JPH0790557A

JPH0790557A - 高品質膜の製膜装置

Info

Publication number: JPH0790557A
Application number: JP24160593A
Authority: JP
Inventors: Mikio Takehara; 幹夫竹原
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 1993-09-28
Filing date: 1993-09-28
Publication date: 1995-04-04

Abstract

(57)【要約】【構成】アノード電極２とは別に製膜用原料発生源を持
ち、製膜用原料発生源と基板との間を直線でむすんで形
成される空間と、プラズマの発生源１とアノード電極２
との間を直線でむすんで形成される空間とが一部を共有
するように配置された製膜装置。【効果】本発明の装置を用いて製膜された膜は、長期間
高温多湿の環境下に放置しても、電子線の照射を長時間
受けても光学的な性質がほとんど変化しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は製膜装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来の技術としては、通常の真空蒸着法
やスパッタ法が存在する。これら通常の真空蒸着法やス
パッタ法で作製された膜は多量の超微小空孔を含み、そ
のため屈折率もバルク（塊）に比べてかなり低く、また
加熱および雰囲気の湿度変化で膜の光学的性質が大幅に
変化するという欠点が存在した。その他にも、気体の透
過率やイオンの透過率がバルク（塊）本来の性質よりは
るかに透過しやすいので気体遮断性膜として用いる時に
も膜厚みが必要であった。

【０００３】また、特殊な方法ではあるが比較的高品質
な膜を作製する方法としては特公平４−７７０７２号公
報において述べているような方法が開示されている。し
かしこの方法には以下に述べるような大きな欠点が存在
し、実用的に安定して同じ性能の高品質膜を作製する上
では大きな問題が存在していた。その点について次に説
明する。

【０００４】特公平４−７７０７２号公報において述べ
ているような方法ではアノード電極として蒸着用物質の
るつぼを主として用い、補助的に真空槽の内壁へも極わ
ずかな電流が流れるようにしている。しかし、この方法
ではプラズマ発生器からの電流のほとんどはるつぼへ流
れ蒸着用物質の周辺へ分布する。しかもアノード位置が
決まっているのでプラズマの分布形状を最適な空間分布
にするのは困難である。すなわち電子流やプラズマ流の
密度はプラズマ発生器側に濃くなり、そのために支持体
（基板、サブストレート、SUBSTRATE ともいわれる）の
各位置ではその電子流やプラズマ流の密度の濃さによっ
て影響を受ける具合が違う。そのために膜質が違ってく
るという欠点がある。また電子流やプラズマ流のエネル
ギーがるつぼ内の蒸着用物質に加わり、そのために蒸着
用物質の蒸発速度が電子流やプラズマ流やイオン流など
と関係し、真空蒸着の制御性が悪くなる。

【０００５】それ以外にも、蒸着膜が絶縁性の物質なら
ば、製膜の進行と共に絶縁性の膜の付着した部分には電
流が流れなくなり、そのために電子流やプラズマ流の流
れ方が変わり、その密度分布が大きく変化する。そのた
め、支持体の各位置での膜質が大きく変化する。また、
電子流やプラズマ流の密度を空間の内で支持体に近い空
間で高密度にすることも難しいという欠点もある。これ
ら前記の欠点が存在するために高品質の膜を安定して製
膜することが前記従来技術では難しかった。

【０００６】また、製膜用原料を蒸発によって発生させ
る発生源がアノード電極と一体である上に真空槽容器と
は電気的に絶縁されているので、電気的アースを真空層
本体に接続した時には製膜用原料を蒸発によって発生さ
せる発生源が電気的に浮いた状態になり、電子ビーム加
熱の場合には高電圧がこの製膜用原料を蒸発によって発
生させる発生源にかかるので電気的短絡のような故障が
頻繁に起こりやすく問題があった。

【０００７】また、電気的アースを製膜用原料を蒸発に
よって発生させる発生源に接続した場合には、真空槽容
器を電気的に絶縁しなければならず、その絶縁のための
装置費用がかかる上に電気的に浮いた状態のために高電
圧がなんらかの理由でかかる可能性があり非常に危険で
あった。しかも、この場合でも電気的短絡のような故障
が頻繁に起こりやすく問題があった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術が有していた前述の欠点を解消しようとするもので
ある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、前述の問題点
を解決するべくなされたものであり、真空槽と真空を共
有する空間内にプラズマの発生源となる装置およびアノ
ード電極が配置されていて、そのアノード電極は真空槽
本体とは電気的に絶縁されている、基板上に薄膜を製膜
する装置において、アノード電極とは別に製膜用原料発
生源を持ち、該製膜用原料発生源はアノード電極とは電
気的に絶縁されているが真空槽本体とは電気的に導通し
ていて、しかも製膜用原料発生源と基板との間を直線で
むすんで形成される空間と、プラズマの発生源とアノー
ド電極との間を直線でむすんで形成される空間とが一部
を共有するように配置された装置を提供するものであ
る。

【００１０】図１に本発明の装置に概略図を示す。１は
プラズマ発生源、２はアノード電極、３はプラズマ発生
源の制御電極、４はプラズマ発生源と真空槽を電気的に
絶縁する絶縁体、５はアノード電極の電流導入端子を電
気的に絶縁する絶縁体、６は基板、７は電子銃（別名Ｅ
Ｂガンともいい、蒸着原料を加熱するための電子ビーム
を発生する）、８は蒸着用原料をいれるためのるつぼ
（本発明では真空槽と電気的に導通している）、９は蒸
着用原料、１０はアノード近くに配置された付加的磁
石、１１は基板の支持ホルダー、１２は真空槽、１３は
真空槽を排気するための管（図には示していないが排気
装置系へ接続される）、１４はアノード近くに配置され
た付加的磁石１０を内部に収納することができる水冷の
箱、１５はプラズマや電子やイオンの存在する空間（点
状で表現しているのがプラズマ等の存在を意味する）、
１６、１７および１８は磁石であり、１７は例えば鉢巻
状の電磁コイルなどである。

【００１１】本発明のプラズマ発生源１としては種々の
発生源が使用できる。例えばホローカソード法プラズマ
源などが一般的であるが、なかでもアーク放電を使用し
たプラズマ源が発生するプラズマや電子やイオンの量を
多くすることがたやすいので最も適している。一般的に
プラズマ発生源１に流す電流の量は１アンペアーから２
０００アンペアーの範囲が適している。この値は製膜速
度や膜種によって異なっており、一般的には製膜速度が
高い程電流量を多くし発生するプラズマや電子やイオン
の量を多くすることがよい。

【００１２】また、製膜される基板を支持する面積が広
い程多量の電流を流す必要があり、製膜原料の発生源か
ら基板までの距離が遠い程多量の電流を流す必要があ
る。すなわち、製膜装置の内容積が大きい程多量の電流
を流す必要がある。それらは、目的とする膜の種類と性
能にあわせて選べばよい。

【００１３】本発明ではアノード電極２とは別に製膜用
原料発生源を有しており、該製膜用原料発生源は蒸発法
もしくはスパッタ法によって原料が発生される。したが
って、プラズマ源が発生するプラズマや電子やイオンの
いずれの量をも製膜速度とは独立に制御することができ
るのでそれぞれの最適な値を決定することができる。ま
たアノード電極は真空槽とは電気的に絶縁されているの
で、アノードの形状および配置等を調整することによっ
て真空中のプラズマや電子やイオンの空間的な分布を調
整することによって製膜用支持体である基板の面内の膜
質分布を均一化したりすることができるので非常に優れ
ている。

【００１４】また、本発明では、製膜用原料発生源と基
板６との間を直線でむすんで形成される空間と、プラズ
マの発生源１とアノード電極２との間を直線でむすんで
形成される空間とが一部を共有するように配置されてお
り、特に、プラズマ発生源１とアノード電極２との間を
流れる電子流、イオン流およびプラズマ流から選ばれる
少なくとも１種が製膜用原料発生源と基体６との間の空
間を通過して流れるようにした場合は、電子流、イオン
流およびプラズマ流から選ばれる少なくとも１種と蒸発
中の製膜原料との相互作用が起こりやすいので、蒸発中
の粒子がこれら電子流、イオン流およびプラズマ流から
選ばれる少なくとも１種からエネルギーをもらい製膜が
行われる。

【００１５】また、製膜中の膜へのこれら電子流、イオ
ン流およびプラズマ流から選ばれる少なくとも１種の衝
突によるエネルギーの付与も行われるので、高いエネル
ギーをもった状態で膜の生成が進むと考えられる。もち
ろんイオンやプラズマや電子を基板側に引き寄せるため
に基板の支持体に電気的直流バイアスまたは交流バイア
ス（もちろんＲＦ（高周波）でもよい）を加えるとさら
によい。

【００１６】また、基板側に磁石１６、１７、１８を配
置することでイオンやプラズマや電子を基板側に引き寄
せることによって更に良い膜ができる。この場合の磁石
１６、１７、１８は、永久磁石でも電磁石でもよい。

【００１７】また、製膜用原料を蒸発によって発生させ
る発生源が真空槽容器と電気的に導通していてよいので
製膜用原料を蒸発によって発生させる発生源と真空槽容
器の両方ともにアースを接続し電気的アース電位にして
おけば簡単でかつ作業者に安全な装置に造れるので非常
に優れている。また、製膜用原料発生源と真空槽容器の
間での電気的短絡は起きない（元々導通があるので電位
差は存在しない。したがって、電気的短絡現象としての
アークがるつぼと真空槽容器との間で生じることは無
い。）。

【００１８】

【作用】電子流およびイオン流およびプラズマ流と蒸発
中の製膜原料との相互作用が空間中で起こり、蒸発中の
粒子がこれら電子流、イオン流およびプラズマ流から選
ばれる少なくとも１種からエネルギーをもらい、高いエ
ネルギー状態の粒子として蒸着粒子が基板に到達し製膜
が行われると考えられる。

【００１９】また製膜中の膜へのこれら電子流、イオン
流およびプラズマ流から選ばれる少なくとも１種の衝突
によるエネルギーの付与も行われると考えられる。した
がって製膜中の膜温度は通常の蒸着中よりはるかに高い
温度と考えられるので膜中の気体原子や気体分子は膜外
へ飛んで行き、微細な空孔の比較的少ない緻密な膜がで
きると考えられる。

【００２０】また膜種によっては結晶化が進み高温度で
の安定な結晶型が生成されると考えられる。このよう
に、本発明の電子流、イオン流およびプラズマ流から選
ばれる少なくとも１種は、膜にエネルギーを付与するこ
とに関し直接的に働くことで膜質を良くする効果がある
と考えられる。膜のエネルギーは短時間で基板へ流れる
がその総エネルギー量は比較的に基板の質量に比較して
少ないので基板の温度は膜の温度に比べてそれほど上が
らないと考えられる。

【００２１】本発明では真空槽の容器とアノード電極が
電気的に絶縁されており、かつ、アノード電極の位置と
形状は目的に応じて自由に変えることが可能であるの
で、電子流、プラズマ流およびイオン流から選ばれる少
なくとも１種を、アノード位置と形状によって制御する
ことが可能となる。

【００２２】これに対して、従来の技術の例である特公
平４−７７０７２号公報において述べているような方法
において蒸着原料をいれるためのるつぼと真空槽容器と
の間の一定値の抵抗を介して絶縁されているが、その装
置において一定値の抵抗代わりに絶縁をとりはらい電気
的導通をとった状態がアノード電極と真空槽の容器を導
通状態にしているのと等しいので、この場合は真空槽容
器そのものがアノード電極の役割をし、電子流やプラズ
マ流やイオン流がアノード位置や形状によって制御され
ず、むしろ実質的なアノード面積の大部分をしめる真空
槽容器そのものの方へ流れ、電子流やプラズマ流やイオ
ン流によるこれら粒子の分布密度は真空容器の形状等に
より支配される。

【００２３】真空槽の容器の形状は通常はアノード電極
としての役割を考えずに決定されているので最適の空間
形状をしていない。しかし本発明ではアノード電極と真
空槽容器は電気的に絶縁されているので最適な電子流や
プラズマ流やイオン流の分布密度になるようにアノード
の空間的形状と配置を適正化するだけでよい。

【００２４】このようにアノードの形状や配置だけで調
節することで非常に高品質な膜を製膜（成膜）すること
ができる。この高品質な特性の例としては、緻密性（超
微細な空孔が通常の蒸着膜やスパッタ膜よりはるかに小
さくて少ない。すなわち、より塊（バルク）の物質に近
い構造の膜）、高屈折率性、耐熱性などが向上する。ま
た、本発明の膜は、湿度状態に影響を受けない、雰囲気
の影響を受けない、ガスを透過しにくい（ガス遮断
性）、イオンを透過しにくい（イオン遮断性やアルカリ
遮断性）という特性を有する。

【００２５】さらに、本発明の装置により、結晶質の
膜、あるいは高温において好ましい相状態の膜（結晶の
場合は高温で安定な結晶系等）が得られる。また本発明
の膜は光学的な安定性が各種の環境状態で優れている。
また、本発明の膜は成膜の条件を制御することで膜の内
部応力を少なくすることができるので平坦度を維持する
のが容易であるという優れた特徴もある。

【００２６】本発明の膜は耐擦傷性が優れており、耐摩
耗性も優れている。この理由として考えられることは、
第一に膜の構造が従来の蒸着膜に比べてはるかに緻密な
ために塊（バルク）の同種の材質と同様の性質を持つこ
とが考えられる。また、基板の界面が電子やプラズマや
イオンの衝突を受けることで付着物や吸着分子などを取
り去るという効果があり、この界面における付着力が大
幅に向上する。また同様に異種膜の界面の付着力が向上
する。特に好ましくは、膜の内部応力が低い条件で成膜
することである。

【００２７】

【実施例】本発明は種々の実施態様で実施することがで
きる。これら実施態様の一つとして本発明の方法を実施
できる装置として概略的に図に示したものとして図１に
示す。本発明における膜種はその膜が真空蒸着もしくは
スパッタ成膜が可能ならば殆どどんな膜の種類において
も通常の蒸着法や通常のスパッタ法で成膜するよりも高
品質な膜を本発明では作り出すことができるが、代表例
として低屈折膜種としてＳｉＯ₂ 、高屈折率膜種として
ＴｉＯ₂ とＴａ₂ Ｏ₅ 、中屈折膜種としてＡｌ₂ Ｏ₃ を
用いた実施例を示す。

【００２８】膜の光学的安定性を明確にしやすいように
第一にバンドパスフィルターとしてＦａｂｒｙ−Ｐｅｒ
ｏｔｆｉｌｔｅｒタイプの光学多層膜での実施例を示
す。このタイプのバンドパスフィルターのバンド中心値
（または透過のバンド域での極大値）の変化を測定する
ことでその試験に対する膜の光学的安定性を評価するこ
とができる。

【００２９】［実施例１］１）アーク放電プラズマ源よりプラズマを発生させ、真
空槽内に設置したアノード電極に電子流およびプラズマ
やイオンや電子等の密度を真空槽内で高める。この時カ
ソード電流は１２０Ａで電圧は８０Ｖで行った。２）次
にこの真空槽内で別の電子ビーム発生源から出した電子
ビームで原料を加熱し一定時間溶融し脱ガスを行う。こ
の時シャッターは閉じている。３）一定時間が経過した
後に、所定の蒸発物質が製膜できるようにシャッターを
開き、製膜が開始される。光学的な膜厚み（光路長＝
（屈折率Ｘ幾何学的長さ））は光学的膜厚み測定機で観
測し、所定の光路長の厚みに膜が製膜されたらシャッタ
ーは閉じて、次の膜種の層の製膜に移行する。

【００３０】このようにして、順序良く製膜を設計どう
りに行う。この結果、設計どうりの多層膜を製膜する。
この時、この多層膜には全膜種とも本発明の膜種で成膜
された多層膜である。次に、この多層膜について加熱テ
ストを実施する前に光学的透過および反射のスペクトル
を測定しておく。これだけの準備を行った後所定の温度
の電気炉の中へ置き所定の時間加熱を行った後取り出し
て冷却を行う。充分室温と同じ温度になったら加熱前と
同様に光学的透過および反射のスペクトルを測定する。
実施例１における多層膜の構成は次のとうりである。

【００３１】多層膜Ａ：ガラス／（（λ/4厚のTa₂O₅)/
(λ/4厚のSiO₂) ）４回繰り返し／（λ/2厚のTa₂O₅ ）
／（（λ/4厚のTa₂O₅)/(λ/4厚のSiO₂) ）４回繰り返し λは、波長を意味する。中間層（第９層）のTa₂O₅ 層の
みλ/2厚の膜厚みとし、それ以外の Ta₂O₅およびSiO₂は
各層ともλ/4厚の膜厚みととする。この時中心波長（基
準の波長）は550nm の波長とする。この多層膜の透過ス
ペクトルは図２のような波長特性（スペクトル）であ
り、この時の透過ピークの極大波長の値が加熱の前後で
どのくらい変化するかを測定し、その変化量を透過ピー
クの極大波長の値で割った値の大きさで波長シフト量を
判定する。もっとも理想的な光学的安定な多層膜ではこ
の値が０であるが、実際に製作された多層膜は各層の膜
の光学的な厚み（＝光路長＝屈折率と膜厚との積）がわ
ずかに変化することでこの極大値がほんの少し変化する
ことになり通常は０では無い。

【００３２】実施例１の多層膜Ａの成膜においては、基
板の加熱は特に行わなかった。この多層膜は550nm の付
近に非常に半値幅の狭い透過バンドが存在し、その透過
光のピーク波長（極大波長値）の変化で光学的性質の安
定性が判定できる。加熱を加えた後の室温でのその透過
光のピーク波長（極大波長値）の再測定値を表１に示
す。

【００３３】

【表１】

【００３４】［比較例１］通常の製膜法である電子ビー
ム蒸着法（ＥＢ法）により成膜した多層膜Ｂを成膜時の
基板温度が２００℃で作成する。膜の種類と光学的構成
は多層膜Ａと同じである。また、屈折率は多層膜Ａより
各層とも低いと推定される。比較例である多層膜Ｂの評
価結果を表２に示す。

【００３５】

【表２】

【００３６】［比較例２］高屈折率膜種のTa₂O₅ の代わ
りにTiO₂を用いた点を除いて比較例１の多層膜Ｂと同じ
多層膜Ｃを通常のＥＢ法により成膜した。評価結果を表
３に示す。

【００３７】

【表３】

【００３８】［実施例２］実施例１と同様の手順で以下
に述べる多層膜Ｄを成膜する。

【００３９】多層膜Ｄは、ガラス／(Al₂O₃) ／(Ta₂O₅)
／((SiO₂)/(Ta₂O₅))６回繰り返し／(Al₂O₃) ／(Ta₂O₅)
であり、SiO₂およびTa₂O₅ は本発明の膜である。また、
多層膜Ｄの設計値は表４のとうりである。

【００４０】

【表４】

【００４１】この多層膜の反射光のスペクトルを図３に
示す。次に、この多層膜を７００℃の電気炉中に１０時
間放置しする。その後、電気炉を冷却しこの多層膜を取
り出し反射光のスペクトルを再度測定する。結果、加熱
の前後に測定したスペクトルは一致し、その変化は測定
誤差１ｎｍの範囲内であった。

【００４２】［比較例３］実施例２の多層膜Ｄと同じ光
路長（光学的膜厚）の多層膜ＥをＥＢ法で製膜する。そ
の後、実施例２と同様の手順で加熱テストを行った後加
熱の前後に測定したスペクトルを比較し変化の有無をし
らべる。その結果を図４に示す。図４より明らかなよう
に加熱の前後反射光スペクトルは変化していた。

【００４３】［実施例３］実施例１の多層膜Ａと同じ方
法で同じ膜を作る。この膜を温度８０℃湿度９５％の恒
温恒湿槽中に２４時間放置した後に取り出してすぐにバ
ンドパスフィルターの透過光極大波長を測定する。次に
湿度０％の乾燥窒素ガスの中に２４時間放置した後に取
り出してすぐにバンドパスフィルターの透過光極大波長
を測定する。その結果、温度８０℃湿度９５％雰囲気に
放置後の透過光極大波長は５５０ｎｍであり、湿度０％
の乾燥窒素ガス雰囲気に放置後の透過光極大波長は５５
０ｎｍであり、変化率は０％であった。

【００４４】［比較例４］実施例１の多層膜Ａと同じ膜
構成（膜設計）の多層膜を通常のＥＢ法で成膜し、実施
例３同様に評価した。この多層膜は比較例１の多層膜Ｂ
と同じである。

【００４５】その結果、温度８０℃湿度９５％雰囲気に
放置後の透過光極大波長は５６７ｎｍであり、湿度０％
の乾燥窒素ガス雰囲気に放置後の透過光極大波長は５５
４ｎｍであり、変化率は２．３％であった。実施例３と
比較例４をくらべてみれば本発明の方法の膜が通常の蒸
着膜よりはるかに温度や湿度の変化に対して安定性で優
れていることがわかる。

【００４６】

【発明の効果】本発明による装置を用いて製膜された膜
は、光学的性質の安定性が優れており、数百℃から千℃
の高温度で加熱されても光学的な性質がほとんど変化せ
ず、また湿度が０％から１００％の間で変化しても光学
的な性質がほとんど変化しない。長期間高温多湿の環境
下に放置しても光学的な性質がほとんど変化しない。ま
た、電子線の照射を長時間受けても光学的な性質がほと
んど変化しない。その他、酸やアルカリ溶液に侵されに
くくなり、水蒸気や各種ガスをほとんど透過せずガスバ
リヤー性の膜としての性能が優れている。

【００４７】本発明による膜を使用したラミネートフィ
ルムは包装用フィルムとして優れている。またイオンの
遮断性膜としても優れており、特にアルカリ遮断性の膜
として優れている。アルカリ成分を含むガラス等の表面
にコーテイングすることで無アルカリガラスと同様の用
途に用いることができるという効果がある。また、結晶
性の誘電体膜を本発明の方法で性膜すると結晶方位を制
御できてしかも非常に緻密なために耐電圧が高く、また
誘電率も高いのでＩＣのコンデンサーとして有用であり
メモリー用として有用である。

【００４８】また、本発明による膜は製膜の条件を制御
することで膜の内部応力を少なくすることができるので
平坦度を維持するのが容易であるという優れた特徴もあ
る。さらに、本発明の膜は耐擦傷性が優れており、耐摩
耗性も優れている。また、膜の付着力なども通常の蒸着
膜より優れている。

【００４９】本発明の膜は各種製品や装置や部品等とし
て有用である。例えば、投射型ブラウン管に使用するダ
イクロイックフィルター、ＩＡＲＣ膜（投射管型ブラウ
ン管のパネルの内面に多層膜で成膜されたダイクロイッ
クフィルター）、アルカリ成分を含むガラスの表面への
アルカリ遮断膜、プラスチック内部からの成分のしみ出
しを防止する保護膜、プラスチック内部への成分の侵入
を防止する保護膜、液晶タイプの投射型テレビのダイク
ロイックミラーやダイクロイックフィルター（なお、ダ
イクロイックという意味は「色を分解するための」とい
う意味を含んでいる。）、ハロゲンランプやメタルハラ
イドランプのバルブ面の紫外線反射膜または赤外線（遠
赤外線を含む）反射膜または可視光透過膜（コールドフ
ィルターとも言う）などを挙げることができる。

【００５０】また、ハロゲンランプやメタルハライドラ
ンプのバルブの外側に設置する紫外線反射膜または赤外
線（遠赤外線を含む）反射膜または可視光透過膜、ハロ
ゲンランプやメタルハライドランプの集光反射鏡（コー
ルドミラー）、あるいは、ハロゲンランプやメタルハラ
イドランプの紫外線カットフィルターやミラーなども挙
げることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る成膜装置の概略図

【図２】多層膜Ａの透過スペクトルの測定曲線を示した
図

【図３】実施例２に係る反射スペクトルの測定曲線を示
した図

【図４】比較例３に係る反射スペクトルの測定曲線を示
した図

【符号の説明】

１：プラズマ発生源２：アノード電極３：プラズマ発生源の制御電極４：プラズマ発生源と真空槽を電気的に絶縁する絶縁体５：アノード電極の電流導入端子を電気的に絶縁する絶
縁体６：基板７：電子銃８：蒸着用原料をいれるためのるつぼ９：蒸着用原料１０：アノード近くに配置された付加的磁石１１：基板の支持ホルダー１２：真空槽１３：真空槽を排気するための管１４：アノード近くに配置された付加的磁石１０を内部
に収納することができる水冷の箱１５：プラズマや電子やイオンの存在する空間１６：磁石１７：磁石１８：磁石

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空槽と真空を共有する空間内にプラズマ
の発生源となる装置およびアノード電極が配置されてい
て、そのアノード電極は真空槽本体とは電気的に絶縁さ
れている、基板上に薄膜を製膜する装置において、アノ
ード電極とは別に製膜用原料発生源を持ち、該製膜用原
料発生源はアノード電極とは電気的に絶縁されているが
真空槽本体とは電気的に導通していて、しかも製膜用原
料発生源と基板との間を直線でむすんで形成される空間
と、プラズマの発生源とアノード電極との間を直線でむ
すんで形成される空間とが一部を共有するように配置さ
れた装置。
【請求項２】プラズマの発生源となる装置がアーク放電
によって電子流を発生させ、それによってプラズマ生成
するという方法の発生源装置であることを特徴とする請
求項１の装置。
【請求項３】プラズマ発生源とアノードとの間を流れる
電子流、イオン流およびプラズマ流から選ばれる少なく
とも１つが、製膜用原料発生源と基板との間の空間を通
過して流れることを特徴とする請求項１または２の装
置。
【請求項４】基板側に磁石が配置されたことを特徴とす
る請求項１〜３いずれか１項の装置。