JPS5916973A - 多層光学膜の形成方法 - Google Patents
多層光学膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS5916973A JPS5916973A JP57126300A JP12630082A JPS5916973A JP S5916973 A JPS5916973 A JP S5916973A JP 57126300 A JP57126300 A JP 57126300A JP 12630082 A JP12630082 A JP 12630082A JP S5916973 A JPS5916973 A JP S5916973A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- evaporation source
- electron beam
- substrate
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は光通信機器などに必要な無反射コート（ｂ）
技術の背景 光通信に使用する反射防止１分岐、結合９分波器などの
素子には、基板面、端面などに誘電体多層膜による無反
射コート、カブラ膜、フィルタなどを形成することが必
要である。この種の多層光学膜の製造方法について第１
図を参照して説明する。第１図は真空蒸着装置の構成図
である。
技術の背景 光通信に使用する反射防止１分岐、結合９分波器などの
素子には、基板面、端面などに誘電体多層膜による無反
射コート、カブラ膜、フィルタなどを形成することが必
要である。この種の多層光学膜の製造方法について第１
図を参照して説明する。第１図は真空蒸着装置の構成図
である。
同図において１は円筒形の真空槽で、図示しない排気系
により、内部は所望の高真空に保持されている。真空槽
１の下部には、例えば銅よシなる円板状のるつは６が、
上面が水平面内で回転可能の如くに設置されている。ま
だ真空槽１の下部にに電子ビーム発生装置２が設置され
、るつは６の（例えば光学ガラスよりなる）であって、
真空槽ｌの上部に、光学膜４を形成する面がるつは６に
対向して装着されるようになっている。るつは６と基板
３との中間にはパーフライ形の金属板よシなるシャッタ
５が装着されている。るつぼ６の上面には所望の形状の
凹部７．８が設けてあり、それぞれの凹部７，８には蒸
着する所望の誘電体（５１１ＬＩｄ８ ｉｏｔ 、 Ｔ
ｉｏｔ 、 ＡＬ Ｏｎ ） ヨリナル蒸着源が収容
されている。
により、内部は所望の高真空に保持されている。真空槽
１の下部には、例えば銅よシなる円板状のるつは６が、
上面が水平面内で回転可能の如くに設置されている。ま
だ真空槽１の下部にに電子ビーム発生装置２が設置され
、るつは６の（例えば光学ガラスよりなる）であって、
真空槽ｌの上部に、光学膜４を形成する面がるつは６に
対向して装着されるようになっている。るつは６と基板
３との中間にはパーフライ形の金属板よシなるシャッタ
５が装着されている。るつぼ６の上面には所望の形状の
凹部７．８が設けてあり、それぞれの凹部７，８には蒸
着する所望の誘電体（５１１ＬＩｄ８ ｉｏｔ 、 Ｔ
ｉｏｔ 、 ＡＬ Ｏｎ ） ヨリナル蒸着源が収容
されている。
このような真空蒸着装置にて２っほを回転して、所望の
蒸着源を電子ビーム２′の照射位置に移動して蒸着源を
加熱蒸発せしめる。蒸発した蒸気を基板３の面に凝結さ
せ、所望の光学薄膜を基板３の面上に形成せしめる。っ
ぎに他の誘電体よシなる蒸発源に電子ビーム２′を照射
して先に形成した光学薄膜の上面に光学薄膜を重層する
。このように蒸発源を変えて、繰返し光学薄膜を重層し
て、例えば２５層などの多層光学膜４を形成する。
蒸着源を電子ビーム２′の照射位置に移動して蒸着源を
加熱蒸発せしめる。蒸発した蒸気を基板３の面に凝結さ
せ、所望の光学薄膜を基板３の面上に形成せしめる。っ
ぎに他の誘電体よシなる蒸発源に電子ビーム２′を照射
して先に形成した光学薄膜の上面に光学薄膜を重層する
。このように蒸発源を変えて、繰返し光学薄膜を重層し
て、例えば２５層などの多層光学膜４を形成する。
なおシャッタ５は蒸着時間の制御に使用するほかに、蒸
発源を予備加熱してガス放出を行わせる時に放出された
不純物ガスが基板面３にあだシ基板面が汚染されるのを
防止する役割をもっている。
発源を予備加熱してガス放出を行わせる時に放出された
不純物ガスが基板面３にあだシ基板面が汚染されるのを
防止する役割をもっている。
（Ｃ） 従来技術と問題点
この種の真空蒸着装置を使用した従来の多層光学膜の形
成方法を、第２図および第３図を参照して説明する。第
２図はるつぼの平面図、第３１図の（イ）、（ロ）、Ｃ
）はそれぞれ多層光学膜形成過程を示すｌに比較的大き
い円形の凹溝７と、小さい円形の凹溝８＋、８−が設け
られている。凹溝７には固形状の蒸発源（例えばＳｉＯ
，）９が板状のまま収容されている。凹溝８．には電子
ビーム２′が照射することによシ融体状となる蒸発源（
例えばＴｉＯ＊ ）１０が、凹溝８．には電子ビーム２
′が照射することにょシ融体状となる蒸発源（例えばＡ
１．Ｏ，）１１が収容されている。このようなるつは６
を使用して所望の多層光学膜４を形成するには、下層か
らの光学薄膜の順序にしたがい、るつぼ６を回転して例
えば凹部７を電子ビーム２′に対応する位置に移動して
、ＳｔＯ，の蒸発源９に照射してｓｉｏ、の光学薄膜を
基板３０面上に蒸着ぎＫＴＩＯ，の蒸発源１ｏに照射し
てＴＩＯ，の光学薄膜を重層する。そしてこの操作を繰
返して所望の多層光学膜４を形成する。
成方法を、第２図および第３図を参照して説明する。第
２図はるつぼの平面図、第３１図の（イ）、（ロ）、Ｃ
）はそれぞれ多層光学膜形成過程を示すｌに比較的大き
い円形の凹溝７と、小さい円形の凹溝８＋、８−が設け
られている。凹溝７には固形状の蒸発源（例えばＳｉＯ
，）９が板状のまま収容されている。凹溝８．には電子
ビーム２′が照射することによシ融体状となる蒸発源（
例えばＴｉＯ＊ ）１０が、凹溝８．には電子ビーム２
′が照射することにょシ融体状となる蒸発源（例えばＡ
１．Ｏ，）１１が収容されている。このようなるつは６
を使用して所望の多層光学膜４を形成するには、下層か
らの光学薄膜の順序にしたがい、るつぼ６を回転して例
えば凹部７を電子ビーム２′に対応する位置に移動して
、ＳｔＯ，の蒸発源９に照射してｓｉｏ、の光学薄膜を
基板３０面上に蒸着ぎＫＴＩＯ，の蒸発源１ｏに照射し
てＴＩＯ，の光学薄膜を重層する。そしてこの操作を繰
返して所望の多層光学膜４を形成する。
これらの光学薄膜の生成速度を決める蒸発源の蒸着速度
は、蒸発源の加熱温度と、蒸発源と基板より蒸着時間を
制御する。
は、蒸発源の加熱温度と、蒸発源と基板より蒸着時間を
制御する。
融体状の蒸発源１０．１１は蒸発しても融体の上面は常
に平面となって、基板３との距離の変化は殆んど無視出
来るものである。しかし固形状の蒸発源６（ＳｉＯ，）
は電子ビーム２′を照射することにより、穴掘り現象を
おこして、基板３との距離が変化し、同位置を繰返し照
射すると、この距離の変化を無視することが出来なくな
る。しだがって、この穴掘り現象の影響をなくするだめ
に蒸発源９の表面を数ブロックに分けて９１，９１゜９
、・・・・・・となし、電子ビーム２′の照射方向を調
整し、この蒸発源９＋ 、９ｍ 、９ｍ・・・・・・に
順次移動して照射し蒸着速度がほぼ一定となるようにし
ている。
に平面となって、基板３との距離の変化は殆んど無視出
来るものである。しかし固形状の蒸発源６（ＳｉＯ，）
は電子ビーム２′を照射することにより、穴掘り現象を
おこして、基板３との距離が変化し、同位置を繰返し照
射すると、この距離の変化を無視することが出来なくな
る。しだがって、この穴掘り現象の影響をなくするだめ
に蒸発源９の表面を数ブロックに分けて９１，９１゜９
、・・・・・・となし、電子ビーム２′の照射方向を調
整し、この蒸発源９＋ 、９ｍ 、９ｍ・・・・・・に
順次移動して照射し蒸着速度がほぼ一定となるようにし
ている。
蒸発［９の照射位置を９＋ 、９ｔ 、９．ｓ・・・・
・・と変えることにより、基板３の面とそれぞれの蒸発
源９＋ 、９嘗、９ｍ・・・・・・との距離が異なると
いう問題点がある。即ち第３図（ロ）の如く、基板３の
中心線上の直下にある蒸発源９．に照射した時には光学
薄膜は基板３の中心に厚く四周になるにしだがい薄い凸
状で良好な光学薄膜であるが、（イ）の如く蒸発源９Ｉ
に照射すると、蒸発ｉＪｆ、 ９ ｓの直上が厚くなり
、ｅ９の如くに蒸発源９ａＩＣ照射すると蒸発源９ｊの
直上が厚くなる。この（イ）、（ハ）の現象は、光学薄
膜としてはいずれも好ましくない状態である。また電子
ビーム２′の照射方向を変えるということは煩られしい
操作である。
・・と変えることにより、基板３の面とそれぞれの蒸発
源９＋ 、９嘗、９ｍ・・・・・・との距離が異なると
いう問題点がある。即ち第３図（ロ）の如く、基板３の
中心線上の直下にある蒸発源９．に照射した時には光学
薄膜は基板３の中心に厚く四周になるにしだがい薄い凸
状で良好な光学薄膜であるが、（イ）の如く蒸発源９Ｉ
に照射すると、蒸発ｉＪｆ、 ９ ｓの直上が厚くなり
、ｅ９の如くに蒸発源９ａＩＣ照射すると蒸発源９ｊの
直上が厚くなる。この（イ）、（ハ）の現象は、光学薄
膜としてはいずれも好ましくない状態である。また電子
ビーム２′の照射方向を変えるということは煩られしい
操作である。
また融体状の蒸発源例えばＴｉｏｔを数回蒸発発せしめ
るとＯｌが分離していわゆる老化現象を学膜としては好
ましくないものである。しだがつてこのような場合蒸発
源を交換しなければならないという煩られしさがある。
るとＯｌが分離していわゆる老化現象を学膜としては好
ましくないものである。しだがつてこのような場合蒸発
源を交換しなければならないという煩られしさがある。
（ｄ） 発明の目的
本発明の目的は、上記従来の問題点が除去された多層光
学膜の形成方法を提供することにある。
学膜の形成方法を提供することにある。
（ｅ） 発明の構成
上に、平面視で弧状の凹部と複数の円形の凹部とを設け
、該弧状の四部には固形状の蒸発源を該円形の凹部には
融体状の蒸発源をそれぞれ収容し、該るつぼへの電子ビ
ームの照射位置を固定し、該るつほを所望に回転して該
蒸発源および該固形状の蒸発源への照射位置を選択し、
該電子ビームの照射位置に対向して該るつほの上方に装
着した基板面に所望の光学膜を交互に蒸着するようにし
たものである。
、該弧状の四部には固形状の蒸発源を該円形の凹部には
融体状の蒸発源をそれぞれ収容し、該るつぼへの電子ビ
ームの照射位置を固定し、該るつほを所望に回転して該
蒸発源および該固形状の蒸発源への照射位置を選択し、
該電子ビームの照射位置に対向して該るつほの上方に装
着した基板面に所望の光学膜を交互に蒸着するようにし
たものである。
（０発明の実施例
以下図示実施例を参照して本発明について詳細に説明す
る。
る。
第４図は本発明の一実施例のるつばの平面−である。
第４図において、１２は例えば銅の円板状のるつぼであ
って、上面が水平面内で回転可能である。
って、上面が水平面内で回転可能である。
るつは１２の上面の電子ビーム２′の照射位置常に一定
である。
である。
るつは１２の上面の同一円上には平面視で弧状−の凹部
１３と、円形の凹部１４ｓ、１４雪、・・・・・・１４
ｎが設けられている。弧状凹部１３には固形の粒状また
は、タブ〃レッド状の蒸発源１５、例えばＳ１０．が収
容されている。円形凹部１４＋には融体状の蒸発源１６
＋例えばＡ １，０．が、円形凹部１４寓には融体状の
蒸発源１７１例えばＴＩＯ，が、円形凹部１４ｓＫは例
えばＡ ｌ 嘗Ｏｓの蒸発源１６禦が、以下同様にＴ１
０．とにｈＯｊの蒸発源が収容されている。
１３と、円形の凹部１４ｓ、１４雪、・・・・・・１４
ｎが設けられている。弧状凹部１３には固形の粒状また
は、タブ〃レッド状の蒸発源１５、例えばＳ１０．が収
容されている。円形凹部１４＋には融体状の蒸発源１６
＋例えばＡ １，０．が、円形凹部１４寓には融体状の
蒸発源１７１例えばＴＩＯ，が、円形凹部１４ｓＫは例
えばＡ ｌ 嘗Ｏｓの蒸発源１６禦が、以下同様にＴ１
０．とにｈＯｊの蒸発源が収容されている。
光学薄膜を蒸着するには、固形状の蒸発源１５の端部の
蒸発源１５１が電子ビーム２′の照射位置になるように
るつぼ１２を回転して蒸発源１５１を蒸発せしめる。次
回は少しずれた位置の蒸発源融体状の蒸発源を蒸着する
には例えば四部１４ｓの蒸発源１６１を、つざには凹部
１４．の蒸発源１６鵞というように、凹部を順次替えて
光学薄膜を蒸着形成せしめる。
蒸発源１５１が電子ビーム２′の照射位置になるように
るつぼ１２を回転して蒸発源１５１を蒸発せしめる。次
回は少しずれた位置の蒸発源融体状の蒸発源を蒸着する
には例えば四部１４ｓの蒸発源１６１を、つざには凹部
１４．の蒸発源１６鵞というように、凹部を順次替えて
光学薄膜を蒸着形成せしめる。
以上のようにすることにより、電子ビーム２′の照射位
置は常圧一定で、基板面の中心の直下にあるので、中心
部が比較的に厚く四周が薄い膜厚分布が均一な光学薄膜
を得ることが出来る。また融体状の蒸発源の老化現象の
影響を阻止することも出来る。
置は常圧一定で、基板面の中心の直下にあるので、中心
部が比較的に厚く四周が薄い膜厚分布が均一な光学薄膜
を得ることが出来る。また融体状の蒸発源の老化現象の
影響を阻止することも出来る。
また粒状の固形蒸発源を利用することによシ、取扱が容
易で１．材料費を低減することが出来る。
易で１．材料費を低減することが出来る。
本実施例は板状の基板の多層光学膜について説明しだが
、本発明は板状の基板とは限らず例えば光ファイバの端
面に反射防止膜を形成する場合などにも実施出来るもの
である。
、本発明は板状の基板とは限らず例えば光ファイバの端
面に反射防止膜を形成する場合などにも実施出来るもの
である。
（φ 発明の詳細
な説明・しだように本発明は、膜厚分布が均一で、高品
質であり、また制御操作が簡易で能率的であるＡどとい
った実用上すぐれた効果のある多層光学膜の形成方法で
ある。
質であり、また制御操作が簡易で能率的であるＡどとい
った実用上すぐれた効果のある多層光学膜の形成方法で
ある。
第１図は真空蒸着装置の構成図、第２図、第３図は従来
の形成方法を示す。第２図はるつほの平面図、第３図の
（イ）、（ロ）、（ハ）：よ光学膜形成過程を示１子 す構成図、第４図は木兄ＲＺに使用するるつばの一実施
例の平面図である。 図中１は真空槽、２は電子ビーム発生装置、／は電子ビ
ーム、３は基板、４は多層光学膜、５はシャッタ、６伊
ｊ、１２はるつぼ、７，８．８Ｉ、８鵞１３．１４＋、
１４ｍ・”頃１４ｎは凹部、９．９＋−１５，１５ｓ、
１５１・・・・・は固形状蒸発源、１０．１１１６＋、
１６雷・・・・・・、１７ｔ 、１７１・・・・・は融
体状蒸発源を示す。
の形成方法を示す。第２図はるつほの平面図、第３図の
（イ）、（ロ）、（ハ）：よ光学膜形成過程を示１子 す構成図、第４図は木兄ＲＺに使用するるつばの一実施
例の平面図である。 図中１は真空槽、２は電子ビーム発生装置、／は電子ビ
ーム、３は基板、４は多層光学膜、５はシャッタ、６伊
ｊ、１２はるつぼ、７，８．８Ｉ、８鵞１３．１４＋、
１４ｍ・”頃１４ｎは凹部、９．９＋−１５，１５ｓ、
１５１・・・・・は固形状蒸発源、１０．１１１６＋、
１６雷・・・・・・、１７ｔ 、１７１・・・・・は融
体状蒸発源を示す。
Claims (1)
- 円形の凹部とを設け、該弧状の凹部には固形状の蒸発源
を該円形の凹部には電子ビーム照射により融体状となる
蒸発源をそれぞれ収容し、該るつぼ−・の電子ビームの
照射位置を固定し、該るつぼを所望に回転して該蒸発源
および該固形状の蒸発源への照射位置を選択し、該電子
ビームの照射位置に対向して該るつほの上方に装着した
基板面に、所望の光学膜を交互に蒸着せしめる仁とを特
徴とする多層光学の形成方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126300A JPS5916973A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 多層光学膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126300A JPS5916973A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 多層光学膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916973A true JPS5916973A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14931786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57126300A Pending JPS5916973A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 多層光学膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916973A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208069A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-26 | ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 多くの物質を蒸着させるための放射加熱部を有する蒸発装置 |
| KR101111352B1 (ko) * | 2011-05-30 | 2012-02-24 | 주식회사 유니벡 | 다층 박막코팅용 타겟장치 |
| CN102732844A (zh) * | 2012-07-12 | 2012-10-17 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种真空镀膜机行星转动夹具上球面光学元件镀膜均匀性修正挡板的设计方法 |
| KR101208995B1 (ko) * | 2005-04-20 | 2012-12-06 | 주성엔지니어링(주) | 증착용기를 구비하는 증착장치 |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP57126300A patent/JPS5916973A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208069A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-26 | ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 多くの物質を蒸着させるための放射加熱部を有する蒸発装置 |
| KR101208995B1 (ko) * | 2005-04-20 | 2012-12-06 | 주성엔지니어링(주) | 증착용기를 구비하는 증착장치 |
| KR101111352B1 (ko) * | 2011-05-30 | 2012-02-24 | 주식회사 유니벡 | 다층 박막코팅용 타겟장치 |
| CN102732844A (zh) * | 2012-07-12 | 2012-10-17 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种真空镀膜机行星转动夹具上球面光学元件镀膜均匀性修正挡板的设计方法 |
| CN102732844B (zh) * | 2012-07-12 | 2014-05-07 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种真空镀膜机行星转动夹具上球面光学元件镀膜均匀性修正挡板的设计方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4776868A (en) | Lenses and lens arrays | |
| US5241417A (en) | Multi-layered optical filter film and production method thereof | |
| JPH024967A (ja) | 薄膜形成装置及び方法 | |
| CN102707351A (zh) | 利用结构化的玻璃涂层制作衍射光学元件 | |
| US20020153247A1 (en) | Apparatus and method for coating substrates | |
| WO2005121842A1 (en) | Building up diffractive optics by structured glass coating | |
| US20190169739A1 (en) | An interference coating or its part consisting layers with different porosity | |
| JP5295524B2 (ja) | 光学薄膜成膜方法 | |
| JPS5916973A (ja) | 多層光学膜の形成方法 | |
| US5449535A (en) | Light controlled vapor deposition | |
| US5389397A (en) | Method for controlling the thickness distribution of a deposited layer | |
| JP3979745B2 (ja) | 成膜装置、薄膜形成方法 | |
| JPS60194067A (ja) | 硬質膜の形成方法 | |
| JPS5917501A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPH03174307A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JP2698416B2 (ja) | ３次元光導波路クラッド膜の形成方法 | |
| Wang et al. | Large-area uniformity in evaporation coating through a new form of substrate motion | |
| JPS62119924A (ja) | 透過マスクの作製方法 | |
| Tsai et al. | Comparative study of ultraviolet-infrared cutoff filters prepared by reactive electron-beam deposition and reactive ion-assisted deposition | |
| JPH08337435A (ja) | 石英系ガラス膜の製造方法 | |
| WO1992016014A2 (en) | Method and apparatus for concave substrates | |
| JPS62235464A (ja) | 有機物高配向膜の作製装置 | |
| KR820002037B1 (ko) | 패턴의 형성방법 | |
| JPS63132201A (ja) | 斜め蒸着膜の製造方法 | |
| JPH1068065A (ja) | 光学基体上に反射防止膜を蒸着する方法 |