CN109103224A - Tft基板和显示面板 - Google Patents

Tft基板和显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN109103224A
CN109103224A CN201810948118.5A CN201810948118A CN109103224A CN 109103224 A CN109103224 A CN 109103224A CN 201810948118 A CN201810948118 A CN 201810948118A CN 109103224 A CN109103224 A CN 109103224A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
tft substrate
insulating layer
flexible organic
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810948118.5A
Other languages
English (en)
Inventor
张豪峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yungu Guan Technology Co Ltd
Original Assignee
Yungu Guan Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yungu Guan Technology Co Ltd filed Critical Yungu Guan Technology Co Ltd
Priority to CN201810948118.5A priority Critical patent/CN109103224A/zh
Publication of CN109103224A publication Critical patent/CN109103224A/zh
Priority to PCT/CN2019/085064 priority patent/WO2020038018A1/zh
Priority to KR1020207014685A priority patent/KR102501504B1/ko
Priority to US16/801,149 priority patent/US20200194526A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明涉及TFT基板和显示面板。提供了一种TFT基板，其包括：衬底；衬底、设置在衬底上的功能层、以及覆盖功能层的绝缘层；功能层具有图案化结构，绝缘层具有与功能层结构匹配的图案化结构；绝缘层的图案化结构中的镂空区域填充有柔性有机材料，柔性有机材料和功能层不直接接触。由于柔性有机材料相比于绝缘层的材料具有较好的延展性和耐弯折性，因此在TFT基板受到外来瞬时冲击时，应力可以向镂空区域中的柔性有机材料释放，因而具备更多的缓冲空间，从而达到提高抗冲击能力、改善显示失效的目的。本申请还提供了具有该TFT基板的显示面板。

Description

TFT基板和显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术，特别是涉及TFT基板和显示面板。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示面板具有自发光、功耗低、反应速度较快、对比度更高和视角较广等特点，因此，AMOLED显示面板在显示技术领域，具有广泛的应用前景。
在AMOLED显示面板制作完成后，通常需要进行一系列的显示面板可靠性测试，通常采用落球实验测试屏幕的抗冲击性能，在该类测试方案及实际使用中，存在瞬间的冲击导致显示面板局部应力激增的现象，从而可能引起显示异常，尤其对于柔性屏幕，其受到瞬间冲击时，由于不存在硬质保护层，应力急剧增大，更易引发显示区域出现黑斑、亮斑、彩斑等显示缺陷。
现有技术中，通常采用增加额外缓冲材料来改善显示异常的情况，但这种方式会使得显示面板的厚度增加，弯折性能有所下降。
发明内容
基于此，有必要针对显示器在受到冲击时容易导致显示缺陷的问题，提供一种可以无需增加显示面板的厚度就可以有效吸收和释放应力的TFT基板和显示面板。
根据本发明的一个方面，提供了一种TFT基板，其包括：衬底、设置在衬底上的功能层、以及覆盖功能层的绝缘层；功能层具有图案化结构，绝缘层具有与功能层结构匹配的图案化结构；绝缘层的图案化结构中的镂空区域填充有柔性有机材料，柔性有机材料和功能层不直接接触。
应用本发明上述TFT基板，TFT基板的绝缘层具有与功能层结构匹配的图案化结构，并且绝缘层的图案化结构中的镂空区域填充有柔性有机材料，由于柔性有机材料相比于绝缘层的材料具有较好的缓冲性，因此在TFT基板受到外来瞬时冲击时，应力可以向镂空区域中的柔性有机材料释放，因而具备更多的缓冲空间，可以有效吸收和释放应力，从而达到提高抗冲击能力、改善显示失效的目的。同时，由于柔性有机材料相对于无机层具有更好的延展性和耐弯折性，因此用于柔性TFT基板时，可以使其具有更好的耐弯折性。
在其中一个实施例中，TFT基板包括若干个交叠设置的功能层和绝缘层，在每个功能层靠近和远离衬底的方向上均设置有绝缘层，且与功能层相邻的绝缘层相互接触以形成对功能层的包裹结构。
在其中一个实施例中，若干个交叠设置的功能层和绝缘层均具有图案化结构，且各功能层和绝缘层的图案化结构在衬底上的投影存在交叠区域。
在其中一个实施例中，柔性有机材料连续地填充在各绝缘层的图案化结构中的镂空区域。
在其中一个实施例中，功能层为有源层、栅极、源极和漏极、电容的上极板、电容的下极板中的一种或多种。
在其中一个实施例中，TFT基板还包括覆盖衬底的缓冲层，柔性有机材料与缓冲层接触。
在其中一个实施例中，TFT基板包括平坦化层，平坦化层覆盖TFT基板中距离衬底最远的绝缘层。
在其中一个实施例中，平坦化层与填充在绝缘层中的柔性有机材料材质相同。
根据本发明的另一个方面，提供了一种显示面板，包括如上述实施例中任意一项的TFT基板。
应用本发明上述显示面板，包括如上述实施例中任意一项的TFT基板。该TFT基板的绝缘层具有与功能层结构匹配的图案化结构，并且绝缘层的图案化结构中的镂空区域填充有柔性有机材料，由于柔性有机材料相比于绝缘层的材料具有较好的缓冲性，因此在显示面板受到外来瞬时冲击时，应力可以向镂空区域中的柔性有机材料释放，因而具备更多的缓冲空间，可以有效吸收和释放应力，从而达到提高抗冲击能力、改善显示失效的目的。同时，由于柔性有机材料相对于无机层具有更好的延展性和耐弯折性，因此用于柔性显示面板时，可以使其具有更好的耐弯折性。
在其中一个实施例中，显示面板还包括设置在TFT基板上的发光结构，发光结构包括叠层设置的第一电极、有机发光层和第二电极；有机发光层包括像素、以及设置在相邻像素之间的像素限定层，像素限定层上具有设置在相邻两个像素之间的沟槽结构。
附图说明
图1示出了一个实施例中的TFT基板的剖面示意图。
图2示出了一个实施例中的TFT基板的剖面示意图。
图3示出了一个实施例中的TFT基板的剖面示意图。
图4示出了一个实施例中的TFT基板的剖面示意图。
图5示出了一个实施例中的TFT基板的剖面示意图。
图6示出了一个实施例的TFT基板的剖面示意图。
图7示出了一个实施例的TFT基板的剖面示意图。
图8示出了一个实施例的显示面板的剖面示意图。
图9示出了另一个实施例的的显示面板的剖面示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
需要说明的是，当元件被称为“形成于”另一个元件，它可以直接形成于另一个元件上或者也可以存在居中的元件。本文所使用的术语“上”、“下”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体地实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和的所有的组合。
目前，在AMOLED显示面板制作完成后，通常需要进行一系列的显示面板可靠性测试，通常采用落球实验测试屏幕的抗冲击性能，在该类测试方案及实际使用中，存在瞬间的冲击导致显示面板局部应力激增的现象，从而可能引起显示异常，尤其对于柔性屏幕，其受到瞬间冲击时，由于不存在硬质保护层，应力急剧增大，更易引发显示区域出现黑斑、亮斑、彩斑等显示缺陷。虽然可以采用增加额外缓冲材料来改善显示异常的情况，但这种方式会使得显示面板的厚度增加，弯折性能有所下降。
基于此，本申请提供一种TFT基板，其包括：衬底、设置在衬底上的功能层、以及覆盖功能层的绝缘层；功能层具有图案化结构，绝缘层具有与功能层结构匹配的图案化结构；绝缘层的图案化结构中的镂空区域填充有柔性有机材料，柔性有机材料和功能层不直接接触。
在本申请中，TFT基板的绝缘层具有与功能层结构匹配的图案化结构，并且绝缘层的图案化结构中的镂空区域填充有柔性有机材料，由于柔性有机材料相比于绝缘层的材料具有较好的缓冲性，因此在TFT基板受到外来瞬时冲击时，应力可以向镂空区域中的柔性有机材料释放，因而具备更多的缓冲空间，可以有效吸收和释放应力，从而达到提高抗冲击能力、改善显示失效的目的。同时，由于柔性有机材料相对于无机层具有更好的延展性和耐弯折性，因此用于柔性TFT基板时，可以使其具有更好的耐弯折性。
在一个实施方式中，TFT基板包括若干个交叠设置的功能层和绝缘层，在每个功能层靠近和远离衬底的方向上均设置有绝缘层，且与功能层相邻的绝缘层相互接触以形成对功能层的包裹结构。
具体地，TFT基板包括若干个交叠设置的功能层和绝缘层，在每个功能层的靠近和远离衬底的两侧上均设置有绝缘层，且与该功能层相邻的绝缘层(即，设置在该功能层的靠近和远离衬底的两侧上的绝缘层)相互接触，以形成对该功能层的包裹结构，从而对该功能层起到绝缘、阻隔或保护的作用。多个绝缘层分别与多个功能层具有匹配的图案化结构，并包裹对应的功能层。绝缘层的图案化结构中包括若干个镂空区域，该若干个镂空区域填充有柔性有机材料，并且柔性有机材料与功能层不直接接触。
上述TFT基板，由于绝缘层形成对功能层的包裹结构，并且绝缘层中的镂空区域填充有柔性有机材料，因此，在TFT基板受到外来瞬时冲击时，应力可以向镂空区域中的柔性有机材料释放，因而具备更多的缓冲空间，可以有效吸收和释放应力，从而在对功能层进行必要的绝缘、阻隔或保护的情况下达到提高抗冲击能力、改善显示失效的目的。
在一个实施方式中，若干个交叠设置的功能层和绝缘层均具有图案化结构，且各功能层和绝缘层的图案化结构在衬底上的投影存在交叠区域。
具体地，若干个交叠设置的功能层和绝缘层均具有图案化结构，并且该图案化结构使得各功能层和绝缘层的图案化结构在衬底上的投影存在交叠区域，使得各绝缘层对各功能层具有绝缘、保护或阻隔的作用。
在一个实施方式中，柔性有机材料连续地填充在各绝缘层的图案化结构中的镂空区域。
具体地，若干个交叠设置的功能层和绝缘层的图案化结构均匹配，使得各绝缘层中的镂空区域连通，该连通的镂空区域被柔性有机材料连续地填充。因而，在TFT基板受到外来瞬时冲击时，应力可以向整个镂空区域中的柔性有机材料释放，因而具备最大限度的缓冲空间，可以更有效吸收和释放应力。
在一个实施方式中，TFT基板的功能层可以是有源层、栅极、源极和漏极、电容的上极板和电容的下极板中的一种或多种。
对应地，TFT基板的绝缘层包括：阻隔层、栅极绝缘层、层间绝缘层、电容绝缘层和保护层中的一种或多种。在一个实施例中，功能层包括有源层，绝缘层包括设置在有源层上的栅极绝缘层，栅极绝缘层包覆有源层。在一个实施例中，功能层还包括设置在栅极绝缘层上的栅极，绝缘层还包括设置在栅极上的第一层间绝缘层，第一层间绝缘层包覆栅极。在一个实施例中，功能层还包括电容，电容包括上极板和下极板，绝缘层还包括第二层间绝缘层，第二层间绝缘层设置在第一层间绝缘层上；上极板设置在第一层间绝缘层和第二层间绝缘层之间，下极板设置在第一层间绝缘层和栅极绝缘层之间，第一层间绝缘层包覆下极板，第二层间绝缘层包覆上极板。在一个实施例中，功能层还包括设置在第二层间绝缘层上的源极和漏极，绝缘层还包括设置在源极和漏极上的保护层，保护层包覆源极和漏极。
在一个实施方式中，TFT基板还包括覆盖衬底的缓冲层，柔性有机材料与缓冲层接触。
具体地，TFT基板还包括覆盖衬底的缓冲层，缓冲层上设置有阻隔层，有源层设置在该阻隔层上，阻隔层被图案化成具有与有源层匹配的图案化结构，从而与有源层上方的栅极绝缘层一起形成对有源层的包裹结构。柔性有机材料填充阻隔层和栅极绝缘层中的镂空区域，与缓冲层接触，从而增强显示面板的抗冲击性和耐弯折性。
在一个实施方式中，TFT基板包括平坦化层，平坦化层覆盖TFT基板中距离衬底最远的绝缘层。
具体地，平坦化层覆盖TFT基板中的所有其他部分，使得TFT基板的上表面平坦。在一个实施例中，TFT基板中距离衬底最远的绝缘层可以是设置在源极和漏极上的阻隔层。
在一个实施方式中，平坦化层与填充在绝缘层中的柔性有机材料材质相同。
具体地，平坦化层可以由包括诸如聚丙烯酸酯或聚酰亚胺等的合适的有机材料形成，填充绝缘层中的镂空区域的柔性有机材料与平坦化层的材料相同。在一个实施例中，各绝缘层中的镂空区域连通，平坦化层可以与镂空区域中的柔性有机材料一体形成，使得层之间的结合性更好，还可以节约制造工序，并且可以提高显示面板的抗冲击性和耐弯折性。
基于以上方案，下面结合附图，对具体实施例进行详细说明。
本申请实施例提供了一种TFT基板100，如图1所示，图1为TFT基板100的剖面示意图。在剖面结构上，TFT基板100包括TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)、电容(图中未示出)、及相应的导电线路(图中未示出)。具体地，TFT基板控制着发光结构的发光强度，TFT是TFT基板中的重要元器件。如图1所示，TFT基板包括衬底30、在衬底30上依次形成的有源层42、栅极绝缘层46、栅极43、层间绝缘层47、源极44、漏极45。衬底30可以为柔性衬底或刚性衬底。
有源层42包括沟道区和掺杂有掺杂剂的源区与漏区，栅极绝缘层46覆盖在有源层42上，栅极绝缘层46可以覆盖衬底30的整个表面，栅极43设置在栅极绝缘层46上，栅极43被层间绝缘层47覆盖，去除栅极绝缘层46和层间绝缘层47的一部分，在去除之后形成接触孔以暴露有源层42的预定区域，源极44和漏极45经由接触孔接触有源层42。
在TFT基板中，为了实现绝缘、钝化或阻隔等功能，无机材料的性能一般比有机材料更好，因此TFT基板中的绝缘层通常选用整层的无机材料。然而，无机材料具有硬度较大而难以吸收或释放应力的缺陷，不利于TFT基板在受到瞬间的冲击时的应力释放和吸收。因此，在本申请中，通过对TFT基板中的绝缘层进行相当于下层遮蔽必要图案的图案化(TFT中的绝缘层的主要作用是隔绝走线，但实际生产中，如果没有形成接触的必要，绝缘层整面连续，这里则仅保留必要的隔绝所需要的绝缘层，不起到隔绝或绝缘作用的部分则去除，因此说，相当于下层遮蔽必要图案的图案化)，使得绝缘层成为不连续的膜层，使得绝缘层中设有镂空区域，并以柔性有机材料填充该镂空区域，从而使得受到冲击时的应力激增释放在该区域，解决了受到冲击时显示失效的问题。
具体地，如图1所示，层间绝缘层47设置在栅极绝缘层46上，并且在位于有源层42两端的对应位置设置有第一镂空区域71，从而使得相邻TFT之间的层间绝缘层47不连续，柔性有机层41(即柔性有机材料)设置在层间绝缘层47上并填充第一镂空区域71。层间绝缘层47可以被图案化成其宽度略大于或等于有源层42的宽度。层间绝缘层47一般由氧化硅、氮化硅等无机绝缘材料形成。由于柔性有机层41相比于层间绝缘层47具有较好的缓冲性，因此在TFT基板受到外来瞬时冲击时，应力可以向第一镂空区域71处的柔性有机材料释放，从而具备更多的缓冲空间，可以有效吸收和释放应力，进而达到提高抗冲击能力、改善显示失效的目的。同时，由于柔性有机层相对于无机层具有更好的延展性和耐弯折性，因此用于柔性TFT基板时，可以使其具有更好的耐弯折性。
另外，在图1中，柔性有机层41可以是为平坦化层。使用柔性有机层41作为平坦化层不会额外增加制造TFT基板的工艺步骤。同时，平坦化层一般由聚丙烯酸酯或聚酰亚胺等合适的柔性有机材料形成，可以提高TFT基板的抗冲击性和抗弯折性，实现改善显示失效的目的。
在一个实施例中，如图2所示，示出了TFT基板200的示意图，TFT基板200与图1中所示的TFT基板100的区别在于，TFT基板200的柔性有机层41包括平第一柔性有机层411和位于第一柔性有机层411上方的第二柔性有机层412。第二柔性有机层412与第一柔性有机层411的材料不同。在本实施例中，第二柔性有机层412可以是平坦化层。虽然设置两层柔性有机层增加了制造TFT基板的工艺步骤，但是柔性有机层的材料以及形状有了更多的选择。在一个实施例中，第一柔性有机层411可以由非牛流体形成，非牛流体具有很好的缓冲性，能显著改善TFT基板的抗冲击性。可以通过对柔性有机层的形状、结构和材料进行合适的选择和设计来实现更好的效果，提升TFT基板的抗冲击性，实现改善显示失效的目的。
在图3-7中，仅示出了柔性有机层41为平坦化层的情况，但本申请的实施例不限于此，柔性有机层41也可以包括平第一柔性有机层411和位于第一柔性有机层411上方的第二柔性有机层412(图3-7中未示出)。
在一个实施例中，如图3所示，示出了TFT基板300的示意图。在图3中，TFT基板的栅极绝缘层46被图案化为仅包覆有源层42，并且在有源层42两端的位置设置第二镂空区域72。柔性有机材料填充第二镂空区域72。
在本实施例中，对栅极绝缘层46进行相当于下层遮蔽必要图案的图案化，即具有实现绝缘所必需的图案，然后使用柔性有机材料进行填充。栅极绝缘层46由氧化硅、氮化硅等无机绝缘材料形成。虽然对栅极绝缘层46进行图案化增加了制造TFT基板的工艺步骤，但是由于柔性有机材料相对于栅极绝缘层46的无机绝缘材料具有较好的缓冲性，因此在TFT基板受到外来瞬时冲击时，应力可以向第二镂空区域72内的柔性有机材料释放，因此具备更多的缓冲空间，可以有效吸收和释放应力，从而达到提高抗冲击能力、改善显示失效的目的。同时，由于柔性有机层相对于无机层具有更好的延展性和耐弯折性，因此用于柔性TFT基板时，可以使其具有更好的耐弯折性。
在一个实施例中，如图4所示，示出了TFT基板400的示意图，其与图1中所示的TFT基板100的区别在于，TFT基板还可以包括位于源极44和漏极45上的保护层49，并且保护层49被图案化成仅包覆源极44和漏极45。
在另一个实施例中，如图5所示，示出了TFT基板500的示意图，其与图4中所示的TFT基板400的区别在于，TFT基板还覆盖源极44和漏极45之间的层间绝缘层47的上表面。
在图4和5的实施例中，对层间绝缘层47以及保护层49均进行相当于下层遮蔽必要图案的图案化，即具有实现绝缘和保护所必需的图案，使得TFT基板中的无机层不连续，然后使用柔性有机材料进行覆盖和填充。通常，保护层49由氧化硅、氮化硅和/或其他合适的无机绝缘材料形成。柔性有机层相对于层间绝缘层47和保护层49具有较好的缓冲性，因此在TFT基板受到外来瞬时冲击时，应力具备更多的缓冲空间，可以有效吸收和释放应力，从而达到提高抗冲击能力、改善显示失效的目的。同时，由于柔性有机层相对于无机层具有更好的延展性和耐弯折性，因此用于柔性TFT基板时，可以使其具有更好的耐弯折性。
在一个实施例中，如图6所示，示出了TFT基板600的示意图，其与图1中所示的TFT基板100的区别在于，TFT基板的栅极绝缘层46被图案化为仅包覆有源层42，并且在有源层42两端的位置设置第二镂空区域72。柔性有机层41覆盖TFT基板中的暴露的表面并填充第一镂空区域71和第二镂空区域72。在其他实施例中，若TFT基板还包括保护层49，则除了对栅极绝缘层46和层间绝缘层47进行图案化之外，还可以对保护层49进行如图3或4所示的图案化。
在本实施例中，对栅极绝缘层46和层间绝缘层47均进行相当于下层遮蔽必要图案的图案化，即具有实现绝缘所必需的图案，然后使用柔性有机材料进行填充。栅极绝缘层46和层间绝缘层47均由氧化硅、氮化硅等无机绝缘材料形成。虽然对栅极绝缘层46进行图案化增加了制造TFT基板的工艺步骤，但是由于柔性有机材料相对于栅极绝缘层46和层间绝缘层47的无机绝缘材料具有较好的缓冲性，因此在TFT基板受到外来瞬时冲击时，应力可以向第一镂空区域71和第二镂空区域72内的柔性有机材料释放，因此具备更多的缓冲空间，可以有效吸收和释放应力，从而达到提高抗冲击能力、改善显示失效的目的。同时，由于柔性有机层相对于无机层具有更好的延展性和耐弯折性，因此用于柔性TFT基板时，可以使其具有更好的耐弯折性。
在一个实施例中，如图7所示，示出了TFT基板700的示意图，其与图6中所示的TFT基板600的区别在于，TFT基板700还包括覆盖衬底30的缓冲层32，柔性有机层41与缓冲层32接触。TFT基板700还包括设置在缓冲层32和有源层42之间的阻隔层33。阻隔层33被图案化成在位于有源层42两端的对应位置设置有第三镂空区域73，柔性有机层41还填充第三镂空区域73。阻隔层33可以被图案化成其宽大略大于(如图6所示)或等于(未示出)有源层42的宽度。在图6中，柔性有机层41覆盖TFT基板中的所有暴露的表面并且填充第一镂空区域71、第二镂空区域72和第三镂空区域73。在其他实施例中，若TFT基板还包括保护层49，则除了对阻隔层33、栅极绝缘层46和层间绝缘层47进行图案化之外，还可以对保护层49进行如图4或5所示的图案化。
在本实施例中，对阻隔层33、栅极绝缘层46和层间绝缘层47均进行相当于下层遮蔽必要图案的图案化，即具有实现绝缘和阻隔所必需的图案，在相邻TFT之间设置有第一镂空区域71、第二镂空区域72和第三镂空区域73，然后使用柔性有机材料对第一镂空区域71、第二镂空区域72和第三镂空区域73进行填充。柔性有机材料相对于阻隔层33、栅极绝缘层46和层间绝缘层47的无机材料具有较好的缓冲性，因此在TFT基板受到外来瞬时冲击时，应力可以向第一镂空区域71、第二镂空区域72和第三镂空区域73内的柔性有机材料释放，因此应力具备更多的缓冲空间，可以有效吸收和释放应力，从而达到提高抗冲击能力、改善显示失效的目的。同时，由于柔性有机层相对于无机层具有更好的延展性和耐弯折性，因此用于柔性TFT基板时，可以使其具有更好的耐弯折性。
本申请还提供一种显示面板，显示面板包括上述任意一个实施例中的TFT基板。本申请通过对显示面板的TFT基板中的各无机层进行相当于下层遮蔽必要图案的图案化，使得无机层成为不连续的膜层，并以柔性有机材料填充，从而使得具有该TFT基板的显示面板受到冲击时的应力激增释放在该区域，解决了受到冲击时显示失效的问题。
如图8所示，示出了本申请一个实施例中的显示面板1000，其包括如图1所示的TFT基板。显示面板还包括设置在TFT基板上的发光结构。在本实施例中，发光结构为OLED结构。
其中，OLED属载流子双注入型发光器件，在外界电压的驱动下，由电极注入的电子和空穴在有机材料中复合而释放出能量并将能量传递给有机发光物质的分子，使其受到激发,从基态跃迁到激发态，当受激分子从激发态回到基态时辐射而产生发光现象。
具体地，OLED结构包括叠层设置的第一电极、有机发光层和第二电极，具体地，第一电极直接与TFT的漏极电连接，第二电极与第一电极对应。对于顶发光的OLED结构，第一电极为阳极50，第二电极为阴极(未示出)。本实施例中仅以图1所示的顶发光的OLED结构为例，对显示面板的剖面结构进行说明，但并不限于此。
从阴极到阳极的顺序，有机发光层依次包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层(上述层均未在图8中示出)。有机发光层中与发光层对应的结构为像素。有机发光层还包括设置在相邻像素之间的像素限定层20。像素限定层20设有对应每个像素的开口，用于容纳发光材料并限定像素的区域，不同颜色的像素(子像素)对应的发光材料蒸镀于对应的开口内。
在本申请中术语“像素”即可以是像素单元，也可以是组成像素单元的子像素，其中子像素可以选自红色子像素、蓝色子像素、绿色子像素和白色子像素的一种或几种。
上述显示面板，包括上述任意一个实施例中的TFT基板，该TFT基板包括：衬底、设置在衬底上的功能层、以及覆盖功能层的绝缘层；功能层具有图案化结构，绝缘层具有与功能层结构匹配的图案化结构；绝缘层的图案化结构中的镂空区域填充有柔性有机材料，柔性有机材料和功能层不直接接触。由于柔性有机材料相比于绝缘层的材料具有更好的缓冲性，因此在显示面板受到外来瞬时冲击时，应力可以向第一镂空区域中的柔性有机材料释放，因此具备更多的缓冲空间，可以有效吸收和释放应力，从而达到提高抗冲击能力、改善显示失效的目的。同时，由于柔性有机层相对于无机层具有更好的延展性和耐弯折性，因此用于柔性显示面板时，可以使其具有更好的耐弯折性。
在一个实施例中，显示面板的像素限定层上具有设置在相邻两个像素之间的沟槽结构。如图9所示，示出了本申请一个实施例中的显示面板2000，其包括如图1所示的TFT基板。图9所示的显示面板2000与图8所示的显示面板1000的不同之处在于：显示面板2000的像素限定层20上具有设置在相邻两个像素之间的沟槽结构201。
上述实施例中的显示面板2000，通过在两个像素之间的像素限定层20上设置沟槽结构201，使得显示面板2000在受到外来瞬时冲击时，应力可以向沟槽结构201释放，因而具备更多的缓冲空间，可以有效吸收和释放应力，保护像素，从而达到提高抗冲击能力、改善显示失效的目的。以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括：衬底、设置在所述衬底上的功能层、以及覆盖所述功能层的绝缘层；所述功能层具有图案化结构，所述绝缘层具有与所述功能层结构匹配的图案化结构；所述绝缘层的图案化结构中的镂空区域填充有柔性有机材料，所述柔性有机材料和所述功能层不直接接触。
2.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括若干个交叠设置的功能层和绝缘层，在每个功能层靠近和远离所述衬底的方向上均设置有绝缘层，且与所述功能层相邻的绝缘层相互接触以形成对所述功能层的包裹结构。
3.根据权利要求2所述的TFT基板，其特征在于，所述若干个交叠设置的功能层和绝缘层均具有图案化结构，且各所述功能层和绝缘层的图案化结构在衬底上的投影存在交叠区域。
4.根据权利要求3所述的TFT基板，其特征在于，所述柔性有机材料连续地填充在各绝缘层的图案化结构中的镂空区域。
5.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述功能层为有源层、栅极、源极和漏极、电容的上极板、电容的下极板中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板还包括覆盖所述衬底的缓冲层，所述柔性有机材料与所述缓冲层接触。
7.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括平坦化层，所述平坦化层覆盖所述TFT基板中距离所述衬底最远的绝缘层。
8.根据权利要求7所述的TFT基板，其特征在于，所述平坦化层与填充在所述绝缘层中的所述柔性有机材料材质相同。
9.一种显示面板，其特征在于，包括根据权利要求1-8中任一项所述的TFT基板。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置在所述TFT基板上的发光结构，所述发光结构包括叠层设置的第一电极、有机发光层和第二电极；所述有机发光层包括像素、以及设置在相邻像素之间的像素限定层，所述像素限定层上具有设置在相邻两个像素之间的沟槽结构。
CN201810948118.5A 2018-08-20 2018-08-20 Tft基板和显示面板 Pending CN109103224A (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810948118.5A CN109103224A (zh) 2018-08-20 2018-08-20 Tft基板和显示面板
PCT/CN2019/085064 WO2020038018A1 (zh) 2018-08-20 2019-04-29 Tft基板和显示面板
KR1020207014685A KR102501504B1 (ko) 2018-08-20 2019-04-29 Tft 기판 및 디스플레이 패널
US16/801,149 US20200194526A1 (en) 2018-08-20 2020-02-26 Thin film transistor substrates and display panels

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810948118.5A CN109103224A (zh) 2018-08-20 2018-08-20 Tft基板和显示面板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109103224A true CN109103224A (zh) 2018-12-28

Family

ID=64850484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810948118.5A Pending CN109103224A (zh) 2018-08-20 2018-08-20 Tft基板和显示面板

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20200194526A1 (zh)
KR (1) KR102501504B1 (zh)
CN (1) CN109103224A (zh)
WO (1) WO2020038018A1 (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020038018A1 (zh) * 2018-08-20 2020-02-27 云谷（固安）科技有限公司 Tft基板和显示面板
CN111179761A (zh) * 2020-02-25 2020-05-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板和显示装置
CN111668280A (zh) * 2020-06-30 2020-09-15 福建华佳彩有限公司 一种具有夹层结构的显示面板及制作方法
CN111785736A (zh) * 2020-07-08 2020-10-16 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法
CN112269487A (zh) * 2020-09-29 2021-01-26 合肥维信诺科技有限公司 一种显示面板
CN112563310A (zh) * 2020-12-10 2021-03-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled背板结构、制作方法及显示装置
WO2021190491A1 (zh) * 2020-03-27 2021-09-30 维沃移动通信有限公司 显示基板及其制造方法、显示面板和电子设备
WO2022262450A1 (zh) * 2021-06-16 2022-12-22 华为技术有限公司 显示装置及其制作方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110190067B (zh) * 2019-05-17 2021-07-06 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板以及阵列基板的制作方法
US11329073B2 (en) * 2019-10-29 2022-05-10 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel
CN112002702B (zh) * 2020-08-06 2022-09-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及可卷曲显示装置
CN112103401A (zh) * 2020-09-27 2020-12-18 福建华佳彩有限公司 一种柔性显示屏封装结构及其制备方法
CN112531130B (zh) * 2020-12-02 2022-10-21 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及显示装置
KR20240010677A (ko) * 2022-07-15 2024-01-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103545321A (zh) * 2013-11-11 2014-01-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置
CN103545320A (zh) * 2013-11-11 2014-01-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置
US20150001492A1 (en) * 2013-06-26 2015-01-01 Samsung Display Co., Ltd. Thin-film transistor substrate, related light-emitting apparatus, and related manufacturing method
CN104795403A (zh) * 2015-04-16 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板及其制作方法、显示装置
CN107658333A (zh) * 2017-10-31 2018-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制造方法、柔性显示装置
CN108110037A (zh) * 2017-12-29 2018-06-01 昆山国显光电有限公司 柔性显示屏

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4809627B2 (ja) * 2004-05-21 2011-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP4715226B2 (ja) * 2005-02-21 2011-07-06 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
JP2016031889A (ja) * 2014-07-30 2016-03-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及びその製造方法
CN109103224A (zh) * 2018-08-20 2018-12-28 云谷（固安）科技有限公司 Tft基板和显示面板

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150001492A1 (en) * 2013-06-26 2015-01-01 Samsung Display Co., Ltd. Thin-film transistor substrate, related light-emitting apparatus, and related manufacturing method
CN103545321A (zh) * 2013-11-11 2014-01-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置
CN103545320A (zh) * 2013-11-11 2014-01-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置
CN104795403A (zh) * 2015-04-16 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板及其制作方法、显示装置
CN107658333A (zh) * 2017-10-31 2018-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制造方法、柔性显示装置
CN108110037A (zh) * 2017-12-29 2018-06-01 昆山国显光电有限公司 柔性显示屏

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020038018A1 (zh) * 2018-08-20 2020-02-27 云谷（固安）科技有限公司 Tft基板和显示面板
CN111179761A (zh) * 2020-02-25 2020-05-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板和显示装置
WO2021190491A1 (zh) * 2020-03-27 2021-09-30 维沃移动通信有限公司 显示基板及其制造方法、显示面板和电子设备
CN111668280A (zh) * 2020-06-30 2020-09-15 福建华佳彩有限公司 一种具有夹层结构的显示面板及制作方法
CN111785736A (zh) * 2020-07-08 2020-10-16 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法
CN112269487A (zh) * 2020-09-29 2021-01-26 合肥维信诺科技有限公司 一种显示面板
CN112563310A (zh) * 2020-12-10 2021-03-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled背板结构、制作方法及显示装置
WO2022262450A1 (zh) * 2021-06-16 2022-12-22 华为技术有限公司 显示装置及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020038018A1 (zh) 2020-02-27
US20200194526A1 (en) 2020-06-18
KR102501504B1 (ko) 2023-02-20
KR20200066727A (ko) 2020-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109103224A (zh) Tft基板和显示面板
KR101060074B1 (ko) 발광형 표시 장치
CN103915577B (zh) 有机发光显示器件及其制造方法
CN104752482B (zh) 有机发光二极管显示装置
TWI538198B (zh) 有機發光顯示裝置
CN202816947U (zh) 有机发光显示装置
CN105895655B (zh) 具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法
CN107665905A (zh) 显示装置
WO2015032240A1 (zh) Oled阵列基板及其制造方法、显示装置
KR20140031004A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN106373978B (zh) 薄膜晶体管阵列基板和包括其的有机发光二极管显示设备
US7948160B2 (en) Optical device and manufacturing method of the optical device
JP2002208491A (ja) 自己発光型表示装置
CN108172697A (zh) 有机发光显示装置
CN109564986A (zh) 显示基板、显示设备和制造显示基板的方法
KR20100069337A (ko) 백색 전면발광 유기전계발광 표시장치
CN108807496A (zh) 有机电致发光显示面板及显示装置
CN109192755A (zh) 显示面板及显示装置
CN109065758A (zh) 柔性显示装置及其制造方法
CN109166883A (zh) 显示面板及其制作方法和显示装置
JP5019644B2 (ja) 有機ｅｌ装置
JP4926324B2 (ja) 有機ｅｌデバイス
JP5104152B2 (ja) 有機ｅｌ装置及び電子機器
KR100883074B1 (ko) 전계발광소자
KR100705819B1 (ko) 전계발광소자의 제조방법 및 전계발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20181228