JPS5917501A - 真空蒸着装置 - Google Patents

真空蒸着装置

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Publication number
JPS5917501A
JPS5917501A JP57126301A JP12630182A JPS5917501A JP S5917501 A JPS5917501 A JP S5917501A JP 57126301 A JP57126301 A JP 57126301A JP 12630182 A JP12630182 A JP 12630182A JP S5917501 A JPS5917501 A JP S5917501A
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JP
Japan
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shutter
substrate
deposited
evaporation
thickness
Prior art date
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JP57126301A
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English (en)
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JPS6313161B2 (ja
Inventor
Satoshi Kusaka
日下 敏
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5917501A publication Critical patent/JPS5917501A/ja
Publication of JPS6313161B2 publication Critical patent/JPS6313161B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (a)  発明の技術分野 本発明は光通信機器などに必要な無反射コート。
カプラ膜、フィルタなどの光学膜の形成方法に係る。
(b)  技術の背景 光通信に使用する反射防止9分岐、結合1分波器などの
素子には基板面に誘電体膜による無反射コート、カブ力
糺 フィルタなどを形成することが必要であり、このn
電体による光学膜の厚さが均一であることが性能lこ大
きく影響する。屈折率の異なる誘電体を数十層積層した
多層光学膜を必要とする帯域通過フィルタに訃いては、
特にそれぞれの光学薄膜の膜厚が均一であることが重要
である。
(c)  従来技術と問題点 第1図の(イ)は従来の光学膜形成に使用する真空蒸着
装置の構成図、(ロ)は(イ)のものを用いて光学膜を
形成した基板の平面図である。
第1図の(イ月こおいて、1は円筒形の真空槽で、図示
してない排気系により、内部は所望の高真空に保持され
ている。真空槽lの下部には例えば銅よりなる円板状の
るつぼ6が、上面が水平に設置されている。るつぼ6の
上面の四部には蒸着する誘電体(例えば5iOz−A1
20m、 TiO宜など)の蒸発源7が収容されている
。また真空槽1の下部には電子ビーム発生装置fi2が
設置され、円弧状の電子ビーム2′を蒸発源7に照射し
て蒸発源7を加熱し蒸発させるようになっている。
3は光学素子の基板(例えば光学ガラス)であって、真
空槽lの上部に光学膜4を形成する面がるつぼ6に対向
して装着されるようになっている。
るつぼ6と基板3との中間には、バタフライ形の金属板
よりなるシャッタ5が装置されている。
シャッタ5は、倒すとるつぼ60面にほぼ並行となって
、蒸発源7から蒸発した蒸着流の流れを阻止して、基板
3に蒸着しないようになっており、起こすと、るつぼ6
の面にほぼ直交する。したがって蒸着流は基板3の面に
到達して凝結し、所望の光学膜が基板30面に形成され
る。このようにシャッタ5は蒸着時間の制御に使用する
ほかに、蒸発源7を予備加熱してガス放出を行なわせる
時に、放出された不純物ガスが基板3にあたり基板面が
汚染されるのを防止する役割をもっている。
しかし乍ら、蒸着流は基板3方向に円錐状に拡がって流
れるものである。したがって一部のシャッタ5方向に進
んだ蒸着流は7ヤツタ5によって乱されて、進行方向を
、反射光の如く変更し、シャッタ5よりも遠い基板3の
面に蒸着する。このことにより基板30面に形成された
光学膜4oは(ロ)の如くに、膜厚の厚い中心部が基板
面の中心よりずれる。したがって、基板面のシャッタ5
側は薄く、ンヤッタ5とは反対側は厚いという、膜厚分
布が不揃いで均一性を欠くという問題点のめる光学膜が
形成される。
なお、膜厚の等4線が同心円状になるのは、蒸着速度は
蒸発源の加熱温度と、蒸発源と基板面との距離によっC
はぼ決まるからである。
(山 発明の目的 本発明の目的は、上記従来の問題点が除去され、膜厚分
布の偏心およびバラツキのない光学膜の形成方法を提供
することにある。
(e)  発明の構成 この目的を達成するために本発明は、真空蒸着装置のバ
タフライ形シャッタに対応して金属板よりなる側板を設
け、該シャッタにより生ずる蒸気流の乱れを該側板によ
り整流して基板面に蒸着する光学膜の膜厚を均一化する
ようにしたものである。
(f)  発明の実施例 以下図示実施例を参照して本発明について詳細3− に説明する。
第2図の(イ)は本発明による真空蒸着装置の構成図、
(ロ)は光学膜が形成された基板の子面図である。
なお全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
第2図(イ)において、真空槽1の下部に設置されたる
つぼ8は、垂直軸を軸心として回転可能であって、上面
には、同心同上に複数個の四部が設けられ、そJ″Lぞ
nの四部には異なる誘電体よりなる蒸発fJX9(例え
ばT10!バ蒸発源10(例えば5ift)が収容され
ている。電子ビーム発生装置tIL2より電子ビーム2
′が円弧状に、るつぼ9の所定の位置に照射される。電
子ビーム2′の照射位置の直上に基板面の中心がなる如
くに基板(例えば光学ガラス)3が装置されうるように
なっている。11は金属板(例えば銅板)より側板で、
シャッタ5が開状態の時に対向するごとくに真空槽lの
内部に固着されている。
このようをこ蒸着装置を構成せしめて、蒸発源(図では
蒸発源9)を選択して、るつぼ8を回転して、電子ビー
ム2′の照射位置に移動せしめて、電4− 子ビーム2′を照射して加熱する。基板30基板面に蒸
着する光学薄膜の膜厚はシャッタ5の開閉により制御す
る。所望の光学薄膜が形成されたら、シャッタ5を閉じ
て、るつぼ8を回転してつぎの蒸発源の光学薄膜を先の
光学薄膜に重ねて蒸着する。これを繰返して所望の光学
膜41を基板3の基板面に形成せしめる。
蒸発源が加熱され蒸発した蒸気流の一部はシャッタ5に
よって、進行方向を反射光のクロく変更しシャッタ5よ
りも遠い基板面に蒸着するが、一方側板11方向に進行
した蒸気流も側板11によって進行方向を変更し、シャ
ッタ5に近い基板面に蒸着するので、相殺されて、第2
図(ロ)に示すごとくに、形成される光学薄膜は基板向
の中心部が厚く四方にいくにつれて、均一に滑らかに薄
い同心円状となる。
なお本特許晴求の発明者は、このようにして、Tie、
の光学薄膜が従来は、中心部厚さc+ooXでバラツキ
80Aであり几もの中心部厚さ100OXでバラツキ4
0Xの良好な結果を得ている。
なお本実施例は側板がシャッタに対向した平面板である
が、平面板と1±限らずシャッタ5に対応して3万面に
設置して、平面視でシャッタと側板のなす正方形の中心
に蒸発源がくるようにしても良い。
(g)  発明の詳細 な説明したようiこ本発明は、個々の光学薄膜の膜厚分
布の偏心がなく、また膜厚のバラツキが小さいことによ
り、積1mされた光学膜も偏心がなく、膜厚のバッツ干
が小さい高性能のものが得られる光学膜の形成方法であ
って、特に数十層の多/#光学膜を必要とする帯域通過
フィルタの製造が可能となり、また低域通過、高域通過
フィルタの妻止りが向上するなど実用土ですぐれた効果
がある0
【図面の簡単な説明】
第1図の(イ)は従来の光学膜形成(こ使用する真空蒸
着装置の構成図、(ロ)は(イ)のものを用いて光学膜
を形成した基板の平面図、第2図の(イ)は本発明によ
る真空蒸着装置の一例の構成図、(ロ)は光学膜を形成
した基板の平面図である。 図中1は真空槽、2は電子ビーム発生装置、2′は電子
ビーム、3は基板+40+41は光学膜、5はシャッタ
、6.8はるつぼ、7,9.10は蒸発源、iiは側板
を示す。 一7= 第 1 図 (A) (ロ) τ 8− 第 2 図 (イ) (Uン

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 真空蒸着装置のバタフライ形シャッタの開状態に対応し
    て側板を設け、該シャッタにより生ずる蒸気流の乱れを
    該側板により整流して基板面に蒸着する光学膜の膜厚の
    分布状態を均一化することを特徴とする光学膜の形成方
    法。
JP57126301A 1982-07-20 1982-07-20 真空蒸着装置 Granted JPS5917501A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57126301A JPS5917501A (ja) 1982-07-20 1982-07-20 真空蒸着装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57126301A JPS5917501A (ja) 1982-07-20 1982-07-20 真空蒸着装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5917501A true JPS5917501A (ja) 1984-01-28
JPS6313161B2 JPS6313161B2 (ja) 1988-03-24

Family

ID=14931810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57126301A Granted JPS5917501A (ja) 1982-07-20 1982-07-20 真空蒸着装置

Country Status (1)

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JP (1) JPS5917501A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006090852A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006090852A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法

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JPS6313161B2 (ja) 1988-03-24

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