JPH08337435A - 石英系ガラス膜の製造方法 - Google Patents
石英系ガラス膜の製造方法Info
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- JPH08337435A JPH08337435A JP7147496A JP14749695A JPH08337435A JP H08337435 A JPH08337435 A JP H08337435A JP 7147496 A JP7147496 A JP 7147496A JP 14749695 A JP14749695 A JP 14749695A JP H08337435 A JPH08337435 A JP H08337435A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with glass
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1415—Reactant delivery systems
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/0055—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by ion implantation
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Abstract
(57)【要約】
【目的】
【構成】 真空チャンバ内に設置された基板の表面にイ
オンビームを照射しながら石英系ガラスを蒸着させて石
英系ガラス膜を製造する方法において、前記イオンビー
ムが、酸素イオンとクリプトンイオン又はキセノンイオ
ンとから構成して、不活性ガスで酸素原子よりも質量が
大きなＫｒやＸｅガスを成膜時基板に照射することによ
り膜密度を上げ、酸素欠陥の少ない膜をつくる。
オンビームを照射しながら石英系ガラスを蒸着させて石
英系ガラス膜を製造する方法において、前記イオンビー
ムが、酸素イオンとクリプトンイオン又はキセノンイオ
ンとから構成して、不活性ガスで酸素原子よりも質量が
大きなＫｒやＸｅガスを成膜時基板に照射することによ
り膜密度を上げ、酸素欠陥の少ない膜をつくる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は石英系ガラス膜の成膜方
法に係り特に高密度ガラス膜の製造に関するものであ
る。
法に係り特に高密度ガラス膜の製造に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】基板上への石英系ガラス膜の製造方法と
しては、ＣＶＤ法、スパッタ法や蒸着法などのＰＶＤ
法、火炎堆積法及びゾルゲル法等が採用されている。こ
れらの方法によりガラス薄膜を製造した場合、成膜後に
屈折率を目的の値とする等のために熱処理（アニール）
を行っている。
しては、ＣＶＤ法、スパッタ法や蒸着法などのＰＶＤ
法、火炎堆積法及びゾルゲル法等が採用されている。こ
れらの方法によりガラス薄膜を製造した場合、成膜後に
屈折率を目的の値とする等のために熱処理（アニール）
を行っている。
【０００３】近年、蒸着法やスパッタ法などのＰＶＤ法
によるガラス膜の形成においては、イオン注入法を組み
合わせて、例えばイオン銃からのイオン照射による膜の
高充填化を図ることが試みられ、さらに酸化膜の場合に
は、高充填化に加え酸素欠陥を補うために酸素イオンを
用いることが提案されている。
によるガラス膜の形成においては、イオン注入法を組み
合わせて、例えばイオン銃からのイオン照射による膜の
高充填化を図ることが試みられ、さらに酸化膜の場合に
は、高充填化に加え酸素欠陥を補うために酸素イオンを
用いることが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ＰＶＤ法とイオン注入法との組み合わせによる石英系ガ
ラス膜の形成において酸素イオンによる高充填化を図る
場合、蒸着膜の密度を上げるためにイオン銃の出力を高
出力とすると、酸化膜の酸素の組成比率が著しく低下す
る。その結果、アニール後、屈折率が変化したり、着色
を生じたりする等の問題があった。
ＰＶＤ法とイオン注入法との組み合わせによる石英系ガ
ラス膜の形成において酸素イオンによる高充填化を図る
場合、蒸着膜の密度を上げるためにイオン銃の出力を高
出力とすると、酸化膜の酸素の組成比率が著しく低下す
る。その結果、アニール後、屈折率が変化したり、着色
を生じたりする等の問題があった。
【０００５】そこで、本発明の目的は、前記した従来技
術の課題を解消し、屈折率変化や着色の少ない石英系ガ
ラス膜を製造することができる石英系ガラス膜の製造方
法を提供することにある。
術の課題を解消し、屈折率変化や着色の少ない石英系ガ
ラス膜を製造することができる石英系ガラス膜の製造方
法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の石英系ガラス膜の製造方法は、真空チャン
バ内に設置された基板の表面にイオンビームを照射しな
がら石英系ガラスを蒸着させて石英系ガラス膜を製造す
る方法において、前記イオンビームが、酸素イオンとク
リプトンイオン又はキセノンイオンとからなるものであ
る。
に、本発明の石英系ガラス膜の製造方法は、真空チャン
バ内に設置された基板の表面にイオンビームを照射しな
がら石英系ガラスを蒸着させて石英系ガラス膜を製造す
る方法において、前記イオンビームが、酸素イオンとク
リプトンイオン又はキセノンイオンとからなるものであ
る。
【０００７】また、前記酸素イオンとクリプトンイオン
又はキセノンイオンとを別々のイオン銃から照射するこ
とが好ましい。
又はキセノンイオンとを別々のイオン銃から照射するこ
とが好ましい。
【０００８】さらに、前記石英系ガラスは、二酸化チタ
ンの組成比が１〜９重量％の二酸化珪素と二酸化チタン
とからなる混合原料であるか、又は、二酸化ゲルマニュ
ームの組成比が１〜15重量％である二酸化珪素と二酸化
ゲルマニュームとからなる混合原料であることが好まし
い。
ンの組成比が１〜９重量％の二酸化珪素と二酸化チタン
とからなる混合原料であるか、又は、二酸化ゲルマニュ
ームの組成比が１〜15重量％である二酸化珪素と二酸化
ゲルマニュームとからなる混合原料であることが好まし
い。
【０００９】また、前記基板は、石英基板若しくはＳｉ
Ｎ，ＳｉＣなどの絶縁体の基板、シリコンなどの半導体
基板、又はタングステンなどの導体基板であることが好
ましい。
Ｎ，ＳｉＣなどの絶縁体の基板、シリコンなどの半導体
基板、又はタングステンなどの導体基板であることが好
ましい。
【００１０】
【作用】真空チャンバ内に設置された基板の表面に石英
系ガラスを蒸着させる際に照射するイオンビームが、酸
素イオンとクリプトン（Ｋｒ）イオン又はキセノン（Ｘ
ｅ）イオンとからなることにより、ＫｒやＸｅは質量が
大きいため、これによるアシストは蒸着源より蒸発する
石英系ガラスのクラスタに照射した場合、酸素だけ選択
的に脱離する確率が減り、クラスタを基板に密着させ
る、或いはクラスタ内の原子の並び替えのためにエネル
ギーが消費されるようになる。これにより屈折率変化や
着色の少ない膜が得られる。
系ガラスを蒸着させる際に照射するイオンビームが、酸
素イオンとクリプトン（Ｋｒ）イオン又はキセノン（Ｘ
ｅ）イオンとからなることにより、ＫｒやＸｅは質量が
大きいため、これによるアシストは蒸着源より蒸発する
石英系ガラスのクラスタに照射した場合、酸素だけ選択
的に脱離する確率が減り、クラスタを基板に密着させ
る、或いはクラスタ内の原子の並び替えのためにエネル
ギーが消費されるようになる。これにより屈折率変化や
着色の少ない膜が得られる。
【００１１】また、ＫｒやＸｅは酸素に比べ質量が大き
いため、イオン銃等によって照射するイオンビームの粒
子の速度が遅く膜内に気体として取り込まれる割合が少
ないので、内部欠陥が生じにくい。
いため、イオン銃等によって照射するイオンビームの粒
子の速度が遅く膜内に気体として取り込まれる割合が少
ないので、内部欠陥が生じにくい。
【００１２】従って、不活性ガスで酸素原子よりも質量
が大きなＫｒやＸｅガスを成膜時に基板に照射すること
により、膜密度が上がりしかも酸素欠陥の少ない膜が得
られ、蒸着後熱プロセスによる屈折率変化、膜厚変化の
きわめて少ない石英系ガラス膜を製造することが可能と
なる。
が大きなＫｒやＸｅガスを成膜時に基板に照射すること
により、膜密度が上がりしかも酸素欠陥の少ない膜が得
られ、蒸着後熱プロセスによる屈折率変化、膜厚変化の
きわめて少ない石英系ガラス膜を製造することが可能と
なる。
【００１３】また、石英系ガラスとして二酸化珪素と二
酸化チタンあるいは二酸化ゲルマニューム混合原料を用
いて、上記の組成比で混合することで所望の屈折率の石
英系ガラス膜とすることができる。
酸化チタンあるいは二酸化ゲルマニューム混合原料を用
いて、上記の組成比で混合することで所望の屈折率の石
英系ガラス膜とすることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に従い説明
する。
する。
【００１５】図１は本発明の方法を実施するための真空
蒸着装置の一例を示した構成図である。
蒸着装置の一例を示した構成図である。
【００１６】図１において、１は真空チャンバを示し、
この真空チャンバ１は例えばサイズ直径φ1000mm、高さ
1400mmの円筒型に形成され、チャンバ１内が所定の真空
度に維持されるようになっている。
この真空チャンバ１は例えばサイズ直径φ1000mm、高さ
1400mmの円筒型に形成され、チャンバ１内が所定の真空
度に維持されるようになっている。
【００１７】真空チャンバ１内の上方には、基板セット
用ホルダ２が基板ホルダ回転軸３を軸として回転自在に
支持されている。基板セット用ホルダ２の下には、基板
例えば直径３インチの石英基板が４０枚セットされるよ
うになっている。基板としては、石英基板、ＳｉＮ，Ｓ
ｉＣなどの絶縁体の基板、シリコンなどの半導体基板、
タングステンなどの導体基板などといったものが挙げら
れる。また、ホルダ２の上には、ホルダ２にセットされ
た基板を数百℃例えば 350℃に加熱するヒータ４が設け
られている。
用ホルダ２が基板ホルダ回転軸３を軸として回転自在に
支持されている。基板セット用ホルダ２の下には、基板
例えば直径３インチの石英基板が４０枚セットされるよ
うになっている。基板としては、石英基板、ＳｉＮ，Ｓ
ｉＣなどの絶縁体の基板、シリコンなどの半導体基板、
タングステンなどの導体基板などといったものが挙げら
れる。また、ホルダ２の上には、ホルダ２にセットされ
た基板を数百℃例えば 350℃に加熱するヒータ４が設け
られている。
【００１８】また、真空チャンバ１内の下方には、原料
（石英系ガラス）５をセットする原料ホルダ６が配設さ
れている。原料５としては、石英系ガラスが用いられ、
二酸化チタンの組成比が１〜９重量％の二酸化硅素（Ｓ
ｉＯ2 ）と二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）とからなる混合原
料、二酸化ゲルマニウムの組成比が１〜15重量％の二酸
化硅素と二酸化ゲルマニウムとからなる混合原料が好ま
しく、例えば組成比ＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 ＝97.8/2.2（ｗ
ｔ％）のガラス原料が用いられる。また、チャンバ１の
下方には、原料ホルダ６の原料５に電子ビーム７を照射
して原料５を溶融加熱して蒸発させるための電子銃８が
配設され、蒸着源の加熱にコンタミの少ない電子線照射
加熱が用いられ、この加熱により蒸発した石英系ガラス
が基板に蒸着するようになっている。
（石英系ガラス）５をセットする原料ホルダ６が配設さ
れている。原料５としては、石英系ガラスが用いられ、
二酸化チタンの組成比が１〜９重量％の二酸化硅素（Ｓ
ｉＯ2 ）と二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）とからなる混合原
料、二酸化ゲルマニウムの組成比が１〜15重量％の二酸
化硅素と二酸化ゲルマニウムとからなる混合原料が好ま
しく、例えば組成比ＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 ＝97.8/2.2（ｗ
ｔ％）のガラス原料が用いられる。また、チャンバ１の
下方には、原料ホルダ６の原料５に電子ビーム７を照射
して原料５を溶融加熱して蒸発させるための電子銃８が
配設され、蒸着源の加熱にコンタミの少ない電子線照射
加熱が用いられ、この加熱により蒸発した石英系ガラス
が基板に蒸着するようになっている。
【００１９】さらに、真空チャンバ１の下方には、基板
にイオンビームを照射するイオン源であるイオン銃９が
設けられている。イオン銃９は、膜の緻密化をはかるた
めに高周波電源を用いる構造のものがよく、流量コント
ローラ１０を有するボンベ１１が１又は複数（図示例で
は５つ）接続され、ボンベ１１からのガスを高周波電源
によるプラズマによりイオン化し、これを所定の加速電
圧で加速させてイオンビームが得られ、このイオンビー
ムのイオン電流密度が任意に設定可能に構成されてお
り、ボンベ１１のガスを変えることにより所望のガスの
イオンビームが得られるようになっている。例えば、２
つのボンベ１１には酸素、他の３つにはクリプトン（Ｋ
ｒ）又はキセノン（Ｘｅ）をいれておく。尚、図中、１
２はニュートラライザを示す。
にイオンビームを照射するイオン源であるイオン銃９が
設けられている。イオン銃９は、膜の緻密化をはかるた
めに高周波電源を用いる構造のものがよく、流量コント
ローラ１０を有するボンベ１１が１又は複数（図示例で
は５つ）接続され、ボンベ１１からのガスを高周波電源
によるプラズマによりイオン化し、これを所定の加速電
圧で加速させてイオンビームが得られ、このイオンビー
ムのイオン電流密度が任意に設定可能に構成されてお
り、ボンベ１１のガスを変えることにより所望のガスの
イオンビームが得られるようになっている。例えば、２
つのボンベ１１には酸素、他の３つにはクリプトン（Ｋ
ｒ）又はキセノン（Ｘｅ）をいれておく。尚、図中、１
２はニュートラライザを示す。
【００２０】次に前述した真空蒸着装置を用いて石英系
ガラス膜を製造する方法を説明する。
ガラス膜を製造する方法を説明する。
【００２１】実施例１ まず、真空チャンバ１内の基板セット用ホルダ２に直径
３インチの石英基板を４０枚セットすると共に、原料ホ
ルダ６にＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 ＝97.8／2.2 （ｗｔ％）の
ガラス原料５をセットした後、チャンバ１内を所定の真
空度とした。次に、ガラス原料５に電子銃８からの電子
ビーム７を照射してガラス原料５を溶融加熱してその原
料５の蒸気を発生させ、これを基板に蒸着させる。成膜
時間は200minで、蒸着速度を５Å／sec とした。この蒸
着と共に、基板にイオン銃９により酸素イオンとＫｒイ
オンとからなるイオンビームを基板セット位置でのイオ
ン電流密度が25μｍ／cm2 になるように照射した。イオ
ン銃より導入する酸素の量を15cc／min 、Ｋｒの量を15
cc／min とした。
３インチの石英基板を４０枚セットすると共に、原料ホ
ルダ６にＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 ＝97.8／2.2 （ｗｔ％）の
ガラス原料５をセットした後、チャンバ１内を所定の真
空度とした。次に、ガラス原料５に電子銃８からの電子
ビーム７を照射してガラス原料５を溶融加熱してその原
料５の蒸気を発生させ、これを基板に蒸着させる。成膜
時間は200minで、蒸着速度を５Å／sec とした。この蒸
着と共に、基板にイオン銃９により酸素イオンとＫｒイ
オンとからなるイオンビームを基板セット位置でのイオ
ン電流密度が25μｍ／cm2 になるように照射した。イオ
ン銃より導入する酸素の量を15cc／min 、Ｋｒの量を15
cc／min とした。
【００２２】これによって、基板表面に得られたガラス
膜は膜厚 5.9μｍで、屈折率１．４６７２であった。な
おこの時、着色はみられなかった。次に、得られたガラ
ス膜を酸素雰囲気中、１１５０℃でアニールした結果、
屈折率、膜厚の変化は屈折率が1.4672が1.4670とわずか
に変化したものの膜厚の変化はみられなかった。
膜は膜厚 5.9μｍで、屈折率１．４６７２であった。な
おこの時、着色はみられなかった。次に、得られたガラ
ス膜を酸素雰囲気中、１１５０℃でアニールした結果、
屈折率、膜厚の変化は屈折率が1.4672が1.4670とわずか
に変化したものの膜厚の変化はみられなかった。
【００２３】実施例２ 本実施例ではイオン銃に導入する酸素の量を15cc／min
、Ｘｅの量を15cc／min として、そのほかの条件は実
施例１と同様に設定し成膜を行った。
、Ｘｅの量を15cc／min として、そのほかの条件は実
施例１と同様に設定し成膜を行った。
【００２４】その結果、得られたガラス膜は膜厚 5.9μ
ｍで、屈折率1.4671であった。なおこの時、着色はみら
れなかった。次に、得られたガラス膜を酸素雰囲気中、
1150℃でアニールした結果、屈折率の変化は1.1671が1.
4670とほとんど変化がみられず、膜厚の変化も 0.5％と
小さいものであった。
ｍで、屈折率1.4671であった。なおこの時、着色はみら
れなかった。次に、得られたガラス膜を酸素雰囲気中、
1150℃でアニールした結果、屈折率の変化は1.1671が1.
4670とほとんど変化がみられず、膜厚の変化も 0.5％と
小さいものであった。
【００２５】比較例１ 従来の酸素だけによるイオン照射以外、前記実施例１と
同様な条件により成膜を行った。
同様な条件により成膜を行った。
【００２６】その結果、得られたガラス膜は膜厚 5.9μ
ｍで、屈折率1.4690であった。なおこの時、基板には茶
褐色の着色がみられた。次に、得られたガラス膜を酸素
雰囲気中、1150℃でアニールした結果、屈折率の変化を
生じ1.4670となった。また、この時の膜厚の変化は 8.3
％と大きなものであった。
ｍで、屈折率1.4690であった。なおこの時、基板には茶
褐色の着色がみられた。次に、得られたガラス膜を酸素
雰囲気中、1150℃でアニールした結果、屈折率の変化を
生じ1.4670となった。また、この時の膜厚の変化は 8.3
％と大きなものであった。
【００２７】比較例２ 酸素とＫｒ，Ｘｅより質量の小さいアルゴンとの混合気
体のイオンによるイオン照射以外、前記実施例１と同様
な条件により成膜を行った。
体のイオンによるイオン照射以外、前記実施例１と同様
な条件により成膜を行った。
【００２８】その結果、得られたガラス膜は膜厚 5.9μ
ｍで、屈折率1.4820となり屈折率の非常に高いものであ
った。なおこの時、基板は濃い青紫色に着色した。次
に、得られたガラス膜を酸素雰囲気中、1150℃でアニー
ルした結果、屈折率は変化を生じ1.4670となった。ま
た、この時の膜厚の変化は 7.9％と大きなものであっ
た。
ｍで、屈折率1.4820となり屈折率の非常に高いものであ
った。なおこの時、基板は濃い青紫色に着色した。次
に、得られたガラス膜を酸素雰囲気中、1150℃でアニー
ルした結果、屈折率は変化を生じ1.4670となった。ま
た、この時の膜厚の変化は 7.9％と大きなものであっ
た。
【００２９】これら実施例１及び２、比較例１及び２の
条件及び結果を表１に示した。
条件及び結果を表１に示した。
【００３０】
【表１】
【００３１】図２は本発明の方法を実施するための真空
蒸着装置の他の例を示した構成図である。
蒸着装置の他の例を示した構成図である。
【００３２】この真空蒸着装置の前述の真空蒸着装置と
異なるところは、膜の緻密化を図るためのイオン銃をさ
らにもう１つ追加した点であり、前述の真空蒸着装置と
同一部分には同一符号を付しその説明を省略する。
異なるところは、膜の緻密化を図るためのイオン銃をさ
らにもう１つ追加した点であり、前述の真空蒸着装置と
同一部分には同一符号を付しその説明を省略する。
【００３３】即ち、図２に示すように、真空チャンバ１
の下方には、基板にイオンビームを照射するイオン銃
９，１３が２つ設けられ、一方のイオン銃（第１イオン
銃）９は酸素イオンのイオンビームが照射されるように
ボンベ１１に酸素のみをいれると共に、他方のイオン銃
（第２イオン銃）１３はＫｒイオン又はＸｅイオンのイ
オンビームが照射されるようにボンベ１１にＫｒ又はＸ
ｅガスをいれるようにする。すなわち、ガスの種類に応
じてイオン銃９，１３を設けるようにする。これによ
り、酸素の導入量及びＫｒ又はＸｅの導入量を適確に制
御することができる。
の下方には、基板にイオンビームを照射するイオン銃
９，１３が２つ設けられ、一方のイオン銃（第１イオン
銃）９は酸素イオンのイオンビームが照射されるように
ボンベ１１に酸素のみをいれると共に、他方のイオン銃
（第２イオン銃）１３はＫｒイオン又はＸｅイオンのイ
オンビームが照射されるようにボンベ１１にＫｒ又はＸ
ｅガスをいれるようにする。すなわち、ガスの種類に応
じてイオン銃９，１３を設けるようにする。これによ
り、酸素の導入量及びＫｒ又はＸｅの導入量を適確に制
御することができる。
【００３４】次にこのイオン銃９，１３が２つある真空
蒸着装置を用いて石英系ガラス膜を製造する方法を説明
する。
蒸着装置を用いて石英系ガラス膜を製造する方法を説明
する。
【００３５】実施例３ まず、真空チャンバ１内の基板セット用ホルダ２に直径
３インチの石英基板を４０枚セットすると共に、原料ホ
ルダ６にＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 ＝97.8／2.2 （ｗｔ％）の
ガラス原料５をセットした後、チャンバ１内を所定の真
空度とした。次に、ガラス原料５に電子銃８からの電子
ビーム７を照射してガラス原料５を溶融加熱してその原
料５の蒸気を発生させ、これを基板に蒸着させる。成膜
時間は200minで、蒸着速度を５Å／sec とした。この蒸
着と共に、基板に第１イオン銃９により酸素イオンのイ
オンビームを、第２イオン銃１３によりＫｒイオンのイ
オンビームを、基板セット位置でのイオン電流密度がこ
の単独の測定でそれぞれ10μｍ／cm2 、25μｍ／cm2 に
なるように照射した。イオン銃９，１３より導入する酸
素の量を15cc／min 、Ｋｒの量を15cc／min とした。
３インチの石英基板を４０枚セットすると共に、原料ホ
ルダ６にＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 ＝97.8／2.2 （ｗｔ％）の
ガラス原料５をセットした後、チャンバ１内を所定の真
空度とした。次に、ガラス原料５に電子銃８からの電子
ビーム７を照射してガラス原料５を溶融加熱してその原
料５の蒸気を発生させ、これを基板に蒸着させる。成膜
時間は200minで、蒸着速度を５Å／sec とした。この蒸
着と共に、基板に第１イオン銃９により酸素イオンのイ
オンビームを、第２イオン銃１３によりＫｒイオンのイ
オンビームを、基板セット位置でのイオン電流密度がこ
の単独の測定でそれぞれ10μｍ／cm2 、25μｍ／cm2 に
なるように照射した。イオン銃９，１３より導入する酸
素の量を15cc／min 、Ｋｒの量を15cc／min とした。
【００３６】これによって、基板表面に得られたガラス
膜は膜厚 5.9μｍで、屈折率1.4670であった。なおこの
時、着色はみられなかった。次に、得られたガラス膜を
酸素雰囲気中、1150℃でアニールした結果、屈折率の変
化はみられず膜厚の変化は 0.2％であった。
膜は膜厚 5.9μｍで、屈折率1.4670であった。なおこの
時、着色はみられなかった。次に、得られたガラス膜を
酸素雰囲気中、1150℃でアニールした結果、屈折率の変
化はみられず膜厚の変化は 0.2％であった。
【００３７】実施例４ 本実施例ではイオン銃に導入する酸素の量を15cc／min
、Ｘｅの量を15cc／min として、そのほかの条件は実
施例３と同様に設定し成膜を行った。
、Ｘｅの量を15cc／min として、そのほかの条件は実
施例３と同様に設定し成膜を行った。
【００３８】その結果、得られたガラス膜は膜厚 6.0μ
ｍで、屈折率1.4670であった。なおこの時、着色はみら
れなかった。次に、得られたガラス膜を酸素雰囲気中、
1150℃でアニールした結果、屈折率の変化はみられず膜
厚の変化は 0.2％であった。
ｍで、屈折率1.4670であった。なおこの時、着色はみら
れなかった。次に、得られたガラス膜を酸素雰囲気中、
1150℃でアニールした結果、屈折率の変化はみられず膜
厚の変化は 0.2％であった。
【００３９】これら実施例３及び４の条件及び結果を表
２に示した。
２に示した。
【００４０】
【表２】
【００４１】従って、イオン銃によりイオン化し加速さ
れたガスを原料の付着した基板に照射し緻密化を行う
際、酸素に加え不活性ガスで酸素原子よりも質量が大き
なＫｒ又はＸｅを混合ガスとして用いることにより、膜
密度が上がりしかも酸素欠陥の少ない膜が得られ、蒸着
後熱プロセスによる屈折率変化、膜厚変化のきわめて少
ない石英系ガラス膜を製造することができる。
れたガスを原料の付着した基板に照射し緻密化を行う
際、酸素に加え不活性ガスで酸素原子よりも質量が大き
なＫｒ又はＸｅを混合ガスとして用いることにより、膜
密度が上がりしかも酸素欠陥の少ない膜が得られ、蒸着
後熱プロセスによる屈折率変化、膜厚変化のきわめて少
ない石英系ガラス膜を製造することができる。
【００４２】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、蒸着後熱
プロセスによる屈折率変化、着色、膜厚変化のきわめて
少ない石英系ガラス膜を製造できるという優れた効果を
奏する。
プロセスによる屈折率変化、着色、膜厚変化のきわめて
少ない石英系ガラス膜を製造できるという優れた効果を
奏する。
【図１】本発明の方法を実施するための真空蒸着装置の
一例を示した構成図である。
一例を示した構成図である。
【図２】本発明の方法を実施するための真空蒸着装置の
他の例を示した構成図である。
他の例を示した構成図である。
１ チャンバ ２ 基板セット用ホルダ ３ 基板ホルダ回転軸 ４ ヒータ ５ 原料 ６ 原料ホルダ ７ 電子ビーム ８ 電子銃 ９ イオン銃 １０ 流量コントローラ １１ ボンベ １２ ニュートラライザ １３ イオン銃
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 14/22 Ｃ２３Ｃ 14/22 Ｚ
Claims (7)
- 【請求項１】 真空チャンバ内に設置された基板の表面
にイオンビームを照射しながら石英系ガラスを蒸着させ
て石英系ガラス膜を製造する方法において、前記イオン
ビームが、酸素イオンとクリプトンイオン又はキセノン
イオンとからなることを特徴とする石英系ガラス膜の製
造方法。 - 【請求項２】 前記酸素イオンとクリプトンイオン又は
キセノンイオンとを別々のイオン銃から照射する請求項
１記載の製造方法。 - 【請求項３】 前記石英系ガラスが、二酸化珪素及び二
酸化チタンの混合原料であり、その二酸化チタンの組成
比が１〜９重量％である請求項１記載の製造方法。 - 【請求項４】 前記石英系ガラスが、二酸化珪素及び二
酸化ゲルマニュームの混合原料であると共に、その二酸
化ゲルマニュームの組成比が１〜15重量％である請求項
１記載の製造方法。 - 【請求項５】 前記基板が、石英基板又はＳｉＮ，Ｓｉ
Ｃなどの絶縁体の基板である請求項１記載の製造方法。 - 【請求項６】 前記基板が、シリコンなどの半導体基板
である請求項１記載の製造方法。 - 【請求項７】 前記基板が、タングステンなどの導体基
板である請求項１記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7147496A JPH08337435A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | 石英系ガラス膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7147496A JPH08337435A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | 石英系ガラス膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08337435A true JPH08337435A (ja) | 1996-12-24 |
Family
ID=15431705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7147496A Pending JPH08337435A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | 石英系ガラス膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08337435A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004505179A (ja) * | 2000-08-01 | 2004-02-19 | エシロール アテルナジオナール カンパニー ジェネラーレ デ オプティック | フッ素添加シリカ薄膜を付着させる方法 |
| KR100449570B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2004-09-22 | (주)인텍 | 진공도금장치 |
| JP2006013522A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージセンサー及びその製造方法 |
| US8384133B2 (en) | 2004-06-28 | 2013-02-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor comprising anti-reflection layer having high refractive index |
-
1995
- 1995-06-14 JP JP7147496A patent/JPH08337435A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004505179A (ja) * | 2000-08-01 | 2004-02-19 | エシロール アテルナジオナール カンパニー ジェネラーレ デ オプティック | フッ素添加シリカ薄膜を付着させる方法 |
| KR100449570B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2004-09-22 | (주)인텍 | 진공도금장치 |
| JP2006013522A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージセンサー及びその製造方法 |
| US8384133B2 (en) | 2004-06-28 | 2013-02-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor comprising anti-reflection layer having high refractive index |
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