JPH02181701A - 反射防止膜の製造方法 - Google Patents
反射防止膜の製造方法Info
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- JPH02181701A JPH02181701A JP1001765A JP176589A JPH02181701A JP H02181701 A JPH02181701 A JP H02181701A JP 1001765 A JP1001765 A JP 1001765A JP 176589 A JP176589 A JP 176589A JP H02181701 A JPH02181701 A JP H02181701A
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分舒〕
この発明はプラスチック透明基材の表面に高屈折率薄膜
層と低屈折率薄膜層とを組み合わせて形成させた反射防
止膜の製造方法に関する。
層と低屈折率薄膜層とを組み合わせて形成させた反射防
止膜の製造方法に関する。
反射防止膜としては、従来より、プラスチック透明基材
を用いて、この基材の表面に基材の屈折率より大きい屈
折率を有する高屈折率薄膜層を第1層として形成し、さ
らにこの上に凸材の屈折率より小さい屈折率を有する低
屈折率薄膜層を第2層として形成した2層膜からなるも
のがすぐれた反射防止効果を示すものとして知られてい
る。
を用いて、この基材の表面に基材の屈折率より大きい屈
折率を有する高屈折率薄膜層を第1層として形成し、さ
らにこの上に凸材の屈折率より小さい屈折率を有する低
屈折率薄膜層を第2層として形成した2層膜からなるも
のがすぐれた反射防止効果を示すものとして知られてい
る。
この2層膜において、第2層を構成する低屈折率材料と
しては、安定な無機質酸化物の中で最も低い屈折率を持
つM g F tが最適であるが、基材としてプラスチ
ックを用いる場合その耐熱性から低温で蒸着を行う必要
があるため、この場合硬度不足のMgFzt!膜しか得
られず、耐久性のある反射防止膜は得られない。
しては、安定な無機質酸化物の中で最も低い屈折率を持
つM g F tが最適であるが、基材としてプラスチ
ックを用いる場合その耐熱性から低温で蒸着を行う必要
があるため、この場合硬度不足のMgFzt!膜しか得
られず、耐久性のある反射防止膜は得られない。
一方、この出願人は、耐久性のある5iOztW膜を最
外層として、上記従来の2層膜とほぼ同等の反射防止効
果が得られる3層膜からなる反射防止膜を提案し、特願
昭63−86497号として既に出願している。
外層として、上記従来の2層膜とほぼ同等の反射防止効
果が得られる3層膜からなる反射防止膜を提案し、特願
昭63−86497号として既に出願している。
この3層膜からなる先行発明に係る反射防止膜は、プラ
スチック透明基材として屈折率が1.50〜1.80の
範囲のものを用い、この基材の表面側から順次、屈折率
n1が1.95≦n1≦2.10の無機質酸化物薄膜か
らなる第1層と、屈折率ntが2.00≦n2≦2.2
0である無機質酸化物薄膜からなる第2層とを、上記第
1層と第2層との屈折率差が0.05≦(nt n1
)≦0.20となるように設けて、この両層により高屈
折率薄膜層を構成させ、さらにこの第2層上に屈折率n
、力月、45≦n、≦1.47である無機質酸化物薄膜
からなる第3N、すなわち低屈折率薄膜層を形成して、
これらの屈折率nI+ n2+ n 2に対応する光学
的膜厚d1、d2、d3を設計波長λoが480 nm
≦λ、≦560nmの範囲においてλo/4(±λo/
20)となるようにしたものである。
スチック透明基材として屈折率が1.50〜1.80の
範囲のものを用い、この基材の表面側から順次、屈折率
n1が1.95≦n1≦2.10の無機質酸化物薄膜か
らなる第1層と、屈折率ntが2.00≦n2≦2.2
0である無機質酸化物薄膜からなる第2層とを、上記第
1層と第2層との屈折率差が0.05≦(nt n1
)≦0.20となるように設けて、この両層により高屈
折率薄膜層を構成させ、さらにこの第2層上に屈折率n
、力月、45≦n、≦1.47である無機質酸化物薄膜
からなる第3N、すなわち低屈折率薄膜層を形成して、
これらの屈折率nI+ n2+ n 2に対応する光学
的膜厚d1、d2、d3を設計波長λoが480 nm
≦λ、≦560nmの範囲においてλo/4(±λo/
20)となるようにしたものである。
ところが、この3層膜の構成において、第1層の屈折率
n、が1.95≦n、≦2.10、第2層の屈折率n2
が2.00≦n!≦2.20で、その屈折率差が0.0
5≦(nz −n1)≦0.20となるような第1層お
よび第2層の無機質酸化物材料の組み合わせは、それほ
ど多くはない。
n、が1.95≦n、≦2.10、第2層の屈折率n2
が2.00≦n!≦2.20で、その屈折率差が0.0
5≦(nz −n1)≦0.20となるような第1層お
よび第2層の無機質酸化物材料の組み合わせは、それほ
ど多くはない。
このため、上記の先行発明では、蒸着材料に金属ターゲ
ットを用いて、酸素ガスを導入しながらの反応性スパッ
タリングにより無機質酸化物薄膜を形成するにあたり、
酸素ガスの導入量を変えることによって無機質酸化物薄
膜の酸化度を調整し、これによって屈折率の異なる前記
第1および第2の層を形成するという方法につき言及し
ている。
ットを用いて、酸素ガスを導入しながらの反応性スパッ
タリングにより無機質酸化物薄膜を形成するにあたり、
酸素ガスの導入量を変えることによって無機質酸化物薄
膜の酸化度を調整し、これによって屈折率の異なる前記
第1および第2の層を形成するという方法につき言及し
ている。
たとえば、Zrターゲットを用い、酸素ガスを導入した
反応性スパッタリングにより、ZrO*薄膜を形成する
に際し、その酸化度を変えることにより、第1層として
屈折率n I−2,OのZrO。
反応性スパッタリングにより、ZrO*薄膜を形成する
に際し、その酸化度を変えることにより、第1層として
屈折率n I−2,OのZrO。
薄膜を、第2層として屈折率nz−2,1のZr01薄
膜を形成するといった方法である。
膜を形成するといった方法である。
しかるに、このような方法で第1および第2の層を形成
する場合、反応性スパッタリング時の酸素ガス導入量に
対する屈折率の変化があまりに敏感であるために、微量
の酸素ガス導入量の変動により、得られる屈折率が設定
値からかなりずれてしまい、目的とする所望の2種の屈
折率を安定して得にくいという難点があった。特に、無
機質酸化物f!膜を連続して形成する場合には、酸素ガ
スの導入量を制御することは技術的に極めて困難なため
、所望の屈折率を安定して得ることはなかなかできなか
った。
する場合、反応性スパッタリング時の酸素ガス導入量に
対する屈折率の変化があまりに敏感であるために、微量
の酸素ガス導入量の変動により、得られる屈折率が設定
値からかなりずれてしまい、目的とする所望の2種の屈
折率を安定して得にくいという難点があった。特に、無
機質酸化物f!膜を連続して形成する場合には、酸素ガ
スの導入量を制御することは技術的に極めて困難なため
、所望の屈折率を安定して得ることはなかなかできなか
った。
この発明は、上記の先行発明の問題点に鑑み、3層膜に
おける高屈折率薄膜層を構成させるための第1および第
2の層を、同種の無機質酸化物材料を用いて、その屈折
率差が既述のとおりとなるように、前記した酸素ガス導
入量の調整法とは異なる特定の手法で形成することによ
り、品質の安定した反射防止膜を有利に得る方法を提供
することを目的としている。
おける高屈折率薄膜層を構成させるための第1および第
2の層を、同種の無機質酸化物材料を用いて、その屈折
率差が既述のとおりとなるように、前記した酸素ガス導
入量の調整法とは異なる特定の手法で形成することによ
り、品質の安定した反射防止膜を有利に得る方法を提供
することを目的としている。
本発明者らは、上記の目的を達成するために鋭意検討し
た結果、電子ビーム型真空蒸着装置を使い、無機質酸化
物材料を蒸発させるための電子ビームの投入パワーを変
えることにより、同種の無機質酸化物材料から異なる屈
折率の無機質酸化物薄膜が得られることを知り、この方
法を前記した第1および第2の層の形成に応用すること
によって所望の屈折率が安定して得られるものであるこ
とを見い出し、この発明を完成するに至った。
た結果、電子ビーム型真空蒸着装置を使い、無機質酸化
物材料を蒸発させるための電子ビームの投入パワーを変
えることにより、同種の無機質酸化物材料から異なる屈
折率の無機質酸化物薄膜が得られることを知り、この方
法を前記した第1および第2の層の形成に応用すること
によって所望の屈折率が安定して得られるものであるこ
とを見い出し、この発明を完成するに至った。
すなわち、この発明は、電子ビーム型真空蒸着装置にお
いて、屈折率が1.50〜1.80のプラスチック透明
基材の表面に、この基材の表面側から順次、蒸着材料の
加熱源となる電子ビームの投入パワーを変えることによ
って、同種の無機質酸化物材料により、第1層と第2層
との屈折率差(ng−n1)が0.05≦(ng−n1
)≦0.20(ただし、nz >n、)となるように、
屈折率n1が1゜95≦n、≦2.lOの第1層と屈折
率ntが2.00≦n8≦2.20の第2層とからなる
高屈折率薄膜層を形成し、さらにその上に上記の21と
は別種の無機質酸化物材料により屈折率n3が1.45
≦n3≦1.47の第3層からなる低屈折率薄膜層を形
成することにより、上記第1層、第2層および第3層の
屈折率n l+ n !+ 13に対応する光学的膜厚
d1、d2、d3がn、dl !n* at謔fi、d
、−λo/4(±λ・/20)(ただし、λ0は設計波
長で、480nm≦λo≦560nm)である反射防止
膜を得ることを特徴とする反射防止膜の製造方法に係る
ものである。
いて、屈折率が1.50〜1.80のプラスチック透明
基材の表面に、この基材の表面側から順次、蒸着材料の
加熱源となる電子ビームの投入パワーを変えることによ
って、同種の無機質酸化物材料により、第1層と第2層
との屈折率差(ng−n1)が0.05≦(ng−n1
)≦0.20(ただし、nz >n、)となるように、
屈折率n1が1゜95≦n、≦2.lOの第1層と屈折
率ntが2.00≦n8≦2.20の第2層とからなる
高屈折率薄膜層を形成し、さらにその上に上記の21と
は別種の無機質酸化物材料により屈折率n3が1.45
≦n3≦1.47の第3層からなる低屈折率薄膜層を形
成することにより、上記第1層、第2層および第3層の
屈折率n l+ n !+ 13に対応する光学的膜厚
d1、d2、d3がn、dl !n* at謔fi、d
、−λo/4(±λ・/20)(ただし、λ0は設計波
長で、480nm≦λo≦560nm)である反射防止
膜を得ることを特徴とする反射防止膜の製造方法に係る
ものである。
以下、この発明の反射防止膜の製造方法を図面に基づき
説明する。
説明する。
第1図は、この発明の製造方法に用いる電子ビーム型真
空蒸着装置の概略構成を示すもので、1は真空槽、2は
蒸着材料、3は投入パワーのコントロールが可能に構成
された上記材料2の加熱源となる電子ビーム銃、4は巻
き出しプラスチックフィルムロール、5は巻き取りプラ
スチックフィルムロール、6は蒸着用ロール、7〜10
はピンチロールである。
空蒸着装置の概略構成を示すもので、1は真空槽、2は
蒸着材料、3は投入パワーのコントロールが可能に構成
された上記材料2の加熱源となる電子ビーム銃、4は巻
き出しプラスチックフィルムロール、5は巻き取りプラ
スチックフィルムロール、6は蒸着用ロール、7〜10
はピンチロールである。
この装置において、ロール4.5間に架設されて蒸着用
ロール6上を一定速度で走行するプラスチック透明基材
11の表面に、電子ビーム銃3を用いて蒸着材料2を蒸
着させる。蒸着の手順としては、最初に蒸着材料2とし
て高屈折率酸化物材料を選択し、これをまず低パワーの
電子ビームで蒸着して第1の層を連続形成し、ついで走
行方向を反転したうえで高パワーの電子ビームで蒸着し
て第2の層を連続形成する。その後、蒸着材料2を低屈
折率酸化物材料に変え、走行方向を再び反転したうえで
、所定パワーの電子ビームで蒸着して第3の層を連続形
成する。
ロール6上を一定速度で走行するプラスチック透明基材
11の表面に、電子ビーム銃3を用いて蒸着材料2を蒸
着させる。蒸着の手順としては、最初に蒸着材料2とし
て高屈折率酸化物材料を選択し、これをまず低パワーの
電子ビームで蒸着して第1の層を連続形成し、ついで走
行方向を反転したうえで高パワーの電子ビームで蒸着し
て第2の層を連続形成する。その後、蒸着材料2を低屈
折率酸化物材料に変え、走行方向を再び反転したうえで
、所定パワーの電子ビームで蒸着して第3の層を連続形
成する。
この方法により、第2図に示すように、屈折率カ月、5
0〜1.80のプラスチック透明基材11の表面に、屈
折率n、力月、95≦n1≦2.10の無機質酸化物薄
膜からなる第1層12とこれと同種の材料からなる屈折
率n2が2.00≦nt≦2.20の第2層13とで構
成されて、かつこれら両層の屈折率の差が0.05≦(
nm−n1)≦0.20となる高屈折率薄膜層が形成さ
れ、さらにこの上に低屈折率薄膜層として屈折率n3が
1.45≦n3≦1.47の第3層14が形成されたこ
の発明に係る反射防止膜が連続的に製造される。
0〜1.80のプラスチック透明基材11の表面に、屈
折率n、力月、95≦n1≦2.10の無機質酸化物薄
膜からなる第1層12とこれと同種の材料からなる屈折
率n2が2.00≦nt≦2.20の第2層13とで構
成されて、かつこれら両層の屈折率の差が0.05≦(
nm−n1)≦0.20となる高屈折率薄膜層が形成さ
れ、さらにこの上に低屈折率薄膜層として屈折率n3が
1.45≦n3≦1.47の第3層14が形成されたこ
の発明に係る反射防止膜が連続的に製造される。
この反射防止膜は、各層の屈折率n++nz+nsに対
応する光学的膜厚d、、dl1、d、が、設計波長λo
が480 nm≦λo≦560nmの範囲において、λ
o/4(±λo/20)として設定されたものであって
、上記第1および第2の層が電子ビームの投入パワーの
違いによって上述したとおりの所望の屈折率差に正確に
設定されていることにより、3層膜として期待されるす
ぐれた反射防止効果を発揮する。
応する光学的膜厚d、、dl1、d、が、設計波長λo
が480 nm≦λo≦560nmの範囲において、λ
o/4(±λo/20)として設定されたものであって
、上記第1および第2の層が電子ビームの投入パワーの
違いによって上述したとおりの所望の屈折率差に正確に
設定されていることにより、3層膜として期待されるす
ぐれた反射防止効果を発揮する。
この発明の上記方法において、用いるプラスチック透明
基材11としては、ポリメチルメタクリレート、ポリカ
ーボネート、ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリエチレンテレフタレー) (PET)などの厚
みが一般に10〜200μm程度のプラスチックフィル
ムが挙げられる。
基材11としては、ポリメチルメタクリレート、ポリカ
ーボネート、ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリエチレンテレフタレー) (PET)などの厚
みが一般に10〜200μm程度のプラスチックフィル
ムが挙げられる。
この基材11の表面に形成される上記第1層12および
第2層13からなる高屈折率薄膜層を構成する酸化物材
料としては、化学的、物理的な耐久性などにすぐれる酸
化ジルコニウム(ZrO□)が最適であるが、他に酸化
チタン(T i O□)、酸化イツトリウム(Y! 0
3 ) 、酸化ハフニウム(HfOりなども用いられる
。また、この上に形成される第3層14からなる低屈折
率薄膜層を構成する酸化物材料としては、耐摩擦性や耐
久性にすぐれる酸化ケイ素(SiOりが最適である。
第2層13からなる高屈折率薄膜層を構成する酸化物材
料としては、化学的、物理的な耐久性などにすぐれる酸
化ジルコニウム(ZrO□)が最適であるが、他に酸化
チタン(T i O□)、酸化イツトリウム(Y! 0
3 ) 、酸化ハフニウム(HfOりなども用いられる
。また、この上に形成される第3層14からなる低屈折
率薄膜層を構成する酸化物材料としては、耐摩擦性や耐
久性にすぐれる酸化ケイ素(SiOりが最適である。
第1112および第2層13の形成に際し、電子ビーム
銃3の投入パワーを具体的にどの程度にするかは、蒸着
材料や蒸着速度、真空度などの蒸着条件により相違する
から、−概には決められない。−例として、蒸着材料と
して酸化ジルコニウムを用いる場合、電子ビームの投入
パワーをたとえば第1層12の形成時で250〜320
mA。
銃3の投入パワーを具体的にどの程度にするかは、蒸着
材料や蒸着速度、真空度などの蒸着条件により相違する
から、−概には決められない。−例として、蒸着材料と
して酸化ジルコニウムを用いる場合、電子ビームの投入
パワーをたとえば第1層12の形成時で250〜320
mA。
10kV、第2層13の形成時で330〜400mA、
10kVとなるようにするのがよい。このときの真空度
はI X 10−”9 X 10−’To r r。
10kVとなるようにするのがよい。このときの真空度
はI X 10−”9 X 10−’To r r。
蒸着速度は0.5〜2m/分程度である。
以上のように、この発明の方法では、蒸着材料の加熱源
となる電子ビームの投入パワーを変えるだけで、同種の
無機質酸化物材料から屈折率の異なる第1および第2の
層よりなる高屈折率薄膜層を形成でき、この方法には前
記した酸素ガス導入量の調整による屈折率制御というよ
うな不安定な要因が全くなく、所望屈折率の無機質酸化
物薄膜を長時間にわたり安定して形成できることから、
反射防止効果と生産性との大幅な改善を図りうる反射防
止膜の製造方法を提供できるものである。
となる電子ビームの投入パワーを変えるだけで、同種の
無機質酸化物材料から屈折率の異なる第1および第2の
層よりなる高屈折率薄膜層を形成でき、この方法には前
記した酸素ガス導入量の調整による屈折率制御というよ
うな不安定な要因が全くなく、所望屈折率の無機質酸化
物薄膜を長時間にわたり安定して形成できることから、
反射防止効果と生産性との大幅な改善を図りうる反射防
止膜の製造方法を提供できるものである。
以下に、この発明の実施例を記載してより具体的に説明
する。
する。
実施例1
プラスチック透明基材として屈折率n=1.69、厚み
100μmのPETフィルムを用いて、その−面が蒸着
面となるように、巻き取り式電子ビーム型真空蒸着装置
内にフィルムロールをセットし、この装置内が8X10
−’Torrになるように排気したのち、Zr0Zペレ
ツトをターゲットとして、電子ビーム投入パワー300
mA、10kVの真空蒸着により、上記PETフィルム
上に第1層として屈折率n l= 2. O1光学的膜
膜厚1=66nmのzr9t*膜を形成した。
100μmのPETフィルムを用いて、その−面が蒸着
面となるように、巻き取り式電子ビーム型真空蒸着装置
内にフィルムロールをセットし、この装置内が8X10
−’Torrになるように排気したのち、Zr0Zペレ
ツトをターゲットとして、電子ビーム投入パワー300
mA、10kVの真空蒸着により、上記PETフィルム
上に第1層として屈折率n l= 2. O1光学的膜
膜厚1=66nmのzr9t*膜を形成した。
つぎに、この第1層の上に、電子ビーム投入パワーを3
40mA、10kVとした真空蒸着により、屈折率n、
x 2. 1、光学的膜厚dz=63nmのZrO!
薄膜からなる第2層を形成した。
40mA、10kVとした真空蒸着により、屈折率n、
x 2. 1、光学的膜厚dz=63nmのZrO!
薄膜からなる第2層を形成した。
さらに、この第2層の上に、Sin、をターゲットとし
て、電子ビーム投入パワー300mA、10kVの真空
蒸着により、屈折率n3=L4Ei、光学的濃度d、−
9Qnmのstow薄膜を第3層として形成した。
て、電子ビーム投入パワー300mA、10kVの真空
蒸着により、屈折率n3=L4Ei、光学的濃度d、−
9Qnmのstow薄膜を第3層として形成した。
このようにして作製したPETフィルムを基材とする3
層反射防止膜につき、各波長に対応する分光反射率特性
を調べたところ、第3図に示されるとおりであった。こ
の図から、上記の方法により反射防止効果にすぐれた反
射防止膜を安定して製造しうるものであることがわかる
。
層反射防止膜につき、各波長に対応する分光反射率特性
を調べたところ、第3図に示されるとおりであった。こ
の図から、上記の方法により反射防止効果にすぐれた反
射防止膜を安定して製造しうるものであることがわかる
。
第1図はこの発明の方法に用いる電子ビーム型真空蒸着
装置の一例を示す概略図、第2図はこの発明の方法によ
り得られる反射防止膜の構成例を示す断面図、第3図は
実施例1の反射防止膜の分光反射特性を示す特性図であ
る。 1〜10・・・電子ビーム型真空蒸着装置、2・・・蒸
着材料、3・・・電子ビーム銃、11・・・プラスチッ
ク透明基材、12・・・第1層、13・・・第2層、1
4・・・第3層 第1図 特許出願人 日東電工株式会社 13:請2局 141葛3層
装置の一例を示す概略図、第2図はこの発明の方法によ
り得られる反射防止膜の構成例を示す断面図、第3図は
実施例1の反射防止膜の分光反射特性を示す特性図であ
る。 1〜10・・・電子ビーム型真空蒸着装置、2・・・蒸
着材料、3・・・電子ビーム銃、11・・・プラスチッ
ク透明基材、12・・・第1層、13・・・第2層、1
4・・・第3層 第1図 特許出願人 日東電工株式会社 13:請2局 141葛3層
Claims (1)
- (1)電子ビーム型真空蒸着装置において、屈折率が1
.50〜1.80のプラスチック透明基材の表面に、こ
の基材の表面側から順次、蒸着材料の加熱源となる電子
ビームの投入パワーを変えることによつて、同種の無機
質酸化物材料により、第1層と第2層との屈折率差(n
_2−n_1)が0.05≦(n_2−n_1)≦0.
20〔ただし、n_2>n_1〕となるように、屈折率
n_1が1.95≦n_1≦2.10の第1層と屈折率
n_2が2.00≦n_2≦2.20の第2層とからな
る高屈折率薄膜層を形成し、さらにその上に上記の2層
とは別種の無機質酸化物材料により屈折率n_3が1.
45≦n_3≦1.47の第3層からなる低屈折率薄膜
層を形成することにより、上記第1層、第2層および第
3層の屈折率n_1、n_2、n_3に対応する光学的
膜厚d_1、d_2、d_3がn_1d_1=n_2d
_2=n_3d_3=λ_o/4(±λ_o/20)〔
ただし、λ_oは設計波長で、480nm≦λ_o≦5
60nm〕である反射防止膜を得ることを特徴とする反
射防止膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1001765A JPH02181701A (ja) | 1989-01-07 | 1989-01-07 | 反射防止膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1001765A JPH02181701A (ja) | 1989-01-07 | 1989-01-07 | 反射防止膜の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02181701A true JPH02181701A (ja) | 1990-07-16 |
Family
ID=11510677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1001765A Pending JPH02181701A (ja) | 1989-01-07 | 1989-01-07 | 反射防止膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02181701A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5622784A (en) * | 1986-01-21 | 1997-04-22 | Seiko Epson Corporation | Synthetic resin ophthalmic lens having an inorganic coating |
US5759643A (en) * | 1987-01-16 | 1998-06-02 | Seiko Epson Corporation | Polarizing plate and method of production |
US5783299A (en) * | 1986-01-21 | 1998-07-21 | Seiko Epson Corporation | Polarizer plate with anti-stain layer |
US5939189A (en) * | 1995-05-09 | 1999-08-17 | Flex Products, Inc. | Flexible plastic substrate with anti-reflection coating having low reflective color and method |
US6942924B2 (en) | 2001-10-31 | 2005-09-13 | Chemat Technology, Inc. | Radiation-curable anti-reflective coating system |
-
1989
- 1989-01-07 JP JP1001765A patent/JPH02181701A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5622784A (en) * | 1986-01-21 | 1997-04-22 | Seiko Epson Corporation | Synthetic resin ophthalmic lens having an inorganic coating |
US5783299A (en) * | 1986-01-21 | 1998-07-21 | Seiko Epson Corporation | Polarizer plate with anti-stain layer |
US5759643A (en) * | 1987-01-16 | 1998-06-02 | Seiko Epson Corporation | Polarizing plate and method of production |
US5939189A (en) * | 1995-05-09 | 1999-08-17 | Flex Products, Inc. | Flexible plastic substrate with anti-reflection coating having low reflective color and method |
US6942924B2 (en) | 2001-10-31 | 2005-09-13 | Chemat Technology, Inc. | Radiation-curable anti-reflective coating system |
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