CN110541147B - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110541147B CN110541147B CN201811560346.1A CN201811560346A CN110541147B CN 110541147 B CN110541147 B CN 110541147B CN 201811560346 A CN201811560346 A CN 201811560346A CN 110541147 B CN110541147 B CN 110541147B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- vapor deposition
- evaporation source
- members
- vacuum tank
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/52—Means for observation of the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/547—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using optical methods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供蒸镀装置,其特征在于,该蒸镀装置包括:真空槽,在真空气氛下进行对于被蒸镀构件的蒸镀工序;以及蒸发源,与所述被蒸镀构件的成膜面相向地配置在所述真空槽内,通过朝向所述被蒸镀构件的成膜面喷射成膜材料而进行蒸镀,所述真空槽在与所述被蒸镀构件的成膜面相向的一侧的壁上具有光学窗,所述蒸发源被配置为,在蒸镀时能够沿着所述被蒸镀构件的面内方向在所述被蒸镀构件与所述窗之间移动。
Description
技术领域
本发明涉及成膜装置。
背景技术
最近,作为平板显示器,有机电场发光显示器受到关注。有机电场发光显示器作为自发光显示器,响应速度、视场角、薄型化等特性优于液晶面板显示器,利用监视器、电视机、智能手机所代表的各种便携终端等迅速地代替现有的液晶面板显示器。另外,其应用领域也扩大至汽车用显示器等。
有机电场发光显示元件具有在两个相对的电极(阴极电极、阳极电极)之间形成有引起发光的有机物层的基本构造。有机电场发光显示器的有机物层和电极金属层通过隔着在真空腔室内形成有所希望的像素图案的掩模使蒸镀物质蒸镀到基板上而制造。
在专利文献1中,公开了以下的内容,即,作为以往的真空蒸镀装置,在真空处理室的上部水平地配置作为蒸镀对象物的基板和掩模,且使成膜材料从与它们相向地配置于真空处理室的下部的蒸发源蒸发而蒸镀到基板上的装置中,在真空处理室上表面的蒸镀对象物配置区域(蒸镀区域)的外侧,朝向真空处理室内部插设线状的玻璃棒,在真空处理室内部以能够旋转的方式将变更光路的棱镜连结于该玻璃棒的顶端,通过该光路,由设置于真空处理室外部的照相机识别形成在作为蒸镀对象物的基板和掩模上的对准标记。
但是,上述现有例的装置存在无法从蒸镀装置的外部直接观察蒸镀区域中的成膜进行状况这样的问题。另外,与蒸镀区域相向地配置的蒸发源的情况也存在无法在外部直接监视这样的问题。
另一方面,最近,随着作为蒸镀对象物的基板尺寸的大型化的发展,提出了如下构成的蒸镀装置:蒸发源相对于基板在规定的可动区域内往返移动的同时,遍及整个基板进行蒸镀,但是特别是在具备这样的可动蒸发源的蒸镀装置的情况下,要求不仅从外部观察相对于基板的成膜进行状况,还从外部观察蒸发源的移动状态等情况,能够容易地观测判别有无异常的方案。
专利文献1:日本特开2013-117066号公报
发明内容
鉴于以上课题,本发明的目的在于提供一种能够容易地从蒸镀装置的外部观察可动蒸发源的移动状态等情况和相对于作为被蒸镀构件的基板的成膜状况的蒸镀装置以及使用了该蒸镀装置的蒸镀方法。
[用于解决课题的技术方案]
本发明的一技术方案的蒸镀装置,其特征在于,该蒸镀装置包括:真空槽,在真空气氛下进行对于被蒸镀构件的蒸镀工序;以及蒸发源,与所述被蒸镀构件的成膜面相向地配置在所述真空槽内,通过朝向所述被蒸镀构件的成膜面喷射成膜材料而进行蒸镀,所述真空槽在与所述被蒸镀构件的成膜面相向的一侧的壁上具有光学窗,所述蒸发源被配置为,在蒸镀时能够沿着所述被蒸镀构件的面内方向在所述被蒸镀构件与所述窗之间移动。
本发明的另一技术方案的蒸镀装置,在所述蒸镀装置中,其特征在于,所述被蒸镀构件以在铅垂方向上立起的状态配置在所述真空槽内,所述蒸发源具有由喷射所述成膜材料的多个喷嘴在铅垂方向上排列而成的喷嘴列,所述蒸发源被配置为,在与所述铅垂方向正交的水平方向上,能够沿着所述被蒸镀构件的面内方向在所述被蒸镀构件与所述窗之间移动。
本发明的另一技术方案的蒸镀装置,在所述蒸镀装置中,其特征在于,所述被蒸镀构件能够在所述真空槽内以各被蒸镀构件的成膜面在同一面内朝向同一方向的方式在分离的多个位置配置多个被蒸镀构件,所述真空槽在与所述各被蒸镀构件的成膜面相向的一侧的壁上,在与配置有所述各被蒸镀构件的位置分别对应的区域具有多个所述窗,所述蒸发源在所述真空槽内能够在配置有所述各被蒸镀构件的位置之间移动,所述蒸发源被配置为,在配置有所述各被蒸镀构件的各个位置,能够在所述各被蒸镀构件与对应的所述各窗之间移动。
本发明的另一技术方案的蒸镀装置,在所述蒸镀装置中,其特征在于,所述被蒸镀构件能够在所述真空槽内以各被蒸镀构件的成膜面背靠背且朝向相反方向的方式在分离的多个位置配置多个被蒸镀构件,所述真空槽在与所述各被蒸镀构件的成膜面相向的一侧的壁上,在与配置有所述各被蒸镀构件的位置分别对应的区域具有多个所述窗,所述蒸发源在所述真空槽内以与所述各被蒸镀构件对应且各蒸发源与所述各被蒸镀构件的成膜面相向的方式配置有多个蒸发源,所述各蒸发源被配置为,在配置有所述各被蒸镀构件的各个位置,能够在对应的所述各被蒸镀构件与所述各窗之间移动。
本发明的另一技术方案的成膜系统,其特征在于,该成膜系统包括:所述蒸镀装置;以及光学部件,配置在所述蒸镀装置的设有所述窗的位置所对应的所述真空槽的外部,利用所述光学部件,通过所述窗来拍摄形成在所述被蒸镀构件上的对准标记,进行所述被蒸镀构件的位置调整。
本发明的另一技术方案的蒸镀方法,其特征在于,使用所述蒸镀装置,对被蒸镀构件进行蒸镀,其特征在于,该蒸镀方法包括以下的工序:将所述被蒸镀构件搬入设置有所述窗的所述真空槽内,并配置在成膜位置的工序;以及在所述真空槽内从与所述被蒸镀构件的成膜面相向配置的所述蒸发源喷射成膜材料,并对所述被蒸镀构件的成膜面进行蒸镀的工序,在进行所述蒸镀的工序中,一边使所述蒸发源在所述被蒸镀构件与所述窗之间沿着所述被蒸镀构件的面内方向移动一边进行蒸镀。
[发明效果]
根据本发明的蒸镀装置,能够容易地从蒸镀装置的外部观察可动蒸发源的移动状态等情况和相对于作为被蒸镀构件的基板的成膜状况。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式的成膜装置的结构的侧视图。
图2是表示本发明的第1实施方式的成膜装置的结构的俯视图。
图3是示意性地表示本发明的第1实施方式的成膜装置内的蒸发源的往返移动的主视图。
图4是说明将观察窗用于对准的情况的图。
图5是说明将观察窗用于膜厚测量的情况的图。
图6是表示以能够开闭的门状构成观察窗的设置部位的例子的图。
图7是表示本发明的第2实施方式的成膜装置的结构的图。
图8是表示本发明的变形例的成膜装置的结构的图。
图9是表示本发明的其它变形例的成膜装置的结构的图。
图10是本发明的有机EL装置的概略图。
[附图标记说明]
1:成膜室;2:基板;3:掩模;4:基板托盘;5:对准驱动机构;100:蒸发源;101:负载锁定室;102、108:闸阀;103:真空泵;104:坩埚;105:成膜材料积存部;106:大气臂;107:喷嘴;109:冷却板体;110:水晶监视器;111:大气室;112:挡板;113:蒸发源引导机构;114:对准用照相机;115、116:对准标记;117:膜厚测量用照相机;118:铰接件;119:把手;120:门;A:蒸发源可动区域;A’:蒸发源待命区域;W:观察窗;50:有机EL显示装置。
具体实施方式
以下,参照附图详细说明本发明的实施例。本发明能够进行多种变更,能够具有多种实施例。基于附图例示说明特定的实施例,但本发明并不限定于该特定的实施例,应理解为包含本发明的思想及技术范围所包含的所有变更、均等物乃至替代物。
本发明能够优选应用于通过真空蒸镀而在基板的表面形成所希望的图案的薄膜(材料层)的装置。作为基板的材料,能够选择玻璃、树脂、金属等任意的材料,另外,作为蒸镀材料,也能够选择有机材料、无机材料(金属、金属氧化物等)等任意的材料。本发明的技术具体可应用于有机电子器件(例如,有机EL显示装置、薄膜太阳能电池)、光学构件等的制造装置。
[第1实施方式]
图1是表示本发明的第1实施方式的成膜装置的结构的侧剖视图,图2是俯视图。
本实施方式将本发明应用于在相对于水平方向垂直立起的垂直直立状态下向成膜室1内搬送(立式搬送)基板2和掩模3并在基板2的表面进行成膜的成膜装置(真空蒸镀装置)。
即,构成为将作为被蒸镀构件的基板2及掩模3分别在沿铅垂方向(Z方向)立起的直立状态下沿水平方向(X方向)搬入后,使成膜材料从与基板2及掩模3相向地配置在成膜室1内的蒸发源100经由掩模3朝向基板2(Y方向、蒸镀方向)附着。
以下,对各部分进行具体说明。
如图2所示,成膜室1(腔室)经由闸阀102以保持气密状态的方式与基板2及掩模3的搬入搬出用的负载锁定室101连接设置。
在该成膜室1及负载锁定室101分别设有分别作为减压机构的真空泵103(例如低温泵等)(负载锁定室101侧省略图示)。如图所示,成膜室1的真空泵103被设置在后述的蒸发源100的背后侧的成膜室侧壁(前表面侧)。另外,图中附图标记108是负载锁定室101与大气侧之间的闸阀。另外,作为与成膜室1连结的结构,对负载锁定室101进行了说明,但不限于此,也可以根据设计而将其它的成膜室、搬送室等与成膜室1连结。
另外,在本实施方式中,玻璃基板2安装于基板托盘4,掩模3安装于框状的掩模框架(省略图示),该掩模框架安装于框状的掩模托盘(省略图示)。另外,根据基板尺寸,也可以采用将掩模3安装于掩模框架的结构(没有掩模托盘的结构)。
基板托盘4以及掩模托盘在其上部和下部分别设置于引导体,基板托盘4和掩模托盘的上述各引导体通过分别设置于真空槽(负载锁定室101以及成膜室1)的内部上表面以及底面侧的引导辊以及搬送辊而被引导并被搬送。
当基板2及掩模3在装载于托盘的状态下被搬送至成膜位置时,使用与掩模托盘连结的对准驱动机构5来调整基板2与掩模3的相对位置偏移。为了进行该对准,在基板2和掩模3的对应的规定部位分别形成有对准标记。利用CCD照相机等光学部件对形成在该基板2和掩模3上的对准标记进行摄影/识别,根据其结果,控制上述的对准驱动机构5,调整基板2和掩模3的位置偏移。
在本实施方式中,通过移动掩模3侧而进行对准,但也可以以移动基板2侧的方式同样地构成。
为了对结束了对准的基板2蒸镀成膜材料,在成膜室1中设置有与基板2的成膜面相向的蒸发源100。
如图2所示,该蒸发源100构成为至少具备一对主体材料用的喷射机构和掺杂材料用的喷射机构,该主体材料用的喷射机构和掺杂材料用的喷射机构由将收纳(填充)的成膜材料加热使其气化的加热用的坩埚104、充满该气化了的成膜材料的成膜材料积存部105(坩埚104和成膜材料积存部105可以构成为形成一个空间)、和向成膜室1内喷射在上述成膜材料积存部105中积存的气化了的成膜材料的喷嘴107构成。
该各喷射机构的喷嘴107分别以在基板高度方向(铅垂方向、Z方向)上遍及基板2的高度方向整体均匀地喷射成膜材料的方式大致呈一条直线状地设置成多个排列设置状态。在本实施方式中,以设置两个主体材料用的喷射机构或两个掺杂材料用的喷射机构的方式设置有包含第2个主体或掺杂材料用的喷射机构的共计3个喷射机构。因此,根据本实施方式,能够从最大3个各喷嘴列分别向基板2喷射主体材料和掺杂材料,但形成喷射机构的喷嘴列的数量、主体与掺杂材料用的喷射机构的组合并不限定于此。
在各喷嘴列的一侧端部,作为用于测量蒸发率和/或成膜厚度的膜厚计,设置有石英监视器110。具体而言,为了尽可能地延长石英的更换期间,也可以采用具备具有开口的遮蔽板的多点式的石英监视器110。
另外,在蒸发源100设置有对蒸发源100的与基板2相向的正面部进行冷却的蒸发源冷却机构。该蒸发源冷却机构由金属制的板体109构成,该金属制的板体109露出由水等制冷剂适当冷却的所述各喷嘴的喷嘴孔部分。因此,即使为了减少飞散到基板外的成膜材料而缩短基板2及掩模3与蒸发源100的距离,也能够抑制掩模3的因来自蒸发源100的热引起的变形,能够抑制因热引起的图案偏移。蒸发源冷却机构不是必须的,根据设计,也可以设置反射器等来代替。
另外,在基板2与各蒸发源100之间,也可以具有将基板2与蒸发源100隔开的挡板112。
通过使具有沿铅垂方向(Z方向)排列的3个喷嘴列的蒸发源100沿与基板面平行的水平方向(X方向)平行移动,能够向基板整个面喷射成膜材料。
具体而言,如图1所示,在成膜室1中设置有用于使蒸发源100沿着与基板面平行的水平方向(X方向)往返引导移动的蒸发源引导机构113。该蒸发源引导机构113构成为经由形成与成膜室1的真空区域被分隔开的大气区域的大气室111使蒸发源100移动。图中附图标记106是形成与成膜室1的真空区域隔离的大气区域的构件,是顶端部与大气室111内连通且基端部与成膜室1的外部连通,并具有被设定于后述的用于导入小齿轮驱动用的马达的电源等的导入部121的关节部的大气臂。
蒸发源引导机构113构成为沿着与蒸发源的移动方向(X方向)平行地延伸设置的导轨,使与蒸发源100(更具体而言,与蒸发源背后连接的大气室111)连结的引导块直线移动来引导蒸发源100的往返移动的LM引导件的结构,引导块的移动通过在与导轨平行设置的齿条上的小齿轮连结将来自小齿轮驱动用马达的旋转驱动力转换为直线驱动力而进行。小齿轮驱动用的马达被设置在大气室111内,通过大气臂106连接电源等。在本实施方式中,对作为用于蒸发源的移动的驱动机构而使用齿条和小齿轮的例子进行了说明,但驱动机构并不限定于此,也可以使用能够将作为驱动源的马达的旋转驱动力转换为直线驱动力的其它驱动机构。例如,也可以使用滚珠丝杠那样的其它驱动机构。
图3示意性地表示这样的成膜室1内的蒸发源100的往返移动,表示从成膜装置的正面侧、即蒸发源100的背后向蒸镀方向(Y方向)观察的情况。在图3中,主要图示了蒸发源100相对于作为被蒸镀构件的基板2和掩模3的相对移动,除此之外,前述的蒸发源引导机构、用于基板/掩模的搬出搬入的搬送机构、对准驱动机构、石英监视器等的结构为了便于说明而省略图示。
如上所述,在蒸发源100中,多个喷嘴107沿铅垂方向(Z方向)排列,构成作为喷射机构的喷嘴列,作为主体材料用的喷射机构或掺杂材料用的喷射机构,共计配置有3个喷嘴列。基板2及掩模3以垂直立起的直立状态被搬入成膜室1内并位于成膜位置,进行对准之后,通过蒸发源引导机构113使蒸发源100一边沿着水平方向(X方向)往返移动(水平扫描)一边在基板整个面进行蒸镀。虚线所示的区域表示蒸发源100的可移动范围、即蒸发源可动区域A。蒸发源可动区域中的、未与作为被蒸镀构件的基板2相向的一侧的端部区域A’表示在蒸镀结束后的基板2被搬出且对被搬入到成膜室1内的新的基板2的蒸镀工序开始之前,蒸发源100暂时待命的蒸发源待命区域。
本发明的特征在于,如上所述,在蒸发源100一边在成膜室1内移动一边进行蒸镀时,将能够从成膜室1的外部监视蒸发源100的移动状态等情况和相对于作为被蒸镀构件的基板2的成膜状况等的观察窗W设置在相当于蒸发源可动区域A内的蒸发源100的背后位置的成膜室1的真空槽的壁上。
即,如图1及图3所示,在本实施方式中,在与以直立状态立起且被搬入的作为被蒸镀构件的基板2及掩模3的右上部区域相向的、蒸发源背后的成膜室1真空槽壁的位置设置有大致四边形状的光学窗口W。换言之,蒸发源100构成为在蒸发源可动区域A中能够在被搬入成膜室1内的被蒸镀构件(基板、掩模)与设置于成膜室的壁的观察窗W之间往返移动。
因此,根据本实施方式的结构,能够通过观察窗W从外部监视蒸镀工序中的蒸发源100的情况,同时也能够用肉眼观察向被蒸镀构件(基板、掩模)的成膜状况。
另外,上述观察窗W也能够利用于上述的基板2与掩模3的对准、或成膜厚度测量。
例如,如图1所示,通过在成膜室1外部的观察窗W的位置设置对准用照相机114,并拍摄位于隔着窗口W的成膜位置的被蒸镀构件(基板、掩模)上的各对准标记115、116,能够进行对准。图4是说明观察窗W利用于这样的对准的情况的图。
图5是说明将观察窗用于膜厚测量W的情况的图。即,除了对作为被蒸镀构件的基板2的成膜状况的肉眼观察以外,还能够在与观察窗W对应的成膜室外部的位置设置膜厚测量用照相机117,利用该照相机117对隔着窗W的基板2的成膜面进行拍摄,通过拍摄影像的分析来测量在掩模3开口图案内成膜的膜的厚度。
另外,如图6所示,也可以将成膜室1真空槽壁的区域中的设有观察窗W的一部分区域构成为能够通过铰接件118结合等而开闭的具备把手119的门120。
另一方面,在图3中,附图标记103表示用于通过排气口对成膜室1内进行真空排气的作为上述减压机构的真空泵103(例如低温泵等)。如图所示,与真空泵103连接的排气口也可以与观察窗W一起,以与蒸发源可动区域A重叠的方式设置于成膜室1的侧壁。在将真空泵用排气口设置于成膜室1的侧面的情况下,能够抑制颗粒向排气口的落下,因此优选。
本实施方式如上述那样构成,因此能够通过观察窗W从外部监视蒸镀工序中的蒸发源100的情况、向被蒸镀构件(基板、掩模)的成膜状况,还能够将观察窗W活用于对准、膜厚测量。
[第2实施方式]
图7是示意性地表示本发明的第2实施方式的成膜装置的结构的图,图7(a)是侧剖视图,图7(b)是俯视图,图7(c)是从蒸发源背面侧观察的主视图。
本实施方式涉及将基板2及掩模3以相对于水平方向垂直立起的垂直直立状态向成膜室1内搬送(立式搬送)并在基板2的表面进行成膜的成膜装置(真空蒸镀装置),与上述实施方式相同,但与蒸发源的配置及移动有关的结构与上述实施方式不同。
即,与上述实施方式相同,作为被蒸镀构件的基板2和掩模3分别以在铅垂方向(Z方向)上立起的直立状态从水平方向(X方向)搬入成膜室1内,使成膜材料从与基板2相向地配置的蒸发源100朝向基板2(Y方向、蒸镀方向)蒸发而蒸镀。
与上述实施方式的不同点在于,在本实施方式中,蒸发源100的各喷射机构的喷嘴107分别在水平方向(X方向)上大致呈一条直线状地设置,该蒸发源100在铅垂方向(Z方向)上往返移动(升降)的同时(垂直扫描),向基板整个面喷射成膜材料。
将基板及掩模搬入成膜室内的搬送机构、对准机构等能够应用与上述实施方式同样的结构,引导蒸发源的往返移动的蒸发源引导机构等其它的结构也与蒸发源喷嘴的配置相对应,改变在成膜室内的其配置位置,除此以外,因为能够应用与上述实施方式相同的结构,所以在图7中,为了便于说明,主要示出了蒸发源100相对于作为被蒸镀构件的基板2及掩模3的相对移动,其它相同的结构省略或简化图示而表示。
如图所示,在本实施方式中,也在与以直立状态立起并被搬入的作为被蒸镀构件的基板2及掩模3的右上部区域相向的、蒸发源背后的成膜室1真空槽壁的位置设置有大致四边形状的光学窗口W,蒸发源100构成为在蒸发源可动区域A中能够在被搬入到成膜室1内的被蒸镀构件(基板、掩模)与设于成膜室壁的观察窗W之间往返移动(升降)。
因此,根据本实施方式的结构,也能够通过观察窗W从外部监视蒸镀工序中的蒸发源100的情况,同时还能够观察对被蒸镀构件(基板、掩模)的成膜状况。
另一方面,在本实施方式中,蒸发源可动区域A中的、未与作为被蒸镀构件的基板2相向的下侧的端部区域A’成为蒸发源待命区域。这样,通过使蒸发源的待命位置为下侧,能够抑制从待命状态的蒸发源蒸发了的成膜材料附着于成膜室1的上表面内壁,进而该附着物成为颗粒落下的原因。
另外,也能够将观察窗W活用于对准、膜厚测量,能够将观察窗的设置部位构成为能够开闭的门状,这与上述实施方式相同。
[变形例1]
图8是表示上述第1和第2实施方式的变形例的结构的图,图8(a)是第1实施方式的变形例的俯视图,图8(b)是第2实施方式的变形例的俯视图。
本变形例是如下结构:在成膜室1内沿基板2及掩模3的搬送方向(X方向)在多个成膜位置(α、β)配置被蒸镀构件(基板2、掩模3),在一方的成膜位置的蒸镀结束时,使蒸发源100水平移动到另一方的成膜位置,从而按配置在一个成膜室1内的多个被蒸镀构件依次进行蒸镀。
如图所示,图8(a)的第1实施方式的变形例与上述第1实施方式相同,在各成膜位置(α、β),在使由在铅垂方向(Z方向)上大致呈一条直线状地设置的喷嘴列(在图示的例子中为3个喷嘴列)构成的蒸发源100沿水平方向(X方向)往返移动(水平扫描)的同时,在该成膜位置(α、β)的基板整个面上蒸镀成膜材料,图8(b)的第2实施方式的变形例与上述第2实施方式相同,在各成膜位置(α、β),在使由沿水平方向(X方向)设置成大致一条直线状的喷嘴列构成的蒸发源100沿铅垂方向(Z方向)往返移动(升降)(垂直扫描)的同时,在成膜位置(α、β)的基板整个面上蒸镀成膜材料。
另外,如图所示,在这些各变形例中,也与上述第1及第2实施方式同样地,在各成膜位置(α、β),在蒸发源背后的成膜室1真空槽壁的位置设置大致四边形状的光学窗口W,蒸发源100在水平或垂直扫描时,在蒸发源可动区域内能够在被蒸镀构件(基板、掩模)与观察窗W之间往返移动。
因此,根据本变形例的结构,也能够通过观察窗W从外部监视蒸镀工序中的蒸发源100的情况,同时还能够得到能够观察对被蒸镀构件(基板、掩模)的成膜状况的同样的效果。
[变形例2]
图9表示上述第1和第2实施方式的其它变形例的结构。
在本变形例中,在成膜室1内的多个成膜位置(α、β)配置被蒸镀构件(2、3)这一点上与上述变形例的结构相同,但成膜位置(α、β)的配置方式与上述变形例的结构不同,随之在各成膜位置(α、β)与被蒸镀构件相向配置的蒸发源的结构也与上述变形例不同。
在本变形例中,成膜室1的成膜位置(α、β)相互背对背地配置。即,在成膜位置(α、β),由基板2和掩模3构成的各被蒸镀构件的基板侧背对背(各基板的与成膜面相反侧的面相互面对的方式)地配置,在各被蒸镀构件的成膜面侧,分别相向地配置有蒸发源100。
即,在本变形例中,多个蒸发源100按各成膜位置(α、β)单独配置,通过按照成膜位置(α、β)独立地或同时控制各蒸发源100的移动,在各成膜位置(α、β)进行蒸镀。
图9(a)表示从上表面观察使这样地构成且在铅垂方向(Z方向)上大致呈一条直线状地设置的喷嘴列107在X方向往返移动而进行水平扫描的方式的第1实施方式的其它变形例的情况,图9(b)表示从侧面观察使在水平方向(X方向)上大致呈一条直线状地设置的喷嘴列107在铅垂方向(Z方向)上升降而进行垂直扫描的方式的第2实施方式的其它变形例的情况。
在这些变形例中,也与上述第1、第2实施方式及其各变形例1同样地,在各成膜位置(α、β),在蒸发源背后的成膜室1真空槽壁的位置设置大致四边形状的光学窗口W,蒸发源100在水平或垂直扫描时,在蒸发源可动区域内能够在被蒸镀构件(基板、掩模)与观察窗W之间往返移动。
因此,根据本变形例的结构,也能够通过观察窗W从外部监视蒸镀工序中的蒸发源100的情况,同时还能够得到能够观察对被蒸镀构件(基板、掩模)的成膜状况的同样的效果。
以上,主要以将作为被蒸镀构件的基板和掩模呈直立状态立起地搬入成膜室并进行蒸镀的立式搬送方式的成膜装置为中心说明了本发明的实施方式及其变形例的结构,但本发明不限定于此,当然也能够应用于将基板和掩模水平状态地搬入并进行蒸镀的卧式搬送方式的成膜装置。即,在卧式搬送方式的成膜装置中,也能够在蒸发源背后的成膜室真空槽的壁上设置观察窗,在蒸发源工作区域中,使蒸发源在水平搬入成膜室内的被蒸镀构件与上述观察窗之间往返移动,由此能够得到同样的效果。另外,本发明除了真空蒸镀方式的蒸镀装置以外,还能够应用于在成膜容器内配置被成膜构件并在与被成膜构件的成膜面相向的位置配置能够移动的成膜材料源而进行成膜的其它类型的成膜装置、例如溅射装置等。
[电子器件的制造方法]
接着,说明使用了上述的实施方式以及变形例的成膜装置的电子器件的制造方法的一例。以下,作为电子器件的例子,例示有机EL显示装置的结构及制造方法。
首先,对要制造的有机EL显示装置进行说明。图10(a)表示有机EL显示装置50的整体图,图10(b)表示1个像素的截面构造。
如图10(a)所示,在有机EL显示装置50的显示区域51呈矩阵状配置有多个具备多个发光元件的像素52。后面详细说明,发光元件分别具有具备被一对电极夹着的有机层的构造。另外,在此所说的像素,是指在显示区域51中能够显示所希望的颜色的最小单位。在本实施例的有机EL显示装置50的情况下,通过显示互不相同的发光的第1发光元件52R、第2发光元件52G、第3发光元件52B的组合而构成像素52。像素52大多通过红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的组合而构成,但是也可以通过黄色发光元件、青色发光元件和白色发光元件的组合而构成,只要是至少1种颜色以上就没有特别制限。
图10(b)是图10(a)的A-B线处的局部截面示意图。像素52在基板53上具有有机EL元件,该有机EL元件具备第1电极(阳极)54、空穴输送层55、发光层56R、56G、56B中的任一方、电子输送层57、第2电极(阴极)58。它们当中的空穴输送层55、发光层56R、56G、56B、电子输送层57相当于有机层。此外,在本实施方式中,发光层56R是发出红色光的有机EL层,发光层56G是发出绿色光的有机EL层,发光层56B是发出蓝色光的有机EL层。发光层56R、56G、56B分别形成为与发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件(也有时记载为有机EL元件)相对应的图案。此外,第1电极54针对每一个发光元件分离地形成。空穴输送层55、电子输送层57和第2电极58既可以以与多个发光元件52R、52G、52B共同的方式形成,也可以针对每一个发光元件而形成。另外,为了防止第1电极54和第2电极58因异物而短路,在第1电极54间设有绝缘层59。而且,由于有机EL层因水分和氧而劣化,所以设有用于保护有机EL元件免受水分和氧影响的保护层60。
为了将有机EL层形成为发光元件单位,使用经由掩模而成膜的方法。近年来,显示装置的高精细化得到发展,在有机EL层的形成中使用开口的宽度为几十μm的掩模。在所述有机EL层的成膜中适宜使用本发明的成膜装置(真空蒸镀装置)。
接着,具体地说明有机EL显示装置的制造方法的例子。
首先,准备用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)以及形成有第1电极54的基板53。
在形成有第1电极54的基板53之上通过旋转涂覆形成丙烯酸树脂,利用光刻法,以在形成有第1电极54的部分形成开口的方式将丙烯酸树脂形成图案并形成绝缘层59。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将图案形成有绝缘层59的基板53搬入第1成膜装置,由基板保持单元保持基板,将空穴输送层55作为在显示区域的第1电极54之上共同的层而成膜。空穴输送层55通过真空蒸镀而成膜。实际上由于空穴输送层55被形成为比显示区域51大的尺寸,所以不需要高精细的掩模。
接着,将形成有空穴输送层55为止的基板53搬入第2成膜装置,由基板保持单元保持。进行基板与掩模的对准,将基板载置在掩模之上,在基板53的配置发出红色光的元件的部分,成膜发出红色光的发光层56R。根据本例,能够使掩模与基板良好地重合,能够进行高精度的成膜。
与发光层56R的成膜同样地,利用第3成膜装置成膜发出绿色光的发光层56G,而且利用第4成膜装置成膜发出蓝色光的发光层56B。发光层56R、56G、56B的成膜完成之后,利用第5成膜装置在显示区域51的整体成膜电子输送层57。电子输送层57对3色的发光层56R、56G、56B形成为共同的层。
将形成有电子输送层57为止的基板移动到溅镀装置,成膜第2电极58,之后移动到等离子体CVD装置而成膜保护层60,完成有机EL显示装置50。
从将图案形成有绝缘层59的基板53搬入成膜装置到保护层60的成膜完成为止,若暴露于含有水分和氧的气氛中,则由有机EL材料构成的发光层有可能因水分和氧而劣化。因而,基板在成膜装置间的搬入搬出在真空气氛或非活性气体气氛下进行。
以上,具体地说明了用于实施本发明的方式,但是本发明的主旨不限定于这些记载,应基于权利要求书的记载而大范围地解释。此外,基于这些记载的、多种变更、改变等也当然包含于本发明的主旨中。
Claims (13)
1.一种蒸镀装置,其特征在于,
该蒸镀装置包括:
真空槽,在真空气氛下进行对于被蒸镀构件的蒸镀工序;
支承部,配置在所述真空槽内,支承所述被蒸镀构件;以及
蒸发源,与所述被蒸镀构件的成膜面相向地配置在所述真空槽内,通过朝向所述被蒸镀构件的成膜面喷射成膜材料而进行蒸镀,
所述真空槽在与由所述支承部支承的所述被蒸镀构件的成膜面相向的一侧的壁上具有光学窗,
所述蒸发源在蒸镀时沿着所述被蒸镀构件的面内方向在由所述支承部支承的所述被蒸镀构件与所述窗之间移动,
所述被蒸镀构件以在铅垂方向上立起的状态配置在所述真空槽内,
所述蒸发源具有由喷射所述成膜材料的多个喷嘴在铅垂方向上排列而成的喷嘴列,
所述蒸发源在与所述铅垂方向正交的水平方向上,沿着所述被蒸镀构件的面内方向在由所述支承部支承的所述被蒸镀构件与所述窗之间移动,
所述支承部在所述真空槽内以各被蒸镀构件的成膜面在同一面内朝向同一方向的方式在分离的多个位置支承多个被蒸镀构件,
所述真空槽在与所述各被蒸镀构件的成膜面相向的一侧的壁上,在与支承所述各被蒸镀构件的位置分别对应的区域具有多个所述窗,
所述蒸发源在所述真空槽内能够在配置有所述各被蒸镀构件的位置之间移动,
所述蒸发源被配置为,在配置有所述各被蒸镀构件的各个位置,能够在所述各被蒸镀构件与对应的所述各窗之间移动。
2.一种蒸镀装置,其特征在于,
该蒸镀装置包括:
真空槽,在真空气氛下进行对于被蒸镀构件的蒸镀工序;
支承部,配置在所述真空槽内,支承所述被蒸镀构件;以及
蒸发源,与所述被蒸镀构件的成膜面相向地配置在所述真空槽内,通过朝向所述被蒸镀构件的成膜面喷射成膜材料而进行蒸镀,
所述真空槽在与由所述支承部支承的所述被蒸镀构件的成膜面相向的一侧的壁上具有光学窗,
所述蒸发源在蒸镀时沿着所述被蒸镀构件的面内方向在由所述支承部支承的所述被蒸镀构件与所述窗之间移动,
所述被蒸镀构件以在铅垂方向上立起的状态配置在所述真空槽内,
所述蒸发源具有由喷射所述成膜材料的多个喷嘴在水平方向上沿着所述被蒸镀构件的面内方向排列而成的喷嘴列,
所述蒸发源在与所述水平方向正交的铅垂方向上,沿着所述被蒸镀构件的面内方向在由所述支承部支承的所述被蒸镀构件与所述窗之间移动,
所述支承部在所述真空槽内以各被蒸镀构件的成膜面在同一面内朝向同一方向的方式在分离的多个位置支承多个被蒸镀构件,
所述真空槽在与所述各被蒸镀构件的成膜面相向的一侧的壁上,在与支承所述各被蒸镀构件的位置分别对应的区域具有多个所述窗,
所述蒸发源在所述真空槽内能够在配置有所述各被蒸镀构件的位置之间移动,
所述蒸发源被配置为,在配置有所述各被蒸镀构件的各个位置,能够在所述各被蒸镀构件与对应的所述各窗之间移动。
3.一种蒸镀装置,其特征在于,
该蒸镀装置包括:
真空槽,在真空气氛下进行对于被蒸镀构件的蒸镀工序;
支承部,配置在所述真空槽内,支承所述被蒸镀构件;以及
蒸发源,与所述被蒸镀构件的成膜面相向地配置在所述真空槽内,通过朝向所述被蒸镀构件的成膜面喷射成膜材料而进行蒸镀,
所述真空槽在与由所述支承部支承的所述被蒸镀构件的成膜面相向的一侧的壁上具有光学窗,
所述蒸发源在蒸镀时沿着所述被蒸镀构件的面内方向在由所述支承部支承的所述被蒸镀构件与所述窗之间移动,
所述被蒸镀构件以在铅垂方向上立起的状态配置在所述真空槽内,
所述蒸发源具有由喷射所述成膜材料的多个喷嘴在铅垂方向上排列而成的喷嘴列,
所述蒸发源在与所述铅垂方向正交的水平方向上,沿着所述被蒸镀构件的面内方向在由所述支承部支承的所述被蒸镀构件与所述窗之间移动,
所述支承部在所述真空槽内以各被蒸镀构件的成膜面背靠背且朝向相反方向的方式在分离的多个位置支承多个被蒸镀构件,
所述真空槽在与所述各被蒸镀构件的成膜面相向的一侧的壁上,在与支承所述各被蒸镀构件的位置分别对应的区域具有多个所述窗,
所述蒸发源在所述真空槽内以与所述各被蒸镀构件对应且各蒸发源与所述各被蒸镀构件的成膜面相向的方式配置有多个蒸发源,
所述各蒸发源被配置为,在配置有所述各被蒸镀构件的各个位置,能够在对应的所述各被蒸镀构件与所述各窗之间移动。
4.一种蒸镀装置,其特征在于,
该蒸镀装置包括:
真空槽,在真空气氛下进行对于被蒸镀构件的蒸镀工序;
支承部,配置在所述真空槽内,支承所述被蒸镀构件;以及
蒸发源,与所述被蒸镀构件的成膜面相向地配置在所述真空槽内,通过朝向所述被蒸镀构件的成膜面喷射成膜材料而进行蒸镀,
所述真空槽在与由所述支承部支承的所述被蒸镀构件的成膜面相向的一侧的壁上具有光学窗,
所述蒸发源在蒸镀时沿着所述被蒸镀构件的面内方向在由所述支承部支承的所述被蒸镀构件与所述窗之间移动,
所述被蒸镀构件以在铅垂方向上立起的状态配置在所述真空槽内,
所述蒸发源具有由喷射所述成膜材料的多个喷嘴在水平方向上沿着所述被蒸镀构件的面内方向排列而成的喷嘴列,
所述蒸发源在与所述水平方向正交的铅垂方向上,沿着所述被蒸镀构件的面内方向在由所述支承部支承的所述被蒸镀构件与所述窗之间移动,
所述支承部在所述真空槽内以各被蒸镀构件的成膜面背靠背且朝向相反方向的方式在分离的多个位置支承多个被蒸镀构件,
所述真空槽在与所述各被蒸镀构件的成膜面相向的一侧的壁上,在与支承所述各被蒸镀构件的位置分别对应的区域具有多个所述窗,
所述蒸发源在所述真空槽内以与所述各被蒸镀构件对应且各蒸发源与所述各被蒸镀构件的成膜面相向的方式配置有多个蒸发源,
所述各蒸发源被配置为,在配置有所述各被蒸镀构件的各个位置,能够在对应的所述各被蒸镀构件与所述各窗之间移动。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的蒸镀装置,其特征在于,
所述被蒸镀构件包括基板和掩模,该掩模形成有相对于所述基板的成膜图案,且配置于所述基板的前表面。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的蒸镀装置,其特征在于,
在设置有所述窗的与所述被蒸镀构件的成膜面相向的一侧的所述真空槽的壁上,还设置有用于对所述真空槽进行真空排气的排气口,
所述蒸发源被配置为,能够沿着所述被蒸镀构件的面内方向在所述被蒸镀构件与所述排气口以及所述窗之间移动。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的蒸镀装置,其特征在于,
设置有所述窗的与所述被蒸镀构件的成膜面相向的一侧的所述真空槽的壁区域以能够开闭的门状形成。
8.根据权利要求2至4中任一项所述的蒸镀装置,其特征在于,
所述蒸发源具有多列所述喷嘴列。
9.根据权利要求8所述的蒸镀装置,其特征在于,
多列所述喷嘴列分别是喷射主体成膜材料或掺杂成膜材料中的一种成膜材料的喷嘴列。
10.一种成膜系统,其特征在于,
该成膜系统包括:
权利要求1至4中任一项所述的蒸镀装置;以及
光学部件,配置在所述蒸镀装置的设有所述窗的位置所对应的所述真空槽的外部,
利用所述光学部件,通过所述窗来拍摄形成在所述被蒸镀构件上的对准标记,进行所述被蒸镀构件的位置调整。
11.一种蒸镀方法,使用权利要求1至4中任一项所述的蒸镀装置,对被蒸镀构件进行蒸镀,其特征在于,
该蒸镀方法包括以下的工序:
将所述被蒸镀构件搬入设置有所述窗的所述真空槽内,并配置在成膜位置的工序;以及
在所述真空槽内从与所述被蒸镀构件的成膜面相向配置的所述蒸发源喷射成膜材料,并对所述被蒸镀构件的成膜面进行蒸镀的工序,
在进行所述蒸镀的工序中,一边使所述蒸发源在所述被蒸镀构件与所述窗之间沿着所述被蒸镀构件的面内方向移动一边进行蒸镀。
12.一种电子器件的制造方法,该电子器件具有形成在作为被蒸镀构件的基板上的有机膜,其特征在于,
通过权利要求11所述的蒸镀方法形成所述有机膜。
13.根据权利要求12所述的电子器件的制造方法,其特征在于,
所述电子器件是有机EL显示装置的显示面板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2018-0060754 | 2018-05-28 | ||
KR1020180060754A KR102049668B1 (ko) | 2018-05-28 | 2018-05-28 | 성막 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110541147A CN110541147A (zh) | 2019-12-06 |
CN110541147B true CN110541147B (zh) | 2023-08-29 |
Family
ID=68701995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811560346.1A Active CN110541147B (zh) | 2018-05-28 | 2018-12-20 | 成膜装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102049668B1 (zh) |
CN (1) | CN110541147B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210081589A (ko) * | 2019-12-24 | 2021-07-02 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막장치, 전자 디바이스 제조장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법 |
CN111394698A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-07-10 | 贵州省高新光电材料及器件研究院有限公司 | 一种均匀镀膜的方法 |
JP7216064B2 (ja) * | 2020-12-10 | 2023-01-31 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 |
JP7242626B2 (ja) * | 2020-12-10 | 2023-03-20 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置 |
JP2023103008A (ja) * | 2022-01-13 | 2023-07-26 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020080159A (ko) * | 2001-04-12 | 2002-10-23 | 에프디테크 주식회사 | 유기 전계발광 표시 소자의 자동 제조를 위한아이티오전극 증착 장치 및 방법 |
JP2002343563A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-29 | Sony Corp | 真空成膜方法および真空成膜装置 |
CN102751438A (zh) * | 2008-12-15 | 2012-10-24 | 株式会社日立高新技术 | 有机el器件制造方法 |
CN103270189A (zh) * | 2010-12-24 | 2013-08-28 | 夏普株式会社 | 蒸镀装置、蒸镀方法和有机电致发光显示装置的制造方法 |
CN103305798A (zh) * | 2013-05-21 | 2013-09-18 | 上海和辉光电有限公司 | 蒸镀装置及利用该蒸镀装置进行的蒸镀工艺 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3865841B2 (ja) * | 1995-11-24 | 2007-01-10 | 株式会社アルバック | 電子ビーム蒸着装置 |
JP5219237B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2013-06-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 塗布装置 |
JP2012214834A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空蒸着装置および有機el表示装置の製造方法 |
JP6053110B2 (ja) | 2011-07-07 | 2016-12-27 | 株式会社アルバック | 真空蒸着装置 |
KR20150139222A (ko) * | 2014-06-03 | 2015-12-11 | (주)브이앤아이솔루션 | Oled 증착기 |
-
2018
- 2018-05-28 KR KR1020180060754A patent/KR102049668B1/ko active IP Right Grant
- 2018-12-20 CN CN201811560346.1A patent/CN110541147B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020080159A (ko) * | 2001-04-12 | 2002-10-23 | 에프디테크 주식회사 | 유기 전계발광 표시 소자의 자동 제조를 위한아이티오전극 증착 장치 및 방법 |
JP2002343563A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-29 | Sony Corp | 真空成膜方法および真空成膜装置 |
CN102751438A (zh) * | 2008-12-15 | 2012-10-24 | 株式会社日立高新技术 | 有机el器件制造方法 |
CN103270189A (zh) * | 2010-12-24 | 2013-08-28 | 夏普株式会社 | 蒸镀装置、蒸镀方法和有机电致发光显示装置的制造方法 |
CN103305798A (zh) * | 2013-05-21 | 2013-09-18 | 上海和辉光电有限公司 | 蒸镀装置及利用该蒸镀装置进行的蒸镀工艺 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102049668B1 (ko) | 2019-11-27 |
CN110541147A (zh) | 2019-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110541147B (zh) | 成膜装置 | |
US10431779B2 (en) | Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method | |
US10287671B2 (en) | Thin film deposition apparatus | |
US9453282B2 (en) | Thin film deposition apparatus | |
US9748483B2 (en) | Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same | |
US8951610B2 (en) | Organic layer deposition apparatus | |
US9450140B2 (en) | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same | |
US9018647B2 (en) | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method | |
US8945979B2 (en) | Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured by the method | |
JP7018375B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイス製造方法 | |
US20110262625A1 (en) | Thin film deposition apparatus | |
US20120145077A1 (en) | Organic layer deposition apparatus | |
US20120009328A1 (en) | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same | |
US20140014917A1 (en) | Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method | |
US20140034917A1 (en) | Organic layer deposition assembly, organic layer deposition apparatus, organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
CN111378925B (zh) | 对准系统、成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法 | |
JP7017619B2 (ja) | 成膜装置、電子デバイスの製造装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
CN111128828B (zh) | 吸附及对准方法、吸附系统、成膜方法及装置、电子器件的制造方法 | |
JP2021095633A (ja) | アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
JP2019060027A (ja) | 基板載置装置、成膜装置、基板載置方法、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 | |
CN110783247B (zh) | 静电吸盘系统、成膜装置、吸附方法及成膜方法 | |
CN111128835A (zh) | 吸附及对准方法、吸附系统、成膜方法及装置、电子器件的制造方法 | |
JP2022107969A (ja) | 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 | |
KR20190036232A (ko) | 성막장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |