JPS5852476A - 真空蒸着法 - Google Patents
真空蒸着法Info
- Publication number
- JPS5852476A JPS5852476A JP15100881A JP15100881A JPS5852476A JP S5852476 A JPS5852476 A JP S5852476A JP 15100881 A JP15100881 A JP 15100881A JP 15100881 A JP15100881 A JP 15100881A JP S5852476 A JPS5852476 A JP S5852476A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporation
- vacuum
- evaporated
- shielding plate
- deposited
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/10—Glass or silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5846—Reactive treatment
- C23C14/5853—Oxidation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空蒸Ｎ膜の作成方法に関する。
真空蒸着膜の作成において、Ｍ％の制御をおこなう手段
として、従来、蒸発源の加熱温度の制御、及び蒸発源と
基板との間に設けた町動遁蔽板（シャッタ）の移動が用
いられているＯ ところが、複雑な組成の蒸着層、多層構成駅等を得るた
めには、前記蒸発源の加熱及びシャッタの移動を複雑か
つ自由に制御する必要があり、これを実行するためには
制御装置及び駆動機構が非常に複雑となり、したがって
真空蒸着装置が高価になるという問題があった〇 木兄＃４は前記の問題を解決するため罠なされたもので
ＩＣ１複雑な組成の蒸着層を容易に作成することのでき
る真空蒸着法を提供することを目的とする。
として、従来、蒸発源の加熱温度の制御、及び蒸発源と
基板との間に設けた町動遁蔽板（シャッタ）の移動が用
いられているＯ ところが、複雑な組成の蒸着層、多層構成駅等を得るた
めには、前記蒸発源の加熱及びシャッタの移動を複雑か
つ自由に制御する必要があり、これを実行するためには
制御装置及び駆動機構が非常に複雑となり、したがって
真空蒸着装置が高価になるという問題があった〇 木兄＃４は前記の問題を解決するため罠なされたもので
ＩＣ１複雑な組成の蒸着層を容易に作成することのでき
る真空蒸着法を提供することを目的とする。
すなわち、本発明においては、蒸発源の加熱温度の複雑
な制御を％に必要とせず、開口部を有する遮蔽板を回転
させ、主として遮蔽板の開口部の形状と遮蔽板の回転速
度を制御するのみで、複雑な組成の蒸着層を容易に作成
できるようにしたものである。
な制御を％に必要とせず、開口部を有する遮蔽板を回転
させ、主として遮蔽板の開口部の形状と遮蔽板の回転速
度を制御するのみで、複雑な組成の蒸着層を容易に作成
できるようにしたものである。
以下、図に示す実施例によｐ本発明の賛旨を具体的に説
明する。
明する。
第１図は本発明の方法を、−酸化シリコンＳｉＯを誘電
体とするコンデンサの作成に適用した例を示す。図にお
いて１は電極としてＡｕの蒸着ｆ施した基板、２は回転
する遮蔽板、３は！！蔽根板２同転中心に対し９０度の
範Ｈに設けられた開口部、４ ＦｉＳ ｉ Ｏを蒸発さ
せるボートである。基板１、遮蔽板２及びボート４を３
Ｘ１０ ”Ｔｏｒｒの真空槽内に設置し８ｉ０の蒸着
速度が２０Ａ／ｓｅｃとなるようにボート４を加熱する
。なお、ボート４は遮蔽板２が回転するとき開口ｓ３が
ボート４の上を通るようにｒりる０遮蔽板２は約１２Ｏ
ｒｐｍの速ζで回転させる。基板ｌに１μの厚１ｏ８ｉ
０を蒸着したのち、その上に一部の電極としてＡｕ膜を
設ける。
体とするコンデンサの作成に適用した例を示す。図にお
いて１は電極としてＡｕの蒸着ｆ施した基板、２は回転
する遮蔽板、３は！！蔽根板２同転中心に対し９０度の
範Ｈに設けられた開口部、４ ＦｉＳ ｉ Ｏを蒸発さ
せるボートである。基板１、遮蔽板２及びボート４を３
Ｘ１０ ”Ｔｏｒｒの真空槽内に設置し８ｉ０の蒸着
速度が２０Ａ／ｓｅｃとなるようにボート４を加熱する
。なお、ボート４は遮蔽板２が回転するとき開口ｓ３が
ボート４の上を通るようにｒりる０遮蔽板２は約１２Ｏ
ｒｐｍの速ζで回転させる。基板ｌに１μの厚１ｏ８ｉ
０を蒸着したのち、その上に一部の電極としてＡｕ膜を
設ける。
このような方法によると、８１０の蒸着は遮蔽板ｏ１／
４１ｉ４にのみおこなわれ、従って実効蒸着速りは５
Ａ／ ｓ ｅ ｃとなり、遮蔽板の３ｉ４回転中には、
先に基板１に蒸着された蒸着層のうちの遊離したＳｔは
真空中の残留酸素を吸着して純度の高いＳｉｎ膜が形成
され、したがって絶縁性のすぐれたコンデンサが得られ
る。
４１ｉ４にのみおこなわれ、従って実効蒸着速りは５
Ａ／ ｓ ｅ ｃとなり、遮蔽板の３ｉ４回転中には、
先に基板１に蒸着された蒸着層のうちの遊離したＳｔは
真空中の残留酸素を吸着して純度の高いＳｉｎ膜が形成
され、したがって絶縁性のすぐれたコンデンサが得られ
る。
本実施例によって得られたコンデンサの絶縁破壊強度は
１５Ｘ１０″Ｖ／ｃｍであったＯこれに対し、２０Ａ／
ｓｅｃ及び５Ｘ／ｓｅｃの速ざで連続蒸着して第２図は
本発明の第２の実施例であり、酸化ミリコンＳｉｎ、と
酸化チタンＴｉｅ、の多層膜光へ４フイルタの作成に適
用した例を示す。図においはガラス基板、２は間欠的に
回転する遮蔽板、は遮蔽板２の一部に設けられた開口部
、〆゛□ユ １０゜を蒸発させる第１のボート、７はｌ
’ｉ（Ｊ、Ｊ填晃させる第２のボートである。以上を１
０ ”Ｔ：ｏｒｒＱｒ槽内に置き、Ｓｉｎ、の蒸着速
度が２０Ａ／ｓｅｃ。
１５Ｘ１０″Ｖ／ｃｍであったＯこれに対し、２０Ａ／
ｓｅｃ及び５Ｘ／ｓｅｃの速ざで連続蒸着して第２図は
本発明の第２の実施例であり、酸化ミリコンＳｉｎ、と
酸化チタンＴｉｅ、の多層膜光へ４フイルタの作成に適
用した例を示す。図においはガラス基板、２は間欠的に
回転する遮蔽板、は遮蔽板２の一部に設けられた開口部
、〆゛□ユ １０゜を蒸発させる第１のボート、７はｌ
’ｉ（Ｊ、Ｊ填晃させる第２のボートである。以上を１
０ ”Ｔ：ｏｒｒＱｒ槽内に置き、Ｓｉｎ、の蒸着速
度が２０Ａ／ｓｅｃ。
Ｔｉｅ、の蒸着速度が１０Ａ／ ｓｅｃとなるようにボ
ード６及びボード７を加熱する。遮蔽盤２を回転させ開
口部３を第１のボート６の上に合わせ、ガラス基板１の
上に８１０．を１４０ＯＡ蒸着する。次に遮蔽板２を回
転させ開口部３を第２のボート７の上に合わせ、基板１
の先に蒸着したｓｉｏ、の上Ｋ。
ード６及びボード７を加熱する。遮蔽盤２を回転させ開
口部３を第１のボート６の上に合わせ、ガラス基板１の
上に８１０．を１４０ＯＡ蒸着する。次に遮蔽板２を回
転させ開口部３を第２のボート７の上に合わせ、基板１
の先に蒸着したｓｉｏ、の上Ｋ。
Ｔ ｉ Ｏｓ ’（ｒ ７００Ａ蒸着する。同様にして
８ｉ０．とＴ ｉ Ｏ，を又互に１４０ＯＡと７００Ａ
ずつ、合わせて２０層を蒸着する。
８ｉ０．とＴ ｉ Ｏ，を又互に１４０ＯＡと７００Ａ
ずつ、合わせて２０層を蒸着する。
このような方法によって、中心波長８０００Ａ。
半値幅１５００Ａのすぐれた光学フィルタが得られた０
第３図に本発明の第３の実施例であり、酸化シリコン８
ｉ０．反射防止膜の作成に適用した例を示す。図におい
て８は三硫化砒素ガラスを用いた基板、２６回転する遮
蔽板、９は遮蔽板２の回転中心に対しは輩全周にわたり
て設けられ、半径方向の幅が連続的に変化する開口部、
１０はＳ ｉ Ｏ，を蒸発させるボートである０以上を
真空槽中に置き、遮蔽板２の開口部９の半径方向の幅が
最も大きい部分をボート１０の上に合わせ、８ｉ０．の
蒸着速度が３ＯＡ／ｓｅｃとなるようにボート１０を加
熱し、開口部９０半径方向の幅が減少する方向（Ｉ！！
！ｌ示の矢印の方向ンに遮蔽板２を１／′２ｒｐｍの速
度で回転させながら基板８の上に８１０．を蒸着し、約
１５０ＯＡの蒸着膜を形成する。
ｉ０．反射防止膜の作成に適用した例を示す。図におい
て８は三硫化砒素ガラスを用いた基板、２６回転する遮
蔽板、９は遮蔽板２の回転中心に対しは輩全周にわたり
て設けられ、半径方向の幅が連続的に変化する開口部、
１０はＳ ｉ Ｏ，を蒸発させるボートである０以上を
真空槽中に置き、遮蔽板２の開口部９の半径方向の幅が
最も大きい部分をボート１０の上に合わせ、８ｉ０．の
蒸着速度が３ＯＡ／ｓｅｃとなるようにボート１０を加
熱し、開口部９０半径方向の幅が減少する方向（Ｉ！！
！ｌ示の矢印の方向ンに遮蔽板２を１／′２ｒｐｍの速
度で回転させながら基板８の上に８１０．を蒸着し、約
１５０ＯＡの蒸着膜を形成する。
このような方法によって得られた５ｉＯ１ｌｌの屈折率
は基板２に接する所で最も大きく、表面にむかって次第
に減少する。このため分光反射率特性のすぐれ九Ｓｉｎ
、ａｌｌが得られる。
は基板２に接する所で最も大きく、表面にむかって次第
に減少する。このため分光反射率特性のすぐれ九Ｓｉｎ
、ａｌｌが得られる。
第４図に本発明の第３の実施例の方法によりて得られた
８ｉ０．反射防止膜の分光反射率特使を・曲線人によっ
て示す。曲線ＢはＳｉｎ、を一定の速度で蒸着させて得
られたＳｉｎ、反射防止膜の分光反射率特性である。な
お、図において縦１ｌｌｌ＆は反身′率、横軸λは波長
囚を示す〇 このように第３の実施例によれば分光反射４．７階性の
すぐれた反射防止膜が得られる。
８ｉ０．反射防止膜の分光反射率特使を・曲線人によっ
て示す。曲線ＢはＳｉｎ、を一定の速度で蒸着させて得
られたＳｉｎ、反射防止膜の分光反射率特性である。な
お、図において縦１ｌｌｌ＆は反身′率、横軸λは波長
囚を示す〇 このように第３の実施例によれば分光反射４．７階性の
すぐれた反射防止膜が得られる。
以上ａ１５’１．したように、本発明によれば６樵の複
雑な構成の蒸Ｓ膜を極めて容易に、したがって安価に作
成することができる。
雑な構成の蒸Ｓ膜を極めて容易に、したがって安価に作
成することができる。
第１図は本発明の第１の実施例、第２図は同第２の実施
例、第３図に同第３の実施例であり、これらの図におい
て１と５と８は基板、２は遮蔽板、３と９に開口部、４
と６と７と１０はボートを示す。詑４図は第３の実施例
で得られた反射防止膜の分光反射率特性である。 犀１図 晃２図 第３図 第４図
例、第３図に同第３の実施例であり、これらの図におい
て１と５と８は基板、２は遮蔽板、３と９に開口部、４
と６と７と１０はボートを示す。詑４図は第３の実施例
で得られた反射防止膜の分光反射率特性である。 犀１図 晃２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 真空中において蒸発源から蒸発させた蒸発物
質を基板上に蒸着させ蒸着ｌＩを得る真空蒸着法におい
て、開口部を有する遮蔽板を回転させ、蒸着を制御する
ことを特徴とする真空蒸着法。 ０）遮蔽板を連続回転させ一種類の蒸発物質を間欠的に
蒸着することを特徴とする特許請求の範囲第４項の真空
蒸着法０ （３）複数の蒸発源から異なる蒸発物質を蒸発させ、遮
蔽板を間欠的に回転させて開口Ｓｔ蒸発源の上に合わせ
、複数種の蒸発物質・を多層に蒸着することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項の真空蒸着法。 （４）回転板を１回転きせ単位時間あた９の蒸着蓋を連
続的に変化させるように制御することを特徴とする特許
請求の範囲第１項の真空蒸着法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15100881A JPS5852476A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 真空蒸着法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15100881A JPS5852476A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 真空蒸着法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852476A true JPS5852476A (ja) | 1983-03-28 |
Family
ID=15509269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15100881A Pending JPS5852476A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 真空蒸着法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852476A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61169194A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-07-30 | Kobe Steel Ltd | サブマ−ジア−ク溶接用溶融型フラツクス |
| JP2006330656A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-12-07 | Showa Shinku:Kk | 液晶配向膜用真空蒸着装置およびその成膜方法 |
| JP2007270273A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Fujitsu Ltd | 成膜装置 |
| JP2009064984A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 粒子線供給装置およびｉｉｉ−ｖ化合物半導体を成長する方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5623269A (en) * | 1979-07-31 | 1981-03-05 | Fujitsu Ltd | Formation of thin film |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP15100881A patent/JPS5852476A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5623269A (en) * | 1979-07-31 | 1981-03-05 | Fujitsu Ltd | Formation of thin film |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61169194A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-07-30 | Kobe Steel Ltd | サブマ−ジア−ク溶接用溶融型フラツクス |
| JPH0513040B2 (ja) * | 1985-01-22 | 1993-02-19 | Kobe Steel Ltd | |
| JP2006330656A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-12-07 | Showa Shinku:Kk | 液晶配向膜用真空蒸着装置およびその成膜方法 |
| JP2007270273A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Fujitsu Ltd | 成膜装置 |
| JP2009064984A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 粒子線供給装置およびｉｉｉ−ｖ化合物半導体を成長する方法 |
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