JP4715226B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 - Google Patents
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本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、隣接画素へのインクの混入を防止し、安定した発光特性を得ることのできる有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法を提供することを目的とする。また、係る有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた表示品質の高い電子機器を提供することを目的とする。
この構成によれば、サテライトとして描画された機能液(インクミスト)はミスト吸収構造によって隔壁上に固定されるので、誤って隣接画素に混入されてしまうことはない。このため、安定した発光特性を有する有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することができる。
この構成によれば、サテライトとして描画された機能液は凹部内に吸収されるので、隔壁の表面が平坦化され、この上に形成される陰極の膜質も良好なものとなる。すなわち、隔壁の上面に機能液が溜まり、不均一な形状で成膜されてしまうと、これによって陰極蒸着時に局所的な応力が発生し、陰極の膜質に影響を与え、素子劣化の起点になる可能性があるが、本構成においては、このような応力の発生が防止されるので、高品質且つ信頼性の高い陰極膜を形成することができる。
この構成によれば、ビーズの凝集体が一種の受容層を形成し、機能液の吸収を促すことができる。
この構成によれば、凹部を形成した場合と同様に、サテライトとして描画された機能液を確実に隔壁上に固定することができる。
この構成によれば、より効果的に隣接画素間での機能液の混入を防止することができる。
この方法によれば、サテライトとして描画された機能液(インクミスト)は、ミスト吸収構造によって隔壁上に固定されるので、誤って隣接画素に混入されてしまうことはない。このため、安定した発光特性を有する有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することができる。
この方法によれば、サテライトとして描画された機能液は凹部内に吸収されるので、隔壁の表面が平坦化され、この上に形成される陰極の膜質も良好なものとなる。
この方法によれば、ビーズの凝集体が一種の受容層を形成し、機能液の吸収を促すことができる。
この方法によれば、凹部を形成した場合と同様に、サテライトとして描画された機能液を確実に隔壁上に固定することができる。
この方法によれば、より効果的に隣接画素間での機能液の混入を防止することができる。
この構成によれば、表示品質の高い電子機器を提供することができる。
図1は本実施形態の有機EL装置の配線構造を示す説明図、図2は有機EL装置の平面模式図、図3は有機EL装置の表示領域の断面模式図である。
図1に示すように、本実施形態の有機EL装置は、複数の走査線101と、走査線101に対して交差する方向に延びる複数の信号線102と、信号線102に対して並列する方向に延びる複数の電源線103とがそれぞれ配線された構成を有し、走査線101及び信号線102の各交点付近には画素領域Pが設けられている。
更に、画素領域Pの各々には、走査線101を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ122と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ122を介して信号線102から供給される画素信号を保持する保持容量capと、該保持容量capによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ123と、この駆動用薄膜トランジスタ123を介して電源線103に電気的に接続したときに当該電源線103から駆動電流が流れ込む画素電極(電極)111と、この画素電極111と陰極(対向電極)12との間に挟み込まれた有機EL層110とが設けられている。電極111と対向電極12と有機EL層110により、発光素子が構成されている。
基板2は、例えばガラス等の透明基板であり、図2に示すように、当該基板2の中央に位置する表示領域2aを備えている。なお、表示領域2aは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域である。
なお、上記陰極12として、透明な材料を用いるならば、陰極側から発光する光を出射させることができる。透明な陰極材料としては、ITO(インジウムスズ酸化物)、Pt、Ir、Ni、もしくはPdを挙げることができる。
図4(a)は、凹部150をストライプ状の溝として形成した例を示している。溝は、画素間の中央部において画素の長辺方向(すなわち信号線102に平行な方向)に延在するように形成されている。図4(a)では、このような溝を画素間に1本ずつ形成しているが、溝の本数はこれに限定されない。例えば、画素間に複数本の溝を形成することもできる。
図4(b)は、凹部150をドット状に形成した例を示している。ドットは、画素間の中央部において画素の長手方向に密に形成されている。この例において、ドットの配置は任意である。例えば、各ドットを図4(b)のように直線状に配置する代わりに、市松状に配置することも可能である。なお、図4(b)では、画素の短辺において隣接する画素と画素の間にはドットは形成されていないが、これは、短辺側で隣接する画素の間隔は長辺側で隣接する画素の間隔よりも広く、サテライトとして描画されたインク滴が隣の画素に流れ込む可能性が少ないからである。ただし、このような領域にドットを形成することも勿論可能である。
図4(c)は、凹部150を各画素の周囲を囲むように格子状に形成した例を示している。こうすることで、インクミストによる混色の影響をより確実に防止することができる。なお、凹部150は、必ずしも画素の周囲を完全に囲む構成とする必要はなく、一部を開口した状態で形成してもよい。すなわち、各画素の周囲は凹部150によって概ね囲まれる構成であればよい。
正孔注入/輸送層110aは、発光層110bに正孔を注入する機能を有するとともに、正孔注入/輸送層110a内部において正孔を輸送する機能を有する。このような正孔注入/輸送層110aを画素電極111と発光層110bの間に設けることにより、発光層110bの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層110bでは、正孔注入/輸送層110aから注入された正孔と、陰極12から注入される電子が発光層で再結合し、発光が行われる。
これにより、画素電極111からの電流が平坦部112a1のみに流れ、正孔を平坦部112a1から発光層110bに均一に輸送させることができ、発光層110bの中央部分のみを発光させることができるとともに、発光層110bにおける発光量を一定にすることができる。
また、無機物バンク層112aが有機物バンク層112bよりも画素電極111の中央側に更に延出されているので、この無機物バンク層112aによって画素電極111と平坦部110a1との接合部分の形状をトリミングすることができ、各発光層110b間の発光強度のばらつきを抑えることができる。
次に、上記有機EL装置を製造する方法について図面を参照して説明する。
本実施形態の製造方法は、(1)バンク部形成工程、(2)正孔注入/輸送層形成工程、(3)発光層形成工程、(4)陰極形成工程及び(5)封止工程等を有する。なお、ここで説明する製造方法は一例であって、必要に応じてその他の工程が追加されたり、上記の工程の一部が除かれたりする。
なお、(2)正孔注入/輸送層形成工程、(3)発光層形成工程は、液滴吐出装置を用いた液体吐出法(インクジェット法)を用いて行われる。
バンク部形成工程では、基板2の所定位置にバンク部112を形成する。バンク部112は、第1のバンク層として無機物バンク層112aが形成され、第2のバンク層として有機物バンク層112bが形成された構造を有している。
まず、図5に示すように、基板上の所定位置に無機物バンク層112aを形成する。無機物バンク層112aが形成される位置は、第2層間絶縁膜144b及び画素電極111上である。なお、第2層間絶縁膜144bは薄膜トランジスタ、走査線、信号線、等が配置された回路素子部14上に形成されている。無機物バンク層112aは、例えば、SiO2、TiO2等の無機物材料にて構成することができる。これらの材料は、例えばCVD法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。更に、無機物バンク層112aの膜厚は50nm〜200nmの範囲が好ましく、特に150nmがよい。
次に、第2のバンク層としての有機物バンク層112bを形成する。
具体的には、図5に示すように、無機物バンク層112a上に有機物バンク層112bを形成する。有機物バンク層112bを構成する材料として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材料を用い、有機物バンク層112bをフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。なお、パターニングする際、有機物バンク層112bに上部開口部112dを形成する。上部開口部112dは、電極面111a及び下部開口部112cに対応する位置に設けられ、全画素共通のパターンを有して形成するものとする。また、有機物バンク層112bをパターニングする際に、露光条件を変更して2度露光することにより、バンク上面112fにミスト吸収用の凹部150を形成する。この凹部150は画素間の中央部に対応する位置に設けられ、その深さは上部開口部112dよりも浅い深さ(すなわち無機物バンク層112aに達しない程度の深さ)に形成するものとする。
これにより、無機物バンク層112aの下部開口部112cを囲む第1積層部112eが、有機物バンク層112bよりも画素電極111の中央側に突出された形になる。このようにして、有機物バンク層112bに形成された上部開口部112d、無機物バンク層112aに形成された下部開口部112cを連通させることにより、無機物バンク層112a及び有機物バンク層112bを貫通する開口部112gが形成される。
すなわち、厚さが0.1μm未満では、後述する正孔注入/輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層112bが薄くなり、発光層110bが上部開口部112dから溢れてしまうおそれがあるので好ましくない。また、厚さが3.5μmを越えると、上部開口部112dによる段差が大きくなり、上部開口部112dにおける陰極12のステップカバレッジが確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層112bの厚さを2μm以上とすれば、陰極12と駆動用の薄膜トランジスタ123との絶縁を高めることができる点で好ましい。
まず、画素電極111の表面処理は、酸素ガスを用いたO2プラズマ処理により行うことができ、例えばプラズマパワー100kW〜800kW、酸素ガス流量50ml/min〜100ml/min、板搬送速度0.5mm/sec〜10mm/sec、基板温度70℃〜90℃の条件で処理することで、画素電極111表面を含む領域を親液化することができる。また、このO2プラズマ処理により画素電極111表面の洗浄、及び仕事関数の調整も同時に行われる。
次いで、バンク部112の表面処理は、テトラフルオロメタンを用いたCF4プラズマ処理により行うことができ、例えばプラズマパワー100kW〜800kW、テトラフルオロメタンガス流量50ml/min〜100ml/min、基板搬送速度0.5mm/sec〜10mm/sec、基板温度70℃〜90℃の条件で処理することで、バンク部112の上部開口部112d及び上面112fを撥液化することができる。
次に発光素子形成工程では、まず画素電極111上に正孔注入/輸送層を形成する。
正孔注入/輸送層形成工程では、液滴吐出装置として例えばインクジェット装置を用いることにより、正孔注入/輸送層形成材料を含む液状組成物を電極面111a上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極111上及び無機物バンク層112a上に正孔注入/輸送層110aを形成する。なお、ここで、正孔注入/輸送層110aは第1積層部112e上に形成されないこともあり、つまり画素電極111上にのみ正孔注入/輸送層が形成される形態もある。
図12中、符号H7は前記のインクジェットヘッドH1を支持する支持基板であり、この支持基板H7上に複数のインクジェットヘッドH1が備えられている。
インクジェットヘッドH1のインク吐出面(基板との対向面)には、ヘッドの長さ方向に沿って列状に、且つヘッドの幅方向に間隔をあけて2列で吐出ノズルが複数(例えば、1列180ノズル、合計360ノズル)設けられている。また、このインクジェットヘッドH1は、吐出ノズルを基板側に向けるとともに、X軸(またはY軸)に対して所定角度傾いた状態で略X軸方向に沿って列状に、且つY方向に所定間隔をあけて2列に配列された状態で平面視略矩形状の支持板20に複数(図12では1列6個、合計12個)位置決めされて支持されている。
また、バンク上面112fには、ミスト吸収構造(凹部150)によって吸収した液滴による膜が形成される。ただし、この膜は、凹部内に形成されるものであるので、バンク上面112fに凸条部を形成することはなく、従って、この上に形成される陰極膜質に影響することはない。
発光層形成工程は、発光層形成材料吐出工程及び乾燥工程とからなる。
前述の正孔注入/輸送層形成工程と同様、インクジェット法により発光層形成用の液状組成物を正孔注入/輸送層110a上に吐出する。その後、吐出した液状組成物を乾燥処理(及び熱処理)して、正孔注入/輸送層110a上に発光層110bを形成する。
図示の通り、インクジェットヘッドH5と基板2とを相対的に移動し、インクジェットヘッドに形成された吐出ノズルH6から各色(例えばここでは青色(B))発光層形成材料を含有する液状組成物が吐出される。
吐出の際には、下部、上部開口部112c、112d内に位置する正孔注入/輸送層110aに吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドH5と基板2とを相対移動させながら液状組成物が吐出される。吐出ノズルH6から吐出される液量は1滴当たりの液量が制御されている。このように液量が制御された液(液状組成物滴110e)が吐出ノズルから吐出され、この液状組成物滴110eを正孔注入/輸送層110a上に吐出する。
また、バンク上面112fには、ミスト吸収構造(凹部150)によって吸収した液滴による膜が形成される。ただし、この膜は、凹部内に形成されるものであるので、バンク上面112fに凸条部を形成することはなく、従って、この上に形成される陰極膜質に影響することはない。
このようにして、画素電極111上に正孔注入/輸送層110a及び発光層110bが形成される。
発光層形成工程では、正孔注入/輸送層110aの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる液状組成物の溶媒として、正孔注入/輸送層110aに対して不溶な溶媒を用いるものとするのが好ましい。しかし、その一方で正孔注入/輸送層110aは、溶媒に対する親和性が低いため、溶媒を含む液状組成物を正孔注入/輸送層110a上に吐出しても、正孔注入/輸送層110aと発光層110bとを密着させることができなくなるか、あるいは発光層110bを均一に塗布できないおそれがある。そこで、溶媒ならびに発光層形成材料に対する正孔注入/輸送層110aの表面の親和性を高めるために、発光層形成の前に表面改質工程を行うことが好ましい。
次に、図11に示すように、画素電極(陽極)111と対をなす陰極12を形成する。
即ち、各色発光層110b及び有機物バンク層112bを含む基板2上の領域全面に、例えばカルシウム層とアルミニウム層とを順次積層した構成の陰極12を形成する。これにより、各色発光層110bの形成領域全体に、陰極12が積層され、赤色、緑色、青色の各色に対応する有機EL素子がそれぞれ形成される。
最後に、有機EL素子が形成された基板2と、別途用意した封止基板とを封止樹脂を介して封止する。例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂を基板2の周縁部に塗布し、封止樹脂上に封止基板を配置する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極12にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極12に侵入して陰極12が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
図14は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。本実施形態の電子機器は、上述した有機EL装置を表示手段として備えている。ここでは、携帯電話の一例を斜視図で示しており、符号1000は携帯電話本体を示し、符号1001は上記の有機EL装置1を用いた表示部を示している。このように本実施形態に係る有機EL装置を表示手段として備える電子機器では、良好な発光特性を得ることができる。
Claims (3)
- 基板上に、複数の画素と、前記画素を区画する隔壁と、前記隔壁によって区画された領域に形成された発光素子とを有し、
前記隔壁は、基板側に位置し無機物からなる第1隔壁部上に有機物からなる第2隔壁部が積層され、前記第1隔壁部は、前記第2隔壁部の縁端よりも前記画素の中央部側に突出するように形成され、
前記第1隔壁部の前記第2隔壁部の縁端より突出する部分が親液性を示す領域とされるとともに、前記第2隔壁部の壁面及び上面が撥液性を示す領域とされ、
前記第2隔壁部の上面かつ前記画素間の中央部には、ビーズの凝集体が埋め込まれたミスト吸収用の凹部が形成され、
前記凹部の平面形状は、前記画素間の中央部にて前記画素の長辺方向に延在するストライプ状、前記画素間の中央部にて前記画素の長手方向に密に形成されるドット状、前記画素各々の周囲を囲むように形成される格子状、のいずれかであることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 基板上に複数の画素を区画する隔壁を形成する工程と、
前記隔壁によって区画された領域に、発光素子の形成材料を含む機能液を配置する工程とを有し、
前記隔壁の形成工程は、前記基板上の所定位置に無機物からなる第1隔壁部を形成する工程と、前記第1隔壁部上に有機物からなる第2隔壁部を形成する工程と、前記第2隔壁部の上面に、前記画素間の中央部にて前記画素の長辺方向に延在するストライプ状、前記画素間の中央部にて前記画素の長手方向に密に形成されるドット状、前記画素各々の周囲を囲むように形成される格子状、のいずれかの平面形状のミスト吸収用の凹部を形成し、前記凹部にビーズの凝集体を埋め込む工程とを含むことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス装置、又は請求項2記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法により製造されてなる有機エレクトロルミネッセンス装置、を備えることを特徴とする、電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005043516A JP4715226B2 (ja) | 2005-02-21 | 2005-02-21 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005043516A JP4715226B2 (ja) | 2005-02-21 | 2005-02-21 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006228648A JP2006228648A (ja) | 2006-08-31 |
JP4715226B2 true JP4715226B2 (ja) | 2011-07-06 |
Family
ID=36989821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005043516A Expired - Fee Related JP4715226B2 (ja) | 2005-02-21 | 2005-02-21 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4715226B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4788552B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2011-10-05 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、電子機器、発光装置の製造方法 |
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US8154032B2 (en) | 2007-07-23 | 2012-04-10 | Seiko Epson Corporation | Electrooptical device, electronic apparatus, and method for producing electrooptical device |
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-
2005
- 2005-02-21 JP JP2005043516A patent/JP4715226B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006228648A (ja) | 2006-08-31 |
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Date | Code | Title | Description |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140408 Year of fee payment: 3 |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |