経過後電界強度
を示すグラフである。
を示すグラフである。
１，１０１，２０１，３０１ 基板 ２ 基板ホルダ ３ 駆動部 ４ 真空槽 ５，７，９，１１ ＩＣＢ源 ６，８，１０，１２ シャッタ １３ 光モニタ １４ 水晶モニタ １５ ヒータ １０２，２０２ ＬａＦ3 膜 １０３ ＢｉＦ2 膜 １０４，２０３，３０２ ＭｇＦ2 膜 ３０３ ＮｄＦ3 膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沢村 光治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 異種のフッ化物からなる多層膜を基板に
蒸着する多層光学薄膜の製造方法であって、真空槽に設
けられた複数のクラスターイオンビーム発生源より順次
異種のフッ化物のクラスターイオンビームを発生させて
前記基板に蒸着することを特徴とする多層光学薄膜の製
造方法。 - 【請求項２】 フッ化物が、ＭｇＦ2 ，ＬａＦ3 ，Ｌｉ
Ｆ，ＮｄＦ3 ，ＢａＦ2 ，ＳｒＦ2 ，ＮａＦ，ＡｌＦ
3 ，ＢｉＦ2 ，ＣａＦ2 ，ＰｂＦ2 ，ＣｅＦ3，ＧｄＦ3
，ＨｏＦ3 ，Ｎａ3 ＡｌＦ6 の少なくとも二種からな
ることを特徴とする請求項１記載の多層光学薄膜の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5053028A JPH06240446A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 多層光学薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5053028A JPH06240446A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 多層光学薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06240446A true JPH06240446A (ja) | 1994-08-30 |
Family
ID=12931442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5053028A Pending JPH06240446A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 多層光学薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06240446A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998058280A1 (en) * | 1997-06-16 | 1998-12-23 | Laser Power Corporation | Low absorption coatings for infrared laser optical elements |
| WO2003079062A1 (de) * | 2002-03-18 | 2003-09-25 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Optisches element, verfahren zu seiner herstellung und zur bestimmung seiner optischen eigenschaften |
| JP2012188759A (ja) * | 2008-09-05 | 2012-10-04 | Shincron:Kk | 成膜方法及び撥油性基材 |
| WO2021131316A1 (ja) * | 2019-12-25 | 2021-07-01 | コニカミノルタ株式会社 | 反射防止膜付き光学レンズの製造方法 |
-
1993
- 1993-02-18 JP JP5053028A patent/JPH06240446A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998058280A1 (en) * | 1997-06-16 | 1998-12-23 | Laser Power Corporation | Low absorption coatings for infrared laser optical elements |
| WO2003079062A1 (de) * | 2002-03-18 | 2003-09-25 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Optisches element, verfahren zu seiner herstellung und zur bestimmung seiner optischen eigenschaften |
| JP2012188759A (ja) * | 2008-09-05 | 2012-10-04 | Shincron:Kk | 成膜方法及び撥油性基材 |
| WO2021131316A1 (ja) * | 2019-12-25 | 2021-07-01 | コニカミノルタ株式会社 | 反射防止膜付き光学レンズの製造方法 |
| CN114846362A (zh) * | 2019-12-25 | 2022-08-02 | 柯尼卡美能达株式会社 | 带有防反射膜的光学透镜的制造方法 |
| CN114846362B (zh) * | 2019-12-25 | 2023-12-29 | 柯尼卡美能达株式会社 | 带有防反射膜的光学透镜的制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Waldorf et al. | Optical coatings deposited by reactive ion plating | |
| EP0505547B1 (en) | D.c. reactively sputtered antireflection coatings | |
| JP4178190B2 (ja) | 多層膜を有する光学素子およびその製造方法 | |
| KR101151813B1 (ko) | 안정화된 플루오르 도핑 실리카 박층 형성 방법, 동 형성 방법에 의해 형성된 박층, 및 그의 안경 광학에 대한 용도 | |
| JP2003302520A (ja) | 赤外レーザ用反射ミラーとその製造方法 | |
| JPH0612663B2 (ja) | 白熱電球 | |
| US5582879A (en) | Cluster beam deposition method for manufacturing thin film | |
| KR20100057442A (ko) | 내구성이 우수한 저방사 유리 | |
| JPH06240446A (ja) | 多層光学薄膜の製造方法 | |
| US6603601B2 (en) | Infrared laser optical element and manufacturing method therefor | |
| JP4028282B2 (ja) | 光学多層膜フィルタ | |
| JP4028219B2 (ja) | 光学多層膜フィルタ | |
| CN114846362B (zh) | 带有防反射膜的光学透镜的制造方法 | |
| JPH10268107A (ja) | 反射防止膜付合成樹脂レンズ | |
| JPH11326634A (ja) | 光学多層薄膜および光学多層薄膜の製造方法 | |
| JPH07138744A (ja) | フッ化物薄膜の製造方法およびこれによって製造されたフッ化物薄膜 | |
| CN115478252B (zh) | 一种无界面高激光损伤阈值薄膜及其制备方法 | |
| JP2001194526A (ja) | 多層膜反射ミラー | |
| JPH11305014A (ja) | 多層膜ミラーおよび多層膜ミラーの製造方法 | |
| US20230258848A1 (en) | Thin-film Structures for Optical Applications Comprising Fluoride Mixtures | |
| JP3102959B2 (ja) | 高耐久性薄膜 | |
| JP3253065B2 (ja) | 光学薄膜 | |
| JPH05188203A (ja) | ＣａＦ２基板用反射防止膜 | |
| CN115480393A (zh) | 一种提高高反射薄膜激光损伤阈值的方法 | |
| JP2979327B2 (ja) | 低融点基体上蒸着反射防止膜 |